JP2014525384A - 優れた硬度の窒化ケイ素含有剥離層 - Google Patents
優れた硬度の窒化ケイ素含有剥離層 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014525384A JP2014525384A JP2014527567A JP2014527567A JP2014525384A JP 2014525384 A JP2014525384 A JP 2014525384A JP 2014527567 A JP2014527567 A JP 2014527567A JP 2014527567 A JP2014527567 A JP 2014527567A JP 2014525384 A JP2014525384 A JP 2014525384A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating
- sio
- dopant
- release layer
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 66
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 65
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 169
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 162
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims abstract description 84
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 64
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 46
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 40
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 11
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 70
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 50
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 38
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 37
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 33
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 32
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 22
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 20
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 15
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 13
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 claims description 13
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 11
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 11
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 150000003388 sodium compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 4
- 239000002671 adjuvant Substances 0.000 claims description 3
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 claims description 2
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 87
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 20
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 8
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 5
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 5
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 4
- 229940098458 powder spray Drugs 0.000 description 4
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 3
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012700 ceramic precursor Substances 0.000 description 2
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ADMWVBXCJSMQLF-UHFFFAOYSA-N C(C)O.[Si] Chemical class C(C)O.[Si] ADMWVBXCJSMQLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920013683 Celanese Polymers 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910000288 alkali metal carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008041 alkali metal carbonates Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000008275 binding mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 238000005816 glass manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 1
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 1
- 238000007542 hardness measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002354 inductively-coupled plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- RLQWHDODQVOVKU-UHFFFAOYSA-N tetrapotassium;silicate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[K+].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] RLQWHDODQVOVKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B14/00—Crucible or pot furnaces
- F27B14/08—Details peculiar to crucible or pot furnaces
- F27B14/10—Crucibles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1212—Zeolites, glasses
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
- C23C18/1262—Process of deposition of the inorganic material involving particles, e.g. carbon nanotubes [CNT], flakes
- C23C18/127—Preformed particles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
- C23C18/1275—Process of deposition of the inorganic material performed under inert atmosphere
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B35/002—Crucibles or containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
- H01L31/182—Special manufacturing methods for polycrystalline Si, e.g. Si ribbon, poly Si ingots, thin films of polycrystalline Si
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B14/00—Crucible or pot furnaces
- F27B14/08—Details peculiar to crucible or pot furnaces
- F27B14/10—Crucibles
- F27B2014/104—Crucible linings
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
【選択図】なし
Description
石英、グラファイト又はセラミック製の溶融るつぼで、その溶融るつぼが、固化しつつある非鉄金属融解物(例えばシリコン融解物)に接触した後に、溶融るつぼと非鉄金属との間の付着を防ぐ目的での窒化ケイ素層を備えたものは、欧州特許第963 464 B1号で知られており、ここにおいてこの層は、高純度窒化ケイ素粉末からなる。これらの粉末コーティングは、溶融るつぼを使用する前にユーザーが直接適用し、高純度の窒化ケイ素粉末を溶媒中に分散させ、次いでそれをるつぼ上に適用(例えば懸濁液をスプレー)することによって作製される。溶媒、及び所望により使用される有機結合剤成分は、熱による後処理によって除去しなければならない。欧州特許第963 464 B1号の窒化ケイ素層は粉末であり、接触に対して耐性ではなく機械的に不安定であるという欠点を有する。この層は低硬度であり、るつぼ基材に対する接着強度は不良である。不良な機械的特性のため、この層は、輸送中に不安定であるという欠点を有し、よってエンドユーザーに届いてから1回だけ適用することができる(国際特許第2007/039310 A1号の[0009]項を参照)。更に、この層には、シリコンインゴット中への窒化ケイ素のキャリーオーバーが生じ、及び、シリコン片を充填しているときに、コーティングに欠陥が生じる可能性がある、という欠点がある。
a)Si3N4及びSiO2系結合剤と、しっかりと接着する剥離層を作製するための融剤を含むコーティング懸濁液の形態のドーパントとを提供する工程、
b)基材を提供する工程、
c)その基材にコーティング懸濁液を適用する工程、及び
d)高温で焼結することにより、適用されたコーティング懸濁液を硬化させ、これによりしっかりと接着する剥離層を形成する工程、を含む。
a)Si3N4及びSiO2系結合剤と、しっかりと接着する剥離層を作製するための融剤を含むコーティング懸濁液の形態のドーパントとを提供する工程、
b)基材を提供する工程、
c)その基材にコーティング懸濁液を適用する工程、並びに
d)高温で焼結することにより、適用されたコーティング懸濁液を硬化させ、これによりしっかりと接着する剥離層を形成する工程。
1)SiO2系結合剤原材料、分散媒体、及びドーパントを混合することにより、前駆体Aを作製する工程、
2)窒化ケイ素粉末及び所望により補助剤を前駆体A中に分散させることにより、コーティング懸濁液を作製する工程。
1)ドーパントを分散媒体中に沈殿させ、そのドーピングされた分散媒体に窒化ケイ素粉末を分散させて、一緒に共破砕することにより、前駆体Bを作製する工程、
2)前駆体Bを、SiO2系結合剤原材料、及び所望により補助剤と一緒に共破砕することで、均質化することによって、コーティング懸濁液を作製する工程。
ブリネル硬度測定:
コーティングの硬度は、DIN EN ISO 6506−1により、ボール直径2.5mm、加重3kgを用い、ブリネル硬度を測定した。
接着強度は、コーティングされたサンプルの焼結済みコーティングに接着されたプレートを引き剥がすのに必要な力を計測することによって測定された(接着表面積500mm2)。プレートは2液型エポキシ樹脂接着剤を用いて接着された。この接着剤は、その高粘性により、最高50〜80μmまでコーティングに浸透した。接着強度は、層表面に対して垂直に測定された(単位N/mm2)。試験されたコーティング済みサンプルの層厚さは、150〜250μmの範囲であった。
コーティングは窒化ケイ素スクレイパーで除去し、このようにして得られた粉末を、乾燥させずに分析に使用した。合計酸素含有量は、担体ガス高温抽出によって測定された。ナトリウム含有量は、電熱気化誘導結合プラズマ発光分光分析(ETV−ICP−OES)によって測定した。
50重量%の窒化ケイ素粉末(UBE E10)をエタノール中で均質化する。この懸濁液を、きれいでダストのない、乾燥した溶融シリカるつぼに適用する。フローコーティングによるるつぼのコーティングは、コーティング厚さ150〜200μmですでに乾燥時にコーティングにクラックが形成され、これによりコーティングの焼結前にコーティングの多大な剥落が生じたため、不可能である。適用前にるつぼをエタノールで湿潤させても、この効果を防ぐことはできなかった。2% PVA Celvol E 04/88(Celanese Emulsions GmbH)をこのエタノール窒化ケイ素懸濁液に添加した場合であっても、フローコーティングで適用を実施した場合に、厚さ>250μmの無クラック層を達成することはできない。表1は、コーティングの酸素含有量を示す。これは、硬度を測定することは不可能であった。
50重量%の窒化ケイ素粉末(UBE E10)をエタノール中で均質化する。この懸濁液を、きれいでダストのない、乾燥した溶融シリカるつぼに適用する。コーティングを、スプレーにより適用する。コーティング厚さ約200μmですでにコーティングにクラックが形成されたため、この懸濁液のウェット・オン・ウェットスプレーは不可能であることが見出された。コーティングはパウダースプレーにより適用する。
国際公開第2007/039310 A1号、実施例1bに従って、コーティング懸濁液が作製された。このコーティングをパウダースプレー又はフローコーティングで適用し、500℃(3a)及び750℃(3b)で焼結した。
ドイツ特許第10 2005 050 593 A1号に従って、コーティングが作製される。
ドイツ特許第10 2005 050 593 A1号に従って、コーティングが作製される。
ドイツ特許第10 2007 053 284 A1号に従って、コーティングが作製される。
12gのナトリウム水ガラス(固形物8%、超純度)を、462gのエタノール中に、激しく撹拌しながら滴下で沈殿させた。この懸濁液で、1150gの窒化ケイ素粉末(HC Starck、M11 h.p.、粗目、d50=1.9μm、Mastersizer 2000(Malvern)で測定)を、PE容器中のローラーブロック上で6時間、窒化ケイ素破砕ボールを用いて均質化して、コーティング懸濁液を作製する。コーティング懸濁液の合計固形物含有量に基づいて、ナトリウム200ppmでドーピングを実施する。懸濁液の合計固形物含有量は66重量%である。コーティング懸濁液を、溶融シリカるつぼに1回のフローコーティングで適用し、層厚さ約200μmとする。この層を空気中で24時間乾燥させ、その後、加熱及び冷却速度2.3℃/分で、1100℃で1時間焼結させる。このコーティングは接触に対して耐性ではない。
1090gの窒化ケイ素粉末(HC Starck、M11 h.p.、粗目、d50=1.9μm、Mastersizer 2000(Malvern)で測定)を、462gのエタノールに入れ、PE容器中のローラーブロック上で6時間、窒化ケイ素破砕ボールを用いて均質化する。174gのInosil S−P(Inosil S−P 38、Inomat、Germany)を加え、乾燥と熱分解(灰含有量)の後に生じる34.5重量%のSiO2固形物と共に、更に4時間均質化することによって、コーティング懸濁液が形成される。コーティング懸濁液内の結合剤由来の、結果として得られるSiO2固形含有量は、5重量%である。懸濁液の合計固形物含有量は、結合剤の灰含有量に対して66重量%である(乾燥及び熱分解後)。コーティング懸濁液を、溶融シリカるつぼに1回のフローコーティングで適用し、層厚さ180μmとする。この層を空気中で24時間乾燥させ、その後、加熱及び冷却速度2.3℃/分で、1100℃で1時間焼結させる。このコーティングは接触に対して耐性ではない。
比較実施例3を繰り返し、ただし結合剤含有量を4重量%に減らした。コーティングをパウダースプレーにより適用し、500℃で焼結させた。
12gのナトリウム水ガラス(固形物8%、超純度)を、462gのエタノール中に、激しく撹拌しながら滴下で沈殿させた。この懸濁液で、1090gの窒化ケイ素粉末(HC Starck、M11 h.p.、粗目、d50=1.9μm、Mastersizer 2000(Malvern)で測定)を、PE容器中のローラーブロック上で2時間、窒化ケイ素破砕ボールを用いて均質化する。174gのInosil S−P(タイプInosil S−P 38、Inomat GmbH、乾燥と熱分解の後に生じる34.5重量%のSiO2)を加え、更に4時間均質化することによって、コーティング懸濁液が形成される。コーティング懸濁液内の結合剤由来の、結果として得られるSiO2固形含有量は、5重量%である。結合剤の熱分解後、コーティング懸濁液の合計固形物含有量に対して200ppmのナトリウムで、ドーピングを行う。懸濁液の合計固形物含有量は、結合剤の灰含有量に対して66重量%である(乾燥及び熱分解後)。
本発明による更なる実施例が、結合剤及びドーパントの様々な割合を用い、様々な温度で焼結させて、実施例1と同様にして行われた。表1に、試験結果を示す。
Claims (20)
- しっかりと接着する剥離層を有する基材を含み、前記剥離層は、92〜98重量%の窒化ケイ素(Si3N4)及び2〜8重量%の二酸化ケイ素(SiO2)を含み、かつ、≦8重量%の合計酸素含有量、及びDIN EN ISO 6506−1により、少なくとも10HB 2.5/3の硬度を有する、成形物品。
- 前記剥離層が、融剤の形態でのドーパントの残留含有量を更に含む、請求項1に記載の成形物品。
- 前記ドーパントが、アルカリ金属化合物、好ましくはナトリウム化合物を含む、請求項2に記載の成形物品。
- 前記ドーパントの割合が、前記剥離層のアルカリ金属含有量として表わした場合、最高150ppm、好ましくは最高50ppmである、請求項3に記載の成形物品。
- 前記剥離層の合計酸素含有量が<5重量%である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の成形物品。
- 前記剥離層が、94〜98重量%のSi3N4及び2〜6重量%のSiO2、好ましくは>95〜97重量%のSi3N4及び3〜<5重量%のSiO2を含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の成形物品。
- 前記剥離層の硬度が、DIN EN ISO 6506−1により、少なくとも15HBW 2.5/3、好ましくは少なくとも20HBW 2.5/3である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の成形物品。
- 前記基材が、セラミックスからなり、好ましくはSiO2(溶融シリカ)からなる、請求項1〜7のいずれか一項に記載の成形物品。
- 下記の工程:
a)Si3N4及びSiO2系結合剤と、しっかりと接着する剥離層を作製するための融剤を含むコーティング懸濁液の形態のドーパントとを提供する工程、
b)基材を提供する工程、
c)前記基材に前記コーティング懸濁液を適用する工程、並びに
d)高温で焼結することにより、前記適用されたコーティング懸濁液を硬化させ、これによりしっかりと接着する剥離層を形成する工程、を含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載の成形物品を作製するための方法。 - 前記工程a)が、下記のサブ工程:
1)SiO2系結合剤原材料、分散媒体、及び前記ドーパントを混合することにより、前駆体Aを作製する工程、
2)窒化ケイ素粉末及び所望により補助剤を前記前駆体A中に分散させることにより、前記コーティング懸濁液を作製する工程、を含む、請求項9に記載の方法。 - 前記工程a)が、下記のサブ工程:
1)前記ドーパントを分散媒体中に沈殿させ、ドーピングされた分散媒体に窒化ケイ素粉末を分散させて、一緒に共破砕することにより、前駆体Bを作製する工程、
2)前記前駆体Bを、前記SiO2系結合剤原材料、及び所望により補助剤と一緒に共破砕することで、均質化することによって、前記コーティング懸濁液を作製する工程、を含む、請求項9に記載の方法。 - 前記コーティング懸濁液が、固体粒子と前記ドーパントとの懸濁液を含み、前記固体粒子が、88〜98重量%の窒化ケイ素、及び2〜12重量%のSiO2系結合剤とを含む、請求項10又は11に記載の方法。
- 前記SiO2系結合剤が、粒子状SiO2、及び/又は、300℃超の温度で焼結することによりSiO2を形成する化合物からなる、請求項9〜12のいずれか一項に記載の化合物。
- 前記窒化ケイ素が、0.5〜20μm、好ましくは1〜5μm、特に好ましくは1.5〜3μmの範囲の平均粒径又は粒塊寸法(d50)を有する、請求項9〜13のいずれか一項に記載の方法。
- 前記コーティング懸濁液の前記ドーパントが、アルカリ金属化合物、好ましくはナトリウム化合物を含む、請求項9〜14のいずれか一項に記載の方法。
- 前記コーティング懸濁液のアルカリ金属含有量が、30〜500ppm、より好ましくは50〜400ppm、特に好ましくは80〜300ppmであり、前記ドーパントの量は、前記結合剤の熱分解後に前記コーティング懸濁液の合計固形物含有量に基づく、請求項15に記載の方法。
- 前記ドーパントが、不溶性又は難溶性の化合物として前記コーティング懸濁液中に存在する、請求項9〜16のいずれか一項に記載の方法。
- 前記工程d)の硬化が、前記コーティングを、空気中又は低酸素分圧下において、300〜1300℃、好ましくは900〜1200℃、より好ましくは1000〜1100℃で焼結することにより実施される、請求項9〜17のいずれか一項に記載の方法。
- 分散媒体中での、固体粒子と、融剤の形態でのドーパントとの懸濁液を含み、前記固体粒子は、88〜98重量%のSi3N4、及び2〜12重量%のSiO2系結合剤を含む、請求項9に記載の成形物品を作製するための方法に使用するためのコーティング懸濁液。
- 腐食性非鉄金属融解物分野における、請求項1〜8のいずれか一項に記載の成形物品の使用で、特に、シリコン融解物作製のための溶融るつぼの形態での成形物品の使用。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161529552P | 2011-08-31 | 2011-08-31 | |
US61/529,552 | 2011-08-31 | ||
PCT/EP2012/065182 WO2013029920A1 (de) | 2011-08-31 | 2012-08-02 | Siliziumnitridhaltige trennschicht hoher härte |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017125061A Division JP2018008870A (ja) | 2011-08-31 | 2017-06-27 | 優れた硬度の窒化ケイ素含有剥離層 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014525384A true JP2014525384A (ja) | 2014-09-29 |
JP2014525384A5 JP2014525384A5 (ja) | 2016-04-14 |
Family
ID=46690481
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014527567A Pending JP2014525384A (ja) | 2011-08-31 | 2012-08-02 | 優れた硬度の窒化ケイ素含有剥離層 |
JP2017125061A Withdrawn JP2018008870A (ja) | 2011-08-31 | 2017-06-27 | 優れた硬度の窒化ケイ素含有剥離層 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017125061A Withdrawn JP2018008870A (ja) | 2011-08-31 | 2017-06-27 | 優れた硬度の窒化ケイ素含有剥離層 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9625213B2 (ja) |
EP (1) | EP2751302B1 (ja) |
JP (2) | JP2014525384A (ja) |
KR (1) | KR20140060549A (ja) |
CN (1) | CN103827351B (ja) |
MY (1) | MY165455A (ja) |
WO (1) | WO2013029920A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017523112A (ja) * | 2014-07-09 | 2017-08-17 | ベスビウス フランス ソシエテ アノニム | 摩耗性コーティングを含むロール |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3019189B1 (fr) * | 2014-03-31 | 2018-07-27 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Creuset, procede de fabrication du creuset, et procede de fabrication d'un materiau cristallin au moyen d'un tel creuset |
DE102015216734A1 (de) * | 2015-09-02 | 2017-03-02 | Alzchem Ag | Tiegel zur Herstellung von Silicium-Ingots, Verfahren zu dessen Herstellung sowie Silicium-Ingot |
TW201731782A (zh) | 2015-12-18 | 2017-09-16 | 何瑞斯廓格拉斯公司 | 在多腔式爐中製備石英玻璃體 |
US11952303B2 (en) | 2015-12-18 | 2024-04-09 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Increase in silicon content in the preparation of quartz glass |
EP3390304B1 (de) | 2015-12-18 | 2023-09-13 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Sprühgranulieren von siliziumdioxid bei der herstellung von quarzglas |
KR20180095622A (ko) | 2015-12-18 | 2018-08-27 | 헤래우스 크바르츠글라스 게엠베하 & 컴파니 케이지 | 내화성 금속으로 제조된 용융 도가니에서 실리카 유리 제품의 제조 |
JP6881776B2 (ja) | 2015-12-18 | 2021-06-02 | ヘレウス クワルツグラス ゲーエムベーハー ウント コンパニー カーゲー | 不透明石英ガラス体の調製 |
JP7044454B2 (ja) | 2015-12-18 | 2022-03-30 | ヘレウス クワルツグラス ゲーエムベーハー ウント コンパニー カーゲー | 石英ガラス調製時の中間体としての炭素ドープ二酸化ケイ素造粒体の調製 |
KR20180095616A (ko) | 2015-12-18 | 2018-08-27 | 헤래우스 크바르츠글라스 게엠베하 & 컴파니 케이지 | 용융 가열로에서 이슬점 조절을 이용한 실리카 유리체의 제조 |
KR20180094087A (ko) | 2015-12-18 | 2018-08-22 | 헤래우스 크바르츠글라스 게엠베하 & 컴파니 케이지 | 실리카 과립으로부터 실리카 유리 제품의 제조 |
CN107400922A (zh) * | 2017-07-18 | 2017-11-28 | 镇江仁德新能源科技有限公司 | 一种石英坩埚涂层及其制备方法和用途 |
KR102373824B1 (ko) * | 2017-09-06 | 2022-03-15 | 삼성전자주식회사 | 조리장치 및 그 제조방법 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0717728A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-01-20 | Canon Inc | 光学素子成形用型 |
JP2011507981A (ja) * | 2007-11-08 | 2011-03-10 | イーエスケイ セラミクス ゲーエムベーハー アンド カンパニー カーゲー | 強固に接着する窒化ケイ素含有剥離層 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998035075A1 (de) | 1997-02-06 | 1998-08-13 | Bayer Aktiengesellschaft | Mit siliciumschutzschichten versehene schmelztiegel, ein verfahren zum aufbringen der siliciumschutzschicht und deren verwendung |
ATE398196T1 (de) * | 2004-04-29 | 2008-07-15 | Vesuvius Crucible Co | Tiegel für die kristallisation von silicium |
TWI400369B (zh) * | 2005-10-06 | 2013-07-01 | Vesuvius Crucible Co | 用於矽結晶的坩堝及其製造方法 |
DE102005050593A1 (de) * | 2005-10-21 | 2007-04-26 | Esk Ceramics Gmbh & Co. Kg | Dauerhafte siliciumnitridhaltige Hartbeschichtung |
DE102006003819A1 (de) | 2006-01-26 | 2007-08-02 | Wacker Chemie Ag | Keramischer Formkörper mit hochreiner Si3N4-Beschichtung, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung |
CN101508590B (zh) * | 2009-03-20 | 2012-07-04 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种多晶硅铸锭用坩埚涂层以及制备方法 |
CN201857440U (zh) | 2010-11-02 | 2011-06-08 | 上海普罗新能源有限公司 | 太阳能级多晶硅提纯铸锭用的坩埚 |
-
2012
- 2012-08-02 MY MYPI2014000512A patent/MY165455A/en unknown
- 2012-08-02 US US14/342,001 patent/US9625213B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-08-02 WO PCT/EP2012/065182 patent/WO2013029920A1/de active Application Filing
- 2012-08-02 JP JP2014527567A patent/JP2014525384A/ja active Pending
- 2012-08-02 CN CN201280042094.8A patent/CN103827351B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-08-02 KR KR1020147008143A patent/KR20140060549A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-08-02 EP EP12748180.2A patent/EP2751302B1/de not_active Not-in-force
-
2017
- 2017-06-27 JP JP2017125061A patent/JP2018008870A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0717728A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-01-20 | Canon Inc | 光学素子成形用型 |
JP2011507981A (ja) * | 2007-11-08 | 2011-03-10 | イーエスケイ セラミクス ゲーエムベーハー アンド カンパニー カーゲー | 強固に接着する窒化ケイ素含有剥離層 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017523112A (ja) * | 2014-07-09 | 2017-08-17 | ベスビウス フランス ソシエテ アノニム | 摩耗性コーティングを含むロール |
US10703678B2 (en) | 2014-07-09 | 2020-07-07 | Vesuvius France, S.A. | Roll comprising an abradable coating |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103827351A (zh) | 2014-05-28 |
KR20140060549A (ko) | 2014-05-20 |
CN103827351B (zh) | 2017-03-08 |
JP2018008870A (ja) | 2018-01-18 |
US20140272748A1 (en) | 2014-09-18 |
EP2751302A1 (de) | 2014-07-09 |
EP2751302B1 (de) | 2017-05-31 |
US9625213B2 (en) | 2017-04-18 |
MY165455A (en) | 2018-03-22 |
WO2013029920A1 (de) | 2013-03-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2018008870A (ja) | 優れた硬度の窒化ケイ素含有剥離層 | |
RU2401889C2 (ru) | Тигель для кристаллизации кремния и способ его изготовления | |
JP5209195B2 (ja) | 窒化ケイ素を含有する耐久性ハードコーティング | |
TWI461492B (zh) | 含四氮化三矽的膠粘劑、成型體、成型體的製造方法以及成型體的用途 | |
US9458551B2 (en) | Coated crucibles and methods for applying a coating to a crucible | |
KR101213928B1 (ko) | 실리콘의 결정화용 도가니 | |
EP3330240B1 (fr) | Procede pour la siliciuration surfacique de graphite | |
JP5875529B2 (ja) | シリコン融液接触部材、その製法、および結晶シリコンの製造方法 | |
US8664135B2 (en) | Crucible body and method of forming same | |
JP2012533507A5 (ja) | ||
JP2014525384A5 (ja) | ||
KR20110069043A (ko) | 실리콘 카바이드계 비-접착 코팅을 형성하기 위한 공정 | |
JP2010280529A (ja) | 多結晶シリコン製造用ルツボの製造方法 | |
JP5130323B2 (ja) | 多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器及びその製造方法 | |
KR102062107B1 (ko) | 내열성 기지에 발생되는 크랙의 치유 및 방염이 가능한 도포제 및 상기 도포제를 이용한 도포방법 | |
JP6355096B2 (ja) | 撥液性複合部材 | |
KR100610821B1 (ko) | 리퀴드 메탈 잉곳 주조용 흑연도가니의 표면처리방법 및 슬립조성물 | |
EP2738141A1 (en) | Polysilicon receptacle | |
JP4911607B2 (ja) | シリコン鋳造用鋳型およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150602 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151126 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20151203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160119 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under section 19 (pct) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20160222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160802 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161027 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170228 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20170608 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170627 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20170613 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20170707 |
|
A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20170901 |