CN1284037C - 液晶显示装置的阵列面板及其制造方法 - Google Patents

液晶显示装置的阵列面板及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1284037C
CN1284037C CNB021209731A CN02120973A CN1284037C CN 1284037 C CN1284037 C CN 1284037C CN B021209731 A CNB021209731 A CN B021209731A CN 02120973 A CN02120973 A CN 02120973A CN 1284037 C CN1284037 C CN 1284037C
Authority
CN
China
Prior art keywords
shielding pattern
electrode
data line
drain electrode
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CNB021209731A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1414422A (zh
Inventor
金容完
朴东振
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Philips LCD Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Philips LCD Co Ltd filed Critical LG Philips LCD Co Ltd
Publication of CN1414422A publication Critical patent/CN1414422A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1284037C publication Critical patent/CN1284037C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136218—Shield electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136231—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps
    • G02F1/136236—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps using a grey or half tone lithographic process
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G02F1/136263—Line defects

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

一种液晶显示装置的阵列面板，包括：基板；位于基板上的栅极线和栅极，其中栅极线与栅极连接；位于栅极线和栅极上的栅绝缘层；位于栅绝缘层上的有源层；位于有源层上的欧姆接触层；位于欧姆接触层上的数据线、源极和漏极，其中数据线、源极和漏极由钼形成；与栅极线在同一层上形成的第一屏蔽图案，其中，第一屏蔽图案的一部分和数据线的一部分彼此重叠；位于数据线、源极和漏极上的钝化层；和位于钝化层上的像素电极，其中欧姆接触层具有与数据线、源极和漏极相同的形状，而除了位于源极与漏极之间的沟道区域以外，有源层具有与数据线、源极、漏极相同的形状，该沟道区域具有“U”形。

Description

液晶显示装置的阵列面板及其制造方法
本申请请求保护2001年10月25日递交的韩国专利申请No.P2001-65911的利益，在这里通过引用将其合并进来。
技术领域
本发明涉及液晶显示(LCD)装置，并且更具体地涉及液晶显示装置的阵列面板及其制造方法。
背景技术
平板显示装置因其重量薄而轻并且需要较低的功率消耗，而已被广泛地使用。可以根据光发射划分为两种类型。一类是光发射显示装置，通过发射光来显示图像；而另一类是光接收显示装置，利用外部光源来显示图像。等离子体显示板(PDPs)、场致发射显示(FED)装置和电致发光(EL)显示装置是光发射显示装置的例子，而液晶显示(LCD)装置是光接收显示装置的例子。由于所显示的图像具有超高清晰度、彩色图像显示和优良品质，液晶显示装置已经广泛地应用在笔记本电脑和台式监视器中。
通常，液晶显示(LCD)装置具有上基板和下基板，彼此有一定间隔和互相正对。形成在两个基板上的多个电极相互正对。液晶夹在上基板和下基板之间。电压通过每个基板上的电极作用到液晶上，然后根据所作用的电压改变液晶分子的排列从而显示图像。因为如上所述液晶显示装置不发射光，它需要光源来显示图像。因此，液晶显示装置具有位于液晶面板后面作为光源的背光源。根据液晶分子的排列控制从背光源入射的光量从而显示图像。
由于高清晰度和快速移动的图像，具有矩阵类型的像素的有源矩阵LCD装置已经广泛地使用。有源矩阵LCD装置的阵列面板包括多个薄膜晶体管(TFTs)和多个像素电极，每个像素电极都与一个TFT连接。
在下文中，将参照图1和图2详细描述传统有源矩阵液晶显示装置的阵列面板。
图1是传统LCD装置的阵列面板的平面图，而图2是沿着图1中II-II线的剖面图。在图1和图2中，阵列面板包括透明基板10，和形成在基板10上的栅极线21和栅极22。栅极线21水平地延伸并且栅极22与栅极线21连接。栅绝缘层30覆盖栅极线21和栅极22。在栅绝缘层30上顺序形成有源层41和欧姆接触层51和52。数据线61、源极62和漏极63形成在欧姆接触层51和52上。同样地，由与数据线61相同的材料制成的电容电极65形成在栅绝缘器30上。数据线61与栅极线21垂直，源极62与数据线61连接。源极62和漏极63在栅极22上彼此相隔一段间距。电容电极65与部分栅极线21重叠，然后通过形成电容电极65和重叠的栅极线21得到储能电容器。
钝化层70覆盖数据线61、源极62、漏极63和电容电极65。钝化层70具有分别使得漏极63和电容电极65暴露的第一接触孔71和第二接触孔72。
像素电极81形成在钝化层70上。像素电极81布置在栅极线21与数据线61相互交叉的像素区域中。同样地，像素电极81通过第一和第二接触孔71、72分别与漏极62和电容电极65连接。
图3A至3E表示制造传统的LCD装置的阵列面板的制造步骤，并且是对应于图1中II-II线的剖面图。
图3A表示制造传统的LCD装置的阵列面板的第一个步骤。在图3A中，通过将金属材料铺设在基板10上和通过第一掩模使得金属材料形成图形，在基板10上形成栅极线21和栅极22。
图3B表示制造传统的LCD装置的阵列面板的下一个步骤。在图3B中，栅绝缘层30、非晶硅层和掺杂质的非晶硅层铺设在包括栅极线21的基板10上。利用第二掩模在光刻处理过程中蚀刻非晶硅层和掺杂质的非晶硅层。然后，有源层41和掺杂质的半导体层53形成在上面。
图3C表示形成传统的LCD装置的阵列面板的数据线的步骤。在图3C中，金属层铺设在包括有源层41和掺杂质的半导体层53的基板10上，并且通过第三掩模形成图案。因此，数据线61(图1中所示)、源极62、漏极63和电容电极65形成在上面。接下来，蚀刻在源极62与漏极63之间暴露的掺杂质的半导体层53。然后在该步骤中完成欧姆接触层51和52。
图3D表示形成传统的LCD装置的阵列面板的钝化层的步骤。在图3D中，形成钝化层70来覆盖数据线61、源极62、漏极63和电容电极65。并且，利用第四掩模蚀刻钝化层70。因此，钝化层70具有第一接触孔71和第二接触孔72。第一接触孔71和第二接触孔72分别暴露漏极63和电容电极65。
图3E表示形成传统的LCD装置的阵列面板的像素电极的步骤。在图3E中，透明导电材料铺设在钝化层70上并且利用第五掩模进行蚀刻，然后形成像素电极81。像素电极81通过第一和第二接触孔71、72分别与漏极63和电容电极65接触。
如上所述，利用五个掩模通过光刻法处理制造传统的LCD装置的阵列面板。光刻法处理包括清洗、涂敷光敏抗蚀剂层、通过掩模暴露、使得光敏抗蚀剂层显影和蚀刻几个步骤。因此，通过减少光刻法步骤的数量可以降低制造时间、成本和故障。
发明内容
因此，本发明的目的在于一种液晶显示装置的阵列面板及其制造方法，基本上解决了由于相关技术中的限制和缺点而造成的一个或多个问题。
本发明的另一个目的在于，提供一种低成本短时间内制造的液晶显示装置的阵列面板。
本发明的另一个目的在于提供一种面板阵列的制造方法，由于较短的处理时间和较低的成本而提高生产率。
将在下面的说明中给出本发明的其他特征和优点，将从下面的说明中更清楚，或者可以从本发明的实践中了解到。通过具体在书面的说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构实现和达到本发明的目的和其他优点。
为了实现这些和其他优点并且与本发明的目的一致，如在这里具体化和广泛描述的，一种液晶显示装置的阵列面板包括基板、位于基板上的栅极线和栅极，其中栅极线与栅极连接；位于栅极线和栅极上的栅绝缘层、位于栅绝缘层上的有源层、位于有源层上的欧姆接触层、位于欧姆接触层上的数据线、源极和漏极，其中数据线、源极和漏极由钼形成；与栅极线在同一层上形成的第一屏蔽图案，其中，第一屏蔽图案的一部分和数据线的一部分彼此重叠；位于数据线、源极和漏极上的钝化层，和位于钝化层上的像素电极，其中欧姆接触层具有与数据线、源极和漏极相同的形状，而除了位于源极与漏极之间的沟道区域以外，有源层具有与数据线、源极、漏极相同的形状，该沟道区域具有“U”形。
在本发明的另一部分中，制造液晶显示装置的阵列面板的方法包括在基板上形成栅极线、栅极和第一屏蔽图案，在栅极线和栅极上形成栅绝缘层，在栅绝缘层上形成有源层，在有源层上形成欧姆接触层，在欧姆接触层上形成数据线、源极和漏极，其中数据线、源极和漏极由钼形成，并且数据线的一部分与第一屏蔽图案的一部分重叠，在数据线、源极和漏极上形成钝化层，和在钝化层上形成像素电极，其中欧姆接触层具有与数据线、源极和漏极相同的形状，除了位于源极与漏极之间的沟道区域以外，有源层具有与数据线、源极和漏极相同的形状，该沟道区域具有“U”形。
将会理解前面给出的概述性的描述和下面示范性地和说明性地给出的详细描述，并且准备给出如权利要求所限定的本发明的更详细的解释。
附图的简要说明
下面的附图用来给出对本发明的进一步理解并且包含在和构成本说明书的一部分，图解式地说明本发明的实施例并且与说明书一起用来解释本发明的原理。
在附图中：
图1是表示传统液晶显示装置的阵列面板的平面图；
图2是沿图1中II-II线的剖面图；
图3A-3E是表示传统的液晶显示装置的阵列面板的制造步骤的剖面图；
图4是表示根据本发明的液晶显示装置的阵列面板的平面图；
图5是沿图4中V-V线的剖面图；
图6A和6B，图7A至7E，和图8A和8B表示根据本发明的液晶显示装置的阵列面板的制造步骤；和
图9表示根据本发明的掩模的形状。
具体实施例
现在将详细说明本发明的优选实施例，在所附附图中给出了它们的例子。在尽可能的情况下，在所有的附图中采用同样的附图标记指代相同或相似的部分。
图4是根据本发明的液晶显示装置的阵列面板的平面图，而图5是沿着图4中V-V线的剖面图。
如图4和5中所示，栅极线121、栅极122、第一屏蔽图案124和第二屏蔽图案125形成在基板110上。栅极线121水平地延伸，并且栅极122与栅极线121连接。第一和第二屏蔽图案124、125在栅极线121之间垂直延伸。第一屏蔽图案124与其他部分隔离而第二屏蔽图案125与栅极线121连接。第一屏蔽图案124在其两端具有朝向第二屏蔽图案125的两个突出部分。栅极线121还在对应于栅极122的区域中具有凹入部分。
形成栅绝缘层130来覆盖栅极线121、栅极122、第一屏蔽图案124和第二屏蔽图案125。
在栅绝缘层130上形成有源层141和在栅极122上铺设有源层141。接下来，在有源层141上形成欧姆接触层151和152。
通过铺设和刻划例如钼层(Mo)，在欧姆接触层151、152上形成数据线161、源极162和漏极163。数据线161垂直地延伸并且通过横断栅极线122限定像素区域“P”。源极162与数据线161连接并且是“U”形的。“U”形基本上是完全对称的。漏极163与源极162分离并且具有第一和第二部分。第一部分水平地延伸，与此同时第二部分从第一部分伸出，并且面向像素区域“P”。第一部分的一端受到源极162的包围，并且因此薄膜晶体管的沟道具有“U”形，作为设置在源极162与漏极163之间的有源层141。
同时，漏极162的第二部分具有伸出部分，从而将接触的面积延伸到后面形成的像素电极处。同样地，数据线161重叠在第一屏蔽图案124的突出部分上。当数据线161断开时，通过激光束将数据线161与第一屏蔽图案124的突出部分短路。因此，即使数据线161断开，通过第一屏蔽图案124可以发射信号。
这里，欧姆接触层151、152与数据线161、源极162和漏极163具有相同的形状；而除了沟道区域以外，有源层141与数据线161、源极162和漏极163具有同样的形状。
接下来，形成钝化层170来覆盖数据线161、源极162和漏极163。钝化层170具有暴露栅绝缘层130中的漏极163的接触孔171。接触孔171还暴露漏极163的一个侧壁。
像素电极181形成在钝化层170上。像素电极181铺设在像素区域“P”中并且由透明导电材料制成。像素电极181通过接触孔171与漏极163连接，并且重叠在前面的栅极线121上来形成储能电容器。同样地，像素电极181重叠在第一屏蔽图案124、第二屏蔽图案125和漏极163的第一部分上。由于该结构，放大了对齐的边缘，并且因此有效地阻碍光泄漏。
利用四个掩模制造根据本发明的液晶显示装置的阵列面板。至此以下，将参照图6A和6B、图7A至7E、图8A和8B以及图4和5详细说明阵列面板的制造步骤。
图6A和6B表示根据本发明的阵列面板的制造方法。图6A是表示阵列面板的制造步骤的平面图，而图6B是沿着图6A中VIB-VIB线的剖面图。
在图6A和6B中，通过铺设金属材料和利用第一掩模在金属材料上形成图案，在基板110上形成栅极线121、栅极122、第一屏蔽图案124和第二屏蔽图案125。基板110由例如玻璃基板等透明基板制成和金属材料由低阻抗的材料制成。例如，金属材料包括铬(Cr)或铝(Al)，并且因此栅极线121可以由铬、铝或铬和铝的合金制成。
这里，栅极线121水平延伸和栅极122从栅极线121申出。第一和第二屏蔽图案124、125形成在垂直方向中，第二屏蔽图案125与栅极线121连接。第一屏蔽图案124在两端具有朝向第二屏蔽图案125的两个突出部分。栅极线121在与栅极122对应的区域中具有凹入部分。
图7A至7E表示制造根据本发明的阵列面板的其他步骤。图7A是制造根据本发明的阵列面板的步骤的平面图，而图7B至7E是沿着图7A中VIIE-VIIE线的剖面图。
在图7B中，栅绝缘层130、非晶硅层140和掺杂质的非晶硅层顺序铺设在包括栅极122和第一屏蔽图案124的基板110上。通过真空喷镀法在掺杂质的非晶硅层150上形成金属层160。然后通过涂敷光敏抗蚀剂层和使得光敏抗蚀剂层暴露和显影，在金属层160上形成光敏抗蚀剂图案191和192。第一光敏抗蚀剂图案191铺设在稍后将形成源极和漏极的第一区域上。第二光敏抗蚀剂图案192铺设在第二区域上，在此准备形成位于源极和漏极之间的沟道。第一光敏抗蚀剂图案191具有大于第二光敏抗蚀剂图案192的厚度。除了第一和第二区域以外没有形成光敏抗蚀剂图案。
如图7B中所示，为了一次形成具有不同厚度的光敏抗蚀剂图案，需要具有精确图案的掩模。图9表示根据本发明的第二掩模的一部分。
在图9中，第二掩模200包括阻塞图案261、262和263和精确图案264。阻塞图案261、262和263对应于后面形成的数据线、源极和漏极。精确图案264对应于后面形成的沟道。精确图案264和阻塞图案形成为在沟道区域上具有内缝和外缝265a和265b。精确图案264和狭缝265a、265b具有比暴露剂的分辨率更窄的宽度。
因此，在图7B中的对应于狭缝265a和265b的第二区域中和图9中的掩模200的精确图案264中，因为暴露的光由于衍射而具有较低的能量密度，第二光敏抗蚀剂图案192的厚度变成比第一光敏抗蚀剂图案191的小。通过狭缝265a、265b发射的光具有球面波的形状。因此，为了图案的再现性，精确图案264和狭缝265a、265b基本上以“U”型形状。图案的“U”型基本上是完全对称的。
在图9中，精确图案264的宽度“b”和“e”是1.5μm，而狭缝265a、265b的宽度“a”、“c”和“d”是1.3μm。在此时，与漏极相邻的狭缝265b的拐角宽度“f”是1.1μm，比位于“a”、“c”和“d”处的狭缝窄，使得沟道的宽度变成恒定的。
如图7C中所示，通过蚀刻图7B中的金属层160、掺杂质的非晶硅层150和没有受到光敏抗蚀剂图案191和192覆盖的非晶硅层140，形成导电层165、掺杂质的半导体层155和半导体层141。这里，半导体层141变成有源层。
在图7D中，通过利用氧气(O2)的灰化法除去图7C中的第二光敏抗蚀剂图案192。在该步骤中，还除去第一光敏抗蚀剂图案191。因此，可以减小光敏抗蚀剂图案191的厚度。
在图7E中，通过蚀刻图7D中的暴露后的导电层165和位于暴露后的导电层165下面的掺杂质的半导体层155，形成数据线161、源极162、漏极163和欧姆接触层151、152。除去图7D中的剩余的第一光敏抗蚀剂图案191。例如，数据线161、源极162和漏极163可以由钼(Mo)形成。
图8A和8B表示形成根据本发明的阵列面板的钝化层的其他步骤。图8A是表示形成根据本发明的阵列面板的钝化层的步骤的平面图，而图8B是沿着图gA中VIIIB-VIIIB线的剖面图。
如图8A和8B中所示，利用第三掩模铺设和刻划绝缘层，使得形成具有接触孔171的钝化层170。钝化层170覆盖数据线161、源极162和漏极163。并且接触孔171使得漏极163的第二部分的一部分暴露。钝化层170可以由无机材料例如氧化硅和氮化硅制成，或者有机材料例如环丁烯苯(BCB)制成。
接下来，如图4和5中所示，通过利用第四掩模的光刻法铺设和刻划透明导电材料。然后在钝化层170上形成像素电极181。像素电极181可以由例如氧化铟锡(ITO)等透明导电材料制成。像素电极181通过接触孔171与漏极163连接。像素电极181重叠在栅极线121上。因此，像素电极181与栅极线121形成储能电容器。同样地，像素电极181重叠在第一屏蔽图案124、第二屏蔽图案125和漏极163的第一部分上。
本领域普通技术人员应当清楚，在没有脱离本发明的精神或范围的情况下，能够对本发明的液晶显示装置的阵列面板及其制造方法作出多种改进和变化。因此，准备使得本发明覆盖通过所附权利要求和它们的相等物的范围提供的本发明的改进和变形。

Claims (24)

1.一种液晶显示装置的阵列面板，包括：
基板；
位于基板上的栅极线和栅极，其中栅极线与栅极连接；
位于栅极线和栅极上的栅绝缘层；
位于栅绝缘层上的有源层；
位于有源层上的欧姆接触层；
位于欧姆接触层上的数据线、源极和漏极，其中数据线、源极和漏极由钼形成；
与栅极线在同一层上形成的第一屏蔽图案，其中，第一屏蔽图案的一部分和数据线的一部分彼此重叠；
位于数据线、源极和漏极上的钝化层；和
位于钝化层上的像素电极，其中欧姆接触层具有与数据线、源极和漏极相同的形状，而除了位于源极与漏极之间的沟道区域以外，有源层具有与数据线、源极、漏极相同的形状，该沟道区域具有“U”形。
2.根据权利要求1的面板，其中，第一屏蔽图案由与栅极线相同的材料制成并且与数据线平行。
3.根据权利要求2的面板，其中第一屏蔽图案覆盖至少一部分像素电极。
4.根据权利要求2的面板，其中第一屏蔽图案在两端具有多个覆盖数据线的突出部分。
5.根据权利要求2的面板，还包括与第一屏蔽图案平行的第二屏蔽图案。
6.根据权利要求5的面板，其中第二屏蔽图案覆盖至少一部分像素电极。
7.根据权利要求5的面板，其中第二屏蔽图案与栅极线连接。
8.根据权利要求1的面板，其中漏极包括与栅极线平行的第一部分和从第一部分伸出的第二部分。
9.根据权利要求8的面板，其中漏极的第一部分与至少一部分像素电极重叠。
10.根据权利要求8的面板，其中漏极的第二部分具有多个伸出部分并且第二部分的一部分通过接触孔暴露。
11.根据权利要求1的面板，其中像素电极覆盖至少一部分栅极。
12.根据权利要求1的面板，其中“U”形是基本上完全对称的。
13.一种液晶显示装置的阵列面板的制造方法，包括
在基板上形成栅极线、栅极和第一屏蔽图案；
在栅极线和栅极上形成栅绝缘层；
在栅绝缘层上形成有源层；
在有源层上形成欧姆接触层；
在欧姆接触层上形成数据线、源极和漏极，其中数据线、源极和漏极由钼形成，数据线的一部分与第一屏蔽图案的一部分重叠；
在数据线、源极和漏极上形成钝化层；和
在钝化层上形成像素电极，
其中欧姆接触层具有与数据线、源极和漏极相同的形状，除了位于源极与漏极之间的沟道区域以外，有源层具有与数据线、源极和漏极相同的形状，该沟道区域具有“U”形。
14.根据权利要求13的方法，其中形成栅极线包括形成第一屏蔽图案，由与栅极线相同的材料制成并且与数据线平行。
15.根据权利要求13的方法，其中第一屏蔽图案覆盖至少一部分像素电极。
16.根据权利要求15的方法，其中第一屏蔽图案在两端具有多个覆盖数据线的突出部分。
17.根据权利要求15的方法，其中形成栅极线包括形成与第一屏蔽图案平行的第二屏蔽图案。
18.根据权利要求17的方法，其中第二屏蔽图案覆盖至少一部分像素电极。
19.根据权利要求18的方法，其中第二屏蔽图案与栅极线连接。
20.根据权利要求13的方法，其中漏极包括与栅极线平行的第一部分和从第一部分伸出的第二部分。
21.根据权利要求20的方法，其中漏极的第一部分与至少一部分像素电极重叠。
22.根据权利要求20的方法，其中漏极的第二部分具有多个伸出部分并且第二部分的一部分通过接触孔暴露。
23.根据权利要求13的方法，其中像素电极覆盖至少一部分栅极。
24.根据权利要求13的方法，其中“U”形是基本上完全对称的。
CNB021209731A 2001-10-25 2002-06-06 液晶显示装置的阵列面板及其制造方法 Expired - Lifetime CN1284037C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0065911A KR100391157B1 (ko) 2001-10-25 2001-10-25 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법
KR2001-65911 2001-10-25
KRP200165911 2001-10-25

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB200610078295XA Division CN100395604C (zh) 2001-10-25 2002-06-06 液晶显示装置的阵列面板及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1414422A CN1414422A (zh) 2003-04-30
CN1284037C true CN1284037C (zh) 2006-11-08

Family

ID=19715375

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB200610078295XA Expired - Lifetime CN100395604C (zh) 2001-10-25 2002-06-06 液晶显示装置的阵列面板及其制造方法
CNB021209731A Expired - Lifetime CN1284037C (zh) 2001-10-25 2002-06-06 液晶显示装置的阵列面板及其制造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB200610078295XA Expired - Lifetime CN100395604C (zh) 2001-10-25 2002-06-06 液晶显示装置的阵列面板及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (3) US6882376B2 (zh)
JP (2) JP4607418B2 (zh)
KR (1) KR100391157B1 (zh)
CN (2) CN100395604C (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101387825B (zh) * 2007-09-10 2011-04-06 北京京东方光电科技有限公司 补偿型灰阶掩膜版结构

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100464208B1 (ko) * 2001-12-20 2005-01-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시장치 및 그 구동방법
KR100776503B1 (ko) * 2002-12-02 2007-11-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 화소구조
KR100640210B1 (ko) * 2002-12-31 2006-10-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100519372B1 (ko) * 2002-12-31 2005-10-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100925458B1 (ko) * 2003-01-17 2009-11-06 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR100928491B1 (ko) * 2003-06-28 2009-11-26 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100499376B1 (ko) * 2003-10-10 2005-07-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR100997968B1 (ko) 2003-10-13 2010-12-02 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
KR20050060963A (ko) * 2003-12-17 2005-06-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법
US7098091B2 (en) * 2004-02-20 2006-08-29 Au Optronics Corporation Method for fabricating thin film transistors
CN1296762C (zh) * 2004-07-22 2007-01-24 友达光电股份有限公司 显示面板及其制造方法
KR100603706B1 (ko) * 2004-10-27 2006-07-20 주식회사 팬택앤큐리텔 측면 조작방식의 록킹 기능을 가진 이동통신단말기
KR101061856B1 (ko) * 2004-11-03 2011-09-02 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
KR100752368B1 (ko) 2004-11-15 2007-08-27 삼성에스디아이 주식회사 평판표시소자 및 그 제조방법
JP4622532B2 (ja) * 2005-01-18 2011-02-02 三菱電機株式会社 表示装置および表示装置の欠陥修復方法
US7796223B2 (en) * 2005-03-09 2010-09-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display apparatus having data lines with curved portions and method
KR101315381B1 (ko) 2005-03-09 2013-10-07 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR101127218B1 (ko) * 2005-05-19 2012-03-30 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법
KR101134932B1 (ko) * 2005-06-14 2012-04-17 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
JP4543013B2 (ja) 2005-06-29 2010-09-15 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 液晶表示装置及びその製造方法
KR101182521B1 (ko) 2005-10-28 2012-10-02 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI294177B (en) 2005-12-30 2008-03-01 Au Optronics Corp Method for manufacturing pixel structure
KR101211086B1 (ko) * 2006-02-03 2012-12-12 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판과 이의 제조 방법 및 박막트랜지스터 기판 제조용 마스크
US7719008B2 (en) * 2006-02-03 2010-05-18 Samsung Electronics Co., Thin film transistor substrate and method of manufacturing the same and mask for manufacturing thin film transistor substrate
KR101263193B1 (ko) 2006-05-02 2013-05-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판의 제조 방법 및 표시 기판
KR20080028640A (ko) * 2006-09-27 2008-04-01 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 제조용 마스크, 이에 의해 제조된 박막트랜지스터 기판 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판의제조방법
CN101382728B (zh) * 2007-09-07 2010-07-28 北京京东方光电科技有限公司 灰阶掩膜版结构
US8133773B2 (en) 2007-10-17 2012-03-13 Au Optronics Corporation Apparatus and method for reducing photo leakage current for TFT LCD
CN102365668A (zh) * 2009-04-10 2012-02-29 夏普株式会社 有源矩阵基板、显示面板、显示装置和激光照射方法
KR102416978B1 (ko) 2009-07-10 2022-07-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR101717933B1 (ko) * 2010-04-14 2017-03-21 삼성디스플레이 주식회사 표시기판 및 그 제조방법
CN103261959B (zh) 2010-12-10 2015-11-25 夏普株式会社 半导体装置和半导体装置的制造方法以及液晶显示装置
CN102385206B (zh) * 2011-11-01 2014-05-21 深圳市华星光电技术有限公司 像素结构以及相应的液晶显示器
KR102040084B1 (ko) * 2013-03-25 2019-11-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI567998B (zh) * 2014-03-21 2017-01-21 友達光電股份有限公司 灰階式光罩、薄膜電晶體及主動元件陣列基板
KR102341644B1 (ko) 2015-08-04 2021-12-21 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조방법
KR102468858B1 (ko) * 2015-12-28 2022-11-18 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치용 기판과 그를 포함하는 표시 장치
CN108717246B (zh) * 2018-05-16 2020-09-01 深圳市华星光电技术有限公司 Coa型阵列基板及量测色阻层上过孔尺寸的方法
WO2022047793A1 (zh) * 2020-09-07 2022-03-10 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示面板
KR102668594B1 (ko) 2021-12-09 2024-05-22 이경임 자동 식품 살균장치

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60189969A (ja) 1984-03-12 1985-09-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタ
JPS60192369A (ja) 1984-03-13 1985-09-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP2714993B2 (ja) 1989-12-15 1998-02-16 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置
JP2869238B2 (ja) 1992-02-07 1999-03-10 シャープ株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP3507117B2 (ja) * 1993-02-26 2004-03-15 キヤノン株式会社 Ｔｆｔ基板及び該基板を有する液晶表示装置
JPH06258668A (ja) * 1993-03-05 1994-09-16 Toshiba Corp マトリクスアレイ基板とその製造方法およびそれを用いた液晶表示装置
JPH06258667A (ja) * 1993-03-05 1994-09-16 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JPH06289423A (ja) * 1993-03-31 1994-10-18 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
US5414283A (en) * 1993-11-19 1995-05-09 Ois Optical Imaging Systems, Inc. TFT with reduced parasitic capacitance
JPH07199221A (ja) 1993-12-28 1995-08-04 Toshiba Corp 液晶表示装置
TW321731B (zh) * 1994-07-27 1997-12-01 Hitachi Ltd
JPH08179355A (ja) * 1994-12-27 1996-07-12 Sharp Corp アクティブマトリクス基板
US5532180A (en) * 1995-06-02 1996-07-02 Ois Optical Imaging Systems, Inc. Method of fabricating a TFT with reduced channel length
JPH0915629A (ja) 1995-07-03 1997-01-17 Fujitsu Ltd 液晶表示パネル
US5737041A (en) 1995-07-31 1998-04-07 Image Quest Technologies, Inc. TFT, method of making and matrix displays incorporating the TFT
KR100193653B1 (ko) * 1995-11-20 1999-06-15 김영환 축적 캐패시터를 구비한 스태거 tft-lcd 및 그의 제조방법
KR0158260B1 (ko) * 1995-11-25 1998-12-15 구자홍 엑티브 매트릭스 액정표시장치의 매트릭스 어레이 및 제조방법
JPH09298305A (ja) 1996-05-08 1997-11-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜トランジスタおよびかかる薄膜トランジスタを有する液晶表示装置
JP3685869B2 (ja) 1996-05-08 2005-08-24 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JPH10228031A (ja) 1997-02-14 1998-08-25 Advanced Display:Kk 薄膜トランジスタアレイ基板
JPH10260430A (ja) 1997-03-19 1998-09-29 Advanced Display:Kk Ｔｆｔ液晶表示装置
US6133977A (en) * 1997-10-21 2000-10-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal displays having common electrode overlap with one or more data lines
US6215541B1 (en) * 1997-11-20 2001-04-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal displays and manufacturing methods thereof
JP3036513B2 (ja) * 1998-06-10 2000-04-24 日本電気株式会社 液晶表示装置
CN1139837C (zh) 1998-10-01 2004-02-25 三星电子株式会社 液晶显示器用薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
JP3463006B2 (ja) 1998-10-26 2003-11-05 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置
US6255130B1 (en) * 1998-11-19 2001-07-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel and a method for manufacturing the same
JP4100646B2 (ja) 1998-12-28 2008-06-11 エルジー．フィリップス エルシーデー カンパニー，リミテッド 薄膜トランジスタおよびそれを備えた液晶表示装置
JP2000250436A (ja) 1999-02-26 2000-09-14 Nec Corp 薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法
JP2000275680A (ja) 1999-03-19 2000-10-06 Fujitsu Ltd 反射型液晶表示装置及びそれを用いた表示パネル
JP2001005038A (ja) 1999-04-26 2001-01-12 Samsung Electronics Co Ltd 表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
JP2001005031A (ja) 1999-06-23 2001-01-12 Nec Corp 薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法
KR100707006B1 (ko) * 1999-06-23 2007-04-11 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 박막트랜지스터 액정표시소자의 박막트랜지스터 어레이 기판
KR100312329B1 (ko) * 1999-09-13 2001-11-03 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치의 구조 및 그 제조방법
US6403980B1 (en) 1999-11-05 2002-06-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel for liquid crystal display
TW499606B (en) * 2000-11-06 2002-08-21 Hannstar Display Corp Signal line repairing structure and forming method thereof
KR20020042898A (ko) * 2000-12-01 2002-06-08 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR100743101B1 (ko) * 2001-05-07 2007-07-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법과 이를 이용한 화소리페어방법
KR100493435B1 (ko) * 2001-12-20 2005-06-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
KR20040031370A (ko) * 2002-10-05 2004-04-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시패널 및 그 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101387825B (zh) * 2007-09-10 2011-04-06 北京京东方光电科技有限公司 补偿型灰阶掩膜版结构

Also Published As

Publication number Publication date
JP4469004B2 (ja) 2010-05-26
CN1414422A (zh) 2003-04-30
JP4607418B2 (ja) 2011-01-05
US20030090601A1 (en) 2003-05-15
CN1866091A (zh) 2006-11-22
JP2003140189A (ja) 2003-05-14
US7847892B2 (en) 2010-12-07
US7375778B2 (en) 2008-05-20
US20050134757A1 (en) 2005-06-23
US20080212008A1 (en) 2008-09-04
JP2008282052A (ja) 2008-11-20
CN100395604C (zh) 2008-06-18
US6882376B2 (en) 2005-04-19
KR20030033785A (ko) 2003-05-01
KR100391157B1 (ko) 2003-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1284037C (zh) 液晶显示装置的阵列面板及其制造方法
US7221425B2 (en) Substrate for a display device, liquid crystal display device comprising overlapping connecting lines of the scan lines and method of manufacturing the same
CN101625491A (zh) 液晶显示器件及制造该液晶显示器件的驱动方法
KR100975734B1 (ko) 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법
CN1614487A (zh) 水平电场型液晶显示器件的薄膜晶体管基板及其制造方法
KR20130131701A (ko) 액정표시장치 어레이 기판 및 그 제조방법
CN100592176C (zh) 面内切换模式液晶显示器件及其制造方法
KR20090034579A (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법
KR101383776B1 (ko) 표시기판, 그 제조방법 및 이를 갖는 액정표시장치
US7397519B2 (en) Liquid crystal display device and method of fabrication thereof having dummy layer and plurality of contact holes formed through ohmic contact, semiconductive and gate insulating layers
CN100507649C (zh) 液晶显示装置及其制造方法
CN108153021B (zh) 阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法
KR100763169B1 (ko) 기판 흡착용 진공 척 구조
CN1256618C (zh) 液晶显示器及其制造方法
CN100342279C (zh) 用于液晶显示器件的基板及其制造方法
US20120241746A1 (en) Electrophoresis display and manufacturing method
CN100335960C (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
US8703394B2 (en) Method for forming thin film pattern and flat display device having the same
KR101386189B1 (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법
KR20080080772A (ko) 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
US7932979B2 (en) Method for fabricating a liquid crystal display device wherein the storage electrode is simultaneously formed with the active pattern
US6168982B1 (en) Manufacture of electronic devices comprising thin-film circuit elements
KR20040059092A (ko) 액정표시소자 및 그 제조방법
KR101023319B1 (ko) 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR101043679B1 (ko) 평판표시소자의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: LG DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER NAME OR ADDRESS: LG. PHILIP LCD CO., LTD.

CP03 Change of name, title or address

Address after: Seoul, South Kerean

Patentee after: LG Display Co.,Ltd.

Address before: Seoul

Patentee before: LG Philips LCD Co., Ltd.

CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20061108

CX01 Expiry of patent term