JP2008243892A - 光半導体用反射材 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(a)数平均分子量が800以上の非環式炭化水素基を含有する、多官能(メタ)アクリル酸エステル:15〜80質量%、及び、(b)波長350nmでの紫外線透過率が50%以上の材質からなる中空粒子:20〜60質量%を含む、熱又は光重合性組成物を重合して得られる光半導体用反射材。
【選択図】なし
Description
また、酸化チタンの代わりにチタン酸カリウム繊維を用いた材料が開示されている(例えば、特許文献2参照)。この材料では、紫外線に対する反射特性がある程度改良されるが、それでも不充分であった。
1.(a)数平均分子量が800以上の非環式炭化水素基を含有する、多官能(メタ)アクリル酸エステル:15〜80質量%、及び、(b)波長350nmでの紫外線透過率が50%以上の材質からなる中空粒子:20〜60質量%を含む、熱又は光重合性組成物を重合して得られる光半導体用反射材。
2.前記(a)の非環式炭化水素基が、ポリアルカジエン構造又はポリアルカジエン水添物構造を有する1に記載の光半導体用反射材。
3.前記中空粒子が、架橋樹脂又は無機化合物からなる1又は2に記載の光半導体用反射材。
4.前記中空粒子が、架橋スチレン樹脂、架橋アクリル樹脂、無機ガラス又はシリカからなる1〜3のいずれか一項に記載の光半導体用反射材。
5.さらに、波長550nmでの可視光線反射率が80%以上の基体を含み、この基体上に1〜4のいずれか一項に記載の光半導体用反射材を積層している光半導体用反射材。
6.上記1〜5のいずれか一項に記載の光半導体用反射材を含む光電変換素子。
7.上記6に記載の光電変換素子を含む光電変換装置。
(a)数平均分子量800以上の非環式炭化水素基を含有する、多官能(メタ)アクリル酸エステルを15〜80質量%
(b)波長350nmでの紫外線透過率が50%以上の材質からなる中空粒子を20〜60質量%
尚、(メタ)アクリル酸エステルは、メタクリル酸エステル又はアクリル酸エステルを意味し、両者を纏めて記載したものである。
また、非環式炭化水素基の数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)で測定した値であり、多官能(メタ)アクリル酸エステルの数平均分子量を測定し、その値から(メタ)アクリル酸部分の分子量を減ずることで決定できる。
ポリアルカジエンの好適例としては、ポリイソプレン、ポリブタジエン等が挙げられる。
成分(a)である多官能(メタ)アクリル酸エステルは、一分子中に(メタ)アクリル基を2個以上有する。官能基の数は、2又は3個が好ましい。また、成分(a)は単独で用いてもよく、異なるものを複数組み合わせて用いてもよい。
成分(a)である多官能(メタ)アクリル酸エステルの具体例には、ポリブタジエン末端ジアクリレート、水添ポリブタジエン末端ジアクリレート、ポリイソプレン末端ジアクリレート、水添ポリイソプレン末端ジアクリレート等が挙げられる。
中空粒子の外殻を通過した紫外線は、中空部で反射されるため、紫外線透過率の高い材質が必要となる。中空部での反射率を高めるためには、中空粒子を構成する部分と中空粒子内部に存在する気体との屈折率の差が大きいほうがよい。中空粒子内部に存在する気体は、通常、空気であるが、窒素やアルゴン等の不活性ガスでもよく、また、真空であってもよい。
有機化合物では、ポリスチレン系樹脂、ポリ(メタ)アクリレート系樹脂、及び、これらの架橋体等を好適に用いることができ、これらを1種又は2種以上含んでいても良い。中でも、無機ガラス、シリカ、架橋(メタ)アクリル系樹脂、架橋スチレン系樹脂が好ましい。
(メタ)アクリル酸エステルとして、例えば、メチルアクリレート、フルオロメチルアクリレート、エチルアクリレート、ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、tert−ブチルアクリレート、2,2,2−トリフルオロエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレート、1,2,2,2−テトラクロロエチルアクリレート、プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート、2−クロロ−1−(クロロジフルオロメチル)エチルアクリレート、1,2,2,2−テトラフルオロ−1−(トリフルオロメチル)エチルアクリレート、2,2,2−トリフルオロ−1−(トリフルオロメチル)エチルアクリレート、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピルアクリレート、1−メチルエチルアクリレート、2−(メチルチオ)エチルアクリレート、2−メトキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2−プロペニルアクリレート、1−エトキシ−2,2,2−トリフルオロエチルアクリレート、2−(エチルチオ)エチルアクリレート、2−エトキシエチルアクリレート、2,2,3,3,4,4,4−ヘプタフルオロブチルアクリレート、3−(メチルチオ)プロピルアクリレート、1−メチルプロピルアクリレート、2,2,3,4,4,4−ヘキサフルオロブチルアクリレート、4−オキサペンチルアクリレート、2−(トリフルオロエトキシ)エチルアクリレート、2−(1,1,2,2−テトラフルオロエトキシ)エチルアクリレート、3−(エチルチオ)プロピルアクリレート、1−エチルプロピルアクリレート、2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロペンチルアクリレート、2,2−ジメチルプロピルアクリレート、2,2,3,3,4,4,5,5,5−ノナフルオロペンチルアクリレート、4−メチルチオブチルアクリレート、2−メチルブチルアクリレート、3−メチルブチルアクリレート、4−オキサヘキシルアクリレート、3−メトキシブチルアクリレート、ヘキシルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、2−エチルブチルアクリレート、2−メチルペンチルアクリレート、4−メチル−2−ペンチルアクリレート、フェニルアクリレート、2−クロロフェニルアクリレート、4−クロロフェニルアクリレート、2,4−ジクロロフェニルアクリレート、ペンタクロロアクリレート、3,3,4,4,5,5,6,6,6−ウンデカフルオロアクリレート,ペンタフロロアクリレート、ヘプチルアクリレート、フェニルメチルアクリレート、2−メチルフェニルアクリレート、3−メチルフェニルアクリレート、4−メチルフェニルアクリレート、1−メチルへキシルアクリレート、4−メトキシフェニルアクリレート、オクチルアクリレート、2−フェニルエチルアクリレート、1−メチルヘプチルアクリレート、ノニルアクリレート、デシルアクリレート等のアクリル酸エステルや、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、2−クロロエチルメタクリレート、2,2,2−トリフルオロエチルメタクリレート、2−ニトロエチルメタクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソプロピルメタクリレート、2−メトキシエチルメタクリレート、アリルメタクリレート、グリシジルメタクリレート、2−クロロプロピルメタクリレート、トリメチルシリルメタクリレート、2,2,2−トリフルオロ−1−メチルエチルメタクリレート、2,2,3,3−テトラフルオロプロピルメタクリレート、ヘプタフルオロイソプロピルメタクリレート、ヘキサフルオロイソプロピルメタクリレート、ブチルメタクリレート、イソブチルメタクリレート、sec−ブチルメタクリレート、tert−ブチルメタクリレート、2−エトキシエチルメタクリレート、ジエチレングリコールメタクリレート、ノナフルオロ−tert−ブチルメタクリレート、2,2,3,3,4,4,4−ヘプタフルオロブチルメタクリレート、ペンチルメタクリレート、シクロペンチルメタクリレート、2,2−ジエチルプロピルメタクリレート、1−メチルブチルメタクリレート、イソアミルメタクリレート、2,2,3,3,4,4,5,6−オクタフルオロペンチルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、フェニルメタクリレート、3,3−ジメチルブチルメタクリレート、2−エチルブチルメタクリレート、1−メチルシクロヘキシルメタクリレート、2−メチルシクロヘキシルメタクリレート、3−メチルシクロヘキシルメタクリレート、4−メチルシクロヘキシルメタクリレート、1,1−ジエチルプロピルメタクリレート、2−メチルフェニルメタクリレート、3−メチルフェニルメタクリレート、4−メチルフェニルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、2−メトキシフェニルメタクリレート、2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7−ドデカフルオロヘプチルメタクリレート、オクチルメタクリレート、2−エチルヘキシルメタクリレート、2−フェニルエチルメタクリレート、2,4−ジメチルフェニルメタクリレート、2,5−ジメチルフェニルメタクリレート、2,6−ジメチルフェニルメタクリレート、3,5−ジメチルフェニルメタクリレート、ノニルメタクリレート、デシルメタクリレート、イソデシルメタクリレート等のメタクリル酸エステルが挙げられる。
尚、これらのなかで芳香環を含まない(メタ)アクリル酸エステルが好ましい。
酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、イオウ系酸化防止剤、ラクトン系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤等がある。これら添加剤の使用量は、重合性成分全量100質量部に対して、通常、0.005〜5質量部、好ましくは0.02〜2質量部である。これらの添加剤を2種以上組み合わせても良い。
ラジカル重合開始剤に使用量は、前記の熱又は光重合性化合物全量100質量部に対して、通常、0.01〜5質量部、好ましくは0.05〜1.0質量部である。上記ラジカル重合開始剤をそれぞれ単独で使用してもよく、また、複数を併用しても差し支えない。
また、上記(2)の方法のように、重合物を一度溶融させた後、賦形すれば、凹状に成形することは可能である。しかしながら、重合物を溶融させるには、かなりの高温に数分間さらす必要がある。この間に重合物が劣化し、着色するため、反射率低下を免れない。
本発明のように、重合性組成物を樹脂組成物基体10の凹部に塗布し、重合すると同時に反射材の形に成形することで、はじめて理想的な反射層を形成することが可能になる。
このような基体の材料として、充実粒子系白色顔料を含む樹脂組成物が挙げられる。酸化チタン等の充実粒子系白色顔料を含む樹脂組成物からなる基体は、紫外線反射能は低いが可視光の反射率は非常に高い。
この樹脂組成物からなる基体上に本発明の反射材を積層すると、積層体の上部から可視光を照射した場合、反射材層で反射せずに透過した光は基体で反射される。従って、上記のように積層することにより、紫外線だけでなく、可視光でも高い反射率を得ることが可能になる。
充実粒子系白色顔料を含む樹脂組成物は、その他、ガラス繊維等を含むことができる。
図1はLED用反射体の一例を示す図である。本例では、充実粒子系白色顔料を含有する樹脂組成物をリードフレーム12と一体成形して凹部を有する樹脂組成物基体10とし(図1a)、基体10の凹部内壁に上述した重合性組成物を塗布、硬化させ、反射層24を形成している(図1b)。さらに、この反射層24の上にシリコーン樹脂を塗布、硬化させ封止層30を形成する(図1c)。
尚、反射層24の厚みは場所により異なっていてもよい(図1(b)参照)。この層の最大厚みは0.05〜3mmが好ましく、0.25〜2mmがより好ましい。また、基体の外径及び高さは、ともに5mm程度と小さい。
[使用材料]
(A)成分(a):多官能(メタ)アクリル酸エステル
(1)水添ポリブタジエン末端ジアクリレート30:大阪有機化学工業(株)製、SPBDA−S30、数平均分子量=2000〜3000(カタログ値)
(2)水添ポリブタジエン末端ジアクリレート50:大阪有機化学工業(株)製、SPBDA−S50、数平均分子量=3000〜4000(カタログ値)
(3)ポリブタジエン末端ジアクリレート:大阪有機化学工業(株)性、BAC−45、数平均分子量=約3000(カタログ値)
中空シリカビーズ:HSC−110C(ポッターズ・バロティーニ(株)、平均粒径13μm、平均孔径9μm、ガラスの紫外線透過率90%(波長350nm、厚み250μm))
(1)ステアリルメタクリレート:三菱レーヨン(株)製、アクリエステルS
(2)ポリエチレングリコール#400ジメタクリレート:新中村化学工業(株)製、NKエステル9G
(3)1,9−ノナンジオールジアクリレート:大阪有機化学工業(株)製、V#260、分子量=268
パーヘキサHC:日本油脂(株)製
(1)シリコーン樹脂a:信越化学工業(株)製、KER2500a
(2)シリコーン樹脂b:信越化学工業(株)製、KER2500b
表1に示す割合で(メタ)アクリル酸エステル及び中空粒子を配合し、さらに、パーヘキサHCを重合成分100質量部に対し0.1質量部加え、よく撹拌し、熱重合性組成物を得た。
尚、この組成物中の中空粒子の分散性を下記評価(1)により評価した。
得られた試料の反射率を下記評価(2)に従って測定した。但し、比較例2で得られた硬化物は明らかに中空粒子がまだらに分散しており、均一なものができなかったので、それ以上の評価は行わなかった。
また、下記評価(3)に示す方法で熱処理を行い、耐熱性を評価した。さらに、各例の配合において中空粒子を添加しない組成物を重合した試料について、下記評価(4)により水蒸気透過度を測定した。
熱重合性組成物5gを8mlのスクリュー管に秤量し、激しく撹拌し、中空粒子が十分分散しているのを確認した後、平らな机の上に静置した。5時間後、目視にて中空粒子の分散性を評価した。
(株)島津製作所製・自記分光光度計UV−2400PCに(株)島津製作所製・マルチパーパス大形試料室ユニットMPC−2200形を取り付け、波長380nmにおける反射率(%)を測定した。尚、レファレンスとして硫酸バリウムを用いた。
試料をはんだリフロー炉内(TAMURAコーポレーション製、TAS20−15N)に通すことにより熱処理をした。熱処理前後での表面外観を顕微鏡観察により比較し、熱処理時の変形の有無を判断した。はんだリフロー炉にて試料が受ける熱処理条件は次の通りとした。
150℃60秒→(昇温速度200℃/分)→260℃5秒→(降温速度200℃/分)→150℃→(空冷)
JIS Z0208に準拠して実施した。試料サイズは100mm×150mm×0.5mmとした。
測定には次の方法で作製した試料を用いた。即ち、表に示す割合で(メタ)成分(A)及び(C)のアクリル酸エステルのみを配合し、パーヘキサHCを1000ppm加え、よく撹拌した熱重合性組成物を、100mm×150mm×0.5mmの金型内に流し込み、110℃で3時間、160℃で1時間の条件で硬化させた。
評価の結果を表1及び2に示す。
実施例2で調製した熱重合性組成物を300μm厚みのアルミ板上に塗布、硬化させ(110℃で3時間、160℃で1時間)、厚み約300μmの硬化物を得た。反射率を測定したところ、波長380nmで79.5%であった。
実施例2で調製した熱重合性組成物を300μm厚みのアルミ板上に塗布、硬化させ(110℃で3時間、160℃で1時間)、厚み約150μmの硬化物を得た。反射率を測定したところ、波長380nmで74.6%であった。
ポリフタルアミド板[(株)ユーコウ商会製、高可視光反射性基体:原料、アモデルA4122NLWH905、2mm×25mm×100mm:波長550nmの光に対する反射率=90.4%、波長380nmの光に対する反射率=12.5%]上に、実施例2で調製した熱重合性組成物を塗布、硬化させ(110℃で3時間、160℃で1時間)、500nmの反射層を形成し、積層体とした。
この積層体の反射率は550nmでは91.3%、380nmでは79.0%であった。一方、同じ熱重合性組成物をアルミ板上に塗布・硬化させた場合の反射率は、550nmでは84.9%、380nmでは81.5%であった。
シリコーン樹脂a、シリコーン樹脂b、及び中空粒子(HSC110C)を30:30:40(質量%)の割合で混合し、よく撹拌して、熱重合性組成物を得た。この組成物中の中空粒子の分散性を上記方法(1)に従い評価した。
次に、この熱重合性組成物を十分撹拌した後、実施例1と同じ300μm厚みのアルミ板の上に塗布し、100℃で1時間、150℃で5時間加熱し、厚み約500μmの硬化物を得た。
こうして得られた試料の反射率を上記評価方法(2)〜(4)に従って評価した。評価結果を表2に示す。
12 リードフレーム
20 発光素子
22 ワイヤーボンディング
24 反射層(反射材)
30 封止材
Claims (7)
- (a)数平均分子量が800以上の非環式炭化水素基を含有する、多官能(メタ)アクリル酸エステル:15〜80質量%、及び、
(b)波長350nmでの紫外線透過率が50%以上の材質からなる中空粒子:20〜60質量%を含む、熱又は光重合性組成物を重合して得られる光半導体用反射材。 - 前記(a)の非環式炭化水素基が、ポリアルカジエン構造又はポリアルカジエン水添物構造を有する請求項1に記載の光半導体用反射材。
- 前記中空粒子が、架橋樹脂又は無機化合物からなる請求項1又は2に記載の光半導体用反射材。
- 前記中空粒子が、架橋スチレン樹脂、架橋アクリル樹脂、無機ガラス又はシリカからなる請求項1〜3のいずれか一項に記載の光半導体用反射材。
- さらに、波長550nmでの可視光線反射率が80%以上の基体を含み、この基体上に請求項1〜4のいずれか一項に記載の光半導体用反射材を積層している光半導体用反射材。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の光半導体用反射材を含む光電変換素子。
- 請求項6に記載の光電変換素子を含む光電変換装置。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008231231A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 光半導体用反射材 |
CN102194960A (zh) * | 2010-03-02 | 2011-09-21 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 半导体发光组件封装结构 |
WO2012056972A1 (ja) | 2010-10-25 | 2012-05-03 | 出光興産株式会社 | (メタ)アクリレート系組成物 |
WO2012162440A2 (en) * | 2011-05-23 | 2012-11-29 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Reflector for light-emitting diode and housing |
WO2013151151A1 (ja) * | 2012-04-05 | 2013-10-10 | ジャパンコンポジット株式会社 | ランプリフレクター用成形材料及び成形品 |
WO2014073212A1 (ja) * | 2012-11-09 | 2014-05-15 | 出光興産株式会社 | 反射材用組成物及びこれを用いた光半導体発光装置 |
JP2018056552A (ja) * | 2016-08-05 | 2018-04-05 | マブン オプトロニックス カンパニー リミテッドMaven Optronics Co., Ltd. | 耐湿性チップスケールパッケージ発光素子 |
JP2018148206A (ja) * | 2017-03-03 | 2018-09-20 | 光感動股▲ふん▼有限公司Ison Corporation | 光半導体装置及びその光半導体装置のパッケージ |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03206673A (ja) * | 1990-01-08 | 1991-09-10 | Seiwa Denki Kk | 発光ダイオード素子およびその製造方法 |
JPH0963329A (ja) * | 1995-08-30 | 1997-03-07 | Minnesota Mining & Mfg Co <3M> | 液晶バックライト用反射シート |
JP2003195020A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-09 | Otsuka Chemical Holdings Co Ltd | 紫外線発生源用反射板材料 |
WO2004097468A1 (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-11 | Mitsubishi Plastics, Inc. | 液晶ディスプレイ用反射シート及びその製造方法、ならびにこの反射シートを用いたバックライトユニット |
WO2007037093A1 (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-05 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 反射材及び発光ダイオード用反射体 |
JP2008231231A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 光半導体用反射材 |
-
2007
- 2007-03-26 JP JP2007078553A patent/JP4892380B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03206673A (ja) * | 1990-01-08 | 1991-09-10 | Seiwa Denki Kk | 発光ダイオード素子およびその製造方法 |
JPH0963329A (ja) * | 1995-08-30 | 1997-03-07 | Minnesota Mining & Mfg Co <3M> | 液晶バックライト用反射シート |
JP2003195020A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-09 | Otsuka Chemical Holdings Co Ltd | 紫外線発生源用反射板材料 |
WO2004097468A1 (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-11 | Mitsubishi Plastics, Inc. | 液晶ディスプレイ用反射シート及びその製造方法、ならびにこの反射シートを用いたバックライトユニット |
WO2007037093A1 (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-05 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 反射材及び発光ダイオード用反射体 |
JP2008231231A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 光半導体用反射材 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008231231A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 光半導体用反射材 |
CN102194960A (zh) * | 2010-03-02 | 2011-09-21 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 半导体发光组件封装结构 |
WO2012056972A1 (ja) | 2010-10-25 | 2012-05-03 | 出光興産株式会社 | (メタ)アクリレート系組成物 |
US10526433B2 (en) | 2010-10-25 | 2020-01-07 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | (Meth)acrylate composition |
WO2012162440A2 (en) * | 2011-05-23 | 2012-11-29 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Reflector for light-emitting diode and housing |
WO2012162440A3 (en) * | 2011-05-23 | 2013-01-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Reflector for light-emitting diode and housing |
WO2013151151A1 (ja) * | 2012-04-05 | 2013-10-10 | ジャパンコンポジット株式会社 | ランプリフレクター用成形材料及び成形品 |
CN104204869A (zh) * | 2012-04-05 | 2014-12-10 | 日本复合材料株式会社 | 灯光反射器用成型材料和成型品 |
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WO2014073212A1 (ja) * | 2012-11-09 | 2014-05-15 | 出光興産株式会社 | 反射材用組成物及びこれを用いた光半導体発光装置 |
JP2018056552A (ja) * | 2016-08-05 | 2018-04-05 | マブン オプトロニックス カンパニー リミテッドMaven Optronics Co., Ltd. | 耐湿性チップスケールパッケージ発光素子 |
JP2018148206A (ja) * | 2017-03-03 | 2018-09-20 | 光感動股▲ふん▼有限公司Ison Corporation | 光半導体装置及びその光半導体装置のパッケージ |
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