KR20050035011A - 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 기판 상에 형성된 게이트라인과;상기 게이트라인과 게이트절연패턴을 사이에 두고 교차하는 데이터라인과;상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차부에 위치하는 박막트랜지스터와;상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차로 마련된 화소영역에 형성되며 상기 박막트랜지스터와 접속되는 화소전극과;상기 게이트라인과 접속된 게이트 패드 하부전극, 상기 게이트 패드 하부전극과 접속된 게이트 패드 상부전극을 갖는 게이트패드부와;상기 데이터라인과 접속된 데이터 패드 하부전극, 상기 데이터 패드 하부전극과 접속된 데이터 패드 상부전극을 갖는 데이터패드부와;상기 화소전극, 데이터 패드 상부전극 및 게이트 패드 상부전극을 포함하는 투명전극패턴이 형성된 영역을 제외한 나머지 영역에 형성되는 보호막 패턴을 구비하며,상기 화소전극은 상기 보호막 패턴에 의해 노출된 상기 화소영역의 게이트절연패턴 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 박막 트랜지스터는상기 게이트 라인과 접속된 게이트 전극과;상기 데이터 라인과 접속된 소스전극과;상기 소스전극과 마주보는 드레인 전극과;상기 소스전극와 드레인 전극 사이에 형성된 채널을 포함하는 반도체 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.
- 제 2 항에 있어서,상기 게이트 라인, 상기 게이트 절연패턴과 반도체 패턴을 사이에 두고 상기 게이트 라인과 중첩되는 스토리지 전극을 포함하는 스토리지 캐패시터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.
- 제 3 항에 있어서,상기 화소전극은 상기 보호막 패턴에 의해 부분적으로 노출된 상기 드레인 전극 및 스토리지 전극과 접속되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.
- 제 4 항에 있어서,상기 반도체 패턴은 상기 드레인 전극, 스토리지 전극, 데이터 라인, 데이터 패드 하부전극을 따라 그 하부에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.
- 기판 상에 박막 트랜지스터의 게이트 전극, 게이트 전극과 접속되는 게이트 라인, 게이트 라인과 접속되는 게이트패드 하부전극을 포함하는 게이트 패턴을 형성하는 단계와;상기 게이트 패턴이 형성된 기판상에 게이트 절연막을 형성하는 단계와;상기 게이트 절연패턴 상에 상기 박막 트랜지스터의 소스전극 및 드레인 전극, 상기 소스전극과 접속되는 데이터 라인, 상기 데이터 라인과 접속되는 데이터패드 하부전극을 포함하는 소스/드레인 패턴과 상기 소스/드레인 패턴을 따라 그 하부에 형성되는 반도체 패턴을 형성하는 단계와;상기 드레인 전극과 접속되며 상기 게이트 절연막 상에 형성된 화소전극, 상기 게이트패드 하부전극과 접속된 게이트패드 상부전극, 상기 데이터패드 하부전극과 접속된 데이터패드 상부전극을 포함하는 투명전극 패턴과, 상기 투명전극 패턴이 형성된 영역을 제외한 나머지 영역에서 적층된 보호막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 투명전극 패턴과 및 보호막 패턴을 형성하는 단계는상기 소스/드레인 패턴이 형성된 기판상에 보호막을 형성하는 단계와;상기 보호막이 형성된 기판 상에 단차진 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와;상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 게이트 절연막과 보호막을 패터닝하여 게이트패드 하부전극을 노출시키는 단계와;상기 포토레지스트 패턴을 에싱하여 상기 화소전극 및 상기 데이터 패드 상부전극과 대응되는 보호막을 노출시키고애싱공정에 의해 상기 포토레지스트의 일부를 제거하는 단계와;상기 포토레지스트 패턴을 에싱하여 상기 화소전극 및 상기 데이터패드 상부전극과 대응되는 보호막을 노출시키는 단계와;상기 노출된 보호막을 상기 에싱된 포토레지스트 패턴을 이용하여 식각하는 단계와;상기 포토레지스트 패턴이 남아있는 기판 상에 투명전극 물질을 증착하는 단계와;상기 포토레지스트 패턴과 그 위의 투명전극 물질을 스트립 공정으로 제거 하여 투명전극 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 게이트 라인, 상기 게이트 절연패턴 및 반도체 패턴을 사이에 두고 상기 게이트 라인과 중첩되는 스토리지 전극을 포함하는 스토리지 캐패시터를 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 보호막 패턴을 형성하는 단계는상기 드레인 전극 및 스토리지 전극을 부분적으로 노출시켜 상기 화소전극과 접속되게 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030070836A KR100619624B1 (ko) | 2003-10-11 | 2003-10-11 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
US10/958,260 US7279370B2 (en) | 2003-10-11 | 2004-10-06 | Thin film transistor array substrate and method of fabricating the same |
CN2004100834917A CN1605918B (zh) | 2003-10-11 | 2004-10-10 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 |
US12/461,266 USRE43819E1 (en) | 2003-10-11 | 2009-08-05 | Thin film transistor array substrate and method of fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030070836A KR100619624B1 (ko) | 2003-10-11 | 2003-10-11 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050035011A true KR20050035011A (ko) | 2005-04-15 |
KR100619624B1 KR100619624B1 (ko) | 2006-09-08 |
Family
ID=37238668
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030070836A KR100619624B1 (ko) | 2003-10-11 | 2003-10-11 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100619624B1 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100818887B1 (ko) * | 2005-12-14 | 2008-04-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시장치 및 그 제조 방법 |
KR101255281B1 (ko) * | 2007-02-09 | 2013-04-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 패터닝 방법 및 그를 이용한 박막 트랜지스터 기판의제조 방법 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101685229B (zh) | 2008-09-25 | 2012-02-29 | 北京京东方光电科技有限公司 | 液晶显示器阵列基板的制造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100818887B1 (ko) * | 2005-12-14 | 2008-04-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시장치 및 그 제조 방법 |
US7629189B2 (en) | 2005-12-14 | 2009-12-08 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for fabricating the same |
KR101255281B1 (ko) * | 2007-02-09 | 2013-04-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 패터닝 방법 및 그를 이용한 박막 트랜지스터 기판의제조 방법 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR100619624B1 (ko) | 2006-09-08 |
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