JP6372394B2 - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6372394B2
JP6372394B2 JP2015039142A JP2015039142A JP6372394B2 JP 6372394 B2 JP6372394 B2 JP 6372394B2 JP 2015039142 A JP2015039142 A JP 2015039142A JP 2015039142 A JP2015039142 A JP 2015039142A JP 6372394 B2 JP6372394 B2 JP 6372394B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
particles
light
emitting device
phosphor particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015039142A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016162850A (ja
Inventor
由太 森村
由太 森村
優輝 伊藤
優輝 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyoda Gosei Co Ltd
Original Assignee
Toyoda Gosei Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyoda Gosei Co Ltd filed Critical Toyoda Gosei Co Ltd
Priority to JP2015039142A priority Critical patent/JP6372394B2/ja
Priority to US15/018,704 priority patent/US9640738B2/en
Publication of JP2016162850A publication Critical patent/JP2016162850A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6372394B2 publication Critical patent/JP6372394B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

本発明は、発光装置に関する。
従来の発光装置として、発光素子を封止する封止材中に、ナノ粒子である蛍光体粒子が分散した発光装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１に開示された発光装置によれば、蛍光体粒子の平均粒径が発光素子の発光波長と比較して十分に小さいため、蛍光体粒子による光の散乱が極めて小さく、発光素子から発せられた光の多くが直進したまま発光装置外に射出される。このため、発光装置の発光色度の出射角度依存性が大きく、色度むらが大きくなる。
また、他の従来の発光装置として、発光素子を封止する封止材中に、ナノ粒子である蛍光体粒子と光散乱粒子が分散した発光装置が知られている（例えば、特許文献２参照）。
特許文献２に開示された発光装置によれば、ナノ粒子である蛍光体粒子による光の散乱は極めて小さいが、光散乱粒子によって、発光素子から発せられる光を散乱し、発光装置の発光色度の出射角度依存性を小さく抑えることができる。
国際公開第２００４／０９３２０３号 特開２００９−２７２６３４号公報
本発明の目的の一つは、発光色度の出射角度依存性が小さく、かつ蛍光体による光変換効率の高い発光装置を提供することにある。
本発明の一態様は、上記目的を達成するために、下記［１］〜［４］の発光装置を提供する。
［１］発光素子と、前記発光素子を封止する封止材と、前記封止材中に分散する、平均粒径が２０ｎｍ以下である蛍光体粒子と、前記封止材中に分散し、前記封止材中に三次元の網目構造を形成する、平均粒径が前記蛍光体粒子の平均粒径より大きい５〜４０ｎｍのシリカよりなる分散粒子と、前記封止材中に分散し、屈折率が前記封止材よりも大きい平均粒径が１００〜５００ｎｍの光散乱粒子と、を有し、前記蛍光体粒子は、その位置が低くなるほど濃度が高くなる高さ方向の濃度勾配を有し、前記蛍光体粒子の平均位置が、前記光散乱粒子の平均位置よりも低い、発光装置。
［２］前記蛍光体粒子が量子ドット蛍光体粒子である、前記［１］に記載の発光装置。
［３］前記封止材が有機変性シリコーンである、前記［１］又は［２］に記載の発光装置。
［４］前記分散粒子の平均粒径が前記発光素子の発光波長よりも短い、前記［１］〜［３］のいずれか１項に記載の発光装置。
本発明によれば、発光色度の出射角度依存性が小さく、かつ蛍光体による光変換効率の高い発光装置を提供することができる。
図１（ａ）は、第１の実施の形態に係る発光装置の垂直断面図である。図１（ｂ）は、発光装置１から発せられる光の出射角度と色度ずれの関係を模式的に示すグラフである。 図２（ａ）は、比較例に係る発光装置の垂直断面図である。図２（ｂ）は、比較例に係る発光装置から発せられる光の出射角度と色度ずれの関係を模式的に示すグラフである。
〔第１の実施の形態〕
（発光装置の構成）
図１（ａ）は、第１の実施の形態に係る発光装置１の垂直断面図である。発光装置１は、凹部１５ａを有するケース１５と、凹部１５ａの底に上面が露出するようにケース１５に収納された基体１６と、基体１６上に搭載された発光素子１０と、凹部１５ａ内に充填された、発光素子１０を封止する封止材１１と、封止材１１中に含まれる蛍光体粒子１２、光散乱粒子１３、及び分散粒子１４とを有する。
ケース１５は、例えば、ポリフタルアミド樹脂、ＬＣＰ（Liquid Crystal Polymer）、ＰＣＴ（Polycyclohexylene Dimethylene Terephalate）等の熱可塑性樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂からなる。ケース１５は、光反射率を向上させるための、二酸化チタン等の光反射粒子を含んでもよい。
基体１６は、例えば、全体またはその表面がＡｇ、Ｃｕ、Ａｌ等の導電材料からなるリードフレームであり、インサート成型等により、ケース１５と一体に成型される。
発光素子１０は、例えば、チップ基板と、発光層及びそれを挟むクラッド層を含む結晶層とを有する、ＬＥＤやレーザーダイオード等の発光素子である。図１（ａ）に示される例では、発光素子１０は、基体１６とボンディングワイヤー１７を介して接続されるフェイスアップ型の素子であるが、結晶層が下方を向いたフェイスダウン型の素子であってもよく、また、導電バンプ等のボンディングワイヤー以外の部材によって基体１６に接続されてもよい。
蛍光体粒子１２は、平均粒径が２０ｎｍ以下の極微小な粒子である。２０ｎｍ以下の粒径は、発光素子１０の発光波長や自身の蛍光波長に対して非常に小さいため、発光素子１０及び他の蛍光体粒子１２から発せられる光のレイリー散乱がほとんど生じない。このため、発光素子１０及び他の蛍光体粒子１２から発せられる光は、蛍光体粒子１２によってほぼ散乱されずに直進する。
蛍光体粒子１２は、典型的には、量子ドット蛍光体と呼ばれる、粒径によってバンドギャップを調節し、蛍光色を制御することのできる蛍光体粒子である。この場合、例えば、赤色の蛍光を発するためにはＣｄＳｅ、（Ｃｄ，Ｚｎ）Ｓｅ、（Ｃｄ，Ｔｅ）Ｓｅ等が材料として用いられ、緑色又は青色の蛍光を発するためにはＺｎＳｅ、ＣｄＳｅ等が材料として用いられる。蛍光体粒子１２の典型的な平均粒径は、例えば、２〜１０ｎｍである。
光散乱粒子１３は、平均粒径が蛍光体粒子１２の平均粒径よりも大きく、屈折率が封止材１１よりも大きい。このため、発光素子１０及び蛍光体粒子１２から発せられる光を散乱させることができる。
例えば、封止材１１が１．４５程度の屈折率を有するシリコーン樹脂からなる場合は、光散乱粒子１３の材料として、屈折率が１．４５よりも大きい材料である、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等が用いられる。光散乱粒子１３の典型的な平均粒径は、例えば、１００〜５００ｎｍである。
図２（ａ）は、比較例としての、光散乱粒子を含まず、ナノ粒子である蛍光体粒子２２のみを含む発光装置２の垂直断面図である（分散粒子の図示は省略する）。上述のように、蛍光体粒子２２による光の散乱はほとんど生じないため、発光素子１０から放射状に発せられた光は、直進したまま発光装置２から射出される。このため、発光装置２の発光色度の出射角度依存性が高くなる。
図２（ｂ）は、比較例に係る発光装置２から発せられる光の出射角度と色度ずれの関係を模式的に示すグラフである。図２（ｂ）は、発光素子１０の中心を通る鉛直方向を基準とする出射角度が大きくなるほど、出射角度が０°のときの色度からのずれΔＣｘ、Ｃｙが大きくなることを示している。
一方、本実施の形態に係る発光装置１においては、光散乱粒子１３によって光を散乱させることができるため、発光色度の出射角度依存性を小さく抑えることができる。
図１（ｂ）は、発光装置１から発せられる光の出射角度と色度ずれの関係を模式的に示すグラフである。図１（ｂ）は、出射角度が大きくなったときの、色度ずれΔＣｘ、Ｃｙの変化が小さいことを示している。
分散粒子１４は、光散乱粒子１３よりも光散乱強度が小さい。分散粒子１４の典型的な平均粒径は、例えば、５〜４０ｎｍであるが、レイリー散乱をほとんど起こさない２０ｎｍ以下であることが好ましい。分散粒子１４は、例えば、アエロジル（登録商標）等のシリカ（ＳｉＯ２）の粒子である。
分散粒子１４は、封止材１１中で三次元の網目構造を形成する。この網目構造の網目の大きさは、蛍光体粒子１２が通り抜け易く、光散乱粒子１３が通り抜け難い大きさである。このため、分散粒子１４によって光散乱粒子１３の沈降が抑制され、封止材１１中の光散乱粒子１３の濃度分布の均一性が高くなる。
一方、蛍光体粒子１２は、分散粒子１４の網目構造を通り抜けて沈下するため、その位置が低くなるほど濃度が高くなる高さ方向の濃度勾配を有する。すなわち、ケース１５の凹部１５ａの底に近いほど蛍光体粒子１２の濃度が高くなる。
このため、蛍光体粒子１２の平均位置が、光散乱粒子１３の平均位置よりも低く、発光素子１０の近傍の領域では蛍光体粒子１２の濃度が比較的高い。このような構成においては、蛍光体粒子１２が封止材１１中に均一に分散している構成と比較して、発光素子１０から発せられた後、光散乱粒子１３によって散乱されるよりも前に、蛍光体粒子１２に直接吸収され、効率よく波長変換される光の割合が高い。
発光素子１０の近傍の領域において蛍光体粒子１２に波長変換された光は、封止材１１の上層まで分布する光散乱粒子１３によって散乱する。
封止材１１は、シリコーン系樹脂やエポキシ系樹脂等の透明樹脂からなる。具体的には、例えば、メチルシリコーン、フェニルシリコーン、有機変性シリコーンからなり、特に、有機変性シリコーンからなることが好ましい。
有機変性シリコーンは粘度が低いため、分散粒子１４の添加量の調整より封止材１１の粘度を制御することが容易であり、それによって封止材１１中の蛍光体粒子１２及び光散乱粒子１３の配置を容易に制御できる。
封止材１１の形態は、ケース１５の凹部１５ａのような凹部に充填される形態に限られない。例えば、基板上に搭載された発光素子１０を覆うドーム状の形態であってもよい。
（実施の形態の効果）
上記実施の形態によれば、極微小の蛍光体粒子を用いる場合であっても、光散乱粒子によって光を散乱させ、発光装置の発光色度の出射角度依存性を小さく抑えることができる。
また、蛍光体粒子と光散乱粒子の平均粒径を調整し、分散粒子の形成する三次元網目構造に対する挙動を異ならせることにより、それぞれの濃度分布を制御し、蛍光体粒子による波長変換効率を向上させることができる。
以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明は、上記の実施の形態に限定されず、発明の主旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。また、発明の主旨を逸脱しない範囲内において上記実施の形態の構成要素を任意に組み合わせることができる。
また、上記の実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
１ 発光装置
１０ 発光素子
１１ 封止材
１２ 蛍光体粒子
１３ 光散乱粒子
１４ 分散粒子

Claims (4)

  1. 発光素子と、
    前記発光素子を封止する封止材と、
    前記封止材中に分散する、平均粒径が２０ｎｍ以下である蛍光体粒子と、
    前記封止材中に分散し、前記封止材中に三次元の網目構造を形成する、平均粒径が前記蛍光体粒子の平均粒径より大きい５〜４０ｎｍのシリカよりなる分散粒子と、
    前記封止材中に分散し、屈折率が前記封止材よりも大きい平均粒径が１００〜５００ｎｍの光散乱粒子と、
    を有し、
    前記蛍光体粒子は、その位置が低くなるほど濃度が高くなる高さ方向の濃度勾配を有し、
    前記蛍光体粒子の平均位置が、前記光散乱粒子の平均位置よりも低い、
    発光装置。
  2. 前記蛍光体粒子が量子ドット蛍光体粒子である、
    請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記封止材が有機変性シリコーンである、
    請求項１又は２に記載の発光装置。
  4. 前記分散粒子の平均粒径が前記発光素子の発光波長よりも短い、
    請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置。
JP2015039142A 2015-02-27 2015-02-27 発光装置 Active JP6372394B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015039142A JP6372394B2 (ja) 2015-02-27 2015-02-27 発光装置
US15/018,704 US9640738B2 (en) 2015-02-27 2016-02-08 Light-emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015039142A JP6372394B2 (ja) 2015-02-27 2015-02-27 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016162850A JP2016162850A (ja) 2016-09-05
JP6372394B2 true JP6372394B2 (ja) 2018-08-15

Family

ID=56799641

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015039142A Active JP6372394B2 (ja) 2015-02-27 2015-02-27 発光装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9640738B2 (ja)
JP (1) JP6372394B2 (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6372394B2 (ja) * 2015-02-27 2018-08-15 豊田合成株式会社 発光装置
WO2016139954A1 (en) * 2015-03-05 2016-09-09 Nichia Corporation Light emitting device
DE102017117536A1 (de) 2017-08-02 2019-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102017129917A1 (de) * 2017-12-14 2019-06-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtstoffmischung, Konversionselement und optoelektronisches Bauelement
WO2019123148A1 (en) * 2017-12-20 2019-06-27 3M Innovative Properties Company Polymeric composite comprising particles having a varying refractive index
CN110687674B (zh) * 2018-07-06 2021-10-29 中强光电股份有限公司 波长转换模块、波长转换模块的形成方法以及投影装置
CN109166955B (zh) 2018-08-29 2020-04-07 开发晶照明（厦门）有限公司 具有分层荧光粉胶体的发光二极管封装结构
CN113491009A (zh) * 2019-03-11 2021-10-08 积水化学工业株式会社 涂层剂、以及使用该涂层剂制造模块的制造方法
JP7014835B2 (ja) * 2019-05-16 2022-02-01 台達電子工業股▲ふん▼有限公司 蛍光カラーホイール及びそれを用いた光源システム
JP7277760B2 (ja) * 2019-08-19 2023-05-19 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2021082655A (ja) * 2019-11-15 2021-05-27 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
WO2023085010A1 (ja) * 2021-11-12 2023-05-19 ソニーグループ株式会社 発光デバイスおよび画像表示装置

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW511303B (en) * 2001-08-21 2002-11-21 Wen-Jr He A light mixing layer and method
DE10316769A1 (de) 2003-04-10 2004-10-28 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Leuchtstoffbassierte LED und zugehöriger Leuchtstoff
US7315119B2 (en) * 2004-05-07 2008-01-01 Avago Technologies Ip (Singapore) Pte Ltd Light-emitting device having a phosphor particle layer with specific thickness
JP2008513992A (ja) * 2004-09-23 2008-05-01 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光装置
JP2007103512A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Kyocera Corp 発光装置
JP2007227791A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置の製造方法および発光装置
AU2007248756A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-15 Carol Lenk Method of light dispersion and preferential scattering of certain wavelengths of light for light-emitting diodes and bulbs constructed therefrom
JP5200471B2 (ja) * 2006-12-26 2013-06-05 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
US8895652B2 (en) * 2007-06-12 2014-11-25 Ajjer, Llc High refractive index materials and composites
US11114594B2 (en) * 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
CN101459163B (zh) * 2007-12-12 2011-07-06 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 发光二极管
EP2085411A3 (en) * 2008-01-22 2009-08-26 JSR Corporation Metal-coating material, method for protecting metal, and light emitting device
US9287469B2 (en) * 2008-05-02 2016-03-15 Cree, Inc. Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode
US8415692B2 (en) * 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
US8547009B2 (en) * 2009-07-10 2013-10-01 Cree, Inc. Lighting structures including diffuser particles comprising phosphor host materials
US20120146077A1 (en) * 2009-08-21 2012-06-14 Koji Nakatsu Light emitting device
US8957585B2 (en) * 2010-10-05 2015-02-17 Intermatix Corporation Solid-state light emitting devices with photoluminescence wavelength conversion
DE102010063756A1 (de) * 2010-12-21 2012-06-21 Osram Ag Herstellung von Leuchtstoffschichten unter Verwendung von Alkalisilikaten
JPWO2012132232A1 (ja) * 2011-03-31 2014-07-24 パナソニック株式会社 半導体発光装置
CN104066814B (zh) * 2012-01-19 2017-06-16 纳米技术有限公司 用于发光应用的模制纳米粒子磷光体
US9030108B2 (en) * 2012-05-07 2015-05-12 David Deak, SR. Gaussian surface lens quantum photon converter and methods of controlling LED colour and intensity
JP6003402B2 (ja) * 2012-08-28 2016-10-05 住友大阪セメント株式会社 光半導体発光装置、照明器具、及び表示装置
US9423083B2 (en) * 2013-03-07 2016-08-23 Pacific Light Technologies, Corp. Multiple quantum dot (QD) device
KR20150007885A (ko) * 2013-07-12 2015-01-21 엘지이노텍 주식회사 형광체 및 이를 구비한 발광 소자
US20160225962A1 (en) * 2015-01-30 2016-08-04 Empire Technology Development Llc Nanoparticle gradient refractive index encapsulants for semi-conductor diodes
JP6372394B2 (ja) * 2015-02-27 2018-08-15 豊田合成株式会社 発光装置
WO2016139954A1 (en) * 2015-03-05 2016-09-09 Nichia Corporation Light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
US9640738B2 (en) 2017-05-02
US20160254417A1 (en) 2016-09-01
JP2016162850A (ja) 2016-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6372394B2 (ja) 発光装置
JP5707697B2 (ja) 発光装置
CN105280786B (zh) 发光装置及其制造方法
US8164244B2 (en) Light emitting device
US11114594B2 (en) Light emitting device packages using light scattering particles of different size
JP5271258B2 (ja) 発光装置
US8035122B2 (en) Light diffusion type light emitting diode
US20150076534A1 (en) Light-emitting device and method of manufacturing the same
CN106486582B (zh) 发光装置
JP6457225B2 (ja) 発光装置
JP6225272B2 (ja) オプトエレクトロニクス部品
JP2007227932A (ja) 発光ダイオードパッケージ
JP2013120812A (ja) 発光装置
JP2012069577A (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
KR20110080318A (ko) 발광 소자 패키지
CN107887490A (zh) 发光装置
JP6337919B2 (ja) 光学部品及び発光装置
JP2013038353A (ja) 発光モジュール
JP6005958B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
KR101619475B1 (ko) 표면 플라즈몬 공명을 이용한 발광소자구조
JP7117170B2 (ja) 発光装置
JP2016029686A (ja) 発光装置
US11177423B2 (en) Light emitting device
JP7082280B2 (ja) 発光装置
JP6739527B2 (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170323

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171226

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20171220

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180223

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20180223

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180619

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180702

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6372394

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150