JP2008282052A - 液晶ディスプレイ装置用アレー基板及びその製造方法 - Google Patents

液晶ディスプレイ装置用アレー基板及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2008282052A
JP2008282052A JP2008208892A JP2008208892A JP2008282052A JP 2008282052 A JP2008282052 A JP 2008282052A JP 2008208892 A JP2008208892 A JP 2008208892A JP 2008208892 A JP2008208892 A JP 2008208892A JP 2008282052 A JP2008282052 A JP 2008282052A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
crystal display
display device
array substrate
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008208892A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4469004B2 (ja
Inventor
Yong Wan Kim
ヨン−ワン キム
Dong-Jin Park
ドン−ジン パーク
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of JP2008282052A publication Critical patent/JP2008282052A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4469004B2 publication Critical patent/JP4469004B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136218—Shield electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136231—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps
    • G02F1/136236—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps using a grey or half tone lithographic process
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G02F1/136263—Line defects

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

【課題】製造工程及び製造費用を減少させて、生産収率を向上させることができる液晶ディスプレイ装置用アレー基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は液晶ディスプレイ装置用アレー基板及びその製造方法に関する。液晶ディスプレイ装置用アレー基板は、薄膜を蒸着して写真エッチングする工程を通してなされるが、写真エッチング工程は多様な工程を伴っているので写真エッチング工程を減らすことによって、製造費用を減少させて不良発生率を減らすことができる。本発明による液晶ディスプレイ装置用アレー基板は、４枚のマスクを利用して製造することによって製造費用を節減でき、回折露光を利用してアクティブ層とソース及びドレイン電極を一回の写真エッチング工程で形成することにおいて、薄膜トランジスタのチャネルをラウンディングされた“Ｕ”字形態で形成することによって安定的で向上された製造収率を得ることができる。
【選択図】図５

Description

本発明は液晶ディスプレイ装置用アレー基板及びその製造方法に関する。
最近情報化社会に時代が急発展するによって薄形化、軽量化、低消費電力化などの優秀な特性を有する平板ディスプレイ装置の必要性が高まりつつある。
このような平板ディスプレイ装置は、自ら光を発するかそうでないのかによって分けることができるが、自ら光を発して画像を表示するものを発光形ディスプレイ装置として、そうでなくて外部の光源を利用して画像を表示するものを受光型ディスプレイ装置という。発光形ディスプレイ装置ではプラズマディスプレイ装置と電界放出ディスプレイ装置、電界発光ディスプレイ装置などがあり、受光型ディスプレイ装置では液晶ディスプレイ装置がある。
この中液晶ディスプレイ装置は解像度、カラー表示、画質などが優秀でノートブックコンピュータやデスクトップコンピュータのモニターに活発に適用されている。
一般的に液晶ディスプレイ装置は、一面に電極が各々形成されている二基板を二電極が形成されている面が接するように配置して二基板間に液晶物質を注入した後に、二電極に電圧を印加して生成する電界によって液晶分子を動かすことによって、これにより変わる光の透過率によって画像を表現する装置である。
液晶ディスプレイ装置は、多様な形態でなされることができるが、現在薄膜トランジスタと薄膜トランジスタに連結された画素電極がマトリクス方式で配列されたアクティブマトリクス液晶ディスプレイ装置が解像度及び動映像具現能力が優秀で最も注目されている。
このような液晶ディスプレイ装置は、下部のアレー基板に画素電極が形成されていて上部基板であるカラーフィルター基板に共通電極が形成されている構造であって、上下にかかる基板に垂直方向の電界によって液晶分子を駆動する方式である。これは、透過率と開口率などの特性が優秀で、上板の共通電極が接地役割をして静電気による液晶セルの破壊を防止できる。
液晶ディスプレイ装置の上部基板は、画素電極以外の部分から発生する光漏れ現像を防ぐためにブラックマトリックスをさらに含む。
一方、液晶ディスプレイ装置の下部基板であるアレー基板は、薄膜を蒸着してマスクを利用して写真エッチングする工程を何度も繰り返すことによって形成されるが、通常的にマスク数は５枚ないし６枚が用いられており、マスクの数がアレー基板を製造する工程数を示す。
以下、添付した図面を参照して従来の液晶ディスプレイ装置用アレー基板及びその製造方法に対して説明する。
図１は従来の液晶ディスプレイ装置用アレー基板に対する平面図であって、図２は図１でＩＩ−ＩＩ線に沿って切った断面図である。
図１及び図２に示したように、液晶ディスプレイ装置用アレー基板では透明な絶縁基板１０上に横方向を有するゲート配線２１と、ゲート配線２１から延びたゲート電極２２が形成されている。
ゲート配線２１とゲート電極２２上部にはゲート絶縁膜３０が形成されており、その上にアクティブ層４１とオーミックコンタクト層５１、５２が順次に形成されている。
オーミックコンタクト層５１、５２上にゲート配線２１と直交するデータ配線６１、データ配線６１から延びたソース電極６２、ゲート電極２２を中心にソース電極６２と接しているドレイン電極６３及びゲート配線２１と重畳するキャパシタ電極６５が形成されている。
データ配線６１とソース及びドレイン電極６２、６３、そしてキャパシタ電極６５は保護層７０で覆われてあり、保護層７０はドレイン電極６３とキャパシタ電極６５を各々あらわす第１及び第２コンタクトホール７１、７２を有する。
ゲート配線２１とデータ配線６１が交差して定義される画素領域の保護層７０上部には画素電極８１が形成されているが、画素電極８１は第１及び第２コンタクトホール７１、７２を通して各々ドレイン電極６２及びキャパシタ電極６５と連結されている。
図３Ａないし図３Ｅはこのような液晶ディスプレイ装置用アレー基板の製造過程を示したものであって、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って切った断面に該当する。そこで、図３Ａないし図３Ｅを参照して従来の液晶ディスプレイ装置用アレー基板の製造方法に対して説明する。
図３Ａに示したように、基板１０上に金属物質を蒸着して第１マスクを利用してパターニングすることによって、ゲート配線２１とゲート電極２２を形成する。
次に、図３Ｂに示したようにゲート絶縁膜３０、非晶質シリコン、不純物が含まれた非晶質シリコンを順次に蒸着した後、第２マスクを利用した写真エッチング工程でアクティブ層４１と不純物半導体層５３を形成する。
続いて、図３Ｃに示したように金属層を蒸着して第３マスクを利用してパターニングすることによって、データ配線(図１の６１)とソース電極６２、ドレイン電極６３及びキャパシタ電極６５を形成して、ソース電極６２とドレイン電極６３間にあらわれた不純物半導体層５３をエッチングしてオーミックコンタクト層５１、５２を完成する。
次に、図３Ｄに示したように保護層７０を蒸着して第４マスクを利用して保護層７０とゲート絶縁膜３０をパターニングすることによって、ドレイン電極６３とキャパシタ電極６５をあらわす第１及び第２コンタクトホール７１、７２を形成する。
次に、図３Ｅに示したように透明導電物質を蒸着して第５マスクを利用してパターニングすることによって、第１及び第２コンタクトホール７１、７２を通してドレイン電極６３及びキャパシタ電極６５と接触する画素電極８１を形成する。
このように、５枚のマスクを利用した写真エッチング工程でアレー基板を製造できるが、写真エッチング工程には洗浄と感光膜の塗布、露光及び現像、エッチング等多様な工程を伴っている。したがって、写真エッチング工程を一回のみ短縮しても製造時間は相当多く減って、製造費用を減少させることができ、不良発生率が少なくなるので、マスク数を減らしてアレー基板を製造することが望ましい。
本発明は前記した従来の問題点を解決するために案出されたものであり、本発明の目的は製造工程及び製造費用を減少させて、生産収率を向上させることができる液晶ディスプレイ装置用アレー基板及びその製造方法を提供することにある。
前記した目的を達成するための本発明による液晶ディスプレイ装置では、基板上にゲート配線と前記ゲート配線に連結されているゲート電極が形成されていて、その上にゲート絶縁膜とアクティブ層及びオーミックコンタクト層が順に形成されている。オーミックコンタクト層上にはモリブデンからなるデータ配線とソース電極及びドレイン電極が形成されていて、その上に保護層が形成されている。次に、保護層上部には画素電極が形成されている。ここで、オーミックコンタクト層はデータ配線、そしてソース及びドレイン電極と同一形態を有し、半導体層はソース及びドレイン電極間のチャネル領域を除いてデータ配線、ソース及びドレイン電極と同一形態に構成されて、チャネル領域は“Ｕ”字形態で構成されている。
本発明ではゲート配線と同じ物質でなされて、データ配線と平行方向を有する第１遮光パターンをさらに含むことができる。このとき、第１遮光パターンは少なくとも画素電極の一部と重畳する。第１遮光パターンは両端に前記データ配線と重畳する突出部を有する場合もある。
また、本発明では第１遮光パターンと平行した第２遮光パターンをさらに含む場合もあり、このとき第２遮光パターンは少なくとも画素電極の一部と重畳する。第２遮光パターンはゲート配線に連結されている場合もある。
一方、ドレイン電極は、ゲート配線に平行した第１部分と第１部分から延びた第２部分を含むことができる。第２部分は複数の突出部を有してコンタクトホールによって露出されている。
本発明で画素電極は、少なくともゲート配線の一部と重畳する場合もある。
また、“Ｕ”字形態は、対称形態に構成されることが望ましい。
本発明による液晶ディスプレイ装置用アレー基板の製造方法では、基板上にゲート配線とゲート電極を形成して、その上にゲート絶縁膜を形成する。次に、ゲート絶縁膜上部にアクティブ層を形成して、その上にオーミックコンタクト層を形成する。続いて、オーミックコンタクト層上部にモリブデンでなされたデータ配線とソース及びドレイン電極を形成する。次に、その上に保護層を形成して、保護層上部に画素電極を形成する。ここで、オーミックコンタクト層はデータ配線そしてソース及び電極と同一形態を有し、半導体層はソース及びドレイン電極間のチャネル領域を除いてデータ配線、ソース及びドレイン電極と同一形態に構成され、チャネル領域は“Ｕ”字形態に構成される。
ゲート配線を形成する段階は、ゲート配線と同じ物質でなされてデータ配線と平行した第１遮光パターンを形成する段階を含む。第１遮光パターンは少なくとも画素電極の一部と重畳し、両端にデータ配線と重畳する突出部を有することができる。
また、ゲート配線を形成する段階は、第１遮光パターンと平行した第２遮光パターンを形成する段階を含む場合もある。第２遮光パターンは少なくとも画素電極の一部と重畳し、ゲート配線に連結されていることができる。
一方、ドレイン電極は、ゲート配線に平行した第１部分と第１部分から延びた第２部分を含むことができる。第１部分は少なくとも画素電極の一部と重畳して、第２部分は複数の突出部を有してコンタクトホールによって露出できる。
本発明で画素電極は、少なくともゲート配線の一部と重畳されていることができる。
また、本発明で“Ｕ”字形態は、対称形態であることが望ましい。
本発明の他の液晶ディスプレイ装置用アレー基板の製造方法では、第１マスクを用いて基板上にゲート配線とゲート電極を形成して、ゲート絶縁膜と非晶質シリコン層、ドーピングされた非晶質シリコン層、そして金属層を順に形成する。続いて、第２マスクを利用してアクティブ層とオーミックコンタクト層、データ配線、ソース及びドレイン電極を形成する。次に、第３マスクを利用して保護層を形成して、第４マスクを利用して保護層上部に画素電極を形成する。このとき、ソース及びドレイン電極間のチャネル領域は“Ｕ”字形態を有する。
ここで、アクティブ層とオーミックコンタクト層、データ配線、ソース電極とドレイン電極を形成する段階はデータ配線とソース及びドレイン電極に対応する第１パターンとチャネル領域に対応する第２パターンでなされた感光膜パターンを形成する段階を含むが、第１パターンの厚さは第２パターンよりさらに厚い。
一方、第２マスクは、データ配線とソース及びドレイン電極に対応する複数の遮光パターンとチャネル領域に対応する微細パターンでなされ、遮光パターンと微細パターンは第１及び第２スリットを形成する。微細パターンの幅は約１．５μｍであって、第１及び第２スリットの幅は１．１μｍないし１．３μｍであるものが良い。一方、ドレイン電極に隣接したスリットの角部分幅は約１．１μｍである。
本発明で、“Ｕ”字形態は対称形態であるものが望ましい。
このように、本発明では４枚のマスクを利用してアレー基板を製造することによって製造費用を節減でき、ソース及びドレイン電極間に対応する部分にスリットを有するマスクを利用してソース及びドレイン電極間部分をラウンディングされた形態にすることにより、製造収率を向上させることができる。
本発明による液晶ディスプレイ装置用アレー基板は、４枚のマスクを利用して製造することによって製造費用を節減できる。また、本発明では回折露光を利用してアクティブ層とソース及びドレイン電極を一回の写真エッチング工程で形成することにおいて、薄膜トランジスタのチャネルを“Ｕ”字形態で形成することによって安定的で向上された製造収率を得ることができる。
本発明ではゲート配線と同じ物質でデータ配線と平行方向の遮光パターンを形成して画素電極と一部重畳させることによって、工程マージンを向上させて光漏れ不良を防止できる。
以下、添付した図面を参照して本発明の実施例による液晶ディスプレイ装置用アレー基板及びその製造方法に対して詳細に説明する。
まず、図４は本発明の実施例による液晶ディスプレイ装置用アレー基板の平面図であって、図５は図４でＶ−Ｖ線に沿って切った断面図である。
図４及び図５に示したように、透明な基板１１０上にゲート配線１２１とゲート電極１２２、そして第１及び第２遮光パターン１２４、１２５が形成されている。ここで、ゲート配線１２１は横方向に延びていて、ゲート電極１２２はゲート配線１２１と連結されており、第１及び第２遮光パターン１２４、１２５は縦方向を有してゲート配線１２１間に形成されているが、第２遮光パターン１２５の一端はゲート配線１２１と連結されている。一方、ゲート電極１２１はゲート電極１２２と連結された部分の反対側にへこんだ部分を有し、第１遮光パターン１２４は第２遮光パターン１２５方向に両端に突出部を有する。
ゲート配線１２１とゲート電極１２２、そして第１及び第２遮光パターン１２４、１２５上部にはゲート絶縁膜１３０が形成されてこれらを覆っている。
続いて、ゲート絶縁膜１３０上にはアクティブ層１４１が形成されていて、その上にオーミックコンタクト層１５１、１５２が形成されている。
オーミックコンタクト層１５１、１５２上にはデータ配線１６１とソース及びドレイン電極１６２、１６３が形成されているが、データ配線１６１は縦方向に延びてゲート配線１２１と直交することにより画素領域を定義して、ソース電極１６２はデータ配線１６１から延びて対称である“Ｕ”字形態を有し、ドレイン電極１６３はソース電極１６２と分離されていて横方向に延びた第１部分と突出されて以後に形成される画素電極と連結される第２部分とで構成される。ドレイン電極１６３の第１部分は一端がソース電極１６２内に位置して薄膜トランジスタのチャネルが“Ｕ”字形態を有するようになり、第２部分は画素電極との接触面積を広くするために側面に複数の屈曲を有する。一方、データ配線１６１は第１遮光パターン１２４の両端と重畳されているので、以後にデータ配線１６１が断線する場合を考慮して第１遮光パターン１２４の両端をレーザーで短絡させ第１遮光パターン１２４を通して信号が伝えられるようにすることによって、データ配線１６１の断線を補完できる。
ここで、オーミックコンタクト層１５１、１５２は、データ配線１６１、そしてソース及びドレイン電極１６２、１６３と同一形態を有し、アクティブ層１４１はソース及びドレイン電極１６２、１６３間すなわち、薄膜トランジスタのチャネルに該当する部分を除いてデータ配線１６１、ソース及びドレイン電極１６２、１６３と同一形態を有する。
次に、データ配線１６１とソース及びドレイン電極１６２、１６３上部には保護層１７０が形成されてこれらを覆っており、保護層１７０はゲート絶縁膜１３０と一緒にドレイン電極１６３をあらわすコンタクトホール１７１を有する。このとき、コンタクトホール１７１はドレイン電極１６３の第２部分の一側を完全にあらわす。
次に、画素領域には透明導電物質からなる画素電極１８１が形成されている。画素電極１８１はコンタクトホール１７１を通してドレイン電極１６３と連結されており、前段のゲート配線１２１と重畳されてストレージキャパシタを形成して、また第１及び第２遮光パターン１２４、１２５、そしてドレイン電極１６３の第１部分とも一部重畳されている。ここで、第１及び第２遮光パターン１２４、１２５とドレイン電極１６３の第１部分は画素電極１８１と重畳することによって、液晶ディスプレイ装置の合着マージンを考慮したパネル設計の自由度を増やして光漏れを効果的に防止する役割をする。
このような液晶ディスプレイ装置用アレー基板は、４枚のマスクを利用して製造されるが、その製造過程に対して図６Ａ及び図６Ｂ、図７Ａないし図７Ｅ、図８Ａ及び図８Ｂ、そして先立った図４と図５を参照して詳細に説明する。
図６Ａ及び図６Ｂには本発明の実施例によって製造する最初段階におけるアレー基板に対する平面図及び断面図を各々示したが、図６Ｂは図６ＡでＶＩｂ−ＶＩｂ線に沿って切った断面に該当する。図示したように、ガラスのような透明基板１１０上に金属物質を蒸着して第１マスクを利用してパターニングすることによって、横方向のゲート配線１２１とゲート配線１２１から延びたゲート電極１２２、そして縦方向に延びている第１及び第２遮光パターン１２４、１２５を形成する。ここで、金属物質は比較的抵抗が低い物質を用いることが良いし、クロムとアルミニウムまたはクロムとアルミニウム合金の二重層で形成することができる。このとき、第２遮光パターン１２５はゲート配線１２１と連結されている。
次に、データ配線１６１とソース及びドレイン電極１６２、１６３、そしてオーミックコンタクト層１５１、１５２及び半導体層１４１を形成するが、このような過程を図７Ａないし図７Ｅに示した。
まず、図７Ｂに示したようにゲート絶縁膜１３０と非晶質シリコン層１４０及び不純物でドーピングされた非晶質シリコン層１５０を順に蒸着して、金属層１６０をスパッタリングのような方法で蒸着した後、感光膜を塗布して第２マスクを利用して露光及び現像して感光膜パターン１９１、１９２を形成する。
ここで、データ配線とソース及びドレイン電極が形成される部分には最も厚い厚さを有する第１感光膜パターン１９１が形成されて、ソース及びドレイン電極間のチャネルが形成される部分には第１感光膜パターン１９１より薄い厚さを有する第２感光膜パターン１９２が形成され、残り部分ではすべて除去されている。
このように厚さが異なる感光膜パターンを一度に形成するために、チャネルが形成される部分に対応する領域に微細パターンが形成されたマスクを利用することができるが、このような本発明による第２マスクについて図９に示した。ここで、図９の第２マスクはソース及びドレイン電極と対応する部分を拡大図示したものである。
図示したように、第２マスク２００はデータ配線とソース及びドレイン電極に対応する部分に形成されて光を遮断する遮光パターン２６１、２６２、２６３と、薄膜トランジスタのチャネルに対応する部分内に形成されている微細パターン２６４を含む。したがって、チャネルに対応する部分では微細パターン２６４によって露光器の分解能より狭い幅を有するスリット２６５ａ、２６５ｂが形成されて、光の回折現像によって露光される光の量が少ないために、第１感光膜パターン(図７Ｂの１９１)より薄い厚さを有する第２感光膜パターン(図７Ｂの１９２)が形成される。
ここで、スリット２６５ａ、２６５ｂを通過した光が球面波の形態を有するようになるので、パターンの再現性を確保するためにはチャネルをラウンディングされた“Ｕ”字形態にすることが望ましい。このとき、“Ｕ”字形態は対称形態をなす。
微細パターン２６４の幅ｂ、ｅは約１．５μｍであり、スリット２６５ａ、２６５ｂの間隔ａ、ｃ、ｄは約１．３μｍであるが、チャネルの幅が一定間隔を有するように形成するためにコーナー部分のドレイン電極と隣接した部分の幅ｆは約１．１μｍで他の部分に比べて狭い幅を有するようにする。
次に、図７Ｃに示したように感光膜パターン１９１、１９２に覆われない部分の金属層(図７Ｂの１６０)と不純物がドーピングされた非晶質シリコン層(図７Ｂの１５０)、そして非晶質シリコン層(図７Ｂの１４０)をエッチングして導電パターン１６５と不純物半導体層１５５、そして半導体層１４１を形成する。ここで、半導体層１４１はアクティブ層になる。このとき、金属層(図７Ｂの１６０)はドライエッチングによって除去されることができるようにモリブデン(Ｍｏ)で形成することが望ましい。
次に、図７Ｄに示したように第２感光膜パターン１９２を除去する。このとき、第２感光膜パターン１９２の除去はアッシング(ａｓhｉｎｇ)のような方法を利用することができ、第１感光膜パターン１９１も一緒に除去されて第１感光膜パターン１９１の厚さが薄くなる場合もある。
次に、図７Ｅに示したようにあらわれた導電パターン１６５とその下部の不純物半導体層１５５を除去してデータ配線１６１とソース及びドレイン電極１６２、１６３、そしてオーミックコンタクト層１５１、１５２を完成した後、残っている第１感光膜パターン１９１を除去する。
次に、図８Ａ及び図８Ｂに示したようにシリコン窒化膜やシリコン酸化膜または有機絶縁膜を蒸着した後に、第３マスクを利用した写真エッチング工程でパターニングしてドレイン電極１６３を一部あらわすコンタクトホール１７１を有する保護層１７０を形成する。
続いて、図４及び図５に示したようにインジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）のような透明導電物質を蒸着して第４マスクを利用した写真エッチング工程で画素電極１８１を形成するが、画素電極１８１はコンタクトホール１７１を通してドレイン電極１６３と連結されて、ゲート配線１２１と重畳してストレージキャパシタを形成し、遮光パターン１２４、１２５及びドレイン電極１６３の一部とも重畳されている。
このように、液晶ディスプレイ装置用アレー基板を４枚のマスクを利用して製造することによって製造工程を減少させることができ、チャネルを“Ｕ”字形態にして回折露光を利用することによって生産収率を向上させることができる。
本発明は前記した実施例に限らず、本発明の精神を外れない範囲において多様な変化と変形が可能である。
一般的な液晶ディスプレイ装置用アレー基板の平面図。 図１でＩＩ−ＩＩ線に沿って切った断面図。 従来の液晶ディスプレイ装置用アレー基板を製造する工程を示した断面図。 従来の液晶ディスプレイ装置用アレー基板を製造する工程を示した断面図。 従来の液晶ディスプレイ装置用アレー基板を製造する工程を示した断面図。 従来の液晶ディスプレイ装置用アレー基板を製造する工程を示した断面図。 従来の液晶ディスプレイ装置用アレー基板を製造する工程を示した断面図。 本発明による液晶ディスプレイ装置用アレー基板の平面図。 図４でＶ−Ｖ線に沿って切った断面図。 本発明によってアレー基板を製造する工程を示した図面。 本発明によってアレー基板を製造する工程を示した図面。 本発明によってアレー基板を製造する工程を示した図面。 本発明によってアレー基板を製造する工程を示した図面。 本発明によってアレー基板を製造する工程を示した図面。 本発明によってアレー基板を製造する工程を示した図面。 本発明によってアレー基板を製造する工程を示した図面。 本発明によってアレー基板を製造する工程を示した図面。 本発明によってアレー基板を製造する工程を示した図面。 本発明によるマスクの構造を示した図面。
符号の説明
１１０:基板
１２１:ゲート配線
１２２:ゲート電極
１３０:ゲート絶縁膜
１４１:アクティブ層
１５１、１５２:オーミックコンタクト層
１６１:データ配線
１６２:ソース電極
１６３:ドレイン電極
１７０:保護層
１７１:コンタクトホール
１８１:画素電極

Claims (10)

  1. 基板と、
    前記基板上に形成されているゲート配線と前記ゲート配線に連結されているゲート電極と、
    前記ゲート配線と前記ゲート電極上部に形成されているゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上部に形成されているアクティブ層と、
    前記アクティブ層上部に形成されているオーミックコンタクト層と、
    前記オーミックコンタクト層上部に形成されているデータ配線、ソース電極及びドレイン電極と、
    前記データ配線と前記ソース及びドレイン電極上部に形成されている保護層と、
    前記保護層上部に形成されている画素電極と、
    前記ゲート配線と同じ物質でなされて前記データ配線と平行方向を有する第１遮光パターンであって、両端に前記データ配線と重畳する突出部を有する第１遮光パターンとを含み、
    前記オーミックコンタクト層は、前記データ配線と前記ソース及びドレイン電極と同一形態を有し、
    前記アクティブ層は前記ソース及びドレイン電極間のチャネル領域を除いて前記データ配線と前記ソース及びドレイン電極と同一形態でなされて、
    前記チャネル領域は“Ｕ”字形態でなされて、
    前記第１遮光パターンの突出部と前記データ配線は、これらの間に挿入された前記ゲート絶縁膜と共に互いに重畳することを特徴とする液晶ディスプレイ装置用アレー基板。
  2. 前記第１遮光パターンは、少なくとも前記画素電極の一部と重畳することを特徴とする請求項１に記載の液晶ディスプレイ装置用アレー基板。
  3. 前記第１遮光パターンと平行した第２遮光パターンをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶ディスプレイ装置用アレー基板。
  4. 前記第２遮光パターンは、少なくとも前記画素電極の一部と重畳することを特徴とする請求項３に記載の液晶ディスプレイ装置用アレー基板。
  5. 前記第２遮光パターンは、前記ゲート配線に連結されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶ディスプレイ装置用アレー基板。
  6. 前記ドレイン電極は、前記ゲート配線に平行した第１部分と前記第１部分から延びた第２部分を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶ディスプレイ装置用アレー基板。
  7. 前記第１部分は、少なくとも前記画素電極の一部と重畳することを特徴とする請求項６に記載の液晶ディスプレイ装置用アレー基板。
  8. 前記第２部分は、複数の突出部を有してコンタクトホールによって露出されていることを特徴とする請求項６に記載の液晶ディスプレイ装置用アレー基板。
  9. 前記画素電極は、少なくとも前記ゲート配線の一部と重畳されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶ディスプレイ装置用アレー基板。
  10. 前記“Ｕ”字形態は、対称形態であることを特徴とする請求項１に記載の液晶ディスプレイ装置用アレー基板。
JP2008208892A 2001-10-25 2008-08-14 液晶ディスプレイ装置用アレー基板及びその製造方法 Expired - Fee Related JP4469004B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0065911A KR100391157B1 (ko) 2001-10-25 2001-10-25 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002190357A Division JP4607418B2 (ja) 2001-10-25 2002-06-28 液晶ディスプレイ装置用アレー基板及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008282052A true JP2008282052A (ja) 2008-11-20
JP4469004B2 JP4469004B2 (ja) 2010-05-26

Family

ID=19715375

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002190357A Expired - Fee Related JP4607418B2 (ja) 2001-10-25 2002-06-28 液晶ディスプレイ装置用アレー基板及びその製造方法
JP2008208892A Expired - Fee Related JP4469004B2 (ja) 2001-10-25 2008-08-14 液晶ディスプレイ装置用アレー基板及びその製造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002190357A Expired - Fee Related JP4607418B2 (ja) 2001-10-25 2002-06-28 液晶ディスプレイ装置用アレー基板及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (3) US6882376B2 (ja)
JP (2) JP4607418B2 (ja)
KR (1) KR100391157B1 (ja)
CN (2) CN1284037C (ja)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100464208B1 (ko) * 2001-12-20 2005-01-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시장치 및 그 구동방법
KR100776503B1 (ko) * 2002-12-02 2007-11-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 화소구조
KR100640210B1 (ko) * 2002-12-31 2006-10-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100519372B1 (ko) * 2002-12-31 2005-10-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100925458B1 (ko) 2003-01-17 2009-11-06 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR100928491B1 (ko) * 2003-06-28 2009-11-26 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100499376B1 (ko) * 2003-10-10 2005-07-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR100997968B1 (ko) 2003-10-13 2010-12-02 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
KR20050060963A (ko) * 2003-12-17 2005-06-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법
US7098091B2 (en) * 2004-02-20 2006-08-29 Au Optronics Corporation Method for fabricating thin film transistors
CN1296762C (zh) * 2004-07-22 2007-01-24 友达光电股份有限公司 显示面板及其制造方法
KR100603706B1 (ko) * 2004-10-27 2006-07-20 주식회사 팬택앤큐리텔 측면 조작방식의 록킹 기능을 가진 이동통신단말기
KR101061856B1 (ko) * 2004-11-03 2011-09-02 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
KR100752368B1 (ko) 2004-11-15 2007-08-27 삼성에스디아이 주식회사 평판표시소자 및 그 제조방법
JP4622532B2 (ja) * 2005-01-18 2011-02-02 三菱電機株式会社 表示装置および表示装置の欠陥修復方法
KR101315381B1 (ko) 2005-03-09 2013-10-07 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
US7796223B2 (en) * 2005-03-09 2010-09-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display apparatus having data lines with curved portions and method
KR101127218B1 (ko) 2005-05-19 2012-03-30 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법
KR101134932B1 (ko) * 2005-06-14 2012-04-17 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
JP4543013B2 (ja) 2005-06-29 2010-09-15 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 液晶表示装置及びその製造方法
KR101182521B1 (ko) * 2005-10-28 2012-10-02 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI294177B (en) 2005-12-30 2008-03-01 Au Optronics Corp Method for manufacturing pixel structure
US7719008B2 (en) * 2006-02-03 2010-05-18 Samsung Electronics Co., Thin film transistor substrate and method of manufacturing the same and mask for manufacturing thin film transistor substrate
KR101211086B1 (ko) * 2006-02-03 2012-12-12 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판과 이의 제조 방법 및 박막트랜지스터 기판 제조용 마스크
KR101263193B1 (ko) 2006-05-02 2013-05-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판의 제조 방법 및 표시 기판
KR20080028640A (ko) * 2006-09-27 2008-04-01 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 제조용 마스크, 이에 의해 제조된 박막트랜지스터 기판 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판의제조방법
CN101382728B (zh) * 2007-09-07 2010-07-28 北京京东方光电科技有限公司 灰阶掩膜版结构
CN101387825B (zh) * 2007-09-10 2011-04-06 北京京东方光电科技有限公司 补偿型灰阶掩膜版结构
US8133773B2 (en) 2007-10-17 2012-03-13 Au Optronics Corporation Apparatus and method for reducing photo leakage current for TFT LCD
CN102365668A (zh) * 2009-04-10 2012-02-29 夏普株式会社 有源矩阵基板、显示面板、显示装置和激光照射方法
KR101643835B1 (ko) 2009-07-10 2016-07-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR101717933B1 (ko) * 2010-04-14 2017-03-21 삼성디스플레이 주식회사 표시기판 및 그 제조방법
JP5336005B2 (ja) 2010-12-10 2013-11-06 シャープ株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法、ならびに液晶表示装置
CN102385206B (zh) * 2011-11-01 2014-05-21 深圳市华星光电技术有限公司 像素结构以及相应的液晶显示器
KR102040084B1 (ko) * 2013-03-25 2019-11-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI567998B (zh) * 2014-03-21 2017-01-21 友達光電股份有限公司 灰階式光罩、薄膜電晶體及主動元件陣列基板
KR102341644B1 (ko) 2015-08-04 2021-12-21 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조방법
KR102468858B1 (ko) * 2015-12-28 2022-11-18 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치용 기판과 그를 포함하는 표시 장치
CN108717246B (zh) * 2018-05-16 2020-09-01 深圳市华星光电技术有限公司 Coa型阵列基板及量测色阻层上过孔尺寸的方法
CN115917421A (zh) * 2020-09-07 2023-04-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示面板

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60189969A (ja) 1984-03-12 1985-09-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタ
JPS60192369A (ja) 1984-03-13 1985-09-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP2714993B2 (ja) 1989-12-15 1998-02-16 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置
JP2869238B2 (ja) 1992-02-07 1999-03-10 シャープ株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP3507117B2 (ja) * 1993-02-26 2004-03-15 キヤノン株式会社 Ｔｆｔ基板及び該基板を有する液晶表示装置
JPH06258667A (ja) * 1993-03-05 1994-09-16 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JPH06258668A (ja) * 1993-03-05 1994-09-16 Toshiba Corp マトリクスアレイ基板とその製造方法およびそれを用いた液晶表示装置
JPH06289423A (ja) * 1993-03-31 1994-10-18 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
US5414283A (en) * 1993-11-19 1995-05-09 Ois Optical Imaging Systems, Inc. TFT with reduced parasitic capacitance
JPH07199221A (ja) 1993-12-28 1995-08-04 Toshiba Corp 液晶表示装置
TW321731B (ja) * 1994-07-27 1997-12-01 Hitachi Ltd
JPH08179355A (ja) * 1994-12-27 1996-07-12 Sharp Corp アクティブマトリクス基板
US5532180A (en) * 1995-06-02 1996-07-02 Ois Optical Imaging Systems, Inc. Method of fabricating a TFT with reduced channel length
JPH0915629A (ja) 1995-07-03 1997-01-17 Fujitsu Ltd 液晶表示パネル
US5737041A (en) 1995-07-31 1998-04-07 Image Quest Technologies, Inc. TFT, method of making and matrix displays incorporating the TFT
KR100193653B1 (ko) * 1995-11-20 1999-06-15 김영환 축적 캐패시터를 구비한 스태거 tft-lcd 및 그의 제조방법
KR0158260B1 (ko) * 1995-11-25 1998-12-15 구자홍 엑티브 매트릭스 액정표시장치의 매트릭스 어레이 및 제조방법
JP3685869B2 (ja) 1996-05-08 2005-08-24 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JPH09298305A (ja) * 1996-05-08 1997-11-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜トランジスタおよびかかる薄膜トランジスタを有する液晶表示装置
JPH10228031A (ja) 1997-02-14 1998-08-25 Advanced Display:Kk 薄膜トランジスタアレイ基板
JPH10260430A (ja) 1997-03-19 1998-09-29 Advanced Display:Kk Ｔｆｔ液晶表示装置
US6133977A (en) * 1997-10-21 2000-10-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal displays having common electrode overlap with one or more data lines
US6215541B1 (en) * 1997-11-20 2001-04-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal displays and manufacturing methods thereof
JP3036513B2 (ja) * 1998-06-10 2000-04-24 日本電気株式会社 液晶表示装置
CN1139837C (zh) 1998-10-01 2004-02-25 三星电子株式会社 液晶显示器用薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
JP3463006B2 (ja) 1998-10-26 2003-11-05 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置
US6255130B1 (en) * 1998-11-19 2001-07-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel and a method for manufacturing the same
JP4100646B2 (ja) 1998-12-28 2008-06-11 エルジー．フィリップス エルシーデー カンパニー，リミテッド 薄膜トランジスタおよびそれを備えた液晶表示装置
JP2000250436A (ja) 1999-02-26 2000-09-14 Nec Corp 薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法
JP2000275680A (ja) 1999-03-19 2000-10-06 Fujitsu Ltd 反射型液晶表示装置及びそれを用いた表示パネル
JP2001005038A (ja) 1999-04-26 2001-01-12 Samsung Electronics Co Ltd 表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
JP2001005031A (ja) 1999-06-23 2001-01-12 Nec Corp 薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法
KR100707006B1 (ko) * 1999-06-23 2007-04-11 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 박막트랜지스터 액정표시소자의 박막트랜지스터 어레이 기판
KR100312329B1 (ko) 1999-09-13 2001-11-03 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치의 구조 및 그 제조방법
CN1163964C (zh) 1999-11-05 2004-08-25 三星电子株式会社 用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板
TW499606B (en) * 2000-11-06 2002-08-21 Hannstar Display Corp Signal line repairing structure and forming method thereof
KR20020042898A (ko) * 2000-12-01 2002-06-08 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR100743101B1 (ko) * 2001-05-07 2007-07-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법과 이를 이용한 화소리페어방법
KR100493435B1 (ko) * 2001-12-20 2005-06-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
KR20040031370A (ko) * 2002-10-05 2004-04-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시패널 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US6882376B2 (en) 2005-04-19
US20050134757A1 (en) 2005-06-23
US20030090601A1 (en) 2003-05-15
US20080212008A1 (en) 2008-09-04
US7375778B2 (en) 2008-05-20
JP2003140189A (ja) 2003-05-14
KR20030033785A (ko) 2003-05-01
JP4469004B2 (ja) 2010-05-26
JP4607418B2 (ja) 2011-01-05
US7847892B2 (en) 2010-12-07
CN100395604C (zh) 2008-06-18
CN1414422A (zh) 2003-04-30
KR100391157B1 (ko) 2003-07-16
CN1866091A (zh) 2006-11-22
CN1284037C (zh) 2006-11-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4469004B2 (ja) 液晶ディスプレイ装置用アレー基板及びその製造方法
KR101905757B1 (ko) 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법
JP4619997B2 (ja) 液晶表示装置とその製造方法
JP4854181B2 (ja) 多重ドメイン液晶表示装置及びその薄膜トランジスタ基板
JP4107662B2 (ja) 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法
US6927814B2 (en) Array substrate for LCD and method of fabricating the same
KR100978260B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
US7855033B2 (en) Photo mask and method of fabricating array substrate for liquid crystal display device using the same
JP2004310099A (ja) 液晶表示装置、薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法
US8730418B2 (en) Array substrate and method for manufacturing the same
JP4818718B2 (ja) 液晶表示装置の製造方法
JP5007171B2 (ja) 薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び表示装置
KR20010025955A (ko) 반사투과 복합형 박막트랜지스터 액정표시장치
EP1939674B1 (en) Liquid crystal display device and fabrication method thereof
US7781268B2 (en) Array substrate and display panel
KR101408257B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
TW201017302A (en) Thin film transistor substrate, display panel, display apparatus and manufacturing methods thereof
KR101006474B1 (ko) 액정표시장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법
KR20070072204A (ko) 액정표시소자 및 제조방법
KR20080057035A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20050035011A (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
JP2007213075A (ja) 薄膜トランジスタ基板の製造方法、薄膜トランジスタ基板、及びそれを有する表示パネル
KR20070048049A (ko) 4 마스크를 이용한 액정표시소자 제조방법
KR20080056569A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20070072277A (ko) 액정표시소자 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080814

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090113

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20090413

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20090416

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20090513

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20090518

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090612

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090713

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091113

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20100105

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100208

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100225

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4469004

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140305

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees