CN1655065A - 稀释剂组分及用其除去光刻胶的方法 - Google Patents
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Abstract
一种稀释剂组分包括丙二醇醚乙酸酯、甲基2－羟基－2－丙酸甲酯和酯化合物如乳酸乙酯、乙基3－乙氧基丙酸酯或其混合物。
Description
技术领域
本发明总体上涉及稀释剂组分及使用该稀释剂组分除去光刻胶的方法。更具体，本发明总体上涉及具有改进的溶解度性能的稀释剂组分及使用该稀释剂组分有效地除去与各种光刻胶或抗反射材料有关的边缘珠(bead)的方法。
本申请要求2004年2月10日申请的韩国专利申请号2004-8678的优先权，其内容被全部引入作为参考。
背景技术
具有高集成度和快速反应速度的半导体器件有希望继续发展成为信息处理设备。因此，用于制造半导体器件的技术发展为提高半导体器件的集成度、可靠性和反应速度。
为了制造常规微电路，例如，杂质被精确地注入硅衬底上的区域，然后使杂质区互相电连接，以形成超大规模集成电路(VLSI)电路。使用光刻工艺形成限定杂质区的图形。在衬底上形成光刻胶膜之后，光刻胶膜被暴露于光如紫外射线、电子束或X射线。光刻胶膜被显影，然后衬底上的露出部分被除去。
通常，在旋转衬底的同时涂敷光刻胶，如旋涂工序；光刻胶被均匀地涂敷在衬底的边缘和背部。但是，涂敷在衬底的边缘或背部的光刻胶产生被称为边缘珠的微粒，该边缘珠在后续工序如刻蚀工序或离子注入工序中可能导致工序失败。因此，通常需要使用稀释剂组分的边缘珠去除(EBR)工序从衬底除去不想要的颗粒。
有时，在光刻工序过程中可能发生光刻胶图形的损坏。当光刻胶图形的损坏发生时，为了从衬底除去损坏的光刻胶图形，执行再加工工序。再加工工序用于挽救衬底。
随着半导体器件上的图形变得更精细，光刻胶组分被I线射线或G线射线显影。光刻胶组分通常包括作为主原料的酚醛清漆树脂。此外，使用对准分子激光或远紫外线敏感的放大光刻胶来制造半导体器件。因此，需要与这种类型的光刻胶有关的具有良好溶解度的稀释剂组分。
例如，美国专利号5,866,305公开了一种包含乳酸乙酯和乙基3-乙氧基丙酸酯的稀释剂组分，以及还公开了包含乳酸乙酯、乙基3乙氧基丙酸酯和伽马(gamma)-丁内酯的另一种稀释剂组分。尽管广泛地使用的上述稀释剂组分相对于某些光刻胶如放大的光刻胶具有差的溶解度。此外，由于乙基3-乙氧基丙酸酯用作主原料，因此稀释剂组分比较昂贵。此外，该稀释剂组分相对于使用氟化氩(ArF)激光的光刻胶具有差的溶解度和EBR性能。
美国专利号6,159,646公开了一种包含乳酸乙酯和伽马-丁内酯的另一常规的稀释剂组分；一种包含乳酸乙酯、乙基3-乙氧基丙酸酯和伽马-丁内酯的稀释剂组分；以及一种包含乳酸乙酯和乙基3-乙氧基丙酸酯盐的稀释剂组分。制备包含乙基3-乙氧基丙酸酯和伽马-丁内酯的稀释剂组分的成本相当高。这些稀释剂组分相对于使用ArF激光的光刻胶也具有相当差的溶解度。
上述常规稀释剂组分用于再加工工序和EBR工序中；但是该稀释剂组分对于这两种工序都是不合宜的。
如韩国专利特许公开公开号2003-51129公开了一种包含乙酸酯化合物、伽马-丁内酯以及非乙酸酯型酯的稀释剂组分，该稀释剂组分在再加工工序或EBR工序中除去使用I线射线、G线射线和氟化氪激光的光刻胶是有效的。但是，该稀释剂组分相对于使用ArF激光的光刻胶具有差的溶解度。此外，该稀释剂组分具有差的EBR性能。因此需要一种相对于暴露于ArF激光的光刻胶具有良好溶解度的稀释剂组分，该稀释剂组分有效地除去EBR工序中不需要的光刻胶且在再加工工序中是有效的。
发明内容
本发明提供一种相对于光刻胶和抗反射层具有优异的溶解度性能、边缘珠去除性能以及再加工性能的稀释剂组分。
根据本发明的一个方面，一种稀释剂组分包括丙二醇醚乙酸酯，选自由乳酸乙酯、乙基3-乙氧基丙酸酯及其混合物构成的组的一种酯化合物以及甲基-2-羟基2-丙酸甲酯。
本发明的另一实施例提供一种稀释剂组分，包括约30至65％重量的丙二醇单甲醚乙酸酯，约15至约50％重量的乙基3-乙氧基丙酸酯以及约20至约55％重量的甲基2-羟基2-丙酸甲酯。
一种使用本发明的稀释剂组分除去光刻胶的方法，通过在衬底上形成光刻胶膜，以及使用稀释剂组分从衬底光刻胶膜，该稀释剂组分包括丙二醇醚乙酸酯、甲基2-羟基2-丙酸甲酯和选自由乳酸乙酯、乙基3-乙氧基丙酸酯及其混合物构成的组的至少一种酯化合物。
附图说明
通过参考下面详细说明，同时结合附图考虑，将使本发明的目的变得更显而易见，其中：
图1是说明根据本发明的实施例使用稀释剂组分除去光刻胶的方法的流程图。
图2是说明根据本发明的另一实施例使用稀释剂组分除去光刻胶的方法的流程图。
具体实施方式
下面将参考附图更完全地描述本发明，附图中示出了本发明的优选实施例。但是，本发明可以以多种不同的方式体现，不应该认为局限于在此阐述的实施例；相反，这些实施例被提供作为加工例子。应当理解当一个元件例如层、区域或衬底指在另一元件“上”时，它可以直接在另一个元件“上”或也可能存在插入元件。
本发明提供一种稀释剂组分，该稀释剂组分相对于通过氟化氩(ArF)激光暴露的光刻胶膜具有改进的溶解度性能、边缘珠去除(EBR)性能和再加工性能。
本发明的稀释剂组分包含丙二醇醚乙酸酯、酯化合物以及甲基2-羟基2-丙酸甲酯。此外，丙二醇醚乙酸酯可以包括丙二醇单甲醚乙酸酯或丙二醇一乙基醚乙酸酯。这些化学剂可以单独使用或组合使用。
当乳酸乙酯(EL)用作酯化合物时，稀释剂组分中的丙二醇单甲醚乙酸酯的含量优选在40至约75％重量的范围内。
当稀释剂组分包括超过约75％重量的丙二醇单甲醚乙酸酯时，稀释剂组分的溶解度下降。当稀释剂组分包括小于约40％重量的丙二醇单甲醚乙酸酯，稀释剂组分的粘滞度上升，这损坏与光刻胶有关的EBR性能。因此，稀释剂组分优选包括约40至约75％重量的丙二醇单甲醚乙酸酯。更优选，稀释剂组分包括约50约60％重量的丙二醇单甲醚乙酸酯。
当3-乙氧基丙酸酯(EL)用作酯化合物时，稀释剂组分中的丙二醇单甲醚乙酸酯的含量优选在约30至65％重量的范围内。
当稀释剂组分包括超过约65％重量的丙二醇单甲醚乙酸酯时，稀释剂组分的溶解度被减小。当稀释剂组分包括小于约30％重量的丙二醇单甲醚乙酸酯，稀释剂组分的粘滞度上升，损坏与光刻胶有关的EBR性能。因此，稀释剂组分优选包括约30至约65％重量的丙二醇单甲醚乙酸酯。
本发明的稀释剂组分包括酯化合物。酯化合物优选包括乳酸乙酯或乙基3-乙氧基丙酸酯。这些化学剂可以单独使用或组合使用。
当乳酸乙酯用作酯化合物时，稀释剂组分优选包括约5至约45％重量的乳酸乙酯。当稀释剂组分包括超过约45％重量的乳酸乙酯时，稀释剂组分的溶解度差，以及EBR性能被损坏。当稀释剂组分包括小于约5％重量的乳酸乙酯，与光刻胶有关的稀释剂组分的EBR性能损坏。因此，稀释剂组分中的乳酸乙酯的含量优选在约5至约45％重量的范围内。
当乙基3-乙氧基丙酸酯用作酯化合物时，稀释剂组分优选包括约15至约50％重量的乙基3-乙氧基丙酸酯。当稀释剂组分包括超过约50％重量的乙基3-乙氧基丙酸酯时，稀释剂组分的溶解度被差。当稀释剂组分包括小于约15％重量的3-乙氧基丙酸酯，与光刻胶有关的稀释剂组分的EBR性能被损坏。因此，稀释剂组分中的3-乙氧基丙酸酯的含量优选在约15至约50％重量的范围内。例如，乙基3-乙氧基丙酸酯的含量处于约15至约40％重量的范围内。
本发明的稀释剂组分包括甲基2-羟基2-丙酸甲酯。
当乳酸乙酯用作酯化合物时，稀释剂组分优选包括约15至约50％重量的甲基2-羟基2-丙酸甲酯。当稀释剂组分包括小于约15％重量的甲基2-羟基2-丙酸甲酯时，与光刻胶有关的稀释剂组分的EBR溶解度下降。当稀释剂组分包括超过约50％重量的甲基2-羟基2-丙酸甲酯时，稀释剂组分的粘滞度增加，与光刻胶有关的稀释剂组分的EBR粘滞度被损坏。因此，稀释剂组分中的甲基2-羟基2-丙酸甲酯的含量优选在约15至约50％重量的范围内。更优选，甲基2-羟基2-丙酸甲酯的含量处于约30至约40％重量的范围内。
当乙基3-乙氧基丙酸酯用作酯化合物时，稀释剂组分优选包括约20至约55％重量的甲基2-羟基2-丙酸甲酯。当稀释剂组分包括小于约20％重量的甲基2-羟基2-丙酸甲酯时，稀释剂组分的溶解度下降。当稀释剂组分包括超过约55％重量的甲基2-羟基2-丙酸甲酯时，稀释剂组分的粘滞度上升，与光刻胶有关的EBR性能被损坏。因此，稀释剂组分中的甲基2-羟基2-丙酸甲酯的含量优选在约20至约55％重量的范围内。更优选，甲基2-羟基2-丙酸甲酯的含量处于约30至约40％重量的范围内。
此外稀释剂组分可以包括表面活性剂如含氟的表面活性剂、离子表面活性剂以及非离子表面活性剂。稀释剂组分也可以包括约10至约550重量ppm的表面活性剂。
现在在下文中将参考例子和比较例子更完全地描述本发明。但是本发明不应该被认为局限于在此阐述的例子。
例1
为了制备稀释剂组分，在容器中混合约50％重量的丙二醇单甲醚乙酸酯、约10的乳酸乙酯和约40％重量的甲基2-羟基2-丙酸甲酯。获得的稀释剂组分的粘滞度在约25℃的温度下约为1.5cP。
例2
为了制备第二稀释剂组分，在容器中混合约45％重量的丙二醇单甲醚乙酸酯、约15％重量的乙基3-乙氧基丙酸酯和约40％重量的甲基2-羟基2-丙酸甲酯。获得的第二稀释剂组分的粘滞度在约25℃的温度下约为1.4cP。
比较例1
为了制备比较的稀释剂组分，在容器中混合丙二醇单甲醚乙酸酯、伽马-丁内酯和乙基3-乙氧基丙酸酯。该比较的稀释剂组分包括约73％重量的丙二醇单甲醚乙酸酯、约25％重量的乙烯3-乙氧基丙酸酯以及约2％重量的伽马-丁内酯。获得的比较稀释剂组分的粘滞度在约25℃的温度下约为1.3cP。
比较例2
为了制备第二比较的稀释剂组分，在容器中混合乙基3-乙氧基丙酸酯、乳酸乙酯和伽马-丁内酯。第二比较的稀释剂组分包括约75％重量的乙基3-乙氧基丙酸酯、约20％重量的乳酸乙酯和约5％重量的伽马-丁内酯。获得的第二比较稀释剂组分的粘滞度在约25℃的温度下约为1.3cP。
比较例3
第三比较稀释剂组分仅仅包括丙二醇单甲醚乙酸酯。获得的第三稀释剂组分的粘滞度在约25℃的温度下约为1.2cP。
比较例4
第四比较稀释剂组分仅仅包括乙基3-乙氧基丙酸酯。获得的第四比较稀释剂组分的粘滞度在约25℃的温度下约为1.2cP。
比较例5
为了制备第五比较稀释剂组分，在容器中混合丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇单甲醚和伽马-丁内酯。该稀释剂组分包括约70％重量的丙二醇单甲醚乙酸酯、约20％重量的丙二醇单甲醚和约5％重量的伽马-丁内酯。获得的第五比较稀释剂组分的粘滞度在约25℃的温度下约为1.3cP。
相对于光刻胶类型的溶解速率的判断
实验1
使用例子1中制备的稀释剂组分测量相对于一般光刻胶的溶解速率。在衬底上旋涂约4.0cc的SEPR-430TM(由Shin-Etsu制造)、将通过氟化氪激光暴露的光刻胶，并在约100℃的温度下连续地软烘焙。这样形成的光刻胶膜具有约12,000的厚度。包括光刻胶膜的衬底被浸入稀释剂组分，以剥离光刻胶膜，然后测量溶解速率。观察的溶解速率等于或大于约12,000/秒。
实验2
在衬底上旋涂约4.0cc的ip-3300TM(由TOK制造)、将通过I线射线暴露的光刻胶，并在约90℃的温度下连续地软烘焙。这样形成的光刻胶膜具有约12,000的厚度。包括光刻胶膜的衬底被浸入稀释剂组分，以剥离光刻胶膜，然后测量溶解速率。观察的溶解速率等于或大于约12,000/秒。
实验3
在衬底上旋涂约4.0cc的RHR3640TM(由Shin-Etsu制造)、将通过氟化氩激光暴露的光刻胶，并在约105℃的温度下连续地软烘焙。这样形成的光刻胶膜具有约2,700的厚度。包括光刻胶膜的衬底被浸入稀释剂组分，以剥离光刻胶膜，然后测量溶解速率。观察的溶解速率等于或大于约2,700/秒。
实验4
在衬底上旋涂约4.0cc的AR46TM(由Shipley制造)、将通过氟化氩激光暴露的光刻胶，并在约90℃的温度下连续地软烘焙。获得的抗反射层具有约380的厚度。包括抗反射层的衬底被浸入稀释剂组分，以剥离抗反射层，然后测量溶解速率。观察的溶解速率等于或大于约380/秒。
根据实验1至4，例子1中制备的稀释剂组分相对于所有不同类型的光刻胶具有优异的溶解速率。因此，可以使用本发明的稀释剂组分从晶片除去光刻胶。
相对于光刻胶类型的溶解力的评价
评价例子1和2以及比较例1至5中制备的稀释剂组分的溶解力。在下列图表1中给出了评价结果。当稀释剂组分相对于光刻胶的混合比约为5∶1时，基于光刻胶的可溶解量评价溶解力。
图表1
| 光刻胶类型 | PR-1(SEPR-430) | PR-2(ip-3300) | PR-3(RHR3640) | PR-4(AR46) |
| 例1 | E | E | E | E |
| 例2 | E | E | E | E |
| 比较例1 | E | E | R | X |
| 比较例2 | E | E | R | X |
| 比较例3 | E | E | R | X |
| 比较例4 | E | E | X | X |
| 比较例5 | E | E | E | E |
在图表1中，“E”意味着优异的溶解力。亦即，足够量的光刻胶溶于稀释剂组分。“R”意味着中等溶解力。即，在混合24小时之后，一部分光刻胶可能沉淀析出。“X”表示差的溶解力。亦即，光刻胶与稀释剂组分混合之后，光刻胶可能立即沉淀。
如图表1所示，例子1和2中制备的稀释剂组分具有与光刻胶类型无关的优异溶解力。比较例5中制备的稀释剂组分具有良好的溶解力，但是差的EBR性能。
相对于光刻胶类型的EBR性能的评价
评价相对于光刻胶类型的例1和2和比较例1至5的EBR性能。通过涂敷器(由日本的TEL有限公司制造)和通过使用氮气(N2)气体加压衬底评价EBR性能。压力约为0.7至约1.0kg/cm2，以及以约13至约20cc/min的流速提供氮气约6秒。下列图表2中给出了结果。
图表2
| 光刻胶类型 | PR-1(SEPR-430) | PR-2(ip-3300) | PR-3(RHR3640) | PR-4(AR46) |
| 例1 | N | N | N | N |
| 例2 | N | N | N | N |
| 比较例1 | N | U | U | X |
| 比较例2 | N | U | X | X |
| 比较例3 | U | U | U | X |
| 比较例4 | U | U | U | U |
| 比较例5 | N | - | X | X |
在图表2中，“N”表示具有清洗的EBR线的EBR工序之后在衬底没有残留光刻胶。“U”表示EBR工序之后在衬底上没有残留光刻胶，但是EBR线没有被清洗。“X”表示执行EBR工序之后在衬底上存在残留的光刻胶和未清洗的EBR线。
如图表2所示，例子1和2中制备的稀释剂组分有效地除去光刻胶，与光刻胶的类型无关。但是，当在EBR工序中使用比较例1、2和5中制备的稀释剂组分时，在衬底上残留剩余的光刻胶，尽管稀释剂组分相对于SEPR-430光刻胶具有良好的EBR性能。此外，当在EBR工序中使用比较例子3和4中制备的稀释剂组分时，在衬底也剩下残留的光刻胶。
如上所述，本发明的新颖性稀释剂组分可以有效地除去光刻胶，与其类型无关，且可以不损坏底下的层。具体，该稀释剂组分可以有效地除去暴露于氟化氩激光的光刻胶或抗反射材料。因此，可以采用本发明的稀释剂组分制造具有小于约90nm的设计尺寸的半导体器件。此外，稀释剂组分是环保的。因此，可以经济地制造具有改进的可靠性的高度集成的半导体器件。
本发明提供使用本发明的稀释剂组分除去光刻胶的方法。
图1是说明使用本发明的稀释剂组分除去光刻胶的方法的流程图。
在步骤S110中，在衬底上形成光刻胶膜。在步骤S120中，使用稀释剂组分从衬底除去光刻胶膜。
详细地，在步骤S110中使用旋涂器在衬底上形成光刻胶膜。亦即，在通过旋涂器旋转衬底同时，在衬底上涂敷光刻胶。根据衬底的旋转，光刻胶通过离心力蔓延到衬底的边缘，在衬底上均匀地涂敷光刻胶。光刻胶通过离心力蔓延到衬底的边缘部分和衬底的背部。
在步骤S120中，使用本发明的稀释剂组分从衬底除去光刻胶膜，本发明的稀释剂组分包括丙二醇醚乙酸酯、酯化合物和甲基2-羟基2-丙酸甲酯。
稀释剂组分蔓延在衬底的边缘和背部上，以从衬底除去光刻胶。这里，在旋转衬底的同时，稀释剂组分可以被喷射在衬底的边缘和/或背部。具体地说，衬底可以绕旋转-轴承座旋转，以及可以用喷嘴喷射稀释剂组分。
在步骤S130中，在使用稀释剂组分从衬底除去光刻胶膜之后，执行EBR工序以干燥衬底上的稀释剂组分。
根据该实施例，有效地防止通过光刻胶在衬底上产生的污染。
图2是说明使用本发明的稀释剂组分除去光刻胶的另一方法的流程图。
在步骤S210至S250中，在衬底上形成光刻胶图形。在步骤S260中，使用本发明的稀释剂组分从衬底除去光刻胶图形。
详细地，在步骤S210中，在衬底上形成光刻胶膜。该衬底优选是用于半导体器件的硅衬底或用于液晶显示器的透明衬底。衬底可以包括将通过光刻工序构图的底层结构。这里，底层结构可以包括氧化物层、氮化物层、硅层以及金属层。
在衬底上涂敷光敏材料，以在其上形成光刻胶膜。光敏材料是正性或负性光敏材料。在后续显影工序中可以从衬底部分地除去暴露于光的正性光敏材料。
此外，可以在衬底上涂敷六甲基二硅氮烷，以增加光刻胶膜和衬底之间的粘结强度。此外，可以形成抗反射层，以防止连续的光工序和显影工序中光的漫反射。
在步骤S220中，在衬底上形成光刻胶膜之后，可以进行EBR工序，以防止衬底上的污染。在EBR工序中优选使用本发明的稀释剂组分除去衬底的边缘和背部上形成的部分光刻胶膜，该稀释剂组分包含丙二醇醚乙酸酯、酯化合物以及甲基2-羟基2-丙酸甲酯。
在步骤S230中，执行软烘焙工序，以从光刻胶膜除去任意残留的湿气。
在步骤S240中，使用光掩模光刻胶膜被部分地暴露于光。在光刻胶膜上设置具有图形的光掩模之后，使光刻胶膜的预定部分有选择地暴露于穿过掩模的光。例如，该光可以是G线射线、I-线射线、氟化氪(KrF)激光、氟化氩(ArF)激光、电子束或X射线。因此，光刻胶膜的露出部分具有与光刻胶膜的未曝光部分基本上不同的溶解度。
在步骤S250中，使用显影液如四甲基氨水(TMAH)显影光刻胶膜，以完成光刻胶图形。当光刻胶膜包括正性光敏材料时，从衬底除去光刻胶膜的露出部分。
通过上述工序形成的光刻胶图形可以用于在半导体器件上形成各种精细图形。但是，当光刻胶图形故障发生时，从经济的观点除去衬底上的光刻胶图形和再使用衬底是有利的。因此在步骤S260中，如果光刻胶图形存在故障，那么执行再加工工序，以从衬底除去光刻胶图形。
详细地，使用本发明的稀释剂组分从衬底除去光刻胶图形。
在步骤S270中，优选执行干燥进程，以除去衬底上的任意残留稀释剂组分。
Claims (20)
1、一种稀释剂组分，包括：
丙二醇醚乙酸酯；
选自由乳酸乙酯、乙基3-乙氧基丙酸酯及其混合物构成的组的至少一种酯化合物；以及
甲基2-羟基-2-丙酸甲酯。
2、根据权利要求1的组分，其中丙二醇醚乙酸酯包括选自由丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇一乙基醚乙酸酯和其混合物构成的组的至少一种。
3、根据权利要求2的组分，其中该种稀释剂组分，包括：
约40至约75％重量的丙二醇单甲醚乙酸酯；
约5至约45％重量的乳酸乙酯；和
约15至约50％重量的甲基2-羟基-2-丙酸甲酯。
4、根据权利要求1的组分，还包括表面活性剂。
5、根据权利要求4的组分，其中表面活性剂包括含氟的表面活性剂、非离子表面活性剂或离子表面活性剂。
6、根据权利要求5的组分，其中稀释剂组分包含约10至约550ppm的表面活性剂。
7、一种稀释剂组分，包括：
约30至约65％重量的丙二醇单甲醚乙酸酯；
约15至约50％重量的乙基3-乙氧基丙酸酯；以及
约20至约55％重量的甲基2-羟基-2-丙酸甲酯。
8、根据权利要求7的组分，还包括约10至约550ppm量的含氟表面活性剂、非离子表面活性剂或离子表面活性剂。
9、一种除去光刻胶的方法，包括：
在衬底上形成光刻胶膜；以及
使用包括丙二醇醚乙酸酯、甲基2-羟基-2-丙酸甲酯以及选自由乳酸乙酯、乙基3-乙氧基丙酸酯及其混合物构成的组的至少一种酯化合物的稀释剂组分从衬底除去光刻胶膜。
10、根据权利要求9的方法，其中
丙二醇醚乙酸酯包括选自由丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇一乙基醚乙酸酯及其混合物构成的组的至少一种。
11、根据权利要求10的方法，其中该稀释剂组分，包括：
约40至约75％重量的丙二醇单甲醚乙酸酯；
约5至约45％重量的乳酸乙酯；以及
约15至约50％重量的甲基2-羟基-2-丙酸甲酯。
12、根据权利要求10的方法，其中该稀释剂组分，包括：
约30至约65％重量的丙二醇单甲醚乙酸酯；
约15至约50％重量的乙基3-乙氧基丙酸酯；以及
约20至约55％重量的甲基2-羟基-2-丙酸甲酯。
13、根据权利要求9的方法，其中通过提供稀释剂组分到衬底的边缘和背部除去光刻胶膜。
14、根据权利要求13的方法，其中通过在衬底上喷射稀释剂组分除去光刻胶膜。
15、根据权利要求9的方法，还包括除去光刻胶膜之后执行干燥处理。
16、根据权利要求9的方法，其中形成光刻胶图形包括：
在衬底上形成光刻胶膜之后，软烘焙光刻胶膜；
使用掩模使光刻胶膜暴露于光；以及
通过使用显影液显影光刻胶膜在衬底上形成光刻胶图形。
17、根据权利要求16的方法，还包括从衬底的边缘和背部除去光刻胶膜。
18、根据权利要求9的方法，其中稀释剂组分还包括表面活性剂。
19、根据权利要求18的方法，其中
表面活性剂包括含氟的表面活性剂、非离子表面活性剂或离子表面活性剂。
20、根据权利要求18的方法，其中稀释剂组分包含约10至约550ppm的表面活性剂。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |