CN101844935A - 一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种坩埚涂层及其制备方法，特别是一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层及其制备方法，特别适用于多晶硅或单晶硅用异型以及小尺寸坩埚涂层的制备；本发明的目的在于提供一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层及其制备方法，其中：涂层的致密度范围为0.75-1.8克/立方厘米；制备方法的操作步骤为，采用氮化硅粉体颗粒与溶剂混合得到氮化硅悬浮液，作为制备涂层用原材料，其中：向坩埚注入氮化硅悬浮液；氮化硅悬浮液被吸附在坩埚内壁上；排出坩埚内的剩余的氮化硅悬浮液；本发明提供的涂层的强度高，致密度好，所需的涂层制备时间短，能够百分之百地利用制备涂层用氮化硅粉体颗粒，同时还大大改善了制备涂层的工作环境。
Description
技术领域
本发明涉及一种坩埚涂层及其制备方法，特别是一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层及其制备方法，特别适用于多晶硅或单晶硅用异型以及小尺寸坩埚涂层的制备。
背景技术
目前多晶硅用坩埚涂层一般都是采用喷涂方法制备得到的。制备涂层用原材料一般是指由氮化硅粉体颗粒与溶剂混合后得到的氮化硅悬浮液，由于采用喷涂方法制备多晶硅或单晶硅用坩埚涂层的过程中会产生大量的氮化硅粉尘，工作环境差，而且制备涂层用氮化硅粉体颗粒的利用率低，所需的涂层制备时间长，生产所需周期长。
采用喷涂方法制备得到的涂层强度较低，会导致涂层出现气泡、开裂等现象，情况严重时，在制备多晶硅或单晶硅的过程中，还会造成硅液漏流，造成重大的经济损失；另外，采用喷涂方法制备得到的涂层为假颗粒的堆积，导致涂层的致密度不高，当应用于多晶硅或单晶硅制备时，会发生粘埚现象，导致硅锭破裂或坩埚破损，引起无法进行下一步的切片工艺或硅液漏流，造成重大的经济损失。
现有技术还包括了使用化学气相沉积、高温火焰处理和其他昂贵且复杂的手段来制备多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，虽然制备得到的坩埚涂层的致密度高，但是其方法操作复杂，制备成本高，难于在生产中进行推广应用。
发明内容
本发明的目的在于提供一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层及其制备方法，涂层的致密度好，所需的涂层制备时间短，能够百分之百地利用制备涂层用氮化硅粉体颗粒，同时还大大改善了制备涂层的工作环境。
本发明的技术方案为：
一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其中：涂层的致密度范围为0.75-1.8克/立方厘米。
一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其中：涂层的致密度大于或等于0.8-1.8克/立方厘米。
一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其中：涂层的致密度大于或等于0.85-1.8克/立方厘米。
一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其中：涂层的致密度大于或等于0.85-1.5克/立方厘米。
一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其中：涂层的厚度为30微米-300微米。
一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其中：涂层的厚度为50微米-180微米。
一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其操作步骤为，采用氮化硅粉体颗粒与溶剂混合得到氮化硅悬浮液，作为制备涂层用原材料，其中：
(1)向坩埚注入氮化硅悬浮液；
(2)氮化硅悬浮液被吸附在坩埚内壁上；
(3)排出坩埚内的剩余的氮化硅悬浮液。
一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其中：所述的氮化硅粉体颗粒的粒径可以为100nm～50μm，也可以是粒径＜100nm的颗粒与粒径为10nm～50μm的颗粒的混合，其中粒径＜100nm的颗粒的重量比为0-30％。
一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其中：所需的时间为30-300s。
一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其中：在完成步骤(3)后增加烧结涂层步骤，烧结涂层的具体步骤为：将浸涂好的坩埚置于烧结炉内，在空气气氛下进行烧结；在500℃-1200℃温度下保温1-5小时。
所述的溶剂可以是水，可以是酒精。
还可以向溶剂中加入分散剂、无机粘接剂、含硅元素的包膜剂的任意一种或几种的混合物。
本发明所述分散剂可以是任何一种具有分散作用的分散剂，优选的是有机分散剂。
本发明所述含硅元素的包膜剂可以是二氧化硅、原硅酸四乙酯、四乙氧基硅烷、或其组合的基于硅化学的有机金属化合物，也可以是适于形成悬浮体的氧化硅纳米颗粒、氧化硅胶体；含硅元素的包膜剂可以是含有硅酸根离子SiO3 2-的无机化合物。
向溶剂中加入含硅元素的包膜剂是本发明的优选技术方案。
表1本发明与其它制备涂层的效果比较(制备时间均未包括涂层烧结时间)
| 涂层制备方法 | 制备时间 | 制备成本 | 工作环境 | 涂层致密度 |
| 本发明提供的浸涂 | 30s-300s | 很低 | 好 | 0.75-1.8克/立方厘米 |
| 喷涂 | 30min-200min | 较高 | 差 | 小于或等于0.70克/立方厘米 |
| 化学气相沉积 | ＞300min | 极其昂贵 | 好 | 接近于氮化硅晶体的密度 |
表2 本发明不同溶剂种类的实施效果比较(其余均在同等条件下)
| 溶剂种类 | 涂层强度 | 涂层致密度 |
| 水 | 一般 | 0.9克/立方厘米 |
| 酒精 | 一般 | 0.98克/立方厘米 |
| 溶剂种类 | 涂层强度 | 涂层致密度 |
| 水+分散剂 | 较高 | 1.3克/立方厘米 |
| 水+无机粘接剂 | 较高 | 1.2克/立方厘米 |
| 水+含硅元素的包膜剂 | 高 | 1.5克/立方厘米 |
本发明中的含硅元素的包膜剂可以是二氧化硅、原硅酸四乙酯、四乙氧基硅烷、或其组合的基于硅化学的有机金属化合物，也可以是适于形成悬浮体的氧化硅纳米颗粒、氧化硅胶体；含硅元素的包膜剂可以是含有硅酸根离子SiO3 2-的无机化合物。溶剂为水和含硅元素的包膜剂时，可以得到强度高，致密度好的坩埚涂层。
本发明的工作原理：本发明是基于石英坩埚的多孔性能，能够吸收溶剂的物理特性，将氮化硅与溶剂配成具有流动性的悬浮液，然后注入石英坩埚内，溶剂在被坩埚吸入后便形成了具有一定厚度的均匀氮化硅涂层，脱水干燥过程中同时形成具有一定强度的氮化硅涂层。具体的工作原理为：首先，氮化硅悬浮液注入石英坩埚后，在石英坩埚毛细管力的作用下吸收氮化硅悬浮液中的溶剂，靠近石英坩埚壁的悬浮液中的溶剂首先被吸收，悬浮液中的颗粒开始靠近，形成最初的薄层；溶剂进一步被吸收，其扩散动力为压力差和浓度差，薄层逐渐变厚，氮化硅层内部溶剂向外部扩散，形成氮化硅层；涂层获得一定厚度后，将石英坩埚中的氮化硅悬浮液排出，石英坩埚继续吸收氮化硅涂层中的溶剂，同时涂层表面的水分开始蒸发，干燥形成具有一定致密度的氮化硅涂层。
本发明的优点：本发明提供的涂层的强度高，致密度好，所需的涂层制备时间短，能够百分之百地利用制备涂层用氮化硅粉体颗粒，同时还大大改善了制备涂层的工作环境。
具体实施方式
实施例1、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其中：涂层的致密度为0.75克/立方厘米。
实施例2、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其中：涂层的致密度为0.8克/立方厘米。
实施例3、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其中：涂层的致密度为0.85克/立方厘米。
实施例4、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其中：涂层的致密度为0.9克/立方厘米。
实施例5、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其中：涂层的致密度为0.95克/立方厘米。
实施例6、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其中：涂层的致密度为1.0克/立方厘米。
实施例7、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其中：涂层的致密度为1.1克/立方厘米。
实施例8、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其中：涂层的致密度为1.2克/立方厘米。
实施例9、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其中：涂层的致密度为1.3克/立方厘米。
实施例10、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其中：涂层的致密度为1.4克/立方厘米。
实施例11、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其中：涂层的致密度为1.5克/立方厘米。
实施例12、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其中：涂层的致密度为1.6克/立方厘米。
实施例13、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其中：涂层的致密度为1.7克/立方厘米。
实施例14、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其中：涂层的致密度为1.8克/立方厘米。
实施例15、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其中：涂层的厚度为30微米。其余同实施例1-14中的任意一种实施例。
实施例16、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其中：涂层的厚度为40微米。其余同实施例1-14中的任意一种实施例。
实施例17、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其中：涂层的厚度为50微米。其余同实施例1-14中的任意一种实施例。
实施例18、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其中：涂层的厚度为60微米。其余同实施例1-14中的任意一种实施例。
实施例19、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其中：涂层的厚度为80微米。其余同实施例1-14中的任意一种实施例。
实施例20、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其中：涂层的厚度为100微米。其余同实施例1-14中的任意一种实施例。
实施例21、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其中：涂层的厚度为150微米。其余同实施例1-14中的任意一种实施例。
实施例22、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其中：涂层的厚度为180微米。其余同实施例1-14中的任意一种实施例。
实施例23、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其中：涂层的厚度为200微米。其余同实施例1-14中的任意一种实施例。
实施例24、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其中：涂层的厚度为250微米。其余同实施例1-14中的任意一种实施例。
实施例25、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其中：涂层的厚度为280微米。其余同实施例1-14中的任意一种实施例。
实施例26、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其中：涂层的厚度为300微米。其余同实施例1-14中的任意一种实施例。
实施例27、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其操作步骤为，采用氮化硅粉体颗粒与溶剂混合得到氮化硅悬浮液，作为制备涂层用原材料，其中：
(1)向坩埚注入氮化硅悬浮液；
(2)氮化硅悬浮液被吸附在坩埚内壁上；
(3)排出坩埚内的剩余的氮化硅悬浮液。其余同实施例1-26中的任意一种实施例。
实施例28、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其中：所述的氮化硅粉体颗粒的粒径可以为100nm～50μm，也可以是粒径＜100nm的颗粒与粒径为10nm～50μm的颗粒的混合，其中粒径＜100nm的颗粒的重量比为0-30％，其余同实施例27。
实施例29、一种多晶硅铸锭用坩埚涂层，其中：所述的氮化硅粉体颗粒的粒径为100nm～50μm，其余同实施例27。
实施例30、一种多晶硅铸锭用坩埚涂层，其中：所述的氮化硅粉体颗粒是粒径＜100nm的颗粒与粒径为10nm～50μm的颗粒的混合，其中粒径＜100nm的颗粒的重量比为30％，其余同实施例27。
实施例31、一种多晶硅铸锭用坩埚涂层，其中：所述的氮化硅粉体颗粒是粒径＜100nm的颗粒与粒径为10nm～50μm的颗粒的混合，其中粒径＜100nm的颗粒的重量比为20％，其余同实施例27。
实施例32、一种多晶硅铸锭用坩埚涂层，其中：所述的氮化硅粉体颗粒是粒径＜100nm的颗粒与粒径为10nm～50μm的颗粒的混合，其中粒径＜100nm的颗粒的重量比为10％，其余同实施例27。
实施例33、一种多晶硅铸锭用坩埚涂层，其中：所述的氮化硅粉体颗粒是粒径＜100nm的颗粒与粒径为10nm～50μm的颗粒的混合，其中粒径＜100nm的颗粒的重量比为5％，其余同实施例27。
实施例34、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其中：所需的时间为30s，其余同实施例27。
实施例35、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其中：所需的时间为50s，其余同实施例27。
实施例36、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其中：所需的时间为80s，其余同实施例27。
实施例37、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其中：所需的时间为100s，其余同实施例27。
实施例38、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其中：所需的时间为200s，其余同实施例27。
实施例39、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其中：所需的时间为300s，其余同实施例27。
实施例40、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其中：在完成步骤(3)后增加烧结涂层步骤，烧结涂层的具体步骤为：将浸涂好的坩埚置于烧结炉内，在空气气氛下进行烧结；在500℃-1200℃温度下保温1-5小时，其余同实施例27。
实施例41、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其中：所述的溶剂可以是水，可以酒精，也可以是分散剂，可以是无机粘接剂，还可以是含硅元素的包膜剂，也可以是其中任意一种的混合物，其余同实施例27。
实施例42、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其操作步骤为，采用氮化硅粉体颗粒与溶剂混合得到氮化硅悬浮液，作为制备涂层用原材料，其中：
(1)向坩埚注入氮化硅悬浮液；
(2)氮化硅悬浮液被吸附在坩埚内壁上；
(3)排出坩埚内的剩余的氮化硅悬浮液。
(4)将浸涂好的坩埚置于烧结炉内，在空气气氛下进行烧结；在600℃下保温5小时。
实施例43、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其操作步骤为，采用氮化硅粉体颗粒与溶剂混合得到氮化硅悬浮液，作为制备涂层用原材料，其中：
(1)向坩埚注入氮化硅悬浮液；
(2)氮化硅悬浮液被吸附在坩埚内壁上；
(3)排出坩埚内的剩余的氮化硅悬浮液。
(4)将浸涂好的坩埚置于烧结炉内，在空气气氛下进行烧结；在700℃下保温4小时。
实施例44、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其操作步骤为，采用氮化硅粉体颗粒与溶剂混合得到氮化硅悬浮液，作为制备涂层用原材料，其中：
(1)向坩埚注入氮化硅悬浮液；
(2)氮化硅悬浮液被吸附在坩埚内壁上；
(3)排出坩埚内的剩余的氮化硅悬浮液。
(4)将浸涂好的坩埚置于烧结炉内，在空气气氛下进行烧结；在800℃下保温3小时。
实施例45、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其操作步骤为，采用氮化硅粉体颗粒与溶剂混合得到氮化硅悬浮液，作为制备涂层用原材料，其中：
(1)向坩埚注入氮化硅悬浮液；
(2)氮化硅悬浮液被吸附在坩埚内壁上；
(3)排出坩埚内的剩余的氮化硅悬浮液。
(4)将浸涂好的坩埚置于烧结炉内，在空气气氛下进行烧结；在1000℃温度下保温2小时。
实施例46、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其操作步骤为，采用氮化硅粉体颗粒与溶剂混合得到氮化硅悬浮液，作为制备涂层用原材料，其中：
(1)向坩埚注入氮化硅悬浮液；
(2)氮化硅悬浮液被吸附在坩埚内壁上；
(3)排出坩埚内的剩余的氮化硅悬浮液。
(4)将浸涂好的坩埚置于烧结炉内，在空气气氛下进行烧结；在1200℃温度下保温1小时。
实施例47、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其操作步骤为，采用氮化硅粉体颗粒与水混合得到氮化硅悬浮液，作为制备涂层用原材料，其中：
(1)向坩埚注入氮化硅悬浮液；
(2)氮化硅悬浮液被吸附在坩埚内壁上；
(3)排出坩埚内的剩余的氮化硅悬浮液。
(4)将浸涂好的坩埚置于烧结炉内，在空气气氛下进行烧结；在700℃温度下保温4小时。
实施例48、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其操作步骤为，采用氮化硅粉体颗粒与酒精混合得到氮化硅悬浮液，作为制备涂层用原材料，其中：
(1)向坩埚注入氮化硅悬浮液；
(2)氮化硅悬浮液被吸附在坩埚内壁上；
(3)排出坩埚内的剩余的氮化硅悬浮液。
(4)将浸涂好的坩埚置于烧结炉内，在空气气氛下进行烧结；在800℃温度下保温3小时。
实施例49、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其操作步骤为，采用氮化硅粉体颗粒与水以及分散剂混合得到氮化硅悬浮液，作为制备涂层用原材料，其中：
(1)向坩埚注入氮化硅悬浮液；
(2)氮化硅悬浮液被吸附在坩埚内壁上；
(3)排出坩埚内的剩余的氮化硅悬浮液。
(4)将浸涂好的坩埚置于烧结炉内，在空气气氛下进行烧结；在1000℃温度下保温2小时。
实施例50、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其操作步骤为，采用氮化硅粉体颗粒与水以及无机粘接剂混合得到氮化硅悬浮液，作为制备涂层用原材料，其中：
(1)向坩埚注入氮化硅悬浮液；
(2)氮化硅悬浮液被吸附在坩埚内壁上；
(3)排出坩埚内的剩余的氮化硅悬浮液。
(4)将浸涂好的坩埚置于烧结炉内，在空气气氛下进行烧结；在1200℃温度下保温1小时。
实施例51、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其操作步骤为，采用氮化硅粉体颗粒与水以及无机粘接剂混合得到氮化硅悬浮液，作为制备涂层用原材料，其中：
(1)向坩埚注入氮化硅悬浮液；
(2)氮化硅悬浮液被吸附在坩埚内壁上；
(3)排出坩埚内的剩余的氮化硅悬浮液。
(4)将浸涂好的坩埚置于烧结炉内，在空气气氛下进行烧结；在800℃温度下保温3小时。
实施例52、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其操作步骤为，采用氮化硅粉体颗粒与水以及含硅元素的包膜剂混合得到氮化硅悬浮液，作为制备涂层用原材料，其中：
(1)向坩埚注入氮化硅悬浮液；
(2)氮化硅悬浮液被吸附在坩埚内壁上；
(3)排出坩埚内的剩余的氮化硅悬浮液。
(4)将浸涂好的坩埚置于烧结炉内，在空气气氛下进行烧结；在800℃温度下保温3小时。
一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其中：含硅元素的包膜剂可以是二氧化硅、原硅酸四乙酯、四乙氧基硅烷、或其组合的基于硅化学的有机金属化合物，也可以是适于形成悬浮体的氧化硅纳米颗粒、氧化硅胶体，还可以是含有硅酸根离子SiO3 2-的无机化合物中的任意一种或数种。
实施例53、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其操作步骤为，采用氮化硅粉体颗粒与酒精以及含硅元素的包膜剂混合得到氮化硅悬浮液，作为制备涂层用原材料，其中：
(1)向坩埚注入氮化硅悬浮液；
(2)氮化硅悬浮液被吸附在坩埚内壁上；
(3)排出坩埚内的剩余的氮化硅悬浮液。
(4)将浸涂好的坩埚置于烧结炉内，在空气气氛下进行烧结；在800℃温度下保温3小时。
一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其中：含硅元素的包膜剂可以是二氧化硅、原硅酸四乙酯、四乙氧基硅烷、或其组合的基于硅化学的有机金属化合物，也可以是适于形成悬浮体的氧化硅纳米颗粒、氧化硅胶体，还可以是含有硅酸根离子SiO3 2-的无机化合物中的任意一种或数种。
实施例54、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其中：含硅元素的包膜剂可以是二氧化硅，氮化硅粉体颗粒与水与二氧化硅的混合重量比例为2份∶5份∶6份。在800℃温度下保温3小时。其余同实施例52。
实施例55、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其中：含硅元素的包膜剂可以是四乙氧基硅烷，氮化硅粉体颗粒与酒精与四乙氧基硅烷的混合重量比例为1份∶5份∶8份。在1000℃温度下保温3小时。其余同实施例53。
实施例56、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其中：含硅元素的包膜剂可以是原硅酸四乙酯，氮化硅粉体颗粒与酒精与原硅酸四乙酯的混合重量比例为8份∶5份∶2份。在1000℃温度下保温2小时。其余同实施例53。
实施例57、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其中：含硅元素的包膜剂可以是四乙氧基硅烷，氮化硅粉体颗粒与酒精与四乙氧基硅烷的混合重量比例为5份∶3份∶5份。在1200℃温度下保温2小时。其余同实施例53。
实施例58、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其中：含硅元素的包膜剂可以是其组合的基于硅化学的有机金属化合物，氮化硅粉体颗粒与酒精与其组合的基于硅化学的有机金属化合物的混合重量比例为7份∶20份∶3份。在900℃温度下保温1小时。其余同实施例53。
实施例59、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其中：含硅元素的包膜剂可以是适于形成悬浮体的氧化硅纳米颗粒，氮化硅粉体颗粒与酒精与适于形成悬浮体的氧化硅纳米颗粒的混合重量比例为2份∶8份∶8份。在1200℃温度下保温2小时。其余同实施例53。
实施例60、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其中：含硅元素的包膜剂可以是氧化硅胶体，氮化硅粉体颗粒与酒精与氧化硅胶体的混合重量比例为1份∶3份∶8份。在1200℃温度下保温2小时。其余同实施例53。
实施例61、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其中：含硅元素的包膜剂可以是硅酸根离子，氮化硅粉体颗粒与水与硅酸根离子的混合重量比例为3份∶10份∶7份。在600℃温度下保温2小时。其余同实施例52。
实施例62、一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其中：含硅元素的包膜剂可以是SiO3 2-的无机化合物，氮化硅粉体颗粒与水与SiO3 2-的无机化合物的混合重量比例为6份∶15份∶4份。在850℃温度下保温4小时。其余同实施例52。
Claims (13)
1.一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其特征在于：涂层的致密度范围为0.75-1.8克/立方厘米。
2.一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其特征在于：涂层的致密度大于或等于0.8-1.8克/立方厘米。
3.一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其特征在于：涂层的致密度大于或等于0.85-1.8克/立方厘米。
4.一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其特征在于：涂层的致密度大于或等于0.85-1.5克/立方厘米。
5.如权利要求1或2或3或4所述的一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其特征在于：涂层的厚度为30微米-300微米。
6.如权利要求1或2或3或4所述的一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层，其特征在于：涂层的厚度为50微米-180微米。
7.如权利要求1或2或3或4或5或6所述的一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其操作步骤为，采用氮化硅粉体颗粒与溶剂混合得到氮化硅悬浮液，作为制备涂层用原材料，其特征在于：
(1)向坩埚注入氮化硅悬浮液；
(2)氮化硅悬浮液被吸附在坩埚内壁上；
(3)排出坩埚内的剩余的氮化硅悬浮液。
8.如权利要求7所述的一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其特征在于：所述的氮化硅粉体颗粒的粒径可以为100nm～50μm，也可以是粒径＜100nm的颗粒与粒径为10nm～50μm的颗粒的混合，其中粒径＜100nm的颗粒的重量比为0-30％。
9.如权利要求7所述的一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其特征在于：所需的时间为30-300s。
10.如权利要求7所述的一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其特征在于：在完成步骤(3)后增加烧结涂层步骤，烧结涂层的具体步骤为：将浸涂好的坩埚置于烧结炉内，在空气气氛下进行烧结；在500℃-1200℃温度下保温1-5小时。
11.如权利要求7所述的一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其特征在于：所述的溶剂可以是水或酒精。
12.如权利要求7或11所述的一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其特征在于：还可以向溶剂中加入分散剂、无机粘接剂、含硅元素的包膜剂的任意一种或几种的混和物。
13.如权利要求12所述的一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层制备方法，其特征在于：含硅元素的包膜剂可以是二氧化硅、原硅酸四乙酯、四乙氧基硅烷、或其组合的基于硅化学的有机金属化合物，也可以是适于形成悬浮体的氧化硅纳米颗粒、氧化硅胶体，还可以是含有硅酸根离子SiO3 2-的无机化合物，按照如权利要求7、8、9、10所述的任意一项权利要求所述的涂层制备方法均可以得到如权利要求1-6所述的坩埚涂层。
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