CN1768330A - 具有容错地址和命令总线的高可靠性存储器模块 - Google Patents
具有容错地址和命令总线的高可靠性存储器模块 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1768330A CN1768330A CNA2004800084957A CN200480008495A CN1768330A CN 1768330 A CN1768330 A CN 1768330A CN A2004800084957 A CNA2004800084957 A CN A2004800084957A CN 200480008495 A CN200480008495 A CN 200480008495A CN 1768330 A CN1768330 A CN 1768330A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- error
- register
- dimm
- address
- input
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 93
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000012795 verification Methods 0.000 claims description 14
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 102100037354 Ectodysplasin-A Human genes 0.000 claims description 4
- 101000880080 Homo sapiens Ectodysplasin-A Proteins 0.000 claims description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 4
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims 1
- 230000001915 proofreading effect Effects 0.000 claims 1
- 230000002567 autonomic effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 14
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 4
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000013475 authorization Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000008676 import Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- GOLXNESZZPUPJE-UHFFFAOYSA-N spiromesifen Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(C(O1)=O)=C(OC(=O)CC(C)(C)C)C11CCCC1 GOLXNESZZPUPJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/117—Pads along the edge of rigid circuit boards, e.g. for pluggable connectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
- G06F11/1044—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices with specific ECC/EDC distribution
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/02—Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
- G11C5/04—Supports for storage elements, e.g. memory modules; Mounting or fixing of storage elements on such supports
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C2029/0409—Online test
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09145—Edge details
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/16—Inspection; Monitoring; Aligning
- H05K2203/167—Using mechanical means for positioning, alignment or registration, e.g. using rod-in-hole alignment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
一种高可靠性双列直插存储器模块，其具有容错地址和命令总线以便用在服务器中。所述存储器模块是长约151.35毫米或5.97英寸的插件，该插件具有多个触点(其中某些触点是冗余的)、多个DRAM、锁相环、2或32K位串行EEPROM以及28位和1到2寄存器(具有错误校正代码(ECC)、奇偶校验检查)、通过独立总线读取的多字节故障报告电路以及实时错误线，所述实时错误线被连接到所述服务器的存储器接口芯片和存储器控制器或处理器并用于判定和报告可校正错误和不可校正错误情况，以使所述存储器控制器通过地址/命令线将地址和命令信息发送给所述寄存器并将用于错误校正目的的校验位发送给所述ECC/奇偶校验寄存器。通过使所述模块具备容错地址和命令总线，实现了与工业标准兼容的自动计算系统所需的容错和自我修复方面。所述存储器模块纠正所述命令或地址总线上的单位错误并允许连续的存储器运行而与这些错误的存在无关，并且可以判定任何双位错误情况。所述模块上的冗余触点防止了否则将为单点故障的故障。
Description
技术领域
本发明一般地涉及具有容错地址和命令总线以便用作旨在实现自动计算系统所需程度的容错和自我修复的主存储器的高可靠性存储器模块。
背景技术
存储器模块是现有技术所公知的并已经和正在被用在诸如计算机和使用固态存储器的其他设备之类的实际应用中。
一般地说，现有主存储器提供范围从1.6到2.6GB/s的带宽，尽管某些存储器提供有限的数据路径纠错，但是大多数存储器没有提供任何纠错装置。此外，用于服务器产品的存储器模块通常包括用于地址和命令输入的重新驱动逻辑，以及时钟再同步和重新驱动电路以确保在存储器组件上的每个器件处的准确时钟计时。尽管这些解决方案为系统提供了实现特定带宽目标的能力，但是由于添加的与每个存储器器件关联的电路，存储器子系统之内、数据路径自身之外的故障的总量和类型实际上是增加的。同时，随着服务器被更加广泛地用在商业中，很多服务器应用程序完全不能接受由故障存储器模块造成的周期性计划外系统运行中断。因此，对改进的总体系统可靠性的侧重和需要正在显著地增加，并且需要同时包括高度的容错和总体可靠性的综合系统解决方案。
本发明提供了这样的综合系统解决方案，该解决方案包括服务器市场中长期以来所期望的高度的容错和总体差动系统可靠性。
其他可能的解决方案(例如存储器镜像、符号限幅以及故障拒绝和冗余的扩展形式)提供了增强的存储器子系统可靠性，但是由于负面影响(例如增加的成本、功率以及降低的性能)，其被考虑仅用于价格并不非常重要的适当应用(因为实现这些子系统质量增强非常昂贵)。因此，适合于低端或中端服务器市场的解决方案还不存在。
因此，业界一直在寻求一种简单的、相对廉价且可靠的提供了不同产品质量的解决方案，其通过使用减少功能的存储器组件提供了不会危及系统可靠性的足够程度的资产保护并且仍具有价格竞争力。
发明内容
本发明涉及高可靠性存储器控制器/接口模块，其具有高度符合工业标准的解决方案、能够满足预期性能和可靠性要求并与当前可用的存储器模块以及现有或增强的支持设备相连系。本发明实现了所有这些目标，形成低成本的增强可靠性的存储器解决方案。
本发明的一个优选实施例是28位1:2寄存器，旨在与其上具有动态随机存取存储器芯片的双列直插存储器模块(DIMM)一起使用。所述寄存器添加有错误校正代码(ECC)逻辑以校正命令或地址总线上的单位错误，并允许连续的存储器操作，而与这些错误的存在无关。
在本发明的另一个实施例中，这种DIMM包括错误锁存器和错误报告模式，由此系统可以询问设备以确定错误情况，从而允许准确的故障判定和预防性维护-由此减少计划外的系统运行中断。
在进一步的实施例中，所有连接器/DIMM互连上都包括冗余触点，所述连接器/DIMM互连否则将被看作单点故障，由此间歇的或永久的触点故障将导致计划外的系统运行中断。
优选地，所述DIMM具备诸如芯片选择关键输入的选通和无选通输入的可编程延迟之类的关键操作功能，从而降低了模块功率并提供了增加的操作灵活性。
本发明的进一步目标是提供一种DIMM，所述DIMM可以按照最适合市场需要的方式被容易地用在现有控制器中。
优选地，所述DIMM使用与那些目前正在使用的连接器相类似的连接器，以便现有技术的触点、模型、输送装置以及相关生产工具可以继续被使用，以便可以更廉价地生产具有附加密度的模块，同时提供增值可靠性和其他增值属性，例如，具有最小附加生产成本的更高的存储器封装密度。
本发明的DIMM优选地包括一印刷电路板，所述印刷电路板具有正面和背面以及多个附加到所述正面和背面的动态随机存取存储器(DRAM)或同步动态随机存取存储器(SDRAM)。在所述板的所述正面的第一边缘上提供了一百三十八(138)个触点以便将所述插件外部的电路连接到SDRAM和所述DIMM上的相关器件，并且在所述插件的背面的相同第一边缘上提供了另外一百三十八(138)个外部电路连接触点，因此所述板上具有总共二百七十六(276)个外部电路连接触点。在所述印刷电路插件的所述正面和背面上提供的触点装置以直接或间接的方式将所述外部电路电连接到所述SDRAM。
根据本发明的进一步的方面，提供了一种服务器存储器结构，所述服务器存储器结构具有带有选择性冗余触点的双列直插存储器模块或DIMM、锁相环、2或32K位串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)和28位1-2寄存器(具有错误校正代码(ECC)，奇偶校验检查)、多字节故障报告寄存器(通过独立总线进行读取)以及用于可校正错误和不可校正错误情况的实时错误线。更具体地，本发明的服务器包括新颖的DIMM，其具备新的和独特的ECC/奇偶校验寄存器，所述寄存器连接到存储器接口芯片18，芯片18依次又连接到存储器控制器或处理器19，以便存储器控制器通过地址/命令线将地址和命令信息以及用于错误校正目的的校验位发送给ECC/奇偶校验寄存器。
优选地，提供了一种用于检测安装在服务器中的模块是否能够监视地址和控制总线完整性、校正地址和控制总线上的错误、报告错误以及记录和计数错误的技术。
优选地，提供了奇偶校验错误报告，其中奇偶校验信号在其所应用的地址和命令之后一个周期被传递，并且错误线在地址和命令位被从DIMM上的寄存器驱动到DRAM之后两个时钟脉冲被驱动到低电平。在保持错误线为低电平仅两个时钟周期之后，驱动器可以被禁用并且输出被允许返回未驱动状态(高阻抗)，从而允许该线被多个模块所共享。
本发明的更进一步的方面提供了一种装置和方法，所述装置和方法用于调整未包括在ECC电路中的存储器模块上的信号的传送延迟，以使所述信号可以在一个或两个时钟周期内被有选择地重新驱动。
本发明的更进一步的方面允许存储器模块运行在奇偶校验模式，以使未使用的ECC校验位输入被保持在低电平，从而确保这些输入处于已知和静止状态。
本发明的更进一步的方面通过从原有功能触点提供选定信号且冗余触点直接在所述DIMM的相对侧上来降低单点故障的发生概率，由此降低导致计划外系统运行中断的触点故障的概率。
更进一步地，本发明优选地通过将/ECC模式控制引脚设置成高电平，从延迟路径移除第二级寄存器(后ECC)来与传统无ECC保护的模块相一致地运行本发明的模块。
通过以下结合附图的详细描述，本发明的这些目标、特征和优点对本领域的技术人员将变得更加显而易见。这些附图是：
附图说明
图1是典型的服务器存储器布置的方块图；
图2是本发明的增强型服务器存储器布置的方块图；
图3A和3B分别是本发明的二百七十六(276)引脚的双列直插存储器模块(DIMM)的正面和背面的平面图；
图4A和4B是图3A中示出的ECC/奇偶校验寄存器的示意图；
图5是图4B的单错误校正/双错误检测错误校正代码(SEC/DEDECC)电路的方块图；
图6以H-矩阵的形式描述了选定用于图3的模块的优选ECC代码；
图7A、7B和7C示出了用于图3A和3B的DIMM的指定触点或引脚连接；以及
图8示出了本发明使用的时间图。
具体实施方式
通过参考附图(尤其是以下附图)可以最佳地获得对本发明的特征和优点的全面理解，其中：图1是典型的服务器存储器布置的方块图；图2是本发明的增强型服务器存储器布置的方块图；图3A和3B分别是本发明的276触点的双列直插存储器模块(DIMM)的正面和背面的平面图；图4A和4B是图3A和3B中所示的寄存器、奇偶校验和错误校正电路的示意图；图5是图4B的单错误校正/双错误检测错误校正代码(SEC/DEDECC)电路的方块图；图6以H-矩阵的形式描述了选定用于图3的模块的优选ECC代码；图7A、7B和7C示出了用于图3A和3B的DIMM的指定引脚连接；以及图8示出了本发明使用的时间图。
图1以示意图的形式示出了可以在任何现有服务器(其可以采用多个双列直插存储器模块(DIMM))中找到的典型服务器存储器布置的方块图。应当理解，在实际操作中将使用许多这样的DIMM，但为了说明方便，图1中仅示出了一个现有技术的DIMM 10。DIMM 10是一个印刷电路插件，其上提供了多个同步动态随机存取存储器或动态随机存取存储器电路11(以下总称为DRAM)。DIMM 10上的每个DRAM 11都具有多个输出引脚，这些引脚通过DIMM上的印刷电路被连接到DIMM上的触点，这些触点通过数据线15被进一步连接到存储器接口芯片18以及存储器控制器或处理器19。DIMM上的每个DRAM进一步通过这样的DIMM触点被连接到DIMM上的寄存器12和锁相环电路14。锁相环14(PLL)通过时钟线17与存储器接口芯片18相连。寄存器12也通过地址和命令(cmd)总线16与存储器接口芯片18相连。存储器接口芯片18通过数据线15、地址和命令线16以及时钟线17与存储器控制器19相连。应当理解，尽管图中仅示出了一个这样的DIMM，但实际的服务器将包含许多这样的DIMM。其他此类DIMM将以类似的方式通过数据、地址和命令线与存储器接口芯片18和存储器控制器19相连。因为此类服务器及其运行是如此为本领域的技术人员所公知，进一步描述此类服务器及其运行不被认为是必要的。
现在转到图2、3A、3B、4A、4B、5和8，将描述本发明的增强型服务器存储器布置。
图2以示意图的形式示出了采用本发明的服务器存储器布置的方块图。在图2中，所述服务器包括新颖的DIMM 20，其具备新颖的ECC/奇偶校验寄存器芯片21，所述芯片21与存储器接口芯片18相连，存储器接口芯片18进而与存储器控制器或处理器19相连。应当理解，芯片21无需同时包括ECC功能和奇偶校验功能。例如，芯片21可以只具有ECC功能或只具有奇偶校验功能并仍然按照本发明来运行。更具体地，如图2所示，存储器接口芯片18通过数据线15发送和接收来自DIMM的数据，并通过线16发送地址和命令。然后，存储器接口芯片18通过线15将数据发送给DRAM或从DRAM接收数据，通过地址/命令线16将地址和命令信息发送给寄存器芯片21并通过线25将用于错误校正目的的校验位发送给ECC/奇偶校验寄存器芯片21。
图3A和3B分别示出了本发明的新颖的DIMM 20的正视图和后视图。一般地说，DIMM是设计成其上带有多个DRAM 22的印刷电路插件，并且DRAM输出引脚(未示出)通过印刷电路与沿着所述插件的正面和背面的边缘的选定连接器23相连，并且通常在连接器边缘上具有单个指示键或凹槽9。这种DIMM的使用和制造是公知的并且无需在此进一步地描述。但是，本发明的DIMM是新颖的并被设计成对现有技术DIMM中遇到的计划外的和经常是灾难性的系统运行中断做出若干显著贡献。尤其是通过将DIMM 20的长度增大到149毫米与153毫米之间来实现本发明的DIMM的改进。标称上，DIMM 20长151.35毫米(5.97英寸)并且宽43.1毫米(1.2英寸)。DIMM的宽度并不是关键的，DIMM只需宽到足以容纳其上安装的DRAM。但是，DIMM的长度必须使DIMM 20可以容纳额外的信号触点(最多138个)，以及容纳最多三十六个DRAM 26(尺寸最大为14毫米乘21毫米)，并且具有定位键或凹槽9(距离在82.675毫米(到DIMM的一端)与68.675毫米(到DIMM的另一端)之间)，如图所示。此外，应当理解，这些尺寸是标称的，在各种实施方式中可以在正负3毫米之间变动。所述DIMM在每一侧(即，DIMM 20的较短边沿)上还可以带有额外的凹槽9a和9b。这些尺寸长度使得本发明的DIMM允许在正面放置最多十八个DRAM并且在背面放置最多十八个附加的此类DRAM。进而，如图3A所示，在每个DIMM 20的正面，除DRAM之外，还布置有锁相环芯片24和本发明的新颖ECC/奇偶校验寄存器芯片21。将结合图4A和4B在下面对此新颖的ECC/奇偶校验寄存器芯片21进行进一步的详细描述。应当理解，如果在寄存器芯片21上提供了锁相环芯片电路，则锁相环芯片可以被去除。
图3A和3B中所示的新的、改进的、更大尺寸的DIMM 20在互连故障率方面也实现了进一步的显著改进，因为更大尺寸的模块允许连接器系统容纳二百七十六个触点或引脚23。如图7a、7b和7c所示，这些引脚被编号并与各自的输入端相连。一(1)号触点或引脚被标识并在图3A中示为触点23A，其在DIMM 20的正面的左手侧，并被布置在距DIMM 20的左侧边缘大约5.175毫米而距凹槽9的中心77.5毫米处。一百三十八(138)号触点或引脚被标识并在图3A中示为触点23B，其在DIMM 20的正面的右手侧，并被布置在距DIMM 20的右侧边缘大约5.175毫米而距凹槽9的中心大约63.5毫米处。一百三十九(139)号触点或引脚被标识并在图3B中示为触点23C，其与一号触点23A直接相对，同样被布置在距DIMM 20的左侧边缘大约5.175毫米而距凹槽9的中心77.5毫米处。二百七十六(276)号触点或引脚被标识并在图3B中示为触点23D，其与一百三十八号触点23B直接相对，同样被布置在距DIMM 20的右侧边缘大约5.175毫米而距凹槽9的中心63.5毫米处。更大尺寸的此DIMM 20还可以容纳本发明所需的新的更大的ECC/奇偶校验寄存器21。由于在此更大的DIMM上的二百七十六个触点或引脚23超出了DIMM上所有电路的需要，所以这意味着该DIMM提供了额外的或冗余的触点。这些额外的或冗余的触点或引脚23现在可被用来为某些选定信号或电压线(对于它们来说，错误校正是不可能的)提供额外的保护。通过提供此类冗余触点，本发明有效地消除了对诸如时钟输入、CS、CKE以及ODT输入、Verf输入以及未被ECC保护的其他信号上的触点故障的担心。其他好处包括消除或减少了对电源噪声和/或压降(由于数据区域中电压(VDD)触点的不足所造成)的担心，并在DIMM 20上的地址/控制区域中提供了额外的接地引脚。本发明的更多的触点数还允许DIMM 20被这样布线：使得其与现有技术DIMM相一致。额外的触点23还允许包括与地址和命令输入关联的ECC校验位，这允许与这些输入关联的故障的实时系统监视，以及故障计数和故障属性的系统询问。在使用更小的现有技术DIMM的传统的现有技术系统中，这些故障将导致灾难性的系统运行中断。
应当理解，尽管图1和2中仅示出了一个DIMM 21，但是在实际中，服务器将包含许多这样的DIMM。如上所述，本发明的DIMM 21具有多个SDRAM 22、锁相环电路24以及ECC/奇偶校验寄存器21。DIMM 20上的ECC/奇偶校验寄存器21包括独特的错误校正代码(ECC)电路，该电路通过线25与存储器接口芯片18相连以对此类服务器提供更显著的可靠性增强。包括此新的、改进的错误校正代码(ECC)电路导致了互连故障显著减少。
图4A和4B共同包括DIMM 20上的新颖的ECC/奇偶校验寄存器21的示意图，其中为了说明的清晰，其被示为包括两个不同的部分21a和21b。图4A示出了本发明的增强功能的28位1:2寄存器部分21a，而图4B示出了错误校正代码电路部分21b。图4B中示出的错误校正代码电路ECC部分21b校正单位错误，从而允许连续的存储器操作，与这些错误的存在无关。此ECC部分还包括奇偶校验运行模式电路和错误报告电路。DIMM 20上的新颖的ECC/奇偶校验寄存器21因此提供了不同于现有技术且现有技术所不能提供的前沿性能、可靠性以及关键运行特征，同时保留了通常与JEDEC 14位1:2 DDR II寄存器相一致的定时要求。
更具体地，寄存器部分21a包含多个所谓的差动位接收器40a到40e、41、42a到42n、43、44、45a、45b、46a和46b以及单个放大器47。这些差动接收器40a到40e、41、42a到42n、43、44、45a、45b、46a和46b中的每一个差动接收器都具有两个输入端和一个单个输出端。每个差动接收器40a到40e、41、42a到42n、43、44、45a、45b、46a和46b的输入端中的一个输入端与基准电压源28相连。每个差动接收器40a到40e、41、42a到42n、43、44、45a、45b、46a和46b的第二输入端被连接到各自的输入端30a到30e、31、32a到32n、33a、33b、34、35a、35b、36a和36b。
接收器集合40a到40e包括五个接收器，其中仅示出了第一个和最后一个接收器40a和40e。接收器40a到40e分别使其第二输入端连接到各自的校验位线30a到30e，并且通过各自的主多路复用器60a到60e使其输出端连接到各自的主锁存器70a到70e的输入端。通常，校验位线包含在这样的总线中：该总线包含五条此类校验位线的集合。但是，只是为了简化附图和便于描述，图4a仅示出了集合中的第一条和最后一条校验位线30a和30e以及接收器40a到40e中的第一个和最后一个接收器。可以理解，集合40a到40e中的每个接收器都将其各自输入端中的一个输入端连接到校验位输入线30a到30e的集合中的一个相应校验位输入线，并且将其输出端连接到三输入端多路复用器的集合中的一个相应多路复用器，并且由此连接到三输入端主锁存器的集合中的一个相应主锁存器。
差动接收器41的第二输入端被连接到检验位0/奇偶校验输入信号线30。
接收器集合42a到42n包括二十二个连接到数据线总线的接收器，该数据线总线通常包含二十二条数据线32a到32n。但是，只是为了简化附图和便于描述，图4a仅示出了集合中的第一条和最后一条数据线32a和32n，并且图中仅示出了接收器42a到42n中的第一个和最后一个接收器。第一个接收器42a被示出为将其第一输入端连接到数据位线32a并将其输出端连接到多路复用器62a(其输出端被连接到主锁存器72a的第一输入端)的第一输入端，而最后一个接收器42n被示出为将其第一输入端连接到数据位线32n并将其输出端连接到多路复用器62n(其输出端被连接到主锁存器72n的第一输入端)的第一输入端。集合42a到42n中的每个相应接收器都将输入端连接到集合32a到32n中的一个相应数据线，并且通过相应的主多路复用器42a到42n将其输出端连接到相应的主锁存器62a到62n的输入端。集合42a到42n中的所有主多路复用器和锁存器都与示出的连接到接收器42a到42n的那些主多路复用器和锁存器相同。因此，集合中的每个接收器都将其相应输出端中的一个输出端连接到数据位输入线集合中的一个相应数据位输入线，并且将其输出端连接到两输入端多路复用器集合中的一个相应多路复用器，并且由此连接到主锁存器集合中的一个相应主锁存器。从图2中的存储器接口芯片18输入这些信号，并且只有当一个或多个输入端33a、33b或34为低电平时，才重新驱动这些信号。
如上所述，差动接收器41的第二输入端被连接到检验位0/奇偶校验输入信号线30。差动接收器41的输出端被连接到多路复用器61(其输出端与主锁存器71相连)的输入端。检验位0/奇偶校验输入信号被解释为来自存储器控制器的ECC校验位或被解释为奇偶校验位，这取决于ECC模式输入136(图4B)的设置。时钟输入131被提供给所有主锁存器70a到70e、71、72a到72n、73、74、75a、75b、76a和76b。当寄存器工作在奇偶校验模式时，在输入端30a到30e处的校验位1-5处于无需关心的状态并将被保持为低电平。当这些输入端工作在奇偶校验模式时，在输入端131处的时钟信号(CK)的上升沿(紧随与关联的数据输入端32a到32n同时出现的时钟131的上升沿)，将在检验位0/奇偶校验输入信号线30上提供一个奇偶校验输入信号并在输入端32a到32n间维持奇校验。
差动接收器43和44的第二输入端被分别连接到芯片选择线/CS0和/CS1，并且差动接收器43和44的输出端被分别连接到主锁存器73和74的第一输入端以及被连接到三输入端选择“与非”门63的第一和第二输入端。“与非”门63的输出端与多路复用器60a到60e、61和62a到62n的选择输入端相连。这些线初始化DRAM地址/命令解码，并因此当出现有效的地址/命令信号时，至少一条线将为低电平，并且当至少一个芯片选择输入端(CS0、/CS1)33a、33b为低电平时，寄存器可以被编程以重新驱动所有数据输入端。此“与非”门63的第三输入端被连接到CS门启用电路34，该电路34可以被设置为低电平，使得多路复用器60a到60e传递来自接收器32a到32n的信号，而与输入端33a和33b上的电平无关。
差动接收器43和44的输出端还分别通过线172和174被连接到“与”门175(图4B)，“与”门175的输出端被连接到错误逻辑电路100(也在图4b中示出)。
接收器45a具有连接到时钟启用信号源35a(CKE0)的输入端和连接到主锁存器75a的输出端。
接收器45b具有连接到时钟启用信号源35b(CKE1)的输入端和连接到主锁存器75b的输出端。
接收器46a具有连接到片上终结(on die termination)线信号输入线36a(ODT0)的输入端和连接到主锁存器76a的输出端。
接收器46b具有连接到片上终结线信号线36b(ODT1)的输入端和连接到主锁存器76b的输出端。
接收器47具有连接到重置(/RST)信号线37的输入端。输入端35a和35b(CKE0、CKE1)、36a和36b(ODT0、ODT1)是从存储器接口芯片18提供的并且与芯片选择(CS)输入端33a和33b不相关联，并且来自源37(/RST)的驱动放大器47的信号是异步重置输入，当该信号为低电平时，将重置所有主锁存器70a到70e、71、72a到72n、73、74、75a、75b、76a、76b以及所有第二级锁存器92a到92n、93、94、95a、95b、96a和96b，由此强制输出端为低电平。来自源37(/RST)的此信号还重置来自错误逻辑电路100的错误总线寄存器和错误线。
连接到图4A的上述寄存器的是图4B的独特错误校正代码电路布置。
在图4B中，模块位置标识被提供给错误逻辑电路100，该电路100将在以下结合图6被更全面地描述。该模块位置标识通过接收器79a、79b和79c被提供给错误逻辑电路100，所述接收器的输入端与DIMM地址输入范围源(SA0、SA1、SA2)78a、78b和78c相连，而其输出端与错误逻辑电路100相连。来自源(SA0、SA1、SA2)78a、78b和78c的信号确定了DIMM地址，当系统请求时，将在错误总线上报告该地址。当DRAM芯片选择信号源(/CS0)33a和(/CS1)33b中的任何一个有效时，此错误逻辑电路100由来自“与非”门175的信号来控制。错误逻辑电路100进一步具有连接到其的重置信号源180。
还包括在图4b的错误校正代码电路中的是SEC/DED ECC电路90，结合下面的图5对其进行了更全面的描述。连接到此SEC/DED ECC电路的是主锁存器70a到70e、71和72a到72n的输出端。此SEC/DED ECC电路90提供了三个输出端109、110和111到错误逻辑电路100。这些输出端是：被提供给错误逻辑电路100的可校正错误(CE)线109、不可校正错误(UE)线110以及奇偶校验错误位线111，错误逻辑电路100提供与输出线120和121上的可校正和不可校正错误有关的输出。当错误线(CE)109或不可校正错误线(UE)110中的任何一个为低电平时，这指示错误被标识为与地址和/或命令输入相关联(可校正或不可校正)。当工作在ECC模式时，与重新驱动地址/命令数据同时，错误线120、121将保持有效(即，低电平)两个时钟周期，或者当工作在奇偶校验模式时，错误线120、121将延迟两个时钟周期。逻辑错误电路100还提供了错误总线(内部集成电路或IIC)122，以便从外部采集错误信息(例如，错误类型、DIMM地址、错误计数以及在第一次故障时28个输入和内部生成的出错位的状态)。所述信息保持被锁存，直到重置命令被写入到总线122或/RST输入37转换到低电平为止。选定的IIC协议允许对九个寄存器进行唯一的字节寻址，这与用于串行程序解码电可擦可编程只读存储器(SPDEEPROM)的现行工业标准协议相一致并且是本领域所公知的。
此SEC/DED ECC电路90还具有数据位输出端，其通过第二级锁存器92a到92n被连接到所有输出或第二级多路复用器102a到102n的第一输入端。标有“旁路”的寄存器锁存器72a到72n的输出端被直接连接到输出或第二级多路复用器102a到102n的第二输入端，由此允许根据ECC模式输入123来旁路SEC/DED ECC电路90。
主锁存器或寄存器锁存器73、74、75a、75b、76a和76b的输出端全部被连接到第二级锁存器或输出锁存器93、94、95a、95b、96a和96b的第一输入端并通过这些第二级锁存器93、94、95a、95b、96a和96b被连接到输出或第二级多路复用器103、104、105a、105b、106a和106b的第一输入端。主锁存器73、74、75a、75b、76a和76b的输出端被直接连接到输出或第二级多路复用器103、104、105a、105b、106a和106b的第二输入端，由此允许根据/延迟CKE输入124和/ECC模式输入123来旁路第二级锁存器93、94、95a、95b、96a和96b。
控制电路包括差动寄存器130，其第一输入端被连接到CK信号输入131，第二输入端被连接到/CK信号输入132，并且其输出端被连接到所有主锁存器70a到70e、71、72a到72n、73、74、75a、75b、76a以及76b的第二输入端和所有输出或第二级锁存器92a到92n、93、94、95a、95b、96a和96b的第二输入端，并且通过线88被连接到错误逻辑电路100。/ECC模式信号源135被连接到第二级多路复用器102a到102n、103和104的选择第三输入端和错误逻辑电路100。输出或第二级多路复用器105a、105b、106a和106b将其选择输入端连接到/延迟，CKE_ODT信号的源124。
为此模块选择的ECC代码是单错误校正/双错误检测(SEC/DED)代码并在图6的H矩阵中示出。此SEC/DED代码的使用确保了所有与地址和控制位关联的单错误都被检测和校正，并且所有双位错误都被检测到。应当指出，互连故障几乎全部作为单点故障开始，其他故障可能随着时间而出现(与初始故障的根本原因相关或无关)。
概括地说，本发明描述了独特的DIMM，其具有增强的28位1:2寄存器且附加的错误校正代码逻辑(ECC)被包含在该寄存器中以便校正单位错误，同时允许连续的存储器运行，而与这些错误的存在无关。还提供了奇偶校验工作模式，其与错误报告电路结合以允许系统询问设备以便确定错误情况。
本发明的上述28位1:2寄存器提供了关键运行特征，其不同于旨在用于存储器模块应用的现有寄存器设计，包括：错误检测和关键输入的采集；非选通输入端的可编程延迟；奇偶校验模式；重置电路；错误报告和标识以及DIMM地址的报告。
关键输入的CS选通(例如/CS0和/CS1)被提供为降低内部锁存器的器件功率的装置，只有在系统时钟的上升边沿，一个或两个芯片选择(CS)输入端为有效低电平(并且芯片选择门启用被限制为高电平)时，所述内部锁存器才被更新。与此功能相关联的二十二个芯片选择选通信号包括根据芯片选择的状态，在每个时钟的上升边沿被连续地重新驱动的地址。但是，通过将芯片选择门启用输入端限制为低电平，可以禁用芯片选择选通功能，由此使所有内部锁存器在时钟的每个上升边沿可以被更新。
非选通输入端(/延迟CKE-ODT)的可编程延迟与CKE和ODT(DRAM信号)相关联，所述输入端将在时钟信号(CLK)的每个上升边沿被锁存和重新驱动，与芯片选择(CS)信号的状态无关。但是，由于某些控制器可能被设计成在这些信号(芯片选择(CS)、地址(Addr)、行地址选通(RAS)、列地址选通(CAS)以及写入允许(WE))的延迟方面具有有限的灵活性，当错误校正代码电路(ECC)启用时，可以选择延迟块来重新调整定时关系(其被偏移1个时钟)。
ECC模式(/ECC模式为低电平)：对于所有由CS选通的输入端，片上SEC/DED ECC逻辑被启用，并且当/ECC模式输入端为低电平时，在CHK 0/奇偶校验输入上接收的信号被接收为校验位0。此ECC逻辑将在28个输入端(22个“CS选通的”输入端和6个校验位)之间工作，并且将校正所述二十二个芯片选择选通数据输入端上存在的所有单位错误以及检测所有双位错误。如果检测到可校正错误，并且如果其是自重置出现以来的第一个错误，则/错误(CE)将被驱动为低电平两个时钟，并且错误将被计数并锁存在用于28个输入端的错误总线寄存器中。任何双位错误也将被检测(以及许多不可校正的其他错误)，并且如果该错误是自重置出现以来的第一个错误，则将在/错误(UE)错误线(被驱动为低电平两个时钟)上报告该错误并将其锁存在错误总线寄存器中。尽管CS0-1并未包括在ECC逻辑中，CS输出信号的传送延迟将跟踪包括在ECC逻辑中的信号(延迟额外的1个时钟)。
除了以上ECC模式之外，相同的二十二个芯片选择选通数据信号可以工作在“奇偶校验”模式(/ECC模式为高电平)，由此在CHK0/奇偶校验输入线上接收的信号被接收为到寄存器的奇偶校验(在芯片选择选通数据输入端之后的一个时钟)。然后，将接收到的奇偶校验位与由寄存器奇偶校验逻辑在这些相同输入端之间所计算的奇偶校验进行比较，以验证信息未被破坏。所述二十二个芯片选择选通数据信号将在第一个时钟脉冲被锁存和重新驱动，并且任何错误将在两个时钟脉冲之后通过不可校正/错误(UE)线(被驱动为低电平两个时钟脉冲)被报告并被锁存在错误总线寄存器中。在此模式中，不会完成错误的校正。在此应用中，奇偶校验的惯例是奇校验(数据中奇数的1并且奇偶校验输入等于有效的奇偶校验)。
/RST信号输入端被用来清除所有内部锁存器(包括错误寄存器)，并且除了将被驱动为高电平的错误线，所有输出端都将被快速地驱动为低电平。
错误报告电路被包括以允许外部监视DIMM运行。提供两个漏极开路输出端以允许多个模块共享公共的信号线，以便报告在有效命令(/CS＝低电平)周期(与重新驱动信号相一致)期间出现的错误。这两个输出端被驱动为低电平两个时钟以允许存储器控制器有时间读出所述错误。/错误(CE)指示发生了可校正错误并由ECC逻辑来校正，/错误(UE)指示发生了不可校正的ECC错误并且取决于所选择的模式，其是不可校正的ECC错误或奇偶校验错误。注意在奇偶校验模式与ECC模式中，/错误(UE)的定时是不同的。
此外，提供了错误总线(通过IIC总线可以读取和重置9个寄存器)以允许设备被询问其他错误信息，例如错误类型(可校正、不可校正或奇偶校验错误)、错误计数和存储器插件位置(通过SAO-2地址引脚，所述引脚通常仅被连线到单独的串行程序解码(SPD)电可擦可编程只读存储器(EEPROM))。还可以提供其他信息以用于诊断，例如当芯片选择(CS)为有效的低电平时由寄存器接收到的信号(地址/命令、控制信号、校验位、奇偶校验位)和相关联的出错位，以便它们可以被解码以确定28个输入信号(22个“CS选通”加上6个校验位)或内部ECC逻辑中的哪些发生了故障。这些寄存器将包含关于第一次故障的信息，并且错误计数器将持续递增，直到其被重置或达到最大计数(64K)。通过在IIC总线上写入重置错误总线命令或通过/RST引脚，所有寄存器都可以被重置。
除了使用以上定义的ECC结构(同时包括在存储器接口芯片和DIMM上的寄存器中)，冗余触点被包括在模块引脚输出上以有效地消除互连系统中其他可能的SPOF(单点故障)影响。由于各种原因，不能由上述ECC结构保护的触点包括：电压基准(Vref)、时钟、芯片选择(CS)、CKE、ODT、VSS/VDD触点或引脚、错误线、IIC总线上的数据输入(SDA)、IIC总线上的数据时钟(SCL)和相关信号。在本发明中，这些触点中的每一个触点都具备在DIMM的第一面上的第一触点和在DIMM的相对面上与所述第一触点直接相对的冗余触点。例如，如果电压基准源28通过DIMM正面的触点或引脚1被施加，其也通过DIMM背面的触点或引脚139被施加(触点1与触点139直接相对)。类似地，SDA信号通过DIMM正面的触点或引脚135被施加，其还通过DIMM背面的触点或引脚273被施加，并且SCL信号通过DIMM正面的触点或引脚136被施加，其还通过DIMM背面的触点或引脚274被施加。图7A、7B和7C示出了对本发明的触点或引脚分配矩阵的完整描述。特定触点布置被选择以最大化容错。由于提供了这种相对的冗余触点，例如由DIMM的轻微弯曲引起的问题将导致DIMM一侧触点上的低压力而在相对触点上产生高压力。在这种情况下，如以上所讨论的，当使用了这种冗余和相对触点时，将始终确保良好的信号流。因为此解决方案还允许嵌入式布线，通过最小化布线拥挤，这些相对和冗余触点还将有助于电路板布线。下表是若干这些触点的DIMM位置的列表：
| 信号CS0CS0CS1 | 触点或引脚编号8622491 | DIMM的面正面背面正面 | 距离键的标称距离11.495mm11.495mm16.495mm | 距离键的方向右侧左侧右侧 |
| CS1CKE0CKE0CKE1CKE1RASCASWECK0CK0CK0BCK0B | 229652036220022287847721578216 | 背面正面背面正面背面背面正面正面正面背面正面背面 | 16.495mm13.505mm13.505mm16.505mm16.505mm9.495mm12.495mm9.495mm2.495mm2.495mm3.495mm3.495mm | 左侧左侧右侧左侧右侧左侧右侧右侧右侧左侧右侧左侧 |
ECC功能将单个时钟脉冲延迟(以计划的工作频率)添加到DIMM寄存器性能，这可能关系到某些性能最优化的应用。这样，两种额外的模式被包括在模块中，允许系统用户在性能与可靠性之间进行权衡。在奇偶校验模式中，结合将完整的地址和命令区段提供给模块，存储器接口芯片或控制器将生成单个奇偶校验位。所述模块将在下一个周期中将地址和命令位重新驱动到DRAM，而不是添加ECC模式所需的额外周期。地址和命令总线上的任何错误都将在以后的时间被报告给系统，并且从故障恢复的可能性很小，因此，此选择对于很多应用来说不够理想。最后的模式将只是使存储器工作在没有奇偶校验位和ECC位的模式中，既没有由于ECC而添加的延迟，也没有任何检测地址/命令总线上的故障(按照这些模块现在所使用的现有技术惯例)的装置。
图5是图4B的SEC/DED ECC电路的方块图。经由二十二个锁存器72a到72n和线82a到82n，二十二个数据输入端32a到32n被同时提供给校验位生成器电路230和奇偶校验生成器/校验器电路231的第一输入端。奇偶校验生成器/校验器电路231进一步具有通过主锁存器71和输出线81连接到奇偶校验输入信号源31的第二输入端，并且取决于输入端31上的奇偶校验输入信号的状态，在输出线111上将奇偶校验错误信号(PERR)发送到错误逻辑电路100。
同时，校验位生成器电路230将二十二个输入的数据信号传输到出错位生成器232的第一输入端，出错位生成器232的第二输入端通过来自主锁存器70a到70e的线80a到80e与校验位输入端30a到30e相连。
然后，出错位生成器232将二十二个数据信号传输到出错位解码器的第一输入端，并将六个校验位传输到错误生成器235，错误生成器235判定在接收到的数据中是否存在可校正或不可校正的错误，并通过线109或110将合适的可校正错误或不可校正错误信号提供给错误逻辑电路100。出错位解码器现在解码二十二个数据位并将它们传输到数据校正电路234。在所述校正电路中，与图6所示的H矩阵相一致，出错位被有选择地与数据输入端“异或”，同时数据区段中的任何单位错误被翻转以校正错误。
错误逻辑块100包括三个主要的部分(未示出)，它们是错误计数器、状态寄存器块(包含多个状态寄存器)以及IIC逻辑块，所有这些部分都通过公共逻辑电路互连在一起。所有这些块以及互连逻辑电路都是本领域技术人员公知的常用的和可以容易地获得的电路。
更具体地，所述错误计数器是16位计数器，当其接收到来自SEC/DEDECC 90的错误输入(CE、UE或奇偶校验)时将递增。即使当状态寄存器正在被从IIC总线上读出时，此错误计数器也继续计数错误(直到达到其最大计数为止)。
在当前情况下，状态寄存器块包括九个八位寄存器集(0-8)，其包含以下信息：数据输入(D0-21)信号、校验位信号(C0-5和奇偶校验输入)、从存储器控制器19接收的信号以及来自存储器模块20(FCC/奇偶校验模式，SAO-2)的信号、错误计数以及由SEC/DED ECC 90计算的出错位(S0-5)。
所述IIC逻辑块包括必需的逻辑以支持“IIC总线规范，版本2.1，2000年1月，标准”。在此情况下，寄存器从属于IIC，其中寄存器由DIMM地址输入范围源(SA0、SA1、SA2)78a、78b和78c来寻址，并响应若干ICC总线命令-重置、从九(9)个状态寄存器读取和测试模式。
互连上述错误计数器、状态寄存器块和IIC逻辑块的各种逻辑电路包括被设计成从外部重置信号(/RST)源37或内部接通电源重置来重置错误计数器和九(9)个状态寄存器的逻辑电路，以便当发生IIC总线读取时，加载IIC逻辑将在IIC总线上发送出的九个状态寄存器的内容和逻辑(包括一组影子寄存器)，并一起加载某些控制逻辑以驱动可校正错误(CE)和不可校正错误(UE)线(如果出现此类错误)。
包括九(9)个寄存器(可以通过IIC总线来读取和重置)的错误总线允许设备被询问额外的错误信息，例如错误类型(可校正、不可校正或奇偶校验错误)、错误计数和存储器插件位置(通过SA0-2地址引脚，也被单独的SPD EPROM所共享)。还可提供其他信息用于诊断，例如由与CS(为有效的低电平)关联的寄存器(地址/命令、控制信号、校验位、奇偶校验位)接收的信号和出错位，以便它们可以被解码以确定(在发生故障的情况下)28个输入信号(22个“CS选通”加上6个校验位)中的哪些发生了故障。这些寄存器将包含有关第一次故障的信息，并且错误计数器将持续递增，直到其被重置或达到最大计数(64K)。通过在IIC总线上写入重置错误总线命令，所有寄存器都可以被重置。
字节0：状态寄存器是通用状态位寄存器，其可以被读取以确定错误类型、模式和DIMM地址(与DIMM SPD地址相同)。
字节0：状态寄存器
位7 位6 位5 位4 位3 位2 位1 位0
RFU DIMM DIMM DIMM 模式 奇偶校验 ECC错误 ECC错误
地址 地址 地址 1＝ECC 错误 1＝UE 1＝CE
0 SA2 SA1 SA0 0＝Pty 1＝PERR
字节1和2：错误计数器
16位错误计数器将基于任何错误(CE、UE或奇偶校验错误)来计数最多64K个错误(十六进制的FFFF)。字节1是错误计数器的LSB而字节2是错误计数器的MSB。一旦16位计数器计数到全部为1，其将停留在全部为1，直到错误总线被重置。在IIC读取操作期间，错误计数器寄存器将不会递增，但如果错误出现，则将继续计数错误。
字节1：(LSB)
位7 位6 位5 位4 位3 位2 位1 位0
E7 E6 E5 E4 E3 E2 E1 E0
字节2：(MSB)
位7 位6 位5 位4 位3 位2 位1 位0
E15 E14 E13 E12 E11 E10 E9 E8
字节3-7：数据寄存器
字节3-7示出了在第一次故障时接收的全部28个地址和命令信号的极性以及校验位和奇偶校验位。
字节3：数据寄存器A(D0-7)
位7 位6 位5 位4 位3 位2 位1 位0
D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
字节4：数据寄存器B(D8-15)
位7 位6 位5 位4 位3 位2 位1 位0
D15 D14 D13 D12 D11 D10 D9 D8
字节5：数据寄存器C(D16-21、CS0-1)
| 位7 | 位6 | 位5 | 位4 | 位3 | 位2 | 位1 | 位0 |
| CS1 | CS0 | D21 | D20 | D19 | D18 | D17 | D16 |
字节6：数据寄存器D(CKE0-1、ODT0-1)
位7 位6 位5 位4 位3 位2 位1 位0
RFU RFU RFU RFU ODT1 ODT0 CKE1 CKE0
0 0 0 0
字节7：校验位(C0-5)和奇偶校验寄存器
位7 位6 位5 位4 位3 位2 位1 位0
RFU RFU 校验 校验 校验 校验 校验 校验
位 位 位 位 位 位
0/Pty
0 0 5 4 3 2 1
In
字节8：出错寄存器
字节8示出了与第一次错误相关联的出错位。这些出错位可以被解码以确定22个“CS-选通”信号或6个校验位中的哪些引起了故障。字节3-7示出了故障时的所有输入信号的极性。
图8示出了用于本发明的时间图。
字节8：出错位(0-5)寄存器
位7 位6 位5 位4 位3 位2 位1 位0
RFU RFU 出错 出错 出错 出错 出错 出错
0 0 位5 位4 位3 位2 位1 位0
本领域技术人员设计此错误逻辑块100所需的全部信息都包括在图6所示的H矩阵中，其中D0到D21指数据位、C0到C5指校验位，S0到S5指出错位。
为了检测安装在服务器中的模块是否能够正确地监视地址和控制总线完整性、校正地址和控制总线上的错误、报告错误并记录和计数错误，需要DIMM错误总线是可以使用的并使用工业IIC协议和SA0-1位对其进行正确评估，以使DIMM可以提供包括上述字节0的数据字节。这可以通过回送字节0的位4、5和6上的SA0-1位并使位3(ECC标志位)为“1”或高电平来实现。这证明了唯一的签名。如果匹配没有出现，则模块不能够监视地址和控制总线完整性、校正地址和控制总线上的错误、报告错误并记录和计数检测到的错误。
本发明中的奇偶校验错误报告是通过以下方式实现的：如果检测到错误，在奇偶校验信号所应用的地址和命令之后一个周期传递奇偶校验信号，并在地址和命令位被从存储器接口芯片驱动到DRAM之后两个时钟周期将错误线驱动为低电平，即“0”。在保持错误线为低电平仅两个时钟周期之后，驱动器将被禁用并且输出被允许返回未驱动状态(高阻抗)，从而允许该线被多个模块所共享。
本发明还提供了一种装置和方法，所述装置和方法用于调整未包括在ECC电路中的存储器模块上的信号的传送延迟，以使所述信号可以在一个或两个时钟周期内被有选择地重新驱动。这导致模块运行速度显著增加。
此外，通过使存储器模块运行在奇偶校验模式，未使用的ECC校验位输入端可以被保持在低电平，即“0”，从而确保这些输入端处于已知和静止状态。
最后，通过有效地从延迟路径移除第二级寄存器(后ECC)(通过将/ECC模式控制引脚设置成高电平，即“1”)，可以如同其是传统无ECC保护的模块那样来运行本发明的模块。
概括地说，本发明是一种增强功能28位1:2寄存器，旨在用于主存储器模块。本发明的寄存器添加了ECC逻辑以校正单位错误并允许连续的存储器运行，而与这些错误的存在无关。还提供了奇偶校验工作模式，其与错误报告电路结合以允许系统询问设备以便确定错误情况。
本发明还提供了关键输入的CS选通(/CS0、CS1、CS门启用)。作为降低器件功率的装置，只有在时钟的上升边沿，一个或两个CS输入端为有效低电平(并且CS门启用被限制为高电平)时，寄存器的内部锁存器才会被更新。与此功能相关联的22个“CS-选通”信号包括地址(地址0:15、BA 0:2)。RAS、CAS、WE-以及其余信号(CS、CKE、ODT)在每个时钟的上升边沿继续被重新驱动，因为它们与CS无关。通过将CS门启用限制为低电平，可以禁用CS选通功能，使得所有内部锁存器在时钟的每个上升边沿可以被更新。
还提供了用于非选通输入端(/延迟CKE-ODT)的可编程延迟。对于与CKE和ODT(DRAM信号)相关联的引脚，输入端将在时钟的每个上升边沿被锁存和重新驱动，而与芯片选择(CS)的状态无关。但是，由于某些控制器可能被设计成在这些信号(CS、Addr、RAS、CAS以及WE)的延迟方面具有有限的灵活性，当错误校正代码被启用时，可以选择延迟块来重新调整定时关系(其被偏移1个时钟)。
此外，对于所有由CS选通的输入端，片上SEC/DED ECC逻辑被启用，并且通过编程引脚在CHK 0/奇偶校验输入上接收的信号被接收为校验位0(ECC模式为低电平)。此ECC逻辑将在28个输入端(22个CS选通输入端和6个校验位)之间工作，并且将校正所述22个CS选通输入端上存在的所有单位错误。/错误(CE)将被驱动为低电平两个时钟，并且错误将被计数并锁存在用于28个输入端的错误总线寄存器中。任何双位错误也将被检测(以及任何不可校正的错误)，并且将在/错误(UE)错误线(被驱动为低电平两个时钟)上报告该错误并将其锁存在错误总线寄存器中。尽管CS0-1并未包括在ECC逻辑中，CS输出信号的传送延迟将跟踪包括在ECC逻辑中的信号(延迟额外的1个时钟)。
除了以上ECC模式之外，相同的22个“CS选通的”信号可以工作在“奇偶校验”模式(/ECC模式为高电平)，由此在CHK0/奇偶校验输入上接收的信号被接收为到寄存器的奇偶校验(在“CS选通的”输入端之后的一个时钟)。然后，将接收到的奇偶校验位与由寄存器奇偶校验逻辑在这些相同输入端之间所计算的奇偶校验进行比较，以验证信息未被破坏。所述22个“CS选通的”信号将在第一个时钟被锁存和重新驱动，并且任何错误将在两个时钟之后通过/错误(UE)线(被驱动为低电平两个时钟)被报告并被锁存在错误总线寄存器中。在此模式中，不会完成错误的校正。奇偶校验的惯例是奇校验(数据中奇数的1并且奇偶校验输入等于有效的奇偶校验)。
/RST引脚被用来清除所有内部锁存器(包括错误寄存器)，并且除了将被驱动为高电平的错误线，所有输出端都将被快速地驱动为低电平。
本发明的错误报告电路被包括以允许外部监视设备运行。提供两个漏极开路输出端以允许多个模块共享公共的信号引脚，以便报告在有效命令(/CS＝低电平)周期(与重新驱动信号相一致)期间出现的错误。这两个输出端被驱动为低电平两个时钟以允许存储器控制器有时间读出所述错误。/错误(CE)指示发生了可校正错误并由ECC逻辑来校正，/错误(UE)指示发生了不可校正的错误并且取决于所选择的模式，其是不可校正的ECC错误或奇偶校验错误。注意在奇偶校验模式与ECC模式中，UE的定时是不同的。
此外，提供了错误总线(通过IIC总线可以读取和重置的上述九个寄存器)以允许设备被询问其他错误信息，例如错误类型(可校正、不可校正或奇偶校验错误)、错误计数和存储器插件位置(通过SAO-2地址引脚，其还被单独的SPD EPROM所共享)。还可以提供其他信息以用于诊断，例如当CS为有效的低电平时由寄存器接收到的信号(地址/命令、控制信号、校验位、奇偶校验位)和出错位，以便它们可以被解码以确定28个输入信号(22个“CS选通”加上6个校验位)中的哪些发生了故障。这些寄存器将包含关于第一次故障的信息，并且错误计数器将继续递增，直到其被重置或达到最大计数(64K)。通过在IIC总线上写入重置错误总线命令，所有寄存器都可以被重置。
这完成了对本发明的优选实施例的描述。因为可以对上述结构做出更改而不偏离此处描述的本发明的范围，包含在以上描述中或在附图中示出的所有内容应在示例性而不是限制性的意义上被解释。因此对于本领域的技术人员，在不偏离如以下权利要求说明的本发明的精神和范围的情况下，其他替换和修改现在将变得显而易见。
Claims (18)
1.一种具有容错地址和命令总线以便用作主存储器的高可靠性存储器布置，所述存储器布置包括：
存储器控制器；以及
双列直插存储器模块，所述双列直插存储器模块具有通过地址/命令线与所述存储器控制器相连的寄存器以及用于错误校正的校验位，以使所述存储器控制器通过所述地址/命令线将地址和命令信息发送给所述寄存器并将用于错误校正目的的校验位发送给所述寄存器。
2.根据权利要求1的存储器，所述双列直插存储器模块(DIMM)包括：
矩形印刷电路板，所述印刷电路板具有第一面和第二面，长度在149与153毫米之间，并且第一和第二端具有小于所述长度的宽度；
第一多个连接器位置，所述连接器位置在所述第一面上沿所述板的第一边缘延伸，所述板的第一边缘沿所述板的长度延伸；
第二多个连接器位置，所述连接器位置在所述第二面上沿所述板的所述第一边缘延伸；
定位键，所述定位键使其中心位于所述第一边缘上，距所述插件的所述第一端82到86毫米，距所述插件的所述第二端66到70毫米。
3.根据权利要求2的存储器，其中在所述第一面上进一步提供有多个动态随机存取存储器(DRAM)；
锁相环电路；以及
28位1到2寄存器电路，所述寄存器电路具有在数据输入端之间的错误校正代码(ECC)以及实时错误线，所述实时错误线用于报告安装在所述板的所述第一面上的可校正错误和不可校正错误情况。
4.根据权利要求3的存储器，所述28位1到2寄存器电路额外地具有奇偶校验检查。
5.根据权利要求3的存储器，其中有22个数据输入端到所述寄存器ECC电路。
6.根据权利要求2的存储器，其中所述多个DRAM的输出引脚被连接到所述板上的所述连接器位置中的选定位置。
7.根据权利要求2的存储器，其中所述板的所述第一面的所述第一边缘具有一百三十八(138)个连接器位置，并且在所述板的所述第二面的所述第一边缘上具有同样多个连接器位置，在所述板上总共具有二百七十六(276)个触点。
8.根据权利要求2的存储器，其中所述第一面上的选定触点被连接到所述第二面上的选定触点，以便为发送到和接收自所述DRAM、所述寄存器芯片、所述EEPROM和/或所述锁相环的选定信号提供冗余触点。
9.根据权利要求2的存储器模块，其中选定触点CS1、CKE0、CKE1、RAS、CAS、WE、CK0以及CK0B被布置在距所述DIMM的所述第一边缘上的所述键的选定标称距离处，如下表所示： 信号
触点或引脚编号
DIMM的面
距离键的标称距离
距离键的方向
CS0CS0CS1CS1CKE0CKE0CKE1CKE1RASCASWECK0
86224912296520362200222878477
正面背面正面背面正面背面正面背面背面正面正面正面
11.495mm11.495mm16.495mm16.495mm13.505mm13.505mm16.505mm16.505mm9.495mm12.495mm9.495mm2.495mm
右侧左侧右侧左侧左侧右侧左侧右侧左侧右侧右侧右侧
CK0CK0BCK0B
21578216
背面正面背面
2.495mm3.495mm3.495mm
左侧右侧左侧
10.一种服务器，所述服务器包括：
存储器接口芯片；
存储器控制器；以及
多个双列直插存储器模块(DIMM)，每个双列直插存储器模块上都具有锁相环电路芯片、错误校正代码/奇偶校验寄存器芯片和多个动态随机存取存储器(DRAM)芯片；以及
所述存储器控制器和所述存储器接口芯片通过数据线、时钟线以及地址总线和命令总线被连接到所述多个双列直插存储器模块。
11.根据权利要求10的服务器，其中所述寄存器芯片是28位1：2寄存器，该寄存器包含错误校正代码电路(ECC)以校正所述命令总线或地址总线上的单位错误，并允许连续的存储器运行而与这些错误的存在无关。
12.根据权利要求10的服务器，其中所述寄存器芯片是奇偶校验寄存器。
13.根据权利要求10的服务器，其中所述寄存器进一步包括用于对22个数据位线进行奇偶校验检查的装置、错误锁存器以及错误报告模式，由此系统可以询问设备以确定错误情况，从而允许准确的故障判定和预防性维护，由此减少计划外的系统运行中断。
14.根据权利要求10的服务器，其中提供有：
在每个所述DIMM上的错误校正代码奇偶校验寄存器芯片；以及
这样的装置，所述装置用于在所述DIMM上的DRAM与所述存储器接口之间传送数据，所述存储器接口带有存储器接口芯片，所述芯片通过地址命令线将地址和命令信息发送给所述寄存器并通过用于读取所述多字节故障报告寄存器总线的独立总线装置发送用于错误校正目的的校验位；以及
实时错误线，用于报告可校正错误和不可校正错误情况。
15.一种错误校正代码寄存器，所述寄存器包括：
28位1：2寄存器段；以及
错误校正代码电路和错误逻辑电路，所述错误校正代码电路和错误逻辑电路用于报告错误和校正单位错误，以便允许连续的存储器运行而与单位错误的存在无关；
所述寄存器段包括连接到校验位总线的差动接收器的第一集合、连接到数据线总线的差动接收器的第二集合以及多个输入差动位接收器和锁存器选择输入差动接收器；
所述差动接收器中的每个差动接收器都具有两个输入端和一个输出端；
多个输入多路复用器、多个主锁存器、多个第二级多路复用器以及多个第二级锁存器；
所述差动接收器的第一集合、所述差动接收器的第二集合以及所述多个输入差动位接收器中的每个差动接收器的第一输入端都被连接到基准电压源，并且每个差动接收器的第二输入端都被连接到来自所述存储器接口芯片的相应输入端；
所述第一集合中的每个接收器都具有输入端和相应的输出端，所述输入端分别被连接到所述校验位线集合中的相应校验位线，所述输出端通过相应的校验位输入多路复用器和相应的输入锁存器被连接到单位错误校正/双位错误检测电路；
所述第二集合中的每个接收器都具有输入端和输出端，所述输入端分别被连接到所述数据线集合中的相应数据线，所述输出端通过相应的数据主多路复用器和相应的主锁存器、单位错误校正/双位错误检测电路、相应的第二级多路复用器和第二级锁存器被连接到输出线；
第一输入差动接收器，所述差动接收器具有连接到校验位0信号线的输入端，以及通过主多路复用器和主锁存器连接到单位错误校正/双位错误检测电路的输出端；
第二和第三输入差动接收器，所述第二和第三输入差动接收器使其第二输入端分别连接到芯片选择线/CS0和/CS1，并且使其输出端分别连接到一对主锁存器的第一输入端以及输入选择“与非”门的第一和第二输入端；
所述“与非”门的输出端被连接到所述主多路复用器的选择输入端；
第四差动接收器，所述差动接收器具有连接到第一时钟启用信号源(CKE0)的输入端和连接到相应的主锁存器的输出端；
第五差动接收器，所述差动接收器具有连接到第二时钟启用信号源(CKE1)的输入端和连接到相应的主锁存器的输出端；
第六接收器，所述接收器具有连接到第一片上终结线信号线(ODT0)的输入端和连接到相应的主锁存器的输出端；
第七接收器，所述接收器具有连接到第二片上终结线信号线(ODT1)的输入端和连接到相应的主锁存器的输出端；以及
接收器，所述接收器具有连接到重置(/RST)信号线的输入端和连接到所有所述主锁存器和第二级锁存器的重置输入端的输出端。
16.根据权利要求15的错误校正代码寄存器，其中所述“与非”门的第三输入端被连接到芯片选择(CS)门启用电路，该电路可以被设置为低电平，使连接到所述第一集合的所述主多路复用器传递来自所述差动接收器的第一集合的信号，而与所述差动接收器对的输入端上的电平无关。
17.根据权利要求16的错误校正代码寄存器，其中进一步提供了错误逻辑电路，该错误逻辑电路包括在其接收到来自所述错误校正代码电路的错误输入时递增的16位计数器、包含多个状态寄存器的状态寄存器块以及IIC逻辑块，所述16位计数器、状态寄存器块以及IIC逻辑块通过逻辑电路彼此互连，由此即使当所述状态寄存器正在被从IIC总线上读出时，所述错误计数器也继续计数错误。
18.一种运行服务器以便检测插入其中的DIMM的状态以确保所述DIMM可以监视地址和控制总线完整性、校正地址和控制总线上的错误、报告错误以及记录和计数错误的方法，所述方法包括以下步骤：
使用工业标准IIC协议和地址输入范围源(SA0、SA1、SA2)来存取所述DIMM；
启动所述DIMM以产生包括字节0的内容的数据字节，即，
位6DIMM地址SA2
位5DIMM地址SA1
位4DIMM地址SA0
位3模式1＝ECC0＝Pty
位2奇偶校验错误1＝PERR
位1ECC错误1＝UE
位0ECC错误1＝CE
激励所述DIMM以回送所述字节0的位四、五和六上的所述输入范围源(SA0、SA1、SA2)；以及
将高信号电平(“1”)施加到位3上以在位四、五和六上提供唯一的签名，以便判定该签名是否与被发送给所述DIMM的代码相匹配。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/413,605 | 2003-04-14 | ||
| US10/413,605 US7234099B2 (en) | 2003-04-14 | 2003-04-14 | High reliability memory module with a fault tolerant address and command bus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1768330A true CN1768330A (zh) | 2006-05-03 |
| CN100392610C CN100392610C (zh) | 2008-06-04 |
Family
ID=33131422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2004800084957A Expired - Lifetime CN100392610C (zh) | 2003-04-14 | 2004-04-13 | 具有容错地址和命令总线的高可靠性存储器模块 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (7) | US7234099B2 (zh) |
| KR (2) | KR100834366B1 (zh) |
| CN (1) | CN100392610C (zh) |
| TW (1) | TWI320853B (zh) |
| WO (1) | WO2004090723A2 (zh) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101169962B (zh) * | 2006-10-23 | 2012-10-03 | 国际商业机器公司 | 具有容错地址和命令总线的高密度高可靠性存储器模块 |
| CN101719380B (zh) * | 2008-10-08 | 2012-10-31 | 巴比禄股份有限公司 | 存储模块以及存储用辅助模块 |
| CN103168296A (zh) * | 2010-09-13 | 2013-06-19 | 超威半导体公司 | 带有可配置功率状态的动态ram phy接口 |
| CN104428756A (zh) * | 2012-06-07 | 2015-03-18 | 美光科技公司 | 改善地址总线的完整性 |
| CN107507637A (zh) * | 2017-09-18 | 2017-12-22 | 深圳市江波龙电子有限公司 | 一种低功耗双列直插式存储器及其增强驱动方法 |
| CN107844439A (zh) * | 2016-09-20 | 2018-03-27 | 三星电子株式会社 | 支持命令总线训练的存储设备和系统及其操作方法 |
| CN107943609A (zh) * | 2016-10-12 | 2018-04-20 | 三星电子株式会社 | 存储器模块、存储器控制器和系统及其相应操作方法 |
| CN108028733A (zh) * | 2015-09-23 | 2018-05-11 | 高通股份有限公司 | 用于点对点互连以增大测试覆盖的自错误注入技术 |
| CN108288489A (zh) * | 2018-04-24 | 2018-07-17 | 睿力集成电路有限公司 | 半导体存储器循环冗余校验装置及半导体存储器 |
| CN108874571A (zh) * | 2017-05-15 | 2018-11-23 | 波音公司 | 高数据完整性处理系统 |
| CN109074851A (zh) * | 2016-05-02 | 2018-12-21 | 英特尔公司 | 利用额外系统位的内部错误校验和校正（ecc） |
| CN110299157A (zh) * | 2013-11-11 | 2019-10-01 | 拉姆伯斯公司 | 使用标准控制器部件的大容量存储系统 |
| CN110362420A (zh) * | 2018-04-09 | 2019-10-22 | 爱思开海力士有限公司 | 存储系统和存储系统的操作方法 |
| CN112349343A (zh) * | 2020-11-06 | 2021-02-09 | 海光信息技术股份有限公司 | 电路结构、芯片以及电子设备 |
| CN112466386A (zh) * | 2020-12-07 | 2021-03-09 | 电子科技大学 | 一种面向故障分类的存储器测试系统及方法 |
| CN112543909A (zh) * | 2018-08-08 | 2021-03-23 | 美光科技公司 | 用于媒体持久和诊断的增强码字 |
| CN114443520A (zh) * | 2016-03-05 | 2022-05-06 | 英特尔公司 | 用于在存储器装置镜像命令/地址或解译命令/地址逻辑的技术 |
| CN116050344A (zh) * | 2023-03-07 | 2023-05-02 | 芯能量集成电路(上海)有限公司 | 一种车规芯片 |
Families Citing this family (204)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004064075A1 (de) * | 2003-01-15 | 2004-07-29 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Verfahren zur erkennung und/oder korrektur von speicherzugriffsfehlern und elektronische schaltungsanordnung zur durchführung des verfahrens |
| US7234099B2 (en) * | 2003-04-14 | 2007-06-19 | International Business Machines Corporation | High reliability memory module with a fault tolerant address and command bus |
| US7278083B2 (en) * | 2003-06-27 | 2007-10-02 | International Business Machines Corporation | Method and system for optimized instruction fetch to protect against soft and hard errors |
| US20050022091A1 (en) | 2003-07-21 | 2005-01-27 | Holman Thomas J. | Method, system, and apparatus for adjacent-symbol error correction and detection code |
| CA2435655A1 (en) * | 2003-07-21 | 2005-01-21 | Symbium Corporation | Embedded system administration |
| US7206962B2 (en) * | 2003-11-25 | 2007-04-17 | International Business Machines Corporation | High reliability memory subsystem using data error correcting code symbol sliced command repowering |
| US8250295B2 (en) | 2004-01-05 | 2012-08-21 | Smart Modular Technologies, Inc. | Multi-rank memory module that emulates a memory module having a different number of ranks |
| DE102004024942B3 (de) * | 2004-05-21 | 2005-11-24 | Infineon Technologies Ag | Speicherschaltung und Verfahren zum Auslesen von einer in der Speicherschaltung enthaltenen spezifischen Betriebsinformationen |
| US7304905B2 (en) * | 2004-05-24 | 2007-12-04 | Intel Corporation | Throttling memory in response to an internal temperature of a memory device |
| US7224595B2 (en) * | 2004-07-30 | 2007-05-29 | International Business Machines Corporation | 276-Pin buffered memory module with enhanced fault tolerance |
| US7296129B2 (en) | 2004-07-30 | 2007-11-13 | International Business Machines Corporation | System, method and storage medium for providing a serialized memory interface with a bus repeater |
| KR100585158B1 (ko) * | 2004-09-13 | 2006-05-30 | 삼성전자주식회사 | Ｅｃｃ 메모리 모듈 |
| US7331010B2 (en) | 2004-10-29 | 2008-02-12 | International Business Machines Corporation | System, method and storage medium for providing fault detection and correction in a memory subsystem |
| US7299313B2 (en) | 2004-10-29 | 2007-11-20 | International Business Machines Corporation | System, method and storage medium for a memory subsystem command interface |
| US7512762B2 (en) | 2004-10-29 | 2009-03-31 | International Business Machines Corporation | System, method and storage medium for a memory subsystem with positional read data latency |
| US7277988B2 (en) * | 2004-10-29 | 2007-10-02 | International Business Machines Corporation | System, method and storage medium for providing data caching and data compression in a memory subsystem |
| US7395476B2 (en) * | 2004-10-29 | 2008-07-01 | International Business Machines Corporation | System, method and storage medium for providing a high speed test interface to a memory subsystem |
| DE102004056214B4 (de) * | 2004-11-22 | 2006-12-14 | Infineon Technologies Ag | Speicherpuffer |
| US7334150B2 (en) * | 2004-12-03 | 2008-02-19 | Infineon Technologies Ag | Memory module with a clock signal regeneration circuit and a register circuit for temporarily storing the incoming command and address signals |
| CA2504333A1 (en) * | 2005-04-15 | 2006-10-15 | Symbium Corporation | Programming and development infrastructure for an autonomic element |
| JP4328736B2 (ja) * | 2005-04-22 | 2009-09-09 | エルピーダメモリ株式会社 | コンピュータシステム、及びメモリの不良救済方法 |
| US9459960B2 (en) | 2005-06-03 | 2016-10-04 | Rambus Inc. | Controller device for use with electrically erasable programmable memory chip with error detection and retry modes of operation |
| US7831882B2 (en) | 2005-06-03 | 2010-11-09 | Rambus Inc. | Memory system with error detection and retry modes of operation |
| US7519894B2 (en) * | 2005-06-14 | 2009-04-14 | Infineon Technologies Ag | Memory device with error correction code module |
| US10013371B2 (en) | 2005-06-24 | 2018-07-03 | Google Llc | Configurable memory circuit system and method |
| KR101377305B1 (ko) | 2005-06-24 | 2014-03-25 | 구글 인코포레이티드 | 집적 메모리 코어 및 메모리 인터페이스 회로 |
| US20080082763A1 (en) | 2006-10-02 | 2008-04-03 | Metaram, Inc. | Apparatus and method for power management of memory circuits by a system or component thereof |
| US8041881B2 (en) | 2006-07-31 | 2011-10-18 | Google Inc. | Memory device with emulated characteristics |
| US8089795B2 (en) | 2006-02-09 | 2012-01-03 | Google Inc. | Memory module with memory stack and interface with enhanced capabilities |
| US8055833B2 (en) | 2006-10-05 | 2011-11-08 | Google Inc. | System and method for increasing capacity, performance, and flexibility of flash storage |
| US8081474B1 (en) | 2007-12-18 | 2011-12-20 | Google Inc. | Embossed heat spreader |
| US8130560B1 (en) | 2006-11-13 | 2012-03-06 | Google Inc. | Multi-rank partial width memory modules |
| US7609567B2 (en) | 2005-06-24 | 2009-10-27 | Metaram, Inc. | System and method for simulating an aspect of a memory circuit |
| US8077535B2 (en) | 2006-07-31 | 2011-12-13 | Google Inc. | Memory refresh apparatus and method |
| US8111566B1 (en) | 2007-11-16 | 2012-02-07 | Google, Inc. | Optimal channel design for memory devices for providing a high-speed memory interface |
| US7386656B2 (en) | 2006-07-31 | 2008-06-10 | Metaram, Inc. | Interface circuit system and method for performing power management operations in conjunction with only a portion of a memory circuit |
| US9507739B2 (en) | 2005-06-24 | 2016-11-29 | Google Inc. | Configurable memory circuit system and method |
| US9171585B2 (en) | 2005-06-24 | 2015-10-27 | Google Inc. | Configurable memory circuit system and method |
| US8327104B2 (en) | 2006-07-31 | 2012-12-04 | Google Inc. | Adjusting the timing of signals associated with a memory system |
| US8796830B1 (en) | 2006-09-01 | 2014-08-05 | Google Inc. | Stackable low-profile lead frame package |
| US8386722B1 (en) | 2008-06-23 | 2013-02-26 | Google Inc. | Stacked DIMM memory interface |
| US20080028136A1 (en) | 2006-07-31 | 2008-01-31 | Schakel Keith R | Method and apparatus for refresh management of memory modules |
| US8090897B2 (en) | 2006-07-31 | 2012-01-03 | Google Inc. | System and method for simulating an aspect of a memory circuit |
| US8438328B2 (en) | 2008-02-21 | 2013-05-07 | Google Inc. | Emulation of abstracted DIMMs using abstracted DRAMs |
| US8397013B1 (en) | 2006-10-05 | 2013-03-12 | Google Inc. | Hybrid memory module |
| US8244971B2 (en) | 2006-07-31 | 2012-08-14 | Google Inc. | Memory circuit system and method |
| US8359187B2 (en) | 2005-06-24 | 2013-01-22 | Google Inc. | Simulating a different number of memory circuit devices |
| US8169233B2 (en) | 2009-06-09 | 2012-05-01 | Google Inc. | Programming of DIMM termination resistance values |
| US9542352B2 (en) | 2006-02-09 | 2017-01-10 | Google Inc. | System and method for reducing command scheduling constraints of memory circuits |
| US8335894B1 (en) | 2008-07-25 | 2012-12-18 | Google Inc. | Configurable memory system with interface circuit |
| US8060774B2 (en) * | 2005-06-24 | 2011-11-15 | Google Inc. | Memory systems and memory modules |
| GB2444663B (en) * | 2005-09-02 | 2011-12-07 | Metaram Inc | Methods and apparatus of stacking drams |
| CN101317159A (zh) * | 2005-09-27 | 2008-12-03 | Nxp股份有限公司 | 检错纠错电路及相应方法 |
| US7478259B2 (en) * | 2005-10-31 | 2009-01-13 | International Business Machines Corporation | System, method and storage medium for deriving clocks in a memory system |
| US7685392B2 (en) | 2005-11-28 | 2010-03-23 | International Business Machines Corporation | Providing indeterminate read data latency in a memory system |
| DE102005060901A1 (de) * | 2005-12-20 | 2007-06-28 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Erkennung einer Versorgungsunterbrechung in einem Datenspeicher und zur Wiederherstellung des Datenspeichers |
| US7562285B2 (en) | 2006-01-11 | 2009-07-14 | Rambus Inc. | Unidirectional error code transfer for a bidirectional data link |
| US9632929B2 (en) | 2006-02-09 | 2017-04-25 | Google Inc. | Translating an address associated with a command communicated between a system and memory circuits |
| JP4899556B2 (ja) * | 2006-03-17 | 2012-03-21 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体集積回路 |
| US8352805B2 (en) | 2006-05-18 | 2013-01-08 | Rambus Inc. | Memory error detection |
| US20070271495A1 (en) * | 2006-05-18 | 2007-11-22 | Ian Shaeffer | System to detect and identify errors in control information, read data and/or write data |
| US7636813B2 (en) * | 2006-05-22 | 2009-12-22 | International Business Machines Corporation | Systems and methods for providing remote pre-fetch buffers |
| US7724589B2 (en) | 2006-07-31 | 2010-05-25 | Google Inc. | System and method for delaying a signal communicated from a system to at least one of a plurality of memory circuits |
| US7669086B2 (en) | 2006-08-02 | 2010-02-23 | International Business Machines Corporation | Systems and methods for providing collision detection in a memory system |
| US7342844B2 (en) * | 2006-08-03 | 2008-03-11 | Macronix International Co., Ltd. | Power on sequence for a flash memory device |
| US7581073B2 (en) * | 2006-08-09 | 2009-08-25 | International Business Machines Corporation | Systems and methods for providing distributed autonomous power management in a memory system |
| JP4918824B2 (ja) * | 2006-08-18 | 2012-04-18 | 富士通株式会社 | メモリコントローラおよびメモリ制御方法 |
| US7783954B2 (en) * | 2006-09-11 | 2010-08-24 | Globalfoundries Inc. | System for controlling high-speed bidirectional communication |
| US7634708B2 (en) | 2006-09-15 | 2009-12-15 | International Business Machines Corporation | Relocatable storage protect keys for system main memory |
| US7870459B2 (en) | 2006-10-23 | 2011-01-11 | International Business Machines Corporation | High density high reliability memory module with power gating and a fault tolerant address and command bus |
| DE102006051514B4 (de) * | 2006-10-31 | 2010-01-21 | Qimonda Ag | Speichermodul und Verfahren zum Betreiben eines Speichermoduls |
| JP4956143B2 (ja) * | 2006-11-02 | 2012-06-20 | 株式会社東芝 | 半導体メモリカード、ホスト装置、及びデータ転送方法 |
| KR100879560B1 (ko) * | 2006-12-04 | 2009-01-22 | 삼성전자주식회사 | 에러 검출 코드를 이용한 데이터 트레이닝 방법 및 이에적합한 시스템 |
| US7721140B2 (en) | 2007-01-02 | 2010-05-18 | International Business Machines Corporation | Systems and methods for improving serviceability of a memory system |
| US7644216B2 (en) * | 2007-04-16 | 2010-01-05 | International Business Machines Corporation | System and method for providing an adapter for re-use of legacy DIMMS in a fully buffered memory environment |
| US8904098B2 (en) | 2007-06-01 | 2014-12-02 | Netlist, Inc. | Redundant backup using non-volatile memory |
| US8301833B1 (en) | 2007-06-01 | 2012-10-30 | Netlist, Inc. | Non-volatile memory module |
| US8874831B2 (en) | 2007-06-01 | 2014-10-28 | Netlist, Inc. | Flash-DRAM hybrid memory module |
| US8209479B2 (en) | 2007-07-18 | 2012-06-26 | Google Inc. | Memory circuit system and method |
| DE102007035180B4 (de) * | 2007-07-27 | 2009-05-14 | Qimonda Ag | Speichermodul |
| US8028198B2 (en) * | 2007-07-30 | 2011-09-27 | Micron Technology, Inc. | Devices, methods, and apparatuses for detection, sensing, and reporting functionality for semiconductor memory |
| US7899983B2 (en) | 2007-08-31 | 2011-03-01 | International Business Machines Corporation | Buffered memory module supporting double the memory device data width in the same physical space as a conventional memory module |
| US8082482B2 (en) * | 2007-08-31 | 2011-12-20 | International Business Machines Corporation | System for performing error correction operations in a memory hub device of a memory module |
| US7861014B2 (en) * | 2007-08-31 | 2010-12-28 | International Business Machines Corporation | System for supporting partial cache line read operations to a memory module to reduce read data traffic on a memory channel |
| US8086936B2 (en) * | 2007-08-31 | 2011-12-27 | International Business Machines Corporation | Performing error correction at a memory device level that is transparent to a memory channel |
| US7840748B2 (en) * | 2007-08-31 | 2010-11-23 | International Business Machines Corporation | Buffered memory module with multiple memory device data interface ports supporting double the memory capacity |
| US7818497B2 (en) * | 2007-08-31 | 2010-10-19 | International Business Machines Corporation | Buffered memory module supporting two independent memory channels |
| US7865674B2 (en) * | 2007-08-31 | 2011-01-04 | International Business Machines Corporation | System for enhancing the memory bandwidth available through a memory module |
| US7584308B2 (en) * | 2007-08-31 | 2009-09-01 | International Business Machines Corporation | System for supporting partial cache line write operations to a memory module to reduce write data traffic on a memory channel |
| US8019919B2 (en) * | 2007-09-05 | 2011-09-13 | International Business Machines Corporation | Method for enhancing the memory bandwidth available through a memory module |
| US7558887B2 (en) | 2007-09-05 | 2009-07-07 | International Business Machines Corporation | Method for supporting partial cache line read and write operations to a memory module to reduce read and write data traffic on a memory channel |
| US8080874B1 (en) | 2007-09-14 | 2011-12-20 | Google Inc. | Providing additional space between an integrated circuit and a circuit board for positioning a component therebetween |
| US20090119114A1 (en) * | 2007-11-02 | 2009-05-07 | David Alaniz | Systems and Methods for Enabling Customer Service |
| US7770077B2 (en) * | 2008-01-24 | 2010-08-03 | International Business Machines Corporation | Using cache that is embedded in a memory hub to replace failed memory cells in a memory subsystem |
| US7925825B2 (en) * | 2008-01-24 | 2011-04-12 | International Business Machines Corporation | System to support a full asynchronous interface within a memory hub device |
| US7930470B2 (en) * | 2008-01-24 | 2011-04-19 | International Business Machines Corporation | System to enable a memory hub device to manage thermal conditions at a memory device level transparent to a memory controller |
| US7925826B2 (en) * | 2008-01-24 | 2011-04-12 | International Business Machines Corporation | System to increase the overall bandwidth of a memory channel by allowing the memory channel to operate at a frequency independent from a memory device frequency |
| US7930469B2 (en) | 2008-01-24 | 2011-04-19 | International Business Machines Corporation | System to provide memory system power reduction without reducing overall memory system performance |
| US7925824B2 (en) * | 2008-01-24 | 2011-04-12 | International Business Machines Corporation | System to reduce latency by running a memory channel frequency fully asynchronous from a memory device frequency |
| US8140936B2 (en) * | 2008-01-24 | 2012-03-20 | International Business Machines Corporation | System for a combined error correction code and cyclic redundancy check code for a memory channel |
| JP5350677B2 (ja) * | 2008-05-19 | 2013-11-27 | 株式会社東芝 | バス信号制御回路、及び、バス信号制御回路を備えた信号処理回路 |
| US8140945B2 (en) * | 2008-05-23 | 2012-03-20 | Oracle America, Inc. | Hard component failure detection and correction |
| US20100005220A1 (en) * | 2008-07-01 | 2010-01-07 | International Business Machines Corporation | 276-pin buffered memory module with enhanced memory system interconnect and features |
| US20100005212A1 (en) * | 2008-07-01 | 2010-01-07 | International Business Machines Corporation | Providing a variable frame format protocol in a cascade interconnected memory system |
| US20100005219A1 (en) * | 2008-07-01 | 2010-01-07 | International Business Machines Corporation | 276-pin buffered memory module with enhanced memory system interconnect and features |
| US20100005206A1 (en) * | 2008-07-01 | 2010-01-07 | International Business Machines Corporation | Automatic read data flow control in a cascade interconnect memory system |
| US20100005218A1 (en) * | 2008-07-01 | 2010-01-07 | International Business Machines Corporation | Enhanced cascade interconnected memory system |
| US20100005214A1 (en) * | 2008-07-01 | 2010-01-07 | International Business Machines Corporation | Enhancing bus efficiency in a memory system |
| US7717752B2 (en) * | 2008-07-01 | 2010-05-18 | International Business Machines Corporation | 276-pin buffered memory module with enhanced memory system interconnect and features |
| JP5753988B2 (ja) * | 2008-12-18 | 2015-07-22 | ノヴァチップス カナダ インコーポレイテッド | エラー検出方法および１つまたは複数のメモリデバイスを含むシステム |
| US8639874B2 (en) * | 2008-12-22 | 2014-01-28 | International Business Machines Corporation | Power management of a spare DRAM on a buffered DIMM by issuing a power on/off command to the DRAM device |
| US8438455B2 (en) * | 2008-12-31 | 2013-05-07 | Intel Corporation | Error correction in a solid state disk |
| US20100180182A1 (en) * | 2009-01-09 | 2010-07-15 | Seagate Technology Llc | Data memory device and controller with interface error detection and handling logic |
| US8819474B2 (en) * | 2009-04-03 | 2014-08-26 | Intel Corporation | Active training of memory command timing |
| US7984326B2 (en) * | 2009-05-14 | 2011-07-19 | International Business Machines Corporation | Memory downsizing in a computer memory subsystem |
| KR101599834B1 (ko) * | 2009-05-28 | 2016-03-04 | 삼성전자주식회사 | 메모리 컨트롤러 및 그것을 포함하는 메모리 시스템 |
| US8046628B2 (en) | 2009-06-05 | 2011-10-25 | Micron Technology, Inc. | Failure recovery memory devices and methods |
| US8489837B1 (en) * | 2009-06-12 | 2013-07-16 | Netlist, Inc. | Systems and methods for handshaking with a memory module |
| US8464145B2 (en) * | 2009-07-16 | 2013-06-11 | Cypress Semiconductor Corporation | Serial interface devices, systems and methods |
| WO2012015438A1 (en) | 2010-07-30 | 2012-02-02 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Memory element and method for determining the data state of a memory element |
| US8255740B2 (en) | 2010-09-27 | 2012-08-28 | International Business Machines Corporation | Multi-level DIMM error reduction |
| WO2012151001A1 (en) * | 2011-04-30 | 2012-11-08 | Rambus Inc. | Configurable, error-tolerant memory control |
| US8751906B2 (en) * | 2011-06-13 | 2014-06-10 | Marvell World Trade Ltd. | Systems and methods for operating on a storage device using a life-cycle dependent coding scheme |
| US10838646B2 (en) | 2011-07-28 | 2020-11-17 | Netlist, Inc. | Method and apparatus for presearching stored data |
| US10380022B2 (en) | 2011-07-28 | 2019-08-13 | Netlist, Inc. | Hybrid memory module and system and method of operating the same |
| US10198350B2 (en) | 2011-07-28 | 2019-02-05 | Netlist, Inc. | Memory module having volatile and non-volatile memory subsystems and method of operation |
| DE112011106021B4 (de) | 2011-12-22 | 2018-05-03 | Intel Corporation | Zugreifen auf Daten, die in einem Befehls-/Adressregister-Gerät gespeichert sind |
| KR20130096947A (ko) | 2012-02-23 | 2013-09-02 | 삼성전자주식회사 | 위치에 따라 스터브 저항이 삽입되는 메모리 모듈 및 그것의 온-다이 터미네이션 설정 방법 |
| WO2013147913A1 (en) * | 2012-03-31 | 2013-10-03 | Intel Corporation | Delay-compensated error indication signal |
| US9357649B2 (en) | 2012-05-08 | 2016-05-31 | Inernational Business Machines Corporation | 276-pin buffered memory card with enhanced memory system interconnect |
| US9323608B2 (en) | 2012-06-07 | 2016-04-26 | Micron Technology, Inc. | Integrity of a data bus |
| US20130335909A1 (en) * | 2012-06-18 | 2013-12-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory apparatus and electronic apparatus |
| US8966327B1 (en) * | 2012-06-21 | 2015-02-24 | Inphi Corporation | Protocol checking logic circuit for memory system reliability |
| US8686754B2 (en) * | 2012-07-05 | 2014-04-01 | Stmicroelectronics International N.V. | Configurable lane architecture in source synchronous systems |
| US10014070B2 (en) * | 2013-01-14 | 2018-07-03 | Micron Technology, Inc. | Data path integrity verification in memory devices |
| US9389953B2 (en) * | 2013-03-04 | 2016-07-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory device and system conducting parity check and operating method of semiconductor memory device |
| US9519315B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-12-13 | International Business Machines Corporation | 276-pin buffered memory card with enhanced memory system interconnect |
| BR112015019459B1 (pt) | 2013-03-15 | 2021-10-19 | Intel Corporation | Dispositivo para uso em um módulo de memória e método realizado em um módulo de memória |
| US10372551B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-08-06 | Netlist, Inc. | Hybrid memory system with configurable error thresholds and failure analysis capability |
| WO2014193412A1 (en) | 2013-05-31 | 2014-12-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Memory error determination |
| US9436600B2 (en) | 2013-06-11 | 2016-09-06 | Svic No. 28 New Technology Business Investment L.L.P. | Non-volatile memory storage for multi-channel memory system |
| US10031802B2 (en) | 2013-06-28 | 2018-07-24 | Intel Corporation | Embedded ECC address mapping |
| EP2979272A1 (en) * | 2013-07-31 | 2016-02-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Off-memory-module ecc-supplemental memory system |
| US9128834B2 (en) * | 2013-09-24 | 2015-09-08 | International Business Machines Corporation | Implementing memory module communications with a host processor in multiported memory configurations |
| US10248328B2 (en) | 2013-11-07 | 2019-04-02 | Netlist, Inc. | Direct data move between DRAM and storage on a memory module |
| EP3132449B1 (en) * | 2014-04-16 | 2023-04-26 | Intel Corporation | Method, apparatus and system for handling data error events with memory controller |
| US9431129B2 (en) | 2014-04-30 | 2016-08-30 | Qualcomm Incorporated | Variable read delay system |
| WO2016022156A1 (en) * | 2014-08-08 | 2016-02-11 | Hewlett-Packard Development Company, L. P. | Error counters on a memory device |
| US10002044B2 (en) | 2014-08-19 | 2018-06-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory devices and modules |
| US10002043B2 (en) | 2014-08-19 | 2018-06-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory devices and modules |
| US9904591B2 (en) * | 2014-10-22 | 2018-02-27 | Intel Corporation | Device, system and method to restrict access to data error information |
| US9852811B2 (en) * | 2014-11-13 | 2017-12-26 | Macronix International Co., Ltd. | Device and method for detecting controller signal errors in flash memory |
| US9645757B2 (en) | 2015-03-23 | 2017-05-09 | International Business Machines Corporation | Computer memory data security |
| US9740558B2 (en) | 2015-05-31 | 2017-08-22 | Intel Corporation | On-die ECC with error counter and internal address generation |
| US9858231B2 (en) * | 2015-06-22 | 2018-01-02 | Google Llc | Operating system card for multiple devices |
| US9916091B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-03-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory system architecture |
| US9842021B2 (en) | 2015-08-28 | 2017-12-12 | Intel Corporation | Memory device check bit read mode |
| US9640278B1 (en) * | 2015-12-10 | 2017-05-02 | Integrated Device Technology, Inc. | Testability/manufacturing method to adjust output skew timing |
| US10163508B2 (en) | 2016-02-26 | 2018-12-25 | Intel Corporation | Supporting multiple memory types in a memory slot |
| US9514800B1 (en) * | 2016-03-26 | 2016-12-06 | Bo Liu | DRAM and self-refresh method |
| US10459855B2 (en) | 2016-07-01 | 2019-10-29 | Intel Corporation | Load reduced nonvolatile memory interface |
| WO2018049164A1 (en) * | 2016-09-09 | 2018-03-15 | Intel Corporation | Techniques for link partner error reporting |
| US20180137005A1 (en) * | 2016-11-15 | 2018-05-17 | Intel Corporation | Increased redundancy in multi-device memory package to improve reliability |
| US10459809B2 (en) | 2017-06-30 | 2019-10-29 | Intel Corporation | Stacked memory chip device with enhanced data protection capability |
| US10481819B2 (en) * | 2017-10-30 | 2019-11-19 | Micron Technology, Inc. | Memory devices with multiple sets of latencies and methods for operating the same |
| US10621121B2 (en) * | 2017-12-01 | 2020-04-14 | Intel Corporation | Measurement and optimization of command signal timing margins |
| WO2019190866A1 (en) | 2018-03-26 | 2019-10-03 | Rambus Inc. | Command/address channel error detection |
| WO2019222958A1 (en) | 2018-05-24 | 2019-11-28 | Alibaba Group Holding Limited | System and method for flash storage management using multiple open page stripes |
| WO2020000136A1 (en) | 2018-06-25 | 2020-01-02 | Alibaba Group Holding Limited | System and method for managing resources of a storage device and quantifying the cost of i/o requests |
| US11074126B2 (en) | 2018-07-12 | 2021-07-27 | Micron Technology, Inc. | Methods for error count reporting with scaled error count information, and memory devices employing the same |
| US10991445B2 (en) * | 2018-09-06 | 2021-04-27 | Micron Technology, Inc. | Memory sub-system including an in-package sequencer to perform error correction and memory testing operations |
| US11327929B2 (en) | 2018-09-17 | 2022-05-10 | Alibaba Group Holding Limited | Method and system for reduced data movement compression using in-storage computing and a customized file system |
| CN111402938A (zh) * | 2019-01-02 | 2020-07-10 | 海太半导体（无锡）有限公司 | 一种低负载的64gb容量新型服务器内存条 |
| US11061735B2 (en) | 2019-01-02 | 2021-07-13 | Alibaba Group Holding Limited | System and method for offloading computation to storage nodes in distributed system |
| US10860223B1 (en) | 2019-07-18 | 2020-12-08 | Alibaba Group Holding Limited | Method and system for enhancing a distributed storage system by decoupling computation and network tasks |
| US11617282B2 (en) | 2019-10-01 | 2023-03-28 | Alibaba Group Holding Limited | System and method for reshaping power budget of cabinet to facilitate improved deployment density of servers |
| US11449455B2 (en) | 2020-01-15 | 2022-09-20 | Alibaba Group Holding Limited | Method and system for facilitating a high-capacity object storage system with configuration agility and mixed deployment flexibility |
| US11379447B2 (en) | 2020-02-06 | 2022-07-05 | Alibaba Group Holding Limited | Method and system for enhancing IOPS of a hard disk drive system based on storing metadata in host volatile memory and data in non-volatile memory using a shared controller |
| US11200114B2 (en) * | 2020-03-17 | 2021-12-14 | Alibaba Group Holding Limited | System and method for facilitating elastic error correction code in memory |
| US11449386B2 (en) | 2020-03-20 | 2022-09-20 | Alibaba Group Holding Limited | Method and system for optimizing persistent memory on data retention, endurance, and performance for host memory |
| US11385833B2 (en) | 2020-04-20 | 2022-07-12 | Alibaba Group Holding Limited | Method and system for facilitating a light-weight garbage collection with a reduced utilization of resources |
| US11301173B2 (en) | 2020-04-20 | 2022-04-12 | Alibaba Group Holding Limited | Method and system for facilitating evaluation of data access frequency and allocation of storage device resources |
| US11281575B2 (en) | 2020-05-11 | 2022-03-22 | Alibaba Group Holding Limited | Method and system for facilitating data placement and control of physical addresses with multi-queue I/O blocks |
| US11494115B2 (en) | 2020-05-13 | 2022-11-08 | Alibaba Group Holding Limited | System method for facilitating memory media as file storage device based on real-time hashing by performing integrity check with a cyclical redundancy check (CRC) |
| US11461262B2 (en) | 2020-05-13 | 2022-10-04 | Alibaba Group Holding Limited | Method and system for facilitating a converged computation and storage node in a distributed storage system |
| US11556277B2 (en) | 2020-05-19 | 2023-01-17 | Alibaba Group Holding Limited | System and method for facilitating improved performance in ordering key-value storage with input/output stack simplification |
| US11507499B2 (en) | 2020-05-19 | 2022-11-22 | Alibaba Group Holding Limited | System and method for facilitating mitigation of read/write amplification in data compression |
| KR20210147132A (ko) | 2020-05-27 | 2021-12-07 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 및 메모리 장치를 포함하는 메모리 모듈 |
| US11263132B2 (en) | 2020-06-11 | 2022-03-01 | Alibaba Group Holding Limited | Method and system for facilitating log-structure data organization |
| US11354200B2 (en) | 2020-06-17 | 2022-06-07 | Alibaba Group Holding Limited | Method and system for facilitating data recovery and version rollback in a storage device |
| US11422931B2 (en) | 2020-06-17 | 2022-08-23 | Alibaba Group Holding Limited | Method and system for facilitating a physically isolated storage unit for multi-tenancy virtualization |
| US11354233B2 (en) | 2020-07-27 | 2022-06-07 | Alibaba Group Holding Limited | Method and system for facilitating fast crash recovery in a storage device |
| US11372774B2 (en) | 2020-08-24 | 2022-06-28 | Alibaba Group Holding Limited | Method and system for a solid state drive with on-chip memory integration |
| KR20220044015A (ko) | 2020-09-29 | 2022-04-06 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치의 에러 정정 불가를 예방하는 제어기, 그것을 포함하는 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법 |
| US11487465B2 (en) | 2020-12-11 | 2022-11-01 | Alibaba Group Holding Limited | Method and system for a local storage engine collaborating with a solid state drive controller |
| CN112735501B (zh) * | 2020-12-24 | 2024-05-03 | 珠海格力电器股份有限公司 | 数据交互方法、装置及主板、带有主板的设备 |
| US11734115B2 (en) | 2020-12-28 | 2023-08-22 | Alibaba Group Holding Limited | Method and system for facilitating write latency reduction in a queue depth of one scenario |
| US11416365B2 (en) | 2020-12-30 | 2022-08-16 | Alibaba Group Holding Limited | Method and system for open NAND block detection and correction in an open-channel SSD |
| US11726699B2 (en) | 2021-03-30 | 2023-08-15 | Alibaba Singapore Holding Private Limited | Method and system for facilitating multi-stream sequential read performance improvement with reduced read amplification |
| US11461173B1 (en) | 2021-04-21 | 2022-10-04 | Alibaba Singapore Holding Private Limited | Method and system for facilitating efficient data compression based on error correction code and reorganization of data placement |
| US11476874B1 (en) | 2021-05-14 | 2022-10-18 | Alibaba Singapore Holding Private Limited | Method and system for facilitating a storage server with hybrid memory for journaling and data storage |
| CN114627954B (zh) * | 2022-05-16 | 2022-08-30 | 芯动微电子科技(武汉)有限公司 | Ddr双列直插式存储模块、存储系统及其操作方法 |
| US12026050B2 (en) | 2022-05-16 | 2024-07-02 | Innosilicon Microelectronics (Wuhan) Co., Ltd. | DDR DIMM, memory system and operation method thereof |
| CN118093253B (zh) * | 2024-04-28 | 2024-06-28 | 西北工业大学 | 一种多核锁步处理器多级快速错误恢复系统 |
Family Cites Families (147)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3798606A (en) * | 1971-12-17 | 1974-03-19 | Ibm | Bit partitioned monolithic circuit computer system |
| US3814922A (en) * | 1972-12-01 | 1974-06-04 | Honeywell Inf Systems | Availability and diagnostic apparatus for memory modules |
| US4223382A (en) * | 1978-11-30 | 1980-09-16 | Sperry Corporation | Closed loop error correct |
| US4227244A (en) * | 1978-11-30 | 1980-10-07 | Sperry Corporation | Closed loop address |
| US4245344A (en) * | 1979-04-02 | 1981-01-13 | Rockwell International Corporation | Processing system with dual buses |
| US4438494A (en) * | 1981-08-25 | 1984-03-20 | Intel Corporation | Apparatus of fault-handling in a multiprocessing system |
| US4672609A (en) * | 1982-01-19 | 1987-06-09 | Tandem Computers Incorporated | Memory system with operation error detection |
| US4870704A (en) * | 1984-10-31 | 1989-09-26 | Flexible Computer Corporation | Multicomputer digital processing system |
| US5173905A (en) * | 1990-03-29 | 1992-12-22 | Micron Technology, Inc. | Parity and error correction coding on integrated circuit addresses |
| IL96808A (en) * | 1990-04-18 | 1996-03-31 | Rambus Inc | Introductory / Origin Circuit Agreed Using High-Performance Brokerage |
| US5164944A (en) | 1990-06-08 | 1992-11-17 | Unisys Corporation | Method and apparatus for effecting multiple error correction in a computer memory |
| US5394541A (en) * | 1990-07-17 | 1995-02-28 | Sun Microsystems, Inc. | Programmable memory timing method and apparatus for programmably generating generic and then type specific memory timing signals |
| US5357621A (en) * | 1990-09-04 | 1994-10-18 | Hewlett-Packard Company | Serial architecture for memory module control |
| US5265218A (en) * | 1992-05-19 | 1993-11-23 | Sun Microsystems, Inc. | Bus architecture for integrated data and video memory |
| US5535342A (en) * | 1992-11-05 | 1996-07-09 | Giga Operations Corporation | Pld connector for module having configuration of either first PLD or second PLD and reconfigurable bus for communication of two different bus protocols |
| US5339408A (en) * | 1992-12-30 | 1994-08-16 | Digital Equipment Corporation | Method and apparatus for reducing checking costs in fault tolerant processors |
| US5272664A (en) * | 1993-04-21 | 1993-12-21 | Silicon Graphics, Inc. | High memory capacity DRAM SIMM |
| JP2669303B2 (ja) * | 1993-08-03 | 1997-10-27 | 日本電気株式会社 | ビットエラー訂正機能付き半導体メモリ |
| US6360285B1 (en) * | 1994-06-30 | 2002-03-19 | Compaq Computer Corporation | Apparatus for determining memory bank availability in a computer system |
| ES1029501Y (es) * | 1994-11-08 | 1995-11-01 | Forjas Del Vinalopo Sl | Dispositivo de frenado para cardan de elevacion. |
| US5513135A (en) | 1994-12-02 | 1996-04-30 | International Business Machines Corporation | Synchronous memory packaged in single/dual in-line memory module and method of fabrication |
| US6421754B1 (en) * | 1994-12-22 | 2002-07-16 | Texas Instruments Incorporated | System management mode circuits, systems and methods |
| US5729720A (en) * | 1994-12-22 | 1998-03-17 | Texas Instruments Incorporated | Power management masked clock circuitry, systems and methods |
| IN188196B (zh) | 1995-05-15 | 2002-08-31 | Silicon Graphics Inc | |
| US6711666B1 (en) * | 1995-11-29 | 2004-03-23 | Zf Micro Solutions, Inc. | IBM PC compatible multi-chip module |
| US5768294A (en) * | 1995-12-11 | 1998-06-16 | International Business Machines Corporation | Memory implemented error detection and correction code capable of detecting errors in fetching data from a wrong address |
| US5841795A (en) * | 1996-02-12 | 1998-11-24 | Compaq Computer Corporation | Error correction codes |
| US5661677A (en) * | 1996-05-15 | 1997-08-26 | Micron Electronics, Inc. | Circuit and method for on-board programming of PRD Serial EEPROMS |
| US6392948B1 (en) * | 1996-08-29 | 2002-05-21 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor device with self refresh test mode |
| US6008538A (en) * | 1996-10-08 | 1999-12-28 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus providing redundancy for fabricating highly reliable memory modules |
| JPH10134910A (ja) * | 1996-10-30 | 1998-05-22 | Amp Japan Ltd | メモリカードコネクタ及びそのアダプタ |
| US6115318A (en) * | 1996-12-03 | 2000-09-05 | Micron Technology, Inc. | Clock vernier adjustment |
| US5923682A (en) * | 1997-01-29 | 1999-07-13 | Micron Technology, Inc. | Error correction chip for memory applications |
| US5961660A (en) * | 1997-03-03 | 1999-10-05 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for optimizing ECC memory performance |
| DE69740181D1 (de) * | 1997-05-20 | 2011-06-09 | Bull Sa | Dynamischer Direktzugriffspeicher mit variabler Konfiguration für ein Datenverarbeitungssystem und entsprechender Datenträger für eine verschachtelte Speicherblockkonfiguration |
| US5867448A (en) * | 1997-06-11 | 1999-02-02 | Cypress Semiconductor Corp. | Buffer for memory modules with trace delay compensation |
| US6014759A (en) * | 1997-06-13 | 2000-01-11 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for transferring test data from a memory array |
| TW333741B (en) * | 1997-06-21 | 1998-06-11 | United Microelectronics Corp | The pre-burn in DRAM module and module circuit board |
| US6097883A (en) * | 1997-07-08 | 2000-08-01 | International Business Machines Corporation | Dual state memory card having combined and single circuit operation |
| US6292903B1 (en) * | 1997-07-09 | 2001-09-18 | International Business Machines Corporation | Smart memory interface |
| WO1999005599A1 (en) * | 1997-07-28 | 1999-02-04 | Intergraph Corporation | Apparatus and method for memory error detection and error reporting |
| US6442644B1 (en) * | 1997-08-11 | 2002-08-27 | Advanced Memory International, Inc. | Memory system having synchronous-link DRAM (SLDRAM) devices and controller |
| JP3832947B2 (ja) * | 1997-11-14 | 2006-10-11 | 富士通株式会社 | データ転送メモリ装置 |
| US6266252B1 (en) * | 1997-12-01 | 2001-07-24 | Chris Karabatsos | Apparatus and method for terminating a computer memory bus |
| US6018817A (en) | 1997-12-03 | 2000-01-25 | International Business Machines Corporation | Error correcting code retrofit method and apparatus for multiple memory configurations |
| EP1036362B1 (en) * | 1997-12-05 | 2006-11-15 | Intel Corporation | Memory system including a memory module having a memory module controller |
| JPH11175410A (ja) * | 1997-12-15 | 1999-07-02 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 誤り訂正機能内蔵ｐｒｏｍ及びこれを内蔵したマイクロコンピュータ |
| US6185662B1 (en) * | 1997-12-22 | 2001-02-06 | Nortel Networks Corporation | High availability asynchronous computer system |
| US6298426B1 (en) * | 1997-12-31 | 2001-10-02 | Intel Corporation | Controller configurable for use with multiple memory organizations |
| US6222739B1 (en) * | 1998-01-20 | 2001-04-24 | Viking Components | High-density computer module with stacked parallel-plane packaging |
| US7024518B2 (en) * | 1998-02-13 | 2006-04-04 | Intel Corporation | Dual-port buffer-to-memory interface |
| US6968419B1 (en) * | 1998-02-13 | 2005-11-22 | Intel Corporation | Memory module having a memory module controller controlling memory transactions for a plurality of memory devices |
| US6742098B1 (en) * | 2000-10-03 | 2004-05-25 | Intel Corporation | Dual-port buffer-to-memory interface |
| US6052818A (en) | 1998-02-27 | 2000-04-18 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for ECC bus protection in a computer system with non-parity memory |
| US6351827B1 (en) * | 1998-04-08 | 2002-02-26 | Kingston Technology Co. | Voltage and clock margin testing of memory-modules using an adapter board mounted to a PC motherboard |
| GB9807989D0 (en) | 1998-04-16 | 1998-06-17 | Babin Andre | Extension card insertion and removal system |
| US6209074B1 (en) * | 1998-04-28 | 2001-03-27 | International Business Machines Corporation | Address re-mapping for memory module using presence detect data |
| US6118719A (en) * | 1998-05-20 | 2000-09-12 | International Business Machines Corporation | Self-initiated self-refresh mode for memory modules |
| US6070255A (en) | 1998-05-28 | 2000-05-30 | International Business Machines Corporation | Error protection power-on-self-test for memory cards having ECC on board |
| JPH11353228A (ja) * | 1998-06-10 | 1999-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | メモリモジュールシステム |
| US6260127B1 (en) * | 1998-07-13 | 2001-07-10 | Compaq Computer Corporation | Method and apparatus for supporting heterogeneous memory in computer systems |
| US6272609B1 (en) * | 1998-07-31 | 2001-08-07 | Micron Electronics, Inc. | Pipelined memory controller |
| US6282210B1 (en) | 1998-08-12 | 2001-08-28 | Staktek Group L.P. | Clock driver with instantaneously selectable phase and method for use in data communication systems |
| JP3452493B2 (ja) * | 1998-08-19 | 2003-09-29 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 基板コネクタ・アセンブリおよびコンピュータ・システム |
| US6587912B2 (en) * | 1998-09-30 | 2003-07-01 | Intel Corporation | Method and apparatus for implementing multiple memory buses on a memory module |
| US6378056B2 (en) * | 1998-11-03 | 2002-04-23 | Intel Corporation | Method and apparatus for configuring a memory device and a memory channel using configuration space registers |
| US6347394B1 (en) * | 1998-11-04 | 2002-02-12 | Micron Technology, Inc. | Buffering circuit embedded in an integrated circuit device module used for buffering clocks and other input signals |
| US6335955B1 (en) * | 1998-12-29 | 2002-01-01 | Intel Corporation | Connection, system and method of phase delayed synchronization in high speed digital systems using delay elements |
| US6466184B1 (en) * | 1998-12-29 | 2002-10-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Three dimensional volumetric display |
| US6349390B1 (en) * | 1999-01-04 | 2002-02-19 | International Business Machines Corporation | On-board scrubbing of soft errors memory module |
| US6449679B2 (en) * | 1999-02-26 | 2002-09-10 | Micron Technology, Inc. | RAM controller interface device for RAM compatibility (memory translator hub) |
| KR100301054B1 (ko) * | 1999-04-07 | 2001-10-29 | 윤종용 | 데이터 입출력 버스의 전송 데이터율을 향상시키는 반도체 메모리장치 및 이를 구비하는 메모리 모듈 |
| US6625692B1 (en) * | 1999-04-14 | 2003-09-23 | Micron Technology, Inc. | Integrated semiconductor memory chip with presence detect data capability |
| US6315614B1 (en) | 1999-04-16 | 2001-11-13 | Sun Microsystems, Inc. | Memory module with offset notches for improved insertion and stability and memory module connector |
| US6327664B1 (en) * | 1999-04-30 | 2001-12-04 | International Business Machines Corporation | Power management on a memory card having a signal processing element |
| KR100319887B1 (ko) * | 1999-05-04 | 2002-01-10 | 윤종용 | 프로그래머블 출력핀 지정 수단을 구비하는 반도체 메모리장치 및 이의 테스트 모드시의 독출방법 |
| US6414868B1 (en) * | 1999-06-07 | 2002-07-02 | Sun Microsystems, Inc. | Memory expansion module including multiple memory banks and a bank control circuit |
| US6629855B1 (en) * | 1999-07-01 | 2003-10-07 | Silicon Graphics, Inc. | Memory system including guides that receive memory modules |
| US6370668B1 (en) * | 1999-07-23 | 2002-04-09 | Rambus Inc | High speed memory system capable of selectively operating in non-chip-kill and chip-kill modes |
| US6751698B1 (en) * | 1999-09-29 | 2004-06-15 | Silicon Graphics, Inc. | Multiprocessor node controller circuit and method |
| US6584576B1 (en) * | 1999-11-12 | 2003-06-24 | Kingston Technology Corporation | Memory system using complementary delay elements to reduce rambus module timing skew |
| US6683372B1 (en) * | 1999-11-18 | 2004-01-27 | Sun Microsystems, Inc. | Memory expansion module with stacked memory packages and a serial storage unit |
| US7266634B2 (en) * | 2000-01-05 | 2007-09-04 | Rambus Inc. | Configurable width buffered module having flyby elements |
| US6502161B1 (en) | 2000-01-05 | 2002-12-31 | Rambus Inc. | Memory system including a point-to-point linked memory subsystem |
| US6785835B2 (en) * | 2000-01-25 | 2004-08-31 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Raid memory |
| US6715116B2 (en) * | 2000-01-26 | 2004-03-30 | Hewlett-Packard Company, L.P. | Memory data verify operation |
| JP2001274323A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Hitachi Ltd | 半導体装置とそれを搭載した半導体モジュール、および半導体装置の製造方法 |
| US7269765B1 (en) * | 2000-04-13 | 2007-09-11 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for storing failing part locations in a module |
| US20020006032A1 (en) * | 2000-05-23 | 2002-01-17 | Chris Karabatsos | Low-profile registered DIMM |
| US6256235B1 (en) * | 2000-06-23 | 2001-07-03 | Micron Technology, Inc. | Adjustable driver pre-equalization for memory subsystems |
| US6611905B1 (en) * | 2000-06-29 | 2003-08-26 | International Business Machines Corporation | Memory interface with programable clock to output time based on wide range of receiver loads |
| US6757751B1 (en) * | 2000-08-11 | 2004-06-29 | Harrison Gene | High-speed, multiple-bank, stacked, and PCB-mounted memory module |
| US6711701B1 (en) * | 2000-08-25 | 2004-03-23 | Micron Technology, Inc. | Write and erase protection in a synchronous memory |
| US6785780B1 (en) * | 2000-08-31 | 2004-08-31 | Micron Technology, Inc. | Distributed processor memory module and method |
| US6487102B1 (en) * | 2000-09-18 | 2002-11-26 | Intel Corporation | Memory module having buffer for isolating stacked memory devices |
| US6625685B1 (en) * | 2000-09-20 | 2003-09-23 | Broadcom Corporation | Memory controller with programmable configuration |
| US6697888B1 (en) * | 2000-09-29 | 2004-02-24 | Intel Corporation | Buffering and interleaving data transfer between a chipset and memory modules |
| US6510100B2 (en) * | 2000-12-04 | 2003-01-21 | International Business Machines Corporation | Synchronous memory modules and memory systems with selectable clock termination |
| US6535411B2 (en) * | 2000-12-27 | 2003-03-18 | Intel Corporation | Memory module and computer system comprising a memory module |
| US6493250B2 (en) * | 2000-12-28 | 2002-12-10 | Intel Corporation | Multi-tier point-to-point buffered memory interface |
| KR100355032B1 (ko) | 2001-01-08 | 2002-10-05 | 삼성전자 주식회사 | 고집적 패키지 메모리 장치, 이 장치를 이용한 메모리 모듈, 및 이 모듈의 제어방법 |
| US6553472B2 (en) * | 2001-01-12 | 2003-04-22 | Sun Microsystems, Inc. | Method for programming clock delays, command delays, read command parameter delays, and write command parameter delays of a memory controller in a high performance microprocessor |
| WO2002058069A2 (en) * | 2001-01-17 | 2002-07-25 | Honeywell International Inc. | Enhanced memory module architecture |
| US6711695B1 (en) | 2001-01-26 | 2004-03-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | PECL voltage DIMM with remote multi-module etch skew compensation |
| US7313715B2 (en) * | 2001-02-09 | 2007-12-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory system having stub bus configuration |
| US6754858B2 (en) * | 2001-03-29 | 2004-06-22 | International Business Machines Corporation | SDRAM address error detection method and apparatus |
| US6675272B2 (en) * | 2001-04-24 | 2004-01-06 | Rambus Inc. | Method and apparatus for coordinating memory operations among diversely-located memory components |
| US6721185B2 (en) * | 2001-05-01 | 2004-04-13 | Sun Microsystems, Inc. | Memory module having balanced data I/O contacts pads |
| US6629225B2 (en) * | 2001-05-31 | 2003-09-30 | Intel Corporation | Method and apparatus for control calibration of multiple memory modules within a memory channel |
| US20030090879A1 (en) * | 2001-06-14 | 2003-05-15 | Doblar Drew G. | Dual inline memory module |
| US6714433B2 (en) * | 2001-06-15 | 2004-03-30 | Sun Microsystems, Inc. | Memory module with equal driver loading |
| DE10131388B4 (de) * | 2001-06-28 | 2004-07-08 | Infineon Technologies Ag | Integrierter dynamischer Speicher und Verfahren zum Betrieb desselben |
| US7102958B2 (en) * | 2001-07-20 | 2006-09-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated circuit memory devices that support selective mode register set commands and related memory modules, memory controllers, and methods |
| JP2003045179A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子及びそれを用いた半導体メモリモジュール |
| US6504790B1 (en) * | 2001-08-09 | 2003-01-07 | International Business Machines Corporation | Configurable DDR write-channel phase advance and delay capability |
| US6493285B1 (en) * | 2001-08-09 | 2002-12-10 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for sampling double data rate memory read data |
| JP2003068069A (ja) * | 2001-08-27 | 2003-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
| US7028213B2 (en) * | 2001-09-28 | 2006-04-11 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Error indication in a raid memory system |
| US6889334B1 (en) * | 2001-10-02 | 2005-05-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | Multimode system for calibrating a data strobe delay for a memory read operation |
| US6681301B1 (en) * | 2001-10-02 | 2004-01-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | System for controlling multiple memory types |
| US6976197B2 (en) * | 2001-10-25 | 2005-12-13 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for error logging on a memory module |
| DE10152916B4 (de) * | 2001-10-26 | 2006-11-30 | Infineon Technologies Ag | Informationsenthaltungseinrichtung für Speichermodule und Speicherchips |
| DE10157057B4 (de) * | 2001-11-21 | 2005-11-17 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterspeicherbaustein mit geringem Stromverbrauch |
| DE10159180B4 (de) * | 2001-11-30 | 2011-07-14 | Qimonda AG, 81739 | Speichervorrichtung und Verfahren zum Speichern und zum Auslesen von Datenströmen |
| US6931505B2 (en) * | 2001-12-31 | 2005-08-16 | Intel Corporation | Distributed memory module cache command formatting |
| US6938129B2 (en) * | 2001-12-31 | 2005-08-30 | Intel Corporation | Distributed memory module cache |
| US6925534B2 (en) * | 2001-12-31 | 2005-08-02 | Intel Corporation | Distributed memory module cache prefetch |
| US6754129B2 (en) * | 2002-01-24 | 2004-06-22 | Micron Technology, Inc. | Memory module with integrated bus termination |
| US6771526B2 (en) * | 2002-02-11 | 2004-08-03 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for data transfer |
| US6941493B2 (en) * | 2002-02-27 | 2005-09-06 | Sun Microsystems, Inc. | Memory subsystem including an error detection mechanism for address and control signals |
| US7269709B2 (en) * | 2002-05-15 | 2007-09-11 | Broadcom Corporation | Memory controller configurable to allow bandwidth/latency tradeoff |
| US6807650B2 (en) * | 2002-06-03 | 2004-10-19 | International Business Machines Corporation | DDR-II driver impedance adjustment control algorithm and interface circuits |
| US6731548B2 (en) * | 2002-06-07 | 2004-05-04 | Micron Technology, Inc. | Reduced power registered memory module and method |
| JP2004055009A (ja) * | 2002-07-18 | 2004-02-19 | Renesas Technology Corp | 半導体メモリモジュール |
| DE10233878B4 (de) * | 2002-07-25 | 2011-06-16 | Qimonda Ag | Integrierter synchroner Speicher sowie Speicheranordnung mit einem Speichermodul mit wenigstens einem synchronen Speicher |
| US6831873B1 (en) * | 2002-09-12 | 2004-12-14 | Alcatel | Independent in-line SDRAM control |
| KR100438736B1 (ko) * | 2002-10-04 | 2004-07-05 | 삼성전자주식회사 | 어드레스 라인을 이용해 데이터 쓰기를 수행하는 메모리제어 장치 |
| JP3773195B2 (ja) * | 2002-10-25 | 2006-05-10 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | メモリモジュール、情報処理装置、メモリモジュールに関する初期設定方法、並びにプログラム |
| US7142461B2 (en) * | 2002-11-20 | 2006-11-28 | Micron Technology, Inc. | Active termination control though on module register |
| DE10255872B4 (de) * | 2002-11-29 | 2004-09-30 | Infineon Technologies Ag | Speichermodul und Verfahren zum Betrieb eines Speichermoduls in einem Datenspeichersystem |
| US7093076B2 (en) * | 2002-12-12 | 2006-08-15 | Samsung Electronics, Co., Ltd. | Memory system having two-way ring topology and memory device and memory module for ring-topology memory system |
| DE10260184B4 (de) * | 2002-12-20 | 2005-08-25 | Infineon Technologies Ag | Speichermodul mit einer Testeinrichtung |
| KR100520219B1 (ko) * | 2003-01-03 | 2005-10-11 | 삼성전자주식회사 | 고주파수 동작에 적합한 메모리 모듈장치 |
| US7089412B2 (en) * | 2003-01-17 | 2006-08-08 | Wintec Industries, Inc. | Adaptive memory module |
| DE10306062B3 (de) * | 2003-02-13 | 2004-08-19 | Infineon Technologies Ag | Speichermodul mit einer Mehrzahl von integrierten Speicherbauelementen und einer Refresh-Steuerschaltung |
| US7039822B2 (en) * | 2003-02-27 | 2006-05-02 | Promos Technologies Inc. | Integrated circuit memory architecture with selectively offset data and address delays to minimize skew and provide synchronization of signals at the input/output section |
| US7234099B2 (en) * | 2003-04-14 | 2007-06-19 | International Business Machines Corporation | High reliability memory module with a fault tolerant address and command bus |
-
2003
- 2003-04-14 US US10/413,605 patent/US7234099B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-03-31 TW TW093108943A patent/TWI320853B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-13 KR KR1020077016657A patent/KR100834366B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-04-13 CN CNB2004800084957A patent/CN100392610C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-04-13 WO PCT/GB2004/001593 patent/WO2004090723A2/en active Application Filing
- 2004-04-13 KR KR1020057017213A patent/KR100843871B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-04-20 US US11/406,719 patent/US7366947B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2006-04-20 US US11/406,669 patent/US7380179B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2006-04-20 US US11/406,718 patent/US7761771B2/en active Active
- 2006-04-20 US US11/406,717 patent/US7363533B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-04-27 US US11/741,314 patent/US20070204200A1/en not_active Abandoned
- 2007-04-27 US US11/741,319 patent/US8489936B2/en active Active
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101169962B (zh) * | 2006-10-23 | 2012-10-03 | 国际商业机器公司 | 具有容错地址和命令总线的高密度高可靠性存储器模块 |
| CN101719380B (zh) * | 2008-10-08 | 2012-10-31 | 巴比禄股份有限公司 | 存储模块以及存储用辅助模块 |
| CN103168296A (zh) * | 2010-09-13 | 2013-06-19 | 超威半导体公司 | 带有可配置功率状态的动态ram phy接口 |
| CN103168296B (zh) * | 2010-09-13 | 2016-08-03 | 超威半导体公司 | 带有可配置功率状态的动态ram phy接口 |
| CN107608816A (zh) * | 2012-06-07 | 2018-01-19 | 美光科技公司 | 改善地址总线的完整性 |
| CN104428756A (zh) * | 2012-06-07 | 2015-03-18 | 美光科技公司 | 改善地址总线的完整性 |
| CN104428756B (zh) * | 2012-06-07 | 2017-10-13 | 美光科技公司 | 改善地址总线的完整性 |
| CN110299157A (zh) * | 2013-11-11 | 2019-10-01 | 拉姆伯斯公司 | 使用标准控制器部件的大容量存储系统 |
| CN110299157B (zh) * | 2013-11-11 | 2023-04-28 | 拉姆伯斯公司 | 使用标准控制器部件的大容量存储系统 |
| CN108028733A (zh) * | 2015-09-23 | 2018-05-11 | 高通股份有限公司 | 用于点对点互连以增大测试覆盖的自错误注入技术 |
| CN114443520A (zh) * | 2016-03-05 | 2022-05-06 | 英特尔公司 | 用于在存储器装置镜像命令/地址或解译命令/地址逻辑的技术 |
| CN109074851B (zh) * | 2016-05-02 | 2023-09-22 | 英特尔公司 | 利用额外系统位的内部错误校验和校正（ecc） |
| CN109074851A (zh) * | 2016-05-02 | 2018-12-21 | 英特尔公司 | 利用额外系统位的内部错误校验和校正（ecc） |
| CN107844439B (zh) * | 2016-09-20 | 2020-09-08 | 三星电子株式会社 | 支持命令总线训练的存储设备和系统及其操作方法 |
| CN107844439A (zh) * | 2016-09-20 | 2018-03-27 | 三星电子株式会社 | 支持命令总线训练的存储设备和系统及其操作方法 |
| CN107943609A (zh) * | 2016-10-12 | 2018-04-20 | 三星电子株式会社 | 存储器模块、存储器控制器和系统及其相应操作方法 |
| CN108874571B (zh) * | 2017-05-15 | 2023-03-24 | 波音公司 | 高数据完整性处理系统、方法和交通工具 |
| CN108874571A (zh) * | 2017-05-15 | 2018-11-23 | 波音公司 | 高数据完整性处理系统 |
| CN107507637A (zh) * | 2017-09-18 | 2017-12-22 | 深圳市江波龙电子有限公司 | 一种低功耗双列直插式存储器及其增强驱动方法 |
| CN107507637B (zh) * | 2017-09-18 | 2024-02-27 | 深圳市江波龙电子股份有限公司 | 一种低功耗双列直插式存储器及其增强驱动方法 |
| CN110362420A (zh) * | 2018-04-09 | 2019-10-22 | 爱思开海力士有限公司 | 存储系统和存储系统的操作方法 |
| CN110362420B (zh) * | 2018-04-09 | 2023-06-16 | 爱思开海力士有限公司 | 存储系统和存储系统的操作方法 |
| CN108288489A (zh) * | 2018-04-24 | 2018-07-17 | 睿力集成电路有限公司 | 半导体存储器循环冗余校验装置及半导体存储器 |
| CN112543909A (zh) * | 2018-08-08 | 2021-03-23 | 美光科技公司 | 用于媒体持久和诊断的增强码字 |
| CN112543909B (zh) * | 2018-08-08 | 2022-09-13 | 美光科技公司 | 用于媒体持久和诊断的增强码字 |
| CN112349343A (zh) * | 2020-11-06 | 2021-02-09 | 海光信息技术股份有限公司 | 电路结构、芯片以及电子设备 |
| CN112466386A (zh) * | 2020-12-07 | 2021-03-09 | 电子科技大学 | 一种面向故障分类的存储器测试系统及方法 |
| CN112466386B (zh) * | 2020-12-07 | 2022-06-21 | 电子科技大学 | 一种面向故障分类的存储器测试系统及方法 |
| CN116050344A (zh) * | 2023-03-07 | 2023-05-02 | 芯能量集成电路(上海)有限公司 | 一种车规芯片 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2004090723A3 (en) | 2005-05-12 |
| TWI320853B (en) | 2010-02-21 |
| US20060190780A1 (en) | 2006-08-24 |
| WO2004090723A2 (en) | 2004-10-21 |
| TW200506398A (en) | 2005-02-16 |
| US20060242541A1 (en) | 2006-10-26 |
| US8489936B2 (en) | 2013-07-16 |
| US7363533B2 (en) | 2008-04-22 |
| KR100843871B1 (ko) | 2008-07-03 |
| US7234099B2 (en) | 2007-06-19 |
| KR100834366B1 (ko) | 2008-06-02 |
| US7380179B2 (en) | 2008-05-27 |
| CN100392610C (zh) | 2008-06-04 |
| US20070250756A1 (en) | 2007-10-25 |
| US7761771B2 (en) | 2010-07-20 |
| US20070204201A1 (en) | 2007-08-30 |
| US7366947B2 (en) | 2008-04-29 |
| US20070204200A1 (en) | 2007-08-30 |
| US20060236201A1 (en) | 2006-10-19 |
| KR20070087176A (ko) | 2007-08-27 |
| US20040205433A1 (en) | 2004-10-14 |
| KR20060004917A (ko) | 2006-01-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1768330A (zh) | 具有容错地址和命令总线的高可靠性存储器模块 | |
| US7870459B2 (en) | High density high reliability memory module with power gating and a fault tolerant address and command bus | |
| US7477522B2 (en) | High density high reliability memory module with a fault tolerant address and command bus | |
| US8327105B2 (en) | Providing frame start indication in a memory system having indeterminate read data latency | |
| US7644216B2 (en) | System and method for providing an adapter for re-use of legacy DIMMS in a fully buffered memory environment | |
| CN101217060B (zh) | 用于识别故障存储器元件的系统和方法 | |
| US7484161B2 (en) | System, method and storage medium for providing fault detection and correction in a memory subsystem | |
| US8359521B2 (en) | Providing a memory device having a shared error feedback pin | |
| EP2359372B1 (en) | Error detection method and a system including one or more memory devices | |
| US20100218072A1 (en) | Memory device | |
| US20060095826A1 (en) | Semiconductor memory chip, semiconductor memory module and method for transmitting write data to semiconductor memory chips |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20080604 |