JPS60141696A - 単結晶育成容器 - Google Patents
単結晶育成容器Info
- Publication number
- JPS60141696A JPS60141696A JP25218583A JP25218583A JPS60141696A JP S60141696 A JPS60141696 A JP S60141696A JP 25218583 A JP25218583 A JP 25218583A JP 25218583 A JP25218583 A JP 25218583A JP S60141696 A JPS60141696 A JP S60141696A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- quartz
- single crystal
- container
- contamination
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の背景と目的〕
本発明は、ＩＩＩ −Ｖ族化合物特にＧａＡｓの単結晶
育成に用いる容器即ちボート及びルツボに関するもので
ある。
育成に用いる容器即ちボート及びルツボに関するもので
ある。
石英カラスは純度、耐熱性及び加工性に優れ単結晶製造
用の化種容器として用いられているが、Ｇａ或いはＧａ
Ａｓと（１）式の反応が進み、ＧａＡｓにＳｉが混入し
てしまう。
用の化種容器として用いられているが、Ｇａ或いはＧａ
Ａｓと（１）式の反応が進み、ＧａＡｓにＳｉが混入し
てしまう。
５ｉ０２＋ ４ Ｇａ＋Ｓｉ＋ ２ Ｇａ）０↑ −（
１）このＳ１汚染を防止するために窒化硼素（ＩＩＮ）
及び酸化アルミニウム（＾ｌ！２０３）製容器の試みが
あるが、ＢＮ及びへ交、０３は熱伝導率が大きくボート
壁からの結晶成長が進むため、ＧａＡｓの単結晶が得に
くいという欠点があり、加えてＯＮ製容器は石英製容器
に比べて高価なものである。
１）このＳ１汚染を防止するために窒化硼素（ＩＩＮ）
及び酸化アルミニウム（＾ｌ！２０３）製容器の試みが
あるが、ＢＮ及びへ交、０３は熱伝導率が大きくボート
壁からの結晶成長が進むため、ＧａＡｓの単結晶が得に
くいという欠点があり、加えてＯＮ製容器は石英製容器
に比べて高価なものである。
このような状況のもとに石英製容器にＢＮ層を施こした
容器が用いられたが、ＢＮの石英カラスへの密着性が悪
いためＢＮｉが薄いものしかできず、又ＢＮＮがはずれ
やすい欠点があった。
容器が用いられたが、ＢＮの石英カラスへの密着性が悪
いためＢＮｉが薄いものしかできず、又ＢＮＮがはずれ
やすい欠点があった。
本発明の目的は前記した従来技術の欠点を解消し、耐久
性がよく、Ｓ１汚染のない化合物半導体単結晶を得るこ
とのできる単結晶育成容器を提供することにある。
性がよく、Ｓ１汚染のない化合物半導体単結晶を得るこ
とのできる単結晶育成容器を提供することにある。
本発明の単結晶育成容器は、石英製容器の表面に窒化硅
素層を介して窒化硼素層が形成されていることを特徴と
するものである・ すなわち、ＢＮＪｍの密着性を良くすることにより、Ｂ
ＮＩ’ｉは厚くすることがてき、Ｓｉ侵入を抑止できる
ものである。
素層を介して窒化硼素層が形成されていることを特徴と
するものである・ すなわち、ＢＮＪｍの密着性を良くすることにより、Ｂ
ＮＩ’ｉは厚くすることがてき、Ｓｉ侵入を抑止できる
ものである。
石英カラス製内半径３０ ｍｍ ！内厚５ ｍｍ 、長
さ３００ｍｍの半割形状ボートの表面に、（２）式の反
９により０．１〜ＩＯμｍのＳｉ３Ｎ４層を、：３ Ｓ
ｉ Ｎ４＋ ４８Ｉ＋３ →Ｓｉ３Ｎ、、＋６ｔ１２
・・・ （２）さらにその表面に（３）式の反応によ
り１０〜５０８ｍのＬＩＮ層を、 ［ｈｌＬ＋ ２旧１３→２ＢＮ＋６Ｈλ ・・・ （３
）それぞれＣＶ ＩＪ法により形成した。すなわち、Ｓ
ｉ３Ｎ、、は５１０２及びＢＮとそれぞれ密着性がよい
ため、結果的に石英ガラス上へ密着性のよいＢＮの厚い
被覆層か得られるのである。
さ３００ｍｍの半割形状ボートの表面に、（２）式の反
９により０．１〜ＩＯμｍのＳｉ３Ｎ４層を、：３ Ｓ
ｉ Ｎ４＋ ４８Ｉ＋３ →Ｓｉ３Ｎ、、＋６ｔ１２
・・・ （２）さらにその表面に（３）式の反応によ
り１０〜５０８ｍのＬＩＮ層を、 ［ｈｌＬ＋ ２旧１３→２ＢＮ＋６Ｈλ ・・・ （３
）それぞれＣＶ ＩＪ法により形成した。すなわち、Ｓ
ｉ３Ｎ、、は５１０２及びＢＮとそれぞれ密着性がよい
ため、結果的に石英ガラス上へ密着性のよいＢＮの厚い
被覆層か得られるのである。
このボートを用いてボーＩ・成長させたＧａＡｓ屯結晶
の転位密度は、従来の石英製ボートを用いた場合とほぼ
同し＋０３／ｃｍ２ か得られ、Ｓｉ混入量は約０．１
ｐｐｍと従来の約１／ｌｏｏまて減少させることがで
きた。又、ＢＮＪＷの密着性が良くなりはがれにくいた
め、従来の石英ボート表面に直にＢＮ層を施したボート
よりも使用回数を増やすことができ、費用削減にもなっ
た。
の転位密度は、従来の石英製ボートを用いた場合とほぼ
同し＋０３／ｃｍ２ か得られ、Ｓｉ混入量は約０．１
ｐｐｍと従来の約１／ｌｏｏまて減少させることがで
きた。又、ＢＮＪＷの密着性が良くなりはがれにくいた
め、従来の石英ボート表面に直にＢＮ層を施したボート
よりも使用回数を増やすことができ、費用削減にもなっ
た。
弔結晶育成容器には、ボート法用のボート及びアンプル
、引き上げ法用のルツボ及び高蒸気圧成分リザーバ容器
、さらに液相成長及び気相成長用のボート、反応管及び
治具等があり、本発明はこれらの容器に適用できるもの
である。
、引き上げ法用のルツボ及び高蒸気圧成分リザーバ容器
、さらに液相成長及び気相成長用のボート、反応管及び
治具等があり、本発明はこれらの容器に適用できるもの
である。
図面は本発明の実施例を示す引き上げ用ルツボの断面図
であり、ｌは石英ルツボ、２はＳｉ３Ｎ＋層。
であり、ｌは石英ルツボ、２はＳｉ３Ｎ＋層。
３はＢＮｉである。
なお、ＳｔＪ＋層及ＵＢＮ層の形成方法はＣＶＤ法に限
らないものである。
らないものである。
以上詳細に説明した通り、本発明の単結晶育成容器によ
れζよ、石英製容器の表面に窒化硅素を介して窒化硼素
が形成されていることにより、窒化硼素の密着性が改善
され容器の耐久性か増し、更に窒化硼素層を厚く施すこ
とができるので５１汚染のない化合物半導体単結晶を得
ることができるという効果を奏するものである。
れζよ、石英製容器の表面に窒化硅素を介して窒化硼素
が形成されていることにより、窒化硼素の密着性が改善
され容器の耐久性か増し、更に窒化硼素層を厚く施すこ
とができるので５１汚染のない化合物半導体単結晶を得
ることができるという効果を奏するものである。
図面は本発明の実施例を示す断面図である。
１：石英ルツボ、２：Ｓｉ３Ｎ吟層、３：ＢＮ層。
２３
手続補正前（勿べ）
、（Δ
１、事件の表示
昭１１」 夕♂ ４Ｅ ｑ谷斗 願第 ２よｘｌＮ 号
２ 疾ＬＩＬ＋の名称謬イて扁有威゛之翼−補正金する
者 名称（５１２） 日立電線株式会社 代 理 人〒１００ ６．２爪正り封）、鱈心〃嘗 ７． ２ｃ＊’ ｙ−ｅｙ ＩＱ Ａ ９Ｊ ’ｍ リ
’ＪＪＬ ＩＪｌ 二斥、イーｌづ式ト ａ （１） ガ氏州飼塔 １、発明の名称 単結晶育成容器 ２、特許請求の範囲 （１）石英製容器の表面に窒化緘素層を介して窒化石朋
素層か形成されていることを特徴とする単結晶育成容器
。 ３ 発明の詳；Ｍｌｌｌな説明 〔発明の背景と目的〕 本発明は、ｍ−ｖ族化合物特にＣａＡｓの単結晶育成に
用いる容器即ちボート及びルツボに関するものである。 石英カラスは純度、耐熱性及び加工性に優れ単結晶叫造
用の各種容器として用いられているか、Ｃａ或いはＣａ
Ａｓと（１〕式の反応が進み、ＣａＡＳに８１か混入し
てしまう。 Ｓ ｉ Ｏ，＋４Ｃａ −＋ Ｓ ｉ＋２Ｃａ、 Ｏ小
−（１）このＳ１汚染を防止するために窒化 素Ｑ３
Ｎ）及び酸化アルミニウム（ｈｔ、ｔ Ｏｓ ） 製
容器の試みがあるか、Ｓｌマ及び、ｋｌｉ Ｏｓは熱伝
導率か大きくボート壁からの結晶成長が進むため、Ｃａ
ＡＳの単結晶が得にくいという欠点があり、加えてＢＮ
製容器は石英製容器に比べて高価なものである。 このような状況のもとに石英製容器に１３Ｎ層を施こし
た容器が用いらねたか、ＢＮの石英カラスへの密着性が
悪いためＢＮ層が薄いものしかできす、ＭＢＮ層かはず
れやすい欠点かあった。 本発明の目的は前記した従来技術の欠点を解消し、耐久
性がよく、Ｓ１汚染のない化合物半導体単結晶を得るこ
とのできる単結晶育成容器を提供することにある。 〔発明の概要〕 本発明の単結晶育成容には、石英製茶器の表面に窒化
素層を介して窒化 素層か形成されてし）ることを特徴
とするものである。 すなわち、１３Ｎ層の密着性を良くすることにより、１
３Ｎ層は厚くすることがてき、Ｓｌｌ大人抑止できるも
のである。 〔実施例〕 石英ガラス製内半径３０朋、内厚５欄、長さ３００個の
半割杉状ボードの表面に、（２）式の反９により０．１
〜１０ μ＋ｎの８１８Ｎ、層を、３ Ｓ ｉ Ｎ＊
＋ ４Ｎｆ４ ＋Ｓ ｉ８Ｎ＊ ＋６１１セ ・・・（
２）ざらにその表１４ｉに（３）式の反１芯により１０
〜５０ ／Ｊ ｍの１３Ｎ層を、 １：３ｓ Ｉ（−＋ ２ Ｎ ｌ−１ｓ → ２８ Ｎ
＋６１．−ＩＱ ・・・ （３）それぞれ＜シＶ Ｉ
） ｌ去によりｊｌり成した。すなわち、Ｓｌ、Ｎ−は
３ ｉ ０．及びＢＮとそれぞれ密着性がよいため、結
果的÷こ石英ガラス−１ニへ密着性のよいＢＮの厚い肢
覆層か寿られるのである。 このボートを用いてボート成長さゼたＣａＡＳ単結晶の
転位密１ヶ（才、従来の、ｂ英製ボートを用いた場合上
はぼ同し１０７ｃｍ２か得られ、Ｓｌ混入計は約０、１
ｐｐｍと従来の約１７１００まで減少させることかで
きた。、ヌ、１３Ｎ層の密着性が良くなりはがれにくい
ため、従来の石英ボート表面に直にＢＮ層をｂ亀したボ
ートよりも使用回数を増やｒことかでき、費用削減にも
なった。 嘔結晶育成容器には、ボート法′用のボート及びアンプ
ル、引き−１−げ法用のルツボ及び高蒸気川成分リザー
バ容器、さらに液相成長及び気相成長用のボート、反応
管及び治具等があり、本発明はこれらの容器に適用でき
るものである。 図面は本発明の実施例を示す引き上げ用ルツボの断面図
であり、■は石英ルツボ、２はＳ＋ｓＮ、層。 ３はＢＮ層である。 なお、Ｓ＋ｉＮ４層及びＢＮ層の形成方法はＣＶ Ｉ）
法に限らないものである。 〔発明の効果〕 以上詳細に説明した通り、本発明の単結晶育成容器によ
れば、石英製容器の表向に窒ｆヒ 素を介して望化 素
が形成されていることにより、窒化素の密着性が改善さ
れ容器の耐久性が増し、更に窒化 素層を厚く施すこと
ができるので８１汚染のない化合物半導体単結晶を得る
ことかできるという効果を奏するものである。 ４、図面の簡単な説明 図面は本発明の実施例を示す断面図である。
２ 疾ＬＩＬ＋の名称謬イて扁有威゛之翼−補正金する
者 名称（５１２） 日立電線株式会社 代 理 人〒１００ ６．２爪正り封）、鱈心〃嘗 ７． ２ｃ＊’ ｙ−ｅｙ ＩＱ Ａ ９Ｊ ’ｍ リ
’ＪＪＬ ＩＪｌ 二斥、イーｌづ式ト ａ （１） ガ氏州飼塔 １、発明の名称 単結晶育成容器 ２、特許請求の範囲 （１）石英製容器の表面に窒化緘素層を介して窒化石朋
素層か形成されていることを特徴とする単結晶育成容器
。 ３ 発明の詳；Ｍｌｌｌな説明 〔発明の背景と目的〕 本発明は、ｍ−ｖ族化合物特にＣａＡｓの単結晶育成に
用いる容器即ちボート及びルツボに関するものである。 石英カラスは純度、耐熱性及び加工性に優れ単結晶叫造
用の各種容器として用いられているか、Ｃａ或いはＣａ
Ａｓと（１〕式の反応が進み、ＣａＡＳに８１か混入し
てしまう。 Ｓ ｉ Ｏ，＋４Ｃａ −＋ Ｓ ｉ＋２Ｃａ、 Ｏ小
−（１）このＳ１汚染を防止するために窒化 素Ｑ３
Ｎ）及び酸化アルミニウム（ｈｔ、ｔ Ｏｓ ） 製
容器の試みがあるか、Ｓｌマ及び、ｋｌｉ Ｏｓは熱伝
導率か大きくボート壁からの結晶成長が進むため、Ｃａ
ＡＳの単結晶が得にくいという欠点があり、加えてＢＮ
製容器は石英製容器に比べて高価なものである。 このような状況のもとに石英製容器に１３Ｎ層を施こし
た容器が用いらねたか、ＢＮの石英カラスへの密着性が
悪いためＢＮ層が薄いものしかできす、ＭＢＮ層かはず
れやすい欠点かあった。 本発明の目的は前記した従来技術の欠点を解消し、耐久
性がよく、Ｓ１汚染のない化合物半導体単結晶を得るこ
とのできる単結晶育成容器を提供することにある。 〔発明の概要〕 本発明の単結晶育成容には、石英製茶器の表面に窒化
素層を介して窒化 素層か形成されてし）ることを特徴
とするものである。 すなわち、１３Ｎ層の密着性を良くすることにより、１
３Ｎ層は厚くすることがてき、Ｓｌｌ大人抑止できるも
のである。 〔実施例〕 石英ガラス製内半径３０朋、内厚５欄、長さ３００個の
半割杉状ボードの表面に、（２）式の反９により０．１
〜１０ μ＋ｎの８１８Ｎ、層を、３ Ｓ ｉ Ｎ＊
＋ ４Ｎｆ４ ＋Ｓ ｉ８Ｎ＊ ＋６１１セ ・・・（
２）ざらにその表１４ｉに（３）式の反１芯により１０
〜５０ ／Ｊ ｍの１３Ｎ層を、 １：３ｓ Ｉ（−＋ ２ Ｎ ｌ−１ｓ → ２８ Ｎ
＋６１．−ＩＱ ・・・ （３）それぞれ＜シＶ Ｉ
） ｌ去によりｊｌり成した。すなわち、Ｓｌ、Ｎ−は
３ ｉ ０．及びＢＮとそれぞれ密着性がよいため、結
果的÷こ石英ガラス−１ニへ密着性のよいＢＮの厚い肢
覆層か寿られるのである。 このボートを用いてボート成長さゼたＣａＡＳ単結晶の
転位密１ヶ（才、従来の、ｂ英製ボートを用いた場合上
はぼ同し１０７ｃｍ２か得られ、Ｓｌ混入計は約０、１
ｐｐｍと従来の約１７１００まで減少させることかで
きた。、ヌ、１３Ｎ層の密着性が良くなりはがれにくい
ため、従来の石英ボート表面に直にＢＮ層をｂ亀したボ
ートよりも使用回数を増やｒことかでき、費用削減にも
なった。 嘔結晶育成容器には、ボート法′用のボート及びアンプ
ル、引き−１−げ法用のルツボ及び高蒸気川成分リザー
バ容器、さらに液相成長及び気相成長用のボート、反応
管及び治具等があり、本発明はこれらの容器に適用でき
るものである。 図面は本発明の実施例を示す引き上げ用ルツボの断面図
であり、■は石英ルツボ、２はＳ＋ｓＮ、層。 ３はＢＮ層である。 なお、Ｓ＋ｉＮ４層及びＢＮ層の形成方法はＣＶ Ｉ）
法に限らないものである。 〔発明の効果〕 以上詳細に説明した通り、本発明の単結晶育成容器によ
れば、石英製容器の表向に窒ｆヒ 素を介して望化 素
が形成されていることにより、窒化素の密着性が改善さ
れ容器の耐久性が増し、更に窒化 素層を厚く施すこと
ができるので８１汚染のない化合物半導体単結晶を得る
ことかできるという効果を奏するものである。 ４、図面の簡単な説明 図面は本発明の実施例を示す断面図である。
Claims (1)
- （１）石英製容器の表面に窒化硅素層を介して窒化硼素
層が形成されていることを特徴とする単結晶育成容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25218583A JPS60141696A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 単結晶育成容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25218583A JPS60141696A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 単結晶育成容器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60141696A true JPS60141696A (ja) | 1985-07-26 |
Family
ID=17233674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25218583A Pending JPS60141696A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 単結晶育成容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60141696A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01112450U (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-28 | ||
| DE102005032789A1 (de) * | 2005-06-06 | 2006-12-07 | Deutsche Solar Ag | Behälter mit Beschichtung und Herstellungsverfahren |
| CN102358953A (zh) * | 2011-09-28 | 2012-02-22 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种减少粘埚的坩埚及其制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59227800A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体製造用部材 |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP25218583A patent/JPS60141696A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59227800A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体製造用部材 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01112450U (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-28 | ||
| DE102005032789A1 (de) * | 2005-06-06 | 2006-12-07 | Deutsche Solar Ag | Behälter mit Beschichtung und Herstellungsverfahren |
| DE102005032789B4 (de) * | 2005-06-06 | 2010-12-30 | Deutsche Solar Ag | Behälter mit Beschichtung und Herstellungsverfahren |
| CN102358953A (zh) * | 2011-09-28 | 2012-02-22 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种减少粘埚的坩埚及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200501451A (en) | Growth of III-nitride films on mismatched substrates without conventional low temperature nucleation layers | |
| US6426133B1 (en) | Graphite material coated with silicon carbide | |
| Stringfellow et al. | VPE growth of AlxGa1− xAs | |
| CA2678488A1 (en) | Method of producing a group iii nitride crystal | |
| JPH04231459A (ja) | 窒化硼素製るつぼ及びそれを製造するための方法 | |
| Boichot et al. | Epitaxial growth of AlN on c-plane sapphire by High Temperature Hydride Vapor Phase Epitaxy: Influence of the gas phase N/Al ratio and low temperature protective layer | |
| TW201829860A (zh) | 坩堝、坩堝的製備方法及碳化矽晶體（４Ｈ－ＳｉＣ）的生長方法 | |
| JPS60141696A (ja) | 単結晶育成容器 | |
| JPS56160400A (en) | Growing method for gallium nitride | |
| JPH0688866B2 (ja) | 窒化ホウ素被覆ルツボおよびその製造方法 | |
| JP2020514552A (ja) | コーティングされた製品及びその製造方法 | |
| Ishida et al. | Growth and properties of Si films on sapphire with predeposited amorphous Si layers | |
| Chaddha et al. | Chemical vapor deposition of silicon carbide thin films on titanium carbide, using 1, 3 disilacyclobutane | |
| JPH0686352B2 (ja) | 高純度半導体単結晶製造用ルツボ | |
| JPS6272505A (ja) | 熱分解窒化ほう素製器物の製造法 | |
| JPH03243776A (ja) | セラミックス被覆用黒鉛基材及びｃｖｄ炉用内部部品 | |
| Makarov et al. | Sublimation growth of 4 and 6 inch 4H-SiC low defect bulk crystals in Ta (TaC) crucibles | |
| JP2966459B2 (ja) | 単結晶マグネシアスピネル膜の形成方法 | |
| JPH0730451B2 (ja) | アルミニウム層の化学気相成長方法 | |
| CN208548361U (zh) | 一种在蓝宝石基板上含氧氮化铝复合缓冲层的结构 | |
| Yan et al. | SiC heteroepitaxial growth by low pressure chemical vapor deposition on Si (1 1 1) substrates | |
| JP2706967B2 (ja) | 単結晶マグネシアスピネル膜の形成方法 | |
| JPS62281417A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS62137846A (ja) | 単結晶絶縁膜の形成方法 | |
| JPS62219514A (ja) | 液相エピタキシヤル成長法及び装置 |