CN212218918U - 单晶硅半导体晶片 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了通过借助于线锯处理工件而由工件制造半导体晶片的方法、线锯以及单晶硅半导体晶片。该单晶硅半导体晶片包括：小于1.2μm的翘曲；以THA25 10％表示，小于5nm的所述上侧表面的纳米形貌；和以部分表面上的最大峰谷距离表示，并参照面积均为25mm×25mm的部分表面，小于6nm的所述上侧表面的部分表面相关纳米形貌。

Description

单晶硅半导体晶片
技术领域
本实用新型涉及通过借助于线锯处理工件而由工件制造半导体晶片的方法，用于执行该方法的线锯以及可以通过该方法获得的单晶硅半导体晶片。
背景技术
线锯以及其功能原理详细地描述在WO2015/188859 A1中。
JP 09 109 143 A公开了一种借助于线锯由工件(锭)制造晶片的方法，其包括以下步骤：检测线锯的线区的线的位置，当存在线的偏转时，引起线导辊的补偿移动以校正偏转。
JP 11 165 251公开了类似的方法，其包括以下步骤：检测线锯的线区的线的位置，当存在线的偏转时，引起工件的补偿移动。
US 5 875 770公开了类似的方法，其包括以下步骤：在处理工件之前检测晶片的翘曲，并且在使得形成具有减小的翘曲的晶片的范围内引起工件沿工件的轴向方向的补偿移动。
JP 2009 61 527 A公开了类似的方法，其考虑了以下事实，通过提供允许线导辊进行补偿移动的构件，工件可由于热膨胀而轴向移动。
不管这些可用解决方案如何，仍然需要改进借助于线锯而由工件制造半导体晶片的方法。特别地，要考虑的是，由于热膨胀引起的工件的轴向运动可以仅由线导辊的相应轴向移动得到补偿。此外，借助于线导辊的温度来调节线的轴向位置相对较慢。此外，来自先前处理的工件的晶片的测量的翘曲仅可大致描述尚未处理的工件的偏差，且整个工件的轴向移动可仅部分地补偿此类偏差。
特别地，需要改进方法，从而可以获得这样的半导体晶片，其平面性，特别是翘曲和纳米形貌，比以已知方式制造的晶片更好。
所述技术问题产生了本实用新型的目的。
实用新型内容
本实用新型的目的是通过一种通过借助于线锯处理工件而由工件制造半导体晶片的方法实现的，该方法包括：
馈送所述工件通过线的布置，所述线在线导辊之间张紧同时被分成线组并沿运行方向移动；
当所述线啮合进所述工件时产生切口；
对于每一个所述线组，测定所述线组的切口的放置误差；以及
对于每一个所述线组，通过激活至少一个驱动元件，在馈送所述工件通过所述线的布置期间，沿着垂直于所述线组的线的运行方向的方向，根据所测定的线组的切口的放置误差来引起所述线组的线的补偿移动。
提供至少两个线组，优选地至少三个线组，并且特别优选地四个线组，尽管也可以将每个线视为单独的线组，即线组的数量对应于线的布置(线网)中线的数量。线组优选地具有相同的轴向宽度，并且线组的相邻线之间的距离是相同的。
根据本实用新型，对于每个线组，沿着与线组的线的运行方向(即在线导辊的旋转轴线的方向)垂直的方向引起线组的线的单独补偿移动。为此，激活至少一个驱动元件，该驱动元件沿预定方向和预定距离移动所述线。独立地、任选地同时执行引起线组的线的补偿移动，引起另一线组的线的补偿移动。
作为驱动元件，特别地，可以设想电磁式、机械式、液压式、气动式、磁致伸缩式以及优选地压电式致动器。如果将线分成四个线组，例如，线组形成两个内部线组和两个外部线组。如果工件由于热量而膨胀，则要被分配到内部线组之一的线的切口的放置误差小于要被分配到外部线组之一的线的切口的放置误差。相应地，外部线组的线的补偿移动的幅度必须选择为大于内部线组的线的补偿移动的幅度。在每个线被认为是单独的线组的情况下，每个线进行具有其自身的幅度和其自身的方向的补偿移动。
从工件切割的半导体晶片具有上侧表面和下侧表面以及在二者之间延伸的边缘。通常期望的是，在从工件切割之后，上侧表面和下侧表面尽可能地平坦并且彼此之间具有最大均匀距离。在开始时侧表面的平坦性和半导体晶片的厚度的均匀性越好，成功性越大，并且通过后续步骤诸如磨光和/或研磨、蚀刻、抛光和任选地涂覆来精修半导体晶片以形成满足工业的严格要求的目标产品(其进一步处理半导体晶片以形成电子部件)的花费越低。上侧表面也被称为半导体晶片的“前侧”，并且通常是在进一步处理半导体晶片的过程中意图将电子部件的结构应用到其上或其中的表面。
本实用新型的目的在于，当借助于线锯处理工件时，确保在工件中形成切口，该切口的放置尽可能小地偏离被视为理想的放置。如果寻求具有均匀厚度和最大平坦侧表面的半导体晶片，则理想的切口沿着直线并且以与工件的纵向轴线成直角延伸。换句话说，穿过这样的切口的中间的轨迹沿着垂直于工件的纵向轴线定向的直线延伸。这样的轨迹在下面将被称为目标轨迹。因此，当实际轨迹偏离目标轨迹时，存在切口的放置误差。这是当指向切口的中间的位置向量不再在目标轨迹处结束时的情况。
例如，当线在其啮合到工件期间垂直于其运行方向移动时(即沿着线在其之间张紧的线导辊的旋转轴线的方向)或者当工件由于在馈送通过线的布置期间产生的热量而轴向膨胀时，发生切口的放置误差。在后一种情况下，当切口距工件的中间具有较大的距离时，切口的放置误差相应地较大。工件的中间是工件的两端之间的位置。
对于单独的每个线组，本实用新型的一个方面是测定切口的放置误差，而与已经导致工件和线组之间的相对移动的原因无关。这些原因的实例是线组的移动、工件的移动或工件的热膨胀。本实用新型的另一个方面是区分在使用特定线锯时系统地发生的切口的放置误差和随机地并且独立于特定线锯的使用而发生的切口的放置误差。
便利地，对于单独的每个线组，建立至少一个闭合控制回路，其中利用操纵变量的修改(即引起所述线组的线的补偿移动)来响应控制偏差，即所测定的线组的切口的放置误差。
根据本实用新型的方法的第一构造，对于单独的每个线组，在馈送工件通过线的布置期间测定线组的切口的放置误差。根据第一构造的第一替代方案，测量优选地每个切口相对于固定参照点的位置，并与设定点位置进行比较。切口的设定点位置是相对于形成理想切口所需的固定参照点的位置。切口的测量位置与其设定点位置的偏差对应于切口的放置误差。由于偏差在原理上对于线组的每个切口是不同的，所以将偏差平均以得出放置误差，该放置误差表示线组的线的放置误差。换句话说，线组的每个切口被分配相同的平均放置误差。可以在没有加权的情况下进行平均，或者特定切口的放置误差被特殊加权。从线组的切口的放置误差，可导出校正曲线，该校正曲线指明在馈送工件期间线组的线必须移动以便消除切口的放置误差的幅度和方向。考虑到线进入工件的穿透深度，校正曲线具有与线组的切口的所确定的放置误差的曲线互补的曲线。
线组的切口的位置的测量优选地借助于用光辐射、IR辐射、X射线辐射或γ辐射来照射线组的切口来进行。此外，还可以设想机械感测线组的切口或电感测量或电容测量线组的切口。线组的切口的这种直接观察揭示了工件和线组的线之间的任何相对移动。
根据第一构造的第二替代方案，同时测量优选地线组的每个线的位置和工件相对于固定参照点的位置，并与设定点位置进行比较，以便记录这样的相对移动。由于偏差在原理上对于线组的每个线是不同的，所以将偏差平均以得出放置误差，该放置误差表示线组的线的放置误差。换句话说，线组的每个线被分配相同的平均放置误差。平均可以在没有加权的情况下进行，或者特定切口的放置误差被特殊加权。线的设定点位置是线相对于形成理想切口所需的固定参照点的位置。这同样适用于工件的设定点位置。从与线和工件的设定点位置的测量偏差之和，近似地测定实际轨迹与目标轨迹的偏差。
线组的线的位置，或工件的位置的测量是借助于用光辐射、IR辐射、 X射线辐射或γ辐射来照射线组的线或者工件，或者借助于电容测量或电感测量来进行。此外，还可以设想机械感测线组的线或者工件，或电感测量或电容测量线组的线或者工件。工件的位置可以相对于工件的端面并且优选地相对于标记在工件上的参照点来测定。
根据本实用新型方法的第二构造，对于单独的每个线组，在馈送工件通过线的布置之前测定线组的切口的放置误差。借助于该步骤，测定当使用特定线锯时系统地发生的切口的放置误差。为了测定切口的放置误差，测量预先借助于特定线锯制造的半导体晶片的局部几何形状。这些半导体晶片来自已经借助于该线锯处理的一个或多个工件，尤其是借助于正在测定的切口的放置误差所针对线组的线。半导体晶片的局部几何形状近似地复制与半导体晶片相邻的切口的轨迹。优选地，获得根据 SEMI MF 1390-0218的翘曲测量的中值表面的局部几何形状，具体如下：通过选择位于延伸穿过半导体晶片的中心的线上的中值表面的那些测量值来产生高度线(行扫描，LS)。测量值位于沿着半导体晶片的直径的线上，优选地在切割半导体晶片时馈送工件的方向上，或者偏离这样的方向至少不超过±20°。
为了识别当使用特定线锯时系统地发生的切口的放置误差，将来源于一个或多个工件(其已借助于该线锯被处理)并且借助于线组的线来制造的半导体晶片的局部几何形状平均以得出单个局部几何形状。可以在没有加权的情况下进行平均，或者由于它们在工件中的相对放置，特定半导体晶片的局部几何形状被特殊加权。基于平均的局部几何形状，然后推导出如果使用特定线锯并且忽略影响轨迹的其他影响，则切口的轨迹是如何的。这样的轨迹随后将被称为预期轨迹。从预期轨迹与目标轨迹的比较获得在馈送工件期间预期的线组的切口的放置误差。该比较给出了线锯特定校正曲线，其指明了与在馈送工件通过线的布置期间线进入工件的穿透深度相关的线组的线的补偿移动的方向和幅度。线锯特定校正曲线的曲线在原理上与平均局部几何形状的曲线互补。
还优选地使用线锯特定校正曲线，以能够迅速地识别线锯的性能变化并对其作出响应。在处理工件的过程中发生的线锯特定校正曲线的变化指示线和/或线导辊的涂层或经受磨损的线锯的另一部件的磨损。因此，可对线锯特定校正曲线的变化定义阈值，当达到阈值时启动预防性维护措施。即使在达到这样的阈值之前，线锯特定校正曲线的变化可以视为进行适应性措施(其抵抗工作结果的磨损相关劣化)的原因。这样的适应性措施可以例如涉及改变切割介质悬浮体的组成和/或温度或者改变冷却剂的温度，以及改变线速度或其他工艺特定参数。
本实用新型的第三构造涉及将第一构造和第二构造组合。基于校正曲线引起所述线组的线的补偿移动的第一部分，该校正曲线根据本实用新型的第一构造在馈送工件期间根据线组的线的穿透深度实时测定。基于线锯特定校正曲线引起所述线组的线的补偿移动的另一部分，该线锯特定校正曲线是根据本实用新型的第二构造在馈送工件通过相应线组的线的布置之前测定的。随机发生、因此对切口的放置误差的不可预测的影响，以及由于使用特定线锯而系统地发生的那些影响被彼此分开考虑。
当然，也可以通过记录根据本实用新型的方法的第一构造得到的校正曲线来获得线锯特定校正曲线。
本实用新型可与包括固定在线上的磨粒的线结合使用，或与没有磨粒的线结合使用，并且与切割介质悬浮体组合来发挥他们的作用。特别地，可以设想金刚石作为磨粒。这里所讨论的线是围绕线锯的线导辊缠绕的线的部分。线锯的线导辊的数量对于本实用新型的使用不是必需的。例如，线锯可以包括两个、三个、四个或甚至更多数量的线导辊。
工件优选地由诸如硅的半导体材料组成，该半导体材料可以以多晶或单晶状态存在。工件的轮廓为正方形、矩形或圆形。根据本实用新型的方法特别适合于制造直径为至少200mm、特别是至少300mm的单晶硅的圆形半导体晶片。
本实用新型的目的还通过一种通过处理工件来制造半导体晶片的线锯实现，该线锯包括：
线导辊，线在所述线导辊之间张紧以形成线的布置，所述线被分成线组并沿运行方向移动；
装置，其用于馈送所述工件通过所述线的布置，同时当所述线啮合进所述工件时，产生切口；
驱动元件，每一个所述线组分配有至少一个所述驱动元件，用于移动所分配的线组的线；以及
用于激活所述驱动元件的控制单元，当所述线组的切口存在放置误差时，所述控制单元激活被分配给所述线组的驱动元件，使得该线组的线执行垂直于所述运行方向的补偿移动。
所述线锯包括用于馈送工件通过在线导辊之间张紧的线的布置的装置。所述线锯可以包括锯线围绕其缠绕的两个或更多个线导辊。在根据本实用新型的线锯中，线被分成组，并且至少一个驱动元件被分配给每一个线组。当激活驱动元件时，分配给它的线组的线垂直于线的运行方向移动，即在线导辊的旋转轴线的方向上。激活的驱动元件将分配给它的线组的线在相同方向上同时移动相同的幅度。由于驱动元件的分配，一个线组的线的移动的幅度和方向独立于另一线组的线的移动的幅度和方向。线导辊设置有驱动元件，在线导辊之间被分成线组的线张紧，使得它们形成线的布置。驱动元件被布置在至少一个线导辊的线组之间，在线导辊之间馈送工件通过线的布置。不是必须，但也不排除，使线网张紧的其他线导辊同样设置有这样的驱动元件。
线锯还包括用于激活驱动元件的控制单元。当存在线组的切口的放置误差时，控制单元激活分配给所述线组的驱动元件，由此该线组的线执行补偿移动，该补偿移动减少或消除已经测定的切口的放置误差。
控制单元访问与在馈送工件期间借助于根据该方法的第一构造的测量设备提供的切口的放置误差有关的数据，或者存储在数据库中并且在馈送工件之前根据该方法的第二构造提供的线锯特定数据，或者一起访问这两种数据。
测量设备被单独地用于每个线组，以在馈送工件通过线的布置期间测定相应线组的切口的放置误差。将与线组的切口的放置误差有关的信息传输到控制单元并在那里进一步处理，以形成用于激活分配给相应线组的驱动元件的信号(操纵变量)。测量设备和控制单元是用于使切口的放置误差最小化的第一闭合控制回路的部件。借助于该控制回路，对于单独的每个线组，激活被分配给所述线组的驱动元件，独立、任选地同时引起被分配给另一个线组的驱动元件的激活。
数据存储器用于保存与驱动元件的激活有关的数据。该数据形成线锯特定校正曲线，具体地，对于每一个线组有单独的曲线。这种线锯特定校正曲线指明了与线进入工件的穿透深度相关的线组的线的补偿移动的方向和幅度。控制单元在馈送工件通过线的布置期间访问该数据，并且根据适用于该线组的线的线锯特定校正曲线的说明来激活分配给相应线组的驱动元件。优选地，数据存储器和控制单元是用于使切口的放置误差最小化的另外的闭合控制回路的部件。
如果线锯具有数据存储器，则还优选地提供计算单元用于在处理多个工件的过程中跟踪线锯特定校正曲线的变化。当达到变化的预定阈值时，计算单元输出用于启动预防性维护措施的信号。
本实用新型的目的还通过一种单晶硅半导体晶片实现，其具有上侧表面和下侧表面，该单晶硅半导体晶片包括：
小于1.2μm的翘曲；
以THA25 10％表示，小于5nm的所述上侧表面的纳米形貌；和
以部分表面上的最大峰谷距离表示，并参照面积均为25mm×25 mm的部分表面，小于6nm的所述上侧表面的部分表面相关纳米形貌。
所述半导体晶片优选地具有至少200mm的直径，特别优选地具有 300mm的直径。半导体晶片关于翘曲、纳米形貌和表面相关纳米形貌的上述性质涉及直径为300mm的半导体晶片。
根据标准SEMI MF 1390-0218确定半导体晶片的翘曲。
为了检查纳米形貌，可以使用干涉仪，例如来自KLA-Tencor Corp 的型号WaferSightTM的仪器。这种干涉仪适用于测量半导体晶片的上侧表面上的形貌。该仪器对半导体晶片的上侧表面的高度图进行成像，该高度图被滤波并且在其上方移动具有限定分析区域的分析窗口。根据标准SEMI M43-0418和SEMI M78-0618建立的方法协议，通过THA(阈值高度分析)进行分析窗口中的高度差的评估。THAXX 10％＜5nm意味着分析窗口中的半导体晶片的上侧表面的分析区域的至多10％(其中由XX指定分析区域)可以具有5nm或更大的最大PV距离(峰谷量度)。对于根据本实用新型的半导体晶片，上侧表面的纳米形貌(表示为THA25 10％)小于5nm，使用具有圆形轮廓和25mm的直径的分析窗口，并且用具有20mm的截止波长的单个高斯高通滤波器对未滤波的形貌信号进行滤波。截止波长朝向半导体晶片的边缘减小到1mm。在滤波之前，允许5mm的边缘排除，并且在滤波之后，允许15mm的边缘排除。
在测量上侧表面的纳米形貌期间，半导体晶片可以处于从工件切割之后的状态，或者处于继切割之后的处理步骤(诸如蚀刻和抛光)后的状态。优选地，半导体晶片的上侧表面处于抛光状态。
还可以以部分表面相关方式(即，参照半导体晶片的上侧表面的用户特定部分表面(位点))来评估纳米形貌。如上所述地测定PV距离(具有圆形范围和25mm的直径的分析窗口，单个高斯高通滤波器，20mm 的截止波长朝向半导体晶片的边缘减小到1mm)。然而，边缘排除在滤波之前为2mm，在滤波之后为3mm。半导体晶片的上侧表面被细分为部分表面，部分表面被分组在其下左边缘布置在半导体晶片的上侧表面的中心处的部分表面(位点)周围。对于根据本实用新型的半导体晶片，上侧表面的部分表面相关纳米形貌小于6nm，其表示为部分表面上的最大PV距离，并且参照具有25mm×25mm的面积的部分表面。
下面将参照附图进一步解释本实用新型。
附图说明
图1示出了属于现有技术的线锯的主要特征。
图2示出了根据本实用新型的线锯的线导辊的特征。
图3示意性地示出了根据本实用新型的方法的流程。
图4示出了实际轨迹可以通过切口的中间而不同于目标轨迹的方式。
图5和图6示出了参照两个实施例的线组的可能补偿移动的方向和幅度。
图7示出了典型的校正曲线，基于该校正曲线引起线组的线的补偿移动。
图8至图10和图11至图13分别示出了三个半导体晶片的由翘曲测量的中值表面得出的高度线。
图14至图16对应于图8至图10，不同之处在于纵坐标的更高分辨率的缩放比例(resolved scaling)。
图17、18和19示出了线锯特定校正曲线在处理多个工件的过程中可能变化的方式。
图20是本实用新型要求保护的半导体晶片的示意图。
所使用的附图标记列表
1 锯线
2 凹槽
3 左线导辊
4 右线导辊
5 轴线
6 轴线
7 旋转
8 旋转方向
9 纵向线移动
10 纵向线移动
11 线网
12 馈送装置
13 切口
14 轴线
15 工件
16 锯条
17 粘合剂
18 箭头方向
19 喷嘴排
20 喷嘴排
21 喷嘴
22 射流
23 射流
24a-e 驱动元件
25a-d 线组
26 固定轴承
27 轴承
28 控制单元
29 数据指定(data specification)
30 测量设备
31 数据存储器
32 目标轨迹
具体实施方式
图1示出了属于现有技术的线锯的主要特征，并且用于解释通过借助于线锯处理工件而由工件制造半导体晶片的方法的基础。
合适的线锯包括锯线1，锯线1围绕左线导辊3和右线导辊4螺旋地经过若干次，并且以下述方式被凹槽2引导：在线导辊的上侧上延伸的线区段(其被称为线用于描述本实用新型)平行地延伸并形成线网11。例如借助于粘合剂17将工件15紧固在锯条16上。锯条16通过馈送装置12(象征地表示)沿箭头方向18垂直于线网11来馈送工件15，并且使得与线网11的线啮合。任选地，线锯包括具有喷嘴21的左喷嘴排 19和右喷嘴排20，喷嘴21用于将呈左细长射流22和右细长射流23形式的切割介质悬浮体递送到左线导辊3和右线导辊4上。
线导辊围绕轴线5和6可旋转地安装。它们的轴线和工件15(在实施例中示出为圆柱形锭)的轴线14被定向为彼此平行。为了开始切割过程，沿旋转7(主动的(master))驱动一个线导辊，例如左线导辊3。另一线导辊(从动的)(在实施例中为右线导辊4)由线1拉动，沿旋转方向8上以相同的方式共同旋转。当线啮合到工件15中时，形成切口 13。
常规地，线纵向移动9、10的方向在穿过工件15的完全切割期间被反转若干次，其中在被称为往复移动的线的这些方向对改变中的每个单独的方向对中，线沿一个方向移动更大的长度并且沿相反的方向移动更短的长度。
根据本实用新型的线锯具有至少一个线导辊，其包括驱动元件。这种线导辊的示例在图2中示出。当驱动元件被激活时，激活的线组沿与线组的线的运行方向垂直的方向移动。在所示出的示例中，五个驱动元件24a-e和四个线组25a-d设置在固定轴承26和线导辊的轴承27之间。轴承27可以被配置为松动轴承或固定轴承。如果轴承27是松动轴承，则可以省略与轴承27相邻的驱动元件24e。不管如何，轴承27在所示出的示例中被示出为松动轴承。双箭头指示可能的移动方向，其中当分配给它的驱动元件被激活时，线组移动。线导辊可被细分成设置有用于线的凹槽(其布置在轴上)的区段，例如被细分成诸如在JP 11 123649A2 中描述的区段。驱动元件然后定位在区段的每个端部之间并且与固定轴承相邻。在这样的结构中，图2所示的线导辊具有对应于线组的数量的多个分段。
图3示意性地示出了流程，通过该流程，控制单元28利用基于校正曲线和/或线锯特定校正曲线的校正信号32，基于与线组的切口的放置误差有关的数据而作用在驱动元件24上，使得线组25的线执行补偿移动。控制单元28从测量设备30和/或数据存储器31(其中存储线锯特定校正曲线)接收其所需要的输入。
图4以横截面示出了可通过观察切口或通过在线啮合到工件期间观察线和工件获得的图像。其示出了工件15的一部分，和延伸穿过工件的切口13。延伸穿过切口13的中间的实际轨迹在产生切口期间或多或少地显著偏移目标轨迹32。该差别表示确定的切口13的放置误差。如所提及的，根据本实用新型，对于每个线组，沿着垂直于线组的线的运行方向的方向上，根据线组的切口的所确定放置误差，具体地通过激活分配给相应线组的驱动元件来引起所述线组的线的补偿移动。
图5和图6示出了参照两个实施例的线组的可能补偿移动的方向和幅度。驱动元件24a-e是例如压电式致动器。在图5的情况下，图2中所示的驱动元件24a-d的相同类型的激活的效果是，压电式致动器分别扩展相同的幅度，使得线组25a-d和线导辊的轴承27相应地从固定轴承 26移开。补偿移动的幅度从线组25a到线组25d均匀地增加，如箭头所示。然而，还必须的是例如，如图6所示，在线组朝向彼此移动的过程中需要补偿移动。图6示出了当图2中所示的驱动元件以以下这种方式激活时的结果：驱动元件24a朝向轴承27扩展幅度a且驱动元件24d 扩展幅度d(幅度d＞幅度a)，驱动元件24b朝向固定轴承26收缩幅度 b且驱动元件24c收缩幅度c(幅度c大于幅度d)。总的来说，然后发生由箭头指示的线组的线和轴承27的补偿移动：线组25a的线朝向轴承27移动最大幅度，线组25b的线不移动，线组25c的线朝向固定轴承26移动一定幅度，线组25d的线朝向轴承27移动最小幅度。
根据本实用新型的第一构造的实际轨迹和目标轨迹的比较，或者根据本实用新型的第二构造的预期轨迹和目标轨迹的比较，得到与线组的线进入工件的穿透深度相关的线组的切口的放置误差的曲线的描述，以及得到校正曲线(本实用新型的第一构造)或线锯特定校正曲线(本实用新型的第二构造)，它们分别与切口的放置误差的曲线互补。
图7示出了校正曲线，其中将实际轨迹与目标轨迹的偏差Δ相对于线组的线的穿透深度P绘图。通过激活分配给所述线组的驱动元件来引起具有与偏差Δ相对应的方向和幅度的线组的线的补偿移动。仅当不存在切口的放置误差时(Δ＝0)(其在所示的示例中不是大约直到-100mm 的穿透深度的情况)，停止引起这种补偿移动。
图8至图13分别示出了已经通过线组的线从工件切割的三个半导体晶片的高度线LS，在切割半导体晶片期间已经引起所述线组的线的补偿移动(由校正曲线指明)(图8至图10)，或者已经省去引起这种补偿移动(图11至图13)。高度线分别由翘曲测量的中值表面得出，其中已选择中值表面的测量值，该测量值位于线上，该线沿着在切割半导体晶片期间工件的方向上的相应半导体晶片的直径。半导体晶片在工件中的位置是使得当切割半导体晶片时在三个半导体晶片50中的每一个之间形成另外的半导体晶片。如高度线的比较所揭示，当使用本实用新型时，半导体晶片明显更平坦，且它们在工件中的位置没有特别影响。这也通过图14至图16证实，图14至16与图8至图10的不同仅在于，在其中纵坐标的分辨率缩放比例更高。
图17、18和19示出了在处理多个工件的过程中线锯特定校正曲线可能不断变化的方式。因此，对偏差Δ限定阈值是有利的，当超过阈值时，启动预防性维护措施。例如，可以以如下这种方式来定义阈值：仅具有最大偏差Δmax的线锯特定校正曲线(如图19所示)导致启动预防性维护措施。
图20是本实用新型要求保护的半导体晶片的示意图，其显示了半导体晶片35及其上侧表面33和下侧表面34。
关于根据本实用新型的方法的前述实施方案说明的特征可相应地应用于根据本实用新型的设备。相反地，关于根据本实用新型的设备的前述实施方案说明的特征可相应地应用于根据本实用新型的方法。在附图说明和权利要求中解释了根据本实用新型的实施方案的这些和其他特征。单独的特征可以单独地或组合地实现为本实用新型的实施方案。此外，它们可描述可独立保护的有利实施方案。
实施方案的实施例的前述描述应被理解为示例性的。一方面，由此作出的本公开允许本领域技术人员理解本实用新型及其关联的优点，另一方面，本领域技术人员的理解还包括对所描述结构和方法的明显改变和修改。因此，所有这些改变和修改以及等同物旨在被权利要求的保护范围覆盖。

Claims (1)

1.单晶硅半导体晶片，其具有上侧表面和下侧表面，其特征在于，该单晶硅半导体晶片包括：
小于1.2μm的翘曲；
以THA25 10％表示，小于5nm的所述上侧表面的纳米形貌；和
以部分表面上的最大峰谷距离表示，并参照面积均为25mm×25mm的部分表面，小于6nm的所述上侧表面的部分表面相关纳米形貌。
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