JP6096653B2 - シリコン鋳造用鋳型およびその製造方法 - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 57
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 57
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 57
- 238000005266 casting Methods 0.000 title claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 107
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 104
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 95
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 90
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 60
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 60
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 8
- 238000004438 BET method Methods 0.000 claims description 4
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 18
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 17
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 11
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 11
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 8
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 2
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 2
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 2
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 2
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000004931 aggregating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052910 alkali metal silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000567 combustion gas Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N diazene Chemical compound N=N RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000071 diazene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002440 industrial waste Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Mold Materials And Core Materials (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Description
第1の酸化珪素の平均粒径<窒化珪素の平均粒径<第2の酸化珪素の平均粒径
また、本発明の一形態に係るシリコン鋳造用鋳型の製造方法は、鋳型の内側表面に、下記式を満足する第1の酸化珪素、第2の酸化珪素および窒化珪素を含んでいる離型材層を設ける。
第1の酸化珪素の平均粒径<窒化珪素の平均粒径<第2の酸化珪素の平均粒径
1の酸化珪素粉末が取り巻くように存在する。これにより、窒化珪素粉末同士を強く結合することができて、離型材が剥離してシリコン融液中に混入するのを低減できる。
積基準で測定した結果から求めることができる、例えば、平均粒径は測定対象となる粒子径(最小粒子径:d1、最大粒子径:dn+1)の測定範囲をn分割したそれぞれの粒子径区間の代表粒子径Diと、 それぞれの粒子径区間に対応する粒度分布比率Yiとの積
の総和の式、すなわち、Σ[i=1,n]Di・Yiから求めることができる。
2:離型材層
101:底部材
102:側部材
201:窒化珪素
201a:酸化珪素皮膜
202:酸化珪素
202a:第1の酸化珪素
202b:第2の酸化珪素
Claims (7)
- 鋳型の内側表面に離型材層を設けたシリコン鋳造用鋳型であって、
前記離型材層は、下記式を満足する第1の酸化珪素、第2の酸化珪素および窒化珪素を含んでいるシリコン鋳造用鋳型。
第1の酸化珪素の平均粒径<窒化珪素の平均粒径<第2の酸化珪素の平均粒径 - 前記第1の酸化珪素、前記第2の酸化珪素および前記窒化珪素のそれぞれの平均粒径は粒度分布測定法によって判別されて、前記第1の酸化珪素の平均粒径を示すピークと前記第2の酸化珪素の平均粒径を示すピークとの間に前記窒化珪素の平均粒径を示すピークが存在する請求項1に記載のシリコン鋳造用鋳型。
- 前記鋳型が黒鉛製である請求項1または2に記載のシリコン鋳造用鋳型。
- 前記第1の酸化珪素の平均粒径が0.3μm以下、前記第2の酸化珪素の平均粒径が10μm以上50μm以下であり、
前記離型材層における前記第1の酸化珪素の含有量は、前記離型材層に含まれる酸化珪素の総質量を100質量部とした場合に1質量部以上10質量部以下であり、
かつ、前記離型材層における前記窒化珪素の含有量は、前記離型材層に含まれる酸化珪素の総質量を100質量部とした場合に100質量部以上300質量部以下である請求項1乃至3のいずれかに記載のシリコン鋳造用鋳型。 - 前記第1の酸化珪素が非晶質である請求項1乃至4のいずれかに記載のシリコン鋳造用鋳型。
- 前記第1の酸化珪素はBET法による比表面積が10m2/g以上300m2/g以下である請求項1乃至5のいずれかに記載のシリコン鋳造用鋳型。
- 鋳型の内側表面に、下記式を満足する第1の酸化珪素、第2の酸化珪素および窒化珪素を含んでいる離型材層を設けるシリコン鋳造用鋳型の製造方法。
第1の酸化珪素の平均粒径<窒化珪素の平均粒径<第2の酸化珪素の平均粒径
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013265727A JP6096653B2 (ja) | 2012-12-28 | 2013-12-24 | シリコン鋳造用鋳型およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012286791 | 2012-12-28 | ||
JP2012286791 | 2012-12-28 | ||
JP2013265727A JP6096653B2 (ja) | 2012-12-28 | 2013-12-24 | シリコン鋳造用鋳型およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014141399A JP2014141399A (ja) | 2014-08-07 |
JP6096653B2 true JP6096653B2 (ja) | 2017-03-15 |
Family
ID=51423050
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013265727A Expired - Fee Related JP6096653B2 (ja) | 2012-12-28 | 2013-12-24 | シリコン鋳造用鋳型およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6096653B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI595124B (zh) * | 2016-07-18 | 2017-08-11 | 綠能科技股份有限公司 | 多晶矽鑄錠的製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3450109B2 (ja) * | 1995-12-27 | 2003-09-22 | 京セラ株式会社 | シリコンの鋳造法 |
JP4025671B2 (ja) * | 2003-03-27 | 2007-12-26 | 京セラ株式会社 | シリコン鋳造用鋳型の製造方法 |
PL1745164T3 (pl) * | 2004-04-29 | 2008-11-28 | Vesuvius Crucible Co | Tygiel do krystalizacji krzemu |
JP5153636B2 (ja) * | 2006-08-30 | 2013-02-27 | 京セラ株式会社 | シリコンインゴット製造用鋳型の形成方法、太陽電池素子用基板の製造方法、および太陽電池素子の製造方法 |
-
2013
- 2013-12-24 JP JP2013265727A patent/JP6096653B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014141399A (ja) | 2014-08-07 |
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A621 | Written request for application examination |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
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|
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