CN1985014B - 铜合金制造的导线材料 - Google Patents

铜合金制造的导线材料 Download PDF

Info

Publication number
CN1985014B
CN1985014B CN2005800236865A CN200580023686A CN1985014B CN 1985014 B CN1985014 B CN 1985014B CN 2005800236865 A CN2005800236865 A CN 2005800236865A CN 200580023686 A CN200580023686 A CN 200580023686A CN 1985014 B CN1985014 B CN 1985014B
Authority
CN
China
Prior art keywords
atom
sputtering target
elements
chromium
lanthanon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2005800236865A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1985014A (zh
Inventor
迈克尔·奥沙利文
彼得·威哈提兹
格哈德·莱彻弗莱德
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Plansee SE
Original Assignee
Plansee SE
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Plansee SE filed Critical Plansee SE
Publication of CN1985014A publication Critical patent/CN1985014A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1985014B publication Critical patent/CN1985014B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
    • H01L23/53204—Conductive materials
    • H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
    • H01L23/53228—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being copper
    • H01L23/53233—Copper alloys
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C9/00—Alloys based on copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C9/00—Alloys based on copper
    • C22C9/10—Alloys based on copper with silicon as the next major constituent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H01B1/026—Alloys based on copper
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)

Abstract

本发明公开了一种由铜合金制造的导线材料，其中铜含量大于90原子％，该材料含有0.5-10原子％的选自钙、锶、钡、钪、钇、镧系元素、铬、钛、锆、铪、硅的一种或多种元素，和0-5原子％的选自镁、钒、铌、钽、钼、钨、银、金、铁、硼的一种或多种元素。该种材料具有低电阻，与玻璃基质良好的结合性，足够的抗氧化性和低的电迁移率。

Description

铜合金制造的导线材料
技术领域
本发明涉及一种铜含量90原子％以上的铜合金导线材料以及用于该材料的沉积的溅射靶。
背景技术
导线系统是微电子设备的一种基础组件，包含一条或多条导线涂覆在基质上的导线；可以使用各种涂覆方法，比如PVD或CVD。由于要求的响应时间变得越来越短，微电子设备变得越来越大，因此对用作导线的材料的导电性的要求越来越高，例如薄膜晶体管液晶显示器的栅极(TFT-LCD)的情况。因此，只有具有足够高导电性的材料，如铝或高熔点金属及其合金用作导线。
就导电性和材料成本而言，铜是理想的材料。但当沉积在玻璃上时，铜的层结合性很差。而且，抗氧化性也不够。而且，铜对电迁移的阻抗性低。电迁移发生在当电场被施加在非方向性的热扩散时，在电子流方向导致材料的净流动。更进一步的问题是铜扩散进周围薄膜的速度高。如果用合金，重要的是使导性最小程度地被削弱。而且，至关重要的是，层材料不应包含任何不能被蚀刻的微结构组分，因为那些组分使产生无缺陷的电子组件变得非常困难。这也限制了合金的选择。对于将用铜合金用于ULSI结构已经进行了许多尝试。比如，US-A 5,023,698描述了一种铜合金，它至少含有选自铝，铍，铬，铁，镁，镍，硅，锡和锌的一种元素。铬的含量限制在0.01-0.3重量％。硅的含量限制在0.01-0.2重量％之间。
US-A 5,077,005又提到一种铜合金，它至少含有选自铟，镉，锑，铋，钛，银，锡，铅，锆的一种元素，含量在0.0003-0.01重量％之间。虽然如此，但是这些合金中没有一种具有充分的与玻璃基质的粘合力，同时又具有充分的抗氧化性和对电迁移的阻力。
发明内容
本发明的目的是提供一种基于铜的导线材料，同时提供一种用于该材料的沉积的溅射靶，它能满足宽范围的要求，比如，低电阻，与玻璃基质的良好结合性，良好的抗氧化性和低电迁移率。
本发明通过一种铜含量在90原子％以上的铜合金导线材料达到了上述目的。该材料含有0.5-10原子％的选自钙，锶，钡，钪，钇，镧系元素，钛，锆，铪、硅、铬和硅的一种或多种。已经发现，在所示的浓度范围中，这些元素不仅提高了在玻璃基质上的沉积的结合强度，而且也提高了抗氧化性。即使在更低的浓度不带来任何改进的元素(铬、硅、钛)，情况也是如此。因为铜含量在90原子％以上，而且合金元素不溶解在铜中，这就保证了导电性在铝和目前使用的高熔点合金之上。
将含量为0-5原子％的选自镁、钒、铌、钽、钼、钨、银、金、铁、硼的一种或多种元素添加到合金中对层结合力基本上没有影响，但进一步提高了在低温下的抗氧化。而且，本发明合金具有第二相的沉淀部分，因此保证了足够高的对电迁移的阻抗。该第二相可以早在沉积过程本身中形成，或在热处理过程中形成，也可以在后来的PECVD过程中形成。
如果材料含有0.5-10原子％，特别是含有1-7原子％的选自钪、钇、镧系元素、铬、硅中的一种或多种元素，就可获得最佳层粘合性和抗氧化性。如果0.5-5原子％的选自钪、钇、镧系元素中的一种或多种元素和0.5-5原子％的铬和/或硅结合使用，将获得优秀的层粘合性和抗氧化性的材料。如果1-4原子％的选自钪、钇、镧系元素中的一种或多种元素和0.5-3原子％的铬结合使用，将获得特别好的层粘合性和抗氧化性的材料。
添加0.1-3原子％的镁、银和/或金到合金中，将得到抗氧化性的进一步的改善。
具有和层材料基本相同的化学成份的溅射靶用来产生所述的层。优选用粉末冶金加工方法生产本发明溅射靶，在这种情况下使用的固结技术包括挤压/烧结工艺，热压工艺，高温等静压工艺和渗透工艺。而且，使用随后的变形步骤，比如滚压、挤压或铸造证明是有利的。
粒度在500微米以下也是有利的。在通过变形工艺产生溅射靶的情况下，有利的粒度在200微米以下，对滚压的或挤压的产品，涉及采取横向的微切面测量法。或者，对铸造的产品涉及对材料流向横向进行的相应的测量。而且，溅射靶的密度大于97％，最好大于98.5％是有利的，在变形溅射靶的情况下，大于理论密度的99.8％。在下面的实施例中更多地解释了本发明的细节。
具体实施例
粒度为130微米的铜粉末与各个合金粉末在扩散混合器中混合。混合粉末被引入由非合金钢制造的容器中后，进行脱气处理，容器以气密的方式抽真空并密封。
在HIP装置中进行热压缩，温度为构成铜合金的各自的固相线以下100℃到200℃，压力为2000bar。在所有的合金变量中，密度大于理论密度的98％，粒度小于500微米。三维为300x150x10mm3的溅射靶和三维是50x50x2mm3的氧化样品用热等静热压块机械制造。其后，0.5微米厚度的各层通过磁控管溅镀被沉积在玻璃基质(液晶显示器玻璃)上，这些层的粘合性通过胶带试验定性测定并评价(1、结合性显著地好于纯铜的情况；2、结合性好于纯铜的情况；3、结合与纯铜的情况类似)。氧化特性在200℃的温度，在空气中1000小时的测试时间进行测定，样品被分成C级(重量增加大于0.2mg/cm2)，B级(重量增加在0.2mg/cm2 to0.1mg/cm2)和A级(重量增加小于0.1mg/cm2)。样品编号1到23代表根据本发明的测试，样品编号24到26代表原有的技术的测试。结果汇编在下面的表中。

Claims (15)

1.由铜合金通过溅射制造的导线材料，其中铜含量在90原子％以上其特征在于，所述合金材料含有0.5-10原子％的选自钙、锶、钡、钪、钇、镧系元素、铬、钛、锆、铪、硅的一种或多种元素，和0-5原子％的选自镁、钒、铌、钽、钼、钨、银、金、铁、硼的一种或多种元素。
2.如权利要求1所述的导线材料，其特征在于，它含有0.5-10原子％的选自钪、钇、镧系元素、铬、硅的一种或多种元素。
3.如权利要求2所述的导线材料，其特征在于，它含有1-7原子％的选自钪、钇、镧系元素、铬、硅的一种或多种元素。
4.如权利要求1-3之一所述的导线材料，其特征在于，它含有0.5-5原子％的选自钪、钇、镧系元素的一种或多种元素和0.5-5原子％的铬和/或硅。
5.如权利要求1所述的导线材料，其特征在于，它含有1-4原子％的选自钪、钇、镧系元素的一种或多种元素和0.5-3原子％的铬。
6.如权利要求2所述的导线材料，其特征在于，它含有0.1-3原子％的选自银，金和镁的一种或多种元素。
7.用于沉积通过如权利要求1-6之一所述的铜合金制成的导线的溅射靶，其特征在于，所述靶是通过粉末冶金方法产生的。
8.如权利要求7所述的溅射靶，其特征在于，所述靶是通过喷射压紧法产生的。
9.如权利要求7所述的溅射靶，其特征在于，所述靶的理论密度大于97％。
10.如权利要求7所述的溅射靶，其特征在于，其粒度小于500微米。
11.如权利要求7所述的溅射靶，其特征在于，它是通过滚压加以形变。
12.如权利要求11所述的溅射靶，其特征在于，靶的理论密度大于99.8％。
13.如权利要求11所述的溅射靶，其特征在于，其粒度小于200微米。
14.如权利要求7所述的溅射靶，其特征在于，它适用于平坦屏幕。
15.如权利要求14所述的溅射靶，其特征在于，它适用于薄膜晶体管液晶显示器平坦屏幕。
CN2005800236865A 2004-07-15 2005-07-11 铜合金制造的导线材料 Active CN1985014B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AT0050104U AT7491U1 (de) 2004-07-15 2004-07-15 Werkstoff für leitbahnen aus kupferlegierung
ATGM501/2004 2004-07-15
PCT/AT2005/000262 WO2006005095A1 (de) 2004-07-15 2005-07-11 Werkstoff für leitbahnen aus kupferlegierung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1985014A CN1985014A (zh) 2007-06-20
CN1985014B true CN1985014B (zh) 2010-06-02

Family

ID=38160537

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2005800236865A Active CN1985014B (zh) 2004-07-15 2005-07-11 铜合金制造的导线材料

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP2008506040A (zh)
KR (1) KR20070039914A (zh)
CN (1) CN1985014B (zh)
AT (1) AT7491U1 (zh)
WO (1) WO2006005095A1 (zh)

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT8697U1 (de) 2005-10-14 2006-11-15 Plansee Se Rohrtarget
DE102005050424B4 (de) * 2005-10-19 2009-10-22 W.C. Heraeus Gmbh Sputtertarget aus mehrkomponentigen Legierungen
DE102006003279B4 (de) * 2006-01-23 2010-03-25 W.C. Heraeus Gmbh Sputtertarget mit hochschmelzender Phase
JP5125112B2 (ja) * 2006-07-31 2013-01-23 三菱マテリアル株式会社 熱欠陥発生のない液晶表示装置用配線および電極並びにそれらを形成するためのスパッタリングターゲット
JP2008051840A (ja) * 2006-08-22 2008-03-06 Mitsubishi Materials Corp 熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用配線および電極並びにそれらを形成するためのスパッタリングターゲット
JP2010502841A (ja) * 2006-09-08 2010-01-28 トーソー エスエムディー，インク． 非常に小さな結晶粒径と高エレクトロマイグレーション抵抗とを有する銅スパッタリングターゲットおよびそれを製造する方法
JP5234306B2 (ja) * 2006-10-18 2013-07-10 三菱マテリアル株式会社 熱欠陥発生が少なくかつ表面状態の良好なｔｆｔトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極並びにそれらを形成するためのスパッタリングターゲット
JP2008107710A (ja) * 2006-10-27 2008-05-08 Mitsubishi Materials Corp 熱欠陥発生が少なくかつ表面状態の良好な液晶表示装置用配線および電極並びにそれらを形成するためのスパッタリングターゲット
US20090186230A1 (en) * 2007-10-24 2009-07-23 H.C. Starck Inc. Refractory metal-doped sputtering targets, thin films prepared therewith and electronic device elements containing such films
JP5099504B2 (ja) * 2008-01-18 2012-12-19 三菱マテリアル株式会社 密着性に優れた液晶表示装置用配線および電極
JP5207120B2 (ja) * 2008-02-05 2013-06-12 三菱マテリアル株式会社 熱欠陥発生がなくかつ密着力に優れた液晶表示装置用配線および電極
JP5008146B2 (ja) * 2008-02-29 2012-08-22 三菱マテリアル株式会社 密着性に優れた銅合金複合膜
JP5420328B2 (ja) 2008-08-01 2014-02-19 三菱マテリアル株式会社 フラットパネルディスプレイ用配線膜形成用スパッタリングターゲット
JP2010065317A (ja) * 2008-08-14 2010-03-25 Kobe Steel Ltd 表示装置およびこれに用いるＣｕ合金膜
JP5541651B2 (ja) * 2008-10-24 2014-07-09 三菱マテリアル株式会社 薄膜トランジスター用配線膜形成用スパッタリングターゲット
JP5722427B2 (ja) * 2011-03-01 2015-05-20 Jx日鉱日石金属株式会社 銅チタン合金製スパッタリングターゲット、同スパッタリングターゲットを用いて形成した半導体配線並びに同半導体配線を備えた半導体素子及びデバイス
WO2013111689A1 (ja) 2012-01-25 2013-08-01 Jx日鉱日石金属株式会社 高純度銅クロム合金スパッタリングターゲット
CN102736333B (zh) * 2012-06-18 2015-07-15 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板、液晶显示装置和阵列基板的制作方法
JP5842806B2 (ja) * 2012-12-28 2016-01-13 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット用銅合金製熱間圧延板、およびスパッタリングターゲット
EP2979780A4 (en) * 2013-03-25 2017-01-04 Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation Copper alloy powder, sintered copper alloy body and brake lining for use in high-speed railway
JP6274026B2 (ja) * 2013-07-31 2018-02-07 三菱マテリアル株式会社 銅合金スパッタリングターゲット及び銅合金スパッタリングターゲットの製造方法
CN104046811B (zh) * 2014-06-05 2016-05-18 锐展(铜陵)科技有限公司 一种汽车电气部件用抗热应力铜合金线的制备方法
CN104046816A (zh) * 2014-06-05 2014-09-17 锐展(铜陵)科技有限公司 一种汽车工业用高强度铜合金线的制备方法
CN104046809A (zh) * 2014-06-05 2014-09-17 锐展(铜陵)科技有限公司 一种汽车电子设备用铜合金线的制备方法
JP6056876B2 (ja) 2015-01-07 2017-01-11 三菱マテリアル株式会社 超伝導安定化材
CN104992937A (zh) * 2015-05-27 2015-10-21 安徽捷澳电子有限公司 一种超极细单晶铜扁丝带及其制备方法
CN105023647A (zh) * 2015-07-13 2015-11-04 江苏亨通线缆科技有限公司 架空型两芯用户引入电缆
CN105047400A (zh) * 2015-09-16 2015-11-11 合肥海畅电气技术有限公司 避雷器检测装置的继电器线圈材料
JP6589569B2 (ja) * 2015-11-04 2019-10-16 三菱マテリアル株式会社 Ｃｕ合金スパッタリングターゲット及びＣｕ合金膜
CN105420534A (zh) * 2015-11-06 2016-03-23 广西南宁智翠科技咨询有限公司 一种超高导电率的合金导线
CN105568043A (zh) * 2016-02-03 2016-05-11 安徽华联电缆集团有限公司 一种钪合金高性能电缆
JP6299803B2 (ja) * 2016-04-06 2018-03-28 三菱マテリアル株式会社 超伝導線、及び、超伝導コイル
JP6299802B2 (ja) 2016-04-06 2018-03-28 三菱マテリアル株式会社 超伝導安定化材、超伝導線及び超伝導コイル
CN106636668B (zh) * 2016-09-28 2019-01-18 中南大学 一种废旧电磁线铜精炼剂及其制备方法和应用
CN106282658A (zh) * 2016-10-11 2017-01-04 何国良 一种高导电率无银铜合金的新材料
CN106992164B (zh) * 2017-04-10 2019-03-01 江西蓝微电子科技有限公司 一种微电子封装用铜合金单晶键合丝及其制备方法
CN107799496B (zh) * 2017-09-01 2020-05-22 华南理工大学 一种电子封装用高可靠性铜合金键合丝及其制备方法
CN108220664A (zh) * 2017-12-31 2018-06-29 安徽晋源铜业有限公司 一种高强度铜丝的制备工艺
CN108359837B (zh) * 2018-03-16 2019-08-02 重庆鸽牌电工材料有限公司 一种高纯无氧高含银铜杆的制备方法
CN108588470A (zh) * 2018-03-19 2018-09-28 徐州九龙电子工业有限公司 一种高强度电缆线芯以及电缆线芯材料及其制作方法
CN109182831A (zh) * 2018-09-28 2019-01-11 浙江力博实业股份有限公司 一种拉制用铜带的制备方法
CN109285617A (zh) * 2018-10-29 2019-01-29 宁波来和圣诞礼品有限公司 一种用于led灯的导线
CN110004320B (zh) 2019-05-15 2020-07-28 东北大学 一种高强高导Cu-Ag-Sc合金及其制备方法
CN111910101B (zh) * 2020-07-14 2021-08-03 中南大学 一种高纯度高强高导铜基靶材及其制备方法
CN112251627A (zh) * 2020-09-27 2021-01-22 北京科技大学 一种高强高导Cu-Sc合金及其制备方法
CN113088755A (zh) * 2021-04-01 2021-07-09 江西中晟金属有限公司 一种导电性能良好的铜线及其制备方法
CN113718129B (zh) * 2021-08-30 2022-06-28 宁波金田铜业(集团)股份有限公司 铬锆铜合金及其制备方法
CN116411202A (zh) * 2021-12-29 2023-07-11 无锡市蓝格林金属材料科技有限公司 一种铜锡合金线材及其制备方法
CN116287805A (zh) * 2023-03-20 2023-06-23 北京壹号金源品牌管理有限公司 一种微金饰品的制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN85103501A (zh) * 1984-04-07 1986-11-12 株式会社神户制钢所 半导体装置的导线材料
US5766305A (en) * 1992-10-21 1998-06-16 Tokin Corporation Metal powder composition for metallization and a metallized substrate
US20020155021A1 (en) * 2001-01-30 2002-10-24 Hifumi Nagai Copper-alloy foil to be used for laminate sheet

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2033709A (en) * 1935-02-08 1936-03-10 Westinghouse Electric & Mfg Co Copper alloys
JPH01147032A (ja) * 1987-12-02 1989-06-08 Furukawa Electric Co Ltd:The 極細巻線用導体
JPH05117789A (ja) * 1991-10-24 1993-05-14 Mitsubishi Shindoh Co Ltd 電子電気機器用基板のベース材
JPH05271828A (ja) * 1992-03-26 1993-10-19 Tokin Corp ＡｌＮ基板メタライズ材料
JP2891021B2 (ja) * 1993-03-05 1999-05-17 住友金属工業株式会社 高強度銅合金伸線材
JP2605593B2 (ja) * 1993-08-26 1997-04-30 日本電気株式会社 Ｃｕ系導体合金材料とそのエッチング方法、及びそれを用いた磁気ヘッド
JP3913694B2 (ja) * 1993-12-14 2007-05-09 株式会社東芝 配線形成用Ｍｏ−Ｗターゲットとそれを用いたＭｏ−Ｗ配線薄膜および液晶表示装置
JPH07252648A (ja) * 1994-03-15 1995-10-03 Sumitomo Kinzoku Technol Kk 潤滑被膜形成用スパッタリングターゲット材
US5597762A (en) * 1994-09-27 1997-01-28 Nonophase Diamond Technologies, Inc. Field-enhanced diffusion using optical activation
JP3710022B2 (ja) * 1997-07-28 2005-10-26 日立金属株式会社 電極膜形成用Ｃｕ系スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JPH1180861A (ja) * 1997-09-05 1999-03-26 Fujikura Ltd 高強度高導電率銅合金線材及びその製造方法
JPH11176769A (ja) * 1997-12-15 1999-07-02 Toshiba Corp スパッタリングターゲットおよび銅配線膜
JP2000034562A (ja) * 1998-07-14 2000-02-02 Japan Energy Corp スパッタリングターゲット及び薄膜形成装置部品
JP3588011B2 (ja) * 1999-07-01 2004-11-10 株式会社日鉱マテリアルズ スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP4494610B2 (ja) * 2000-09-04 2010-06-30 株式会社フルヤ金属 薄膜形成用スパッタリングターゲット材
JP4118814B2 (ja) * 2002-01-30 2008-07-16 日鉱金属株式会社 銅合金スパッタリングターゲット及び同ターゲットを製造する方法
JP2004076080A (ja) * 2002-08-14 2004-03-11 Tosoh Corp 配線用薄膜およびスパッタリングターゲット
JP2005113259A (ja) * 2003-02-05 2005-04-28 Sumitomo Metal Ind Ltd Ｃｕ合金およびその製造方法
JP2005220384A (ja) * 2004-02-04 2005-08-18 Sanyo Special Steel Co Ltd Ｃｕ系スパッタリングターゲット材

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN85103501A (zh) * 1984-04-07 1986-11-12 株式会社神户制钢所 半导体装置的导线材料
US5766305A (en) * 1992-10-21 1998-06-16 Tokin Corporation Metal powder composition for metallization and a metallized substrate
US20020155021A1 (en) * 2001-01-30 2002-10-24 Hifumi Nagai Copper-alloy foil to be used for laminate sheet

Also Published As

Publication number Publication date
AT7491U1 (de) 2005-04-25
CN1985014A (zh) 2007-06-20
WO2006005095A1 (de) 2006-01-19
JP2008506040A (ja) 2008-02-28
KR20070039914A (ko) 2007-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1985014B (zh) 铜合金制造的导线材料
US9783882B2 (en) Fine grained, non banded, refractory metal sputtering targets with a uniformly random crystallographic orientation, method for making such film, and thin film based devices and products made therefrom
JP5376952B2 (ja) モリブデン−チタンスパッタリングプレートおよびターゲットの製造法
TWI296013B (zh)
TWI299364B (en) Fabrication of b/c/n/o doped sputtering targets
KR101730175B1 (ko) 몰리브덴 함유 타겟들
WO2009055678A1 (en) Refractory metal-doped sputtering targets
WO1995016797A1 (en) Molybdenum-tungsten material for wiring, molybdenum-tungsten target for wiring, process for producing the same, and molybdenum-tungsten wiring thin film
US8506882B2 (en) High purity target manufacturing methods
EP2588636A1 (en) Molybdenum containing targets
TW201006938A (en) Molybdenum-niobium alloys, sputtering targets containing such alloys, methods of making such targets, thin films prepared therefrom and uses thereof
US5466311A (en) Method of manufacturing a Ni-Al intermetallic compound matrix composite
JP2008255440A (ja) ＭｏＴｉ合金スパッタリングターゲット材
JPH1150242A (ja) 電極膜形成用Ｃｕ系スパッタリングターゲットおよびその製造方法ならびにＣｕ系電極膜
CN102197155B (zh) 半导体布线用阻挡膜、烧结体溅射靶及溅射靶的制造方法
JP4817536B2 (ja) スパッタターゲット
CN1599653A (zh) 导电浆料用铜合金粉末
JP2011192840A (ja) 半導体素子用平角状アルミニウム被覆銅リボン
JP2003155537A (ja) 高靱性硬質合金とその製造方法
TWI382102B (zh) 具低電阻與良好接著強度之銅鍍層及其濺鍍合成方法
CN1735473A (zh) 具有多孔和非多孔部分的元件的粉末冶金生产
CN114888279A (zh) 一种粉末冶金钽靶用钽粉末及钽靶
TW574431B (en) Sputtered copper films containing tungsten for improving electrical conductivity, thermal stability and hardness properties
TW593711B (en) Sputtered copper films containing niobium for improving electrical conductivity, thermal stability and hardness properties and method for making the same
TW476799B (en) Sputtered copper films containing tantalum for improving electrical conductivity, thermal stability and hardness properties and method for making the same

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant