JP5715014B2 - ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法 - Google Patents
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Description
反対に、上記の繰り返し単位のうち、1種でも含まないポジ型レジスト組成物の場合には、パターン形状に頭丸や頭張り等の問題点が発生し、また、DOF特性やコンタクトホールパターン形成における真円性に劣る。
このように、酸によってアルカリ溶解性が向上する樹脂中の酸不安定基を含む繰り返し単位の含有量が50〜70mol%であることによって、より確実に、解像性、特に焦点深度(DOF)特性に優れ、良好なパターン形状を得ることができ、コンタクトホールパターン形成においても、真円性に優れた矩形性の高いパターンを得ることができる。
a+b+c+d+e=100
0<a≦30
0<b≦30
0<c≦50
0<d≦50
0≦e≦20
を満たすことが好ましく、特に、
a+b+c+d+e=100
10≦a≦30
10≦b≦30
10≦c≦50
10≦d≦50
0≦e≦20
を満たす組成比が好ましい。
本発明で使用される(D)成分の溶剤としては、ベース樹脂、酸発生剤、塩基性化合物、その他の添加剤等が溶解可能な有機溶剤であればいずれでもよい。このような有機溶剤としては、例えば、シクロヘキサノン、メチルアミルケトン等のケトン類、3−メトキシブタノール、3−メチル−3−メトキシブタノール、1−メトキシ−2−プロパノール、1−エトキシ−2−プロパノール等のアルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸tert−ブチル、プロピオン酸tert−ブチル、プロピレングリコールモノtert−ブチルエーテルアセテート等のエステル類、γ−ブチロラクトン等のラクトン類が挙げられ、これらの1種を単独で又は2種以上を混合して使用することができるが、これらに限定されるものではない。本発明では、これらの有機溶剤の中でもレジスト成分中の酸発生剤の溶解性が最も優れているシクロヘキサノン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、1−エトキシ−2−プロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びその混合溶剤が好ましく使用される。
即ち、本発明では、前記ポジ型レジスト組成物を基板上に塗布する工程と、加熱処理後、高エネルギー線で露光する工程と、アルカリ現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法を提供する。
上記3層プロセスの場合の下層膜の形成方法としては、塗布及びベークによる方法と、CVDによる方法とが挙げられる。塗布による方法の場合は、ノボラック樹脂や縮合環などを有するオレフィンを重合した樹脂が用いられ、CVDによる方法の場合にはブタン、エタン、プロパン、エチレン、アセチレン等のガスが用いられる。珪素含有中間層の場合も塗布型とCVD型が挙げられ、塗布型としてはシルセスキオキサン、かご状オリゴシルセスキオキサン(POSS)等が挙げられ、CVD型としては各種シランガスが原料として挙げられる。珪素含有中間層は光吸収を持った反射防止機能を有していてもよく、フェニル基などの吸光基や、SiON膜であってもよい。珪素含有中間膜とフォトレジストの間に有機膜を形成してもよく、この場合の有機膜は有機反射防止膜であってもよい。フォトレジスト膜形成後に、純水リンスを行うことによって膜表面からの酸発生剤などの抽出、あるいはパーティクルの洗い流しを行ってもよいし、保護膜を塗布してもよい。
樹脂を構成する繰り返し単位の組成比(モル%)と分子量(Mw)を表1に示す。なお、分子量(Mw)はポリスチレン換算でのGPCを用いて測定した重量平均分子量を表す。また、各繰り返し単位の構造を表2及び表3に示す。
尚、polymer−17,18は、上記一般式(a−1)〜(a−3)の繰り返し単位を含まない樹脂であり、polymer−26,30は上記一般式(b−1)、(b−2)の繰り返し単位と上記一般式(1−2)の繰り返し単位を含まない樹脂であり、polymer−27は上記一般式(a−1)〜(a−3)の繰り返し単位と上記一般式(1−1)の繰り返し単位を含まない樹脂であり、polymer−28は上記一般式(b−1)、(b−2)の繰り返し単位と上記一般式(1−1)の繰り返し単位を含まない樹脂であり、polymer−29は上記一般式(1−1)の繰り返し単位を含まない樹脂である。
次に、上記樹脂(高分子化合物)の他、各種光酸発生剤、各種塩基性化合物(含窒素化合物)を各種溶剤に溶解し、溶解後にテフロン(登録商標)製フィルター(孔径0.2μm)を用いて濾過し、下記表4に示す本発明のポジ型レジスト組成物を調製した(PR1〜PR16,PR19−25)。
また、比較試料としてレジスト組成物を調製した(PR17,18,PR26〜PR30)。表4中の光酸発生剤の構造を表5に、クエンチャーとして用いた塩基性化合物(含窒素化合物)の構造を表6に示す。
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
CyHO:シクロヘキサノン
アルカリ可溶型界面活性剤SF−1
ポリ(メタクリル酸=3,3,3−トリフルオロ−2−ヒドロキシ−1,1−ジメチル−2−トリフルオロメチルプロピル・メタクリル酸=1,1,1−トリフルオロ−2−ヒドロキシ−6−メチル−2−トリフルオロメチルヘプタ−4−イル・メタクリル酸=7−(1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロイソプロポキシカルボニル)−2−オキソヘキサヒドロ−3,5−メタノ−2H−シクロペンタ[b]フラン−6−イル)(下記式)
シリコン基板上に反射防止膜溶液(日産化学工業(株)製、ARC−29A)を塗布し、200℃で60秒間ベークして作製した反射防止膜(100nm膜厚)基板上に調製したレジスト溶液をスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100℃で60秒間ベークし、150nm膜厚のレジスト膜を作製した。
最適露光量において焦点を上下ずらし、上記のホールパターンがターゲット寸法55nm±10%(すなわち49.5nm−60.5nm)の寸法で解像している焦点の範囲を求め、焦点深度(DOF、nm)とした。
上記表に示した本発明のレジスト組成物の評価結果を以下表7に示す(実施例1〜23)。また、比較用レジスト組成物の評価結果を以下表8に示す(比較例1〜7)。
Claims (6)
- (A)下記一般式(1−1)で示される繰り返し単位と、下記一般式(1−2)で示される繰り返し単位と、酸不安定基を有する繰り返し単位として、下記一般式(a−1)の繰り返し単位、及び下記一般式(b−1)の繰り返し単位とを含み、酸によってアルカリ溶解性が向上する樹脂、(B)光酸発生剤、(C)塩基性化合物、及び(D)溶剤を含有するものであることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
- 前記(A)酸によってアルカリ溶解性が向上する樹脂中の酸不安定基を含む繰り返し単位の含有量は、(A)酸によってアルカリ溶解性が向上する樹脂中に含まれる全繰り返し単位に対して、50〜70mol%であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のポジ型レジスト組成物。
- 請求項1乃至3のいずれか1項に記載のポジ型レジスト組成物を基板上に塗布する工程と、加熱処理後、高エネルギー線で露光する工程と、アルカリ現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
- 前記高エネルギー線を波長180〜250nmの範囲のものとすることを特徴とする請求項4に記載のパターン形成方法。
- 前記高エネルギー線で露光する工程を、水を介して露光する液浸露光により行うことを特徴とする請求項4又は請求項5に記載のパターン形成方法。
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