CN1955228A - 含有氮化硅的耐久性硬质涂层 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种用于在基材上制备耐久性硬质涂层的滑润剂,该滑润剂包括:a)氮化硅粒子和b)基料,该基料包含由溶胶凝胶工艺制备的纳米尺寸固体粒子和/或纳米尺寸固体粒子的前体。本发明进一步涉及包含具有由本发明滑润剂制备的耐久性硬质涂层的基材的成形体。本发明的成形体适用于腐蚀性有色金属熔体领域。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于在基材上制备含有氮化硅的耐久性硬质涂层的滑润剂(slip);一种成形体,其含有基材和施涂于其上的抗摩擦和抗划伤耐久性硬质涂层,从而使得成形体能够运输;一种生产该成形体的方法以及该成形体的用途,尤其是作为熔炼坩埚用在腐蚀性有色金属熔体领域特别是在太阳能级硅(solar silicon)加工领域中的用途,以及该成形体在铝冶炼尤其是低压铝铸造中用作提升管的用途。
发明背景
含有硅粒子、硅颗粒或硅片的硅棒的熔融和重结晶在由石墨或氮化硅,但主要是SiO2(熔凝硅石)制成的坩埚内进行。具有理想微观结构和纯度的硅棒在精确规定的冷却工艺中从熔体中结晶,接着这些硅棒被切成薄晶片,形成光电元件的活性组分。
这里重要的是太阳能级硅的质量不会受到加工过程中所使用材料,例如熔炼坩埚的不利影响,且硅熔体可以无缺陷地凝固并无损坏地从坩埚中移走。就此来说,重要的是防止液体硅金属对坩埚材料的腐蚀性侵蚀,因为否则的话熔体就会被污染。此外,粘结、渗透和扩散也会在硅棒脱模中引起问题,使得多晶硅块有断裂或破裂的危险。
由于Si和SiO2之间发生化学反应形成挥发性的SiO,所以该腐蚀性硅熔体对SiO2坩埚产生侵蚀。此外,来自坩埚材料的不良杂质以这种方式进入硅熔体。
特别是,由于硅经受非常大的热膨胀使得非常小量的粘结材料都会产生机械应力从而导致晶体结构的破坏,形成不合格的硅材料,所以无论如何都应该避免材料粘结在凝固中或已凝固的硅块上。
在铝冶炼中,特别是在低压铝铸造中,使用由铁合金或熔凝硅石制成的提升管。由于铝熔体在650-800℃温度下的高腐蚀性,这些提升管必须用耐高温氧化物或氮化物以规则的间隔涂敷,以避免这些材料快速溶解在液态铝中。这里通常使用通过浸涂、刷涂或喷涂方式由含有机基料的滑润剂施涂的氧化铝或氮化硼涂层。但是,由于热熔体与浮渣产生联合的腐蚀性侵蚀和机械侵蚀,这些涂层的寿命局限在几个小时或几天。由氮化硅陶瓷制成的对铝熔体的腐蚀性侵蚀呈完全惰性的提升管也被用作由铁合金或石英制造的涂覆提升管的替代物。但是,这些氮化硅提升管的造价是带涂层的标准提升管的很多倍。
现有技术
从EP 963 464B1已知,熔炼坩埚由石英、石墨或陶瓷制造并具有氮化硅层以避免熔炼坩埚与凝固中的有色金属熔体例如硅熔体接触后熔炼坩埚和有色金属之间发生粘着。这里,该氮化硅层包含高纯度氮化硅粉末。该氮化硅粉末具有低的氧含量并且具有特别的配比。这些粉末涂层在熔炼坩埚使用前由使用者直接施涂并通过将高纯度氮化硅粉末分散在溶剂中,然后通过例如悬浮液喷雾将其施涂到坩埚上而制成。所用溶剂和任何有机基料组分必须通过热后处理去除。
已经发现高纯度氮化硅本身对硅熔体具有非常强的化学抵抗力。然而,单是熔体重量就会引起该多孔氮化硅粉末层的强迫润湿或渗透。因此,该层必须具有这样的厚度,使其不能被完全渗透并因而仍能作为脱模层。但是,反过来这样厚的层又相应地是柔软的,不具有特别的抗摩擦性,使得充填坩埚时,不得不特别小心,更别提要在长途运输或在准备-使用的涂覆坩埚派送时避免摩擦了。
因此,用于太阳能级硅领域的传统坩埚涂层具有机械稳定性低的缺点,因为这些涂层只含有氮化硅粉末,使得总是要恰在用硅粉末、硅颗粒或硅片充填坩埚前才进行涂覆。因此预先对坩埚进行涂敷而不是在将要使用时直接涂敷是不可能的。另外,由于粉末涂层柔软,当用大块的材料充填坩埚时,不得不极为小心,以避免损坏该层。此外,由于多孔氮化硅粉末层被熔融硅渗透,脱模时会有不期望的结块残留物。
DE 103 26 769B3中描述了用于有色金属压铸的耐久性氮化硼脱模层以及制造该脱模层的滑润剂,其中耐高温纳米尺寸基料用作氮化硼基料相。特别的是,将SiO2基的溶胶凝胶基料和氮化硼粉末的悬浮液施涂到金属表面或无机非金属表面,并将用这种方式得到的涂层干燥和热硬化。在500℃以上的温度下,基料体系转化为玻璃态基质,该基质赋予形成的紧密陶瓷涂层以机械稳定性。但是,这些含氮化硼涂层不能用在太阳能级硅领域,因为氮化硼在太阳能级硅中是不良杂质。
DE 103 26 815A1描述了一种具有可通过将涂料组合物施涂到基材上并硬化而得到的抗粘结涂层的基材,该涂料组合物包括a)除氮化硼以外的脱模剂固体粒子和b)含有表面改性的纳米尺寸固体粒子的基料。脱模剂粒子选自石墨、石墨化合物、金属硫化物、金属硒化物和金属碲化物。这些涂层也不适合与太阳能级硅一起使用,因为该处提到的脱模剂,例如石墨或金属硫化物、硒化物和碲化物在太阳能级硅中也是不良杂质。
发明目的
因此本发明的目的是提供一种用于在基材上制备耐久性涂层的滑润剂,该涂层尤其适合于在太阳能级硅加工领域中应用而没有现有技术中已知的缺点。此外,本发明将提供一种在铝冶炼中应用的、尤其是将能够增加提升管使用寿命的耐久性价廉涂层。
发明概述
通过根据权利要求1所述的用于制备耐久性硬质涂层的滑润剂,根据权利要求11所述的包含具有耐久性硬质涂层的基材的成形体,根据权利要求15所述的用于制备该成形体的方法和根据权利要求16-18所述的该成形体的用途,上述目的得以实现。本专利申请主题有利的或特别有用的实施方案描述于从属权利要求中。
因此本发明提供一种用于在基材上制备耐久性硬质涂层的滑润剂,该滑润剂包括a)氮化硅粒子和b)基料,该基料包含由溶胶-凝胶工艺制得的纳米尺寸固体粒子前体和/或纳米尺寸固体粒子。
本发明进一步提供一种包含具有耐久性硬质涂层的基材的成形体,其中该硬质涂层已由如上述定义的本发明滑润剂制得。
本发明进一步提供根据本发明的成形体在腐蚀性有色金属熔体领域中的用途,尤其是成形体以熔炼坩埚的形式用于生产硅熔体的用途,以及成形体以提升管的形式在铝冶炼尤其是低压铝铸造中的用途。
本发明的硬质氮化硅涂层所展现的令人惊讶的效果是,这里存在的刚性结合的氮化硅粒子不会阻碍已凝固的有色金属熔体脱模,并且同时具有这种硬质涂层的成形体在运输和装料过程中没有多孔而松散的氮化硅粉末层结构的缺点。
对于本领域技术人员来说令人惊讶的是,从DE 103 26 769B3和DE103 26 815A1中已知的SiO2基基料体系适合于制备用于根据本发明所设想的应用的耐久性硬质氮化硅涂层,因为本领域技术人员会预见到加入无机基料或纳米尺寸固体粒子将会使已凝固的有色金属熔体脱模更加困难,并会将杂质引入已凝固的有色金属熔体尤其是太阳能级硅块中,而这是无论如何都要避免的。此外,本领域技术人员预见到SiO2基基料体系同样将引起熔融硅和基料体系的SiO2间的反应,在硅熔体和SiO2坩埚体系中就是这样。硅熔体腐蚀性侵蚀SiO2材料形成气态SiO挥发出去,更多的SiO2暴露于硅熔体。涂层由于此反应将不得不持续溶解。此反应例如,从Cryst.Res.Technol.38,No.7-8,669-675(2003)中已知。
本发明的硬质氮化硅层尤其具有以下优点:
-该硬质层具有绝对的运输稳定性,使得准备使用的涂覆的成形体例如熔炼坩埚可以被运送到最终运户。
-该涂层耐摩擦,因此在装填成形体的过程中,尤其是用原料硅装填涂覆的熔炼坩埚过程中或处理该成形体的过程中,提供保护避免损伤。此外,传统的氮化硅粉末涂层由于保护层破坏而有遭受不良腐蚀的现象并发生粘结,而本发明的硬质层不是这样。
-本发明的硬质层是不透性的且在高温下稳定,而且不会被熔融有色金属例如硅所渗透,从而使得已凝固的熔体可以脱模而不会发生粘结。因此不需要机械去除粘结材料的额外步骤,并且没有不合格品或较少有不合格品发生。此外,就传统氮化硅粉末层来说,由于多孔氮化硅层被熔融有色金属例如硅所渗透,脱模后发生材料粘结。该粘结的材料必须机械去除,这首先代表一个额外的处理步骤,其次引起材料损失。
就根据现有技术(EP 963 464)的涂层来说,有一个问题是,由于氮化硅粉末层多孔,存在着熔体-基材接触的可能性,所以来自SiO2坩埚的杂质可扩散入太阳能级硅中。结果杂质被引入太阳能级硅中,导致质量显著恶化,从而产生不合格的材料。
本发明的硬质层具有的进一步优点在于由于其结构紧密,可以阻止熔体-基材直接接触,所以该层起到了阻止杂质扩散屏障的作用。
当硬质氮化硅涂层在铝冶炼中用作提升管时,因为用于提升管的价格低廉的基础材料能被持续使用同时提升管的使用寿命也能大大增加,所以可以获得显著的成本优点。另外,在硬质涂层受到破坏时,同样具有修复的可能性。
发明内容
本发明使用的基料原则上是从DE 103 26 815A1中已知的,该基料包含由溶胶-凝胶工艺制得的纳米尺寸固体粒子的前体和/或纳米尺寸固体粒子。已经发现,氮化硅粒子通过该基料可以耐久地并以热稳定的方式粘合到基材表面。在一个优选实施方案中,含有纳米粒子的纳米复合材料,尤其是以溶胶的形式,作为基料使用。纳米复合材料或纳米复合材料溶胶包含由溶胶-凝胶工艺制备的纳米尺寸固体粒子,并优选无机或有机改性的无机缩聚物或其前体,的混合物。在该涂层组合物中,包含纳米粒子或纳米复合材料的基料通常作为溶胶或分散体存在。在硬化层中,该基料作为基质模板。由于该层的纯陶瓷结构,可以满足许多要求。由于该层的硬度和耐磨擦性,除了涂层的高温稳定性和纯度以外,该层在基材上的粘结和机械稳定性也得以保证。
纳米尺寸固体粒子优选金属氧化物粒子或在经过高温处理硬化后转化为纳米尺寸金属氧化物粒子的体系。纳米尺寸固体粒子尤其选自SiO2、TiO2、ZrO2、Al2O3、AlOOH、Y2O3、CeO2、SnO2、氧化铁和Ta2O5或可通过溶胶-凝胶工艺转化为这些固体粒子的这些纳米尺寸固体粒子的前体,尤其优选的是SiO2粒子和/或通过溶胶-凝胶工艺转化为纳米尺寸SiO2粒子的SiO2粒子前体。
根据本发明优选的纳米复合材料及其通过溶胶-凝胶工艺进行制备在现有技术尤其是在DE 103 26 815A1中是已知的。这里优选的纳米尺寸固体粒子用分子量小于1500的表面改性剂,特别的是含有酸酐基团、酰胺基团、氨基基团、SiOH基团、可水解的硅烷基团和/或β-二羰基基团的表面改性剂,进行表面改性。
纳米复合材料优选可通过溶胶-凝胶工艺通过使纳米尺寸固体粒子与一种或多种如下通式的硅烷反应得到,
RxSiA(4-x) (I)
其中,基团A相同或不同,并且是羟基或可水解基团,基团R相同或不同并且是不可水解基团,x是0、1、2或3,至少50%摩尔量的硅烷x≥1。如果仅使用其中x=0的式(I)的硅烷,就得到纯无机纳米复合材料;否则,得到优选的有机-无机纳米复合材料。
上述式(I)硅烷的合适例子同样公开于DE 103 26 815A1中。
特别地,本发明的涂层由SiO2形成的醇溶胶制成,高纯氮化硅粉末分散在其中。由于氮化硅在水存在下发生水解,所以不应使用水基配制剂;代之以优选SiO2形成的醇溶胶。此外,优选使用高纯度起始化学物质(氮化硅粉末、硅烷、醇等),因为用这种方式得到了特别满足太阳能工业要求的高纯度涂层。
在本发明的成形体中,基材适当包括石英、石墨、陶瓷(包括氮化硅陶瓷)、SiO2(熔凝硅石)或铁合金。在一个优选实施方案中,成形体是其基材包含石英、石墨或陶瓷、适合于腐蚀性有色金属熔体尤其是硅熔体加工的熔炼坩埚。
在另一个实施方案中,该成形体是用于铝冶炼的、其基材包含SiO2(熔凝硅石)或铁合金的提升管。
根据本发明用于制备成形体的方法包括至少以下步骤:
通过单次或重复刮涂、浸涂、流涂、旋涂、喷涂、刷涂或涂抹,将本发明的滑润剂施涂到基材上,
施涂的滑润剂硬化,在基材上形成耐久性硬质涂层。
为了改善粘结性,在某些情况下,有利的是在接触前用稀释或没稀释的基料溶胶或它们的前体或其它底漆处理基材。
滑润剂的固体含量作为所选择涂覆工艺的函数可以通过加入溶剂设定。对于喷涂来说,通常将固体的含量设定为2-70重量%,优选5-50重量%,特别优选10-30重量%。
最终硬化可以在室温或略高温度下通过一个或多个干燥步骤进行,例如,在对流干燥炉内和/或通过加热成形体本身进行。对于对氧化敏感的基材来说,干燥和/或后来的硬化可以在保护性气氛中例如在N2或Ar中进行或在减压下进行。
考虑到热敏性,优选通过在50℃以上,优选在200℃以上,特别优选在300℃以上的温度下热处理进行热硬化。该硬质层还可以在相对高的温度优选500℃到700℃下烘焙,条件是基材在此温度下足够稳定。
在本发明的另一个实施方案中,该硬质层可以是多层。
在本发明的另一个实施方案中,可以形成渐变层,其中例如从底部(基材侧)向上(熔体侧)所使用的氮化硅粒子的种类和纯度可以改变。这里在涂层结构内可以使用不同纯度、不同粒度或不同粒子形态的氮化硅等级。此外,也可以将不同的基料含量引入渐变层。这些渐变层还可以被制成或排列成多层。
本发明具有耐久性硬质涂层的成形体适用于腐蚀性有色金属熔体例如,铝熔体、玻璃熔体、硅熔体等领域。熔炼坩埚形式的成形体尤其适用于制备硅熔体、用于容纳液体硅和用于液体硅结晶形成硅块。
提升管形式的成形体尤其适用于铝冶炼,特别优选用于低压铝铸造。
下列实施例举例说明了本发明。
比较例:标准悬浮液
这是如EP 963 464中所述制备的氮化硅粉末悬浮在蒸馏水中、无任何添加剂的悬浮液。
对于进一步加工(刷涂、辊涂、喷涂)来说,只有此悬浮液的流变性是关键。为了使用喷枪喷涂,固体含量相应设定为,例如,60-70重量%。
将悬浮液施涂到干净无尘的干燥坩埚上,合适的话多层施涂,以制得均匀的层厚度,例如500-800μm。干燥后,在作为熔炼坩埚使用前,该涂层在约1000-1100℃烧结。
得到的氮化硅粉末涂层应该无气泡、无破裂并且也没有其他缺陷。
用这种方式制备的氮化硅涂层对碰触仅有有限的抵抗力,要相应地小心对待。不仅在装填硅片的过程中要避免损伤涂层,而且装填也必须做到避免熔融过程中硅片滑动,使得制备的粉末层中也没有缺陷。
实施例1:硬质氮化硅涂层
对于氮化硅悬浮液根据本发明的一个实施方案,制备氮化硅粉末在无水乙醇中的60重量%的分散液。为此可以首先装填粉末并持续导入分散介质,或者将粉末搅拌加入开始装入的乙醇中。
将等量基料(inosil S-38,Inomat GmbH)搅拌加入到氮化硅的乙醇分散液中制成含有30重量%氮化硅的可喷涂悬浮液。
悬浮液通过喷涂以“湿对湿”的方式多层施涂,得到的层厚度最多为约40μm。在室温下“晾干”后,将该涂层在干燥炉中干燥并随后在500℃烧结30分钟。
现在涂覆的坩埚可以用于熔融工艺中。得到的无缺陷Si锭可以毫无问题地脱模。
实施例2:硬质氮化硅涂层
对于氮化硅悬浮液根据本发明的另一个实施方案,制备氮化硅粉末在无水乙醇中的60重量%的分散液。为此可以首先装填粉末并持续导入分散介质,或者将粉末搅拌加入开始装入的乙醇中。
以氮化硅∶基料为2∶1的比例将基料(inosil S-38,Inomat GmbH)搅拌加入到氮化硅的乙醇分散液中,制成含有40重量%氮化硅的悬浮液。
该高粘度悬浮液通过浸涂、浇注、或刷涂/辊涂的方法施涂,施涂的层厚度最多为约100μm。
在室温下“晾干”后,将该涂层在干燥炉中干燥并随后在500℃烧结30分钟。
现在涂覆的坩埚可以用于熔融工艺中。得到的无缺陷Si锭可以毫无问题地脱模。
实施例3:硬质氮化硅涂层
对于用于涂敷太阳能坩埚的氮化硅悬浮液根据本发明的另一个实施方案,含有30重量%氮化硅粉末的悬浮液直接在液体乙醇基料中生产。为此,将氮化硅粉末通过搅拌持续导入到基料(inosil S-38,Inomat GmbH)中。为了匀化混合物,将其在轧制机上处理数小时。
用这种方式得到的30重量%浓度的无凝聚氮化硅悬浮液通过喷涂以“湿对湿”方式多层施涂,得到的层厚度最多为约40μm。在室温下“晾干”后,在干燥炉中干燥该涂层,随后在500℃烧结30分钟。
现在涂覆的坩埚可以用于熔融工艺中。得到的无缺陷Si锭可以毫无问题地脱模。
实施例4:硬质氮化硅涂层
对于用于涂敷太阳能坩埚的氮化硅悬浮液根据本发明的另一个实施方案,含有60重量%氮化硅粉末的悬浮液直接在液体乙醇基料中生产。为此,氮化硅粉末通过搅拌持续导入基料(inosil S-38,Inomat GmbH)中。作为替代方案,基料还可以每次导入一点到初始装填的氮化硅粉末中。为了匀化混合物,将其在轧制机上处理数小时。
用这种方式得到的60重量%浓度的无凝聚氮化硅悬浮液通过刷涂和辊涂多层施涂,施涂的层厚度最多为约100μm。在室温下“晾干”后,将该涂层在干燥炉中干燥并随后在500℃烧结30分钟。
现在涂覆的坩埚可以用于熔化工艺中。得到的无缺陷Si锭可以毫无问题地脱模。
在实施例中描述的本发明氮化硅涂层的实施方案不同于现有技术中的参考涂层之处在于其较低的层厚度。尽管层厚度较低,但总能制得功能性的即无缺陷(无气泡、无破裂)的脱模层。由于基料的存在,这些层比标准氮化硅粉末涂层具有明显高的粘合强度和抗划伤性。尽管涂层较薄,当硅片装填或/和熔融时,该层也不会受到破坏,从而避免熔体和坩埚之间的接触,这种接触在固化时导致粘结,因而引起散裂和破裂。
所描述的本发明氮化硅涂层具有如下特点而与众不同:固体含量、氮化硅与基料的比例以及涂层厚度和相应的悬浮液的浓度(该浓度决定用于施涂悬浮液的技术),并且可得到无缺陷层:氮化硅与基料的比例越高,涂层越厚;氮化硅与基料的比例越低,则越硬,抗划伤性越高。
取决于各个熔融/太阳能级硅生产工艺,可以如此选择最佳涂层体系(与悬浮液制备、涂覆工艺以及各自的熔融工艺相匹配)。
Claims (18)
1.用于在基材上制备耐久性硬质涂层的滑润剂,包括:
a)氮化硅粒子和
b)基料,该基料包含由溶胶-凝胶工艺制备的纳米尺寸固体粒子前体和/或纳米尺寸固体粒子。
2.根据权利要求1的滑润剂,其中所述基料包含纳米复合材料,该纳米复合材料包含有机改性的无机缩聚物或其前体形式的纳米尺寸固体粒子。
3.根据权利要求2的滑润剂,其中所述有机改性的无机缩聚物或其前体是有机改性的无机聚硅氧烷或其前体。
4.根据前述权利要求中至少一项的滑润剂,其中纳米尺寸固体粒子是金属氧化物粒子。
5.根据前述权利要求中至少一项的滑润剂,其中纳米尺寸固体粒子选自SiO2、TiO2、ZrO2、Al2O3、AlOOH、Y2O3、CeO2、SnO2、氧化铁和Ta2O5或可通过溶胶-凝胶工艺转化为这些固体粒子的这些纳米尺寸固体粒子前体。
6.根据前述权利要求中至少一项的滑润剂,其中SiO2粒子和/或通过溶胶-凝胶工艺转化为纳米尺寸SiO2粒子的SiO2粒子前体作为纳米尺寸固体粒子存在。
7.根据前述权利要求中至少一项的滑润剂,其中所述纳米尺寸固体粒子已经用分子量小于1500的表面改性剂进行了表面改性。
8.根据前述权利要求中至少一项的滑润剂,其中所述纳米尺寸固体粒子已经由表面改性剂进行改性,所述表面改性剂含有酸酐基团、酰胺基团、氨基基团、SiOH基团、可水解的硅烷基团和/或β-二羰基基团。
9.根据前述权利要求2到7中至少一项的滑润剂,其中所述纳米复合材料可通过溶胶-凝胶工艺通过使纳米尺寸固体粒子与一种或多种通式(I)的硅烷反应得到,
RxSiA(4-x) (I)
其中,基团A相同或不同,并且是羟基或可水解基团,基团R相同或不同并且是不可水解基团,x是0、1、2或3,至少50%摩尔量的硅烷x≥1。
10.根据权利要求1的滑润剂,其中所述基料可通过溶胶-凝胶工艺通过使一种或多种通式(I)的硅烷反应得到,
RxSiA(4-x) (I)
其中,基团A相同或不同,并且是羟基或可水解基团,基团R相同或不同并且是不可水解基团,x是0、1、2或3,至少50%摩尔量的硅烷x≥1。
11.包含具有耐久性硬质涂层的基材的成形体,其中所述硬质涂层已由根据权利要求1-10中至少一项的滑润剂制备。
12.根据权利要求11的成形体,其中所述基材包括石英、石墨、陶瓷、SiO2(熔凝硅石)或铁合金。
13.根据权利要求11和/或12的成形体,其中该成形体为基材包含石英、石墨或陶瓷的用于腐蚀性有色金属熔体的熔炼坩埚。
14.根据权利要求11和/或12的成形体,其中该成形体为基材包含SiO2(熔凝硅石)或铁合金的用于铝冶炼的提升管。
15.用于制备根据前述权利要求11到14中至少一项的成形体的方法,包括以下步骤:
通过单次或重复的刮涂、浸涂、流涂、旋涂、喷涂、刷涂或涂抹,将所述滑润剂施涂到基材上;
所施涂的滑润剂硬化,在基材上形成耐久性硬质涂层。
16.根据前述权利要求11到14中至少一项的成形体在腐蚀性有色金属熔体领域中的用途。
17.根据权利要求13的熔炼坩埚用于制备硅熔体、用于容纳液体硅和/或用于液体硅结晶制备硅块的用途。
18.根据权利要求14的提升管在铝冶炼中,尤其是在低压铝铸造中的用途。
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101844935A (zh) * | 2010-05-31 | 2010-09-29 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层及其制备方法 |
CN102449343A (zh) * | 2009-05-29 | 2012-05-09 | Esk陶瓷有限及两合公司 | 用于制造增大摩擦系数的层的悬浮体、具有这种增大摩擦系数的层的成型体、其制备方法及其用途 |
CN101429051B (zh) * | 2007-11-08 | 2013-06-05 | Esk陶瓷有限及两合公司 | 含Si3N4的胶粘剂、成型体、成型体的制造方法以及成型体的用途 |
CN103506263A (zh) * | 2011-12-30 | 2014-01-15 | 英利能源(中国)有限公司 | 多晶硅坩埚喷涂免烘干的方法及氮化硅涂层 |
CN103774215A (zh) * | 2012-10-26 | 2014-05-07 | 阿特斯(中国)投资有限公司 | 硅铸锭用坩埚及其涂层制备方法 |
CN103827351A (zh) * | 2011-08-31 | 2014-05-28 | Esk陶瓷有限及两合公司 | 高硬度的含氮化硅剥离层 |
CN104058771A (zh) * | 2014-07-18 | 2014-09-24 | 徐梅子 | 一种预热器用耐火浇注料 |
CN108275987A (zh) * | 2018-02-27 | 2018-07-13 | 重庆长江造型材料(集团)股份有限公司 | 一种表面改性石英砂及其制备方法 |
CN110713347A (zh) * | 2013-11-11 | 2020-01-21 | 贺利氏石英玻璃股份有限两合公司 | 复合材料、热吸收组件和用于生产复合材料的方法 |
CN110803943A (zh) * | 2019-11-30 | 2020-02-18 | 中材江苏太阳能新材料有限公司 | 一种低杂质的铸造多晶和铸锭单晶用免喷坩埚及其制备方法 |
CN112979294A (zh) * | 2021-03-17 | 2021-06-18 | 中南大学 | 一种废旧匣钵修复涂料及其使用方法 |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080233403A1 (en) * | 2007-02-07 | 2008-09-25 | Timothy Dyer | Method of Making Ceramic Reactor Components and Ceramic Reactor Component Made Therefrom |
EP1985594B1 (de) * | 2007-04-25 | 2011-10-12 | ESK Ceramics GmbH & Co.KG | Formkörper mit einer dauerhaften siliciumnitridhaltigen Hartbeschichtung, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung |
DE102007029668A1 (de) | 2007-06-27 | 2009-01-08 | Epg (Engineered Nanoproducts Germany) Ag | Ultraharte Kompositschichten auf Metalloberflächen und Verfahren zu ihrer Herstellung |
US8047288B2 (en) | 2007-07-18 | 2011-11-01 | Oxane Materials, Inc. | Proppants with carbide and/or nitride phases |
DE102008031766A1 (de) | 2008-07-04 | 2009-10-15 | Schott Ag | Verfahren zur Herstellung eines beschichteten Tiegels aus einem Tiegelgrünkörper oder aus einem zwischengebrannten Tiegelkörper sowie die Verwendung solch eines beschichteten Tiegels |
US8859034B2 (en) * | 2009-01-28 | 2014-10-14 | Kyocera Corporation | Ingot mold for silicon ingot and method for making the same |
EP2454398A2 (en) * | 2009-07-16 | 2012-05-23 | MEMC Singapore Pte. Ltd. | Coated crucibles and methods for preparing and use thereof |
WO2011075370A1 (en) | 2009-12-18 | 2011-06-23 | 3M Innovative Properties Company | Systems and methods for making monolithic gel bodies |
KR101990939B1 (ko) * | 2011-02-28 | 2019-06-19 | 가부시끼가이샤 다나자와 핫꼬오샤 | 성형용 금형 및 그 제조 방법, 및 광택도를 합치시키는 방법 |
DE102011078066A1 (de) * | 2011-06-24 | 2012-12-27 | Oskar Frech Gmbh + Co. Kg | Gießtechnisches Bauteil und Verfahren zum Aufbringen einer Korrosionsschutzschicht |
US8747538B2 (en) | 2011-09-20 | 2014-06-10 | Chung-Hou Tony Hsiao | Photovoltaic ingot mold release |
CN102367572B (zh) * | 2011-09-21 | 2014-01-01 | 安阳市凤凰光伏科技有限公司 | 多晶硅铸锭坩埚喷涂免烧结方法 |
KR20140004293U (ko) * | 2011-11-07 | 2014-07-14 | 그라프텍 인터내셔널 홀딩스 인코포레이티드 | 규소 결정 생성을 위한 흑연 도가니 및 잉곳의 제거 방법 |
US20140158457A1 (en) * | 2012-12-12 | 2014-06-12 | GM Global Technology Operations LLC | Coulomb frictional damping coated product |
DE102013206993B4 (de) | 2013-04-18 | 2014-12-04 | Morgan Advanced Materials Haldenwanger GmbH | Verfahren zur Beschichtung von Formkörpern aus Quarzgut |
CN103320854B (zh) * | 2013-06-07 | 2016-03-02 | 英利集团有限公司 | 坩埚用涂层结构、其制备方法及包括其的坩埚 |
JP6119565B2 (ja) * | 2013-11-11 | 2017-04-26 | 信越半導体株式会社 | 単結晶製造方法 |
TWI663126B (zh) | 2014-07-09 | 2019-06-21 | 法商維蘇威法國公司 | 包含可磨塗層之輥、其製造方法及其用途 |
FR3026414B1 (fr) * | 2014-09-26 | 2019-04-12 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Creuset pour la cristallisation de silicium multi-cristallin ou quasi-monocristallin par reprise sur germe |
US10280770B2 (en) | 2014-10-09 | 2019-05-07 | Rolls-Royce Corporation | Coating system including oxide nanoparticles in oxide matrix |
US10047614B2 (en) | 2014-10-09 | 2018-08-14 | Rolls-Royce Corporation | Coating system including alternating layers of amorphous silica and amorphous silicon nitride |
CN104801662A (zh) * | 2015-05-12 | 2015-07-29 | 芜湖市容川机电科技有限公司 | 一种石墨粉铸造涂料 |
US20180222808A1 (en) | 2015-08-07 | 2018-08-09 | Vesuvius France Sa | Refractory article resistant to non-ferrous metal and production process thereof |
CN105983649A (zh) * | 2016-01-11 | 2016-10-05 | 明光市留香泵业有限公司 | 一种含陶瓷微粉增强的低残炭高透气消失模铸造用水基涂料及其制备方法 |
CN106116700A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-11-16 | 山东工业陶瓷研究设计院有限公司 | 氮化物陶瓷高温耐磨涂层及其制备方法 |
CN106348788B (zh) * | 2016-08-19 | 2019-11-26 | 西安华晶电子技术股份有限公司 | 多晶硅铸锭坩埚底部氮化硼涂层材料及其涂覆方法 |
CN115007796A (zh) * | 2022-05-30 | 2022-09-06 | 中信戴卡股份有限公司 | 一种铸造铝合金用升液管涂料及其使用方法 |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4028096A (en) * | 1976-05-13 | 1977-06-07 | The United States Of America As Represented By The United States Energy Research And Development Administration | Method of melting metals to reduce contamination from crucibles |
US4548381A (en) * | 1984-09-05 | 1985-10-22 | Solarex Corporation | Castable receiver |
US4921731A (en) * | 1986-02-25 | 1990-05-01 | University Of Florida | Deposition of ceramic coatings using sol-gel processing with application of a thermal gradient |
JP3066812B2 (ja) * | 1991-10-09 | 2000-07-17 | 黒崎播磨株式会社 | 2層以上のコーティングを有する低融点金属の鋳造用器具 |
US5431869A (en) * | 1993-01-12 | 1995-07-11 | Council Of Scientific & Industrial Research | Process for the preparation of polycrystalline silicon ingot |
JPH0769744A (ja) * | 1993-06-28 | 1995-03-14 | Hitachi Metals Ltd | 耐火性被覆材およびアルミニウム溶湯用部材 |
EP0963464B1 (de) * | 1997-02-06 | 2001-07-18 | Deutsche Solar GmbH | Mit siliciumschutzschichten versehene schmelztiegel, ein verfahren zum aufbringen der siliciumschutzschicht und deren verwendung |
DE19711550C2 (de) * | 1997-03-20 | 2000-06-21 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von im wesentlichen Randzonen-freien Formteilen aus multikristallinem Silicium und die Verwendung dieser Formteile |
DE69912668T2 (de) * | 1998-02-26 | 2004-09-30 | Mitsubishi Materials Corp. | Kokille und Verfahren zur Herstellung von Siliziumstäben |
DE59905850D1 (de) * | 1998-05-05 | 2003-07-10 | Didier Werke Ag | Keramischer verbundkörper |
JP2001080967A (ja) | 1999-09-06 | 2001-03-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Si3N4セラミックスとその製造用Si基組成物及びこれらの製造方法 |
DE60112983T2 (de) * | 2000-03-31 | 2006-05-18 | Jsr Corp. | Überzugsmittel und gehärtetes Produkt |
US6491971B2 (en) * | 2000-11-15 | 2002-12-10 | G.T. Equipment Technologies, Inc | Release coating system for crucibles |
US6479108B2 (en) * | 2000-11-15 | 2002-11-12 | G.T. Equipment Technologies, Inc. | Protective layer for quartz crucibles used for silicon crystallization |
DE10200648A1 (de) * | 2002-01-10 | 2003-07-24 | Inst Neue Mat Gemein Gmbh | Verfahren zur Herstellung Optischer Elemente mit Gradientenstruktur |
DE10217151A1 (de) * | 2002-04-17 | 2003-10-30 | Clariant Gmbh | Nanoimprint-Resist |
IL166447A0 (en) * | 2002-07-24 | 2006-01-15 | Excera Materials Group Inc | Improved ceramic/metal material and method for making same |
US20040102308A1 (en) * | 2002-11-06 | 2004-05-27 | Simpson Robert E. | Crucible material and crucible |
UA81278C2 (en) * | 2002-12-06 | 2007-12-25 | Vessel for holding a silicon and method for its making | |
KR100505003B1 (ko) * | 2002-12-27 | 2005-08-01 | 김광호 | 티아이 에이엘 에스아이 엔계 경질코팅막의 증착방법 |
DE10304849A1 (de) * | 2003-02-06 | 2004-08-19 | Institut für Neue Materialien gemeinnützige Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Chemomechanische Herstellung von Funktionskolloiden |
US20040211496A1 (en) * | 2003-04-25 | 2004-10-28 | Crystal Systems, Inc. | Reusable crucible for silicon ingot growth |
DE10326815A1 (de) * | 2003-06-13 | 2004-12-30 | Institut für Neue Materialien Gemeinnützige GmbH | Antiadhäsive Hochtemperaturschichten |
DE10326769B3 (de) * | 2003-06-13 | 2004-11-11 | Esk Ceramics Gmbh & Co. Kg | Dauerhafte BN-Formtrennschichten für das Druckgießen von Nichteisenmetallen |
JP4497943B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2010-07-07 | 京セラ株式会社 | シリコン鋳造用鋳型とそれを用いたシリコン鋳造装置 |
US7378128B2 (en) * | 2004-04-29 | 2008-05-27 | Vesuvius Crucible Company | Crucible for the crystallization of silicon |
TWI400369B (zh) * | 2005-10-06 | 2013-07-01 | Vesuvius Crucible Co | 用於矽結晶的坩堝及其製造方法 |
DE102006013746A1 (de) | 2006-03-24 | 2007-09-27 | Esk Ceramics Gmbh & Co. Kg | Gesinterter verschleißbeständiger Werkstoff, sinterfähige Pulvermischung, Verfahren zur Herstellung des Werkstoffs und dessen Verwendung |
DE102006013729A1 (de) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Esk Ceramics Gmbh & Co. Kg | Gesinterter Werkstoff, sinterfähige Pulvermischung, Verfahren zur Herstellung des Werkstoffs und dessen Verwendung |
DE102006041047A1 (de) | 2006-09-01 | 2008-03-20 | Esk Ceramics Gmbh & Co. Kg | Schlichte zur Herstellung einer BN-haltigen Beschichtung, Verfahren zu deren Herstellung, beschichteter Körper, dessen Herstellung und dessen Verwendung |
DE102007053284A1 (de) | 2007-11-08 | 2009-05-20 | Esk Ceramics Gmbh & Co. Kg | Fest haftende siliciumnitridhaltige Trennschicht |
-
2005
- 2005-10-21 DE DE102005050593A patent/DE102005050593A1/de not_active Ceased
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2006
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- 2006-10-23 NO NO20064799A patent/NO20064799L/no not_active Application Discontinuation
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101429051B (zh) * | 2007-11-08 | 2013-06-05 | Esk陶瓷有限及两合公司 | 含Si3N4的胶粘剂、成型体、成型体的制造方法以及成型体的用途 |
CN102449343A (zh) * | 2009-05-29 | 2012-05-09 | Esk陶瓷有限及两合公司 | 用于制造增大摩擦系数的层的悬浮体、具有这种增大摩擦系数的层的成型体、其制备方法及其用途 |
CN102449343B (zh) * | 2009-05-29 | 2015-09-09 | Esk陶瓷有限及两合公司 | 用于制造增大摩擦系数的层的悬浮体、具有这种增大摩擦系数的层的成型体、其制备方法及其用途 |
CN101844935A (zh) * | 2010-05-31 | 2010-09-29 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层及其制备方法 |
CN103827351A (zh) * | 2011-08-31 | 2014-05-28 | Esk陶瓷有限及两合公司 | 高硬度的含氮化硅剥离层 |
CN103506263B (zh) * | 2011-12-30 | 2015-07-29 | 英利能源(中国)有限公司 | 多晶硅坩埚喷涂免烘干的方法及氮化硅涂层 |
CN103506263A (zh) * | 2011-12-30 | 2014-01-15 | 英利能源(中国)有限公司 | 多晶硅坩埚喷涂免烘干的方法及氮化硅涂层 |
CN103774215A (zh) * | 2012-10-26 | 2014-05-07 | 阿特斯(中国)投资有限公司 | 硅铸锭用坩埚及其涂层制备方法 |
CN110713347A (zh) * | 2013-11-11 | 2020-01-21 | 贺利氏石英玻璃股份有限两合公司 | 复合材料、热吸收组件和用于生产复合材料的方法 |
CN110713347B (zh) * | 2013-11-11 | 2022-07-05 | 贺利氏石英玻璃股份有限两合公司 | 复合材料、热吸收组件和用于生产复合材料的方法 |
CN104058771A (zh) * | 2014-07-18 | 2014-09-24 | 徐梅子 | 一种预热器用耐火浇注料 |
CN108275987A (zh) * | 2018-02-27 | 2018-07-13 | 重庆长江造型材料(集团)股份有限公司 | 一种表面改性石英砂及其制备方法 |
CN108275987B (zh) * | 2018-02-27 | 2020-05-19 | 重庆长江造型材料(集团)股份有限公司 | 一种表面改性石英砂及其制备方法 |
CN110803943A (zh) * | 2019-11-30 | 2020-02-18 | 中材江苏太阳能新材料有限公司 | 一种低杂质的铸造多晶和铸锭单晶用免喷坩埚及其制备方法 |
CN110803943B (zh) * | 2019-11-30 | 2022-03-08 | 中材江苏太阳能新材料有限公司 | 一种低杂质的铸造多晶和铸锭单晶用免喷坩埚及其制备方法 |
CN112979294A (zh) * | 2021-03-17 | 2021-06-18 | 中南大学 | 一种废旧匣钵修复涂料及其使用方法 |
Also Published As
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Pham-Huu | Pham et al.(43) Pub. Date: Apr. 19, 2007 |
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