JP2014213429A - マルチワイヤソー装置を用いた切断工程管理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 マルチワイヤソー装置の異常をいち早く検出して、切断工程の不良の発生を低減できるマルチワイヤソー装置を用いた切断工程管理方法を提供すること。【解決手段】 マルチワイヤソー装置Ｓの切断工程管理方法であって、被加工物１の一端１ａから他端１ｂまでにおいてｎ枚（ただし、ｎは３以上の自然数）の基板を作製する切断工程と、前記基板の厚みを測定して、前記基板の厚みを決定する厚み決定工程と、前記切断工程において互いに隣り合う基板間の下記式で表される厚み差ｄａを算出して、該厚み差ｄａと基準厚み差ｄｓとを比較することによって、前記切断工程の正常または異常の状態を判定する判定工程と、を備えている。ｄａ＝｜ｄ〔ｋ〕−ｄ〔ｋ＋１〕｜（ｋは１以上ｎ−１以下の自然数、ｄ〔ｋ〕は前記一端側からｋ番目に位置する基板〔ｋ〕の厚み、ｄ〔ｋ＋１〕は基板〔ｋ〕の隣で前記一端側からｋ＋１番目に位置する基板〔ｋ＋１〕の厚み）【選択図】 図１

Description

本発明は、マルチワイヤソー装置を用いて、シリコンブロックなどの被加工物を切断して、この被加工物から複数枚の基板を作製するマルチワイヤソー装置を用いた切断工程管理方法に関する。

シリコンブロックなどの被加工物を複数枚の基板に切断加工する装置として、マルチワイヤソー装置が用いられる。マルチワイヤソー装置は、例えば、複数のメインローラ、複数のガイドローラ、供給リール、巻取リールおよびワイヤ等を有している。そして、ワイヤはメインローラ同士の間にワイヤ列を形成している。

マルチワイヤソー装置を使用した切断工程において、メインローラの摩耗、ガイドローラの損傷等といった、マルチワイヤソー装置に何らかの異常が発生すると、切断加工された基板の表面の段差、スライス痕、厚み不良などの不良が発生する。製品である基板の歩留まりを高く維持するためには、これらの異常をいち早く検出して、不良が連続発生する前に対策を行うことが求められる。

切断工程の管理方法として、カッターブレードを使用して被加工物である半導体インゴットを切断してウエハを得るスライシングマシンにおいて、切断方向に沿って計測したウエハの厚みデータに基づいて、異常を検出した際にはスライシングマシンを停止する方法が知られている（例えば、下記の特許文献１を参照）。

特開平７−１２２６０７号公報

しかしながら、マルチワイヤソー装置で切断加工された基板の厚みは半導体インゴットの底部から頭部まで傾向があるので、上記の特許文献１に開示されたような基板面内の厚みデータを利用した手法では、マルチワイヤーソー装置の異常の検出が正確にかつ迅速に行うことができなかった。このため、マルチワイヤソー装置を用いた切断工程に適した管理方法が求められている。

本発明は、上述のような問題に鑑みてなされたものであり、マルチワイヤソー装置の異常を正確にかつ迅速に検出して、切断工程の不良の発生を低減できるマルチワイヤソー装置を用いた切断工程管理方法を提供することを目的とする。

本発明に係るマルチワイヤソー装置を用いた切断工程管理方法は、所定距離を隔てて配置された複数のメインローラのメインローラ間に複数列に張られたワイヤを備えたマルチワイヤソー装置を用いて、前記メインローラ間の前記ワイヤに対向させて被加工物を配置して、前記メインローラ間で前記ワイヤを走行させるとともに、走行している前記ワイヤに対して前記被加工物を所定の押付け速度で押し付けながら前記ワイヤで前記被加工物を切断する際のマルチワイヤソー装置を用いた切断工程管理方法であって、
前記被加工物の一端から他端までにおいてｎ枚（ただし、ｎは３以上の自然数）の基板を作製する切断工程と、
前記基板の厚みを測定して、前記基板の厚みを決定する厚み決定工程と、
前記切断工程において互いに隣り合う基板間の下記式（１）で表される厚み差ｄａを算出して、該厚み差ｄａと基準厚み差ｄｓとを比較することによって、前記切断工程の正常または異常の状態を判定する判定工程と、
を備えている。
ｄａ＝｜ｄ〔ｋ〕−ｄ〔ｋ＋１〕｜ ・・・（１）
（ただし、ｋは１以上ｎ−１以下の自然数、ｄ〔ｋ〕は前記被加工物の前記一端側からｋ番目に位置する基板〔ｋ〕の厚み、ｄ〔ｋ＋１〕は基板〔ｋ〕の隣に位置しており、前記被加工物の前記一端側からｋ＋１番目に位置する基板〔ｋ＋１〕の厚み）

上記のマルチワイヤソー装置を用いた切断工程管理方法によれば、マルチワイヤソー装置の異常を正確にかつ迅速に検出し、工程不良の発生を低減することができる。

図１は、本発明に係るマルチワイヤソー装置を用いた切断工程管理方法の一実施形態を模式的に説明するためのマルチワイヤソー装置の概略斜視図である。 図２は、切断工程の正常または異常の判定工程の一例を説明するフローチャートである。 図３（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ被加工物の一端切断部から他端切断部までの位置における基板厚みの分布の様子を示すグラフである。 図４（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ被加工物の一端切断部から他端切断部までの位置における基板面内の厚み差の分布の様子を示すグラフである。

以下に、本発明に係るマルチワイヤソー装置を用いた切断工程管理方法の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係等は適宜変更し得る。

＜マルチワイヤソー装置および切断工程管理方法の概要＞
図１に示すように、マルチワイヤソー装置Ｓは、複数のメインローラ５（５ａ，５ｂ，５ｃ）、複数のガイドローラ９（９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ）、供給リール７、巻取リール８およびワイヤ３等を有している。そして、ワイヤ３は供給リール７からガイドローラ９ａ，９ｂによってメインローラ３まで案内されてメインローラ３に巻きつけられ、メインローラ３同士の間にワイヤ列を形成している。また、メインローラ３から排出されたワイヤ３は、ガイドローラ９ｃ，９ｄによって巻取リール８まで案内されて、巻取リール８によって巻き取られる。

ここで、本実施形態においては、所定距離を隔てて配置された少なくとも２つのメインローラ５ａ，５ｂのメインローラ間に複数列に張られたワイヤ３を備えたマルチワイヤソー装置Ｓを用いるが、例えば、第１メインローラ５ａと第２メインローラ５ｂとの間のメインローラ間のワイヤ３に対向させて、例えばシリコンブロックなどの被加工物１を配置して、前記メインローラ間でワイヤ３を走行させるとともに、走行しているワイヤ３に対して被加工物１を所定の押付け速度で押し付けながらワイヤ３で被加工物１から複数枚の基板を得るようにしている。

また、本実施形態における切断工程管理方法は、被加工物１の一端１ａから他端１ｂまでにおいてｎ枚（ただし、ｎは３以上の自然数）の基板を作製する切断工程と、前記基板の厚みを測定して、前記基板の厚みを決定する厚み決定工程と、前記切断工程において互いに隣り合う基板間の厚み差ｄａを算出して、この厚み差ｄａと基準厚み差ｄｓとを比較
することによって、前記切断工程の正常または異常の状態を判定する判定工程と、を備えている。

次に、マルチワイヤソー装置Ｓを用いた切断工程管理方法において実施する各工程の具体的な内容について順を追って説明する。

＜切断工程＞
マルチワイヤソー装置Ｓによる被加工物１の切断方法には、砥粒を含む切削液を供給することによってワイヤ３のラッピング作用で切断する方法（遊離砥粒タイプ）と、砥粒をワイヤ３に固着させた砥粒固着ワイヤで切断する方法（固着砥粒タイプ）とがある。

図１に示すマルチワイヤソー装置Ｓでは、平均直径Ｄのワイヤ３が、複数の溝を表面に有するメインローラ５（第１メインローラ５ａ，第２メインローラ５ｂ，第３メインローラ５ｃ）に巻きつけられており、ワイヤ３の上方には遊離砥粒タイプの場合には切削液を、固定砥粒タイプの場合は加工液をそれぞれ供給する供給ノズル４を備えている。

以下、遊離砥粒タイプのマルチワイヤソー装置Ｓについて説明する。ワイヤ３は例えば鉄または鉄合金を主成分とするピアノ線を用いればよく、線径は８０〜１８０μｍ、より好ましくは１２０μｍ以下であればよい。切削液は、例えば、炭化珪素、アルミナまたはダイヤモンド等の砥粒、鉱物油、界面活性剤および分散剤からなるラッピングオイルを混合して構成される。また、切削液は砥粒と水溶性溶剤とを混合して構成されてもよい。切削液は、複数の開口部を有する供給ノズル４からワイヤ列を形成するワイヤ３に向かって供給される。砥粒の平均粒径としては、例えば５〜２０μｍのものが用いられる。供給ノズル４に供給する切削液の供給流量は、ブロックの大きさ、個数によって適宜設定される。また、切削液を循環して使用してもよく、その際に新しい砥粒を追加供給するようにしても構わない。

第１メインローラ５ａと第２メインローラ５ｂとは所定距離を隔てて配置されており、ワイヤ３は、これらメインローラ５間で複数列に平面状に張られている。メインローラ５を所定の回転速度で回転させることによって、ワイヤ３の長手方向にワイヤ３を走行させることができる。また、メインローラ５の回転方向を変化させることによってワイヤ３を往復運動させることもできる。

被加工物１の切断は、高速に走行しているワイヤ３に向かって切削液を供給しながら、被加工物１を移動させて、ワイヤ３に被加工物１を相対的に押圧することによってなされる。被加工物１は、例えば厚さ２００μｍ以下の複数枚の基板に分割される。このとき、ワイヤ３の張力、ワイヤ３が走行する速度（走行速度）、および、被加工物１をワイヤ３側へを下降させる速度（フィード速度）は、それぞれ適宜制御されている。例えば、ワイヤ３の最大走行速度は、５００ｍ／分以上１２００ｍ／分以下に設定され、最大フィード速度は３５０μｍ／分以上１１００μｍ／分以下に設定する。ワイヤ３を常に一方向に走行させて切断してもよいし、往復走行させながら切断してもよい。

なお、固定砥粒タイプのマルチワイヤソー装置Ｓの場合は表面に砥粒が固着されたワイヤ３を用いて、加工液としてクーラント液を用いる。

このようなマルチワイヤソー装置Ｓを用い、複数のメインローラ５間を走行するワイヤ３に切断対象である被加工物１を押し当てて切断することによって、基板を製造する。

被加工物１は、例えば、単結晶シリコンもしくは多結晶シリコン等からなるインゴット、または、インゴットを切断して形成されるブロックが用いられる。単結晶シリコンのインゴットを用いる場合、そのインゴットは一般的に円柱形状である。また、多結晶シリコンのインゴットは一般的に略直方体であり、複数個のシリコンブロックを取り出すことができる大きさを有している。シリコンブロックは断面形状が矩形（正方形状を含む）であって、例えば１５６ｍｍ×１５６ｍｍ×３００ｍｍの直方体に形成される。

被加工物１は、カーボン材、ガラス、シリコンまたは樹脂等の材質からなるスライスベース２上に接着剤などによって接着される。

スライスベース２およびベースプレート１０は、接着またはクランプ等で保持される。ベースプレート１０はネジまたはクランプによって装置固定部１１に固定されて、被加工物１はマルチワイヤソー装置Ｓ内に１個または複数個配置される。スライスベース２は１０〜３０ｍｍの厚さを有しており、ベースプレート１０は１０〜３０ｍｍの厚さを有している。

メインローラ５は、例えば、エステル系、エーテル系もしくは尿素系のウレタンゴム、またはニューライト等の樹脂からなり、その直径は１５０ｍｍ以上５００ｍｍ以下、長さは２００ｍｍ以上１０００ｍｍ以下程度である。メインローラ５の表面には、供給リール７から供給されたワイヤ３を所定間隔に平面状に配列させるための複数の溝が設けられている。この溝のピッチ、ワイヤ３の直径および砥粒のサイズによって、基板の厚みが定まり、基板の厚みは２５０μｍ以下に形成される。

ワイヤ３の下方には、切断時に発生する被加工物１の切屑および加工液の回収を目的とした回収層槽６が設けられてもよい。

供給リール７および巻取リール８には、スチール等からなるボビン形状の表面にワイヤ３が巻きつけられている。また、マルチワイヤソー装置Ｓは、供給リール７および巻取リール８を所定の速度で回転させるためのモーターと、ワイヤ３を所定の位置に巻きつけるために案内するトラバーサとを有する。

ガイドローラ９ａ，９ｂはワイヤ３を供給リール７からメインローラ５へ、さらにガイドローラ９ｃ，９ｄは、メインローラ５から巻取リール８へと案内する役割を有する。それぞれのガイドローラ９は、ワイヤ３が走行する溝を有する。このようなガイドローラ９は、例えば、エステル系、エーテル系または尿素系のウレタンゴムからなり、特にエーテル系のウレタンゴムを使用することによって、同様の硬度を用いたエステル系よりもガイドローラ９の磨耗を低減することができる。

また、マルチワイヤソー装置Ｓは、供給リール７および巻取リール８に巻きつけるワイヤ３の張力を調整する手段と、ワイヤ３に加えられている張力を検出するセンサ（不図示）とを備えている。

切断された基板はスライスベース２から剥離され、洗浄工程に投入される。洗浄工程では、洗浄液で基板に付着した切削液および汚れが洗浄された後、水洗される。そして、空気または窒素などによって、基板の表面を乾燥させて基板が完成する。

＜厚み決定工程＞
次に、完成した基板の厚みの測定を行う。基板の厚みは不図示の基板厚み測定装置で行う。この基板厚み測定装置は、例えばレーザ式変位計を備えたものであって、このレーザ式変位計を用いて基板の厚みを測定することができる。レーザ式変位計は、半導体レーザ、受光素子および周辺回路等からなり、対象物によるレーザ光の反射を利用した三角測距によって対象物までの距離を計測する。

基板の厚みの測定にはレーザ式変位計を２台一組で使用する。２台の変位計は決められた間隔Ｄで対向させて治具に設置する。各測定箇所における基板の厚みｔは、変位計間に基板を置き、それぞれのセンサから基板表面までの距離ｄ１、ｄ２を測定することで、次の式Ｆ１から求められる。

ｔ＝Ｄ−（ｄ１＋ｄ２） ・・・ Ｆ１
基板を一方向に移動させながら、一定時間ごとに厚みを測定することで、ライン状に厚みデータが取得できる。また、２台一組の変位計を複数組設置すれば、複数ラインの膜厚データの取得が可能となる。

測定結果を基に各基板の厚みｄを決定する。切断工程で製造されたｎ枚（ｎ≧３）の基板のうち、被加工物１の一端１ａ側（一端切断部を１番目とする）から他端１ｂ側へｋ番目に位置する基板の厚みをｄ〔ｋ〕とする。基板の厚みｄとしては、基板ごとの全測定箇所の平均値、任意測定箇所の平均値、最小値または最大値などから適宜選択して用いることができる。

上記方法で決定された基板の厚みは、マルチワイヤソー装置Ｓの状態、被加工物１の状態、および切断条件の変動に起因する変動を含んでいる。例えば、メインローラ５の摩耗、ガイドローラ９の損傷などのマルチワイヤー装置Ｓの部材の異常によって、または、被加工物中の硬質な異物などの被加工物起因の異常によって、基板の厚みが変動する。

また、マルチワイヤーソー装置Ｓを用いて被加工物１を切断して複数枚の基板を作製すると、基板の厚みは被加工物１の一端１ａ側から他端１ｂ側に向かって変化する傾向を有する。例えば、ワイヤ３を常に被加工物１の一端１ａ側から他端１ｂ側に向かう方向に供給し続けて切断した場合、被加工物１を切断するワイヤ３の摩耗に伴って、作製された基板の厚みは被加工物１の一端１ａから他端１ｂに向かって、徐々に大きくなる。さらに、複数の被加工物１を同時に切断する場合、ワイヤ３の消耗によって、各被加工物１から作製された基板の厚みが変化する。

つまり、基板の厚みは、切断工程におけるマルチワイヤソー装置Ｓを構成する少なくともメインローラ５等の装置部材の異常と、被加工物１などの異常に起因する変動要素と、正常な変動要素とを含んでおり、これらの異常に起因する変動要素と正常な変動要素とを分離することが、マルチワイヤソー装置Ｓの異常を検出するために必要となる。

＜判定工程＞
次に、厚み決定工程で決定した基板の厚みから、以下で定義する基板厚み差ｄａを求めて基準値と比較することで、マルチワイヤソー装置Ｓの異常を検知する方法について説明する。なお、この判定工程においては不図示のコンピュータを用いて、計算、比較および判定を行わせる。

マルチワイヤソー装置Ｓで作製される基板の厚みは、正常状態ではワイヤ３の径、砥粒のサイズ、およびメインローラ５のピッチで規定される。マルチワイヤソー装置Ｓの何らかの異常によって、被加工物１の一端１ａ側からｋ番目に位置する基板〔ｋ〕の厚みｄ〔ｋ〕が狙い値よりも小さくなった場合、それに伴って、その隣に位置する基板〔ｋ−１〕の厚みｄ〔ｋ−１〕、または、基板〔ｋ＋１〕の厚みｄ〔ｋ＋１〕が大きくなる。

切断工程で製造されたｎ枚の基板のうち、被加工物１の一端１ａ側からｋ番目に位置する基板の厚み差ｄａ〔ｋ〕を、下記の式Ｆ２で定義する。

ｄａ〔ｋ〕＝｜ｄ〔ｋ〕−ｄ〔ｋ＋１〕｜ ・・・ 式Ｆ２
ここで、ｄ〔ｋ〕は基板〔ｋ〕の厚み、ｄ〔ｋ＋１〕は基板〔ｋ〕の隣に位置しており、被加工物１の一端１ａ側からｋ＋１番目に位置する基板〔ｋ＋１〕の厚みである。

厚み差ｄａ〔ｋ〕は、マルチワイヤソー装置Ｓが正常な状態であれば、ほぼ０に近くなるが、マルチワイヤソー装置Ｓに何らかの異常がある場合には異常の種類や程度に応じて大きくなる。そこで、基板の厚み差ｄａ〔ｋ〕を、基準厚み差ｄｓと比較することによって、基板厚みの正常な変動と異常な変動とを分離することができる。これにより、マルチワイヤソー装置Ｓの状態を判定して、切断工程における異常の有無および異常があった場合のその種類を検出することができる。

また、マルチワイヤソー装置Ｓの異常の種類によって、厚み差ｄａ〔ｋ〕の大きくなる領域、その変化の仕方等に特徴が現れる。例えば、被加工物１の一端側に近い方のガイドローラ９（例えば、ガイドローラ９ｂ，９ｃ）に損傷が発生した場合には、被加工物１の一端１ａ側で厚み差ｄａ〔ｋ〕が突発的に大きくなる。メインローラ５の経時的な消耗であれば、被加工物１の全体にわたって厚み差ｄａ〔ｋ〕が徐々に大きくなっていく。メインローラ５の一部が損傷すれば、損傷した箇所に、厚み差ｄａ〔ｋ〕の異常が現れる。さらに、経験的にマルチワイヤソー装置Ｓの異常と、厚み差ｄａ〔ｋ〕の大きい領域とその変化とを把握することによって、これまでの管理方法では見出せなかったマルチワイヤソー装置Ｓの異常を検出することが可能となる。

厚み決定工程において、どの数値を基板〔ｋ〕の厚みｄ〔ｋ〕として選択するかによって、厚み差ｄａ〔ｋ〕で検出可能なマルチワイヤソー装置Ｓの不良、検出のしやすさ等が変化する。例えば、被加工物１中に硬質な異物が存在するために基板面内に段差不良が生じた場合、基板面内の測定箇所の最小値および最大値は変化するが、発生箇所によっては平均値にはほとんど変化が現れない場合がある。つまり、基板厚みの決定方法を適宜選択して厚み差ｄａ〔ｋ〕と基準厚み差ｄｓを比較、判定することによって、マルチワイヤソー装置Ｓが起因の不良と、被加工物１が起因の不良とを分離することも可能となる。したがって、検出したい異常項目によって、基板厚みの決定方法を適宜選択することが望ましく、決定方法を複数選択して判定に用いてもよい。

また、被加工物１を複数の領域に分けて、これらの領域ごとに厚み差ｄａと基準厚み差ｄｓとを比較することによって、マルチワイヤソー装置Ｓの状態を判定して、切断工程の管理を行うことができる。

さらに、これらの判定結果を、不図示の基板厚み測定装置およびマルチワイヤソー装置Ｓに表示したり、判定結果をマルチワイヤソー装置Ｓにフィードバックしたりすることで、さらに容易に切断工程の管理をすることができる。

例えば、被加工物１を３つの領域以上に分けて、領域ごとに厚み差を求めて、マルチワイヤソー装置Ｓによる切断工程の正常または異常を判定するフローについて、図２を用いて説明する。

図２に示すように、まず、被加工物１おける領域ごとに基板の厚み差を求めて、基準厚み差と比較する（ステップＳＰ１）。次に、例えば厚み差が基準厚み差を超えたＮＧ領域があるかどうか判断する（ステップＳＰ２）。ステップＳＰ２においてＹＥＳの場合、ＮＧ領域が１つかどうか判定する（ステップＳＰ３）。ステップＳＰ３においてＹＥＳの場合、両端の領域のいずれかがＮＧであるかを判定する（ステップＳＰ４）。

ここで、ステップＳＰ３においてＹＥＳの場合、メインローラ５の該当領域（被加工物
１の領域に対応するメインローラ５の領域）またはガイドローラ９等の損傷が考えられると判定する（ステップＳＰ５）。

また、ステップＳＰ２においてＮＯの場合、マルチワイヤソー装置Ｓは異常なしと判定する（ステップＳＰ６）。

また、ステップＳＰ３においてＮＯの場合、メインローラ５の消耗かまたは切断条件に異常があることを判定する（ステップＳＰ７）。

さらに、ステップＳＰ４においてＮＯの場合、メインローラ５の該当領域（被加工物１の領域に対応するメインローラ５の領域）の損傷が考えられると判定する（ステップＳＰ８）。

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で修正および変更を加えることができる。例えば、使用する砥粒は遊離砥粒でも固定砥粒でもよいし、被加工物１の切断時のワイヤ３の走行方向は一方向でも、往復走行でも構わない。また、被加工物１はシリコン等の半導体材料に限定されるものではなく、金属またはセラミックス等でもよいし、その個数は１個でもよいし複数個を並べて配置してもよい。

以下、実施例について説明する。まず、図１に示すマルチワイヤソー装置Ｓを用いた。カーボン製のスライスベース２にエポキシ系接着剤を用いて、サイズが１５６ｍｍ×１５６ｍｍ×３００ｍｍの直方体の多結晶シリコンブロックからなる被加工物１をスライスベース２に接着し、ベースプレート１０を介して装置固定部１１に設置した。そして、ＳｉＣ砥粒（平均粒径：約１０μｍ）を供給しながらステンレス製のワイヤ３（線径：約１２０μｍ）を一方向に走行させて、スライスベース２に接着した被加工物１を切断して、平均厚み１９０μｍの基板を約９００枚作製した。この作業を繰り返し行った。

剥離、洗浄後の基板について、２台１組のレーザ式変位計５組を用いて、ワイヤ３の走行方向に垂直な５ラインについて、０．１ｍｍ間隔で厚みを測定した。

図３（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、正常時、メインローラ５の消耗時、一端側のガイドローラ９の損傷時の被加工物１の一端１ａから他端１ｂにわたっての基板面内の厚み平均値を示す。このように、基板厚みは異常の種類によって特徴がみられるが、基板の厚みは前述したように正常な状態でも傾向を持っており、単純に厚みの大きさのみ、標準偏差のみで異常を検出したり、判定することは難しい。

図４（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、正常時、メインローラ５の消耗時、一端側のガイドローラ９の損傷時の被加工物１の一端１ａから他端１ｂにわたっての基板面内の厚み差ｄａ〔ｋ〕を示す。基板面内の厚み差で比較することによって、正常な厚み変動を除くことができて、異常の検出が容易となる。

被加工物１を一端１ａから領域１〜領域５まで、ほぼ等分に５つの領域に分け、領域ごとに厚み差を平均した結果を表１に示す。

ここで、表１〜３は、それぞれ、正常時、メインローラ５の消耗時、一端側のガイドローラ９の損傷時の領域ごとの厚み差平均を示している。基準厚み差を１μｍ、３μｍの２種類として、表１において、平均厚み差が１μｍ以下の領域を○とし、１μｍより大きく３μ以下の領域を△とし、３μｍより大きい領域を×と判定して表記した。

正常時は領域１〜５の全ての領域で判定が○であったのに対して、メインローラ５の消耗時は、領域１〜５の広い範囲で△、または×と判定された。また、一端側のガイドローラ９の損傷時は領域１が×判定であって、被加工物１の一端１ａ側で厚み差が大きいことを示している。

このように、被加工物１を複数の領域に分けて、これらの領域ごとに厚み差ｄａと基準厚み差ｄｓとを比較することによって、マルチワイヤソー装置Ｓの切断工程における状態を判定して、切断工程の管理を行うことができる。また、厚み差ｄａを用いて判定することで、全領域にわたって同じ基準値（基準厚み差ｄｓ）を使用することができることもわかった。

さらに、表１〜３に示すような、各領域の厚み差と判定結果とを、基板厚み測定装置の表示部に示した。さらに、判定結果から推測される異常原因も合わせて表示するようにした。これらの表示によって、作業者が異常に対して直ちに対処できるようになり、工程不良が低減した。

１ ：被加工物
３ ：ワイヤ
５ ：メインローラ
５ａ ：第１メインローラ
５ｂ ：第２メインローラ
５ｃ ：第３メインローラ
７ ：供給リール
８ ：巻取リール
９ ：ガイドローラ
Ｓ ：マルチワイヤソー装置

Claims (4)

1. 所定距離を隔てて配置された複数のメインローラのメインローラ間に複数列に張られたワイヤを備えたマルチワイヤソー装置を用いて、前記メインローラ間の前記ワイヤに対向させて被加工物を配置して、前記メインローラ間で前記ワイヤを走行させるとともに、走行している前記ワイヤに対して前記被加工物を所定の押付け速度で押し付けながら前記ワイヤで前記被加工物を切断する際のマルチワイヤソー装置を用いた切断工程管理方法であって、
   前記被加工物の一端から他端までにおいてｎ枚（ただし、ｎは３以上の自然数）の基板を作製する切断工程と、
   前記基板の厚みを測定して、前記基板の厚みを決定する厚み決定工程と、
   前記切断工程において互いに隣り合う基板間の下記式（１）で表される厚み差ｄａを算出して、該厚み差ｄａと基準厚み差ｄｓとを比較することによって、前記切断工程の正常または異常の状態を判定する判定工程と、
   を備えている切断工程の管理方法。
   ｄａ＝｜ｄ〔ｋ〕−ｄ〔ｋ＋１〕｜ ・・・（１）
   （ただし、ｋは１以上ｎ−１以下の自然数、ｄ〔ｋ〕は前記被加工物の前記一端側からｋ番目に位置する基板〔ｋ〕の厚み、ｄ〔ｋ＋１〕は基板〔ｋ〕の隣に位置しており、前記被加工物の前記一端側からｋ＋１番目に位置する基板〔ｋ＋１〕の厚み）
2. 前記厚み決定工程において、前記基板の厚みは、任意測定箇所の平均値、最小値または最大値を用いる請求項１に記載のマルチワイヤソー装置を用いた切断工程管理方法。
3. 前記判定工程において、前記被加工物の切断部位を３領域以上に分けて、これらの領域ごとに前記厚み差ｄａと前記基準厚み差ｄｓとを比較することによって、少なくとも前記メインローラの正常または異常の状態を判定する請求項１または２に記載のマルチワイヤソー装置を用いた切断工程管理方法。
4. 前記判定工程において判定した少なくとも前記メインローラの正常または異常の状態を表示する請求項１乃至３のいずれかに記載のマルチワイヤソー装置を用いた切断工程管理方法。

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