TWI461492B - 含四氮化三矽的膠粘劑、成型體、成型體的製造方法以及成型體的用途 - Google Patents

含四氮化三矽的膠粘劑、成型體、成型體的製造方法以及成型體的用途 Download PDF

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TWI461492B
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    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
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Description

含四氮化三矽的膠粘劑、成型體、成型體的製造方法以及成型體的用 途
本發明有關用於在基底上製造耐用的牢固粘附的脫模層的、含四氮化三矽(Si3 N4 )的膠粘劑；有關包含基底和施用在其上的耐用的牢固粘附的脫模層的成型體，該脫模層是抗磨損、抗衝擊和抗劃傷的並且熱穩定，使得該成型體可運輸；有關製造這類成型體的方法，和這類成型體在腐蝕性非鐵金屬熔體領域中的用途，特別是作為太陽能矽加工領域中所用的熔化坩堝，以及這類成型體作為鋁冶煉、特別是低壓鋁澆鑄中的上升管的用途。
使用由石墨或氮化矽、但主要由SiO2 (凝熔矽石)製成的坩堝，由矽粒子、矽顆粒或矽碎片進行熔融和矽塊(矽錠)的重結晶。具有所需微結構和雜質的矽錠在精確限定的冷卻過程中由熔體結晶，然後這些矽錠被切成薄片，並構成光電元件的活性成分。
在此重要的是，加工中所用的材料，例如熔化坩堝，不會不利地影響太陽能矽的品質，矽熔體可以無缺陷地固化並可以無損地從坩堝中取出。在這方面，防止液體矽金屬對坩堝材料的腐蝕性侵蝕是重要的，否則熔體就會被污染。此外，粘著、滲透和擴散會在矽錠脫模中引起問題，以致多晶矽塊具有破裂或裂化的危險。
腐蝕性矽熔體對SiO2 坩堝造成侵蝕，因為Si和SiO2 之間發生化學反應形成揮發性SiO。此外，來自坩堝的氧和不合意的雜質由此進入矽熔體。
特別地，要不計成本地避免材料粘附在正在固化或已固化的矽塊上，因為矽產生非常大的熱膨脹，因此極少量的粘附材料都會造成機械應力並因此造成結晶結構的斷裂，這產生不合格的矽材料。
在鋁冶煉中，特別是在低壓鋁澆鑄中，使用由鐵合金或熔凝矽石製成的上升管。由於鋁熔體在650至800℃溫度範圍的高腐蝕性，這些上升管必須定期用難熔氧化物或氮化物塗布，以避免這些材料被液體鋁過快腐蝕。在是鐵合金的情況下，腐蝕機制是溶解機制，而在是熔凝矽石的情況下，二氧化矽與熔融鋁依據下列反應式反應：3 SiO2 +4 Al → 2 Al2 O3 +3Si。
在熔凝矽石上升管上形成粘附的反應產物和熔體殘留物，上升管與腐蝕產物之間膨脹係數的差異造成上升管的過早破壞。在此通常使用氧化鋁或氮化硼塗層，它們由含有有機粘合劑的膠粘劑通過浸漬、刷塗或噴塗施用。但是，由於熱熔體和浮渣的共同腐蝕性和機械性侵蝕，這類塗層的壽命僅有幾小時或幾天。還使用由對鋁熔體的腐蝕性侵蝕完全惰性的氮化矽陶瓷製成的上升管，代替作為由鐵合金或熔凝矽石製成的塗裝上升管。但是，這些氮化矽管的成本是含塗層的標準上升管的許多倍。
從EP 963464 B1中獲知一種熔化坩堝，其由熔凝矽石、石墨或陶瓷製成，並帶有氮化矽層，用於避免在熔化 坩堝與固化中的非鐵金屬熔體(例如矽熔體)接觸後熔化坩堝與非鐵金屬之間的粘著。在此，這些層包含高純氮化矽粉末。這些粉末塗料在熔化坩堝使用之前由用戶直接施用，並通過將高純氮化矽粉末分散在溶劑中、然後例如通過懸浮液的噴塗將其施用到坩堝上而製備。必須通過後續熱處理除去所用的溶劑和任何有機粘合劑成分。
高純氮化矽本身已經被發現對矽熔體非常化學耐受。但是，熔體的重量本身會造成多孔氮化矽粉末層的強制潤濕或滲潤。因此，其必須具有不會完全被滲潤並因此仍充當剝離或脫模層的厚度。但是，這類厚層又相應地是軟的並且不是特別耐磨，因此在裝填坩堝時必須特別小心，更不用說即用型塗布坩堝的長途運輸或發送。
因此，這些用於太陽能矽領域中的傳統坩堝塗層的缺點在於，塗層具有低機械穩定性，因此塗布始終必須在剛要在坩堝中裝入矽粉、矽片或小矽塊之前進行。因此除了在剛要使用時塗布外，不可能在其他時間點進行坩堝的預先塗布。此外，由於粉末塗層軟，在坩堝中裝入大片材料時必須極其小心，以避免破壞塗層。此外，由於多孔氮化矽粉末層被熔融的矽滲入，產生不合意的結塊的殘留物。還可能在矽錠中引入氮化矽。
為了減輕這些問題，WO 2007/039310 A1提出了具有塗層的熔化坩堝，上述塗層包含80至95重量%的氮化矽和5至20重量%的低溫無機粘合劑，該塗層的總含氧量為5至15重量%。上述低溫粘合劑優選為二氧化矽基質粘合 劑，但是還可以使用氧氮化矽。但是，上述低溫無機粘合劑還可以是溶膠-凝膠粘合劑，或基於矽化學的有機金屬化合物，或包含SiO2 納米粒子。塗層在低於800℃的溫度、並優選在低於500℃的溫度燒製，以保持氮化矽的低氧化。為些，描述了三種優選塗布方法。
在第一種方法(反應性層)中，將氮化矽粉末和選自矽氧烷、原矽酸四乙酯、四乙氧基矽烷、聚二甲基矽烷或其組合的矽化學的有機金屬化合物混合，然後借助選自氯化銨、氨和硝酸鹽溶液的反應性液體，用上述混合物噴塗坩堝。然後將帶有這種施用的塗層的坩堝加熱至低於500℃的溫度以使塗層穩定化。
在第二種方法(粘合劑溶液)中，將氮化矽粉末與選自矽油、矽氧烷、氯矽烷或其組合的二氧化矽基質粘合劑混合，然後借助選自酸(鹽酸、硝酸、矽酸、四氯化矽或另一合適的酸)的反應性液體噴塗該混合物。然後將塗布的坩堝加熱至低於500℃的溫度以除去反應液體。
在第三種方法(飽和溶液和沉澱)中，將氮化矽粉末與SiO2 亞微米粒子和/或SiO2 納米粒子(優選膠態SiO2 )混合，然後使用合適的中和劑通過熱反應或化學反應將該混合物加固在坩堝表面上。然後將塗布的坩堝加熱至低於500℃的溫度(優選在使用前)。
DE 102005050593 A1描述了包含氮化矽和粘合劑的、用於製造耐用的堅硬塗層的膠粘劑，其中上述粘合劑包含納米級固體粒子和/或通過溶膠-凝膠法制成的其前軀物。 由上述膠粘劑製成的層不可透，並具有良好的粘合強度，但是通過該方法只能施用最大層厚度為大約180微米的無缺陷塗層。
在WO 2007/039310 A1和DE 102005050593 A1中所述的方法中，使用SiO2 的溶膠或陶瓷前軀物(例如鹽或有機金屬化合物)，其是活化(例如借助酸、堿或水)或未活化的。但是，已經發現，這些塗布劑不可避免地引起塗層中的缺陷形成。
通過浸漬、浸沒或濕壓濕噴塗法施用這些塗層時，不可能在不形成裂紋或其他缺陷的情況下施用大於180微米的層厚度。但是，以工業規模塗布坩堝時，具有高的層厚度的無缺陷塗層是非常重要的，因為坩堝表面具有一定的韌度，且該表面即使在相對較高的位置也必須被塗布到一定的最小厚度。大坩堝的塗布也需要較高的層厚度。
施用粉末(噴塗)也不能完全避免這些缺點。此外，粉末的這種施用會帶來缺點：層在粘合劑和孔分佈方面的不均勻性(由此降低強度)，以及在矽錠熔融過程中在後繼工藝中的氮化矽污染(如EP 0963464 B1所述)。
此外，當在工業製造的工藝條件下使用這種低溫粘合劑時，不能可再現地設定燒成的塗層中的粘合劑濃度，因為粘合劑在合成過程中不斷地隨溫度、大氣濕度和儲存時間而變，且這些性質在氮化矽層施用之中和之後不斷地隨乾燥速率、大氣濕度和環境溫度而變。粘合劑的這些變化可以歸因於水解和縮合反應。
當在剛要合成之前或在施用過程中混合或啟動這種類型的體系時(如WO 2007/039310 A1中所述，特別是在前兩個優選的塗布方法的情況下)，該體系明顯更難控制，因為由於這些組分的高反應性，不能調控在粘合劑反應性、粘合、收縮、向基底中擴散、或低分子量前軀物或縮合物的蒸發方面的可再現性能。
在是低溫粘合劑的情況下，粘合劑(溶膠-凝膠、鹽、SiO2 的前軀物、中間體)也會擴散到多孔基底中，且粘合劑的低分子量組分會在乾燥過程中揮發，因此層的組成中的粘合劑以不可控制的方式耗損。在與坩堝接觸的表面上，塗層中粘合劑耗損會增多碎裂現象，特別是在塗層燒製過程中或在矽錠製造過程中。
塗層中出現的層缺陷，例如與層表面垂直的裂紋，特別是碎裂，可能導致矽在矽錠製造過程中粘附到坩堝材料上。碎裂(塗層碎片在整個深度上脫落，可能包括坩堝材料)由塗層與基底之間的接觸區域中的裂紋引起，這造成塗層的局部脫落。由此，在使用坩堝時，金屬熔體可能粘附到坩堝壁上。當金屬熔體逐漸破壞塗層時，這種粘附現象增多。在坩堝材料上形成粘附的矽，特別是在坩堝中的矽是液體時的工藝階段。粘附材料的量越大或粘附材料的區域越大，在固化過程中在矽錠中形成裂紋的風險越高，這降低了可用於太陽能電池生產的矽的收率。
已經發現，例如，無論製造商如何，在批次之間，氮化矽粉末的表面活性明顯不同。通過在與低溫粘合劑(例 如來自Inomat、TEOS和其他的粘合劑)混合之前將粉末熱處理，可以在一定程度上減小這些差異，但不能達到使得由其製成的含Si3 N4 的層的所需性質不再彼此不同的程度。
除了上述缺點外，在勞動衛生方面也有缺點，因為在WO 2007/039310 A1和DE 102005050593 A1中的塗料懸浮液中存在著前軀物和反應性基團。例如，WO 2007/039310 A1中所用的可吸入的TEOS是揮發性刺激組分，且WO 2007/039310 A1和DE 102005050593 A1中所用的粘合劑組分，例如SiO2 納米粒子、SiO2 納米粒子前軀物或由含SiO2 的有機金屬化合物構成的低分子量聚合結構，也可被吸入，並且特別可能在噴塗過程中被吸入或接觸。除了抽吸外，必須使用作為身體保護的符合EN 404的過濾半罩面具FFAP2以及至少手套和安全眼鏡作為勞動衛生措施(例如在如WO 2007/039310 A1的實施例1b中所述的塗料懸浮液的加工過程中)。
因此，本發明的目的是提供用於在基底上製造耐用的牢固粘附的脫模層的膠粘劑，該脫模層特別適用於太陽能矽加工領域中而沒有現有技術中已知的缺點。該膠粘劑應特別能夠獲得具有較高的層厚度和改進的粘合強度的無缺陷塗層。此外，應提供用於鋁冶煉中的耐用的廉價塗層，特別地，應該延長上升管的操作壽命。
通過根據申請專利範圍第1項的用於在基底上製造耐 用的牢固粘附的脫模層的膠粘劑、根據申請專利範圍第13項的包含具有耐用的牢固粘附的脫模層的基底的成型體、根據申請專利範圍第24項的用於製造這類成型體的方法和根據申請專利範圍第27-29項的這類成型體的用途，實現了上述目的。在所附申請專利範圍書中指出了專利申請主題的有利或特別有用的實施方案。
因此，本發明提供了用於在基底上製造耐用的牢固粘附的脫模層的膠粘劑，其包含固體粒子的懸浮液，其中上述固體粒子包含67-95重量%的氮化矽和5-33重量%的二氧化矽基質高溫粘合劑，且該二氧化矽基質高溫粘合劑衍生自SiO2 前軀物，並已經通過在300-1300℃的溫度範圍內熱處理而預處理。
本發明進一步提供了成型體，其包含具有耐用的牢固粘附的脫模層的基底，該脫模層包含67-95重量%的氮化矽和5-33重量%的二氧化矽基質高溫粘合劑，並具有5-21重量%的總含氧量，並且該成型體可以通過包括下列步驟的方法獲得：a)提供基底，b)將本發明的膠粘劑施用到基底上，和c)通過在升高的溫度下燒製使施用的膠粘劑硬化，以形成耐用的牢固粘附的脫模層。
本發明進一步提供了根據本發明的成型體在腐蝕性非鐵金屬熔體領域中的用途，特別是熔化坩堝形式的成型體用於製造矽熔體的用途，和上升管形式的成型體在鋁冶煉、特別是低壓鋁澆鑄中的用途。
已經出乎意料地發現，用本發明的膠粘劑可以施用很 好粘附的、並且是非粉狀的特別厚的無缺陷層。氮化矽對矽錠的污染極低。與根據EP 963464 B1以及WO 2007/039310 A1的粉狀塗層相比，在本發明的塗層中，氮化矽對Si矽錠的污染明顯較低。
已經發現，本發明的層可以以最多3毫米的特別大的層厚度持久並熱穩定地粘合到基底表面上。這些層耐接觸並且不是粉狀的。
層中的粘合效果主要歸因於熱處理的二氧化矽基質粘合劑的粘合作用，以及在燒製增強粘合過程中脫模層中的氮化矽輕微氧化。已經發現，在本發明的塗層中，在所用燒製溫度下氮化矽在空氣中的氧化與在相同工藝條件下根據EP 963464 B1的無粘合劑氮化矽塗層相比顯著降低，其中氧化的氮化矽的比例能夠降低20-50%。
本發明的膠粘劑可以通過浸漬、浸沒和濕壓濕噴塗的優選施用方法施用。這些方法是優選的，因為可以施用比噴塗(粉末施用)的情況下更均勻和更緻密的層。這些施用方法使燒成的塗層與通過粉末技術施用的層相比孔徑更小，且粘合強度、衝擊強度和抗劃傷性提高。層變得耐接觸且運輸穩定，該層的成分對矽錠的污染顯著降低。
該膠粘劑是儲存穩定的，並且還可以使用水作為懸浮介質製造，這有利於運輸和加工，因為不必運輸危險物品，且不必使用可燃物塗布基底。
與EP 963464 B1和WO 2007/039310 A1中所述的層相比，本發明的層在坩堝材料上表現出較好的粘合強度，與 這些傳統的層不同，它們不是粉狀的。此外，本發明的膠粘劑能夠製造比EP 963464 B1和WO 2007/039310 A1中的那些更緻密的層，即沒有大孔隙的層。
在本發明的塗料懸浮液中，熱處理過的二氧化矽基質高溫粘合劑不作為納米分散相或作為溶膠或作為陶瓷前軀物或作為它們的混合物(前軀物、單體、單體的分形體聚集物或縮聚物)存在，而是作為分散的SiO2 固體或作為粘附到氮化矽上的SiO2 固體存在。
這種SiO2 固體在性能上與原始溶膠明顯不同。燒結活性降低，因此，與從現有技術中獲知的含有低溫粘合劑的塗層(WO 2007/039310 A1、DE 102005050593 A1)不同，不會發生粘合劑的顯著燒結和收縮。這使得塗層中的應力較低，因此在基底表面中或在塗層中形成明顯較少的缺陷(在塗布後和在燒結後以及在該工藝過程中)，例如，碎裂(塗層碎片在整個深度上脫落，可能包括坩堝材料)，或裂紋和微裂紋，或甚至形成完整的裂紋網路。
在由此製成的層的情況下，取決於在本發明的條件下該層中的粘合劑濃度(取決於粘合劑濃度，特別重要的因素是粘合劑的預燃溫度和塗層的燒製溫度)，該層與基底的粘合令人驚訝地強於該層的內聚。同樣令人驚訝地，儘管粘合劑的燒結活性降低，但層與基底的粘合非常好。這種發現是新穎的，並能夠施用和燒製具有特別高的層厚度和與基底的良好粘合強度的非粉狀無缺陷層。
這些良好的層性能產生了與工藝相關的優異性能：由 於非粉狀層，沒有或最多只有極低的矽錠污染，大部分對衝擊不敏感，並能夠不成問題地在塗布的坩堝中裝填矽片。此外，還可以塗布大坩堝(“巨型坩堝”)，且塗層與坩堝材料的粘合在矽錠加工的整個工藝溫度範圍內是優異的。特別地，該塗層具有下述優點：在塗布的坩堝使用過程中顯著減少了塗層中的缺陷，例如碎裂、裂紋和不均勻性。這通過矽錠製造商收集的資料得以證明，例如矽錠中的裂紋數和外來夾雜物的量。這些資料特別產生民關於可用於太陽能電池製造的矽的收率的資訊。使用本發明的膠粘劑，能夠將連續生產中矽錠中的裂紋數降至低於粉狀氮化矽層生產中的正常水平，並且這處於每個矽錠的裂紋的窄數量分佈下。還降低了夾雜物的數量。矽錠生產過程中的收率和工藝穩定性提高。
在傳統坩堝的裝料過程中，或在塊狀矽的熔融過程中，可能對塗層造成破壞，即使在施用或燒製過程中沒有在塗層中形成不均勻或缺陷也會如此。由於在根據EP 963464 B1和WO 2007/039310 A1的塗層的情況下該層的強度低或與基底的粘合性較低，因衝擊、剪切、劃傷或摩擦應力引起的層的脫落很高，且留下殘留層較薄(如果有殘留層的話)。裝料過程中的機械應力不會破壞或在明顯較低的程度上破壞本發明的層。即使仍然發生層的脫落，其在本發明的層的情況下也明顯較低，從而保持了層的阻隔或脫模作用和功能。
通過浸沒法實施的簡化施用(其根據本發明是優選的) 明顯降低了將塗層施用到基底材料上所用的時間。在具有690×690平方毫米的底面積和690×400平方毫米的壁面積的標準太陽能坩堝上噴塗製造根據現有技術的粉狀層花費20-50分鐘。使用本發明的塗料懸浮液浸沒施用花費大約5-10分鐘。還可以借助噴塗加快施用，對於標準坩堝通常花費10-15分鐘。此外，濕壓濕噴塗能夠使用商業施釉機器人。
借助附圖闡述本發明。
根據本發明使用的二氧化矽基質高溫粘合劑衍生自SiO2 前軀物，並已經通過在300-1300℃溫度範圍內的熱處理而預處理。對於本發明，SiO2 前軀物是可以由熱處理形成SiO2 的材料。
二氧化矽基質高溫粘合劑優選衍生自經由溶膠-凝膠法制成的有機矽SiO2 前軀物，更優選衍生自包含經由溶膠-凝膠法制成的有機矽SiO2 前軀物、並且還含有納米級固體粒子的納米複合材料。然後通過在300-1300℃的溫度範圍內的熱處理將這些SiO2 前軀物或含有SiO2 前軀物的納米複合材料轉化成二氧化矽基質高溫粘合劑。
上述納米級固體粒子優選選自SiO2 、TiO2 、ZrO2 、Al2 O3 、AlOOH、Y2 O3 、CeO2 、碳和/或BN，或選自通過溶膠-凝膠法轉化成這些固體粒子的這些納米級固體粒子的前軀物。上述固體粒子特別優選為SiO2 粒子。
根據本發明優選使用的納米複合材料和它們的通過溶膠-凝膠法的製備可從現有技術中獲知，特別是從DE 10326815 A1中獲知。在此優選的是已經用分子量小於1500的表面改性劑、特別是含有酐基團、酸酰胺基團、氨基、SiOH基團、矽烷的可水解基團和/或β-二羰基的表面改性劑表面改性的納米級固體粒子。
根據優選實施方案，這類納米複合材料可以通過溶膠-凝膠法通過納米級固體粒子與一種或多種通式(I)的矽烷的反應獲得：Rx SiA(4-x) (I)
其中基團A相同或不同，並且是羥基或可水解基團，基團R相同或不同，並且是不可水解的基團，x是0、1、2或3，其中至少50摩爾%的矽烷具有x1。如果僅使用x=0的式(I)的矽烷，則獲得純無機納米複合材料，否則獲得優選的有機-無機納米複合材料。這些納米複合材料通過在300-1300℃溫度範圍內的熱處理轉化成二氧化矽基質高溫粘合劑。
在另一實施方案中，上述二氧化矽基質高溫粘合劑可以通過溶膠-凝膠法通過一種或多種上式(I)的矽烷的反應並將所得反應產物在300-1300℃溫度範圍內熱處理而獲得。
在DE 10326815 A1中還給出了上式(I)的矽烷的合適的實例。特別地，作為SiO2 前軀物，使用含醇的形成SiO2 的溶膠(其中已經分散有高純氮化矽粉末)。優選使用高純 原料化學品(氮化矽粉末、矽烷、醇，等等)，因為這能夠獲得極高純的層，其特別符合太陽能工業的要求。
根據本發明使用的二氧化矽基質高溫粘合劑是已經通過在300-1300℃、優選700-1150℃、更優選800-1050℃溫度範圍內的熱處理預處理的二氧化矽基質粘合劑，因此具有調節過的燒結活性，即降低的燒結活性。
本發明的膠粘劑是優選包含75-90重量%氮化矽和10-25重量%二氧化矽基質高溫粘合劑、更優選80-88重量%氮化矽和12-20重量%二氧化矽基質高溫粘合劑的固體粒子懸浮液。
二氧化矽基質高溫粘合劑還優選以顆粒形式存在。更優選地，氮化矽和二氧化矽基質高溫粘合劑均以混合顆粒的形式存在。
在是根據本發明的成型體的情況下，脫模層具有5-21重量%的總含氧量。所含的氧主要由二氧化矽基質粘合劑引入脫模層中。如果總含氧量低於5重量%，則機械性能，特別是含Si3 N4 的塗層的機械性能，例如粘合強度、耐衝擊性、抗磨損性和抗劃傷性，明顯變差。與基底的粘合降低，且粘合力高於內聚力的效果降低。特別地，總含氧量有利地為6-18重量%，更優選7-15重量%，以實現良好的機械性能。另一方面，如果總含氧量高於21重量%，則與含Si3 N4 的塗層接觸的非鐵金屬熔體具有由於氧在熔體中的溶解而被污染的風險，且該塗層對非鐵金屬熔體的脫模作用降低。
此外，可以將脫模層構造成多層，其中具有遠離基底的最外層，其具有上述組成和不多於21重量%、優選不多於12重量%的總含氧量。在一個實施方案中，脫模層構造成雙層，其包括施用到基底上並具有不多於27重量%、優選不多於16重量%的總含氧量的第一層和位於第一層上的具有上述組成並具有不多於21重量%、優選不多於12重量%的總含氧量的第二層。在這種雙塗層中，第一層充當粘合層，並具有比頂層高的強度。即使仍然發生對頂層的破壞，底層無論如何也能防止金屬熔體與坩堝接觸。此外，底層的熱膨脹係數低於頂層，由此實現了塗層與坩堝材料的熱膨脹的更好匹配。這在具有突然溫度變化的方法中是有利的。為了實現進一步降解，多層也是可行的，同時保持對頂層和底層的限制條件。
本發明的成型體的基底適宜地包括石英、石墨、陶瓷(包括氮化矽陶瓷)、SiO2 (熔凝矽石)、或鐵合金或纖維氈或紡織織物。在優選實施方案中，成型體是具有由石英、石墨、陶瓷或SiO2 (熔凝矽石)構成的基底的熔化坩堝，並適於加工腐蝕性非鐵金屬熔體，特別是矽熔體。
在另一實施方案中，成型體是具有由SiO2 (熔凝矽石)或鐵合金或高強度或耐熱金屬合金構成的基底的上升管，用於鋁冶煉。
本發明成型體的脫模層具有80-3000微米、更優選150-2000微米、再更優選200-500微米的厚度。
本發明的成型體可以通過包括下列步驟的方法獲得： a)提供基底，b)在基底上施用本發明的膠粘劑，和c)通過在升高的溫度下燒製使施用的膠粘劑硬化，以形成耐用的牢固粘附的脫模層。
在是非金屬基底的情況下，步驟c)中的燒製在700-1300℃、優選1000-1225℃、更優選1050-1200℃、再更優選1075-1175℃、特別優選1100-1150℃的溫度下進行。
當使用金屬基底時，步驟c)中的燒製在500-1000℃、優選600-900℃、特別優選700-850℃的溫度下進行。在是金屬基底的情況下，在成型體使用過程中的原位燒製是特別優選的。
其中整合了製造本發明膠粘劑的優選整體方法包括下列工藝步驟：1)將二氧化矽基質高溫粘合劑的前軀物混合，優選與氮化矽粉末和合適時的助劑一起混合，以獲得中間體1，2)將中間體1粒化，以獲得作為中間體2的顆粒，3)將中間體2熱處理，以獲得作為中間體3的熱處理過的顆粒，4)研磨中間體3以設定粒度，5)將步驟4)中獲得的產物分散，如果適當，添加氮化矽粉末(如果氮化矽粉末尚未在步驟1)中使用或未完全使用)，以及如果適當，添加有機和無機粘合劑，從而製造作為中間體4的懸浮液(膠粘劑)， 6)將中間體4施用到基底上，和7)通過燒製塗層製造本發明的成型體。
作為步驟1)和/或5)中的氮化矽粉末，優選使用高純粉末，其鹼金屬和鹼土金屬含量在各種情況下不多於1000ppm，其氟化物和氯化物含量在各種情況下不多於2000ppm，其總含碳量也不多於2000ppm，其平均粒度d50 不大於5微米。這類高純氮化矽的含氧量通常為1至1.5重量%。
步驟1)中的前軀物優選為由二氧化矽或氮化矽的前軀物(例如有機金屬化合物或矽的鹽)構成的上述納米複合材料，如果適當，還添加氧化矽納米粒子。它們優選與氮化矽粉末均勻混合，例如在濕磨步驟或其他混合裝置中混合。
步驟1)中的助劑可以是有機化合物，例如聚乙烯基丁縮醛(PVB)、聚乙烯基醇(PVA)、聚乙二醇(PEG)、蠟或可溶於乙醇的聚合物。
步驟2)中的粒化例如通過在液體(例如水或油)中沉澱或噴霧乾燥或其他粒化技術進行。
包含中間體1的懸浮液在常規粒化方法中加工，以產生顆粒(中間體2)，該懸浮液在合適的容器中乾燥，並制得塊狀中間體2。粒化優選在混合裝置(例如Eirich混合機)中進行，以製造粒度為50微米至數毫米的顆粒。粒化更優選通過在液體中沉澱來進行，中間體1在該液體中不可溶或僅微溶(或僅部分可溶)，沉澱的顆粒具有10微米 至優選數毫米的粒度，粒化特別優選通過噴霧乾燥或噴霧聚結粒化法進行，其中粒度為數微米至大約150微米或20至大約500微米。
步驟3)中顆粒的熱處理在高於300℃的溫度導致有機助劑的去除(除去粘合劑)，並在450℃至1300℃的溫度(高溫燒製)導致顆粒增強。
步驟3)中有機助劑的去除(下文也被稱作“粘合劑去除”)在空氣中在300℃至550℃、優選350℃-500℃、特別優選400℃-450℃的溫度進行。粘合劑去除可以在坩堝(例如熔凝矽石)中或優選在旋轉爐中分批進行。
在步驟3)中，還將已經除去了粘合劑的顆粒高溫燒製，優選在450℃至1300℃、更優選450℃至1200℃、特別優選750℃至1150℃下高溫燒製。對於該顆粒，適於設定燒成的塗層的最佳層性能的高溫燒製溫度應該根據顆粒的粘合劑含量設定。還可以使用已經在不同溫度下高溫燒製的顆粒的混合物。
原則上，對於較高的粘合劑含量選擇較高的燒製溫度。例如，對於粘合劑含量為15重量%的顆粒，合適的高溫燒製溫度為500-1000℃，優選600-900℃，特別優選750-850℃。在例如24重量%的顆粒粘合劑含量下，顆粒的合適的高溫燒製溫度為600-1100℃，優選700-1000℃，特別優選850-950℃。
中間體3含有由熱處理形成的本發明的高溫粘合劑，以及，優選地，氮化矽。
在步驟4)中研磨顆粒用於設定粒度，優選設定為不大於30微米、更優選1-15微米、再更優選1.5-10微米、特別優選2-8微米的平均粒度d50 。
步驟4)中研磨顆粒還優選產生雙峰粒度分佈。
步驟5)中的分散可以在單獨的工藝步驟中或直接在步驟4)中的研磨過程中在有機或無機溶劑(優選醇和/或水)中進行。在此可以使用無機或有機添加劑，例如PVB、PVA、PEG、蠟或可溶於乙醇的聚合物，從而提高懸浮液的穩定性或施用的層的新制強度。
在步驟5)中，還可以混入附加組分，例如，納米級固體粒子和/或經由溶膠-凝膠法制成的其前軀物，優選形成SiO2 或Si3 N4 的納米粒子或其前軀物，或氧氮化矽。由添加的粒子或前軀物產生的膠粘劑SiO2 含量的比例應該不多於3重量%，以便不損害本發明的塗層的性能。
在該膠粘劑的根據本發明的生產中，在封閉系統中的工藝鏈中，將與揮發性、刺激性或毒性物質的接觸或吸入降至最低或消除。如果例如在噴霧乾燥器中進行粒化，則可以使用下游冷凝裝置將對環境和人的污染降至最低，在該冷凝裝置中，收集揮發性組分並再迴圈到該方法中。這同樣適用於粘合劑去除，其中後燃燒將揮發性組分氧化。與WO 2007/039310 A1和DE 102005050593 A1中的方法不同，本發明優選的含Si3 N4 的膠粘劑不含任何刺激性或危險組分，並由於熱處理和粒化，其在膠粘劑中如此大且不可吸入，因此關於勞動衛生，在存在抽吸時，對於層的施用， 僅推薦簡單的符合EN 149：2001的簡單半罩面具FFP2。這意味著即使在低自動化程度下，施用和後續處理的操作步驟(具有與人員的最高接觸時間的工藝步驟)也沒有或僅有低的健康風險。
製成的懸浮液在步驟6)中的施用使用常規塗布方法，例如噴塗，優選濕壓濕噴塗，或浸沒，在無機基底(例如熔凝矽石)上進行。在施用後，塗層可以在空氣中乾燥。
步驟7)中塗布的成型體的製造通過在升高的溫度下燒製塗層來進行。在是非金屬基底的情況下，其在700-1300℃、優選1000-1225℃、更優選1050-1200℃、更優選1075-1175℃、特別優選1100-1150℃的溫度進行，在是金屬基底的情況下，這在500-1000℃、優選600-900℃、特別優選700-850℃的溫度進行，在每種情況下，加熱和冷卻時間優選為8小時，在最高溫度下的保留時間優選為1小時，在空氣下或在還原或惰性氣氛中或在氣壓下(例如氮氣或氬氣)進行。塗層在還原氣氛(例如在具有還原氣氛或低氧分壓的燃氣爐中)的燒製是優選的，因為塗層中的氮化矽然後較不強烈地被氧化。
當該膠粘劑用於塗布Al冶煉所用的基底時，所用氮化矽粉末的純度也可以低於用於太陽能矽的熔化時。
通過浸沒法施用的塗料懸浮液的固含量適當地為40至65重量%，對於濕壓濕噴塗，其為35至55重量%。
具有耐用的牢固粘附的脫模層的本發明成型體適用於腐蝕性非鐵金屬熔體(例如鋁、矽等)的熔體領域中。熔 化坩堝形式的成型體特別適用於製造矽熔體，用於容納液體矽和用於使液體矽結晶形成矽塊。
上升管形式的成型體特別適用于鋁冶煉，非常特別優選低壓鋁澆鑄。
實施例和對比例
在實施例和對比例中，上述層厚度基於燒製後的乾燥層厚度。
膠帶試驗：
膠帶試驗通過膠帶(Tesa 4651)在以指定方式塗布的1000平方毫米試樣區域上的反復粘貼和剝離來進行。與試樣表面呈90°角度剝離膠帶。在塗層上進行試驗，直至基底材料的第一區域不再被塗層覆蓋或在該試驗已經重複15次後。每次剝離膠帶後，測定試樣的重量損失。將剝離試驗的重複次數與重量損失對照繪製在圖中(圖1)。
在層強度降低時，如在粉狀層和/或作為粉末施用的塗層的情況下，材料的可測去除(重量損失)較大，且具有更高風險：更多塗料進入熔體，更多塗料在機械應力下被去除，該層更迅速消耗以致不再存在脫模作用。
剝離試驗(粘合強度)：
通過測量剝離已經粘貼到被塗布試樣的燒成塗層上的板材所需的力(粘貼面積=500平方毫米)，測定粘合強度。該板材用雙組分環氧樹脂粘合劑粘貼，該粘合劑由於其高粘度，滲入塗層不超過50-80微米。與層表面垂直的粘合 強度以N/mm2 為單位測定。在剝離試驗後，檢查破損表面並確定破損是出現在塗層中(內聚)還是出現在與基底的接觸介面中(粘合)。受試的被塗布樣品的層厚度為250至450微米。
剝離試驗給出了關於層與基底的粘合的資訊，或在粘合力超過內聚力的情況下(如上所述，這是理想的效果)，給出了關於層強度的資訊。
對比例1：標準懸浮液
這是如EP 963464 B1中所述製成的氮化矽粉末(UBE E10)在蒸餾水中的懸浮液，沒有其他添加劑。
對於進一步加工(刷塗、輥塗、噴塗)，只有這種懸浮液的流變性才是關鍵的。因此，為了用噴槍施用，將固含量設定為例如30重量%。
在清洗過的無塵乾燥熔凝矽石坩堝上施用懸浮液，如果適當，施用多層，以產生350微米的均勻層厚度。在乾燥後，在900℃下用作熔化坩堝之前將該塗層燒製。
所得氮化矽粉末塗層應該無氣泡、無裂紋，並且也沒有其他缺陷。由此製成的氮化矽層僅有有限的耐接觸性，並相應地應該仔細處理。不僅必須避免在裝填Si片過程中對塗層的破壞，還必須在熔融過程中避免Si片的滑移，從而在熔融過程中也不在粉末層中產生缺陷。
對比例2：標準懸浮液
將在乙醇中的50重量%氮化矽粉末(UBE E10)均化。將該懸浮液施用到清洗過的無塵乾燥熔凝矽石坩堝上。不能通過浸沒法塗布坩堝，因為在乾燥大於150-200微米的層厚度的過程中在塗層中形成裂紋，這導致塗層的區域在塗層燒製過程中脫落。在施用之前用乙醇潤濕坩堝不能防止該現象。即使在乙醇-氮化矽懸浮液中加入2% PVA Celvol E 04/88(Celanese Emulsions GmbH)，在通過浸沒或濕壓濕噴塗法施用的情況下，也不能獲得>250微米的無裂紋層厚度。
對比例3：標準懸浮液
將在乙醇中的50重量%氮化矽粉末(UBE E10)均化。將該懸浮液施用到清洗過的無塵乾燥熔凝矽石坩堝上。通過噴塗施用該塗層。據發現，懸浮液不能濕壓濕噴塗，因為在層厚度高於大約200微米的塗層中形成裂紋。該塗層以粉末形式噴上。
在乾燥後，在用作熔化坩堝之前在大約1000℃將塗層燒製。由此製成的氮化矽層僅有有限的耐接觸性，並因此應該仔細處理。
塗層的粘合強度為0.21N/mm2 ；膠帶試驗結果顯示在圖1中。
還通過浸沒施用塗料懸浮液，在這種情況下，塗層在乾燥或燒製過程中破裂並成片剝落。因此，在這種情況下不能測量粘合強度(見表1)。
對比例4a和4b：
如WO 2007/039310 A1實施例1b中所述製造塗料懸浮液。塗料通過粉末噴塗或濕壓濕噴塗法施用，並在500℃(4a)或750℃(4b)下燒製。在粉末噴塗的情況下和在濕壓濕噴塗的情況下，均使用如WO 2007/039310 A1中所述的反應性液體進行噴塗。
燒製後的塗層是粉狀的且不耐接觸。以粉狀形式噴塗的塗層的粘合強度顯示在表1中；膠帶試驗結果顯示在圖1中。
通過濕壓濕噴塗法施用的塗層在>80-150微米的層厚度下在乾燥或燒製過程中破裂並剝落。因此，在這種情況下不能測量粘合強度。
對比例5：
在PE容器中，在一組輥上借助氮化矽研磨介質將930克乙醇、150克細碎二氧化矽(HDK，Wacker)、474克氮化矽粉末(UBE E10)和16克PVB均化，由此製造中間體1。將中間體1倒入平PE容器中，並在防爆乾燥爐中乾燥，製造中間體2。在熔凝矽石坩堝中在450℃下在空氣中從塊狀顆粒材料中除去粘合劑。為了製造中間體3，在加蓋的坩堝中通過在900℃下的熱處理將這些顆粒高溫燒製。將750克乙醇和750克中間體3在PE容器中借助研磨介質研磨並均化，以產生中間體4。中間體4的平均粒度<1微米。通 過浸沒法將中間體4以大約250微米的層厚度施用到熔凝矽石坩堝上。將該層在空氣中乾燥24小時，然後在1125℃燒製，加熱和冷卻時間為8小時。
燒製後的塗層不耐接觸。
對比例6：
在PE容器中，在一組輥上借助氮化矽研磨介質將650克乙醇、150克熔凝矽石(d50 =2微米)、474克氮化矽粉末(UBE E10)和16克PVB均化，由此製造中間體1。將中間體1倒入平PE容器中，並在防爆乾燥爐中乾燥，製造中間體2。在熔凝矽石坩堝中在450℃下在空氣中從塊狀顆粒材料中除去粘合劑。為了製造中間體3，在加蓋的坩堝中通過在900℃下的熱處理將這些顆粒高溫燒製。將500克乙醇和750克中間體3在PE容器中借助研磨介質研磨並均化，以產生中間體4。中間體4的平均粒度為2微米。通過浸沒法將中間體4以大約350微米的層厚度施用到熔凝矽石坩堝上。將該層在空氣中乾燥24小時，然後在1125℃燒製，加熱和冷卻時間為8小時。
燒製後的塗層不耐接觸。
實施例1：
在PE容器中，在一組輥上借助氮化矽研磨介質將3000克Inosil S-B(來自Inomat GmbH的Inosil級S-B38：該市售粘合劑是有機矽化合物(即SiO2 前軀物)和SiO2 納米粒子的混合物)、1000克乙醇、4000克氮化矽粉末(UBE E10) 和400克PVB(聚乙烯基丁縮醛BM18，Wacker)均化，由此製造中間體1。
將中間體1倒入平PE容器中，並在防爆乾燥爐中乾燥，製造中間體2。在熔凝矽石坩堝中在450℃在空氣中從塊狀顆粒材料中除去粘合劑。為了製造中間體3，在加蓋的坩堝中在900℃的熱處理中將這些顆粒高溫燒製1小時。將500克乙醇和750克中間體3在PE容器中借助SN研磨介質研磨並均化，產生中間體4。中間體4的平均粒度為4微米。通過浸沒一次，將中間體4以大約300微米的層厚度施用到熔凝矽石坩堝上。將該層在空氣中乾燥24小時，然後在1125℃燒製，加熱和冷卻時間為8小時。
該塗層無缺陷並且不是粉狀的。塗層的粘合劑含量為20重量%。
實施例2：
在PE容器中，在一組輥上借助氮化矽研磨介質將3000克Inosil S-B、1000克乙醇、4000克UBE E10和100克PVB均化，由此製造中間體1。通過中間體1的噴霧粒化來製造中間體2。在熔凝矽石坩堝中在450℃在空氣中從顆粒材料中除去粘合劑。為了製造中間體3，在加蓋的坩堝中在900℃的熱處理中將這些顆粒高溫燒製1小時。將500克乙醇和750克中間體3在PE容器中借助研磨介質研磨並均化，產生中間體4。中間體4的平均粒度為5-6微米。通過浸沒一次，將中間體4以大約300微米的層厚度施用 到熔凝矽石坩堝上。將該層在空氣中乾燥24小時，然後在1125℃燒製，加熱和冷卻時間為8小時。
該塗層無缺陷並且不是粉狀的。塗層的粘合劑含量為20重量%。
實施例3：
在PE容器中，在一組輥上借助氮化矽研磨介質將3000克Inosil S-B、1000克乙醇、4000克UBE E10和100克PVB均化，由此製造中間體1。通過中間體1的噴霧粒化來製造中間體2。在熔凝矽石坩堝中在450℃在空氣中從顆粒材料中除去粘合劑。為了製造中間體3，在加蓋的坩堝中在900℃的熱處理中將這些顆粒高溫燒製1小時。將600克乙醇和750克中間體3在添加了75克PEG 400和75克PVB的PE容器中借助研磨介質研磨並均化，產生中間體4。中間體4的平均粒度為5微米。將中間體4通過濕壓濕噴塗法以大約350微米的層厚度施用到熔凝矽石坩堝上。將該層在空氣中乾燥24小時，然後在1125℃燒製，加熱和冷卻時間為8小時。
該塗層無缺陷並且不是粉狀的。
塗層的粘合強度顯示在表1中，膠帶試驗結果顯示在圖1中。塗層的密度為1.20克/立方釐米。塗層的粘合劑含量為20重量%。
實施例4-7：
如實施例2中上述製造實施例4至7，但是如表1中 所示改變顆粒的高溫燒製溫度和層的燒製溫度。
塗層無缺陷並且不是粉狀的。塗層的粘合強度顯示在表1中。塗層的粘合劑含量為20重量%。
實施例8：
在PE容器中，在一組輥上借助氮化矽研磨介質將4500克Inosil S-B、4800克UBE E10和160克PVB均化，由此製造中間體1。
通過中間體1的噴霧粒化來製造中間體2。在熔凝矽石坩堝中在450℃在空氣中從顆粒材料中除去粘合劑。為了製造中間體3，在加蓋的坩堝中在1000℃的熱處理中將這些顆粒高溫燒製1小時。將500克乙醇和750克中間體3在PE容器中借助研磨介質研磨並均化，產生中間體4。中間體4的平均粒度為6微米。通過浸沒一次，將中間體4以大約300微米的層厚度施用到熔凝矽石坩堝上。將該層在空氣中乾燥24小時，然後在1125℃燒製，加熱和冷卻時間為8小時。
該塗層無缺陷並且不是粉狀的。實施例8的膠帶試驗結果顯示在圖1中。塗層的粘合劑含量為24重量%。塗層的含氧量為16.1重量%。
實施例9：
在PE容器中，在一組輥上借助氮化矽研磨介質將3000克Inosil S-B、1000克乙醇、4000克UBE E10和100克 PVB均化，由此製造中間體1。通過中間體1的噴霧粒化來製造中間體2。在熔凝矽石坩堝中在450℃在空氣中從顆粒材料中除去粘合劑。為了製造中間體3，在坩堝中在氮氣氛下在1000℃的熱處理中將這些顆粒高溫燒製1小時。將500克乙醇和750克中間體3在PE容器中借助研磨介質研磨並均化，產生中間體4。中間體4的平均粒度為5微米。通過浸沒一次，將中間體4以大約300微米的層厚度施用到熔凝矽石坩堝上。將該層在空氣中乾燥24小時，然後在1125℃燒製，加熱和冷卻時間為8小時。
該塗層無缺陷並且不是粉狀的。塗層的粘合劑含量為20重量%。
實施例10：
在PE容器中，在一組輥上借助氮化矽研磨介質將3000克Inosil S-B、1000克乙醇、4000克UBE E10和100克PVB均化，由此製造中間體1。
通過中間體1的噴霧粒化來製造中間體2。在熔凝矽石坩堝中在450℃在空氣中從顆粒材料中除去粘合劑。為了製造中間體3，在加蓋的坩堝中在900℃的熱處理中將這些顆粒高溫燒製1小時。將470克乙醇和750克中間體3在PE容器中借助研磨介質研磨並均化，產生中間體4。中間體4的平均粒度為5微米。通過浸沒一次，將中間體4以大約450微米的層厚度施用到熔凝矽石坩堝上。將該層在空氣中乾燥24小時，然後在1125℃燒製，加熱和冷卻 時間為8小時。
該塗層無缺陷並且不是粉狀的。塗層的粘合劑含量為20重量%。
實施例11：
在PE容器中，在一組輥上借助氮化矽研磨介質將500克乙醇、3000克Inosil S-B、4000克UBE E10和300克PVB均化，由此製造中間體1。通過中間體1在水中的沉澱來製造中間體2，其中將中間體1逐滴添加到20升蒸餾水中，同時劇烈攪拌。顆粒尺寸為大約1-3毫米。
在熔凝矽石坩堝中在450℃在空氣中從顆粒材料中除去粘合劑。為了製造中間體3，在加蓋的坩堝中在1000℃的熱處理中將這些顆粒高溫燒製1小時。將500克乙醇和750克中間體3在PE容器中借助研磨介質研磨並均化，產生中間體4。中間體4的平均粒度為5微米。通過浸沒一次，將中間體4以大約300微米的層厚度施用到熔凝矽石坩堝上。將該層在空氣中乾燥24小時，然後在1125℃燒製，加熱和冷卻時間為8小時。
該塗層無缺陷並且不是粉狀的。塗層的粘合劑含量為20重量%。
實施例12：
在PE容器中，在一組輥上借助氮化矽研磨介質將1200克乙醇、2450克Inosil S-B、4580克UBE E10和200克 PVB均化，由此製造中間體1。通過中間體1的噴霧粒化來製造中間體2。在熔凝矽石坩堝中在450℃在空氣中從顆粒材料中除去粘合劑。為了製造中間體3，在加蓋的坩堝中在800℃的熱處理中將這些顆粒高溫燒製1小時。將500克乙醇和750克中間體3在PE容器中借助研磨介質研磨並均化，產生中間體4。中間體4的平均粒度為2.5微米。通過浸沒一次，將中間體4以大約400微米的層厚度施用到熔凝矽石坩堝上。將該層在空氣中乾燥24小時，然後在空氣中在1125℃燒製，加熱和冷卻時間為8小時。
該塗層無缺陷並且不是粉狀的。
塗層的粘合強度顯示在表1中，膠帶試驗結果顯示在圖1中。塗層的密度為1.22克/立方釐米。塗層的粘合劑含量為15重量%。塗層的含氧量為13重量%。
實施例13：
在PE容器中，在一組輥上借助氮化矽研磨介質將1200克乙醇、2450克Inosil S-B、4580克UBE E10和200克PVB均化，由此製造中間體1。通過中間體1的噴霧粒化來製造中間體2。在熔凝矽石坩堝中在450℃在空氣中從顆粒材料中除去粘合劑。為了製造中間體3，在加蓋的坩堝中在900℃的熱處理中將這些顆粒高溫燒製1小時。將500克乙醇和750克中間體3在PE容器中借助研磨介質研磨並均化，產生中間體4。中間體4的平均粒度為5微米。通過浸沒一次，將中間體4以大約350微米的層厚度施用到 熔凝矽石坩堝上。將該層在空氣中乾燥24小時，然後在燃氣爐中在1125℃燒製，加熱和冷卻時間為8小時。
該塗層無缺陷並且不是粉狀的。
塗層的粘合強度顯示在表1中，膠帶試驗結果顯示在圖1中。塗層的粘合劑含量為15重量%。塗層的含氧量為11.3重量%。
實施例14：
在PE容器中，在一組輥上借助氮化矽研磨介質將1200克乙醇、2450克Inosil S-B、4580克UBE E10和200克PVB均化，由此製造中間體1。通過中間體1的噴霧粒化來製造中間體2。在熔凝矽石坩堝中在450℃在空氣中從顆粒材料中除去粘合劑。為了製造中間體3，在加蓋的坩堝中在800℃的熱處理中將這些顆粒高溫燒製1小時。將470克乙醇和750克中間體3在PE容器中借助研磨介質研磨並均化，產生中間體4。中間體4的平均粒度為2.5微米。通過浸沒法將中間體4以大約2000微米的層厚度施用到熔凝矽石坩堝上。將該層在空氣中乾燥24小時，然後在空氣中在1125℃燒製，加熱和冷卻時間為8小時。
該塗層無缺陷並且不是粉狀的。塗層的粘合劑含量為15重量%。塗層的含氧量為12.6重量%。
實施例15：
在PE容器中，在一組輥上借助氮化矽研磨介質將1200 克乙醇、2450克Inosil S-B、4580克UBE E10和200克PVB均化，由此製造中間體1。通過中間體1的噴霧粒化來製造中間體2。在熔凝矽石坩堝中在450℃在空氣中從顆粒材料中除去粘合劑。為了製造中間體3，在旋轉管爐中在氮氣氛下在900℃的熱處理中將這些顆粒高溫燒製，停留時間為40分鐘。將500克乙醇和750克中間體3在PE容器中借助研磨介質研磨並均化，產生中間體4。中間體4的平均粒度為6微米。通過浸沒一次，將中間體4以大約400微米的層厚度施用到熔凝矽石坩堝上。將該層在空氣中乾燥24小時，然後在燃氣爐中在1125℃燒製，加熱和冷卻時間為8小時。
該塗層無缺陷並且不是粉狀的。塗層的粘合劑含量為15重量%。塗層的含氧量為9.1重量%。
圖式詳述
圖1顯示了膠帶試驗的結果。
圖2a和2b顯示了根據現有技術(EP 963464 B1、WO 2007/039310 A1)以粉狀形式施用的層(圖2b)和根據本發明未以粉狀形式施用的層(圖2a)的示意圖的比較。粉狀層具有低粘合強度，且容易由於機械應力而出現缺陷。此外，例如在裝料過程中，從坩堝壁或從坩堝底部脫離的粉末殘留物該方法中會通過對流進入熔體，並引起矽錠的污染。由高孔隙率和大孔的存在引起的層的滲入會導致相同效果。
實施例1至15產生了與圖2a相應的層，由於對塗料懸浮液中粒狀氮化矽的研磨，聚集體的細度為0.2微米-30微米(初級和聚集體粒度)。孔隙大小通常<5微米，主要<2微米。
當它們以粉狀形式施用時，在對比例1至3以及4a和4b中形成與圖2b相應的層。以粉狀形式噴塗的塗層的典型聚集體粒度如下：1-25微米(主要：初級聚集體，來自噴霧的液滴尺寸)
25-50微米(少量該粒度的初級聚集體)
10-80微米(一些聚集體的複合材料)
50-400微米(許多聚集體的複合材料)
初級聚集體或聚集體複合材料之間的圓形至片狀孔隙的典型尺寸：1-20微米(主要)
圖2c顯示了碎裂的示意圖。
由於乾燥時的收縮或粘合劑濃度和密度的不均勻而形成的裂紋(與表面垂直的徑向裂紋)會在塗層中作為層缺陷出現。當乾燥在燒製過程中繼續進行時，或由於坩堝使用過程中的進一步收縮，裂紋會變大，然後可能產生碎裂。
當塗層中的應力造成塗層與基底局部脫離時，發生碎裂，例如在下列情況下：粘合劑的收縮過高、層密度具有相對較大的不均勻性(這特別在粉狀噴塗塗層的情況下出現，並造成不均勻收縮)、塗層中粘合劑濃度的不均勻(由於擴散到基底中而造成溶膠-凝膠粘合劑耗損，並因此造成層表面中的高粘合劑濃度，並因此造成不均勻收縮)、塗層 中的缺陷(例如散佈的大孔(氣泡)、裂紋(例如乾燥裂紋)、或可能例如在矽錠裝入過程中或在剛剛熔化的塊狀矽的重新取向過程中引入塗層的缺陷)。
在對比例4a和4b(當它們通過濕壓濕噴塗或浸沒法施用時)中，以及在如DE 102005050593 A1所述的塗層(其中它們通過這些施用方法施用，並具有高於大約180微米的層厚度)中，形成了碎裂現象增多的層。
表1顯示了剝離試驗的實驗結果。
圖1顯示了膠帶試驗的結果；圖2a示意性顯示了本發明的層，該層不是通過粉末塗布法施用的；圖2b示意性顯示了現有技術的層，該層是通過粉末塗布法施用的；及圖2c示意性顯示了碎裂。

Claims (26)

  1. 一種用於在基底上製造耐用的牢固粘附的脫模層的膠粘劑，其包含固體粒子的懸浮液，其中上述固體粒子包含67-95重量%的氮化矽和5-33重量%的二氧化矽基質高溫粘合劑，其中上述二氧化矽基質高溫粘合劑可通過溶膠-凝膠法通過一種或多種通式(I)的矽烷的反應，或選擇性與納米級固體粒子一同反應：Rx SiA(4-x) (I)其中基團A相同或不同，並且是羥基或可水解基團，基團R相同或不同，並且是不可水解的基團，x是0、1、2或3，其中至少50摩爾%的矽烷具有x1；及將所得反應產物在300-1300℃溫度範圍內作熱處理而獲得。
  2. 如申請專利範圍第1項的膠粘劑，其中上述納米級固體粒子選自SiO2 、TiO2 、ZrO2 、Al2 O3 、AlOOH、Y2 O3 、CeO2 、碳、BN和/或上述之前軀物。
  3. 如申請專利範圍第1項的膠粘劑，其中上述納米級固體粒子為SiO2 粒子。
  4. 如申請專利範圍第1項的膠粘劑，其中上述納米級固體粒子已經通過表面改性劑改性，上述表面改性劑含有酐基團、酸酰胺基團、氨基、SiOH基團、矽烷的可水解基團和/或β-二羰基。
  5. 如申請專利範圍第1項的膠粘劑，其中上述二氧化矽基質高溫粘合劑已經通過在700-1150℃溫度範圍內的熱 處理而預處理。
  6. 如申請專利範圍第1項的膠粘劑，其中存在已經在不同溫度下熱處理的二氧化矽基質高溫粘合劑的混合物。
  7. 如申請專利範圍第1項的膠粘劑，其中上述固體粒子包含75-90重量%的氮化矽和10-25重量%的二氧化矽基質高溫粘合劑。
  8. 如申請專利範圍第1項的膠粘劑，其中上述二氧化矽基質高溫粘合劑以顆粒形式存在。
  9. 如申請專利範圍第1項的膠粘劑，其中氮化矽和二氧化矽基質高溫粘合劑以混合顆粒形式存在。
  10. 一種成型體，其包含具有耐用的牢固粘附的脫模層的基底，該脫模層包含67-95重量%的氮化矽和5-33重量%的二氧化矽基質高溫粘合劑，並具有5-21重量%的總含氧量，且上述成型體可以通過包括下列步驟的方法獲得：a)提供基底；b)將根據申請專利範圍第1項的膠粘劑施用到基底上；及c)在700-1300℃的溫度下燒製使施用的膠粘劑硬化，形成耐用的牢固粘附的脫模層；其中上述二氧化矽基質高溫粘合劑可通過溶膠-凝膠法通過一種或多種通式(I)的矽烷的反應，或選擇性與納米級固體粒子一同反應：Rx SiA(4-x) (I)其中基團A相同或不同，並且是羥基或可水解基團， 基團R相同或不同，並且是不可水解的基團，x是0、1、2或3，其中至少50摩爾%的矽烷具有x1；及將所得反應產物在300-1300℃溫度範圍內作熱處理而獲得。
  11. 如申請專利範圍第10項的成型體，其中上述脫模層包含75-90重量%的氮化矽和10-25重量%的二氧化矽基質高溫粘合劑。
  12. 如申請專利範圍第10項的成型體，其中上述脫模層具有6-18重量%。
  13. 如申請專利範圍第10項的成型體，其中上述脫模層構造成多層，其中遠離基底的最外層具有不多於21重量%的總含氧量。
  14. 如申請專利範圍第10項的成型體，其中上述脫模層構造成雙層，包括施用到基底上並具有不多於27重量%的總含氧量的第一層和位於該第一層上的具有不多於21重量%的總含氧量的第二層。
  15. 如申請專利範圍第10項的成型體，其中上述基底包括石英、石墨、陶瓷、SiO2 、或鐵合金。
  16. 如申請專利範圍第10項的成型體，其包括非金屬基底。
  17. 如申請專利範圍第10項的成型體，其包括金屬基底。
  18. 如申請專利範圍第10項的成型體，其是具有由石英、石墨、陶瓷或SiO2 構成的基底的、用於腐蝕性非鐵金 屬熔體的熔化坩堝。
  19. 如申請專利範圍第10項的成型體，其是具有由SiO2 或鐵合金構成的基底的、用於鋁冶煉的上升管。
  20. 如申請專利範圍第10至19項中任一項的成型體，其中上述脫模層具有80-3000微米的厚度。
  21. 一種成型體的方法，製造如申請專利範圍第10項的成型體，其包括下列步驟：a)提供基底；b)將根據申請專利範圍1至9項中任一項的膠粘劑施用到基底上；及c)在700-1300℃的溫度下燒製使施用的膠粘劑硬化，形成耐用的牢固粘附的脫模層。
  22. 如申請專利範圍第21項的方法，其中在步驟a)中提供非金屬基底。
  23. 如申請專利範圍第21項的方法，其中在步驟a)中提供金屬基底。
  24. 如申請專利範圍第10項的成型體的用途，用於腐蝕性非鐵金屬熔體領域。
  25. 如申請專利範圍第18項的熔化坩堝的用途，用於製造矽熔體、用於容納液體矽和/或用於使液體矽結晶形成矽塊。
  26. 如申請專利範圍第19項的上升管的用途，用於鋁冶煉。
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