DE102005032789B4 - Behälter mit Beschichtung und Herstellungsverfahren - Google Patents
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Abstract
a. einem eine Innenwand (5) und eine Außenwand (12) aufweisenden Behälter-Grundkörper (3), und
b. mindestens einer zumindest auf einem Teil der Innenwand (5) angeordneten multifunktionalen Beschichtung (4b) aus mindestens
i. einer ersten Schicht (13b) zur Beeinflussung einer Materialeigenschaft eines Nichteisenmetalls (2), und
ii. einer von der ersten Schicht (13b) unterschiedlichen zweiten Schicht (18b),
dadurch gekennzeichnet, dass
c. eine erste Beschichtung (4b) auf einer ersten Fläche (7, 8, 9, 10, 11) und eine von der ersten Beschichtung (4b) unterschiedliche zweite Beschichtung (20b) auf einer von der ersten Fläche (7, 8, 9, 10, 11) verschiedenen zweiten Fläche (7, 8, 9, 10, 11) der Innenwand (5) angeordnet ist,
d. die erste Beschichtung (4b) die erste Schicht (13b) mit einem ersten Schicht-Bestandteil (15) und die zweite Schicht (18b) mit mindestens einem von dem mindestens ersten Schicht-Bestandteil (15) unterschiedlichen zweiten...
Description
- Die Erfindung betrifft einen Behälter zum Schmelzen und/oder Kristallisieren von Nichteisenmetallen, insbesondere von Silizium. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung eines erfindungsgemäßen Behälters.
- Aus der
EP 0 963 464 B1 ist ein Behälter zur Aufnahme von flüssigem Silizium und zur Kristallisation des flüssigen Siliziums bekannt, der mit einer Beschichtung aus Siliziumnitrid versehen ist. Die Beschichtung aus Siliziumnitrid soll zur Vermeidung von Anhaftungen der erstarrenden Siliziumschmelze an der Innenwand des Behälters dienen. Zum Aufbringen des Siliziumnitrids wird diesem ein organisches Bindehilfsmittel zugesetzt. Um eine ausreichende Dicke der Beschichtung auf dem Behälter zu erzielen, wird die Beschichtung zumeist sukzessive in mehreren Lagen aufgetragen. - Aus der
WO 2005/106084 A1 - Aus der
US 2004/0187767 A1 - Die
JP 2005095924 A - Aus der
JP 2005046866 A - Aus der
JP 60141696 A - Aus der
JP 06279167 A - Aus der
JP 200217494 A - Aus der
JP 2002226291 A - Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Behälter zum Schmelzen und/oder Kristallisieren von Nichteisenmetallen sowie ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Behälters zu schaffen, bei dem die Güte von aus dem Nichteisenmetall hergestellten elektronischen Bauelementen verbessert wird.
- Diese Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche 1 und 10 gelöst. Der Kern der Erfindung besteht darin, dass zumindest auf einem Teil der Innenwand des Behälters mindestens eine multifunktionale Beschichtung angeordnet ist. Die mindestens eine multifunktionale Beschichtung weist mindestens eine erste Schicht zur Beeinflussung einer Materialeigenschaft des in dem Behälter aufgenommenen Nichteisenme talls, insbesondere des Siliziums, und eine von der ersten Schicht unterschiedliche zweite Schicht auf.
- Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
- Zusätzliche Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung eines Ausführungsbeispiels anhand der Zeichnungen. Es zeigen:
-
1 eine perspektivische Ansicht eines Behälters zum Schmelzen und/oder Kristallisieren von Nichteisenmetallen mit einer Beschichtung, -
2 eine nicht maßstäbliche Schnittdarstellung einer Innenwand des Behälters nach1 mit der Beschichtung, -
3 eine nicht maßstäbliche Schnittdarstellung der Innenwand eines Behälters mit einer Beschichtung, und -
4 eine nicht maßstäbliche Schnittdarstellung der Innenwand eines Behälters mit mehreren Beschichtungen gemäß einem Ausführungsbeispiel. - Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf die
1 und2 ein Behälter beschrieben, der nicht Teil der Erfindung ist. Ein als Ganzes mit1 bezeichneter Behälter zum Schmelzen und/oder Kristallisieren von Nichteisenmetallen2 , insbesondere von Silizium, weist einen Behälter-Grundkörper3 und eine darauf angeordnete multifunktionale Beschichtung4 auf. Der Behälter-Grundkörper3 ist in Form eines offenen Quaders ausgebildet und begrenzt durch eine Innenwand5 einen quaderförmigen Innenraum6 nach fünf Seiten. Zur Begrenzung des Innenraums6 weist die Innenwand5 eine Bodenfläche7 , eine erste Seitenfläche8 und eine zweite Seitenfläche9 sowie eine erste Stirnfläche10 und eine zweite Stirnfläche11 auf. Zum Einfüllen des Siliziums2 ist der Behälter1 nach oben hin offen. Von der Umgebung wird der Behälter-Grundkörper3 durch eine Außenwand12 abgegrenzt. Der Behälter-Grundkörper3 besteht aus Quarz, Graphit oder Keramik. Alternativ ist auch die Verwendung runder Behälter-Grundkörper3 möglich. - Die multifunktionale Beschichtung
4 weist eine Schicht13 auf, die flächig auf der Innenwand5 angeordnet ist. Die Schicht13 weist mehrere sukzessive aufgetragene Lagen14 auf, die in2 gestrichelt angedeutet sind. - Die Schicht
13 weist einen ersten Schicht-Bestandteil15 und einen von dem ersten Schicht-Bestandteil15 unterschiedlichen zweiten Schicht-Bestandteil16 auf. Die Schicht-Bestandteile15 ,16 dienen jeweils zur Beeinflussung mindestens einer Materialeigenschaft des in dem Behälter1 aufgenommenen Siliziums2 , wobei die Schicht-Bestandteile15 ,16 mindestens eine Materialeigenschaft beeinflussen, die der jeweils andere Schicht-Bestandteil15 ,16 nicht beeinflusst. - Mittels der Schicht-Bestandteile
15 ,16 ist als Beeinflussung einer Materialeigenschaft eine Reduzierung der Anhaftneigung des Siliziums2 an der Schicht13 und der Innenwand5 , eine Verbesserung der Reinheit des Siliziums2 , eine Veränderung der Dotierung des Siliziums2 und/oder eine Verbesserung der Kristallstruktur des Siliziums2 möglich. Unter einer Verbesserung der Kristallstruktur des Siliziums2 ist insbesondere eine Reduzierung der Anzahl von Versetzungen in der Kristallstruktur, beispielsweise in Folge eines Anhaftens des Siliziums2 an die Innenwand5 , und die Ausbildung einer bevorzugten Kristallorientierung zu verstehen. - Als Schicht-Bestandteil
15 ,16 kann pulverförmiges Siliziumnitrid verwendet werden. Das pulverförmige Siliziumnitrid reduziert die Anhaftneigung des Siliziums2 und reduziert gleichzeitig die Anzahl von Versetzungen in der Kristallstruktur des kristallisierenden Siliziums2 . - Die Beschichtung
4 weist mindestens 1 Gew.-%, insbesondere mindestens 10 Gew.-%, und insbesondere mindestens 50 Gew.-%, hochreines pulverförmiges Siliziumnitrid auf. - Das pulverförmige Siliziumnitrid besteht zu mindestens 0,1 Gew.-%, insbesondere zu mindestens 2 Gew.-%, und insbesondere zu mindestens 10 Gew.-%, aus kristallografischer Beta-Phase. Die Beta-Phase stellt die Hochtemperatur-Modifikation des Siliziumnitrids dar und ermöglicht eine hohe thermo-mechanische Stabilität der Beschichtung
4 . Alternativ ist auch die Verwendung von amorphem, pulverförmigem Siliziumnitrid möglich. - Das pulverförmige Siliziumnitrid weist Partikel mit einer durchschnittlichen Partikelgröße von maximal 50 μm, insbesondere von maximal 10 μm, und insbesondere von maximal 5 μm, auf. Vorzugsweise weist das pulverförmige Siliziumnitrid einen Sauerstoffgehalt von 0,3 Gew.-% bis maximal 5 Gew.-% und ein Verhältnis von Länge zu Durchmesser der Partikel von kleiner als 10 auf.
- Das hochreine, pulverförmige Siliziumnitrid weist einen Siliziumdioxidgehalt von maximal 50 Gew.-%, einen Alkali- und/oder Erdalkalimetallgehalt von maximal 1000 ppm und/oder einen Fluoridgehalt von maximal 2000 ppm und/oder einen Chloridgehalt von maximal 2000 ppm und/oder einen Gesamtkohlenstoffgehalt von maximal 2000 ppm und/oder einen Gehalt von Übergangsmetallen von jeweils maximal 500 ppm auf.
- Als Schicht-Bestandteil
15 ,16 kann weiterhin hochreines Siliziumdioxid verwendet werden. Das Siliziumdioxid, beispielsweise Aerosil, kann als Haftvermittler zwischen Siliziumnitrid und der Innenwand5 dienen, so dass die Anhaftneigung des Siliziums2 an die Innenwand5 und gleichzeitig die Anzahl der Versetzungen in der Kristallstruktur des kristallisierenden Siliziums2 reduziert wird. Weiterhin kann mittels des Siliziumdioxids die Kristallorientierung des kristallisierenden Siliziums2 und die Reinheit des Siliziums2 beeinflusst werden. Zur Beeinflussung der Reinheit des Siliziums2 wirkt das Siliziumdioxid als Diffusionssperre und verhindert die Diffusion von metallischen Verunreinigungen oder von Sauerstoff in das Silizium2 . - Die Beschichtung
4 weist vorzugsweise mindestens 1 Gew.-%, insbesondere mindestens 10 Gew.-%, und insbesondere mindestens 50 Gew.-%, hochreines Siliziumdioxid auf. - Zur Verbesserung der Reinheit des Siliziums
2 können als Schicht-Bestandteile15 ,16 ferner ein als Diffusionssperre wirkendes Silikat, insbesondere ein Aluminiumsilikat, verwendet werden. - Weiterhin können die Schicht-Bestandteile
15 ,16 zur Veränderung der Dotierung zumindest eines der Dotierelemente Bor, Aluminium, Gallium, Indium, Phosphor, Arsen und Antimon aufweisen. Beispielsweise kann zur Dotierung des Siliziums2 mit Bor als Schicht-Bestandteil15 ,16 Bornitrid verwendet werden. - Die Schicht-Bestandteile
15 ,16 können voneinander unterschiedliche Konzentrationen aufweisen. Ferner kann jeder Schicht-Bestandteil15 ,16 in einer Konzentrationsrichtung17 einen Konzentrationsgradienten aufweisen. Die Konzentrationsrichtung17 ist für jede Fläche7 ,8 ,9 ,10 ,11 senkrecht zu der jeweiligen Fläche7 ,8 ,9 ,10 ,11 und in Richtung des Siliziums2 definiert. - Beispielsweise kann in
2 die Konzentration des ersten Schicht-Bestandteils15 in Form von pulverförmigem Siliziumnitrid in der Konzentrationsrichtung17 zunehmen, wohingegen die Konzentration des zweiten Schicht-Bestandteils16 in Form von Siliziumdioxid in der Konzentrationsrichtung17 abnimmt. Die Konzentrationsgradienten können beispielsweise beim Auftragen mehrerer Lagen14 der Schicht13 erzeugt werden, indem die Konzentrationen der Schicht-Bestandteile15 ,16 beim Auftragen der einzelnen Lagen14 variiert werden. - Das Aufbringen der multifunktionalen Beschichtung
4 erfolgt durch Streichen, Sprühen, Spritzen, Tauchen oder durch elektrostatischen Auftrag einer Suspension, eines Schlickers oder eines Pulvers. Vor dem Aufbringen der multifunktionalen Beschichtung4 wird eine Mischung aus mindestens dem ersten Schicht-Bestandteil15 und dem zweiten Schicht-Bestandteil16 erzeugt. Die erzeugte Mischung wird anschließend auf den bereitgestellten Behälter-Grundkörper3 zumindest auf einen Teil der Innenwand5 aufgebracht. Der Behälter-Grundkörper3 kann eine gebrannte Kokille oder ein Kokillen-Grünling, der nach dem Aufbringen der multifunktionalen Be schichtung4 gebrannt wird, sein. Weiterhin ist es möglich, eine oder mehrere Lagen14 der Schicht13 auf einen Kokillen-Grünling aufzubringen, diesen zu brennen oder nur zu trocknen und anschließend nochmals eine oder mehrere Lagen14 aufzubringen. - Der Behälter
1 mit der multifunktionalen Beschichtung4 eignet sich besonders zur Aufnahme von flüssigem Silizium2 und/oder zur Kristallisation von flüssigem Silizium2 zu Siliziumblöcken, Siliziumstäben, Siliziumknüppeln oder Siliziumgranulaten. Das erzeugte, kristallisierte Silizium2 kann zur Herstellung von Siliziumwafern und/oder elektronischen Bauelementen, insbesondere im Bereich der Photovoltaik, verwendet werden. - Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf
3 ein weiterer Behälter beschrieben, der nicht Teil der Erfindung ist. Konstruktiv identische Teile erhalten dieselben Bezugszeichen wie bei dem ersten Behälter, auf dessen Beschreibung hiermit verwiesen wird. Konstruktiv unterschiedliche, jedoch funktionell gleichartige Teile erhalten dieselben Bezugszeichen mit einem nachgestellten „a”. Der wesentliche Unterschied gegenüber dem ersten Behälter besteht darin, dass die multifunktionale Beschichtung4a des Behälters1a eine auf der ersten Schicht13a angeordnete und zu dieser unterschiedlich ausgebildete zweite Schicht18a aufweist. Die erste Schicht13a ist auf der Innenwand5 angeordnet und weist eine Lage14a auf, wohingegen die zweite Schicht18a auf der ersten Schicht13a angeordnet ist und mehrere Lagen19a aufweist, die in3 gestrichelt angedeutet sind. Sie kann auch nur eine Lage aufweisen. Die Schichten13a ,18a sind derart ausgebildet, dass jeweils mindestens eine Materialeigenschaft des Siliziums2 beeinflussbar ist. Als Materialeigenschaften können beispielsweise die Anhaftneigung des Siliziums2 , die Reinheit des Siliziums2 , die Dotierung des Siliziums2 und/oder die Kristallstruktur des Siliziums2 beeinflussbar sein. - Wie in
3 gezeigt, kann die erste Schicht13a den ersten Schicht-Bestandteil15 und die zweite Schicht18a den zweiten Schicht-Bestandteile16 aufweisen. Alternativ kann eine Schicht13a ,18a auch mehrere Schicht-Bestandteile15 ,16 zur Beeinflussung einer oder mehrerer Materialeigenschaften des Siliziums2 aufweisen. Hinsichtlich der Schicht-Bestandteile15 ,16 wird auf die Ausführungen zu dem ersten Ausführungsbeispiel verwiesen. - In
3 kann die erste Schicht13a als ersten Schicht-Bestandteil15 beispielsweise Siliziumdioxid und die zweite Schicht18a als zweiten Schicht-Bestandteil16 beispielsweise pulverförmiges Siliziumnitrid aufweisen. Die Siliziumdioxid aufweisende erste Schicht13a wirkt als Haftvermittler für das pulverförmige Siliziumnitrid und als Diffusionssperre. Die Siliziumnitrid aufweisende zweite Schicht18a reduziert die Anhaftneigung des Siliziums2 und beeinflusst in Folge des verminderten Anhaftens die Bildung von Versetzungen in dem kristallisierenden Silizium2 und somit dessen Kristallstruktur. - Das Aufbringen der Schichten
13a ,18a und deren Lagen14a ,19a erfolgt sukzessive. Zunächst wird die erste Schicht13a flächig zumindest auf einen Teil der Innenwand5 in einer oder mehreren Lagen14a aufgetragen. Anschließend wird flächig zumindest auf einem Teil der ersten Schicht13a die zweite Schicht18a in einer oder mehreren Lagen19a aufgebracht. - Der Behälter-Grundkörper
3 zum Aufbringen der multifunktionalen Beschichtung4a kann eine gebrannte Kokille oder ein Kokillen-Grünling sein, wobei der Kokillen-Grünling zumindest nach dem Aufbringen einer Schicht13a ,18a oder einer Lage14a ,19a gebrannt wird. - Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf
4 ein Ausführungsbeispiel der Erfindung beschrieben. Konstruktiv identische Teile erhalten dieselben Bezugszeichen wie bei den vorangegangenen Behältern, auf deren Beschreibung hiermit verwiesen wird. Konstruktiv unterschiedliche, jedoch funktionell gleichartige Teile erhalten dieselben Bezugszeichen mit einem nachgestellten „b”. Der wesentliche Unterschied gegenüber den vorangegangenen Behältern besteht darin, dass eine von der ersten Beschichtung4b unterschiedliche zweite Beschichtung20b vorgesehen ist. Die erste Beschichtung4b ist auf der ersten und zweiten Seitenfläche8 ,9 sowie der ersten und zweiten Stirnfläche10 ,11 angeordnet, wohingegen die zweite Beschichtung20b auf der Bodenfläche7 der Innenwand5 angeordnet ist. Die Beschichtungen4b ,20b sind gemeinsam und/oder einzeln zur Beeinflussung von Materialeigenschaften des Siliziums2 multifunktional ausgebildet. Die Beschichtungen4b ,20b können derart ausgebildet sein, dass als Materialeigenschaften beispielsweise die Anhaftneigung des Siliziums2 , die Reinheit des Siliziums2 , die Dotierung des Siliziums2 und/oder die Kristallstruktur des Siliziums2 beeinflussbar sind. - Die Beschichtungen
4b ,20b können jeweils entsprechend dem ersten Behälter eine Schicht13b oder entsprechend dem zweiten Behälter mehrere Schichten13b ,18b aufweisen. Weiterhin können die Beschichtungen4b ,20b jeweils mindestens einen ersten Schicht-Bestandteil15 und einen zweiten Schicht-Bestandteil16 aufweisen. Hinsichtlich der Schicht-Bestandteile15 ,16 wird auf die Ausführungen zu dem ersten Behälter verwiesen. Die Schicht-Bestandteile15 ,16 können entsprechend dem ersten Behälter gemischt in einer Schicht13b oder entsprechend dem zweiten Behälter in mehreren Schichten13a ,18a vorliegen. - In
4 weist die erste Beschichtung4b zwei Schichten13b ,18b auf, wobei jede Schicht13b ,18b aus jeweils einer Lage14b ,19b besteht. Der in der ersten Schicht13b vorliegende erste Schicht-Bestandteil15 ist beispielsweise Siliziumnitrid zur Reduzierung der Anhaftneigung des Siliziums2 . Der in der zweiten Schicht18b vorliegende zweite Schicht-Bestandteil16 ist beispielsweise Bornitrid zur Veränderung der Dotierung des Siliziums2 . Die zweite Beschichtung20b weist eine Schicht13b aus zwei Lagen14b auf. Die Schicht13b der zweiten Beschichtung20b enthält als ersten Schicht-Bestandteil15 Siliziumnitrid und als zweiten Schicht-Bestandteil16 Siliziumdioxid. Das Siliziumnitrid reduziert die Anhaftneigung des Siliziums2 , wohingegen das Siliziumdioxid ausgehend von der Bodenfläche7 die Kristallorientierung des kristallisierenden Siliziums2 beeinflusst. - Das Aufbringen der Beschichtungen
4b ,20b erfolgt sukzessive oder zeitlich parallel. Beispielsweise kann zunächst die erste Schicht13b der ersten Beschichtung4b , anschließend die Schicht13b der zweiten Beschichtung20b und anschließend die zweite Schicht18b der ersten Beschichtung4b aufgetragen werden. Alternativ kann eine Beschichtung4b ,20b vollständig aufgetragen werden, bevor eine weitere Beschichtung4b ,20b aufgetragen wird. In4 ist der Idealfall dargestellt, dass sich die Beschichtungen4b ,20b im Grenzbereich nicht überlappen. In der Praxis treten regelmäßig Überlappungen in diesem Bereich auf, die für die Erfindung jedoch vernachlässigbar sind. Der Behälter-Grundkörper3 kann eine gebrannte Kokille oder ein Kokillen-Grünling sein, wobei der Kokillen-Grünling zumin dest nach dem Aufbringen einer Lage14b ,19b oder einer Schicht13b ,18b oder einer Beschichtung4b ,20b gebrannt wird. - Durch das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren ist es möglich, Behälter mit Beschichtungen bereitzustellen, die gemeinsam und/oder einzeln multifunktional ausgebildet sind. Die Beschichtungen erlauben eine gezielte Beeinflussung der Materialeigenschaften des in dem Behälter aufgenommenen Nichteisenmetalls, insbesondere des Siliziums. Durch die gezielte Beeinflussung der Materialeigenschaften ist es einerseits möglich, Silizium mit einer höheren Güte zu erzeugen und andererseits nachgelagerte Schritte bei der Herstellung von elektronischen Bauelementen, beispielsweise die Einbringung von Dotierelementen, in den Kristallisierungsvorgang des Siliziums einzubeziehen. Der Herstellungsprozess von elektronischen Bauelementen, beispielsweise für die Photovoltaik, wird somit effizienter und kostengünstiger und die Güte der elektronischen Bauelemente verbessert.
- Für alle Behälter gilt: Jede Beschichtung kann eine oder mehrere Schichten und jede Schicht wiederum eine oder mehrere Lagen aufweisen. Jede Schicht kann einen oder mehrere Schicht-Bestandteile enthalten, wobei unterschiedliche Schichten zumindest einen unterschiedlichen Schicht-Bestandteil aufweisen und insbesondere optisch mittels bekannter Analyseverfahren voneinander abgrenzbar sind. Die Schichten können an ihren Grenzen scharf abgrenzbar sein oder fließend ineinander übergehen. Die Lagen einer Schicht weisen gleiche Schicht-Bestandteile auf. Jeder Schicht-Bestandteil kann in den unterschiedlichen Lagen eine gleichbleibende oder variierende Konzentration aufweisen. Mittels einer variierenden Konzentration eines Schicht-Bestandteils in den einzelnen Lagen ist die Ausbildung eines Konzentrationsgradienten in einer Schicht möglich. Die Beschichtungen und/oder die Schichten und/oder die Schicht-Bestandteile können chemisch und/oder physikalisch unterschiedlich ausgebildet sein. Unter chemisch unterschiedlich werden insbesondere unterschiedliche chemische Elemente und unterschiedliche chemische Verbindungen verstanden. Unter physikalisch unterschiedlich werden insbesondere unterschiedliche Phasen, Kristallorientierungen, optisch trennbare Lagen und Kristallstrukturen verstanden. Der Behälter-Grundkörper kann eine gebrannte Kokille oder ein Kokillen-Grünling sein, wobei der Kokillen-Grünling zumindest nach dem Aufbringen einer Lage und/oder einer Schicht und/oder einer Beschichtung gebrannt wird.
Claims (12)
- Behälter zum Schmelzen und/oder Kristallisieren von Nichteisenmetallen mit a. einem eine Innenwand (
5 ) und eine Außenwand (12 ) aufweisenden Behälter-Grundkörper (3 ), und b. mindestens einer zumindest auf einem Teil der Innenwand (5 ) angeordneten multifunktionalen Beschichtung (4b ) aus mindestens i. einer ersten Schicht (13b ) zur Beeinflussung einer Materialeigenschaft eines Nichteisenmetalls (2 ), und ii. einer von der ersten Schicht (13b ) unterschiedlichen zweiten Schicht (18b ), dadurch gekennzeichnet, dass c. eine erste Beschichtung (4b ) auf einer ersten Fläche (7 ,8 ,9 ,10 ,11 ) und eine von der ersten Beschichtung (4b ) unterschiedliche zweite Beschichtung (20b ) auf einer von der ersten Fläche (7 ,8 ,9 ,10 ,11 ) verschiedenen zweiten Fläche (7 ,8 ,9 ,10 ,11 ) der Innenwand (5 ) angeordnet ist, d. die erste Beschichtung (4b ) die erste Schicht (13b ) mit einem ersten Schicht-Bestandteil (15 ) und die zweite Schicht (18b ) mit mindestens einem von dem mindestens ersten Schicht-Bestandteil (15 ) unterschiedlichen zweiten Schicht-Bestandteil (16 ) aufweist, und e. die zweite Beschichtung (20b ) eine erste Schicht (13b ) umfasst, die einen ersten Schicht-Bestandteil (15 ) und einen zweiten Schicht-Bestandteil (16 ) umfasst. - Behälter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Schicht (
18b ) derart ausgebildet ist, dass eine weitere Materialeigenschaft des Nichteisenmetalls (2 ) beeinflussbar ist. - Behälter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der Schichten (
13b ,18b ) derart ausgebildet ist, dass als Materialeigenschaft die Anhaftneigung des Nichteisenmetalls (2 ) beeinflussbar ist. - Behälter nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der Schichten (
13b ,18b ) derart ausgebildet ist, dass als Materialeigenschaft die Reinheit des Nichteisenmetalls (2 ) beeinflussbar ist. - Behälter nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der Schichten (
13b ,18b ) derart ausgebildet ist, dass als Materialeigenschaft die Dotierung des Nichteisenmetalls (2 ) beeinflussbar ist. - Behälter nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der Schichten (
13b ,18b ) derart ausgebildet ist, dass als Materialeigenschaft die Kristallstruktur des Nichteisenmetalls (2 ) beeinflussbar ist. - Behälter nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Schicht (
13b ) zumindest auf einem Teil der Innenwand (5 ) und die zweite Schicht (18b ) zumindest auf einem Teil der ersten Schicht (13b ) angeordnet ist. - Behälter nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der Schichten mehrere Lagen aufweist.
- Behälter nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Schicht (
13b ) mindestens einen ersten Schicht-Bestandteil (15 ) und die zweite Schicht (18b ) mindestens einen von dem mindestens einen ersten Schicht-Bestandteil (15 ) unterschiedlichen zweiten Schicht-Bestandteil (16 ) aufweist. - Verfahren zur Herstellung eines Behälters zum Schmelzen und/oder Kristallisieren von Nichteisenmetallen umfassend die folgenden Schritte: a) Bereitstellen eines Behälter-Grundkörpers (
3 ) mit einer Innenwand (5 ) und einer Außenwand (12 ), und b) Aufbringen mindestens einer multifunktionalen Beschichtung (4b ) aus mindestens einer ersten Schicht (13b ) zur Beeinflussung einer Materialeigenschaft eines Nichteisenmetalls (2 ) und einer von der ersten Schicht (13b ) unterschiedlichen zweiten Schicht (18b ) zumindest auf einen Teil der Innenwand (5 ), dadurch gekennzeichnet, dass c) eine erste Beschichtung (4b ) auf eine erste Fläche (7 ,8 ,9 ,10 ,11 ) und eine von der ersten Beschichtung (4b ) unterschiedliche zweite Beschichtung (20b ) auf eine von der ersten Fläche (7 ,8 ,9 ,10 ,11 ) verschiedene zweite Fläche (7 ,8 ,9 ,10 ,11 ) der Innenwand (5 ) aufgebracht wird, wobei d) die erste Beschichtung (4b ) die erste Schicht (13b ) mit einem ersten Schicht-Bestandteil (15 ) und die zweite Schicht (18b ) mit mindestens einem von dem ersten Schicht-Bestandteil (15 ) unterschiedlichen zweiten Schicht-Bestandteil (16 ) aufweist, und e) die zweite Beschichtung (20b ) die erste Schicht (13b ) umfasst, die den ersten Schicht-Bestandteil (15 ) und den zweiten Schicht-Bestandteil (16 ) umfasst. - Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Schicht (
18b ) zur Beeinflussung einer weiteren Materialeigenschaft des Nichteisenmetalls (2 ) aufgebracht wird. - Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichten (
13b ,18b ) zumindest teilweise aufeinander angeordnet werden.
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