JPH05271828A - AlN基板メタライズ材料 - Google Patents

AlN基板メタライズ材料

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JPH05271828A
JPH05271828A JP6837592A JP6837592A JPH05271828A JP H05271828 A JPH05271828 A JP H05271828A JP 6837592 A JP6837592 A JP 6837592A JP 6837592 A JP6837592 A JP 6837592A JP H05271828 A JPH05271828 A JP H05271828A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aln substrate
powder
metallizing
substrate
rare earth
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP6837592A
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English (en)
Inventor
Akio Hasebe
章雄 長谷部
Etsuo Otsuki
悦夫 大槻
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Tokin Corp
Original Assignee
Tokin Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 AlN基板との接合が強固なメタライズ材料
の提供。 【構成】 重量比で5〜25%のR(Rは、Y及び希土
類元素のうち、少なくとも1種以上を含む)と残部Cu
とを有するAlN基板メタライズ材料。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、R−Cu系合金層の一
部にR及びR−Cuと窒素が共存する接合層を有するA
lN基板のメタライズ層に関する。
【0002】
【従来の技術】AlN基板は、Al2 3 基板より熱伝
導性に優れることから半導体実装用基板として、実用化
が進んでいる。半導体実装用においては、AlN基板表
面をメタライズする必要があり、AlN基板表面のメタ
ライズ法として、蒸着法、スパッタ法、また、金属・合
金ペーストを塗布し焼結する方法などが実施されてい
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来法による
AlN基板と、メタライズ層の接合強度は、メタライズ
法やその条件、また、合金の組成などにより大きく異な
り、十分強固な接合強度を得難いという欠点を有する。
【0004】そこで、本発の技術的課題は、上記欠点に
鑑み、AlN基板との接合強度が大きいメタライズ材料
を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、重量比
で5〜25%のR(Rは、Y及び希土類元素のうち、少
なくとも1種以上を含む)と残部Cuとを有することを
特徴とするAlN基板メタライズ材料が得られる。
【0006】希土類元素及びYは、窒素と反応し易く、
容易に窒化物を生成することが可能であり、また、請求
項に記した組成のCuとRは比較的低温で合金化し易
い。
【0007】本発明者らは、AlN基板表面に主にCu
とRからなるメタライズ層を形成し、その特性を調査し
良好な結果を得た。
【0008】即ち、本発明は、5〜25%のR(RはY
及び希土類元素のうち少なくとも1種以上)と残部Cu
の組成からなり、AlN基板との接合部分に、R及びR
−Cuと窒素との化合物からなる接合層を設けること
で、AlN基板との接合が強固なメタライズ層を見出し
たものといえる。
【0009】
【実施例】次に、本発明の実施例を説明する。
【0010】〔実施例1〕純度99.9%,平均粒径1
00μmのCu粉末と、純度99.9%,平均粒径10
0μmのSm粉末を、各々表1に示す割合で混合し、ボ
ールミルで44μm以下になるように混合・粉砕し、メ
タライズ用粉末とした。
【0011】
【表1】
【0012】各組成のメタライズ用粉末に適量の有機溶
剤を加え、AlN基板上に厚さ約100μmで塗布し、
次に、600℃〜1080℃の温度、Ar中において、
1時間加熱し、メタライズ用粉末を焼結し、AlN基板
上にメタライズ層を形成した。
【0013】得られた、各組成のメタライズ層のPEE
Lテストの結果を表1に示す。
【0014】〔実施例2〕15%のR(RはCe,N
d,Tb,Dy)と残部Cuから成る、平均粒径100
μmの各合金粉末を、各々ボールミルで44μm以下に
なるように粉砕し、メタライズ用粉末とし実施例1と同
様の方法で、AlN基板上にメタライズ層を形成した。
【0015】得られた、各組成のメタライズ層のPEE
Lテストの結果、Ce−Cu,Nd−Cu,Tb−C
u,Dy−Cu,いずれの合金系におけるメタライズ層
も、5Kg/cm2 以上の強度を示した。
【0016】また、上記結果から、希土類元素が1種以
上含む合金系のメタライズ層においても、優れたPEE
L強度を有することは、容易に推察される。
【0017】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、Y
を含む希土類元素を用いることにより、AlN基板との
接合が強固な、メタライズ層を提供することができる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 重量比で5〜25%のR(Rは、Y及び
    希土類元素のうち、少なくとも1種以上を含む)と残部
    Cuとを有することを特徴とするAlN基板メタライズ
    材料。
JP6837592A 1992-03-26 1992-03-26 AlN基板メタライズ材料 Withdrawn JPH05271828A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008506040A (ja) * 2004-07-15 2008-02-28 プランゼー エスエー 銅合金から製造した導電線のための材料

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2008506040A (ja) * 2004-07-15 2008-02-28 プランゼー エスエー 銅合金から製造した導電線のための材料

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Effective date: 19990608