CN1797215A - 光刻用防护胶膜组件及防护胶膜框架 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种防护胶膜组件，其能够有效防止在持续短波长化的光刻工艺中，掩模基板上雾霭(haze)的产生。本发明的光刻用防护胶膜组件1由防护胶膜框架2，及在该框架的一端面贴附的防护胶膜膜片3所构成，构成光刻用防护胶膜组件的该防护胶膜框架的特征为：对该框架铝合金表面进行阳极氧化处理而形成，且其硫酸根离子、硝酸根离子、氯离子以及有机酸(乙二酸、蚁酸及醋酸的总量)各自的含有量为：将该框架浸泡于25℃的100毫升纯水中168小时后，该框架每100平方厘米表面积的溶出浓度，均在1.1ppm以下。

Description

光刻用防护胶膜组件及防护胶膜框架
技术领域
本发明涉及半导体组件制造时，在光刻工艺中使用的防护胶膜组件，特别涉及构成该防护胶膜组件的防护胶膜框架。
背景技术
在大规模集成电路(LSI)、超大规模集成电路等半导体制造或者液晶显示器等的制造中，有以光源对半导体晶片或液晶用玻璃原板照射以进行图形制作的光刻工艺。
如果微尘附着于图形制作时所用的曝光掩模(称为光刻用掩模或初缩掩模等)，微尘会将光遮蔽、曲折，使转印图形变形、边界不平整，造成底层脏污变黑，尺寸、质量、外观等受损的问题。
为避免微尘附着于掩模，有关光刻的作业一般在无尘室中进行。不过，由于曝光掩模要在无尘室内一直完全保持洁净也很困难，一般而言，在曝光掩模表面贴附有用以避免微尘的防护胶膜组件。
图2是说明防护胶膜组件11的基本构成的概略剖面图，曝光用光源通过的防护胶膜膜片(pellicle film)13黏接于防护胶膜框架(pellicle frame)12的一端面，该防护胶膜框架12使用A7075等的铝合金、不锈钢或聚乙烯等材料，同时，该防护胶膜膜片13，使用由例如硝化纤维素、醋酸纤维素、非晶质氟系聚合物等形成的曝光用光源的透光性良好的透明膜片(请参考专利文献1)。
将防护胶膜膜片13黏接于防护胶膜框架12时，在该框架12及该膜片13之间涂抹挥发性溶剂并风干(请参考专利文献1)，以丙烯酸树脂及环氧树脂等黏接剂16黏接之(请参考专利文献2)。
再者，在防护胶膜框架12的下端面，设置有为装置于曝光掩模，由聚丁烯树脂、聚乙酸乙烯酯树脂、丙烯酸树脂等所形成的黏接层14及目的在于保护黏接层14黏接层保护用的衬垫层15。
依上述将防护胶膜组件11贴着于曝光掩模，则微尘便不会直接附着于曝光掩模的表面，而附着于防护胶膜膜片13上。并且，如果光刻时焦点对准吻合掩模上的图形，便能防止防护胶膜膜片13上的微尘对图形转印的影响。
另一方面，掩模(初缩掩模)的图形形成面会因为防护胶膜组件，而形成密闭的状态，例如因周遭气压的减低，则会发生防护胶膜膜片膨起而碰触到曝光装置部份问题的顾虑。因此，提供一防护胶膜组件，在框架侧面形成通气口并且设置过滤片，其能防止尘埃等自通气口侵入的同时，也能进行气压的调整(请参考专利文献3)。更进一步地，为了排除曝光环境中存在气体的影响，提出一含有氧化钛的化学过滤片的设置(请参考专利文献4)。
近年来，大规模集成电路图形制作标准已朝亚微米尺寸持续微小化，曝光光源必然随之更进一步持续短波长化。持续使用自以往为主流的汞氙灯的G线(436nm)及I线(365nm)、氟化氪准分子激光(248nm)、氟化氩准分子激光(193nm)、更进一步地使用氟准分子激光(157nm)等。
这样曝光光源的持续短波长化，当然，光所具有的能量就变高。使用高能量的光时，与以往使用较长波长的光比较，更容易引起与曝光环境空气中存在的气体状物质的反应，产生反应生成物的可能性便大为提高。如果上述的反应生成物附着于掩模，则会对微小的图形制作有影响的顾虑。
因此，极力减低无尘室内的气体状物质、完善洗净初缩掩模、要求自防护胶膜组件的构成物质、也即初缩掩模黏接层(黏着层)、膜片黏接剂、或者涂抹于框架内侧的涂层剂等产生气体的减低，改善持续地在进步中。
然而，即使初缩掩模的洗净及防护胶膜组件构成物质的低气体产生化的改善持续进步，仍然有在掩模基板上即所谓称为雾霭(haze)的污点状的异物产生的时候。上述的雾霭产生，是造成有关半导体制造产率降低的原因。
专利文献1日本特开昭58-219023号公报
专利文献2日本特公昭63-27707号公报
专利文献3日本实开昭61-41255号公报
专利文献4日本特开2003-57804号公报
发明内容
发明所要解决的问题
本发明为了解决如上所述现有技术的问题，主要目的在于提供一种防护胶膜组件，其能够有效防止在持续短波长化的光刻工艺中，掩模基板上雾霭的产生。
解决问题的方式
为达成上述目的，依据本发明，提供一种防护胶膜框架，构成光刻用防护胶膜组件的该防护胶膜框架的特征为：对该框架铝合金的表面进行阳极氧化处理而形成，且其硫酸根离子、硝酸根离子、氯离子以及有机酸(乙二酸、蚁酸及醋酸的总量)各自的含有量为：将该框架浸泡于25℃的100毫升纯水中168小时后，该框架每100平方厘米表面积的溶出浓度，均在1.1ppm以下。(权利要求1)。
这样的防护胶膜框架，能抑制为雾霭产生原因的酸类的发散，特别能有效抑制因氧化皮膜中含有的硫酸等而引起的生成物的产生。因此，使用此框架制作的防护胶膜组件，特别是在使用短波长光源的光刻工艺中使用，也能确实防止掩模基板上雾霭的产生。
做为前述铝合金，能使用铝镁合金、铝镁硅合金或者铝锌镁铜合金为优选(权利要求2)，前述铝合金的材料，特别是JIS A5052材料、JIS A6061材料或者JIS A7075为优选(权利要求3)。
以上述铝合金材料作为母材而形成阳极氧化皮膜，能抑制上述酸类浓度的防护胶膜框架，除能有效防止雾霭的产生，也能获得重量轻，变形小，极优良的防护胶膜框架。
再者，依据本发明，提供一光刻用的防护胶膜组件，至少由防护胶膜框架及贴附于该框架的一端面的防护胶膜膜片所构成的光刻用防护胶膜组件，其特征为：该防护胶膜框架为与前述本发明有关的防护胶膜框架(权利要求4)。
上述具有与本发明有关防护胶膜框架的光刻用防护胶膜组件，非常能够抑制来自框架阳极氧化皮膜的酸类的发散。因此，如将此防护胶膜组件贴附于掩模基板进行光刻工艺，即使是在使用短波长光源的情况下，也能有效防止掩模基板上雾霭的产生，能确实提高组件制造产率。
发明的效果
有关本发明的光刻用防护胶膜框架，以阳极氧化处理表面而形成的铝合金所构成，特别能够减低阳极氧化皮膜中含有的硫酸、硝酸以及有机酸等酸类含量。具有上述防护胶膜框架的光刻用防护胶膜组件，即使在使用短波长光的光刻工艺使用，也能有效防止掩模基板上雾霭的产生，能确实提高组件制造产率。
附图说明
图1显示依本发明的具有防护胶膜框架的防护胶膜组件的一例的概略图。
图2显示一般的防护胶膜组件构成的概略剖面图。
主要组件符号说明
1防护胶膜组件
2防护胶膜框架
3防护胶膜膜片
6气孔
7过滤片
11防护胶膜组件
12防护胶膜框架
13防护胶膜膜片
14初缩掩模黏接层
15衬垫层
16防护胶膜膜片黏接剂层
具体实施方式
以下，有关本发明详细地说明。
本发明者就有关光刻工艺时掩模基板上产生雾霭及异物的原因专心研究以及反复检讨的结果，了解以下的情况。
现有的具有于铝合金表面形成阳极氧化皮膜的防护胶膜框架的防护胶膜组件，在阳极氧化皮膜形成外，在染色、封孔处理以及表面蚀刻时等，硫酸、有机酸(乙二酸、醋酸等)、硝酸等或者它们的离子基也会掺杂入皮膜中。这些掺杂入皮膜中的酸类及离子基等，在光刻工艺时受G线或属于紫外光域的I线、氟化氪激光、氟化氩激光以及氟激光等的照射、曝光时，或者在掩模保管时，在自框架分离的防护胶膜组件与掩模所形成的密闭空间内，会变成气体的状态。并且，环境中及其它构成防护胶膜组件的材料等，因其它原因产生的氨及氰化物，另外的碳水化合物等，曝光时，会引起光化学反应，进而生成以硫酸铵等为代表的物质，即产生所谓称为雾霭的污点及微小粒子。
于是，本发明者认为如果使用减少铝合金制框架主要在阳极氧化皮膜中所含有的上述酸类的防护胶膜框架，便能有效抑制雾霭的产生，并且经研究及反复检讨得到的结果，找到如果能将硫酸根离子、硝酸根离子、氯离子以及有机酸(乙二酸、蚁酸以及醋酸的总量)的各自含有量，即对前述框架每100平方厘米表面积，置入25℃100毫升纯水中浸泡168小时后的溶出浓度，均控制在1.1ppm以下，即便如紫外光曝光的环境下，也能将雾霭产生的机率抑制到最低的方法，而完成本发明。
以下，依据附图说明，对本发明具体说明。
图1表示有关本发明防护胶膜组件的一实施例的概略图。防护胶膜组件1藉由贴附用黏接剂将防护胶膜膜片3张设于防护胶膜框架2的上端面。同时，在框架2的下端面构成初缩掩模黏接层，并且，将衬垫层以能分离的状态贴着于此黏接层下方。
如此构造虽然与现有防护胶膜组件相同，但与本发明有关的防护胶膜框架2对该框架铝合金的表面进行阳极氧化处理而形成的硫酸根离子、硝酸根离子、氯离子以及有机酸(乙二酸、蚁酸以及醋酸的总量)的各自含有量，将前述框架每100平方厘米表面积，置入25℃100毫升纯水中浸泡168小时后的溶出浓度，均控制在1.1ppm以下。
有关本发明防护胶膜框架的制造方法虽未有特别的限定，可以如以下所述为例，抑制各酸类含有量的方式。
该防护胶膜框架以铝合金作为母材，例如铝镁合金、铝镁硅合金或者铝锌镁铜合金，特别是能使用JIS A5052材料、JIS A6061材料或者JIS A7075较佳。由于这些铝合金重量轻，强度强，不易变形，适合作为防护胶膜框架的母材。但有关本发明防护胶膜框架的母材并非限定于上述材料，如能确保防护胶膜框架的强度等，也可使用其它铝合金。
虽然对于作为防护胶膜框架母材的铝合金，会进行阳极氧化处理，但通常在阳极氧化处理前，会对框架表面进行喷砂及化学研磨，而将表面予以粗化。例如，使用不锈钢、金刚砂或玻璃细珠对框架表面进行喷砂处理，可以再以氢氧化钠等进行化学研磨，以对表面进行粗化。
框架表面的阳极氧化处理可以公知的方法进行，通常是放置于酸性电解液中进行阳极氧化处理，且可以使用硫酸水溶液、乙二酸水溶液等作为该酸性电解液。例如，在硫酸水溶液中进行阳极氧化处理，在铝合金表面形成细密的氧化皮膜(氧化铝皮膜)。在此氧化皮膜中有规则地形成圆筒状细微的孔洞。并且，阳极氧化处理工艺虽是将水溶液中的硫酸根离子掺杂入皮膜中，但是以一般的洗净并无法充分去除掺杂入皮膜中的硫酸根离子等。
因此，本发明在进行染色处理等前，例如在纯水中充分洗净，用以充分去除阳极氧化皮膜孔洞中的硫酸根离子，所谓以纯水洗净，以并用超声波洗净、摇动、强制循环等方法，较能有效地去除皮膜中的硫酸根离子。
氧化铝皮膜形成后，接着进行染色处理及封孔处理等，但因这些工艺处理液中的醋酸成分等也会附着于皮膜、掺杂入皮膜中。因此在这些工艺后也使用纯水充分洗净，以充分去除皮膜孔洞中的醋酸离子等成分。在此以纯水的洗净处理也以并用超声波洗净、摇动、强制循环等方法，而能有效地将醋酸离子自皮膜中予以去除。
以铝合金作为母材的防护胶膜框架的制造，为了去除氧化铝皮膜表面产生的生成物，尚需使用硝酸等进行蚀刻。如前述使用硝酸等进行处理后，也需要使用纯水，进行必要的超声波洗净、摇动、强制循环等，以充分去除残留酸类。
如上述在阳极氧化皮膜形成、染色、封孔处理等各工艺后，由于使用纯水进行充分的洗净，而能有效去除氧化皮膜中硫酸、硝酸等。
虽如上述使用纯水的洗净，能减少氧化皮膜中硫酸、硝酸等，但如形成一在阳极氧化处理时能抑制硫酸等的掺杂的阳极氧化皮膜亦佳。在阳极氧化处理时，会使用酸性电解液，例如：硫酸及乙二酸，有能溶解铝合金特性的酸类的情况，即会如前述在氧化皮膜形成无数的孔洞。并且氧化处理时利用该些孔洞，以进行染色、着色，而皮膜中含有的酸性成分也掺杂入该些孔洞中应该是主要的原因。
因此，藉由改变皮膜自身的本质，也即改变掺杂硫酸根离子的孔洞的几何学构造，也能抑制减少硫酸根离子等的含有量。例如：藉由改变阳极氧化的电压等形成条件，能控制孔径、孔洞尺寸、孔洞数、孔洞底部厚度等孔洞的构造。(请参考益田，应用物理，第72卷，第10号，(2003))。也即，由于缩小孔洞直径、减少孔洞数量，而能抑制减少掺杂入孔洞中酸成分的总量。
并且，也可以在阳极氧化处理后，调整封孔处理的条件，适当地密封孔洞入口附近，能更加减少酸类的溶出量。因此，在阳极氧化处理及封孔处理时控制孔径及孔洞数之后，使用纯水充分进行具有超声波、摇动、强制循环的洗净，能更进一步减少阳极氧化皮膜中酸类的含有量。
如以上述所需的阳极氧化处理及封孔处理，对孔径的控制，能抑制皮膜中的酸成分含有量，再以纯水充分地进行洗净，而得到在表面形成阳极氧化皮膜的防护胶膜框架。并且将该框架置入纯水中浸泡时，硫酸根离子、硝酸根离子、氯离子以及有机酸(乙二酸、蚁酸以及醋酸的总量)的各自含有量，对前述框架每100平方厘米表面积，置入25℃100毫升纯水中浸泡168小时后的溶出浓度，均控制在1.1ppm以下。
防护胶膜框架的大小未有特别的限定，例如：可以是构成半导体光刻用防护胶膜组件、大型液晶面板制造光刻用防护胶膜组件等的防护胶膜框架。
如图1所示在防护胶膜框架的一侧面设置通气口6。有关通气口6的尺寸、形状、个数、位置未有特别的限制，以适当的设置为佳。不过，如构成超出必要大小的通气口，则微尘等将容易进入，以构成必要最小量的通气口为较佳。
在通气口6设置有防微尘用的过滤片7，过滤片7依所需过滤面积及必要的通气量，以决定尺寸、形状、个数、位置等为佳。过滤片7的材料可以为，树脂(聚四氟乙烯、尼龙66等)、金属(316L不锈钢等)、精密陶瓷(氧化铝、氮化铝等)等。
同时，在除尘用过滤片7的外侧部分设置能吸收及分解环境中化学物质的化学过滤片为佳。前述化学过滤片的设置，能更有效防止化合物的生成。
并且，使用如上述有关本发明防护胶膜框架制作防护胶膜组件时，藉由防护胶膜膜片贴附用的黏接剂层，张设防护胶膜膜片于防护胶膜框架的上侧面。同时，在框架的下端面构成初缩掩模贴附用的黏接层，将衬垫层以能分离的状态贴附于此黏接层下方。
而且，其它构成防护胶膜组件的构成部分，也即防护胶膜膜片、黏接剂等则能使用公知的物品。
关于防护胶膜膜片，能使用例如：使用现有准分子激光时所用的非晶质氟聚合物等，具体而言，例如：塞脱普(旭硝子(股)公司制、商品名)、铁氟龙(注册商标)AF(杜邦公司制商品名)。这些聚合物能在此防护胶膜膜片制作时，溶于必要的溶剂而制作膜片。例如能以氟溶剂等适当地溶解。
防护胶膜膜片黏接用的黏接剂也未有特别的限定，可以为丙烯酸树脂黏接剂、环氧树脂黏接剂、硅酮树脂黏接剂、氟系硅酮黏接剂等。特别是氟系硅酮黏接剂能适合使用，具体而言，例如：氟系聚合物CT69(旭硝子(股)公司制、商品名)。例如防护胶膜膜片贴附用的黏接剂层以所需的溶剂，稀释上述黏接剂，涂抹于防护胶膜框架的上端面，加热、干燥，使其硬化而形成。在此，黏接剂的涂抹方法，能采用毛刷涂抹、喷雾、自动涂胶等方法。
再者，能使用两面黏着胶带、硅酮树脂黏着剂、丙烯酸树脂黏着剂作为初缩掩模贴附用的黏接层(黏着层)。
并且，有关保护初缩掩模黏接层用的衬垫层的材料也未有特别的限定，例如：聚酯(PET)、聚四氟乙烯(Polyterafluorethylene，PTFE)、四氟乙烯-全氟烷氧基乙烯共聚物(Tetrafluoroethylene-Perfluoroalkoxyethylene，PFA)、聚乙烯(PE)、聚碳酸酯(PC)、聚氯乙烯、聚丙烯(PP)等。
如上述，使用能抑制阳极氧化皮膜中的硫酸根离子等的各自含有量的防护胶膜框架，用以制造防护胶膜组件，即使使用于短波长紫外光的光刻工艺中，也能抑制因框架阳极氧化皮膜中的酸类而产生的化合物的产生，而非常有效地防止雾霭的产生。
以下，有关本发明的实施例及比较例作说明。
实施例1
有关防护胶膜框架，准备2支框架，外部尺寸149毫米×122毫米×5.8毫米，框架厚度2毫米，材料为A7075-T651的铝合金制框架。在各框架的一侧面中央设置直径0.5毫米的通气口。洗净框架表面后，使用玻璃细珠，以喷压1.5Kg/cm2的喷砂设备，实施约1分钟的表面处理以粗化表面。
在氢氧化钠处理浴中10秒处理洗净后，以形成电压10V(1.3A)、14％硫酸水溶液、在液温18℃中，进行阳极氧化。将阳极氧化后的该框架置入超纯水中进行10分钟的超声波洗净，以除去皮膜中的酸类成分。并且，在超纯水中超声波洗净的期间，不断持续置换新的纯水。
接着，在黑色染色及封孔处理，在表面形成黑色的氧化皮膜后，使用超声波洗净设备以超纯水洗净10分钟。
洗净后，将其中1支防护胶膜框架切断成数片，将切片放入聚乙烯制的容器中，除切断面以外，相对表面积每100cm2，加入纯水100毫升后密封容器，保持25℃浸泡168个小时。
使用离子色层分析设备(DIONEX公司2050i型)分析自上述框架溶出成分抽出的水样。自该抽出水样中，化验出分别含有硫酸根离子0.1ppm、硝酸0.1ppm、氯离子0.01ppm以及有机酸(乙二酸、蚁酸以及醋酸的总量)0.2ppm的不纯物。
将另1支防护胶膜框架内侧，以喷雾涂布设备，涂布1μm厚的硅酮黏着剂。
在通气口设置过滤片。该过滤片的材料为聚四氟乙烯(PTFE)，大小为宽9.5mm、高2.5mm、厚度300μm。并且，该过滤片能过滤99.9999％尺寸为0.1μm～3.0μm的微尘，该过滤片具有除尘用的过滤片及其外侧的化学过滤片。
在此框架的一端面涂抹硅酮黏着剂(初缩掩模黏接剂)，以100℃加热10分钟，使其干燥硬化。另外，在此框架的另一端面涂抹以氟系溶剂CT-Solv.180(旭硝子公司制商品名)稀释氟系高分子聚合物(旭硝子公司制商品名)而形成的防护胶膜膜片黏接剂之后，以100℃加热10分钟，使其干燥硬化。并且以衬垫层贴附设备将聚酯(PET)制衬垫层贴合在初缩掩模黏接剂上。
另一方面，如以下所述进行防护胶膜的胶膜制作。首先，将铁氟龙(注册商标)AF1600(杜邦公司制、商品名)溶解于氟系溶剂。Fluorinert(氟的非活性液体)FC-75(3M公司制商品名)调制成浓度8％的溶液。使用旋涂机，将此溶液在已镜面研磨的直径200mm、厚度600μm硅基板表面上，形成厚度0.8μm的透明膜。
使用环氧树脂黏接剂Araldite rapid(商品名，昭和高分子公司制)将外尺寸200mm×200mm×宽5mm、厚度5mm贴附用框架黏接于前述透明膜，然后在水中剥离该透明膜。
此防护胶膜膜片在前述防护胶膜框架贴紧后，以红外线灯对框架加热，使该膜片融着于前述框架。此时，将防护胶膜框架的黏接面朝上，安装于固定用治具上，藉由贴附用框架对防护胶膜框架外侧膜的部份施以0.5g/cm的张力。
接着，使用剪裁器及管式涂胶机，滴下Fluorinert(氟的非活性液体)FC-75(3M公司制商品名)的同时，沿着防护胶膜框架黏接剂周边部分移动剪裁器，切除防护胶膜框架外侧膜片不要的部份。
将上述完成的防护胶膜组件，贴附于构成Cr(铬)测试图形的石英玻璃制、6吋的掩模基板(初缩掩模：表面残留酸成分的浓度以低于1ppb以下的条件洗净完成)。
将该基板放置于氟化氩准分子激光曝光机NSR-S306C(尼康公司制商品名)中，以曝光强度0.01mJ/cm2/pulse、重复频率4000Hz、500J/cm2的照射量，照射初缩掩模表面上。
以激光微尘检查装置观察照射后的掩模表面，测试图形部分及玻璃部分均无雾霭及微尘的发生。
实施例2
准备2支与实施例1相同的铝合金制框架，在各框架的一侧面中央设置直径0.5毫米的通气口。洗净各框架表面后，使用玻璃细珠，以喷压1.5Kg/cm2的喷砂设备，进行约一分钟的表面处理以粗化表面。
在氢氧化钠处理浴中10秒处理洗净后，以形成电压25V(0.5A)、14％硫酸水溶液，进行阳极氧化。将阳极氧化后的该框架置入超纯水中进行10分钟的超声波洗净，以除去皮膜中的酸类成分。并且，在超纯水中超声波洗净的期间，不断持续置换新的纯水。
接着，在黑色染色及封孔处理，在表面形成黑色的氧化皮膜后，使用超声波洗净设备以超纯水洗净10分钟。
将完成处理后其中1支防护胶膜框架切断成数片，将该些切片放入聚乙烯制的容器中，除切断面以外，相对表面积每100cm2，加入纯水100毫升后密封容器，保持25℃浸泡168个小时。
将自上述框架溶出成分抽出的水样与实施例1进行相同的分析。化验出分别含有硫酸根离子0.1ppm、硝酸0.05ppm、氯离子0.05ppm以及有机酸(乙二酸、蚁酸以及醋酸的总量)0.1ppm的不纯物。
另1支防护胶膜框架内侧面则与实施例1同样地施以硅酮黏着剂的涂布，在通气口设置过滤片。使用该防护胶膜框架与实施例1同样地制作防护胶膜组件。
将该防护胶膜组件贴附于掩模基板上，实施氟化氩准分子激光的照射，观察照射后的掩模表面，结果，测试图形部分及玻璃部分均无雾霭及微尘的发生。
比较例1
准备2支与实施例1相同的铝合金制框架，进行表面洗净、表面粗化、氢氧化钠处理洗净后，以形成电压10V(1.3A)、14％硫酸水溶液，进行阳极氧化。
接着，在黑色染色及封孔处理，在表面形成黑色的氧化皮膜后，使用超声波洗净设备以超纯水洗净5分钟。
将上述其中1支防护胶膜框架切断成数片，将切片放入聚乙烯制的容器中，除切断面以外，相对表面积每100cm2，加入纯水100毫升后密封容器，保持25℃浸泡168个小时。
将自上述框架溶出成分抽出的水样进行分析。化验出分别含有硫酸根离子4.0ppm、硝酸1.0ppm、氯离子1.0ppm以及有机酸(乙二酸、蚁酸以及醋酸的总量)5.0ppm。
接着，另1支防护胶膜框架的内侧面，则与实施例1同样地施以硅酮黏着剂的涂布，在通气口设置过滤片。并且设置防护胶膜膜片完成防护胶膜组件。
与实施例1同样地，将该防护胶膜组件贴附于掩模基板上，实施氟化氩准分子激光的照射，观察照射后的掩模表面，结果，在测试图形部分虽无雾霭及微尘的产生。但在玻璃部分确有雾霭的产生。以激光拉曼频谱分析仪器分析该雾霭，确认为其为硫酸铵。
在其它条件下也分别制作2支防护胶膜框架，并且使用其中1支防护胶膜框架，用以制作防护胶膜组件。并且，与实施例1同样地进行抽出水样的分析、照射、以及分析是否产生雾霭。表1为该些结果的整理。
表1
形成条件   纯水超声波洗净时间 SO4离子 NO3离子 有机酸类 Cl离子 雾霭产生
  实施例1   10V、1.3A   10分   0.1ppm   0.1ppm   0.2ppm   0.01ppm   无
  实施例2   25V、0.5A   10分   0.1ppm   0.05ppm   0.1ppm   0.05ppm   无
  实施例3   10V、1.3A   20分   0.05ppm   0.05ppm   0.1ppm   0.01ppm   无
实施例4   10V、1.3A   6分   1.1ppm   1ppm   1ppm   0.05ppm   无
比较例1   10V、1.3A   5分   4ppm   1ppm   5ppm   1ppm   有
比较例2   5V、2.6A   10分   3ppm   1ppm   2ppm   0.1ppm   有
根据表1，可得知如果抽出水样中硫酸根离子、硝酸、氯离子以及有机酸的含有量均在1.1ppm以下，则不会产生雾霭。
本发明并非限定于上述实施方式。上述实施方式仅举例说明，具有与本发明权利要求所记载的技术设计实质同等的构成、能发挥同样作用效果者，均包含于本发明的技术范围中。
例如：防护胶膜框架形状并非仅限定如图1的四边形，也可以为其它形状，大小等适当地设立为佳。

Claims (4)

1.一种防护胶膜框架，为构成光刻用防护胶膜组件的防护胶膜框架，其由对铝合金的表面施以阳极氧化处理而形成，且其硫酸根离子、硝酸根离子、氯离子以及有机酸各自的含有量为：将该框架浸泡于25℃的100毫升纯水中168小时后，该框架每100平方厘米表面积的溶出浓度，均在1.1ppm以下，其中有机酸含有量为乙二酸、蚁酸及醋酸的总量。
2.如权利要求1所述的防护胶膜框架，其中该铝合金为铝镁合金、铝镁硅合金或者铝锌镁铜合金。
3.如权利要求2的防护胶膜框架，其中该铝合金的材料使用JIS A5052材料、JIS A6061材料或者JIS A7075材料。
4.一种光刻用的防护胶膜组件，至少由防护胶膜框架及贴附于该框架的一端面的防护胶膜膜片构成，其特征为：该防护胶膜框架是前述权利要求1至3中任一项的该防护胶膜框架。
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