CN101913776B - 氮化硅涂层石英坩埚的制备方法 - Google Patents
氮化硅涂层石英坩埚的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101913776B CN101913776B CN2010102710312A CN201010271031A CN101913776B CN 101913776 B CN101913776 B CN 101913776B CN 2010102710312 A CN2010102710312 A CN 2010102710312A CN 201010271031 A CN201010271031 A CN 201010271031A CN 101913776 B CN101913776 B CN 101913776B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon nitride
- quartz crucible
- preparation
- silicon
- nitride coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Abstract
本发明提供一种氮化硅涂层石英坩埚的制备方法,其特征在于:包括陶瓷浆料制备、涂覆涂层、于燥和烧成,将粒度为0.01-3μm的单晶硅硅粉体和粒度为0.01-3μm二氧化硅粉体混合形成陶瓷结合剂,再将陶瓷结合剂与粒度为1-5μm氮化硅粉体和乙醇在球磨机中制成氮化硅陶瓷浆料,经真空处理后喷涂到未经烧制的石英坩埚表面形成厚度为10-100μm的氮化硅涂层,在80~100℃的温度下干燥,然后在1140℃-1300℃的温度氮气气氛烧制6-8小时制得氮化硅涂层石英坩埚。本发明制备的氮化硅涂层石英坩埚用于熔炼单晶硅和多晶硅,由于该方法为氮化硅涂层和石英坩埚同时烧成,具有涂层结合强度高,成本低的特点。
Description
技术领域
本发明涉及一种氮化硅涂层石英坩埚的制备方法,属于陶瓷制备技术领域。
背景技术
氮化硅涂层石英坩埚一般在烧制后的石英坩埚内表面采用直接氮化法、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和低压化学气相沉积(LPCVD)法制备氮化硅涂层,制备工艺复杂,生产成本高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种氮化硅涂层石英坩埚的制备方法,降低生产成本,提高涂层结合强度,拓宽工作温度范围。
本发明所述的氮化硅涂层石英坩埚的制备方法,包括陶瓷浆料制备、涂覆涂层、干燥和烧成,将粒度为0.01-3μm的单晶硅硅粉体和粒度为0.01-3μm二氧化硅粉体混合形成陶瓷结合剂,再将陶瓷结合剂与粒度为1-5μm氮化硅粉体和乙醇在球磨机中制成氮化硅陶瓷浆料,经真空处理后喷涂到未经烧制的石英坩埚表面形成厚度为10-100μm的氮化硅涂层,在80~100℃的温度下干燥,然后在1140℃-1300℃的温度、氮气气氛烧制6-8小时一次烧制制得氮化硅涂层石英坩埚。
其中:
氮化硅粉体、陶瓷结合剂、乙醇的重量比为30~48∶3~12∶40~67。
单晶硅硅粉体与二氧化硅粉体的摩尔比为2-5∶1。
所用原料均为工业纯。
本发明与现有技术相比,具有以下有益效果:
本发明氮化硅涂层石英坩埚氮化硅涂层和石英坩埚同时烧成,一次烧成,工艺简单,生产成本低,而且涂层结合强度高,适应工作温度范围宽,应用性能好。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步说明。
实施例1
1、将粒度为0.01μm的单晶硅硅粉体与粒度为0.01μm二氧化硅粉体按2∶1摩尔比混合物混合形成陶瓷结合剂。
2、将粒度为1μm氮化硅粉体、陶瓷结合剂、乙醇的重量比为30∶3∶67在球磨机中制成氮化硅陶瓷浆料,经常规真空处理后喷涂到未经烧制的石英坩埚表面形成厚度为10μm的氮化硅涂层。
3、涂层在80℃的温度下干燥。
4、在1140℃的温度氮气气氛烧制6小时制得氮化硅涂层石英坩埚。
实施例2
1、将粒度为1μm的单晶硅硅粉体与粒度为1μm二氧化硅粉体按3∶1摩尔比混合物混合形成陶瓷结合剂。
2、将粒度为3μm氮化硅粉体、陶瓷结合剂、乙醇的重量比为39∶8∶53在球磨机中制成氮化硅陶瓷浆料,经真空处理后喷涂到未经烧制的石英坩埚表面形成厚度为50μm的氮化硅涂层。
3、涂层在90℃的温度下干燥。
4、在1180℃的温度氮气气氛烧制7小时制得氮化硅涂层石英坩埚。
实施例3
1、将粒度为2μm的单晶硅硅粉体与粒度为2μm二氧化硅粉体按5∶1摩尔比混合物混合形成陶瓷结合剂。
2、将粒度为5μm氮化硅粉体、陶瓷结合剂、乙醇的重量比为48∶12∶40在球磨机中制成氮化硅陶瓷浆料,经真空处理后喷涂到未经烧制的石英坩埚表面形成厚度为100μm的氮化硅涂层。
3、涂层在100℃的温度下干燥。
4、在1300℃的温度氮气气氛烧制8小时制得氮化硅涂层石英坩埚。
Claims (3)
1.一种氮化硅涂层石英坩埚的制备方法,其特征在于:包括陶瓷浆料制备、涂覆涂层、干燥和烧成,将粒度为0.01-3μm的单晶硅硅粉体和粒度为0.01-3μm二氧化硅粉体混合形成陶瓷结合剂,再将陶瓷结合剂与粒度为1-5μm氮化硅粉体和乙醇在球磨机中制成氮化硅陶瓷浆料,经真空处理后喷涂到未经烧制的石英坩埚表面形成厚度为10-100μm的氮化硅涂层,在80~100℃的温度下干燥,然后在1140℃-1300℃的温度、氮气气氛烧制6-8小时一次烧制制得氮化硅涂层石英坩埚。
2.根据权利要求1所述的氮化硅涂层石英坩埚的制备方法,其特征在于:氮化硅粉体、陶瓷结合剂、乙醇的重量比为30~48∶3~12∶40~67。
3.根据权利要求1或2所述的氮化硅涂层石英坩埚的制备方法,其特征在于:单晶硅硅粉体与二氧化硅粉体的摩尔比为2-5∶1。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2010102710312A CN101913776B (zh) | 2010-09-03 | 2010-09-03 | 氮化硅涂层石英坩埚的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2010102710312A CN101913776B (zh) | 2010-09-03 | 2010-09-03 | 氮化硅涂层石英坩埚的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101913776A CN101913776A (zh) | 2010-12-15 |
CN101913776B true CN101913776B (zh) | 2012-07-04 |
Family
ID=43321458
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2010102710312A Expired - Fee Related CN101913776B (zh) | 2010-09-03 | 2010-09-03 | 氮化硅涂层石英坩埚的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101913776B (zh) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102225837B (zh) * | 2011-05-08 | 2013-01-23 | 江苏润弛太阳能材料科技有限公司 | 用于多晶硅铸锭的免喷涂熔融石英坩埚的制造方法 |
CN102249523B (zh) * | 2011-05-08 | 2012-10-31 | 江苏润弛太阳能材料科技有限公司 | 多晶硅铸锭用免喷涂熔融石英坩埚的制造方法 |
CN102219360B (zh) * | 2011-05-08 | 2013-01-09 | 江苏润弛太阳能材料科技有限公司 | 多晶硅铸锭免喷涂熔融石英坩埚的制造方法 |
CN103130512B (zh) * | 2011-11-25 | 2014-10-15 | 浙江昱辉阳光能源有限公司 | 一种氮化硅坩埚及其制备方法 |
CN103360077B (zh) * | 2012-04-01 | 2014-12-24 | 浙江昱辉阳光能源有限公司 | 一种氮化硅坩埚及其制备方法 |
CN103774215B (zh) * | 2012-10-26 | 2016-11-02 | 阿特斯(中国)投资有限公司 | 硅铸锭用坩埚及其涂层制备方法 |
CN103288357B (zh) * | 2013-06-20 | 2016-03-30 | 天津英利新能源有限公司 | 氮化硅溶液及其制备方法、多晶硅铸锭用坩埚及其制备方法 |
CN103422166A (zh) * | 2013-08-05 | 2013-12-04 | 奥特斯维能源(太仓)有限公司 | 一种多晶硅太阳能电池铸锭用石英坩埚及其喷涂方法 |
CN103420617A (zh) * | 2013-08-09 | 2013-12-04 | 天津大学 | 一种用于石英陶瓷坩埚的高结合强度氮化硅涂层 |
CN104711671B (zh) * | 2013-12-11 | 2017-08-25 | 徐州协鑫太阳能材料有限公司 | 坩埚涂层结构、制备方法及坩埚 |
CN104846436B (zh) * | 2015-05-27 | 2017-08-04 | 烟台核晶陶瓷新材料有限公司 | 一种超高纯石英陶瓷坩埚的制备方法 |
CN107602139A (zh) * | 2017-10-24 | 2018-01-19 | 陕西海恩得工贸有限公司 | 一种熔炼钛及钛合金用坩埚的材料及坩埚的制备方法 |
CN108560046A (zh) * | 2018-04-19 | 2018-09-21 | 常熟华融太阳能新型材料有限公司 | 一种改善多晶硅铸锭晶花的氮化硅免喷涂涂层及其制作方法 |
CN115448731B (zh) * | 2022-10-24 | 2023-07-28 | 攀钢集团研究院有限公司 | 一种钒氮合金用石墨坩埚涂层的制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1849269A (zh) * | 2003-09-11 | 2006-10-18 | 瓦克化学股份公司 | 由Si3N4 涂覆的SiO2成型体的制造方法 |
CN1946881A (zh) * | 2004-04-29 | 2007-04-11 | 维苏维尤斯·克鲁斯布公司 | 用于硅结晶的坩埚 |
-
2010
- 2010-09-03 CN CN2010102710312A patent/CN101913776B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1849269A (zh) * | 2003-09-11 | 2006-10-18 | 瓦克化学股份公司 | 由Si3N4 涂覆的SiO2成型体的制造方法 |
CN1946881A (zh) * | 2004-04-29 | 2007-04-11 | 维苏维尤斯·克鲁斯布公司 | 用于硅结晶的坩埚 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101913776A (zh) | 2010-12-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101913776B (zh) | 氮化硅涂层石英坩埚的制备方法 | |
CN100445235C (zh) | 一种氮化铝增强碳化硅陶瓷及其制备方法 | |
CN107056306A (zh) | 氮化硅多孔陶瓷的制备方法 | |
CN111470864B (zh) | 一种硅基温度稳定型微波介质陶瓷材料及其制备方法 | |
CN102030535B (zh) | 氮化锆增强氧氮化铝复合陶瓷材料的制备方法 | |
CN102010203B (zh) | 铝合金铸造陶瓷导液管的制备方法 | |
CN103664187B (zh) | 一种片状AlON/WB2复合材料的制备方法 | |
CN102010208B (zh) | 硅锭线切割废料陶瓷导液管的制备方法 | |
CN103641479B (zh) | 一种片状AlON/WC复合材料的制备方法 | |
CN104163628A (zh) | 一种制备HfC-SiC复相陶瓷的方法 | |
CN103664167B (zh) | 一种片状AlON/四方相ZrO2复合材料的制备方法 | |
CN103664185B (zh) | 一种片状AlON/TaB2复合材料的制备方法 | |
CN103664175B (zh) | 一种片状AlON/TaC复合材料的制备方法 | |
CN103664177B (zh) | 一种片状AlON/NbC复合材料的制备方法 | |
CN103664186B (zh) | 一种片状AlON/VB2复合材料的制备方法 | |
CN103864430B (zh) | 一种h-BN/Cr3C2可加工陶瓷的制备方法 | |
CN106630955A (zh) | 一种改性特种陶瓷材料及其制备方法 | |
CN103664181B (zh) | 一种片状AlON/NbB2复合材料的制备方法 | |
CN101973765B (zh) | 冶金铸造陶瓷导液管的制备方法 | |
CN103011826A (zh) | 一种h-BN/ZrB2可加工陶瓷的制备方法 | |
CN103664188B (zh) | 一种片状AlON/ZrB2复合材料的制备方法 | |
CN101973766B (zh) | 碳化硅陶瓷导液管的制备方法 | |
CN103664176B (zh) | 一种片状AlON/ZrC复合材料的制备方法 | |
CN103664178B (zh) | 一种片状AlON/VC复合材料的制备方法 | |
CN102992775B (zh) | 一种h-BN/TaB2可加工陶瓷的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20120704 Termination date: 20150903 |
|
EXPY | Termination of patent right or utility model |