CN1946881A - 用于硅结晶的坩埚 - Google Patents

用于硅结晶的坩埚 Download PDF

Info

Publication number
CN1946881A
CN1946881A CNA2005800134467A CN200580013446A CN1946881A CN 1946881 A CN1946881 A CN 1946881A CN A2005800134467 A CNA2005800134467 A CN A2005800134467A CN 200580013446 A CN200580013446 A CN 200580013446A CN 1946881 A CN1946881 A CN 1946881A
Authority
CN
China
Prior art keywords
crucible
silicon
weight
middle layer
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2005800134467A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1946881B (zh
Inventor
G·兰库勒
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
The United States company Vesuvius
Original Assignee
VESUVIRUS CURCIBLE CO
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by VESUVIRUS CURCIBLE CO filed Critical VESUVIRUS CURCIBLE CO
Publication of CN1946881A publication Critical patent/CN1946881A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1946881B publication Critical patent/CN1946881B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032—Seed pulling

Abstract

本发明涉及用于硅结晶的坩埚，并涉及处理熔融材料中所用坩埚的脱离涂层的制备和应用，该熔融材料在坩埚中凝固然后以晶锭形式被移出，且更特别地涉及多晶硅凝固中所用坩埚的脱离涂层。本发明者的目的是在最终用户设备中提供不要求制备极厚涂层的坩埚，该坩埚的生产更快捷且更廉价并且具有更强的涂层，该涂层具有提高的壁附着性。目前已发现，使用包含如下结构的坩埚可以解决这些问题：a)包括限定了内部空间的底表面和侧壁的基本体；b)在朝向内部空间的侧壁表面的包含50－100重量％氧化硅的中间层；和c)中间层之上的包含50－100重量％氮化硅、至多50重量％二氧化硅和至多20重量％硅的表面层。

Description

用于硅结晶的坩埚
本发明涉及用于硅结晶的坩埚，并涉及处理熔融材料中所用坩埚的脱离涂层(release coating)的制备和应用，该熔融材料在坩埚中凝固然后以晶锭形式被移出，且更特别地涉及多晶硅凝固中所用坩埚的脱离涂层。
氧化硅(或熔融氧化硅或石英)坩埚典型用于多晶硅的凝固。选择氧化硅的主要原因是它具有高的纯度和可利用性。然而用来生产硅的以氧化硅为材料的坩埚存在一些问题。
熔融状态的硅会同与其接触的氧化硅坩埚反应。熔融硅与氧化硅反应形成一氧化硅和氧。氧会污染硅。一氧化硅具有挥发性，并且将与炉内的石墨部件起反应。一氧化硅与石墨反应形成碳化硅和一氧化碳。然后，一氧化碳将与熔融硅反应形成另外的挥发性一氧化硅和碳。碳会污染硅。硅还可能与氧化硅坩埚中包含的多种杂质(铁、硼、铝等等)反应。
氧化硅与硅之间的反应可促进硅与坩埚的附着。该附着与所述两种材料之间的热膨胀系数的差异相结合会在硅锭中产生应力，使其在冷却时开裂。在本领域中已知，涂覆在坩埚内侧与晶锭接触区域上的脱离涂层可以阻止引起晶锭污染和开裂的硅与氧化硅之间的反应。为了有效起见，该脱离涂层必须足够厚以便防止硅与氧化硅坩埚反应，并且其本身或其内部的杂质不会对硅造成有害的污染。
文献中描述了试图解决坩埚与熔融材料接触的反应和附着问题的多种材料和技术。例如美国专利No.5,431,869描述了一种采用石墨坩埚进行硅处理时使用的氮化硅和氯化钙的多组分脱离剂。
美国专利No.4,741,925描述了一种通过化学气相沉积在1250℃涂覆的用于坩埚的氮化硅涂层，而WO-A1-2004/053207公开了一种通过等离子喷涂涂覆的氮化硅涂层。美国专利No.3,746,569公开了在石英管壁上热解形成氮化硅涂层。美国专利No.4,218,418描述了通过快速加热在氧化硅坩埚内部形成玻璃层以防止硅在熔化处理期间开裂的技术。美国专利No.3,660,075公开了用于熔化易碎材料的石墨坩埚上的碳化铌或氧化钇的涂层。通过化学气相沉积涂覆碳化铌，而采用无机水溶液中的胶态悬浮液涂覆氧化钇。
现有技术的文献包括用于硅定向凝固的坩埚的粉状脱模剂的具体文献。另外，介绍了使用化学气相沉积，溶剂蒸发，高温火焰处理，和其它昂贵且复杂的手段来涂覆坩埚涂层。介绍了具体的粘结剂和溶剂。介绍了粉状涂层浆料的混合、喷涂或刷涂。
这种氮化硅脱离涂层本身可能导致问题。阻止硅与氧化硅坩埚反应所需的氮化硅涂层的厚度相当重要(约300μm)，因此使得该涂覆操作昂贵且耗时。此外，这种氮化硅涂层不牢固，可能在使用过程中甚至在使用之前脱落或剥落。因此推荐在使用前的最后时刻涂覆这种涂层，即最终用户设备处，从而将涂覆这种厚涂层的负担留给最终用户。
因此，希望提供不存在上述问题的氧化硅坩埚(即不需要在最终用户设备处制备极厚的涂层，其生产快捷且廉价，并具有与壁附着性得到改良的较强涂层)。
目前已发现，使用用于硅结晶的坩埚可以解决这些问题，所述坩埚包含：a)包括限定内部空间的底表面和侧壁的基本体；b)在朝向内部空间的侧壁表面的包含50-100重量％氧化硅的中间层；和c)中间层之上的包含50-100重量％氮化硅、至多50重量％二氧化硅和至多20重量％硅的表面层。
事实上，在侧壁表面包含50-100重量％氧化硅的中间层极其稳定且易于制造。由于这种中间层不会发生脱落或剥落的问题，因此可以在到达最终用户设备之前将其制备，因而最终用户仅需要提供可较快且较廉价涂覆的薄的表面层。此外，出人意料地发现这个中间层可极大地提高表面层的附着。
根据本发明的一个有利实施方案，中间层的强度受到主动限制，从而该中间层与表面层和/或基本体的附着力低于表面层与硅锭的附着力。因此，在硅锭结晶过程中，如果出于任何原因，硅锭附着到表面层上，中间层将在晶锭冷却产生的应力作用下发生脱层。从而仅坩埚的涂层损坏，硅锭保持完好形状。限制中间层强度的一种方式是对所述层的孔隙率施加影响。可以通过对层中包含的颗粒进行粒度分析来确定该孔隙率(大部分的大颗粒将产生高的孔隙率)。另一种可能方式是在组成中加入可提供或产生所需孔隙率的材料。例如，使用铝硅酸盐纤维的氧化铝微泡(FILLITE)将提供需要的孔隙率。可热解不产生残留物但会在烧制过程中产生二氧化碳气泡的含碳材料如树脂或碳也可以产生需要的孔隙率。
这种涂层的另一个优点是它可以用于多种坩埚材料上，因此得到具有含氧化硅中间层的坩埚的最终用户不需要开发特定的不同工序来涂覆各种材料。该中间层可以涂覆在石英、熔融氧化硅、氮化硅、SiAlON、碳化硅、氧化铝或甚至石墨坩埚上。
有利的是，该中间层具有50-300μm的厚度以便提供阻止硅与坩埚反应，和防止硅被其内部的杂质玷污所必需的大部分厚度。
除氧化硅以外，中间层可以包含在烧制之后稳定且不与硅反应的任何材料。氧化铝或铝硅酸盐材料特别合适。对于某些用途也可以使用在烧制期间发生热解的含碳材料。
中间层可以包含无机粘结剂(如胶态氧化硅)和/或有机粘结剂(如有机树脂，例如聚乙二醇、聚乙烯醇、聚碳酸酯、环氧化物、羧甲基纤维素)。加入组合物中的有机和无机粘结剂的量取决于涂覆的要求(未烧制涂层的强度等)。典型地，该涂层包含5-20重量％的无机粘结剂和至多5重量％的有机粘结剂。通常，采用水或溶剂通过喷涂或刷涂的方式来涂覆该中间层。优选以水基本体系通过喷涂进行涂覆，该水基本体系包含适量的水以便使全部组合物悬浮。
根据本发明的一个特定实施方案，该坩埚在中间层上包含另外的层(第二中间层)。这个另外的层包含至多50重量％的氮化硅，余量主要由二氧化硅组成。这个另外层可改善表面层与第一中间层之间的相容性并显著提高其附着力。当存在这个另外层时，其厚度是至多200μm，优选50-100μm。
根据应用，该表面层将具有50-500μm的厚度，优选200-500μm。为了避免任何玷污，必须使表面层具有极高的纯度并且具有超低的碳含量。典型地，该表面层包含50-100重量％的Si3N4，至多50重量％的SiO2和至多20重量％的硅。通常，可以通过喷涂或刷涂的方式来涂覆该表面层，优选通过喷涂。在本发明方法的一个优选实施方案中，涂覆涂层的步骤之后是在适于将涂层中基本上所有的有机化合物烧掉的温度和时间条件下的加热步骤。应注意的是，当使用依照本发明的中间层时，可以大大减小表面层的厚度同时不会损害涂层的性质(附着性)。
现在参照附图对本发明进行描述，该附图仅用于说明本发明而并不意图限制其范围。图1和图2均显示了依照本发明的坩埚的横截面。
在这些图中，坩埚以参考数字1表示。它包含基本体2，基本体2包含底表面21和侧壁22，它们限定了用于硅结晶的内部空间。坩埚包含中间层3，该中间层3在朝向内部空间的侧壁22表面上包含至多100重量％的氧化硅。
图2中，坩埚包含另一个中间层31，该中间层31包含至多50重量％的Si3N4，余量基本由SiO2组成。图1中不存在这一另外的中间涂层。在图1和图2中，坩埚1还包括含Si3N4的表面层4。
现在将通过依照本发明的实施例以及比较例对本发明进行说明。在下面的表中，使用POSITEST PULL-OFF ADHESION TESTER试验机(DEFELSKO Corp.公司生产)依据ASTM D4541测定了各涂层的附着力。该试验机通过测定脱离前该涂层所能承受的最大拉脱力来评价涂层的附着力，也就是使用液压从基底上拉开规定测试直径的涂层所需的力。该力以压强表示(kPa)。
中间层的实施例：
表I-中间层
  A   B   C   D   E   F   G
  胶态氧化硅**   25   30   30   15
  气相法氧化硅(约1μm)**   20   20   10   10   20
  氧化硅颗粒(10-20μm)**   100   40   40   6   10   65
  氧化硅颗粒(20-44μm)**   20   65   60   60
  氧化硅颗粒(45-100μm)**   40   20   4
  去离子水**   +50   +50
  去离子水+粘结剂**(PVA 10重量％)   +70   +66   +50   +45   +60
  层厚度(μm)   300   500   500   150   500   250   200
  粗糙度(μm)   5   8   12   约5   约15   约10   5
  附着力(kPa)   1103   345   827   827   1241   1379   1103
**(重量％)
优选实施例是组成C和G的中间层，G最优选。
另一中间层的实施例
                表II-另一中间层
  IA   IB   IC
  气相法氧化硅(约1μm)**   20
  氧化硅颗粒(10-20μm)**   60   40
  氧化硅颗粒(20-44μm)**   60
  去离子水**   +60
  去离子水+粘结剂**(PVA 10重量％)   +70   +80
  氮化硅粉**   40   40   40
  层厚度(μm)   50   75   100
  粗糙度(μm)   10   8   5
**(重量％)
优选组成是实施例IB。
表面层的实施例
表III-表面层
  SA   SB   SC   SD
  胶态氧化硅**   5
  氧化硅颗粒(10-20μm)**   5
  去离子水**   +55
  去离子水+粘结剂**(PVA 10重量％)   +70   +65
  氮化硅粉**   100   100   80   85
  Si**   15   10
  层厚度(μm)   100   200   200   300
  粗糙度(μm)   5   5   约5   5
  附着力***(kPa)   241   827   965   827
**(重量％)
***：具有对应于中间层G的基底
优选组成是SA和SB，最优选的组成是SB。
坩埚实施例
                                    表IV-坩埚
  1   2   3   4   5*   6*
  中间层   A   B   C   D   -   -
  另一中间层   IA   -   IC   -   -   -
  表面涂层   SA   SB   SC   SD   SB   SD
  表面涂层附着性   良好   优异   优异   良好   差   差
*：比较例
需要指出的是，实施例5和6中表面层SB和SD的厚度加倍。

Claims (14)

1.用于硅结晶的坩埚(1)，包含：
a)包括底表面(21)和侧壁(22)的基本体(2)，该底表面(21)和侧壁(22)限定了内部空间；
b)朝向内部空间的侧壁(22)表面上的包含50-100重量％氧化硅的中间层(3)；和
c)中间层之上的包含50-100重量％氮化硅、至多50重量％二氧化硅和至多20重量％硅的表面层(4)。
2.根据权利要求1的坩埚，其特征在于中间层的厚度为50-500μm，优选200-500μm。
3.根据权利要求1或2的坩埚，其特征在于中间层(3)包含无机粘结剂，优选胶态氧化硅。
4.根据权利要求3的坩埚，其特征在于该无机粘结剂的含量是5-20重量％。
5.根据权利要求1至4中任何一个的坩埚，其特征在于中间层(3)包含有机粘结剂，该有机粘结剂优选选自聚乙二醇、聚乙烯醇、聚碳酸酯、环氧化物、羧甲基纤维素。
6.根据权利要求5的坩埚，其特征在于该有机粘结剂的含量是至多5重量％。
7.根据权利要求1至6中任何一个的坩埚，其特征在于坩埚(1)在第一中间层(3)之上包含另一个中间层(31)，该另一中间层主要包含至多50重量％的氮化硅，余量是二氧化硅。
8.根据权利要求7的坩埚，其特征在于另一中间层(31)的厚度是至多200μm，优选50-100μm。
9.根据权利要求1至8中任何一个的坩埚，其特征在于表面层(4)的厚度是50μm-500μm，优选200-500μm。
10.根据权利要求1至9中任何一个的坩埚，其特征在于表面层(4)包含50-100重量％的Si3N4，至多40重量％的SiO2和至多10重量％的硅。
11.用于硅结晶的坩埚(1)的制备方法，其包括以下步骤：
a)提供基本体(2)，该基本体包含限定了内部空间的底表面(21)和侧壁(22)；
b)在朝向内部空间的侧壁(22)表面上涂覆包含50-100重量％氧化硅的中间层(3)；和
c)在中间层(3，31)上涂覆表面层(4)，该表面层包含50-100重量％的氮化硅，至多50重量％的二氧化硅和至多20重量％的硅。
12.权利要求11的方法，其特征在于该方法在步骤c)之前包含另一个步骤b’)，在中间层(3)之上涂覆另一中间层(31)，该中间层(31)主要包含至多50重量％的氮化硅，余量是二氧化硅。
13.根据权利要求11或12的方法，其特征在于通过喷涂进行步骤b)、b’)或c)中的至少一个。
14.根据权利要求11至13中任何一个的方法，其特征在于还包含以下步骤：在适于基本上将存在于涂层中的所有有机化合物烧掉的温度和时间加热涂覆后的坩埚。
CN2005800134467A 2004-04-29 2005-04-26 用于硅结晶的坩埚 Expired - Fee Related CN1946881B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP04447105 2004-04-29
EP04447105.0 2004-04-29
PCT/BE2005/000055 WO2005106084A1 (en) 2004-04-29 2005-04-26 Crucible for the crystallization of silicon

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1946881A true CN1946881A (zh) 2007-04-11
CN1946881B CN1946881B (zh) 2010-06-09

Family

ID=34933027

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2005800134467A Expired - Fee Related CN1946881B (zh) 2004-04-29 2005-04-26 用于硅结晶的坩埚

Country Status (15)

Country Link
US (1) US7378128B2 (zh)
EP (1) EP1745164B1 (zh)
JP (1) JP5059602B2 (zh)
KR (1) KR101213928B1 (zh)
CN (1) CN1946881B (zh)
AT (1) ATE398196T1 (zh)
DE (1) DE602005007484D1 (zh)
ES (1) ES2306141T3 (zh)
MX (1) MXPA06012509A (zh)
NO (1) NO339723B1 (zh)
PL (1) PL1745164T3 (zh)
RU (1) RU2355832C2 (zh)
TW (1) TWI361174B (zh)
UA (1) UA87842C2 (zh)
WO (1) WO2005106084A1 (zh)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101913776A (zh) * 2010-09-03 2010-12-15 山东理工大学 氮化硅涂层石英坩埚的制备方法
CN102031488A (zh) * 2010-12-23 2011-04-27 福建福晶科技股份有限公司 一种提高膜层损伤阈值的坩埚
CN101775639B (zh) * 2009-01-08 2012-05-30 常熟华融太阳能新型材料有限公司 用于多晶硅结晶炉炉壁保护的内衬及其制造方法
CN103183478A (zh) * 2011-12-31 2013-07-03 浙江昱辉阳光能源有限公司 氮化硅坩埚涂层及其制备方法
CN103420618A (zh) * 2013-09-05 2013-12-04 蠡县英利新能源有限公司 太阳能电池坩埚及其喷涂方法
CN103506263A (zh) * 2011-12-30 2014-01-15 英利能源（中国）有限公司 多晶硅坩埚喷涂免烘干的方法及氮化硅涂层
CN103774209A (zh) * 2012-10-26 2014-05-07 阿特斯(中国)投资有限公司 硅铸锭用坩埚及其涂层制备方法
CN104583464A (zh) * 2012-06-25 2015-04-29 希利柯尔材料股份有限公司 用于纯化硅的耐火坩埚的表面的衬里以及使用该坩埚进行熔化和进一步定向凝固以纯化硅熔融体的方法
CN105133011A (zh) * 2015-09-01 2015-12-09 晶科能源有限公司 一种多晶石英坩埚涂层及其制备方法
CN105593193A (zh) * 2013-09-16 2016-05-18 原子能与替代能源委员会 用于固化硅的具有低渗透率涂层的衬底
CN105705476A (zh) * 2013-09-16 2016-06-22 原子能与替代能源委员会 用于固化硅锭的衬底
CN109642341A (zh) * 2016-05-18 2019-04-16 瑞科斯太阳能源私人有限公司 具有图案化突起结构层的硅锭生长坩埚
US10450669B2 (en) 2016-07-29 2019-10-22 Auo Crystal Corporation Container for silicon ingot fabrication and manufacturing method thereof, and method for manufacturing crystalline silicon ingot

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005028435B4 (de) * 2004-06-30 2011-05-12 Deutsche Solar Ag Kokille mit Antihaftbeschichtung ihr Herstellungsverfahren und ihre Verwendung
US7497907B2 (en) * 2004-07-23 2009-03-03 Memc Electronic Materials, Inc. Partially devitrified crucible
DE102005032789B4 (de) * 2005-06-06 2010-12-30 Deutsche Solar Ag Behälter mit Beschichtung und Herstellungsverfahren
TWI400369B (zh) 2005-10-06 2013-07-01 Vesuvius Crucible Co 用於矽結晶的坩堝及其製造方法
DE102005050593A1 (de) * 2005-10-21 2007-04-26 Esk Ceramics Gmbh & Co. Kg Dauerhafte siliciumnitridhaltige Hartbeschichtung
EP1811064A1 (fr) * 2006-01-12 2007-07-25 Vesuvius Crucible Company Creuset pour le traitement de silicium à l'état fondu
JP5153636B2 (ja) * 2006-08-30 2013-02-27 京セラ株式会社 シリコンインゴット製造用鋳型の形成方法、太陽電池素子用基板の製造方法、および太陽電池素子の製造方法
EP2116637A3 (en) * 2008-05-07 2012-03-21 Covalent Materials Corporation Crucible for melting silicon and release agent used to the same
DE102008031766A1 (de) 2008-07-04 2009-10-15 Schott Ag Verfahren zur Herstellung eines beschichteten Tiegels aus einem Tiegelgrünkörper oder aus einem zwischengebrannten Tiegelkörper sowie die Verwendung solch eines beschichteten Tiegels
DE102009048741A1 (de) * 2009-03-20 2010-09-30 Access E.V. Tiegel zum Schmelzen und Kristallisieren eines Metalls, eines Halbleiters oder einer Metalllegierung, Bauteil für einen Tiegelgrundkörper eines Tiegels und Verfahren zum Herstellen eines Bauteils
EP2454398A2 (en) * 2009-07-16 2012-05-23 MEMC Singapore Pte. Ltd. Coated crucibles and methods for preparing and use thereof
KR101048586B1 (ko) * 2009-10-06 2011-07-12 주식회사 엘지실트론 고강도 석영 도가니 및 그 제조방법
US20110210470A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-01 6N Silicon Inc. Crucible and method for furnace capacity utilization
CN102229502B (zh) * 2011-06-10 2013-06-05 东海晶澳太阳能科技有限公司 一种晶体硅铸造用的坩埚涂层及其制备方法
WO2013029920A1 (de) * 2011-08-31 2013-03-07 Esk Ceramics Gmbh & Co. Kg Siliziumnitridhaltige trennschicht hoher härte
CN102367572B (zh) * 2011-09-21 2014-01-01 安阳市凤凰光伏科技有限公司 多晶硅铸锭坩埚喷涂免烧结方法
JP5148783B1 (ja) * 2011-11-14 2013-02-20 シャープ株式会社 複合材の製造方法およびシリコンの精製装置
WO2013073204A1 (ja) * 2011-11-14 2013-05-23 シャープ株式会社 複合材、複合材の製造方法およびシリコンの精製装置
JP2013227171A (ja) * 2012-04-26 2013-11-07 Kyodo Fine Ceramics Co Ltd 単結晶シリコン育成用るつぼ、単結晶シリコン育成用るつぼの製造方法、及び単結晶シリコンの製造方法
JP6096653B2 (ja) * 2012-12-28 2017-03-15 京セラ株式会社 シリコン鋳造用鋳型およびその製造方法
RU2514354C1 (ru) * 2013-02-27 2014-04-27 Общество с ограниченной ответственностью "Обнинский Внедренческий Центр "Перспективные технологии" Способ получения изделий из пористых керамических и волокнистых материалов на основе кварцевого стекла
JP6355096B2 (ja) * 2013-07-31 2018-07-11 国立大学法人山口大学 撥液性複合部材
EP2982780B1 (de) 2014-08-04 2019-12-11 Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG Verfahren zur herstellung eines siliziumblocks, zur verfahrensdurchführung geeignete kokille aus quarzglas oder quarzgut sowie verfahren für deren herstellung
JP6567987B2 (ja) * 2016-02-24 2019-08-28 クアーズテック株式会社 石英ガラスルツボの製造方法
US11127572B2 (en) 2018-08-07 2021-09-21 Silfex, Inc. L-shaped plasma confinement ring for plasma chambers
CN110000708A (zh) * 2019-04-15 2019-07-12 徐州协鑫太阳能材料有限公司 一种改造坩埚粗糙度的方法
CN109955154A (zh) * 2019-04-15 2019-07-02 徐州协鑫太阳能材料有限公司 一种坩埚表面粗糙度的加工方法
DE102019206489A1 (de) * 2019-05-06 2020-11-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und Tiegel zur Herstellung von partikel- und stickstoff-freien Silicium-Ingots mittels gerichteter Erstarrung, Silicium-Ingot und die Verwendung des Tiegels

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE962868C (de) 1953-04-09 1957-04-25 Standard Elektrik Ag Tiegel zum Herstellen reinsten Halbleitermaterials, insbesondere von Silizium und dessen Verwendung
US3660075A (en) * 1969-10-16 1972-05-02 Atomic Energy Commission CRUCIBLE COATING FOR PREPARATION OF U AND P ALLOYS CONTAINING Zr OR Hf
DE1957952A1 (de) * 1969-11-18 1971-05-27 Siemens Ag Siliciumnitridbeschichtung an Quarzwaenden fuer Diffusions- und Oxydationsreaktoren
JPS54141389A (en) * 1978-04-27 1979-11-02 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Crucible used in crystal growing device, manufacture of said crucible and crystal growing method using said crucible
JPS54157779A (en) * 1978-06-02 1979-12-12 Toshiba Corp Production of silicon single crystal
JPS6018638B2 (ja) * 1979-08-17 1985-05-11 東芝セラミツクス株式会社 シリコン単結晶引上装置
JPS57188498A (en) * 1981-05-15 1982-11-19 Toshiba Ceramics Co Ltd Quartz crucible for pulling up silicon single crystal
CN87206316U (zh) * 1987-04-16 1987-12-30 清华大学 氮化硅涂层坩埚
US4741925A (en) * 1987-09-14 1988-05-03 Gte Products Corporation Method of forming silicon nitride coating
JPH02172886A (ja) * 1988-12-26 1990-07-04 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体単結晶引上げ装置
JPH0751473B2 (ja) * 1988-12-26 1995-06-05 東芝セラミックス株式会社 単結晶製造用カーボンルツボ
JPH0597571A (ja) 1991-06-13 1993-04-20 Toshiba Ceramics Co Ltd シリコン単結晶引上げ用ルツボ
US5431869A (en) * 1993-01-12 1995-07-11 Council Of Scientific & Industrial Research Process for the preparation of polycrystalline silicon ingot
JP3533416B2 (ja) * 1996-02-06 2004-05-31 三菱住友シリコン株式会社 単結晶引上装置
JPH10316489A (ja) * 1997-05-12 1998-12-02 Japan Steel Works Ltd:The 一方向凝固装置用鋳型およびその製造方法
JPH11209133A (ja) 1998-01-23 1999-08-03 Mitsubishi Materials Corp 透明シリカガラス体とその製造方法
JP4447738B2 (ja) * 2000-05-31 2010-04-07 信越石英株式会社 多層構造の石英ガラスルツボの製造方法
JP3981538B2 (ja) 2001-07-27 2007-09-26 トーカロ株式会社 シリコン保持容器およびその製造方法

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101775639B (zh) * 2009-01-08 2012-05-30 常熟华融太阳能新型材料有限公司 用于多晶硅结晶炉炉壁保护的内衬及其制造方法
CN101913776A (zh) * 2010-09-03 2010-12-15 山东理工大学 氮化硅涂层石英坩埚的制备方法
CN101913776B (zh) * 2010-09-03 2012-07-04 山东理工大学 氮化硅涂层石英坩埚的制备方法
CN102031488A (zh) * 2010-12-23 2011-04-27 福建福晶科技股份有限公司 一种提高膜层损伤阈值的坩埚
CN103506263B (zh) * 2011-12-30 2015-07-29 英利能源（中国）有限公司 多晶硅坩埚喷涂免烘干的方法及氮化硅涂层
CN103506263A (zh) * 2011-12-30 2014-01-15 英利能源（中国）有限公司 多晶硅坩埚喷涂免烘干的方法及氮化硅涂层
CN103183478A (zh) * 2011-12-31 2013-07-03 浙江昱辉阳光能源有限公司 氮化硅坩埚涂层及其制备方法
CN103183478B (zh) * 2011-12-31 2015-07-08 浙江昱辉阳光能源有限公司 氮化硅坩埚涂层及其制备方法
CN104583464A (zh) * 2012-06-25 2015-04-29 希利柯尔材料股份有限公司 用于纯化硅的耐火坩埚的表面的衬里以及使用该坩埚进行熔化和进一步定向凝固以纯化硅熔融体的方法
CN103774209A (zh) * 2012-10-26 2014-05-07 阿特斯(中国)投资有限公司 硅铸锭用坩埚及其涂层制备方法
CN103774209B (zh) * 2012-10-26 2016-06-15 阿特斯(中国)投资有限公司 硅铸锭用坩埚及其涂层制备方法
CN103420618A (zh) * 2013-09-05 2013-12-04 蠡县英利新能源有限公司 太阳能电池坩埚及其喷涂方法
CN105593193A (zh) * 2013-09-16 2016-05-18 原子能与替代能源委员会 用于固化硅的具有低渗透率涂层的衬底
CN105705476A (zh) * 2013-09-16 2016-06-22 原子能与替代能源委员会 用于固化硅锭的衬底
US10023972B2 (en) 2013-09-16 2018-07-17 Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives Substrate for solidifying a silicon ingot
CN105133011A (zh) * 2015-09-01 2015-12-09 晶科能源有限公司 一种多晶石英坩埚涂层及其制备方法
CN109642341A (zh) * 2016-05-18 2019-04-16 瑞科斯太阳能源私人有限公司 具有图案化突起结构层的硅锭生长坩埚
US10450669B2 (en) 2016-07-29 2019-10-22 Auo Crystal Corporation Container for silicon ingot fabrication and manufacturing method thereof, and method for manufacturing crystalline silicon ingot

Also Published As

Publication number Publication date
RU2006140280A (ru) 2008-05-27
KR101213928B1 (ko) 2012-12-18
TWI361174B (en) 2012-04-01
RU2355832C2 (ru) 2009-05-20
TW200540130A (en) 2005-12-16
PL1745164T3 (pl) 2008-11-28
KR20070004901A (ko) 2007-01-09
US20070240635A1 (en) 2007-10-18
WO2005106084A1 (en) 2005-11-10
CN1946881B (zh) 2010-06-09
EP1745164B1 (en) 2008-06-11
NO339723B1 (no) 2017-01-23
EP1745164A1 (en) 2007-01-24
MXPA06012509A (es) 2007-01-31
JP5059602B2 (ja) 2012-10-24
DE602005007484D1 (de) 2008-07-24
US7378128B2 (en) 2008-05-27
NO20065496L (no) 2006-11-28
ATE398196T1 (de) 2008-07-15
JP2007534590A (ja) 2007-11-29
UA87842C2 (uk) 2009-08-25
ES2306141T3 (es) 2008-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1946881B (zh) 用于硅结晶的坩埚
AU2006265391B2 (en) Crucible for the crystallization of silicon
JP4917607B2 (ja) ケイ素の結晶化用の坩堝およびその製造方法
JP5209195B2 (ja) 窒化ケイ素を含有する耐久性ハードコーティング
CN102527594A (zh) 一种铸锭用石英坩埚及其制备方法
US8147605B2 (en) Coating composition for a mould
AU2006273939A1 (en) Firing support for ceramics and method for obtaining same
JP2010280529A (ja) 多結晶シリコン製造用ルツボの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Assignee: Vesuvius Solar Crucible (Suzhou) Co., Ltd.

Assignor: Vesuvius Kelusibu company.

Contract record no.: 2011990000150

Denomination of invention: Crucible for the crystallization of silicon

Granted publication date: 20100609

License type: Exclusive License

Open date: 20070411

Record date: 20110315

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20180608

Address after: Illinois State

Patentee after: The United States company Vesuvius

Address before: American Delaware

Patentee before: Vesuvirus Curcible Co.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100609

Termination date: 20190426