KR101902262B1 - 수지 증착 코팅층을 구비한 펠리클 프레임 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 펠리클 프레임에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 표면에 수지 증착 코팅층이 형성된 펠리클 프레임에 관한 것이다. 본 발명은 양극 산화법으로 형성된 산화알루미늄 피막과 상기 산화알루미늄 피막 위에 형성된 수지 증착 코팅(Polymer Deposition Coating, PDC)층을 구비하며, 수지 증착 코팅층 형성 전·후 황산이온(SO4 -2)의 비가 8% 미만이며, 수지 증착 코팅층 형성 전·후 아세트산이온(CH3COO- 1)의 비가 1% 미만인 수지 증착 코팅층을 구비한 펠리클 프레임을 제공한다. 본 발명에 따른 펠리클 프레임은 종래의 펠리클 프레임에 비해서 유/무기계 가스의 방출량이 현저하게 줄어든다. 따라서 헤이즈와 미세 입자에 의한 오염을 최소화할 수 있다.

Description

수지 증착 코팅층을 구비한 펠리클 프레임{Pellicle frame with polymer coating layer}
본 발명은 펠리클 프레임에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 표면에 수지 증착 코팅층이 형성된 펠리클 프레임에 관한 것이다.
반도체 디바이스 또는 액정 표시판 등의 제조에 있어서, 반도체 웨이퍼 또는 액정용 기판에 UV광선을 조사해서 패턴닝하는 포토리소그래피라는 방법이 사용된다.
포토리소그래피에서는 패터닝의 원판으로서 마스크가 사용되고, 마스크 상의 패턴이 웨이퍼 또는 액정용 기판에 전사된다. 이 마스크에 먼지가 부착되어 있으면 이 먼지로 인하여 빛이 흡수되거나, 반사되기 때문에 전사한 패턴이 손상되어 반도체 장치나 액정 표시판 등의 성능이나 수율의 저하를 초래한다는 문제가 발생한다.
따라서, 이들의 작업은 보통 클린룸에서 행해진다. 그러나 이 클린룸 내에도 먼지가 존재하므로, 마스크 표면에 먼지가 부착하는 것을 방지하기 위하여 펠리클을 부착하는 방법이 행해지고 있다. 이 경우, 먼지는 마스크의 표면에는 직접 부착되지 않고, 펠리클에 부착된다. 리소그래피시에는 초점이 마스크의 패턴 상에 위치하므로, 펠리클 상의 먼지는 초점이 맞지 않아 패턴에 전사되지 않는다.
펠리클은 펠리클 막과 펠리클 막을 지지하는 펠리클 프레임을 포함한다.
펠리클 막의 재료로는 높은 노광광 투과율을 가지며, 노광광을 흡수하기 어려운 재료가 바람직하다. 구체적으로는, 노광에 이용하는 광(g선, i선, 248㎚, 193㎚, 157㎚ 등)을 잘 투과시키는 니트로셀룰로오스, 초산셀룰로오스와 같은 셀룰로오스 수지 또는 불소 수지가 사용된다.
최근에는 반도체 제조용 노광 장치의 요구 해상도는 점차 높아지고 있으며, 그 해상도를 실현하기 위해서 파장이 짧은 빛이 광원으로서 사용하고 있다. 이렇게 단파장의 빛은 에너지가 크기 때문에 종래의 셀룰로오스계의 막 재료로는 충분한 내광성을 확보하는 것은 어렵다. 따라서 최근에는 주로 불소계 수지 용액을 이용하여 펠리클 막을 제조한다.
펠리클 막은 수지 용액을 일정한 온도의 기판 위에 코팅하고, 용매의 비점 부근의 온도에서 건조하여 형성한다. 기판으로는 매끈한 표면을 가진 것으로서, 실리콘 웨이퍼, 석영 유리, 일반 유리 등이 사용된다.
코팅하는 방법으로는 공지된 다양한 방법을 사용할 수 있다. 예를 들면, 롤 코팅, 캐스팅, 스핀 코팅, 물 캐스팅, 딥 코팅 또는 랑그무어 블로지트(Langmuir Blodgett)와 같은 코팅 방법에 의해 기판 위에 펠리클 막을 형성할 수 있다. 막의 두께는 기판에 도포하는 용액의 농도와 스핀 코터(spin coater)의 회전수 등의 조건을 변경하여 조절할 수 있다.
코팅 후 용매의 비점 부근의 온도에서 건조하여 펠리클 막을 형성한다. 다음, 건조된 펠리클 막을 기판으로부터 박리한다. 펠리클 막에 셀로판 테이프나 접착제를 도포한 틀 모양 치구(治具)를 대고 접착한 후 셀로판테이프나 틀모양 치구를 손이나 기계적 수단에 의해 한끝으로부터 들어올리는 방법으로 펠리클 막을 기판에서 떼어낼 수가 있다.
완성된 펠리클 막은 변형이나 왜곡 및 손상을 방지하기 위해서, 펠리클 프레임에 고정되어 있는 상태로 사용된다. 분리된 펠리클 막을 잡아당겨서 팽팽하게 한 후 아크릴수지, 에폭시 수지나 불소 수지 등의 접착제를 도포한 펠리클 프레임에 부착하고, 프레임 외측의 불필요한 막을 절단·제거함으로써 펠리클을 완성한다.
마스크에 부착하기 위해서, 펠리클 프레임의 하부에는 폴리브텐 수지, 폴리초산비닐수지, 아크릴수지 또는 실리콘수지 등으로 이루어지는 점착층이 도포되며, 점착층의 보호를 목적으로 한 점착제 보호용 이형 라이너가 점착층을 덮는다.
펠리클 프레임은 주로 A7075, A6061, A5052 등의 알루미늄 합금으로 이루어진다. 리소그래피 과정에서 알루미늄에 의한 오염을 방지하기 위해서 알루미늄 합금의 표면에 산화 피막을 형성한다. 펠리클 프레임의 산화 피막은 흑색으로 형성한다. 노광광이 펠리클 프레임에 입사된 후 반사되면 전사한 패턴이 손상되기 때문에 펠리클 프레임에 입사된 노광광의 반사를 최소화하여야 하기 때문이다. 또한, 펠리클 프레임의 표면이 흑색이어야, 표면에 부착된 밝은 색의 불순물이나 먼지 등의 확인이 용이하기 때문이다.
종래에는 주로 양극 산화법(아노다이징)으로 산화 피막을 형성하였다. NaOH 등의 알칼리 처리 욕에서 수십 초 처리한 후, 황산 수용액 중에서 양극 산화를 행하고, 다음으로 흑색 염색, 봉공 처리함으로써 표면에 흑색의 산화 피막을 형성하였다.
그러나 이러한 양극 산화법 및 흑색 염색, 봉공 처리 과정에서 사용되는 물질들은 펠리클 프레임의 표면의 기공 내에 존재하였다가, 리소그래피 과정에서 발생하는 열에 의해서 무기계 가스 형태로 방출된다. 이러한 가스는 리소그래피 과정에서 부수적으로 발생하는 탄화수소, 암모늄 가스 등과 광화학 반응을 일으켜 헤이즈(haze)라고 부르는 흐림현상이나 미세입자에 의한 오염을 일으킨다.
최근, LSI의 디자인 룰은 서브 쿼터 미크론(sub quarter micron)으로 미세화가 진행되고 있고, 그것에 따라 노광 광원의 단파장화가 진행되고 있다. 즉, 지금까지 주류였던 수은 램프에 의한 g선(436㎚), i선(365㎚)으로부터 KrF 엑시머 레이저(248㎚), ArF 엑시머 레이저(193㎚), F2 레이저(157㎚) 등으로 이행되고 있다.
이러한 노광 광원의 단파장화는 노광 광원의 에너지 증가를 의미하며, 에너지 증가는 리소그래피 과정에서 발생하는 무기계 가스의 양이 증가함을 의미한다. 이는 리소그래피 공정에서 헤이즈나 미세입자에 의한 오염의 증가로 이어진다. 따라서 펠리클 프레임에서의 무기계 가스의 발생을 줄이기 위한 노력이 더욱 절실하게 요구되고 있다.
이와 같은 요구에 대응하기 위한 방법의 하나로서, 공개특허 10-2007-0119485호에는 표면에 폴리머 피막을 갖는 알루미늄 합금제 펠리클 프레임 및 이것에 팽팽히 설치한 펠리클 막을 갖는 것을 특징으로 하는 펠리클로서, 바람직하게는 상기 폴리머 피막이 전착도장막이며, 또한, 바람직하게는 상기 폴리머 피막이 흑색 광택제거 전착도장막이고, 방사율이 080∼099인 펠리클이 개시되어 있다.
공개특허 10-2007-0119485
본 발명은 유/무기이온의 발생량을 최소화할 수 있는 펠리클 프레임을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 양극 산화법으로 형성된 산화알루미늄 피막과 상기 산화알루미늄 피막 위에 형성된 수지 증착 코팅(Polymer Deposition Coating, PDC)층을 구비하며, 아래의 식 (1)로 표시되는 수지 증착 코팅층 형성 전·후 황산이온(SO4 -2)의 비가 8% 미만이며, 식 (2)로 표시되는 수지 증착 코팅층 형성 전·후 아세트산이온(CH3COO-1)의 비가 1% 미만인 수지 증착 코팅층을 구비한 펠리클 프레임을 제공한다.
황산이온(SO4 -2)의 비 = S2/S1 … (1)
아세트산이온(CH3COO-1)의 비 = C2/C1 … (2)
(상기 식 (1)에서,
S1은 양극 산화법으로 형성된 산화알루미늄 피막이 형성된 펠리클 프레임을 90℃로 유지되는 순수에 3시간 담가놓았을 때 펠리클 프레임으로부터 순수로 용출된 황산이온의 양이며,
S2는 수지 증착 코팅층이 형성된 펠리클 프레임을 90℃로 유지되는 순수에 3시간 담가놓았을 때 펠리클 프레임으로부터 순수로 용출된 황산이온의 양이며,
상기 식 (2)에서,
C1은 양극 산화법으로 형성된 산화알루미늄 피막이 형성된 펠리클 프레임을 90℃로 유지되는 순수에 3시간 담가놓았을 때 펠리클 프레임으로부터 순수로 용출된 아세트산이온의 양이며,
C2는 수지 증착 코팅층이 형성된 펠리클 프레임을 90℃로 유지되는 순수에 3시간 담가놓았을 때 펠리클 프레임으로부터 순수로 용출된 아세트산이온의 양임).
본 발명에 따른 펠리클 프레임은 종래의 펠리클 프레임에 비해서 유/무기계 가스의 방출량이 현저하게 줄어든다. 따라서 헤이즈와 미세 입자에 의한 오염을 최소화할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 펠리클 프레임의 일실시예의 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 펠리클 프레임의 단면도이다.
이하, 본 발명의 일실시예에 대해서 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다.
도 1은 본 발명에 따른 펠리클 프레임의 일실시예의 사시도이며, 도 2는 도 1에 도시된 펠리클 프레임의 단면도이다. 도 1과 2에서 알 수 있듯이, 펠리클은 펠리클 막(10)과 펠리클 프레임(20)을 포함하며, 본 발명에 따른 펠리클 프레임(20)은 알루미늄 합금 프레임(1)과 알루미늄 합금 프레임(1)의 표면에 순차적으로 형성된 산화알루미늄 피막(2) 및 수지 증착 코팅층(3)을 포함한다.
수지 증착 코팅층(3)은 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리염화비닐(PVC), ABS, 폴리카보네이트(PC), 폴리우레탄(PU), 폴리카보렛(PU), 폴리아세탈(PA), 폴리이미드(PI), 페럴린(Parylene), 테프론(Teflon) 중에서 선택된 적어도 하나의 수지로 이루어진다.
또한, 본 발명에 따른 펠리클 프레임은 아래의 식 (1)로 표시되는 수지 증착 코팅층 형성 전·후 황산이온(SO4 -2)의 비가 8% 미만이며, 식 (2)로 표시되는 수지 증착 코팅층 형성 전·후 아세트산이온(CH3COO- 1)의 비가 1% 미만이다.
황산이온(SO4 -2)의 비 = S2/S1 … (1)
아세트산이온(CH3COO-1)의 비 = C2/C1 … (2)
상기 식 (1)에서, S1은 양극 산화법으로 형성된 산화알루미늄 피막이 형성된 펠리클 프레임을 90℃로 유지되는 순수에 3시간 담가놓았을 때 펠리클 프레임으로부터 순수로 용출된 황산이온의 양이다.
그리고 S2는 수지 증착 코팅층이 형성된 펠리클 프레임을 90℃로 유지되는 순수에 3시간 담가놓았을 때 펠리클 프레임으로부터 순수로 용출된 황산이온의 양이다. S2는 펠리클 프레임 1g당 0.1ng 이하인 것이 바람직하다.
상기 식 (2)에서, C1은 양극 산화법으로 형성된 산화알루미늄 피막이 형성된 펠리클 프레임을 90℃로 유지되는 순수에 3시간 담가놓았을 때 펠리클 프레임으로부터 순수로 용출된 아세트산이온의 양이다.
그리고 C2는 수지 증착 코팅층이 형성된 펠리클 프레임을 90℃로 유지되는 순수에 3시간 담가놓았을 때 펠리클 프레임으로부터 순수로 용출된 아세트산이온의 양이다. C2는 펠리클 프레임 1g당 0.9ng 이하인 것이 바람직하다.
즉, 본 발명에 따른 펠리클 프레임은 수지 증착 코팅층을 형성함으로써, 산화알루미늄 피막의 기공이 메워짐으로써, 황산이온과 아세트산이온이 용출되는 양이 각각 92%, 99% 감소한다. 따라서 포토리소그래피 공정에서 아웃 가스의 발생량도 감소한다.
또한, 본 발명에 따른 펠리클 프레임은 아래의 식 (3)으로 표시되는 수지 증착 코팅층 형성 전·후 암모니아이온(NH4 +)의 비가 43% 미만이며, 식 (4)로 표시되는 수지 증착 코팅층 형성 전·후 포르메이트이온(HC00-1)의 비가 15% 미만인 것이 바람직하다.
암모니아이온(NH4 +)의 비 = N2/N1 … (3)
포르메이트이온(HC00-1)의 비 = H2/H1 … (4)
상기 식 (3)에서, N1은 양극 산화법으로 형성된 산화알루미늄 피막이 형성된 펠리클 프레임을 90℃로 유지되는 순수에 3시간 담가놓았을 때 펠리클 프레임으로부터 순수로 용출된 암모니아이온의 양이며, N2는 수지 증착 코팅층이 형성된 펠리클 프레임을 90℃로 유지되는 순수에 3시간 담가놓았을 때 펠리클 프레임으로부터 순수로 용출된 암모니아이온의 양이다. N2는 펠리클 프레임 1g당 0.8ng 이하인 것이 바람직하다.
상기 식 (4)에서, H1은 양극 산화법으로 형성된 산화알루미늄 피막이 형성된 펠리클 프레임을 90℃로 유지되는 순수에 3시간 담가놓았을 때 펠리클 프레임으로부터 순수로 용출된 포르메이트이온의 양이며, H2는 수지 증착 코팅층이 형성된 펠리클 프레임을 90℃로 유지되는 순수에 3시간 담가놓았을 때 펠리클 프레임으로부터 순수로 용출된 포르메이트이온의 양이다. H2는 펠리클 프레임 1g당 1.2ng 이하인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 펠리클 프레임은 아래의 식 (5)로 표시되는 수지 증착 코팅층 형성 전·후 아질산이온(NO2 -)의 비가 65% 미만이며, 식 (6)으로 표시되는 수지 증착 코팅층 형성 전·후 질산이온(NO3 -1)의 비가 14% 미만인 것이 바람직하다.
아질산이온(NO2 -)의 비 = A2/A1 … (5)
질산이온(NO3 -1)의 비 = B2/B1 … (6)
상기 식 (5)에서, A1은 양극 산화법으로 형성된 산화알루미늄 피막이 형성된 펠리클 프레임을 90℃로 유지되는 순수에 3시간 담가놓았을 때 펠리클 프레임으로부터 순수로 용출된 아질산이온의 양이며, A2는 수지 증착 코팅층이 형성된 펠리클 프레임을 90℃로 유지되는 순수에 3시간 담가놓았을 때 펠리클 프레임으로부터 순수로 용출된 아질산이온의 양이다. A2는 펠리클 프레임 1g당 0.12ng 이하인 것이 바람직하다.
상기 식 (6)에서, B1은 양극 산화법으로 형성된 산화알루미늄 피막이 형성된 펠리클 프레임을 90℃로 유지되는 순수에 3시간 담가놓았을 때 펠리클 프레임으로부터 순수로 용출된 질산이온의 양이며, B2는 수지 증착 코팅층이 형성된 펠리클 프레임을 90℃로 유지되는 순수에 3시간 담가놓았을 때 펠리클 프레임으로부터 순수로 용출된 질산이온의 양이다. B2는 펠리클 프레임 1g당 0.25ng 이하인 것이 바람직하다.
아래의 표 1은 본 발명에 따른 펠리클 프레임의 일실시예의 수지 증착 코팅층 형성 전·후의 유/무기이온 검출량을 예시한 표이다. 무게가 12g의 펠리클 프레임을 100㎖의 90℃ 순수에 3시간 담금 후 순수에 포함된 이온의 양을 ICS-5000 분석장치를 이용하여 분석한 결과이다. 표 1의 이온의 양은 펠리클 프레임 1g당 이온의 양이며 단위는 ng이다. 비율은 수지 증착 코팅층 형성 후 이온량 측정치의 평균을 수지 증착 코팅층 형성 전 이온량 측정치의 평균으로 나눈 값이다.
표 1에서 알 수 있듯이, 수지 증착 코팅층을 형성한 후 펠리클 프레임의 유/무기이온의 검출량이 매우 감소하였다. 특히, 리소그래피 공정에서 크게 문제가 되는 황산이온과 아세트산이온의 감소률이 높다는 것을 확인할 수 있다.
Figure 112018032024712-pat00001
이하에서는 상술한 펠리클 프레임의 제조방법에 대해서 간단히 설명한다.
상술한 펠리클 프레임의 제조방법은 알루미늄 합금 프레임을 제조하는 단계와, 알루미늄 합금 프레임 표면 위에 산화알루미늄 피막을 형성하는 단계와, 산화알루미늄 피막의 표면에 수지 증착 코팅층을 형성하는 단계를 포함한다.
우선, 알루미늄 합금 프레임을 제조하는 단계에 대해서 간략하게 설명한다.
알루미늄 합금 프레임을 제조하는 단계는 알루미늄 합금 판재를 프레임 형태로 가공하는 단계, 샌딩(sanding) 및 연마 단계, 알루미늄 합금 프레임의 표면의 기름을 제거하는 탈지 단계 등을 거치게 된다. 알루미늄 합금 프레임을 제조하는 단계는 종래의 방법과 차이가 없으므로 자세한 설명을 생략한다.
다음, 알루미늄 합금 프레임 표면 위에 산화알루미늄 피막을 형성한다. 제조된 알루미늄 합금 프레임은 표면이 매우 활성화되어 있어, 국부적인 부식에 취약하다. 산화알루미늄 피막은 양극 산화법을 이용하여 형성할 수 있다.
다음, 산화알루미늄 피막의 표면에 수지 증착 코팅층을 형성하는 단계에 대해서 설명한다.
수지 증착 코팅층은 화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD)으로 형성할 수 있다. 즉, 수지 재료를 진공 챔버 내에서 가열하여, 증발시킨 후 산화알루미늄 피막 위에서 다시 중합체를 형성하도록 한다.
사용되는 수지 재료로는 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리염화비닐(PVC), ABS, 폴리카보네이트(PC), 폴리우레탄(PU), 폴리카보렛(PU), 폴리아세탈(PA), 폴리이미드(PI), 페럴린(Parylene), 테프론(Teflon) 중에서 선택된 적어도 하나의 수지를 사용할 수 있다.
이상에서 설명된 실시예는 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한 것에 불과하고, 본 발명의 권리범위는 설명된 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상과 특허청구범위 내에서 이 분야의 당업자에 의하여 다양한 변경, 변형 또는 치환이 가능할 것이며, 그와 같은 실시예들은 본 발명의 범위에 속하는 것으로 이해되어야 한다.
1: 알루미늄 합금 프레임
2: 산화알루미늄 피막
3: 수지 증착 코팅층

Claims (11)

  1. 양극 산화법으로 형성된 산화알루미늄 피막과 상기 산화알루미늄 피막 위에 형성된 수지 증착 코팅(Polymer Deposition Coating, PDC)층을 구비하며, 아래의 식 (1)로 표시되는 수지 증착 코팅층 형성 전·후 황산이온(SO4 -2)의 비가 8% 미만이며, 식 (2)로 표시되는 수지 증착 코팅층 형성 전·후 아세트산이온(CH3COO-1)의 비가 1% 미만이며, 아래의 식 (3)으로 표시되는 수지 증착 코팅층 형성 전·후 암모니아이온(NH4 +)의 비가 43% 미만이며, 식 (4)로 표시되는 수지 증착 코팅층 형성 전·후 포르메이트이온(HC00-1)의 비가 15% 미만인 수지 증착 코팅층을 구비한 펠리클 프레임.
    황산이온(SO4 -2)의 비 = S2/S1 … (1)
    아세트산이온(CH3COO-1)의 비 = C2/C1 … (2)
    암모니아이온(NH4 +)의 비 = N2/N1 … (3)
    포르메이트이온(HC00-1)의 비 = H2/H1 … (4)
    (상기 식 (1)에서,
    S1은 양극 산화법으로 형성된 산화알루미늄 피막이 형성된 펠리클 프레임을 90℃로 유지되는 순수에 3시간 담가놓았을 때 펠리클 프레임으로부터 순수로 용출된 황산이온의 양이며,
    S2는 수지 증착 코팅층이 형성된 펠리클 프레임을 90℃로 유지되는 순수에 3시간 담가놓았을 때 펠리클 프레임으로부터 순수로 용출된 황산이온의 양이며,
    상기 식 (2)에서,
    C1은 양극 산화법으로 형성된 산화알루미늄 피막이 형성된 펠리클 프레임을 90℃로 유지되는 순수에 3시간 담가놓았을 때 펠리클 프레임으로부터 순수로 용출된 아세트산이온의 양이며,
    C2는 수지 증착 코팅층이 형성된 펠리클 프레임을 90℃로 유지되는 순수에 3시간 담가놓았을 때 펠리클 프레임으로부터 순수로 용출된 아세트산이온의 양임
    상기 식 (3)에서,
    N1은 양극 산화법으로 형성된 산화알루미늄 피막이 형성된 펠리클 프레임을 90℃로 유지되는 순수에 3시간 담가놓았을 때 펠리클 프레임으로부터 순수로 용출된 암모니아이온의 양이며,
    N2는 수지 증착 코팅층이 형성된 펠리클 프레임을 90℃로 유지되는 순수에 3시간 담가놓았을 때 펠리클 프레임으로부터 순수로 용출된 암모니아이온의 양이며,
    상기 식 (4)에서,
    H1은 양극 산화법으로 형성된 산화알루미늄 피막이 형성된 펠리클 프레임을 90℃로 유지되는 순수에 3시간 담가놓았을 때 펠리클 프레임으로부터 순수로 용출된 포르메이트이온의 양이며,
    H2는 수지 증착 코팅층이 형성된 펠리클 프레임을 90℃로 유지되는 순수에 3시간 담가놓았을 때 펠리클 프레임으로부터 순수로 용출된 포르메이트이온의 양임).
  2. 제1항에 있어서,
    아래의 식 (5)로 표시되는 수지 증착 코팅층 형성 전·후 아질산이온(NO2 -)의 비가 65% 미만이며, 식 (6)으로 표시되는 수지 증착 코팅층 형성 전·후 질산이온(NO3 -1)의 비가 14% 미만인 수지 증착 코팅층을 구비한 펠리클 프레임.
    아질산이온(NO2 -)의 비 = A2/A1 … (5)
    질산이온(NO3 -1)의 비 = B2/B1 … (6)
    (상기 식 (5)에서,
    A1은 양극 산화법으로 형성된 산화알루미늄 피막이 형성된 펠리클 프레임을 90℃로 유지되는 순수에 3시간 담가놓았을 때 펠리클 프레임으로부터 순수로 용출된 아질산이온의 양이며,
    A2는 수지 증착 코팅층이 형성된 펠리클 프레임을 90℃로 유지되는 순수에 3시간 담가놓았을 때 펠리클 프레임으로부터 순수로 용출된 아질산이온의 양이며,
    상기 식 (6)에서,
    B1은 양극 산화법으로 형성된 산화알루미늄 피막이 형성된 펠리클 프레임을 90℃로 유지되는 순수에 3시간 담가놓았을 때 펠리클 프레임으로부터 순수로 용출된 질산이온의 양이며,
    B2는 수지 증착 코팅층이 형성된 펠리클 프레임을 90℃로 유지되는 순수에 3시간 담가놓았을 때 펠리클 프레임으로부터 순수로 용출된 질산이온의 양임).
  3. 제1항에 있어서,
    상기 수지 증착 코팅층은 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리염화비닐(PVC), ABS, 폴리카보네이트(PC), 폴리우레탄(PU), 폴리카보렛(PU), 폴리아세탈(PA), 폴리이미드(PI), 페럴린(Parylene), 테프론(Teflon) 중에서 선택된 적어도 하나의 수지를 포함하는 수지 증착 코팅층을 구비한 펠리클 프레임.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 수지 증착 코팅층은 화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Dedosition, CVD)으로 형성하는 수지 증착 코팅층을 구비한 펠리클 프레임.
  5. 제1항에 있어서,
    S2는 펠리클 프레임 1g당 0.1ng 이하인 수지 증착 코팅층을 구비한 펠리클 프레임.
  6. 제1항에 있어서,
    C2는 펠리클 프레임 1g당 0.9ng 이하인 수지 증착 코팅층을 구비한 펠리클 프레임.
  7. 제1항에 있어서,
    N2는 펠리클 프레임 1g당 0.8ng 이하인 수지 증착 코팅층을 구비한 펠리클 프레임.
  8. 제1항에 있어서,
    H2는 펠리클 프레임 1g당 1.2ng 이하인 수지 증착 코팅층을 구비한 펠리클 프레임.
  9. 제2항에 있어서,
    A2는 펠리클 프레임 1g당 0.12ng 이하인 수지 증착 코팅층을 구비한 펠리클 프레임.
  10. 제2항에 있어서,
    B2는 펠리클 프레임 1g당 0.25ng 이하인 수지 증착 코팅층을 구비한 펠리클 프레임.
  11. 삭제
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2022009094A (ja) * 2018-04-03 2022-01-14 信越化学工業株式会社 ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付フォトマスク、露光方法、及び半導体デバイスの製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100318810B1 (ko) * 1993-04-13 2002-05-13 카나가와 치히로 포토리소그래픽포토마스크용의프레임-지지방진펠리클

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