JP2013197545A - 半導体発光装置、半導体発光装置用部品、半導体発光装置用反射体、半導体発光装置用反射体組成物、半導体発光装置用反射体の製造方法 - Google Patents
半導体発光装置、半導体発光装置用部品、半導体発光装置用反射体、半導体発光装置用反射体組成物、半導体発光装置用反射体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013197545A JP2013197545A JP2012066385A JP2012066385A JP2013197545A JP 2013197545 A JP2013197545 A JP 2013197545A JP 2012066385 A JP2012066385 A JP 2012066385A JP 2012066385 A JP2012066385 A JP 2012066385A JP 2013197545 A JP2013197545 A JP 2013197545A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reflector
- semiconductor light
- emitting device
- light emitting
- ultraviolet light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Abstract
【解決手段】基板と、半導体発光素子と、該半導体発光素子から発光される紫外光を所定方向に反射させるための反射体とを含む半導体発光装置であって、反射体は、ポリメチルペンテンと、紫外光反射性能を有する球状の無機粒子とを含む。
【選択図】図1
Description
図1に示すように、本発明の一実施形態の半導体発光装置100は、表面実装(Surface Mounted Device:SMD)型の半導体発光装置100であり、必須の構成である基板14と、半導体発光素子10と、該半導体発光素子10から発光される紫外光を所定方向に反射させるための反射体12と、から構成されている。以下、本発明の半導体発光装置100の必須の構成である基板14、反射体12、半導体発光素子10を中心に具体的に説明する。なお、本発明の半導体発光装置は、種々の形態をとることができ、以下の実施形態によって何ら限定されるものではない。たとえば、基板14と、半導体発光素子10と、反射体12とを含むものであれば、砲弾型の半導体発光装置であってもよく、COB(Chip On Board)型の半導体発光装置であってもよい。以下、半導体発光装置100として、表面実装型の半導体発光装置を中心に説明する。
本発明の半導体発光装置100を構成する基板14について特に限定はなく、半導体発光装置の分野で用いられるものあればいかなるものであっても使用可能である。基板14の材料としては、たとえば、アルミナや、窒化アルミ、ムライト、ガラスなどの焼結体から構成されるセラミック等を挙げることができる。これ以外にも、ポリイミド樹脂等のフレキシブル性を有する樹脂材料等を挙げることができる。
基板14上には、紫外光を発光する半導体発光素子10が設けられている。なお、本願明細書において、紫外光を発光する半導体発光素子10とは、230nm〜400nmの波長の光を発光する半導体発光素子を意味する。
図1に示すように、基板14上には、反射体12が設けられている。反射体12は、本発明の半導体発光装置における必須の構成であり、半導体発光素子10から発光される紫外光を所定方向、すなわち出光部側へ反射させる役割を果たす。
反射体12には、バインダーとしてのポリメチルペンテンが含まれる。ポリメチルペンテンは、耐熱性に優れることから、半導体発光素子10からの発熱による反射体12の変色を防止でき、長期にわたって反射体12の性能を維持することができる。ポリメチルペンテンは成型性に優れることから、バリの発生なく反射体12を成型可能である。これにより、バリによって生じ得る半導体発光装置の電気的な不良の発生を防止することができる。さらに、ポリメチルペンテンは、紫外域の波長の光線透過率に優れる。しがたって、ポリメチルペンテンと、紫外光反射性能を有する球状の無機粒子との相乗効果によって、半導体発光素子10から発光される紫外光を効果的に出光部側へ反射させることができ、殺菌効果および消臭効果、また演色性などを更に高めることができる。
反射体12には、紫外光反射性能を有する球状の無機粒子が含まれる。上述したように、反射体12は、紫外光を殆ど吸収しないポリメチルペンテンとともに、紫外光反射性能を有する球状の無機粒子が含まれることから、ポリメチルペンテンと、該無機粒子との相乗効果によって、紫外光に対する反射性に極めて優れた反射体12とすることができる。なお、本願明細書において、紫外光反射性能を有する球状の無機粒子とは、波長365nm〜400nmの領域における紫外光反射率が25%以上である無機粒子を意味する。なお、この範囲における紫外光の反射率は、分光光度計UV−2550(島津製作所製)によって、測定された反射率である。
本発明の半導体発光装置用部品は、基板14と、半導体発光素子10から発光される紫外光を所定方向に反射させるための反射体12とを含み、該反射体が、ポリメチルペンテンと、紫外光反射性能を有する球状の無機粒子とを含むことを特徴とする。
本発明の半導体発光装置用反射体は、半導体発光素子から発光される紫外光を所定方向に反射させるための半導体発光装置用反射体であって、ポリメチルペンテンと、紫外光反射性能を有する球状の無機粒子とを含むことを特徴とする。
本は追銘の半導体発光装置用反射体組成物は、半導体発光素子から発光される紫外光を所定方向に反射させるための反射体に用いられる半導体発光装置用反射体組成物であって、該半導体発光装置用反射体組成物は、ポリメチルペンテンと、紫外光反射性能を有する球状の無機粒子とを含むことを特徴とする。
次に、図1に示す一実施形態の半導体発光装置100の製造方法の一例について説明する。所定形状のキャビティ空間を備える金型を用いたトランスファー成型、圧縮成型、射出成型等により、上記本発明の半導体反射装置用反射体組成物から所定形状の反射体12を成型する。その後、別途、準備した半導体発光素子10、電極及びリード線16を、接着剤又は接合部材により基板14に固定し、さらに反射体12に基板14上に固定する。次いで、基板14及び反射体12により形成された凹部に、シリコーン樹脂等を含む透明封止剤組成物を注入し、加熱、乾燥等により硬化させて透明封止部とする。その後、透明封止部上にレンズ18を配設することで、図1に示す半導体発光装置が得られる。なお、透明封止剤組成物が未硬化の状態でレンズ18を載置してから、透明封止剤組成物を硬化させてもよい。
次に、本発明の半導体発光装置用反射体の製造方法について説明する。本発明の製造方法は、半導体発光装置用反射体の製造方法であって、ポリメチルペンテンと、紫外光反射性能を有する球状の無機粒子とを含む半導体発光装置用反射体組成物を用いて半導体発光装置用反射体を製造する点を特徴とするものである。
下記配合比で各種成分を配合し、ロールで混練を行うことで得られた反射体組成物1を、(株)ソディックプラステック製の射出成型装置(LA40 最大型締力 392kN)により、シリンダー温度280℃で溶融状態にし、金型(温度:80℃)に、射出圧力 110MPaで注入。50mm×55mmのメタル基板上に、40mm×50mm×0.3mmサイズに半導体発光装置用反射体を射出成形し、基板上に反射体が設けられた実施例1の半導体発光装置用部品を成型した。
(反射体組成物1)
・ポリメチルペンテン(A) 100部
(TPX−RT−18 三井化学(株)製)
・球状水酸化マグネウム(平均粒径1.1μm) 45部
(マグシーズN−6 神島化学工業(株)製)
反射体組成物1を、下記に示す反射体組成物2に変更した以外は全て実施例1と同様にして実施例2の半導体発光装置用部品を成型した。
(反射体組成物2)
・ポリメチルペンテン(B) 100部
(TPX−DX845 三井化学(株)製)
・球状水酸化マグネウム(平均粒径1.1μm) 45部
(マグシーズN−6 神島化学工業(株)製)
反射体組成物1を、下記に示す反射体組成物3に変更し、電子線照射を、加速電圧を250kVとし、吸収線量を所定の値として行った以外は全て実施例1と同様にして実施例3の半導体発光装置用部品を成型した。
(反射体組成物3)
・ポリメチルペンテン(A) 100部
(TPX−RT−18 三井化学(株)製)
・球状水酸化マグネウム(平均粒径1.1μm) 45部
(マグシーズN−6 神島化学工業(株)製)
・電子線架橋処理剤(トリアリルイソシアヌレート) 2部
(TAIC 日本化成(株)製)
反射体組成物1における、球状水酸化マグネウムの配合量を10部に変更した反射体組成物4を使用した以外は、全て実施例1と同様にして実施例4の半導体発光装置用部品を成型した。
反射体組成物1における、球状水酸化マグネウムの配合量を90部に変更した反射体組成物5を使用した以外は、全て実施例1と同様にして実施例5の半導体発光装置用部品を成型した。
反射体組成物1を、下記に示す反射体組成物6に変更した以外は全て実施例1と同様にして実施例6の半導体発光装置用部品を成型した。
(反射体組成物6)
・ポリメチルペンテン(A) 100部
(TPX−RT−18 三井化学(株)製)
・球状タルクMg3O11Si4 (平均粒径4.0μm) 45部
(1級 43115−1201 純正化学(株)製)
反射体組成物1を、下記に示す反射体組成物7に変更した以外は全て実施例1と同様にして実施例7の半導体発光装置用部品を成型した。
(反射体組成物7)
・ポリメチルペンテン(A) 100部
(TPX−RT−18 三井化学(株)製)
・球状炭酸カルシウム(平均粒径6.0μm) 45部
(鹿1級 07050−01 関東化学(株)製)
反射体組成物1を、下記に示す反射体組成物Aに変更した以外は全て実施例1と同様にして比較例1の半導体発光装置用部品を成型した。
(反射体組成物A)
・ポリメチルペンテン(A) 100部
(TPX−RT−18 三井化学(株)製)
・酸化チタン(ルチル型構造 平均粒径0.25μm) 45部
(PFC−107 石原産業(株)製)
反射体組成物1を、下記に示す反射体組成物Bに変更した以外は全て実施例1と同様にして比較例2の半導体発光装置用部品を成型した。
(反射体組成物B)
・半芳香族ポリアミド樹脂(融点305℃ ガラス転移温度125℃) 100部
(ザイテル HTN501(デュポン社製)
・球状水酸化マグネウム(平均粒径1.1μm) 45部
(マグシーズN−6 神島化学工業(株)製)
反射体組成物1を、下記に示す反射体組成物Cに変更した以外は全て実施例1と同様にして比較例3の半導体発光装置用部品を成型した。
(反射体組成物C)
・半芳香族ポリアミド樹脂(融点305℃ ガラス転移温度125℃) 100部
(ザイテル HTN501 デュポン社製)
・針状チタン酸カリウム 45部
(ティスモ D−102(平均繊維長10〜20μm 繊維径0.2〜0.6μm) 大塚化学(株)製)
反射体組成物1を、下記に示す反射体組成物Dに変更した以外は全て実施例1と同様にして比較例4の半導体発光装置用部品を成型した。
(反射体組成物D)
・半芳香族ポリアミド樹脂(融点305℃ ガラス転移温度125℃) 100部
(ザイテル HTN501 デュポン社製)
・針状チタン酸カリウム 45部
(ティスモ N−102(平均繊維長10〜20μm 繊維径0.2〜0.6μm) 大塚化学(株)製)
反射体組成物1を、下記に示す反射体組成物Dに変更した以外は全て実施例1と同様にして比較例4の半導体発光装置用部品を成型した。
(反射体組成物D)
・ポリメチルペンテン(A) 100部
(TPX−RT−18 三井化学(株)製)
・針状チタン酸カリウム 45部
(ティスモ D−102(平均繊維長10〜20μm 繊維径0.2〜0.6μm) 大塚化学(株)製)
各実施例、及び比較例の半導体発光装置用部品を、150℃で500時間放置する前と放置した後で、半導体発光装置用部品を構成する反射体の表面の色の変化を目視で観察した。放置前後で白色を維持しているものを○、それ以外を×とした。評価結果を色と併せて表1に示す。なお、放置前の白色を保っていれば良好な耐熱性を有することになる。
各実施例、及び比較例の半導体発光装置用部品を、150℃で500時間放置する前と放置した後で、半導体発光装置用部品を構成する反射体の波長230nm〜500nmにおける光反射率を分光光度計UV−2550(島津製作所製)を使用して測定した。表1に、波長380nm、450nmにおける光反射率の測定結果を示す。また、図3に、実施例1及び比較例1の反射体の光反射率と波長との関係を示す(いずれも「150℃で500時間放置」する前)。
各実施例及び比較例の半導体発光装置用部品を構成する反射体を成型するために用いた各反射体組成物を、日精樹脂工業(株)射出成形機 FNX140により、シリンダー温度;280℃、射出圧力30MPaとし、その他はJIS K7152−1(ISO 294)準拠した成形条件で、多目的試験片(JIS K7139(ISO 3167)1A形)の成形を行い、寸法変化率測定用の各実施例及び比較例の反射体を成形した。
上記で成型された各実施例及び比較例の半導体発光装置用部品を平面に置き、該平面からの反り具合を目視で確認した。目視上反りが確認できないものをOK、目視上明らかに反りが確認できたものをNGとした。評価結果を表1に併せて示す。
12・・・反射体
14・・・基板
16・・・リード線
18・・・レンズ
Claims (5)
- 基板と、紫外光を発光する半導体発光素子と、該半導体発光素子から発光される紫外光を所定方向に反射させるための反射体と、を含む半導体発光装置であって、
前記反射体は、ポリメチルペンテンと、紫外光反射性能を有する球状の無機粒子とを含むことを特徴とする半導体発光装置。 - 基板と、半導体発光素子から発光される紫外光を所定方向に反射させるための反射体と、を含む半導体発光装置用部品であって、
前記反射体は、ポリメチルペンテンと、紫外光反射性能を有する球状の無機粒子とを含むことを特徴とする半導体発光装置用部品。 - 半導体発光素子から発光される紫外光を所定方向に反射させるための半導体発光装置用反射体であって、
前記半導体発光装置用反射体は、ポリメチルペンテンと、紫外光反射性能を有する球状の無機粒子とを含むことを特徴とする半導体発光装置用反射体。 - 半導体発光素子から発光される紫外光を所定方向に反射させるための反射体に用いられる半導体発光装置用反射体組成物であって、
前記半導体発光装置用反射体組成物は、ポリメチルペンテンと、紫外光反射性能を有する球状の無機粒子とを含むことを特徴とする半導体発光装置用反射体組成物。 - 半導体発光素子から発光される紫外光を所定方向に反射させるための半導体発光装置用反射体の製造方法であって、
ポリメチルペンテンと、紫外光反射性能を有する球状の無機粒子とを含む半導体発光装置用反射体組成物を用いて半導体発光装置用反射体を製造することを特徴とする半導体発光装置用反射体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012066385A JP5849808B2 (ja) | 2012-03-22 | 2012-03-22 | 半導体発光装置、半導体発光装置用部品、半導体発光装置用反射体、半導体発光装置用反射体組成物、半導体発光装置用反射体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012066385A JP5849808B2 (ja) | 2012-03-22 | 2012-03-22 | 半導体発光装置、半導体発光装置用部品、半導体発光装置用反射体、半導体発光装置用反射体組成物、半導体発光装置用反射体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013197545A true JP2013197545A (ja) | 2013-09-30 |
JP5849808B2 JP5849808B2 (ja) | 2016-02-03 |
Family
ID=49396077
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012066385A Active JP5849808B2 (ja) | 2012-03-22 | 2012-03-22 | 半導体発光装置、半導体発光装置用部品、半導体発光装置用反射体、半導体発光装置用反射体組成物、半導体発光装置用反射体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5849808B2 (ja) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04239540A (ja) * | 1991-01-22 | 1992-08-27 | Toray Ind Inc | 液晶ディスプレイ反射板用白色ポリエステルフイルム |
JPH11181969A (ja) * | 1997-12-24 | 1999-07-06 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 耐汚染性に優れた高反射性表面処理板 |
JP2003195020A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-09 | Otsuka Chemical Holdings Co Ltd | 紫外線発生源用反射板材料 |
WO2007037093A1 (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-05 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 反射材及び発光ダイオード用反射体 |
JP2008270709A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-11-06 | Techno Polymer Co Ltd | 放熱性樹脂組成物、led実装用基板、リフレクター、及び、リフレクター部を備えるled実装用基板 |
JP2010189554A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Hitachi Chem Co Ltd | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 |
JP2010248484A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-11-04 | Admatechs Co Ltd | 紫外線反射組成物及び紫外線反射成形品 |
JP2011249554A (ja) * | 2010-05-27 | 2011-12-08 | Panasonic Corp | 白色高耐熱高反射材およびledパッケージ |
-
2012
- 2012-03-22 JP JP2012066385A patent/JP5849808B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04239540A (ja) * | 1991-01-22 | 1992-08-27 | Toray Ind Inc | 液晶ディスプレイ反射板用白色ポリエステルフイルム |
JPH11181969A (ja) * | 1997-12-24 | 1999-07-06 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 耐汚染性に優れた高反射性表面処理板 |
JP2003195020A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-09 | Otsuka Chemical Holdings Co Ltd | 紫外線発生源用反射板材料 |
WO2007037093A1 (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-05 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 反射材及び発光ダイオード用反射体 |
JP2008270709A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-11-06 | Techno Polymer Co Ltd | 放熱性樹脂組成物、led実装用基板、リフレクター、及び、リフレクター部を備えるled実装用基板 |
JP2010189554A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Hitachi Chem Co Ltd | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 |
JP2010248484A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-11-04 | Admatechs Co Ltd | 紫外線反射組成物及び紫外線反射成形品 |
JP2011249554A (ja) * | 2010-05-27 | 2011-12-08 | Panasonic Corp | 白色高耐熱高反射材およびledパッケージ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5849808B2 (ja) | 2016-02-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5699329B2 (ja) | リフレクター用樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、及び半導体発光装置 | |
US10454008B2 (en) | Resin composition, reflector, lead frame with reflector, and semiconductor light-emitting device | |
JP5821316B2 (ja) | 半導体発光装置用樹脂パッケージの製造方法及び該半導体発光装置用樹脂パッケージを有してなる半導体発光装置の製造方法 | |
JP5953860B2 (ja) | 半導体発光装置、半導体発光装置用部品、半導体発光装置用反射体、半導体発光装置用反射体組成物、半導体発光装置用反射体の製造方法 | |
JP5978692B2 (ja) | 半導体発光装置、半導体発光装置用部品、半導体発光装置用反射体、半導体発光装置用反射体組成物、半導体発光装置用反射体の製造方法 | |
JP6194155B2 (ja) | リフレクター用樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、及び成形方法 | |
JP2016166285A (ja) | インサート成形用樹脂組成物、成形体、リフレクター、リフレクター付き光半導体素子実装用基板、及び半導体発光装置 | |
JP5849808B2 (ja) | 半導体発光装置、半導体発光装置用部品、半導体発光装置用反射体、半導体発光装置用反射体組成物、半導体発光装置用反射体の製造方法 | |
WO2016117471A1 (ja) | 樹脂組成物、リフレクター、リフレクター付きリードフレーム及び半導体発光装置 | |
WO2012039434A1 (ja) | 反射材組成物、反射体及び半導体発光装置 | |
US10672955B2 (en) | Filling material, resin composition, package, and light-emitting device | |
JP6277592B2 (ja) | リフレクター用電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、成形体の製造方法、及び半導体発光装置の製造方法 | |
TW201601353A (zh) | 半導體發光裝置及光半導體安裝用基板 | |
WO2016117624A1 (ja) | 半導体発光装置、反射体形成用樹脂組成物及びリフレクター付きリードフレーム | |
JP2012069794A (ja) | 反射材組成物、反射体及び半導体発光装置 | |
JP6155929B2 (ja) | 半導体発光装置、半導体発光装置用部品及びそれらの製造方法、並びに反射体及びその製造方法 | |
JP6102413B2 (ja) | 電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、及び成形体の製造方法 | |
JP6155930B2 (ja) | 半導体発光装置、半導体発光装置用部品及びそれらの製造方法、並びに反射体、その製造方法及び反射体形成用組成物 | |
JP6292130B2 (ja) | 電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、及び成形体の製造方法 | |
JP2015023099A (ja) | 半導体発光装置の製造方法、成形体の製造方法、電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、およびリフレクター | |
JP6149457B2 (ja) | 光半導体実装用基板、半導体発光装置、及び光半導体実装用基板の製造方法 | |
JP6167603B2 (ja) | 電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、成形体の製造方法、及び半導体発光装置の製造方法 | |
JP6094412B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法、成形体の製造方法、電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、およびリフレクター | |
JP2016035010A (ja) | 樹脂組成物、リフレクター、リフレクター付きリードフレーム及び半導体発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150123 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151021 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151104 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151117 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5849808 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |