DE4219139C2 - Hochfestes Targetmaterial - Google Patents

Hochfestes Targetmaterial

Info

Publication number
DE4219139C2
DE4219139C2 DE4219139A DE4219139A DE4219139C2 DE 4219139 C2 DE4219139 C2 DE 4219139C2 DE 4219139 A DE4219139 A DE 4219139A DE 4219139 A DE4219139 A DE 4219139A DE 4219139 C2 DE4219139 C2 DE 4219139C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
phase
target material
rare earth
earth metal
iron group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE4219139A
Other languages
English (en)
Other versions
DE4219139A1 (de
Inventor
Kenichi Hijikata
Shozo Komiyama
Hitoshi Maruyama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
Publication of DE4219139A1 publication Critical patent/DE4219139A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE4219139C2 publication Critical patent/DE4219139C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14Metallic material, boron or silicon
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10582Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10582Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
    • G11B11/10586Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/14Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
    • H01F41/18Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
    • H01F41/183Sputtering targets therefor

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein hochfestes Targetmaterial, nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Eine Anzahl von Targetmaterialien werden herkömmlich verwendet bei der Bildung dünner magnetooptischer Aufzeichnungsfilme durch ein Magnetron-Zerstäubungs­ verfahren. Aus diesen vielen Targetmaterialien ist bei dem einem, das in der japanischen Patentveröf­ fentlichung Nr. 1 19 648/1986 beschrieben ist, bekannt, daß es eine hohe Festigkeit besitzt, und dieses hat die folgende Struktur:
25-60% (alle hier aufgeführten Prozentangaben sind flächenbezogen) einer Eisengruppe-Metallphase, die zusammengesetzt ist aus wenigstens einem aus Fe, Ni und Co ausgewählten Metall,
10-45% einer Seltene-Erde-Metallphase, die zusam­ mengesetzt ist aus wenigstens einem aus Tb, Gd, Dy, Ho und Er ausgewählten Metall,
und der Rest ist eine intermetallische Verbundphase, die zusammengesetzt ist aus der Reaktionsphase zwi­ schen der Eisengruppe-Metallphase und der Seltene- Erde-Metallphase.
Dieses bekannte Targetmaterial hat jedoch eine relativ hohe Permeabilität.
Die DE 35 37 191 C2 offenbart ein Targetmaterial, das aus 30 bis 50 Gew.-% Seltene-Erde-Metallen und zum restlichen Anteil aus Übergangsmetallen der Gruppe Fe, Co, Ni besteht. Die Struktur dieses Materials ist derart, daß eine Seltene-Erde-Metall-Phase, eine Übergangsmetallphase und im Grenzbereich zwischen diesen eine intermetallische Verbindungsphase aus den Seltenen-Erde-Metallen und den Übergangsmetallen vorliegen.
In der EP 03 08 201 A1 wird ein Targetmaterial zum Aufstäuben magnetisch-optischer Schichten beschrieben, das eine Phase aus Übergangsmetall(en), eine Phase aus Seltene-Erde-Metall(en) und eine Legierungsphase aus Seltene-Erde- und Übergangsmetall(en) enthält.
Aus der JP-A 63-274 763 ist ein Targetmaterial aus wenigstens einem Seltene-Erde-Metall und wenigstens einem Übergangsmetall, die zumindest drei Arten von intermetallischen Verbindungen bilden, bekannt.
Weiterhin beschreibt die JP-A 01-198 870 ein Targetmaterial aus einer Legierungsphase aus einem Seltene- Erde-Metall und einem Übergangsmetall und einer Übergangsmetallphase.
Ausgehend von dem Stand der Technik nach der japanischen Patentveröffentlichung Nr. 1 19 648/1986 ist es daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein hochfestes Targetmaterial zu schaffen, das auch eine relativ geringe Permeabilität aufweist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch die in kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebenen Merkmale. Vorteilhafte Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Targetmaterials ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Das in der genannten japanischen Patentveröffentlichung Nr. 1 19 648/1986 beschriebene hochfeste Targetmaterial intensiven Untersuchungen unterzogen mit dem Ziel, seine Permeabilität weiter zu verringern. Im Ergebnis wurde gefunden, daß, wenn die Eisengruppe- Metallphase dieses bekannten hochfesten Targetmaterials durch eine komplexe Phase ersetzt wurde, in der ein kristallisiertes Eisengruppe-Metall fein und gleichförmig in einer dendritischen, Nadel- oder Blockform in einem Ver­ hältnis von 5-40% (der Gesamtphase) in einer Ma­ trix dispergiert wurde, die aus einem intermetalli­ schen Verbund eines Seltene-Erde-Metalls und eines Eisengruppe-Metalls zusammengesetzt war, die Permea­ bilität des Targetmaterials weiter gesenkt wurde, ohne daß dessen Festigkeit beeinträchtigt wurde, wo­ durch erfolgreich eine deutliche Verbesserung des Ausnutzungsfaktors erzielt wurde.
Die vorliegende Erfindung wurde auf der Grundlage dieser Erkenntnis realisiert, und sie stellt ein hochfestes Targetmaterial zur Verfügung, das eine Struktur aufweist, bestehend aus:
20-75% einer komplexen Phase, in der ein kristal­ lisiertes Eisengruppe-Metall fein und gleichförmig in einer dendritischen, Nadel- oder Blockform in einem Verhältnis von 5-40% (der Gesamtphase) in einer Matrix dispergiert ist, die aus einem intermetalli­ schen Verbindung von wenigstens einem vorzugsweise aus Tb, Gd, Dy, No, Tm und Er ausgewählten Seltene- Erde-Metall und wenigstens einem aus Fe, Ni und Co ausgewählten Eisengruppe-Metall zusammengesetzt ist,
15-40% einer Seltene-Erde-Metallphase, die vorzugsweise zusammengesetzt ist aus wenigstens einem aus Tb, Gd, Dy, No, Tm und Er ausgewählten Metall, und
der Rest einer intermetallischen Verbindungsphase, die zusammengesetzt ist aus der Reaktionsphase zwischen der komplexen Phase und der Seltene-Erde-Metallphase.
Ein erfindungsgemäßes Targetmaterial dieser Struktur hat eine niedrige Permeabilität und besitzt daher einen hohen Ausnutzungsfaktor, wenn es für die Bil­ dung dünner magnetooptischer Aufzeichnungsfilme durch ein Magnetron-Zerstäubungsverfahren eingesetzt wird.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 die Fotografie der Mikrostruktur der Probe 1 eines hochfesten Targetmaterials nach der Erfindung, aufgenommen mit einem metallur­ gischen Mikroskop,
Fig. 1-a und 1-b Fotografien der Mikrostruktur der Probe 1 des Beispiels 1 des hochfesten Tar­ getmaterials, aufgenommen mit einem metal­ lurgischen Mikroskop,
Fig. 2 die Fotografie der Mikrostruktur der Probe A eines hochfesten Targetmaterials nach der Erfindung, aufgenommen mit einem metallur­ gischen Mikroskop,
Fig. 2-a und 2-b Fotografien der Mikrostruktur der Probe A des Beispiels 2 des hochfesten Tar­ getmaterials, aufgenommen mit einem metal­ lurgischen Mikroskop, und
Fig. 3 die Fotografie der Mikrostruktur der Probe 1 eines hochfesten Targetmaterials nach dem Stand der Technik, aufgenommen mit einem metallurgischen Mikroskop.
Die Bedeutung des Verhältnisses der zusammengesetzten Phasen im hochfesten Targetmaterial nach der Erfin­ dung wird nachfolgend beschrieben.
a) Kristallisiertes Eisengruppe-Metall
Das kristallisierte Eisengruppe-Metall wird disper­ giert und verteilt in einer dendritischen oder in Nadelform (wenn ein zerstäubtes Pulver als Ausgangs­ pulver verwendet wird) oder in Blockform (wenn das Ausgangspulver durch Zerstäuben eines gegossenen Blockes hergestellt wird), so daß es die Permeabili­ tät des Targetmaterials verbessern kann, ohne seine Festigkeit herabzusetzen. Wenn das Verhältnis des kristallisierten Eisengruppe-Metalls weniger als 5% beträgt, ist es nicht in der Lage, die gewünschte hohe Festigkeit des Targetmaterials sicherzustellen. Wenn das Verhältnis des kristallisierten Eisengruppe-Metalls 40% übersteigt, hat die Permeabilität des Targetmaterials die Tendenz, eher anzusteigen als abzusinken. Das wird das Verhältnis des kristalli­ sierten Eisengruppe-Metalls so bestimmt, daß es im Bereich von 5-40% liegt.
b) Komplexe Phase
Wenn das Verhältnis der komplexen Phase weniger als 20% beträgt, wird das relative Verhältnis der inter­ metallischen Verbundphase zu hoch, so daß es schwie­ rig wird, die gewünschte hohe Festigkeit des Target­ materials sicherzustellen. Zusätzlich wird das Zusam­ mensetzungsprofil innerhalb der Ebene in der Masse des dünnen Filmes ungleichmäßig. Wenn das Verhältnis der komplexen Phase 75% übersteigt, wird das relati­ ve Verhältnis der intermetallischen Verbindung, die die komplexe Phase bildet, zu hoch und das Zusammen­ setzungsprofil innerhalb der Ebene in der Masse des dünnen Filmes wird ungleichmäßig. Daher wird das Ver­ hältnis der komplexen Phase so bestimmt, daß es im Bereich von 20 bis 75% liegt.
c) Seltene-Erde-Metallphase
Wenn das Verhältnis der Seltene-Erde-Metallphase nie­ driger als 15% oder höher als 40% ist, wird es schwierig, in einem dünnen Film die gewünschten ma­ gnetischen Eigenschaften mit einem gleichmäßigen Kon­ zentrationsprofil auszubilden. Daher wird das Ver­ hältnis der Seltene-Erde-Metallphase so bestimmt, daß es im Bereich von 15-40% liegt.
Die folgenden Beispiele dienen zur weiteren Illustra­ tion des hochfesten Targetmaterials nach der Erfin­ dung, ihnen soll jedoch in keinem Falle eine ein­ schränkende Wirkung zuerkannt werden.
Beispiel 1
Schmelzen mit den in den Tabellen 1 und 2 aufgeführ­ ten Zusammensetzungen wurden in einem gewöhnlichen Hochfrequenz-Schmelzofen hergestellt und mit einem hochreinen Ar-Gas mit einem Taupunkt von -25°C zer­ stäubt (die Abkühlgeschwindigkeit variierte von 10 bis 104°C/s), um die komplexe Phase bildende Pulver herzustellen. Diese Pulver wurden klassifiziert, um Teilchengrößen von im Durchschnitt 100 µm zu erhalten, und mit den ge­ trennt geschaffenen Pulvern verschiedenen Seltene- Erde-Metalle mit einer durchschnittlichen Teilchen­ größe von 100 µm gemischt. Die Mischverhältnisse der beiden Pulver sind auch in den Tabellen 1 und 2 auf­ geführt. Alle Durchläufe der Mischungen wurden in Stahldosen eingefüllt, deren Innenabmessun­ gen 125 mm⌀×5 mm Höhe bei einer Wandstärke von 1,2 mm betrugen und die auf einen Druck von 1 mPa evakuiert wurden. Danach wurden die Dosen durch drei Kaliber bei einer Temperatur von 600°C warmgewalzt mit einer Abnahme von 10% für jedes Kaliber. Nach dem Warmwalzen wurden die Dosen für 15 Stunden einer Wärmebehandlung bei einer vorgegebenen Temperatur im Bereich von 600 bis 800°C unterzogen, wodurch Proben 1 bis 12 des hochfesten Targetmaterials nach der Er­ findung hergestellt wurden; jede Probe hatte einen Durchmesser von 127 mm und eine Dicke von 3 mm. Die Verhältnisse der Phasen, die die Strukturen der Pro­ ben 1 bis 12 ergeben, sind in den Tabellen 1 und 2 aufgeführt. Fig. 1 stellt ein Paar von Fotografien dar, die die Mikrostruktur der Probe 1, aufgenommen mit einem metallurgischen Mikroskop, zeigen (X100 für Fig. 1-a und X600 für Fig. 1-b).
Beispiel 2
Schmelzen mit den in den Tabellen 3 und 4 aufgeführ­ ten Zusammensetzungen wurden in einem gewöhnlichen Hochfrequenz-Schmelzofen hergestellt und in Kupfer­ formen gegossen zur Bildung von Stäben mit den Abmes­ sungen 15 mm⌀×200 mm Länge (die Abkühlgeschwindigkeit variierte von 10 bis 103°C/s). Diese Stäbe wurden mit einer Pochmühle in einer AR-Atmosphäre pulverisiert und klassifiziert zur Herstellung von die komplexe Phase bildenden Pulvern mit Teilchengrößen im Bereich von -150 bis +325 mesh (im Durchschnitt 100 µm) sowie gemischt mit den getrennt geschaffenen Pulvern ver­ schiedener Seltene-Erde-Metalle mit einer durch­ schnittlichen Teilchengröße von 100 µm. Die Mischver­ hältnisse der beiden Pulver sind ebenfalls in den Tabellen 3 und 4 aufgeführt. Durch nachfolgende Be­ handlung unter den gleichen Bedingungen wie im Bei­ spiel 1 wurden Proben A bis L des hochfesten Target­ materials nach der Erfindung hergestellt. Die Ver­ hältnisse der Phasen, die die Strukturen dieser Pro­ ben ergeben, sind in den Tabellen 3 und 4 aufgeführt. Fig. 2 stellt ein Paar von Fotografien dar, die die Mikrostruktur der Probe A, aufgenommen mit einem me­ tallurgischen Mikroskop zeigen (X50 für Fig. 2-a und X400 für Fig. 2-b).
Vergleichsbeispiele
Verschiedene Eisengruppe-Metallpulver und Seltene- Erde-Metallpulver mit jeweils einer durchschnittli­ chen Teilchengröße von 100 µm werden als Ausgangspul­ ver verwendet und in den in den Tabellen 5 und 6 auf­ geführten Verhältnissen gemischt. Durch nachfolgende Behandlungen unter den gleichen Bedingungen wie im Beispiel 1 wurden hochfeste Targetmaterialien 1 bis 12 nach dem Stand der Technik hergestellt. Die Ver­ hältnisse der Phasen, die die Strukturen dieser Pro­ ben bilden, sind in den Tabellen 5 und 6 angegeben. Fig. 3 zeigt eine Fotografie der Mikrostruktur der Probe 1 nach dem Stand der Technik, die mit einem metallurgischen Mikroskop aufgenommen wurde (X100).
Als nächstes wurden alle Proben der hochfesten Tar­ getmaterialien hinsichtlich ihrer Permeabilität und Ablenkfestigkeit sowie ihres Ausnutzungsfaktors ge­ messen. Die Ergebnisse der Messungen sind in den Ta­ bellen 1 bis 6 wiedergegeben.
Der Ausnutzungsfaktor jedes Targetmaterials wurde bestimmt durch Bildung dünner magnetooptischer Auf­ zeichnungsfilme auf der Oberfläche eines Substrats mit einem gewöhnlichen Magnetron-Zerstäubungsapparat unter den folgenden Bedingungen:
Druck der Ar-Atmosphäre:
4 mbar
Hochfrequenz-Ausgang: 200 W
Abstand zwischen Target und Substrat: 70 mm
Substrat-Temperatur: Umgebungstemperatur
Filmdicke: 0,5 µm
Es wurde angenommen, daß die Nutzdauer des Targetma­ terials in dem Zeitpunkt beendet war, in dem die Tie­ fe der in der zerstäubten Oberfläche gebildeten Kra­ ter seine untere Oberfläche erreicht hat, und der Ausnutzungsfaktor wurde ausgedrückt als prozentuale Gewichtsabnahme des Targetmaterials zu diesem Zeit­ punkt.
In den Fig. 1 und 2, die die Mikrostrukturen der Proben 1 und A des hochfesten Targetmaterials nach der Erfindung zeigen, bedeuten die weißen Flächen die Seltene-Erde-Metallphase, die schwarzen Flächen die komplexe Phase und die grauen Flächen zwischen den weißen und schwarzen Flächen die intermetallische Verbindungsphase, die aus der Reaktionsphase zwischen der komplexen und der Seltene-Erde-Metallphase zusammen­ gesetzt ist. Die kristallisierte Eisengruppe-Metall­ phase wird dargestellt durch die sehr dunklen Flä­ chen, die entweder nadelförmig oder in dendritischer Form (Fig. 1) oder in einer unregelmäßigen Blockform (Fig. 2) in der durch die schwarzen Flächen wiederge­ gebenen komplexen Phase dispergiert und verteilt sind.
Somit unterscheidet sich das hochfeste Targetmaterial der Erfindung in der Mikrostruktur von dem nach dem Stand der Technik dadurch, daß in dem ersten die kri­ stallisierte Eisengruppe-Metallphase in der aus einer aus einem intermetallischen Verbindung eines Seltene- Erde-Metalls und eines Eisengruppe-Metalls zusammen­ gesetzten Matrix dispergiert und verteilt ist, wäh­ rend in dem zweiten keine derartige kristallisierte Eisengruppe-Metallphase vorhanden ist. Dieser Unter­ schied wird durch die Tatsache wiedergegeben, daß bei vergleichbaren hohen Festigkeitswerten das Targetma­ terial nach der Erfindung eine geringere Permeabili­ tät aufweist als das nach dem Stand der Technik, wo­ durch sich ein höherer Ausnutzungsfaktor bei der Bil­ dung von dünnen Filmen durch Magnetron-Zerstäubung ergibt.
Wie beschrieben wurde, behält das Targetmaterial nach der Erfindung eine hohe Festigkeit und zeigt doch eine niedrige Permeabilität; wenn daher dieses Mate­ rial verwendet wird zur Herstellung dünner magnetoop­ tischer Aufzeichnungsfilme durch ein Magnetron-Zer­ stäubungsverfahren, dann erstreckt sich die Bildung von Kratern in der zerstäubten Oberfläche breit in zweidimensionaler Richtung und in flacher Weise, was zu einer merklichen Verbesserung des Ausnutzungsfak­ tors des Targetmaterials führt. Demgemäß bietet die vorliegende Erfindung, wie erläutert, einen indu­ striellen Nutzen durch den potentiellen Beitrag zu der Bildung dünner magnetooptischer Aufzeichnungsfil­ me mit reduziertem Personalaufwand und Fabrikautoma­ tisierung.

Claims (4)

1. Hochfestes Targetmaterial mit niedriger Permeabilität zur Bildung von dünnen magnetooptischen Aufzeichnungsfilmen, gekennzeichnet durch die Struktur, bestehend aus:
20-75% einer komplexen Phase, in der ein kristallisiertes Eisengruppe-Metall fein und gleichmäßig in einer dendritischen, Nadel- oder Blockform in einem Verhältnis von 5 bis 40% (der Gesamtphase) in einer Matrix dispergiert ist, die aus einer intermetallischen Verbindung eines Seltene-Erde-Metalls und eines Eisengruppe-Metalls zusammengesetzt ist;
15-40% einer Seltene-Erde-Metallphase; und
als Rest einer intermetallischen Verbindungsphase, die zusammengesetzt ist aus der Reaktionsphase zwischen der komplexen Phase und der Seltene-Erde-Metallphase,
wobei alle Prozentangaben flächenbezogen sind.
2. Targetmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Seltene-Erde- Metall wenigstens eines aus der Gruppe Tb, Gd, Dy, Ho, Tm, und Er ist.
3. Targetmaterial nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Eisengruppe-Me­ tall wenigstens eines aus der Gruppe Fe, Ni und Co ist.
4. Targetmaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das kristallisierte Eisengruppe-Metall eine dendritische, Nadel- oder Blockform aufweist.
DE4219139A 1991-06-12 1992-06-11 Hochfestes Targetmaterial Expired - Fee Related DE4219139C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3167793A JP2988021B2 (ja) 1991-06-12 1991-06-12 透磁率の低い光磁気記録薄膜形成用高強度ターゲット材

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE4219139A1 DE4219139A1 (de) 1992-12-17
DE4219139C2 true DE4219139C2 (de) 1995-03-09

Family

ID=15856215

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4219139A Expired - Fee Related DE4219139C2 (de) 1991-06-12 1992-06-11 Hochfestes Targetmaterial

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5338331A (de)
JP (1) JP2988021B2 (de)
KR (1) KR100259319B1 (de)
DE (1) DE4219139C2 (de)
GB (1) GB2257159B (de)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4321851A1 (de) * 1993-07-01 1995-01-12 Philips Patentverwaltung Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium
JPH0790567A (ja) * 1993-07-30 1995-04-04 Hitachi Metals Ltd 光磁気記録媒体用ターゲット材およびその製造方法
JP3751084B2 (ja) * 1996-08-30 2006-03-01 本田技研工業株式会社 複合磁歪材料およびその製造方法
JP3098204B2 (ja) * 1997-03-07 2000-10-16 ティーディーケイ株式会社 光磁気記録用合金ターゲット、その製造方法およびその再生方法
US20040072937A1 (en) * 2001-02-10 2004-04-15 Tomalia Donald A. Nanocomposites of dendritic polymers
KR100461471B1 (ko) * 2002-02-26 2004-12-10 형제전기주식회사 개별차단식 배선용 배전장치
CA2550114C (en) 2005-06-20 2013-11-19 Sherwood Services, Ag Safety shield for medical needles
US9358348B2 (en) * 2006-06-14 2016-06-07 Covidien Lp Safety shield for medical needles

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3652343A (en) * 1970-09-14 1972-03-28 Gen Electric Permanent magnet material powders having superior magnetic characteristics
US3853640A (en) * 1973-06-22 1974-12-10 Gen Electric Lubricants for pressing transition metal-rare earth powder to be sintered
US4620872A (en) * 1984-10-18 1986-11-04 Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha Composite target material and process for producing the same
JPS61119648A (ja) * 1984-11-16 1986-06-06 Mitsubishi Metal Corp 焼結複合タ−ゲツト材
US4849017A (en) * 1985-02-06 1989-07-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetic refrigerant for magnetic refrigeration
JPH0768612B2 (ja) * 1987-04-20 1995-07-26 日立金属株式会社 希土類金属―鉄族金属ターゲット用合金粉末、希土類金属―鉄族金属ターゲット、およびそれらの製造方法
JPS63274763A (ja) * 1987-04-30 1988-11-11 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 光磁気記録用合金タ−ゲツト
JPS63274764A (ja) * 1987-04-30 1988-11-11 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 光磁気記録用合金タ−ゲツト
EP0308201B1 (de) * 1987-09-17 1993-11-18 Seiko Epson Corporation Verfahren zum Herstellen eines Zerstäubungstargets zur Verwendung bei der Herstellung eines magnetooptischen Aufzeichnungsmediums
US4824481A (en) * 1988-01-11 1989-04-25 Eaastman Kodak Company Sputtering targets for magneto-optic films and a method for making
JPH01198470A (ja) * 1988-02-03 1989-08-10 Seiko Epson Corp スパッタリング用ターゲットの製造方法
US4915758A (en) * 1988-07-01 1990-04-10 Molex Incorporated Raceway frame and method for curved modular wall panel
JPH0784656B2 (ja) * 1988-10-15 1995-09-13 住友金属鉱山株式会社 光磁気記録用合金ターゲット
DE3935698C2 (de) * 1988-10-26 1995-06-22 Sumitomo Metal Mining Co Legierungstarget für die Herstellung eines magneto-optischen Aufzeichnungsmediums

Also Published As

Publication number Publication date
GB2257159B (en) 1994-10-05
KR100259319B1 (ko) 2000-06-15
JPH04365860A (ja) 1992-12-17
GB9212136D0 (en) 1992-07-22
DE4219139A1 (de) 1992-12-17
GB2257159A (en) 1993-01-06
US5338331A (en) 1994-08-16
KR930000701A (ko) 1993-01-15
JP2988021B2 (ja) 1999-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE68907837T2 (de) Hochfeste Legierungen auf Magnesiumbasis.
DE68916687T2 (de) Hochfeste, hitzebeständige Aluminiumlegierungen.
DE69014442T2 (de) Amorphe Legierungen mit hoher mechanischer Festigkeit, guter Korrosionsbeständigkeit und hohem Formänderungsvermögen.
DE3442009C2 (de)
DE69304231T2 (de) Hochfeste Aluminiumlegierung
DE3537191C2 (de)
DE3935698C2 (de) Legierungstarget für die Herstellung eines magneto-optischen Aufzeichnungsmediums
DE3531769C2 (de)
DE69823112T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Blech aus einer Titanlegierung
DE2706214C2 (de) Magnetlegierung auf Eisen-Chrom- Kobalt-Basis mit spinodaler Entmischung
DE69021848T2 (de) Prozess zur Herstellung von Supraleiterausgangsstoffen.
DE60009772T2 (de) Abgeschrecktes, dünnes Band aus einer Magnetlegierung auf Basis Seltene Erde/Eisen/Bor
DE2508838A1 (de) Spinodalzersetzungs-magnetlegierung
DE10236440A1 (de) Magnesiumlegierung und Magnesiumlegierungs-Formkörper mit verbesserter Korrosionsbeständigkeit
DE2631781A1 (de) Permanentmagnet und verfahren zur herstellung desselben
DE4219139C2 (de) Hochfestes Targetmaterial
DE69105363T2 (de) Hochfeste Legierungen auf Magnesiumbasis.
DE69301365T2 (de) Verdichteter und verfestigter Werkstoff aus einer hochfesten, hitzebeständigen Legierung auf Aluminiumbasis und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1458349B2 (de) Sinterwerkstoff aus aluminium oder einem aluminium legie rungspulver und glaspulver
DE2121514B2 (de) Verfahren zur Herstellung eines intermetallischen Sinterwerkstoffes, insbesondere für Dauermagnete
CH638566A5 (de) Material fuer permanente magneten und verfahren zu dessen herstellung.
EP0232772A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines pulverförmigen amorphen Materials unter Vornahme eines Mahlprozesses
DE4036276A1 (de) Magnetisch anisotroper r-t-b-magnet
DE3934317C2 (de) Legierungstarget zur Herstellung eines magneto-optischen Aufzeichnungsmediums
EP0988124B1 (de) Verfahren und pulver zur herstellung metallischer funktionsmuster mittels lasersintern

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8125 Change of the main classification

Ipc: C23C 14/34

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee