DE4219139C2 - Hochfestes Targetmaterial - Google Patents
Hochfestes TargetmaterialInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein hochfestes Targetmaterial,
nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Eine Anzahl von Targetmaterialien werden herkömmlich
verwendet bei der Bildung dünner magnetooptischer
Aufzeichnungsfilme durch ein Magnetron-Zerstäubungs
verfahren. Aus diesen vielen Targetmaterialien ist
bei dem einem, das in der japanischen Patentveröf
fentlichung Nr. 1 19 648/1986 beschrieben ist, bekannt,
daß es eine hohe Festigkeit besitzt, und dieses hat
die folgende Struktur:
25-60% (alle hier aufgeführten Prozentangaben sind flächenbezogen) einer Eisengruppe-Metallphase, die zusammengesetzt ist aus wenigstens einem aus Fe, Ni und Co ausgewählten Metall,
10-45% einer Seltene-Erde-Metallphase, die zusam mengesetzt ist aus wenigstens einem aus Tb, Gd, Dy, Ho und Er ausgewählten Metall,
und der Rest ist eine intermetallische Verbundphase, die zusammengesetzt ist aus der Reaktionsphase zwi schen der Eisengruppe-Metallphase und der Seltene- Erde-Metallphase.
25-60% (alle hier aufgeführten Prozentangaben sind flächenbezogen) einer Eisengruppe-Metallphase, die zusammengesetzt ist aus wenigstens einem aus Fe, Ni und Co ausgewählten Metall,
10-45% einer Seltene-Erde-Metallphase, die zusam mengesetzt ist aus wenigstens einem aus Tb, Gd, Dy, Ho und Er ausgewählten Metall,
und der Rest ist eine intermetallische Verbundphase, die zusammengesetzt ist aus der Reaktionsphase zwi schen der Eisengruppe-Metallphase und der Seltene- Erde-Metallphase.
Dieses bekannte Targetmaterial hat jedoch eine relativ
hohe Permeabilität.
Die DE 35 37 191 C2 offenbart ein Targetmaterial, das
aus 30 bis 50 Gew.-% Seltene-Erde-Metallen und zum
restlichen Anteil aus Übergangsmetallen der Gruppe
Fe, Co, Ni besteht. Die Struktur dieses Materials ist
derart, daß eine Seltene-Erde-Metall-Phase, eine
Übergangsmetallphase und im Grenzbereich zwischen
diesen eine intermetallische Verbindungsphase aus den
Seltenen-Erde-Metallen und den Übergangsmetallen vorliegen.
In der EP 03 08 201 A1 wird ein Targetmaterial zum
Aufstäuben magnetisch-optischer Schichten beschrieben,
das eine Phase aus Übergangsmetall(en), eine
Phase aus Seltene-Erde-Metall(en) und eine Legierungsphase
aus Seltene-Erde- und Übergangsmetall(en)
enthält.
Aus der JP-A 63-274 763 ist ein Targetmaterial aus
wenigstens einem Seltene-Erde-Metall und wenigstens
einem Übergangsmetall, die zumindest drei Arten von
intermetallischen Verbindungen bilden, bekannt.
Weiterhin beschreibt die JP-A 01-198 870 ein Targetmaterial
aus einer Legierungsphase aus einem Seltene-
Erde-Metall und einem Übergangsmetall und einer Übergangsmetallphase.
Ausgehend von dem Stand der Technik nach der japanischen
Patentveröffentlichung Nr. 1 19 648/1986 ist es
daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein
hochfestes Targetmaterial zu schaffen, das auch eine
relativ geringe Permeabilität aufweist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch die
in kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebenen
Merkmale. Vorteilhafte Weiterbildungen des erfindungsgemäßen
Targetmaterials ergeben sich aus den
Unteransprüchen.
Das in der genannten japanischen Patentveröffentlichung
Nr. 1 19 648/1986 beschriebene hochfeste Targetmaterial
intensiven Untersuchungen unterzogen mit dem
Ziel, seine Permeabilität weiter zu verringern. Im
Ergebnis wurde gefunden, daß, wenn die Eisengruppe-
Metallphase dieses bekannten hochfesten Targetmaterials
durch eine komplexe Phase ersetzt wurde, in der
ein kristallisiertes Eisengruppe-Metall fein und
gleichförmig in einer dendritischen, Nadel- oder
Blockform in einem Ver
hältnis von 5-40% (der Gesamtphase) in einer Ma
trix dispergiert wurde, die aus einem intermetalli
schen Verbund eines Seltene-Erde-Metalls und eines
Eisengruppe-Metalls zusammengesetzt war, die Permea
bilität des Targetmaterials weiter gesenkt wurde,
ohne daß dessen Festigkeit beeinträchtigt wurde, wo
durch erfolgreich eine deutliche Verbesserung des
Ausnutzungsfaktors erzielt wurde.
Die vorliegende Erfindung wurde auf der Grundlage
dieser Erkenntnis realisiert, und sie stellt ein
hochfestes Targetmaterial zur Verfügung, das eine
Struktur aufweist, bestehend aus:
20-75% einer komplexen Phase, in der ein kristal lisiertes Eisengruppe-Metall fein und gleichförmig in einer dendritischen, Nadel- oder Blockform in einem Verhältnis von 5-40% (der Gesamtphase) in einer Matrix dispergiert ist, die aus einem intermetalli schen Verbindung von wenigstens einem vorzugsweise aus Tb, Gd, Dy, No, Tm und Er ausgewählten Seltene- Erde-Metall und wenigstens einem aus Fe, Ni und Co ausgewählten Eisengruppe-Metall zusammengesetzt ist,
15-40% einer Seltene-Erde-Metallphase, die vorzugsweise zusammengesetzt ist aus wenigstens einem aus Tb, Gd, Dy, No, Tm und Er ausgewählten Metall, und
der Rest einer intermetallischen Verbindungsphase, die zusammengesetzt ist aus der Reaktionsphase zwischen der komplexen Phase und der Seltene-Erde-Metallphase.
20-75% einer komplexen Phase, in der ein kristal lisiertes Eisengruppe-Metall fein und gleichförmig in einer dendritischen, Nadel- oder Blockform in einem Verhältnis von 5-40% (der Gesamtphase) in einer Matrix dispergiert ist, die aus einem intermetalli schen Verbindung von wenigstens einem vorzugsweise aus Tb, Gd, Dy, No, Tm und Er ausgewählten Seltene- Erde-Metall und wenigstens einem aus Fe, Ni und Co ausgewählten Eisengruppe-Metall zusammengesetzt ist,
15-40% einer Seltene-Erde-Metallphase, die vorzugsweise zusammengesetzt ist aus wenigstens einem aus Tb, Gd, Dy, No, Tm und Er ausgewählten Metall, und
der Rest einer intermetallischen Verbindungsphase, die zusammengesetzt ist aus der Reaktionsphase zwischen der komplexen Phase und der Seltene-Erde-Metallphase.
Ein erfindungsgemäßes Targetmaterial dieser Struktur
hat eine niedrige Permeabilität und besitzt daher
einen hohen Ausnutzungsfaktor, wenn es für die Bil
dung dünner magnetooptischer Aufzeichnungsfilme durch
ein Magnetron-Zerstäubungsverfahren eingesetzt wird.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von in den
Figuren dargestellten Ausführungsbeispielen näher
erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 die Fotografie der Mikrostruktur der Probe
1 eines hochfesten Targetmaterials nach der
Erfindung, aufgenommen mit einem metallur
gischen Mikroskop,
Fig. 1-a und 1-b Fotografien der Mikrostruktur der
Probe 1 des Beispiels 1 des hochfesten Tar
getmaterials, aufgenommen mit einem metal
lurgischen Mikroskop,
Fig. 2 die Fotografie der Mikrostruktur der Probe
A eines hochfesten Targetmaterials nach der
Erfindung, aufgenommen mit einem metallur
gischen Mikroskop,
Fig. 2-a und 2-b Fotografien der Mikrostruktur der
Probe A des Beispiels 2 des hochfesten Tar
getmaterials, aufgenommen mit einem metal
lurgischen Mikroskop, und
Fig. 3 die Fotografie der Mikrostruktur der Probe
1 eines hochfesten Targetmaterials nach dem
Stand der Technik, aufgenommen mit einem
metallurgischen Mikroskop.
Die Bedeutung des Verhältnisses der zusammengesetzten
Phasen im hochfesten Targetmaterial nach der Erfin
dung wird nachfolgend beschrieben.
Das kristallisierte Eisengruppe-Metall wird disper
giert und verteilt in einer dendritischen oder in
Nadelform (wenn ein zerstäubtes Pulver als Ausgangs
pulver verwendet wird) oder in Blockform (wenn das
Ausgangspulver durch Zerstäuben eines gegossenen
Blockes hergestellt wird), so daß es die Permeabili
tät des Targetmaterials verbessern kann, ohne seine
Festigkeit herabzusetzen. Wenn das Verhältnis des
kristallisierten Eisengruppe-Metalls weniger als 5%
beträgt, ist es nicht in der Lage, die gewünschte
hohe Festigkeit des Targetmaterials sicherzustellen.
Wenn das Verhältnis des kristallisierten Eisengruppe-Metalls
40% übersteigt, hat die Permeabilität des
Targetmaterials die Tendenz, eher anzusteigen als
abzusinken. Das wird das Verhältnis des kristalli
sierten Eisengruppe-Metalls so bestimmt, daß es im
Bereich von 5-40% liegt.
Wenn das Verhältnis der komplexen Phase weniger als
20% beträgt, wird das relative Verhältnis der inter
metallischen Verbundphase zu hoch, so daß es schwie
rig wird, die gewünschte hohe Festigkeit des Target
materials sicherzustellen. Zusätzlich wird das Zusam
mensetzungsprofil innerhalb der Ebene in der Masse
des dünnen Filmes ungleichmäßig. Wenn das Verhältnis
der komplexen Phase 75% übersteigt, wird das relati
ve Verhältnis der intermetallischen Verbindung, die
die komplexe Phase bildet, zu hoch und das Zusammen
setzungsprofil innerhalb der Ebene in der Masse des
dünnen Filmes wird ungleichmäßig. Daher wird das Ver
hältnis der komplexen Phase so bestimmt, daß es im
Bereich von 20 bis 75% liegt.
Wenn das Verhältnis der Seltene-Erde-Metallphase nie
driger als 15% oder höher als 40% ist, wird es
schwierig, in einem dünnen Film die gewünschten ma
gnetischen Eigenschaften mit einem gleichmäßigen Kon
zentrationsprofil auszubilden. Daher wird das Ver
hältnis der Seltene-Erde-Metallphase so bestimmt, daß
es im Bereich von 15-40% liegt.
Die folgenden Beispiele dienen zur weiteren Illustra
tion des hochfesten Targetmaterials nach der Erfin
dung, ihnen soll jedoch in keinem Falle eine ein
schränkende Wirkung zuerkannt werden.
Schmelzen mit den in den Tabellen 1 und 2 aufgeführ
ten Zusammensetzungen wurden in einem gewöhnlichen
Hochfrequenz-Schmelzofen hergestellt und mit einem
hochreinen Ar-Gas mit einem Taupunkt von -25°C zer
stäubt (die Abkühlgeschwindigkeit variierte von 10
bis 104°C/s), um die komplexe Phase bildende Pulver
herzustellen. Diese Pulver wurden klassifiziert, um
Teilchengrößen von im
Durchschnitt 100 µm zu erhalten, und mit den ge
trennt geschaffenen Pulvern verschiedenen Seltene-
Erde-Metalle mit einer durchschnittlichen Teilchen
größe von 100 µm gemischt. Die Mischverhältnisse der
beiden Pulver sind auch in den Tabellen 1 und 2 auf
geführt. Alle Durchläufe der Mischungen wurden in
Stahldosen eingefüllt, deren Innenabmessun
gen 125 mm⌀×5 mm Höhe bei einer Wandstärke von 1,2 mm
betrugen und die auf einen Druck von 1 mPa
evakuiert wurden. Danach wurden die Dosen durch drei
Kaliber bei einer Temperatur von 600°C warmgewalzt
mit einer Abnahme von 10% für jedes Kaliber. Nach
dem Warmwalzen wurden die Dosen für 15 Stunden einer
Wärmebehandlung bei einer vorgegebenen Temperatur im
Bereich von 600 bis 800°C unterzogen, wodurch Proben
1 bis 12 des hochfesten Targetmaterials nach der Er
findung hergestellt wurden; jede Probe hatte einen
Durchmesser von 127 mm und eine Dicke von 3 mm. Die
Verhältnisse der Phasen, die die Strukturen der Pro
ben 1 bis 12 ergeben, sind in den Tabellen 1 und 2
aufgeführt. Fig. 1 stellt ein Paar von Fotografien
dar, die die Mikrostruktur der Probe 1, aufgenommen
mit einem metallurgischen Mikroskop, zeigen (X100 für
Fig. 1-a und X600 für Fig. 1-b).
Schmelzen mit den in den Tabellen 3 und 4 aufgeführ
ten Zusammensetzungen wurden in einem gewöhnlichen
Hochfrequenz-Schmelzofen hergestellt und in Kupfer
formen gegossen zur Bildung von Stäben mit den Abmes
sungen 15 mm⌀×200 mm Länge (die Abkühlgeschwindigkeit
variierte von 10 bis 103°C/s). Diese Stäbe wurden mit
einer Pochmühle in einer AR-Atmosphäre pulverisiert
und klassifiziert zur Herstellung von die komplexe
Phase bildenden Pulvern mit Teilchengrößen im Bereich
von -150 bis +325 mesh (im Durchschnitt 100 µm) sowie
gemischt mit den getrennt geschaffenen Pulvern ver
schiedener Seltene-Erde-Metalle mit einer durch
schnittlichen Teilchengröße von 100 µm. Die Mischver
hältnisse der beiden Pulver sind ebenfalls in den
Tabellen 3 und 4 aufgeführt. Durch nachfolgende Be
handlung unter den gleichen Bedingungen wie im Bei
spiel 1 wurden Proben A bis L des hochfesten Target
materials nach der Erfindung hergestellt. Die Ver
hältnisse der Phasen, die die Strukturen dieser Pro
ben ergeben, sind in den Tabellen 3 und 4 aufgeführt.
Fig. 2 stellt ein Paar von Fotografien dar, die die
Mikrostruktur der Probe A, aufgenommen mit einem me
tallurgischen Mikroskop zeigen (X50 für Fig. 2-a und
X400 für Fig. 2-b).
Verschiedene Eisengruppe-Metallpulver und Seltene-
Erde-Metallpulver mit jeweils einer durchschnittli
chen Teilchengröße von 100 µm werden als Ausgangspul
ver verwendet und in den in den Tabellen 5 und 6 auf
geführten Verhältnissen gemischt. Durch nachfolgende
Behandlungen unter den gleichen Bedingungen wie im
Beispiel 1 wurden hochfeste Targetmaterialien 1 bis
12 nach dem Stand der Technik hergestellt. Die Ver
hältnisse der Phasen, die die Strukturen dieser Pro
ben bilden, sind in den Tabellen 5 und 6 angegeben.
Fig. 3 zeigt eine Fotografie der Mikrostruktur der
Probe 1 nach dem Stand der Technik, die mit einem
metallurgischen Mikroskop aufgenommen wurde (X100).
Als nächstes wurden alle Proben der hochfesten Tar
getmaterialien hinsichtlich ihrer Permeabilität und
Ablenkfestigkeit sowie ihres Ausnutzungsfaktors ge
messen. Die Ergebnisse der Messungen sind in den Ta
bellen 1 bis 6 wiedergegeben.
Der Ausnutzungsfaktor jedes Targetmaterials wurde
bestimmt durch Bildung dünner magnetooptischer Auf
zeichnungsfilme auf der Oberfläche eines Substrats
mit einem gewöhnlichen Magnetron-Zerstäubungsapparat
unter den folgenden Bedingungen:
Druck der Ar-Atmosphäre: | |
4 mbar | |
Hochfrequenz-Ausgang: | 200 W |
Abstand zwischen Target und Substrat: | 70 mm |
Substrat-Temperatur: | Umgebungstemperatur |
Filmdicke: | 0,5 µm |
Es wurde angenommen, daß die Nutzdauer des Targetma
terials in dem Zeitpunkt beendet war, in dem die Tie
fe der in der zerstäubten Oberfläche gebildeten Kra
ter seine untere Oberfläche erreicht hat, und der
Ausnutzungsfaktor wurde ausgedrückt als prozentuale
Gewichtsabnahme des Targetmaterials zu diesem Zeit
punkt.
In den Fig. 1 und 2, die die Mikrostrukturen der
Proben 1 und A des hochfesten Targetmaterials nach
der Erfindung zeigen, bedeuten die weißen Flächen die
Seltene-Erde-Metallphase, die schwarzen Flächen die
komplexe Phase und die grauen Flächen zwischen den
weißen und schwarzen Flächen die intermetallische
Verbindungsphase, die aus der Reaktionsphase zwischen der
komplexen und der Seltene-Erde-Metallphase zusammen
gesetzt ist. Die kristallisierte Eisengruppe-Metall
phase wird dargestellt durch die sehr dunklen Flä
chen, die entweder nadelförmig oder in dendritischer
Form (Fig. 1) oder in einer unregelmäßigen Blockform
(Fig. 2) in der durch die schwarzen Flächen wiederge
gebenen komplexen Phase dispergiert und verteilt
sind.
Somit unterscheidet sich das hochfeste Targetmaterial
der Erfindung in der Mikrostruktur von dem nach dem
Stand der Technik dadurch, daß in dem ersten die kri
stallisierte Eisengruppe-Metallphase in der aus einer
aus einem intermetallischen Verbindung eines Seltene-
Erde-Metalls und eines Eisengruppe-Metalls zusammen
gesetzten Matrix dispergiert und verteilt ist, wäh
rend in dem zweiten keine derartige kristallisierte
Eisengruppe-Metallphase vorhanden ist. Dieser Unter
schied wird durch die Tatsache wiedergegeben, daß bei
vergleichbaren hohen Festigkeitswerten das Targetma
terial nach der Erfindung eine geringere Permeabili
tät aufweist als das nach dem Stand der Technik, wo
durch sich ein höherer Ausnutzungsfaktor bei der Bil
dung von dünnen Filmen durch Magnetron-Zerstäubung
ergibt.
Wie beschrieben wurde, behält das Targetmaterial nach
der Erfindung eine hohe Festigkeit und zeigt doch
eine niedrige Permeabilität; wenn daher dieses Mate
rial verwendet wird zur Herstellung dünner magnetoop
tischer Aufzeichnungsfilme durch ein Magnetron-Zer
stäubungsverfahren, dann erstreckt sich die Bildung
von Kratern in der zerstäubten Oberfläche breit in
zweidimensionaler Richtung und in flacher Weise, was
zu einer merklichen Verbesserung des Ausnutzungsfak
tors des Targetmaterials führt. Demgemäß bietet die
vorliegende Erfindung, wie erläutert, einen indu
striellen Nutzen durch den potentiellen Beitrag zu
der Bildung dünner magnetooptischer Aufzeichnungsfil
me mit reduziertem Personalaufwand und Fabrikautoma
tisierung.
Claims (4)
1. Hochfestes Targetmaterial mit niedriger Permeabilität
zur Bildung von dünnen magnetooptischen Aufzeichnungsfilmen,
gekennzeichnet durch die Struktur, bestehend
aus:
20-75% einer komplexen Phase, in der ein kristallisiertes Eisengruppe-Metall fein und gleichmäßig in einer dendritischen, Nadel- oder Blockform in einem Verhältnis von 5 bis 40% (der Gesamtphase) in einer Matrix dispergiert ist, die aus einer intermetallischen Verbindung eines Seltene-Erde-Metalls und eines Eisengruppe-Metalls zusammengesetzt ist;
15-40% einer Seltene-Erde-Metallphase; und
als Rest einer intermetallischen Verbindungsphase, die zusammengesetzt ist aus der Reaktionsphase zwischen der komplexen Phase und der Seltene-Erde-Metallphase,
wobei alle Prozentangaben flächenbezogen sind.
20-75% einer komplexen Phase, in der ein kristallisiertes Eisengruppe-Metall fein und gleichmäßig in einer dendritischen, Nadel- oder Blockform in einem Verhältnis von 5 bis 40% (der Gesamtphase) in einer Matrix dispergiert ist, die aus einer intermetallischen Verbindung eines Seltene-Erde-Metalls und eines Eisengruppe-Metalls zusammengesetzt ist;
15-40% einer Seltene-Erde-Metallphase; und
als Rest einer intermetallischen Verbindungsphase, die zusammengesetzt ist aus der Reaktionsphase zwischen der komplexen Phase und der Seltene-Erde-Metallphase,
wobei alle Prozentangaben flächenbezogen sind.
2. Targetmaterial nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß das Seltene-Erde-
Metall wenigstens eines aus der Gruppe Tb, Gd,
Dy, Ho, Tm, und Er ist.
3. Targetmaterial nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß das Eisengruppe-Me
tall wenigstens eines aus der Gruppe Fe, Ni und
Co ist.
4. Targetmaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß das kristallisierte
Eisengruppe-Metall eine dendritische, Nadel-
oder Blockform aufweist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4219139A1 DE4219139A1 (de) | 1992-12-17 |
DE4219139C2 true DE4219139C2 (de) | 1995-03-09 |
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ID=15856215
Family Applications (1)
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Country Status (5)
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DE (1) | DE4219139C2 (de) |
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Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4321851A1 (de) * | 1993-07-01 | 1995-01-12 | Philips Patentverwaltung | Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium |
JPH0790567A (ja) * | 1993-07-30 | 1995-04-04 | Hitachi Metals Ltd | 光磁気記録媒体用ターゲット材およびその製造方法 |
JP3751084B2 (ja) * | 1996-08-30 | 2006-03-01 | 本田技研工業株式会社 | 複合磁歪材料およびその製造方法 |
JP3098204B2 (ja) * | 1997-03-07 | 2000-10-16 | ティーディーケイ株式会社 | 光磁気記録用合金ターゲット、その製造方法およびその再生方法 |
US20040072937A1 (en) * | 2001-02-10 | 2004-04-15 | Tomalia Donald A. | Nanocomposites of dendritic polymers |
KR100461471B1 (ko) * | 2002-02-26 | 2004-12-10 | 형제전기주식회사 | 개별차단식 배선용 배전장치 |
CA2550114C (en) | 2005-06-20 | 2013-11-19 | Sherwood Services, Ag | Safety shield for medical needles |
US9358348B2 (en) * | 2006-06-14 | 2016-06-07 | Covidien Lp | Safety shield for medical needles |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3652343A (en) * | 1970-09-14 | 1972-03-28 | Gen Electric | Permanent magnet material powders having superior magnetic characteristics |
US3853640A (en) * | 1973-06-22 | 1974-12-10 | Gen Electric | Lubricants for pressing transition metal-rare earth powder to be sintered |
US4620872A (en) * | 1984-10-18 | 1986-11-04 | Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha | Composite target material and process for producing the same |
JPS61119648A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-06 | Mitsubishi Metal Corp | 焼結複合タ−ゲツト材 |
US4849017A (en) * | 1985-02-06 | 1989-07-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic refrigerant for magnetic refrigeration |
JPH0768612B2 (ja) * | 1987-04-20 | 1995-07-26 | 日立金属株式会社 | 希土類金属―鉄族金属ターゲット用合金粉末、希土類金属―鉄族金属ターゲット、およびそれらの製造方法 |
JPS63274763A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-11 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 光磁気記録用合金タ−ゲツト |
JPS63274764A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-11 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 光磁気記録用合金タ−ゲツト |
EP0308201B1 (de) * | 1987-09-17 | 1993-11-18 | Seiko Epson Corporation | Verfahren zum Herstellen eines Zerstäubungstargets zur Verwendung bei der Herstellung eines magnetooptischen Aufzeichnungsmediums |
US4824481A (en) * | 1988-01-11 | 1989-04-25 | Eaastman Kodak Company | Sputtering targets for magneto-optic films and a method for making |
JPH01198470A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-10 | Seiko Epson Corp | スパッタリング用ターゲットの製造方法 |
US4915758A (en) * | 1988-07-01 | 1990-04-10 | Molex Incorporated | Raceway frame and method for curved modular wall panel |
JPH0784656B2 (ja) * | 1988-10-15 | 1995-09-13 | 住友金属鉱山株式会社 | 光磁気記録用合金ターゲット |
DE3935698C2 (de) * | 1988-10-26 | 1995-06-22 | Sumitomo Metal Mining Co | Legierungstarget für die Herstellung eines magneto-optischen Aufzeichnungsmediums |
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