CN105867070A - 稀释剂组合物 - Google Patents

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Abstract

公开了稀释剂组合物，包括：丙二醇C1‑C10烷基醚；C1‑C10烷基C1‑C10烷氧基丙酸酯；和C1‑C10烷基乳酸酯，从而可以提高光致抗蚀剂的适用性，同时显著减少光致抗蚀剂的使用量以及对不同的光致抗蚀剂、BARC和底层具有优异的溶解性和EBR性能。

Description

稀释剂组合物
技术领域
本发明涉及稀释剂组合物。
背景技术
在用于制作半导体设备的方法中光刻工艺为重要工作之一，其包括将光敏树脂组合物施加于晶片，将预先设计的图案转印到其上，然后根据所转印的图案适当蚀刻因此形成电子电路。
这种光刻工艺可以按以下依次实施：(1)将光敏树脂组合物均匀施加到晶片表面的涂覆工序；(2)蒸发来自所施加的光敏膜的溶剂以使光敏膜附着在晶片表面上的软烘烤工序；(3)在使用如紫外线等光源重复并依次在掩模上进行电路图案的缩小投影的同时曝光光敏膜的曝光工序，因此将掩模的图案转印到光敏膜；(4)使用显影剂有选择地去除一些具有不同物理性能(如由于曝光光源敏化发生的溶解性差异)的部分的显影工序；(5)显影之后使留在晶片上的光敏膜紧密固定于晶片的硬烘烤工序；(6)根据显影的光敏膜的图案蚀刻预定部分的蚀刻工序；和(7)在上述工序之后去除不必要的光敏膜的剥除工序。
上述光刻工艺中，在晶片上提供光敏膜并旋转基板以通过离心力将光敏膜均匀分散在表面上的旋涂工序，可能造成由于离心力光敏膜被聚集在基板的边缘部分和后面部分因此形成小球形材料。该球形材料在烘烤工序之后基板的传送过程中可能被剥离，因此成为颗粒在设备中的原因，并且还成为曝光过程中散焦的原因。这种不必要的光敏材料可能带来设备的污染，因此在半导体设备制作过程中减少产率。因此，通常通过在基板边缘部分和后面部分的上下安装喷嘴并通过喷嘴向边缘部分和后面部分喷射包括有机溶剂组分的稀释剂组合物，将不必要的光敏材料去除。
决定稀释剂组合物性能的因素可以包括溶解速率(“溶出率”)和其挥发性。稀释剂组合物的溶出率决定了通过稀释剂组合物溶解和去除光敏树脂的快速和有效程度，因此，为非常重要的因素。特别地，当冲洗基板的边缘部分时，需要合适的溶出率以提供平滑处理的截面。如果溶出率太高，在冲洗涂在基板上的光敏膜中可能发生光敏膜损害。另一方面，如果溶出率太低，在冲洗涂在基板上的光敏膜中可能发生所谓的“拖尾现象”，其为使部分溶解的光敏膜尾部流动的现象。特别是，近来由于半导体集成电路的高集成度和高稠化增大了基板的直径，所以在使用旋转涂布机冲洗过程的情况下，低转速(rpm)的旋转速率不可避免。在这种冲洗过程中，如果由于低转速在基板上发生波动并且在喷射下的稀释剂组合物的接触速率内溶出率不合适，可能发生束缚(bounding)现象而且不必要地增加稀释剂组合物的使用。因此，在由于基板直径的增加导致的低转速冲洗过程的情况下，稀释剂具有比任何常规高转速冲洗过程更高的溶出率是必要的。
此外，去除光敏树脂之后，稀释剂组合物易被挥发并且不留在基板表面上是必要的。如果由于非常低的挥发度导致稀释剂组合物不能被挥发却留下，稀释剂残留本身可能充当不同工序中的污染物，特别是，在后续的蚀刻工序中，引起减少半导体设备产率的问题。另一方面，如果挥发度太高，基板快速被冷却以更多增加所涂覆光敏膜的厚度的偏差，而且在使用过程中稀释剂可能易挥发到空气中，因此引起清洁度降低。
目前，在半导体光刻(lithography)工艺中用作光致抗蚀剂的i-线光致抗蚀剂、KrF,ArF,EUV,KrF减反射膜，ArF减反射膜等分别包括不同的主要组分。因此，需要控制用于提高所有这些组分的溶解性和适用性的有机溶剂的含量。
韩国专利公布公开No.2011-21189公开了包括可氢键结合的有机溶剂，二醇类，酯等的稀释剂组合物。在这方面，组合物具有如下优点：减少光致抗蚀剂施加量，使光致抗蚀剂能够均匀涂覆，和有效去除施加在基板外围部分或后面部分的不必要的光致抗蚀剂。然而，由于氢键，稀释剂的粘度增加但挥发度劣化从而阻止稀释剂的挥发而将其留在基板上，因此导致在光致抗蚀剂去除界面的拖尾现象。而且，在后续工序中稀释剂残留可以作为阻塞性颗粒以引起减少生产过程产率的问题。
因此，为了在施加光致抗蚀剂时表现出优异的涂覆能力从而减少光致抗蚀剂的使用量，有必要使稀释剂组合物对各种光致抗蚀剂膜、底部减反射涂层(BARCs)和底层具有优异的溶解性和良好的挥发度。
发明内容
为了提高光致抗蚀剂施加性能和减少光致抗蚀剂的使用量，本发明的目的为提供用于晶片表面预处理过程的稀释剂组合物。
本发明的另一个目的为提供对各种光致抗蚀剂，BARCs和底层具有优异的溶解性和(基于边缘去除)EBR性能，并且还在其中使用光致抗蚀剂的晶片再加工(reworking)过程(再加工)中表现出优异的特征的稀释剂组合物。
将通过以下特征达到本发明上述目的：
(1)稀释剂组合物包括：丙二醇C1-C10烷基醚；C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯；和C1-C10烷基乳酸酯。
(2)根据上述(1)所述的稀释剂组合物，其中所述丙二醇C1-C10烷基醚为选自由丙二醇甲醚、丙二醇乙醚、丙二醇丙醚和丙二醇丁醚所组成的组中的至少一种。
(3)根据上述(1)所述的稀释剂组合物，其中所述C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯为选自由甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸甲酯、甲氧基丙酸乙酯和乙氧基丙酸乙酯所组成的组中的至少一种。
(4)根据上述(1)所述的稀释剂组合物，其中所述C1-C10烷基乳酸酯为选自由乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丙酯和乳酸丁酯所组成的组中的至少一种。
(5)根据上述(1)所述的稀释剂组合物，其中所述丙二醇C1-C10烷基醚为40-80重量％，所述C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯为15-50重量％，和所述C1-C10烷基乳酸酯为1-20重量％。
(6)根据上述(1)所述的稀释剂组合物，其中所述丙二醇C1-C10烷基醚为50-70重量％，所述C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯为20-40重量％，和所述C1-C10烷基乳酸酯为5-15重量％。
(7)用于处理基板的方法，在光致抗蚀剂施加于基板之前使用根据上述(1)-(6)任一项所述的稀释剂组合物。
(8)用于处理基板的方法，在光致抗蚀剂施加于基板之后且使其曝光之前使用根据上述(1)-(6)任一项所述的稀释剂组合物。
施加光致抗蚀剂之前，本发明的稀释剂组合物在晶片表面上被预处理以显著减少光致抗蚀剂的使用量(减少光刻胶涂覆(RRC)性能)，并提高光致抗蚀剂的适用性因此使其能够均匀涂覆。
本发明的稀释剂组合物对各种光致抗蚀剂，BARCs和底层具有优异的溶解性和EBR性能。因此，本发明的稀释剂组合物可以用在使用光致抗蚀剂的晶片改造过程中。
附图说明
本发明的上述和其他目的，特征和其他优势将从以下结合附图的详细描述中更清楚地被理解，其中：
图1为通过将实施例3中的稀释剂组合物施加到晶片，然后将光致抗蚀剂施加到其上，显示光致抗蚀剂在晶片上的99％或更多涂覆的照片；
图2为通过将比较例1中的稀释剂组合物施加到晶片，然后将光致抗蚀剂施加到其上，显示光致抗蚀剂在晶片上的少于85％涂覆的照片；
图3为其中评价施加到晶片的光致抗蚀剂的涂覆均匀性的点的示意图；
图4为示出使用实施例3中稀释剂组合物实施EBR评价的照片；
图5为示出使用比较例1中稀释剂组合物实施EBR评价的照片。
具体实施方式
本发明提供稀释剂组合物，其包括：丙二醇C1-C10烷基醚；C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯；和C1-C10烷基乳酸酯，从而可以提高光致抗蚀剂的适用性同时显著减少光致抗蚀剂的使用量以及对各种光致抗蚀剂、BARCs和底层具有优异的溶解性和EBR性能。
在下文中，本发明将被详细描述。
本发明稀释剂组合物可以包括丙二醇C1-C10烷基醚；C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯；和C1-C10烷基乳酸酯。
丙二醇C1-C10烷基醚为对聚合物具有优异的溶解性的组分,相应地，对光致抗蚀剂表现出优异的溶解性。
通常用于稀释剂组合物的丙二醇单甲醚乙酸酯显示出再生毒性，并具有高沸点，因此，当用在基板的再循环工序时需要大量的热量。然而，丙二醇C1-C10烷基醚不具有再生毒性却具有对光致抗蚀剂较好的溶解性。
丙二醇C1-C10烷基醚在其类型没有特别限制，只要是包含具有1-10个碳原子的烷基。例如，可以使用丙二醇甲醚、丙二醇乙醚、丙二醇丙醚和丙二醇丁醚等。优选地，使用丙二醇甲醚。这些化合物可以单独使用或以其两种或更多种结合使用。
丙二醇C1-C10烷基醚的含量没有特别限制但，例如，可以以组合物总重量的40-80wt.％，优选地，50-70wt.％，更优选地，55-65wt.％的量被包括。如果丙二醇C1-C10烷基醚的含量少于40wt.％，组合物的挥发性降低而且稀释剂组合物可能留在基板上因此污染基板。进一步地，对光致抗蚀剂的溶解性降低，RRC性能可能被劣化，并且EBR性能也可能被劣化。结果，光致抗蚀剂的再加工性能和适用性可能降低。如果上述化合物的含量超过80wt.％，组合物的挥发度增加，并且由于稀释剂组合物的挥发，基板被快速冷却因此降低光致抗蚀剂的适用性并劣化RRC性能。进一步地，稀释剂组合物不会充分稀释光致抗蚀剂、BARC等从而劣化EBR性能。结果，与上述情况相似，光致抗蚀剂的再加工性能和适用性可能降低。
C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯对光致抗蚀剂的具有高溶解性而且，当和丙二醇C1-C10烷基醚一起使用这种化合物时，丙二醇C1-C10烷基醚的令人不快的气味可以被减少。
C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯的类型没有特别限制，只要是包含具有1-10个碳原子的烷基和具有1-10个碳原子的烷氧基。例如，可以使用甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸甲酯、甲氧基丙酸乙酯和乙氧基丙酸乙酯等。在用于提高RRC和EBR性能的更优异的效果方面，优选使用甲氧基丙酸甲酯。这些化合物可以单独使用或以其两种或更多种结合使用。
C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯的含量没有特别限制但，例如，可以以组合物总重量的15-50wt.％，优选地，20-40wt.％，更优选地，25-35wt.％的量被包括。如果C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯的含量少于15wt.％，提高溶解性和减少令人不快气味的效果可能不明显。还有，由于稀释剂组合物的挥发性被增加，基板快速被冷却从而减少光致抗蚀剂的适用性。进一步地，稀释剂组合物不会充分稀释光致抗蚀剂，BARC等从而劣化RRC性能。结果，光致抗蚀剂的再加工性能和适用性可能降低。如果上述化合物的含量超过50wt.％，稀释剂组合物的挥发性降低，而且稀释剂组合物可能留在基板上从而劣化对光致抗蚀剂，BARC等的RRC性能。结果，与上述情况相似，光致抗蚀剂的再加工性能和适用性可能减少。
C1-C10烷基乳酸酯对光致抗蚀剂具有显著优异的溶解性和高粘度，因此使稀释剂组合物能够具有合适的粘度。
C1-C10烷基乳酸酯没有特别限制，只要是包含具有1-10个碳原子的烷基。例如，可以包括乳酸甲酯，乳酸乙酯，乳酸丙酯，乳酸丁酯等。优选地，使用乳酸乙酯。这些化合物可以单独使用或以其两种或更多种结合使用。
C1-C10烷基乳酸酯的含量没有特别限制但，例如，可以以组合物总重量的1-20wt.％，优选地，5-15wt.％，更优选地，8-12wt.％的量被包括。如果C1-C10烷基乳酸酯的含量少于1wt.％，组合物的粘度减小且不会充分稀释光致抗蚀剂，BARC等，RRC性能可能被劣化并且EBR性能可能也被劣化。结果，光致抗蚀剂的再加工性能和适用性可能被降低。如果上述化合物的含量超过20wt.％，粘度增加从而降低组合物的铺展性，因此，RRC性能可能被劣化并且EBR性能可能也被劣化。结果，与上述情况相似，光致抗蚀剂的再加工性能和适用性可能被降低。
如上所述，本发明将丙二醇C1-C10烷基醚与C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯一起使用，因此使组合物能够具有合适的挥发性和优异的溶解性。因此，RRC和EBR性能可能被提高，并且毒性和令人不快的气味问题可能被减少。此外，由于还使用C1-C10烷基乳酸酯，通过将粘度控制到适当水平，溶解性可以被提高更多并且RRC和EBR性能可以被显著提高。进一步地，光致抗蚀剂的再加工性能和适用性也可以被明显提高。
本发明的稀释剂组合物关于各种光致抗蚀剂膜和BARCs在硅晶片上表现出体现均匀施加性能的优异效果，同时，在优秀的溶解性的基础上可以显示出优异的RRC，EBR性能和再加工性能。特别地，在用于i-线，KrF,ArF,ArF浸渍等的光致抗蚀剂情况中，光致抗蚀剂树脂具有不同的基本结构。因此，为了加强所有这些组分的适用性和溶解性，控制有机溶剂的组成含量是必要的。然而，本发明的稀释剂组合物可能对所有这种不同抗蚀剂表现出优异的EBR和RRC性能。
此外，本发明可以提供使用根据本发明所述的稀释剂组合物用于处理基板的方法。
根据本发明的用于处理基板的方法可以包括用稀释剂组合物处理基板和将光致抗蚀剂施加到基板上。
用稀释剂组合物处理基板之后，光致抗蚀剂被施加到其上。因此，基板可以仅使用少量光致抗蚀剂涂覆，并因此增强工艺成本和生产率。
进一步地，根据本发明处理基板的步骤，可以进一步包括使用稀释剂组合物处理之后施加光致抗蚀剂，然后在曝光之前再次用稀释剂组合物处理基板。
由于在上述步骤中使用稀释剂组合物处理基板，在曝光之前施加在基板外围部分和后面部分的不必要的光致抗蚀剂可以被快速和有效去除。
根据本发明用于处理基板的方法可以适用于任何其中使用光致抗蚀剂制作产品的方法，例如，用于制作没有特别限制的电子设备的方法。例如，本发明方法可以用在制作半导体设备或薄膜晶体管液晶显示设备的方法中。
在下文中，列出优选实施方式以更具体地描述本发明。然而，以下实施例仅被给出用于说明本发明，而且本领域技术人员将明显理解在本发明的范围和精神内各种改变和修改都是可能的。这种改变和修改当然包括在所附的权利要求中。
实施例和比较例
制备了具有在以下表1中规定的构成组分和含量的稀释剂组合物。
表1
实验例1.对各种类型的光致抗蚀剂和BARC的减少光刻胶涂覆(RRC)性能评价
使用每个实施例和比较例中的稀释剂组分，测试对四种类型光致抗蚀剂和BARC的RRC性能。实施的RRC工艺包括：在表3中规定条件下将每个稀释剂组合物施加到8英寸氧化硅基板上；将五种类型光致抗蚀剂和BARC施加到其上；然后测量涂层分布和上述材料的使用量。进一步地，在BARC的情况下，使用每个稀释剂组合物无热处理下实施RRC工艺。
表4显示通过将0.5cc的稀释剂施加到8英寸的晶片上，然后分别将1.0cc施加于PR1到4并将0.4cc施加于BARC的RRC性能评价结果。评价标准如下.
◎:作为RRC的结果，当将0.5cc稀释剂施加到8英寸的晶片上之后将光致抗蚀剂施加到其上时晶片被涂覆99％到100％的光致抗蚀剂。
○:作为RRC的结果，当将0.5cc稀释剂施加到8英寸的晶片上之后将光致抗蚀剂施加到其上时晶片被涂覆97％到98％的光致抗蚀剂。
△：作为RRC的结果，当将0.5cc稀释剂施加到8英寸的晶片上之后将光致抗蚀剂施加到其上时晶片被涂覆85％到90％的光致抗蚀剂。
X：作为RRC的结果，当将0.5cc稀释剂施加到8英寸的晶片上之后将光致抗蚀剂施加到其上时晶片被涂覆少于85％的光致抗蚀剂。
表2
组别 PR类型
PR 1 用于i-线的PR
PR 2 用于KrF的PR
PR 3 用于ArF的PR
PR 4 用于ArF-浸渍的PR
BARC 用于ArF的BARC
表3
表4
参考表4，在每个实施例中根据本发明的稀释剂组合物对所有光敏膜表现出优异的RRC性能。进一步地，即使当改变RRC的旋转速率条件(rpm)时，得到的结果基本上相同并且优异。
参考图1，在将实施例3中的稀释剂组合物施加到晶片上之后，将光致抗蚀剂施加到其上。可以看出99％或更多的光致抗蚀剂被施加到晶片上。
另一方面，在每个比较例中的稀释剂组合物表现出不明显的光致抗蚀剂或BARC的施加性能的提高效果。
参考图2，将比较例1中的稀释剂组合物施加到晶片上之后，将光致抗蚀剂施加到其上。可以看出少于85％的光致抗蚀剂被施加到晶片上。
实验例2.用于针对光敏树脂组合物的稀释剂组合物去除不必要的光敏膜的测试(边缘珠去除(EBR)测试)
EBR实验如下实施。将表2中规定的每个光敏树脂组合物施加到8英寸氧化硅基板上。此后，实施例和比较例中的稀释剂组合物在表5规定的条件下被处理以去除在基板边缘部分的不必要的光敏膜。
实施例和比较例中的稀释剂组合物从配有压力表的加压桶加入(1kgf)，而且来自EBR喷嘴的稀释剂组合物的流速被设置为10-30cc/min的范围。进一步地，使用光学显微镜评价去除不必要的光敏膜的性能。其结果在以下表6中显示。评价标准如下。
◎：EBR之后，对光敏膜的EBR线均匀性非常优异。
○：EBR之后，对光敏膜的EBR线均匀性为75％或更高，其相应地，显示良好的直线状态。
△：EBR之后，边缘部分由于稀释剂的溶解而变形。
X：EBR之后，膜在边缘部分显示拖尾现象。
表5
表6
参考表6，实施例中每个稀释剂组合物对所有光敏膜显示优异的EBR性能。结果，可以理解四种类型光致抗蚀剂和BARC的EBR性能都令人满意。进一步地，即使当改变RRC的旋转速率条件(rpm)时，得到的结果基本上相同而且优秀。
参考图4，使用实施例3中的稀释剂组合物的情况下，可以看出EBR线均匀性非常优秀。
另一方面，比较例中的稀释剂组合物显示大幅度减少的EBR性能。
参考图5，使用比较例1中的稀释剂组合物的情况下，可以看出在基板边缘部分的膜上发生拖尾现象。
实验例3.根据各种类型的光致抗蚀剂涂覆均匀性的评价
使用实施例和比较例中的稀释剂组合物，检查对表2中规定的四种光致抗蚀剂和BARC的涂覆均匀性。
根据表7中的条件，稀释剂被施加到8英寸氧化硅基板上，随后将光致抗蚀剂涂抹在其上。然后，包括在晶片中心处的1个点和距离晶片中心1英寸，2英寸，3英寸和4英寸处的16个点的总共17个点被标记为X形状(见图3)并经测试以鉴定是否光致抗蚀剂被均匀施加。其结果显示在以下表8中。
评价标准如下。
◎：以涂覆膜的厚度的1％或更少的标准偏差
○：以涂覆膜的厚度的2％或更少的标准偏差
△：以涂覆膜的厚度的3％或更少的标准偏差
X：以涂覆膜的厚度的超过3％的标准偏差
表7
表8
组别 PR 1 PR 2 PR 3 PR 4 BARC
实施例1 ◎ ○ ○ ◎ ◎
实施例2 ◎ ◎ ◎ ○ ◎
实施例3 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
实施例4 ◎ ○ ◎ ◎ ◎
实施例5 ◎ ○ ○ ◎ ◎
实施例6 ○ ◎ ◎ ○ ◎
实施例7 ○ ○ ◎ ○ ◎
实施例8 ◎ ○ ○ ○ ○
比较例1 X X X X X
比较例2 X X △ △ X
比较例3 X X X X X
比较例4 X X △ X X
比较例5 X X X △ X
比较例6 X X X X X
比较例7 △ △ X △ △
比较例8 X X △ △ △
比较例9 △ △ △ X △
参考表8，施加每个实施例中的稀释剂组合物，然后将光致抗蚀剂施加到其上的情况下，以光致抗蚀剂的厚度的标准偏差非常小，从而证明均匀涂覆。
然而，使用每个比较例中的稀释剂组合物的情况下，为了具有均匀的厚度没有施加光致抗蚀剂。
实验例4.根据各种类型的光致抗蚀剂再加工性能的评价
使用实施例和比较例中的稀释剂组合物，检查对表2中规定的四种类型的光致抗蚀剂和BARCs的再加工性能。根据表9中规定的条件，将6种类型的光致抗蚀剂施加到8英寸氧化硅基板上，然后对软烘烤工序之后得到的晶片使用每个稀释剂组合物实施再加工工序。在BARC的情况下，涂覆工序之后使用每个稀释剂组合物在无热处理状态下实施再加工工序。
再加工的氧化硅基板使用可从Topcon Co.获得的表面扫描仪器(型号：WM-1500)进行表面状况的评价。其结果在表10中显示。
评价标准如下。
◎：作为表面扫描的结果，再加工氧化硅基板表面颗粒数目少于1000。
○：作为表面扫描的结果，再加工氧化硅基板表面颗粒数目范围从1000到少于2000。
△：作为表面扫描的结果，再加工氧化硅基板表面颗粒数目范围从2000到少于3000。
X：作为表面扫描的结果，再加工氧化硅基板表面颗粒数目超过3000。
表9
表10
组 PR 1 PR 2 PR 3 PR 4 BARC
实施例1 ○ ◎ ○ ◎ ◎
实施例2 ◎ ○ ◎ ◎ ○
实施例3 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
实施例4 ○ ○ ◎ ◎ ◎
实施例5 ○ ◎ ○ ◎ ◎
实施例6 ◎ ○ ◎ ○ ◎
实施例7 ○ ○ ◎ ◎ ○
实施例8 ○ ◎ ○ ○ ○
比较例1 X X X X X
比较例2 X X △ △ △
比较例3 X X X X X
比较例4 X X X △ X
比较例5 X X △ X X
比较例6 X X X X △
比较例7 △ X X △ △
比较例8 X X X △ △
比较例9 X △ △ X △
参考表10，当使用根据实施例的稀释剂组合物时，表面颗粒的数目非常少，从而证明优秀的再加工性能。
然而，当使用根据比较例的稀释剂组合物时，可以看出许多表面颗粒被保留。

Claims (8)

1.稀释剂组合物，包括：丙二醇C1-C10烷基醚；
C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯；和
C1-C10烷基乳酸酯。
2.根据权利要求1所述的稀释剂组合物，其中所述丙二醇C1-C10烷基醚为选自由丙二醇甲醚、丙二醇乙醚、丙二醇丙醚和丙二醇丁醚所组成的组中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的稀释剂组合物，其中所述C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯为选自由甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸甲酯、甲氧基丙酸乙酯和乙氧基丙酸乙酯所组成的组中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的稀释剂组合物，其中所述C1-C10烷基乳酸酯为选自由乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丙酯和乳酸丁酯所组成的组中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的稀释剂组合物，其中所述丙二醇C1-C10烷基醚为40-80重量％，所述C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯为15-50重量％，和所述C1-C10烷基乳酸酯为1-20重量％。
6.根据权利要求1所述的稀释剂组合物，其中所述丙二醇C1-C10烷基醚为50-70重量％，所述C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯为20-40重量％，和所述C1-C10烷基乳酸酯为5-15重量％。
7.用于处理基板的方法，在将光致抗蚀剂施加于基板之前使用根据权利要求1-6任一项所述的稀释剂组合物。
8.用于处理基板的方法，在将光致抗蚀剂施加于基板之后且在其曝光之前使用根据权利要求1-6任一项所述的稀释剂组合物。
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