CN1499288A

CN1499288A - 光刻用掩模护层及其制作方法

Info

Publication number: CN1499288A
Application number: CNA2003101132090A
Authority: CN
Inventors: 永田爱彦
Original assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date: 2002-11-05
Filing date: 2003-11-05
Publication date: 2004-05-26
Anticipated expiration: 2023-11-05
Also published as: KR20040040343A; JP2004157229A; US20050281954A1; KR101012001B1; US7432023B2; US20040091796A1; US7067222B2; CN100386843C; TWI234690B; TW200407663A

Abstract

本发明旨在提供一种较大尺寸的光刻用掩模护层及其制作方法，相较于习知的旋转涂布法，可以更简单且确实地制作既价廉又大型的掩模护层，其具有膜厚不均现象较少、光线透过率均匀且较高的优点。本发明的光刻用掩模护层，至少具有：a)掩模护层膜，阻挡异物用；b)掩模护层框，粘贴该掩模护层膜；c)粘接剂层，为了粘贴掩模护层膜而设置于掩模护层框的一边端面；d)粘附层，设置于掩模护层框的另一边端面；其特征为：该掩模护层膜是利用金属模涂布机而形成的。

Description

光刻用掩模护层及其制作方法

技术领域

本发明涉及光刻上为了形成微细图案，用作光刻用掩模阻挡异物使用的光刻用掩模护层(pellicle)及其制作方法。尤其是涉及制作液晶显示板的，所用的大型光刻用掩模护层。

背景技术

LSI、超LSI等半导体制作或液晶显示板等的制作上，虽然将光照射于半导体晶片或液晶用原板而制作图案，但是于此情形下，一旦异物附着于使用的曝光原板(光刻用掩模)，此异物往往吸收光，或是为了将光弯曲而转印出的图案往往变形，除了边缘生成毛边之外，底层往往变黑受污，损及尺寸、品质、外观等，导致半导体装置或液晶显示板等的性能或制作良率下降等问题。

为此，一般此操作是在无尘室内进行，因为即使在此无尘室内，平常要干净地保持曝光原板是困难的，在曝光原板的表面上，采取贴附用以阻挡异物而使曝光用光线能良好通过的掩模护层的方法。此情形下，由于异物并不直接附着于曝光原板的表面上，而是附着于掩模护层膜上，光刻时，若将焦点对准曝光原板的图案上，掩模护层膜上的异物与转印便无相关性。

如此掩模护层的基本构造，构造上包含：a)掩模护层膜，由使曝光所用的光线良好通过的硝化纤维素、醋酸纤维素等所构成的涂布液，通过旋转涂布法涂布于平滑的基板上，将该涂布液中的溶剂予以干燥之后，从基板将基板上所形成的透明膜予以剥离；b)掩模护层框，由施予黑色氧化铝膜的A7075等的铝合金、不锈钢、聚乙烯等所构成；将掩模护层膜与掩模护层框，在该框的一边端面涂布掩模护层膜的良好溶剂，经风干后进行粘附(例如，参照专利文献1)，或是以丙烯酸树脂或环氧树脂等粘接剂进行粘附(例如，参照专利文献2、3)。再者，c)粘附层，在该掩模护层框的另一边端面，由为了安装曝光原板的聚丁烯树脂、聚醋酸乙烯酯树脂、丙烯酸树脂等所构成；d)掩模粘附层保护用衬里，以该粘附层的保护为目的。

【专利文献1】

日本公开专利公报第昭58-219023号

【专利文献2】

美国专利申请书第4861402号

【专利文献3】

日本公开专利公报第昭63-27707号

近年来，在液晶显示板等制作步骤上的光刻步骤，已逐渐使用掩模护层。此情形所使用的掩模护层是利用镜面投射方式等形成成批曝光方式的情形，相较于半导体制作步骤所使用的掩模护层(750cm²以下：实用化最大内径已达12时)，必须为非常大尺寸的掩模护层(1000cm²以上)。即使如此尺寸的大的掩模护层的情形，使用习知的旋转涂布法作为掩模护层膜的制作方法。

然而，利用旋转涂布法，例如制作1000cm²以上尺寸的大型掩模护层膜的情形的问题点：①形成涂布液膜必须要有非常多量的涂布液量涂布于基板上，在旋转中，涂布液几乎都被甩开而溅出，极其浪费而耗用制作成本；另外，②利用旋转涂布法，形成大型基板薄膜的情形，膜厚的不均现象将变多(例如，膜厚分布的面内分布大于±10％)、降低光线透过率等问题，无法得到完备性能的掩模护层膜；再者，③旋转大型基板是困难之事，使重的大型基板高速旋转是一问题，高制作成本等是另一问题。特别重要的问题，例如①②，实际上通过旋转涂布法制作尺寸大的掩模护层膜的情形，产生难以显现掩模护层膜本身应具有的光学特性的问题点。

发明内容

本发明有鉴于如此的问题点，主要目的在于提供一种较大型尺寸的光刻用掩模护层及其制作方法，相较于习知的旋转涂布法等，可以简单且确实地制作既价廉又大型的掩模护层，一种具有膜厚的不均现象少、光线透过率均匀且高的掩模护层膜。

因为为了解决该课题，本发明提出一种光刻用掩模护层，至少具有：

a)掩模护层膜，阻挡异物用；

b)掩模护层框，粘贴该掩模护层膜；

c)粘接剂层，为了粘贴掩模护层膜而设置于掩模护层框的一边端面；

d)粘附层，设于掩模护层框的另一边端面；及其特征为：

该掩模护层膜是利用金属模涂布机形成的权利要求。

如此方式，通过利用金属模涂布机形成掩模护层膜，相较于习知的半导体制作步骤所使用的掩模护层膜，在处理大型基板的光刻步骤等所用的大型掩模护层膜，也较利用习知的旋转涂布法等所形成的掩模护层膜，控制并减少了膜厚的不均现象，也提高了光线透过率，就结果而言，若在光刻步骤利用如此的掩模护层，能够于大型的图案形成基板，使图案得以顺利形成。

此情形下，掩模护层膜的面积为1000cm²以上，并且膜厚分布的面内分布为±10％以内。

如此方式，本发明的光刻用掩模护层薄膜，即使面积为1000cm²以上的大型薄膜，一旦膜厚分布的面厚分布为±10％以内，相较于大于10％以上的习知薄膜，膜厚的不均现象为极小，适用于光线透过率高的大型光刻步骤。

此情形下，该光刻用掩模护层是使用于为了制作液晶显示板的光刻步骤。

本发明的光刻用掩模护层薄膜，例如，即使面积大于1000cm²以上的大型薄膜，由于膜厚的不均现象为极小、光线透过率于面内亦为均匀，特别能适用于成为处理较大型图案形成基板的制作液晶显示板用的光刻步骤。

另外，本发明提供一种掩模护层膜的制作方法，至少包含：

b)将掩模护层膜原料溶解于溶剂而调配涂布液的步骤；

c)将该涂布液涂布于基板上的步骤；

d)将涂布该涂布液的基板予以干燥的步骤；及其特征为：

利用金属模涂布机进行该涂布步骤。

如此方式，本发明于制作掩模护层膜之际，通过利用金属模涂布机进行习知利用旋转涂布机等施行的涂布液的涂布步骤，即使于制作较大面积的掩模护层膜的情形，浪费的涂布液少而完成涂布，另外，由于涂布时不必使基板旋转，能够既简单且价廉地加以制作，并且能够制作膜厚的不均现象极少，光线透过率高且均匀的掩模护层膜。

此情形下，最好以下式(1)所求出范围的涂布液量，利用该金属模涂布机进行涂布步骤。

0.9×V1＜V＜1.1×V1 (1)

(V1＝S×t/(D/100)

V(m³)：涂布液量、S(m²)：基板面积

t(m)：干燥后膜厚、D(％)：涂布液浓度)。

如此方式，对于由所要求的干燥后膜厚t、基板面积S、以及涂布液浓度D倒算出的涂布液量V1，通过设定涂布液量V大于V1的0.9倍、且小于V1的1.1倍范围的量，针对所要求的干燥后膜厚，例如，能够使干燥后膜厚分布小于±10％以下的范围。

此情形下，最好于基材表面的空气流速为每秒30cm以下的空气中，5分钟以上风干该干燥步骤之后，于涂布液的沸点以上的温度进行干燥。

如此方式，通过在基材表面的空气流速为每秒30cm以下的空气中，5分钟以上风干该干燥步骤之后，于涂布液的沸点以上的温度进行干燥，能够减小并抑制干燥步骤成为掩模护层膜的膜厚不均现象发生的原因。

如此方式，本发明制作掩模护层膜的面积为1000cm²以上。

如此方式，若根据本发明的掩模护层膜的制作方法，即使制作掩模护层膜的面积为1000cm²以上的大型掩模护层膜的情形，相较于习知的旋转涂布法等，由于少量涂布液便完成涂布、在涂布时不必使基板旋转，能够既简单且价廉地制作，另外，也能够制作膜厚不均现象少、光线透过率均匀的掩模护层膜。

而且，本发明提供一种光刻用掩模护层的制作方法，至少于掩模护层框的一边端面设置粘接剂层，将利用本发明的方法所制作的掩模护层膜，通过粘接剂层而粘贴于该掩模护层框的一边端面。提供利用该方法所制作的光刻用掩模护层。

如此方式所制作的光刻用掩模护层，例如，相较于利用习知的旋转涂布法等所形成的掩模护层膜，即使如为了制作如液晶显示板的光刻步骤所用的较大型的掩模护层，为具有能够减少并抑制膜厚的不均现象、光线透过率也均匀的掩模护层膜。因此，若在光刻步骤使用如此掩模护层的话，即使于大型的图案形成基板，也能够使图案顺利形成。

本发明人等不断钻研的结果，发现于制作于如液晶显示板的光刻步骤等所使用的较大型光刻用掩模护层之际，取代以习用的旋转涂布机等形成掩模护层膜，若利用金属模涂布机进行成膜的话，可以既简单且价廉地得到一种光刻用掩模护层，具有掩模护层膜的膜厚不均现象少、光线透过率高且均匀的掩模护层膜，使本发明得以完成。

附图说明

图1是显示本发明的掩模护层构造的示意图；

图2系显示于本发明所用的金属模涂布机的一例的示意图。

图中符号说明：

1～掩模护层框

2～掩模护层膜

3～粘附层

4～保护用衬里

5～掩模护层

6～粘接剂层

11～金属模涂布机

12～排料泵

13～桶槽

14～桌面

15～基板

具体实施方式

以下，兹将针对本发明的实施方式进行说明，但是本发明并不限定于此实施方式。

如图1所示，本发明的掩模护层5，至少由掩模护层框1、掩模护层膜2、粘接层3、与粘接剂层6所构成。掩模护层5是在掩模护层框1的一边端面，通过掩模护层膜粘接用粘接剂层6而粘贴掩模护层膜2，此情形下，通常于另一边端面形成掩模贴附用粘接层3，于该掩模贴附用粘接层3之下方端面以可剥离方式贴附保护用衬里(脱模层)4。

相较于习知的半导体制作步骤等所使用的面积为750cm²以下的掩模护层膜，本发明的光刻用掩模护层薄膜，例如，即使于制作如大型液晶显示板之时的光刻步骤等所用的大的掩模护层膜，其膜厚的不均现象少、光线透过率均匀。亦即，即使掩模护层膜的面积为1000cm²以上的大型掩模护层膜，相较于利用习知的旋转涂布法等所形成的薄膜，其膜厚分布的面内分布大于10％，本发明的光刻用掩模护层薄膜极佳，为±10％以内、甚至于±5％以内且膜厚的不均现象极少，光线透过率既均匀且高。另外，掩模护层膜的面积，甚至能够作成10000cm²以上，50000cm²以上的范围也是可能的。即使如此大型的掩模护层膜，也能够为膜厚的不均现象少、光线透过率高的掩模护层膜。从膜强度、成本等观点而言，如此掩模护层膜的厚度最好为0.5μm以上、20μm以下的范围。

制作如此掩模护层膜至少经由：将掩模护层膜原料溶解于溶剂中而调配涂布液的步骤；利用金属模涂布机而将该涂布液涂布于基板上的步骤；及将已涂布该涂布液的基板予以干燥的步骤等。

首先，针对涂布液的调配步骤进行说明。

针对掩模护层膜原料的种类，并无特别的限制，可以使用硝化纤维素、醋酸纤维素、无定形氟聚合物等。作为无定形氟聚合物的例子，可列举：Cytop(日本旭硝子(股份)制，商品名)、Teflon AF(Dupon(股份)制，商品名)等。此聚合物(掩模护层膜原料)作成预先溶解于溶剂的形式，或是也可以于其掩模护层膜制作时，必要的话，溶解于溶剂后使用，例如，可以利用氟系溶剂等予以适度溶解。

接着，涂布步骤设为利用金属模涂布机进行。虽然金属模涂布机的种类并无特别的限制，于涂布涂布液之时，最好涂布液膜的厚度均匀性高，在干燥后不易产生掩模护层膜的膜厚不均现象。

例如，可以使用如图2所示的金属模涂布机11。此金属模涂布机11经由排料泵12而连接于装载涂布液的桶槽13。桶槽13的涂布液经由排料泵12进行排料，一面移动金属模涂布机11，并于载置于桌面14上的基板15上，直到所要求的厚度为止进行涂布液的涂布。

金属模涂布机必须具备：于特别要求光学均匀性的掩模护层膜，由于涂布后的薄膜均匀性很重要，模缝垂直向下，排料后的涂布液涂布于置于水平面上的平坦的基板上。如此金属模涂布机可以利用习用的技术。例如，最好为日本专利公报第2644457号或日本公开专利公报第平10-421号揭示的装置。具体而言，例如，可以利用缝口金属模涂布机(FLORIAII日本中外炉工业制，商品名)、超精密排料型FAS涂布机装置MH-1600(日本岛津制作所制，商品名)等。

利用此金属模涂布机进行涂布的涂布液量能依据所要求的干燥后膜厚而予以适度决定。

具体而言，最好进行涂布的涂布液量，依下式(1)决定。

0.9×V1＜V＜1.1×V1 (1)

(V1＝S×t/(D/100)

V(m³)：涂布液量、S(m²)：基板面积

t(m)：干燥后膜厚、D(％)：涂布液浓度)

涂布液量V可由所要求的干燥后膜厚t、基板面积S、以及涂布液浓度D倒算出的所要求的涂布液量V1而求得。若涂布液量V大于V1的0.9倍、且小于V1的1.1倍范围的量，针对所要求的干燥后膜厚，例如，能够使干燥后膜厚分布小于±10％以下的范围。由于干燥后的膜厚视涂布时的涂布液量而定，必须将涂布时的涂布液量至少设为所要求的涂布液量的±10％以下的范围。若利用金属模涂布机进行涂布，将涂布液于±10％以下的范围进行涂布是容易的，其结果，能够使干燥后的膜厚于±10％以内。尤其，若利用金属模涂布机，则可以于±5％以内。

其次，干燥步骤可以如下方式进行：首先，在空气中进行使溶剂挥发至某种程度而行风干，接着，通过干燥机或热板进行加热干燥以完全去除溶剂。例如，若在无尘室等强的下降气流之下，进行该加热干燥前的风干，加工后的膜上将发生膜厚不均现象。因此，在适当的气流下，最好于每秒30cm以下的气流下，最好进行5分钟以上的干燥。还有，此干燥时间最好于100分钟以内。即使进行较100分钟更长时间的干燥，因为干燥效果几乎不变，反而会增加污染物附着等弊端。另外，利用该干燥机等加热干燥，为了防止于干燥中发生涂布液膜的膜内的对流现象，最好将基板与涂布液膜的膜面温度的温差降至极小后再进行。

接着，进行光刻用掩模护层的组合。针对掩模护层框、粘接剂层以及粘附层进行说明。还有，在本发明，此物质可以使用习知的材质。

首先，针对无尘室并无特别的限制，作为其材质，例如，可列举：在习知所使用的铝材(铝材进行阳极氧化处理之后，利用黑色染料而染成黑色)、钢、不锈钢、聚甲醛、聚碳酸酯、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、丙烯酸树脂等的树脂，再者，青板玻璃、石英玻璃等。

对于掩模护层框表面，一般利用端面喷涂或化学研磨进行粗糙化，而本发明对于此掩模护层框表面的粗糙化方法，材质并无任何的限制。例如，使用铝材的情形，习知利用不锈钢、金刚砂、玻璃珠等进行表面的喷涂处理，再利用NaOH等进行化学研磨而将表面予以粗糙化，能够使用此种方式。

另一方面，对于光刻步骤并无特别的限制，掩模护层框的表面，即使为平滑状态亦无妨，不进行染色或喷涂也可以，并不限定于此表面。

另外，至少于掩模护层框的一边端面，可以设置至少一个以上为了通气的孔洞，若无必要也可以不设置通气孔。

设置通气孔的情形，对于该通气孔的尺寸、形状、个数、位置，并无特别的限制，最好根据设置于该通气孔开口处的通气口的过滤器网眼尺寸、过滤面积、或是从此通气口所求得的通气量，而选择其尺寸、形状、个数、位置。最好的话，不要设置需求以上的大通气口，可以设置需求的最低量的通气口。

作为使用于通气口的除尘用过滤器，只要能够设置于通气口部分的物质，对于尺寸、形状、材质并无特别的限制。作为此过滤器的材质，可列举：树脂(PTFE(聚四氟乙烯)、Nylon 66等)、金属(316L不锈钢等)、以及陶瓷(铝、氮化铝等)。

接着，作为掩模护层膜粘附用粘附层的粘接剂，能够使用习知惯用的粘接剂，例如，可列举：丙烯酸树脂粘接剂、环氧树脂粘接剂、硅树脂粘接剂、含氟硅树脂粘接剂等氟聚合物等。其中，最好为硅树脂、氟系聚合物。

作为形成掩模贴附用粘接剂层的粘附剂，可列举：双面粘贴胶带、硅树脂粘附剂、丙烯酸系粘附剂、热熔系粘附剂等。

本发明的掩模护层是利用一般方法，能够于掩模护层框的一边端面，通过掩模护层膜粘接用粘接剂层而粘贴掩模护层膜，另外，一般于另一边端面，形成掩模贴附用粘附层而进行制作，在其掩模贴附用粘附层的一边端面，以可剥离方式贴附脱模层(保护用衬里)。此时，在掩模护层框的一边端面所形成的掩模护层膜粘接用粘接剂层，能够通过以必要的溶剂稀释粘接剂而涂布于掩模护层框的一边端面，经加热后干燥、使其硬化而形成。此情形下，作为粘接剂的涂布方法，可以采用毛刷涂布、喷洒、自动喷流的方法等。

针对该掩模贴附用粘附层的保护用衬里，其材质并无特别的限制，例如，可列举：PET(对苯二甲酸聚乙酯)、PTFE、PFA、PE、PC(聚碳酸酯)、氯乙烯、PP(聚丙烯)、不锈钢、铝箔等，能够使用于此衬里中涂布从粘附层赋予脱模性的脱模剂。

【实施例】

以下，列举实施例及比较例以具体说明本发明。

(实施例1)

首先，针对制备掩模护层框，备妥框外尺寸800mm×900mm×5mm宽、框厚度6mm的铝合金制框。在此框的一边端面中央设置一直径1.0mm的通气孔。

洗净此框表面之后，使用玻璃珠，于排料压1.5kg/cm²的端面喷涂装置之中，进行1分钟表面处理，将表面予以粗糙化。接着，于NaOH处理浴之中，进行10秒钟处理、洗净之后，进行阳极氧化、染成黑色、封孔处理，在表面形成黑色的氧化覆膜。

将此铝合金制框，合并使用纯水与超声波洗净装置进行洗净。接着，利用喷洒涂布装置，在此框的内侧表面，涂布1μm的硅系粘附剂。

接着，在该通气孔的开口处，设置材质为PTFE、尘埃过滤尺寸(网眼尺寸)为0.1～3.0μm、过滤效率为99.9999％、宽9.5mm、高2.5mm、厚300μm的过滤器而作成掩模护层框。

接着，将Teflon AF1600(美国Dupon公司制，商品名)溶解于氟系溶剂的Fluorient FC-75(美国3M公司制，商品名)而调配浓度6％的溶液。

接着，利用此溶液(涂布液浓度D＝6％)，在1000mm×1000mm、厚度5mm的镜面研磨的合成石英基板面(基板面积S＝1m²)，为了得到厚度2μm的掩模护层膜(干燥后膜厚t＝2×10^-6m)，利用缝口金属模涂布机(FLORIA II日本中外炉工业制，商品名)而形成膜厚为35μm的涂布膜(涂布液量V＝涂布膜厚×基板面积＝35×10^-6m³(35ml))(V1＝S×t/(D/100)＝33.3×10^-6m³。因而，0.9×V1＜V＝35×10^-6m³(35ml)＜1.1×V1＝＝。

然后，将此涂布膜，在风速10cm的垂直层流型无尘室内，静置干燥30分钟之后，于保持180℃的洁净烤炉内干燥2分钟，形成厚度2μm的掩模护层膜。

接着，使用环氧树脂系粘接剂Aral Ditrapid(日本昭和高分子(股份)制，商品名)，使此掩模护层膜与具有外尺寸1000mm×1000mm×10mm宽、厚10mm的框的掩模护层制作用夹具，予以粘接之后，在空气中，从合成石英基板面予以剥离。

接着，在如上所述的已制备的铝合金制掩模护层框的一边端面，涂布硅系粘附剂，于100℃加热10分钟，使其干燥硬化而形成粘附层。另外，于此铝合金制掩模护层框的另一边端面，涂布已被氟系溶剂CTSolv 180(日本旭硝子(股份)制，商品名)稀释的氟系高分子聚合物粘接剂CT69(日本旭硝子(股份)制，商品名)，于100℃加热10分钟，使其干燥硬化而形成粘接剂层。备妥PET制衬里，藉由具有依CCD相机定出影像处理位置的衬里贴附装置，贴合于掩模护层框的该粘附层上。

然后，在上述的已备妥的Teflon AF1600的掩模护层膜表面，使该掩模护层框的粘接剂层紧密粘接之后，利用IR灯管加热掩模护层框，使掩模护层框与掩模护层膜熔融接合。掩模护层框与掩模护层制作用夹具的二框，将掩模护层框的粘接面朝上后，安装于固定用夹具而固定于不会偏移的相对位置。接着，将掩模护层框之外侧的掩模护层制作用夹具框提高而加以固定，掩模护层框外侧的掩模护层膜处施加0.5g/cm的张力。

接着，安装于去垢机械的切割器上，利用软管式喷流器，每分钟10ml地滴流Fluorient FC75(美国Dupon公司制，商品名)，一面沿着该掩模护层框的粘接剂层部分的周围部分，移动切割器以切除掩模护层框外侧不需要的掩模护层膜。

利用日本大冢电子制的透过率测定装置，测定如此方式完成的光刻用掩模护层膜的膜厚分布。此测定是以50mm间隔的格子状进行1000×1000mm的薄膜面内的测定。

将此实施例的成膜测试的测定结果及涂布液量揭示于下表1。

(比较例1)

除了利用旋转涂布法进行掩模护层膜的成膜的点以外，针对利用与实施例1同样的方法而制得的光刻用掩模护层的薄膜，利用与实施例1相同的方法，进行膜厚分布的测定。将此比较例的成膜测试的测定结果及涂布液量揭示于表1。

【表1】

	成膜方法	面内分布	涂布液量(ml)
	成膜方法	面内分布	涂布液量(ml)	实施例1	缝口金属模涂布机	±5％	35
比较例1	旋转涂布机	±11％	350	实施例1	缝口金属模涂布机	±5％	35

由表1，利用金属模涂布机形成掩模护层薄膜的实施例1，掩模护层膜的膜厚分布系面内分布为±5％以内，相较于利用旋转涂布机形成薄膜的比较例1为±11％，明确得知可以得到高的膜厚均匀性。如此高的膜厚均匀性，其光线透过率为均匀的。

另外，形成掩模护层膜所必需的涂布液量，实施例1使用比较例1的十分之一的量即可完成涂布，得知能够节省相当大量的涂布液。

还有，本发明并不受限于该实施方式。该实施方式为一说明例，具有与本发明的权利要求书所揭示的技术性观点与实质上相同的构造，达到同样的作用与效果，任何方式均包含于本发明的技术范围。

发明的效果

如以上的说明，若依照本发明，能够简单且价廉提供一种掩模护层，通过利用金属模涂布机，形成远比半导体制作步骤使用的掩模护层膜更大尺寸的薄膜，同时相较于利用习知的旋转涂布机所形成的，本发明的掩模护层膜为一种具有局部膜厚不均现象少或其面内分布小、光线透过率既均匀且高的掩模护层膜。

Claims

1.一种光刻用掩模护层，至少具有：

a)掩模护层膜，阻挡异物用；

b)掩模护层框，粘贴该掩模护层膜；

a)粘附层，设置于掩模护层框的另一边端面；

其特征在于：

该掩模护层膜是利用金属模涂布机形成的。

2.如权利要求所述的光刻用掩模护层，其特征在于：该掩模护层膜的面积为1000cm²以上，并且膜厚分布的面内分布为±10％以内。

3.如权利要求1或2所述的光刻用掩模护层，其特征在于：其是供使用于制作液晶显示板用的光刻步骤。

4.一种掩模护层膜的制作方法，至少包含：

a)将掩模护层膜原料溶解于溶剂中而调配涂布液的步骤；

b)将该涂布液涂布于基板上的步骤；

c)将涂布该涂布液的基板予以干燥的步骤；

其特征在于：

利用金属模涂布机进行该涂布步骤。

5.如权利要求4所述的掩模护层膜的制作方法，其特征在于：其是以下式(1)所求出范围的涂布液量，利用该金属模涂布机进行涂布步骤，

0.9×V1＜V＜1.1×V1 (1)

[V1＝S×t/(D/100)

V(m³)：涂布液量、S(m²)：基板面积

t(m)：干燥后膜厚、D(％)：涂布液浓度]。

6.如权利要求4或5所述的掩模护层膜的制作方法，其特征在于：该干燥步骤是依下述方式进行：

在基材表面的空气的流速为每秒30cm以下的空气中，风干5分钟以上后，在涂布液的沸点以上的温度进行干燥。

7.如权利要求4或5所述的掩模护层膜的制作方法，其特征在于：制作掩模护层膜的面积为1000cm²以上。

8.一种光刻用掩模护层的制作方法，至少于掩模护层框的一边的端面设置粘接剂层，将利用权利要求4-7中任一项的方法所制作的掩模护层膜，通过粘接剂层而粘贴于该掩模护层框的一边端面。

9.一种利用权利要求8所述的光刻用掩模护层的制作方法所制作的光刻用掩模护层。