JP6119565B2 - 単結晶製造方法 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 88
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 43
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 77
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 77
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 76
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 75
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 75
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 75
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims description 15
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 13
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 12
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 8
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 64
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000007569 slipcasting Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
例えば特許文献1では、多結晶シリコン製造用のルツボ表面に窒化珪素によるコートを施すことで、得られた多結晶シリコンを容易にルツボから剥離させる技術が開示されている。
また、特許文献2、特許文献3では、単結晶製造装置において、黒鉛部品の表面に窒化珪素によるコートを施す技術が開示されている。しかし、これらのコートは化学気相成長法(CVD法)によるものであり、大型部材の処理が難しく、局所的なコートは難しい上コストが高いという問題点がある。
そして、このような窒化珪素膜を形成したものを用いることで、たとえSi蒸着物などの付着物が形成されても、形成される箇所は黒鉛部品自体の表面ではなく窒化珪素膜の表面であるため、例えば窒化珪素膜を一部剥離させることでその付着物を簡単に除去することができる。従来ではその付着物が、直接、黒鉛部品自体の表面に強固に定着してしまい、黒鉛部品の割れを引き起こしてしまっていた。しかしながら本発明の場合、上記のように黒鉛部品に直接的に付着物が定着するのを防いで除去できるので、黒鉛部品の割れの発生を簡単に防ぐことが可能である。したがって、黒鉛部品の寿命を飛躍的に延ばすことができる。このため、黒鉛部品の交換頻度も抑制することができ、交換に伴うコストの増加も抑制することができる。
また、付着物がなければそのままの状態で次の単結晶の育成の際に用いることができ、効率的かつ簡便である。
本発明の単結晶製造方法で使用することができるCZ単結晶製造装置の一例を図1に示す。なお、ここでは原料融液として多結晶シリコンを溶融したシリコン融液を用意し、該シリコン融液からシリコン単結晶を育成する場合を例に挙げて説明するが、これに限定されない。例えばGaPなどの化合物半導体単結晶やGGG等の酸化物単結晶をCZ法で育成する場合も炉内に黒鉛部品を用いており、同様に適用することができる。
なお、ガス排出口19の付近には、ガス排出スリーブ20が配設されている。
さらに、ガス整流筒21のシリコン融液面側にはリング状の遮熱部材22が設けられている。
メインチャンバー2内におけるホットゾーンの最適構造やシリコン融液面3’、加熱ヒーター12の発熱中心の位置関係などの最適条件は、熱数値解析シュミレーションソフトFEMAGの計算により算出して設定することができる。
そして、これらの黒鉛部品で、ルツボ4内のシリコン融液3から発生してガス誘導路を流れるSi蒸気やSiOガスと接触し、シリコン蒸着物やシリコン酸化物蒸着物が形成される箇所、例えば、ここではガス排出スリーブ20の表面に窒化珪素膜が塗布形成されている。
なお、当然、ガス排出スリーブ20以外の箇所(周辺部断熱部材13のインナーシールド15やアッパーシールド17等)にも、適宜、窒化珪素膜を塗布形成することができる。
まず、シリコン単結晶製造装置1を操業させる前に、炉内で使用される黒鉛部品の任意箇所に対して窒化珪素を含有する塗料を塗布し、黒鉛部品の表面に窒化珪素膜を形成する。
シリコン単結晶製造装置1の操業中においては、シリコン融液3からSi蒸気およびSiOガスが発生し、炉内の低温部の黒鉛部品の表面にそれらの蒸着物(付着物)が形成される。しかしながら、予め窒化珪素膜を施しておくことで黒鉛部品の表面に対する直接的な蒸着物の形成を防止することができる。そして、後述するように窒化珪素膜の剥離によって簡単に蒸着物を除去することができるので、従来のように、蒸着物が黒鉛部品の表面から除去できずに残存してしまい、黒鉛部品と蒸着物の熱膨張率差に起因する割れも起こらない。結果として黒鉛部品の寿命の飛躍的な向上に寄与する。また、寿命が延びるため、黒鉛部品の交換頻度を抑制することができ、装置や育成する単結晶のコスト低下を図ることができる。
塗料中の各成分の割合等は特には限定されない。例えばポリビニルアルコールが水に対し1〜10wt%になるよう溶解させ、所望の塗料粘度により変化させることができる。使用する窒化珪素粉末は平均粒径0.65μmの粒子を使用し、前記バインダーに対して5〜55wt%の粉末を使用し、所望の塗料粘度、膜の緻密度により変化させることができる。
シリコン単結晶製造装置1のルツボ4内に多結晶シリコンを投入して充填する。この時シリコン単結晶の抵抗率を決定するリン、ホウ素、砒素、アンチモン、ガリウム、ゲルマニウム、アルミニウムなど所望の抵抗率制御用のドーパントも添加する。抵抗率制御用のドーパント以外に用途に応じて窒素や炭素をドープする場合もある。
不図示の真空ポンプを稼動させてガス排出口19から排気しながら、ガス導入口18からアルゴンガスを流入し、装置内部をアルゴン雰囲気に置換する。そして、加熱ヒーター12で多結晶シリコンを加熱溶融してシリコン融液3を得る。
次に、該シリコン融液3に種結晶9を浸漬した後引上げ、CZ法により、棒状のシリコン単結晶10を育成する。
単結晶を育成した後、窒化珪素膜の表面状態を確認する。
このとき、その表面にシリコン蒸着物等の付着物が確認されたときは、窒化珪素膜の少なくとも一部を剥離し、それによって膜表面の付着物を除去する。前述したように窒化珪素膜はその表層を簡単に剥がすことができるのでその付着物の除去を容易に行うことができる。そして付着物を除去して窒化珪素膜上に余計な物が付着されていない状態にした後、次のシリコン単結晶の育成を行う。
なお、この除去工程において窒化珪素膜を剥離することによって黒鉛部品自体の表面が露出した場合、改めて窒化珪素膜を塗布形成し、その後に次のシリコン単結晶の育成を行う。
したがって、従来のように黒鉛部品がその表面に形成された付着物を原因として割れてしまうのを簡単かつ低コストで防ぐことができ、そのため黒鉛部品の寿命を大幅に延ばすことができる。
(実施例)
図1のようなCZ法によるシリコン単結晶製造装置1を用いて本発明の製造方法によりシリコン単結晶を育成する。
このとき、メインチャンバー2の上部のガス導入口18からは、不活性ガスとしてArガスを流している。この不活性ガスはガス誘導路に沿って流れる。すなわち、不活性ガスは、まずガス整流筒21と育成するシリコン単結晶10の間を通ってシリコン融液面3’に導かれている。不活性ガスは減圧下でシリコン融液3の直上に配置した遮熱部材22とシリコン融液面3’とによって形成される誘導路を通じて流れ、更にルツボ4の内壁部と遮熱部材22の外側とによって形成される誘導路を通じてルツボ4の外へと排出される。
さらに黒鉛製の加熱ヒーター12の上部には、ヒートシールド14およびインナーシールド15からせり出したアッパーシールド17およびアッパーシールド断熱材16が配設されており、メインチャンバー2の下部にあるガス排出スリーブ20を介し、ガス排出口19から不図示の真空ポンプにより不活性ガスを強制排気している。
なお、水170mlに対しポリビニルアルコールを7wt%溶解させたポリビニルアルコール水溶液をバインダーとし、該バインダーに対して55wt%の窒化珪素粉末を分散させた塗料を用いた。
実施例とは異なり、窒化珪素膜は形成せず、黒鉛材むき出しのガス排出スリーブを配設し、それ以外は実施例と同様にしてシリコン単結晶の育成を行い、操業前後のガス排出スリーブの質量を計測した。これを操業毎に繰り返した。
比較例では操業後に蒸着物の除去を試みたものの完全に除去できず、操業毎に蒸着物が積層し、ガス排出スリーブの質量が増加してしまった。
一方、本発明を実施した実施例では、操業後に窒化珪素膜ごと蒸着物が除去されたため、ガス排出スリーブの質量は増加していない。
図3に比較例と実施例のガス排出スリーブのライフ指標比較を示す。図3に示すように結果は実施例が比較例の3.8倍となった。
以上の結果から分かるように、従来では黒鉛部品に対する蒸着物の除去は困難であったが、本発明であればその蒸着物を除去することができる。黒鉛部品と蒸着物の熱膨張率差に起因する黒鉛部品の割れの発生を抑止することができ、黒鉛部品の寿命を飛躍的に向上させることができる。
3’…シリコン融液面、 4…ルツボ、 5…石英ルツボ、 6…黒鉛ルツボ、
7…引上げチャンバー、 8…引上げワイヤ、 9…種結晶、
10…シリコン単結晶、 11…支持軸、 12…加熱ヒーター、
13…周辺部断熱部材、 14…ヒートシールド、 15…インナーシールド、
16…アッパーシールド断熱材、 17…アッパーシールド、
18…ガス導入口、 19…ガス排出口、 20…ガス排出スリーブ、
21…ガス整流筒、 22…遮熱部材。
Claims (5)
- CZ法による単結晶製造装置の炉内に配置したルツボに収容された原料融液から単結晶を育成する単結晶製造方法であって、
前記単結晶を育成するとき、前記単結晶製造装置の炉内に使用し、前記原料融液の表面から排出されるSi蒸気およびSiOガスのガスが流れる過程における、前記ルツボよりも下流に位置する黒鉛部品に、窒化珪素を含有する塗料を塗布して表面に窒化珪素膜を形成したものを用いることを特徴とする単結晶製造方法。 - 前記単結晶を育成後、
前記黒鉛部品の窒化珪素膜の表面に付着物が確認されたときは、前記窒化珪素膜の少なくとも一部を剥離することにより前記付着物を除去してから、次の単結晶を育成し、
前記黒鉛部品の窒化珪素膜の表面に付着物が確認されないときは、前記窒化珪素膜を剥離することなく、そのまま、次の単結晶を育成することを特徴とする請求項1に記載の単結晶製造方法。 - 前記原料融液をシリコン融液としてシリコン単結晶を育成するとき、前記シリコン融液からのSi蒸気またはSiOガスとの接触によりシリコン蒸着物またはシリコン酸化物蒸着物が形成される箇所の黒鉛部品に前記窒化珪素膜を形成したものを用いることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の単結晶製造方法。
- 前記窒化珪素を含有する塗料を、ポリビニルアルコール水溶液をバインダーとして、窒化珪素粉末を前記ポリビニルアルコール水溶液に分散させたものとすることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の単結晶製造方法。
- 前記窒化珪素を含有する塗料を塗布するとき、刷毛またはスプレーを用いて行うことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の単結晶製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013232927A JP6119565B2 (ja) | 2013-11-11 | 2013-11-11 | 単結晶製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013232927A JP6119565B2 (ja) | 2013-11-11 | 2013-11-11 | 単結晶製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015093793A JP2015093793A (ja) | 2015-05-18 |
JP6119565B2 true JP6119565B2 (ja) | 2017-04-26 |
Family
ID=53196451
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013232927A Active JP6119565B2 (ja) | 2013-11-11 | 2013-11-11 | 単結晶製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6119565B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102019210254A1 (de) * | 2019-07-11 | 2021-01-14 | Siltronic Ag | Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls aus Silizium gemäß der Czochralski-Methode |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54157780A (en) * | 1978-06-02 | 1979-12-12 | Toshiba Corp | Production of silicon single crystal |
JP2952733B2 (ja) * | 1992-10-09 | 1999-09-27 | コマツ電子金属株式会社 | シリコン単結晶製造方法 |
JPH09183686A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-07-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶引き上げ方法及び装置 |
DE102005050593A1 (de) * | 2005-10-21 | 2007-04-26 | Esk Ceramics Gmbh & Co. Kg | Dauerhafte siliciumnitridhaltige Hartbeschichtung |
JP2007261832A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Sumco Solar Corp | 窒化珪素離型材粉末、離型材の作製方法及び焼成方法 |
CN204174306U (zh) * | 2011-11-07 | 2015-02-25 | 格拉弗技术国际控股有限公司 | 用于硅晶体制备的石墨坩埚 |
-
2013
- 2013-11-11 JP JP2013232927A patent/JP6119565B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015093793A (ja) | 2015-05-18 |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
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