JP5209195B2 - 窒化ケイ素を含有する耐久性ハードコーティング - Google Patents
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Description
すなわち前記ハードコーティング層は、絶対的に輸送時に安定であるため、コーティングされた溶融るつぼのような成形体を、既製品の状態でエンドユーザーに納品することが可能となる。
上記の式(I)のシランの適切な例は、同様に、特許文献3及びそのパテントファミリーに記載されているとおりである。
単回又は複数回のドクターブレードコーティング、ディッピング、フラッディング、スピンコーティング、スプレー、ブラッシング、又は塗布によって、基材に本発明のスリップ剤を施す工程、及び前記のように施した前記スリップ剤を硬化させ、基材上に耐久性ハードコーティングを形成する工程、である。
(比較例:標準的懸濁液)
これは、特許文献1に記載に従い製造される、付加的な添加剤を伴わない、窒化ケイ素粉末の蒸留水懸濁液である。
窒化ケイ素の懸濁液を用いた本発明の実施態様を示す。60重量%の窒化ケイ素粉末をエタノール(無水)中に懸濁した懸濁液を調製する。この際、粉末を最初に充填して分散媒体を連続的に添加しても良く、又は最初に充填したエタノール中に粉末を添加し撹拌しても良い。
窒化ケイ素の懸濁液を用いた本発明のさらなる実施態様を示す。60重量%の窒化ケイ素粉末をエタノール(無水)中に懸濁した懸濁液を調製する。この際、粉末を最初に充填して分散媒体を連続的に添加しても良く、又は最初に充填したのエタノール中に粉末を添加し撹拌しても良い。
太陽電池用るつぼをコーティングするための窒化ケイ素懸濁液を、本発明のさらなる実施態様として示す。30重量%の窒化ケイ素粉末を含む懸濁液を、バインダーをエタノールに懸濁させた液体中で直接調製する。この場合、窒化ケイ素粉末をバインダー(ino(登録商標)sil S−38、Inomat社)中に、撹拌しながら連続的に添加・混合する。前記混合物を均質化するため、数時間にわたってロールミルを用いて処理する。
太陽電池用るつぼをコーティングするための窒化ケイ素懸濁液を、本発明のさらなる実施態様として示す。60重量%の窒化ケイ素粉末を含む懸濁液を、バインダーをエタノールに懸濁させた液体中で直接調製する。この場合、窒化ケイ素粉末をバインダー(ino(登録商標)sil S−38、Inomat社)中に、撹拌しながら、連続的に添加・混合する。なお、別な実施態様として、予め充填されるた窒化ケイ素粉末の中に、少量のバインダーを一度に添加することもできる。混合物を均質化するため、数時間にわたってロールミルを用いて処理する。
Claims (13)
- 基材表面に耐久性ハードコーティングを調製するためのスリップ剤であり、
a)窒化ケイ素粒子、及び
b)ゾル−ゲル工程による製造から得られた固体粒子及び/又は固体粒子前駆体を含有してなるバインダー、
を含有してなり、
前記バインダー中に、ゾル−ゲル工程による製造から得られたSiO2粒子及び/又はゾル−ゲル工程によりSiO2粒子に変換されるSiO2粒子前駆体が、固体粒子として存在し、
前記スリップ剤は太陽電池用シリコンの加工に使用されることを特徴とする、スリップ剤。 - 請求項1記載のスリップ剤であり、前記バインダーが、有機物質により修飾された無機縮重合物又はその前駆体中に前記固体粒子を含むナノコンポジットを含有してなることを特徴とする、スリップ剤。
- 請求項2に記載のスリップ剤であり、前記有機物質により修飾された無機縮重合物又はその前駆体が、有機物質により修飾された無機ポリシロキサン又はその前駆体であることを特徴とする、スリップ剤。
- 請求項1から3のいずれか1つに記載のスリップ剤であり、前記固体粒子が分子量1500未満の表面修飾物により表面修飾されていることを特徴とする、スリップ剤。
- 請求項1から4のいずれか1つに記載のスリップ剤であり、前記固体粒子が酸無水物基、酸アミド基、アミノ基、SiOH基、シランの加水分解性基及び/又はβ−ジカルボニル基を含む表面修飾物により修飾されていることを特徴とする、スリップ剤。
- 耐久性ハードコーティングを施された基材を含有する成形体であり、前記耐久性ハードコーティングが請求項1から7のいずれか1つに記載のスリップ剤により形成されたものであることを特徴とする、成形体。
- 前記基材が石英、グラファイト、セラミック、SiO2(溶融シリカ)又は鉄合金を含有することを特徴とする、請求項8に記載の成形体。
- 腐食性非鉄金属の溶融物のための、石英、グラファイト又はセラミックからなる基材を有するるつぼであることを特徴とする、請求項8又は9に記載の成形体。
- 単回又は複数回のドクターブレードコーティング、ディッピング、フラッディング、スピンコーティング、スプレー、ブラッシング又は塗布により前記スリップ剤を前記基材に施す工程、及び
施したスリップ剤を硬化して、前記基材上に耐久性のハードコーティングを形成させる工程、
を含むことを特徴とする、請求項8から10のいずれか1つに記載の成形体を製造する方法。 - 腐食性非鉄金属の溶融物の分野における請求項8から10のいずれか1つに記載の成形体の使用。
- シリコンブロックを製造するための、シリコンの溶融物の製造、液体シリコンの収容、及び/又は液体シリコンの結晶化における請求項10に記載の成形体の使用。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102005050593A DE102005050593A1 (de) | 2005-10-21 | 2005-10-21 | Dauerhafte siliciumnitridhaltige Hartbeschichtung |
DE102005050593.7 | 2005-10-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007146132A JP2007146132A (ja) | 2007-06-14 |
JP5209195B2 true JP5209195B2 (ja) | 2013-06-12 |
Family
ID=37460213
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006286150A Expired - Fee Related JP5209195B2 (ja) | 2005-10-21 | 2006-10-20 | 窒化ケイ素を含有する耐久性ハードコーティング |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8012252B2 (ja) |
EP (1) | EP1780307B1 (ja) |
JP (1) | JP5209195B2 (ja) |
KR (1) | KR100800053B1 (ja) |
CN (1) | CN1955228A (ja) |
DE (1) | DE102005050593A1 (ja) |
NO (1) | NO20064799L (ja) |
TW (1) | TWI367240B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP4497943B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2010-07-07 | 京セラ株式会社 | シリコン鋳造用鋳型とそれを用いたシリコン鋳造装置 |
MXPA06012509A (es) * | 2004-04-29 | 2007-01-31 | Vesuvius Crucible Co | Crisol para la cristalizacion de silicio. |
TWI400369B (zh) * | 2005-10-06 | 2013-07-01 | Vesuvius Crucible Co | 用於矽結晶的坩堝及其製造方法 |
DE102006013746A1 (de) | 2006-03-24 | 2007-09-27 | Esk Ceramics Gmbh & Co. Kg | Gesinterter verschleißbeständiger Werkstoff, sinterfähige Pulvermischung, Verfahren zur Herstellung des Werkstoffs und dessen Verwendung |
DE102006013729A1 (de) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Esk Ceramics Gmbh & Co. Kg | Gesinterter Werkstoff, sinterfähige Pulvermischung, Verfahren zur Herstellung des Werkstoffs und dessen Verwendung |
DE102006041047A1 (de) | 2006-09-01 | 2008-03-20 | Esk Ceramics Gmbh & Co. Kg | Schlichte zur Herstellung einer BN-haltigen Beschichtung, Verfahren zu deren Herstellung, beschichteter Körper, dessen Herstellung und dessen Verwendung |
DE102007053284A1 (de) | 2007-11-08 | 2009-05-20 | Esk Ceramics Gmbh & Co. Kg | Fest haftende siliciumnitridhaltige Trennschicht |
-
2005
- 2005-10-21 DE DE102005050593A patent/DE102005050593A1/de not_active Ceased
-
2006
- 2006-09-20 EP EP06019707.6A patent/EP1780307B1/de not_active Not-in-force
- 2006-09-22 TW TW095135107A patent/TWI367240B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-10-18 US US11/582,449 patent/US8012252B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-10-20 CN CNA2006101371019A patent/CN1955228A/zh active Pending
- 2006-10-20 KR KR1020060102508A patent/KR100800053B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-10-20 JP JP2006286150A patent/JP5209195B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-10-23 NO NO20064799A patent/NO20064799L/no not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007146132A (ja) | 2007-06-14 |
TWI367240B (en) | 2012-07-01 |
KR100800053B1 (ko) | 2008-01-31 |
DE102005050593A1 (de) | 2007-04-26 |
NO20064799L (no) | 2007-04-23 |
EP1780307A2 (de) | 2007-05-02 |
TW200716717A (en) | 2007-05-01 |
US20070089642A1 (en) | 2007-04-26 |
EP1780307B1 (de) | 2015-01-14 |
CN1955228A (zh) | 2007-05-02 |
EP1780307A3 (de) | 2008-12-03 |
KR20070043681A (ko) | 2007-04-25 |
US8012252B2 (en) | 2011-09-06 |
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Pham-Huu | Pham et al.(43) Pub. Date: Apr. 19, 2007 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100121 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100914 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101214 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110607 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111006 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20111017 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20111104 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130117 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130221 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160301 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |