JP2009184863A - 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 - Google Patents
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【解決手段】原料融液を収容するルツボ1及び前記原料融液を加熱するヒータ8を格納するメインチャンバ2と、該メインチャンバ2の上部に連設され、成長した単結晶が引き上げられて収容される引上げチャンバ3と、前記引上げチャンバ3に設けられたガス導入口11と、前記メインチャンバ2の天井部から下方に延設される整流筒14を有する単結晶製造装置において、前記メインチャンバ2内の整流筒14の外側に設置したガス導入口17から不活性ガスを流し、メインチャンバーの内壁面および整流筒の外側側面への酸化物の堆積を防ぐ。
【選択図】図1
Description
図6に従来の単結晶製造装置の一例を示す概略断面図を示す。
CZ法でシリコン単結晶を製造する際に使用される単結晶製造装置101は、一般的に原料融液105が収容された昇降動可能なルツボ106、107と、該ルツボ106、107を取り囲むように配置されたヒータ108が単結晶を育成するメインチャンバ102内に配置されており、該メインチャンバ102の上部には育成した単結晶を収容し取り出すための引上げチャンバ103が連設されている。このような単結晶製造装置101を用いて単結晶を製造する際には、種結晶112を原料融液105に浸漬し、回転させながら静かに上方に引き上げて棒状の単結晶を成長させる一方、所望の直径と結晶品質を得るため融液面の高さが常に保たれるように結晶の成長に合わせルツボ106、107を上昇させている。
しかし、前記CZ法による単結晶104の製造において、生産性の向上を図り、コストを低減させるためには、単結晶104の成長速度を高速化することが一つの大きな手段であり、これまでにも単結晶104の成長速度の高速化を達成させるために多くの改良がなされてきた。
また結晶引き上げ中は酸化性ガスによる汚れ防止のため不活性ガスを流すが、これによる単結晶の冷却効果を活用できないという問題もある。
そこで前記のスクリーンや整流筒の問題点を解決し効率よく冷却する方法として、結晶回りに水冷された冷却筒を配する単結晶製造装置が提案されている(特許文献4参照)。この方法では冷却筒の外側が黒鉛材等の保護カバーなど冷却筒保護材により保護され、冷却筒の内側から単結晶の熱を効率よく除去できる。
また、整流筒に石英製の窓板を設けることによって、前記整流筒による効果を奏しつつ、育成中の単結晶の形状を観察することができる整流筒が開示されているが(特許文献5参照)、前記と同様に、石英窓板の外側に酸化物が付着することによって、窓に曇りが発生する上、冷却効果が低下するという問題があった。
そのため、特に1つのルツボから複数の単結晶を育成する場合などは、酸化物の付着により冷却効果が低下していくため、単結晶毎に品質が異なり、それを補正する必要があった。
このように、本発明の単結晶製造装置は、前記メインチャンバ内の整流筒の外側にガス導入口を設置し、該整流筒の外側のガス導入口からも不活性ガスを流しているので、メインチャンバーの内壁面及び整流筒の外側の側面に酸化物が堆積するのを抑制することができ、単結晶からの輻射熱の冷却効果が時間の経過と共に低下するのを防ぐことができる。
このように、前記整流筒の外側に流す不活性ガスを前記メインチャンバの内壁面に沿うように誘導するじゃま板を具備していれば、メインチャンバーの内壁面に酸化物が堆積するのをより効果的に防ぐことができ、単結晶からの輻射熱の冷却効果が時間の経過と共に低下するのをより効果的に防ぐことができる。
このように、前記整流筒の外側に流す不活性ガスを前記整流筒の外側の側面に沿うように誘導するじゃま板を具備していれば、整流筒の外側の側面に酸化物が堆積するのをより効果的に防ぐことができ、単結晶からの輻射熱の冷却効果が時間の経過と共に低下するのをより効果的に防ぐことができる。
また、前記整流筒の外側に流す不活性ガスを前記メインチャンバの内壁面に沿うように誘導するじゃま板を具備し、かつ、前記整流筒の外側に流す不活性ガスを前記整流筒の外側の側面に沿うように誘導するじゃま板を具備していれば、メインチャンバの内壁面及び整流筒の外側の側面に酸化物が堆積するのをより一層効果的に防ぐことができ、単結晶からの輻射熱の冷却効果が時間の経過と共に低下するのをより一層効果的に防ぐことができる。
前記引上げチャンバのガス導入口から前記整流筒の内側に不活性ガスを流し、かつ、前記メインチャンバ内の整流筒の外側にガス導入口を設置し、該整流筒の外側のガス導入口からも不活性ガスを流しながら単結晶を製造することで、メインチャンバーの内壁面および整流筒の外側の側面に酸化物が堆積するのを抑制することができ、単結晶からの輻射熱の冷却効果が時間の経過と共に低下するのを防ぐことができる。
このように、前記整流筒の外側に流す不活性ガスを前記メインチャンバの内壁面に沿うように流すことで、メインチャンバーの内壁面に酸化物が堆積するのをより効果的に防ぐことができ、単結晶からの輻射熱の冷却効果が時間の経過と共に低下するのをより効果的に防ぐことができる。
このように、前記整流筒の外側に流す不活性ガスを前記整流筒の外側の側面に沿うように流すことで、整流筒の外側の側面に酸化物が堆積するのをより効果的に防ぐことができ、単結晶からの輻射熱の冷却効果が時間の経過と共に低下するのをより効果的に防ぐことができる。
また、前記整流筒の外側に流す不活性ガスを前記メインチャンバの内壁面に沿うように流し、かつ、前記整流筒の外側に流す不活性ガスを前記整流筒の外側の側面に沿うように流すことで、メインチャンバの内壁面及び整流筒の外側の側面に酸化物が堆積するのをより一層効果的に防ぐことができ、単結晶からの輻射熱の冷却効果が時間の経過と共に低下するのをより一層効果的に防ぐことができる。
そのことによって、特に1つのルツボから複数の単結晶を育成する際に、製造した単結晶の本数間差による、単結晶の成長条件の調整や次数間補正ロジック等を不要とすることができる。従って、操業を簡略化でき、安定した結晶品質を得ることができる。
従来のCZ法による単結晶の製造において、生産性の向上を図り、コストを低減させるためには、単結晶の成長速度を高速化することが一つの大きな手段であり、これを高速化するには、単結晶表面から放出される熱を効率的に除去すれば良いことが知られている。また、無欠陥結晶の製造においても、育成中の単結晶の冷却効果を高めることが重要である。
また、整流筒の外側の側面に関して言えば、特に石英部材を整流筒に設けた場合(例えば、育成中の単結晶の状態を確認するための石英窓板等)、前記と同様に該石英部材の外側の表面に前記酸化物が堆積すると、石英部材が曇ってしまうと同時に、石英部材が単結晶からの輻射をチャンバーへ効率良く通すことによって得られる冷却効果が低下するという問題があった。
図1に示すように、単結晶製造装置1は、原料融液5を収容するルツボ6、7、原料を加熱、融解するためのヒータ8などがメインチャンバ2内に格納され、メインチャンバ2上に連接された引上げチャンバ3の上部には、育成された単結晶4を引上げる引上げ機構(不図示)が設けられている。
また、炉内に発生した酸化物を炉外に排出する等を目的とし、引上げチャンバ3上部に設けられたガス導入口11からアルゴンガス等の不活性ガスが導入され、整流筒14の内側を通り引上げ中の単結晶4の近傍に整流され、原料融液5表面を通過してルツボ6、7の上端縁の上方を通過し、ガス流出口10から排出される。これにより、整流筒の内側、及びルツボの上端縁等に酸化物が堆積するのを防ぐことができるようになっている。
そして、単結晶4を育成する際には、種ホルダ13に取り付けられた種結晶12を原料融液5に浸漬した後、引上げ機構(不図示)により種結晶12を所望の方向に回転させながら静かにワイヤ15を巻き上げ、種結晶12の先端部に単結晶4を成長させているが、種結晶12を原料融液5に着液させた際に生じる転位を消滅させるため、一旦、成長初期の結晶を3〜5mm程度まで細く絞り、転位が抜けたところで径を所望の直径まで拡大して、目的とする品質の単結晶4を成長させていく。あるいは、前記種絞りを行わず、先端が尖った種結晶12を用いて、該種結晶12を原料融液5に静かに接触して所定径まで浸漬させてから引上げを行う無転位種付け法を適用して単結晶4を育成することもできる。
ここまでは従来の単結晶製造装置の構成と同様である。
このように、メインチャンバ内の整流筒の外側にガス導入口17が設置されており、該整流筒の外側のガス導入口17からも不活性ガスを流せば、メインチャンバの上部空間にガスが流通することになり、メインチャンバーの内壁面および整流筒の外側の側面に酸化物が堆積するのを防ぐことができ、単結晶からの輻射熱の冷却効果が時間の経過と共に低下するのを防ぐことができる。
図2に本発明で使用することができる前記じゃま板の一例の概略図を示す。
図2に示すように、じゃま板は、不活性ガスがメインチャンバの内壁面に沿って流れるように、メインチャンバの天井部で水平方向の外向きに開口した形状となっている。
ここで、図2に示すような、ガス噴出口20が円周方向に等間隔に設けられたガス噴出リング19を前記ガス導入口17に連設することができる。前記ガス噴出口20は、ガス噴出リング19の水平方向の外側(図2中の点線矢印の方向)に向けて設けられており、この方向にガスを噴出するようになっている。
また、前記メインチャンバ2の内壁面に沿って流すガスの流量は、前記引上げチャンバ3に設けられたガス導入口11から流すガスの流量の10%以上、3倍以下とするのが良い。前記10%以上の流量であれば、メインチャンバ2の内壁面に酸化物が堆積するのを防ぐ効果を確実に奏することができる。また、前記3倍以下の流量であれば、酸化物を原料融液5の方に逆流させて単結晶4の育成を阻害させるのを防ぐことができる。しかし、これらの条件はこれに限定されるわけではなく、炉内のサイズ等により適宜設定すれば良い。
図3に本発明で使用することができる前記じゃま板の一例の概略図を示す。
図3に示すように、じゃま板18’は、不活性ガスが整流筒14の外側の側面に沿って流れるように、整流筒14の垂直方向の下向きに開口した形状となっている。
このようなじゃま板18’により、整流筒14の外側に流す不活性ガスを前記整流筒14の外側の側面に沿うように誘導するので、整流筒14の外側の側面に酸化物が堆積するのをより効果的に防ぐことができ、単結晶4からの輻射熱の冷却効果が時間の経過と共に低下するのをより効果的に防ぐことができる。
このようなガス噴出リング19’とともにじゃま板18’を設置することで、前記整流筒14の外側の側面に沿って流れるガスを整流筒14の外周で均等に満遍なく流すことができ、整流筒14の外側の側面に酸化物が堆積するのをより効果的に防ぐことができる。しかし、本発明は、前記ガス噴出リング19’の有無に制限されるわけではない。
このように、前記整流筒の14外側に流す不活性ガスを前記メインチャンバ2の内壁面に沿うように誘導するじゃま板18を具備し、かつ、前記整流筒14の外側に流す不活性ガスを前記整流筒14の外側の側面に沿うように誘導するじゃま板18’を具備していれば、メインチャンバ2の内壁面及び整流筒14の外側の側面に酸化物が堆積するのをより一層効果的に防ぐことができ、単結晶4からの輻射熱の冷却効果が時間の経過と共に低下するのをより一層効果的に防ぐことができる。
あるいは、ガス噴出リングを2つ設け、メインチャンバ2の内壁面、及び整流筒14の外側の側面の双方に沿うようにガスを流すようにしても良い。いずれにしても、本発明は、前記ガス噴出リングの有無に制限されるわけではない。
このようにすることによって、メインチャンバ2の内壁面および整流筒14の外側の側面に酸化物が堆積するのを防ぐことができ、単結晶4からの輻射熱の冷却効果が時間の経過と共に低下するのを防ぐことができる。
このように、前記整流筒14の外側に流す不活性ガスを前記メインチャンバ2の内壁面に沿うように流すことで、メインチャンバ2の内壁面に酸化物が堆積するのをより効果的に防ぐことができ、単結晶4からの輻射熱の冷却効果が時間の経過と共に低下するのをより効果的に防ぐことができる。
このように、前記整流筒14の外側に流す不活性ガスを前記整流筒14の外側の側面に沿うように流すことで、整流筒14の外側の側面に酸化物が堆積するのをより効果的に防ぐことができ、単結晶4からの輻射熱の冷却効果が時間の経過と共に低下するのをより効果的に防ぐことができる。
このようにして、本発明の単結晶の製造方法を用いて、1つのルツボから複数の単結晶を製造するいわゆるマルチプーリングを行う場合、次数の進行に伴って単結晶からの輻射熱の冷却効果が低下するのを防ぐことができるので、全く同じ条件で各結晶を引き上げることができ、次数毎の単結晶の成長条件の調整や次数間補正ロジック等を不要とすることができる。従って、操業を簡略化でき、安定した結晶品質を得ることができる。
そのことによって、特に1つのルツボから複数の単結晶を育成する際に、製造した単結晶の本数間差による、単結晶の成長条件の調整や次数間補正ロジック等が不要とすることができる。従って、操業を簡略化でき、安定した結晶品質を得ることができる。
図1に示すような単結晶製造装置を用い、直径12インチ(300mm)のシリコン単結晶を磁場印加チョクラルスキー法(MCZ法)により製造した。ルツボ6の直径は32インチ(800mm)とした。また、ガス導入口17から流入したアルゴンガスの流量は、ガス導入口11から流入したアルゴンガスのガス量に比較して10%の流量とした。また、図2に示すようなじゃま板18とガス噴出リング19を設け、整流筒14の外側に流すアルゴンガスをメインチャンバ2の内壁面に沿うように流した。
このとき、引き上げた1本目と3本目の単結晶からサンプルを切り出し、無欠陥結晶になったかどうかを、選択エッチングにより確認した。
その結果、1本目の単結晶は狙った部分が全て無欠陥結晶となったが、3本目の単結晶には欠陥が検出された。無欠陥の割合は約3割であり、比較例より良好な結果となっていることが確認できた。
前記図1のガス導入口17から流入したアルゴンガスの流量をガス導入口11から流入したアルゴンガスのガス量に比較して2倍の流量とした以外は、実施例1と同様な条件で単結晶を製造し、実施例1と同様な評価を行った。
その結果、1本目の結晶は狙った部分が全て無欠陥結晶となったが、3本目の結晶は一部に欠陥が検出された。無欠陥の割合は約8割であった。比較例および実施例1より良好な結果となっていることが確認できた。
図4に示すような単結晶製造装置を用い、直径12インチ(300mm)のシリコン単結晶を磁場印加チョクラルスキー法(MCZ法)により製造した。ルツボ6の直径は32インチ(800mm)とした。また、ガス導入口17から流入したアルゴンガスの流量は、ガス導入口11から流入したアルゴンガスのガス量に比較して同一の流量とした。また、図3に示すようなじゃま板18’とガス噴出リング19’を設け、整流筒14の外側に流すアルゴンガスを整流筒14の外側の側面に沿うように流した。
その結果、1本目の結晶は狙った部分が全て無欠陥結晶となったが、3本目の結晶は一部に欠陥が検出された。無欠陥の割合は約5割であり、比較例より良好な結果となっていることが確認できた。
図5に示すような単結晶製造装置を用い、ガス導入口17からメインチャンバ2の内壁面側に沿って流したアルゴンガスの流量をガス導入口11から流入したアルゴンガスのガス量に比較して2倍の流量とし、ガス導入口17から整流筒14の外側の側面に沿って流したアルゴンガスの流量をガス導入口11から流入したアルゴンガスのガス量に比較して同一の流量とした以外、実施例1と同様の条件で単結晶を製造し、実施例1と同様の評価を行った。
その結果、1本目と3本目の結晶共に狙った部分が全て無欠陥結晶となった。
これにより、比較例、実施例2、及び実施例3より良好な結果となっていることが確認できた。
図6に示すような従来の単結晶製造装置を用いたこと以外は実施例1と同じ条件で単結晶を製造し、実施例1と同様の評価を行った。その結果、1本目の結晶は狙った部分が全て無欠陥結晶となったが、3本目の結晶は全く無欠陥結晶が得られなかった。
3本目の単結晶の成長速度を1本目に比較して約2%低下させた以外、比較例と同様の条件で単結晶を製造し、比較例と同様の評価を行った。
その結果、1本目と3本目の単結晶共に狙った部分が全て無欠陥結晶となった。
このことにより、比較例において、3本目の単結晶を製造するまでにメインチャンバ等に酸化物が堆積し、単結晶からの輻射熱の冷却効果が低下していることが確認できた。
これに対して、本発明では、実施例4のように、本発明は引上げ速度を低下させることなく、無欠陥結晶を育成できることが判る。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
4…単結晶、5…原料融液、6、7…ルツボ、
8…ヒータ、9…断熱部材、10…ガス流出口、
11、17…ガス導入口、12…種結晶、13…種ホルダ、
14…整流筒、15…ワイヤ、16…ルツボ回転軸、
18、18’…じゃま板、19、19’…ガス噴出リング、20、20’…ガス噴出口。
Claims (6)
- 少なくとも、原料融液を収容するルツボ及び前記原料融液を加熱するヒータを格納するメインチャンバと、該メインチャンバの上部に連設され、成長した単結晶が引き上げられて収容される引上げチャンバと、前記引上げチャンバに設けられたガス導入口と、前記メインチャンバの天井部から下方に延設される整流筒を有したチョクラルスキー法による単結晶製造装置であって、前記メインチャンバ内の整流筒の外側にガス導入口を設置し、該整流筒の外側のガス導入口から不活性ガスを流すものであることを特徴とする単結晶製造装置。
- 前記整流筒の外側に流す不活性ガスを前記メインチャンバの内壁面に沿うように誘導するじゃま板を具備する請求項1に記載の単結晶製造装置。
- 前記整流筒の外側に流す不活性ガスを前記整流筒の外側の側面に沿うように誘導するじゃま板を具備する請求項1または請求項2に記載の単結晶製造装置。
- 少なくとも、原料融液を収容するルツボ及び前記原料融液を加熱するヒータを格納するメインチャンバと、該メインチャンバの上部に連設され、成長した単結晶が引き上げられて収容される引上げチャンバと、前記引上げチャンバに設けられたガス導入口と、前記メインチャンバの天井部から下方に延設される整流筒を有したチョクラルスキー法による単結晶製造装置を用いた単結晶の製造方法であって、前記引上げチャンバのガス導入口から前記整流筒の内側に不活性ガスを流し、かつ、前記メインチャンバ内の整流筒の外側にガス導入口を設置し、該整流筒の外側のガス導入口から不活性ガスを流しながら単結晶を製造する単結晶の製造方法。
- 前記整流筒の外側に流す不活性ガスを前記メインチャンバの内壁面に沿うように流すことを特徴とする請求項4に記載の単結晶の製造方法。
- 前記整流筒の外側に流す不活性ガスを前記整流筒の外側の側面に沿うように流すことを特徴とする請求項4または請求項5に記載の単結晶の製造方法。
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