KR100640210B1 - 액정표시소자 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 한 방향으로만 형성되는 채널층을 구비하는 액정표시소자에 관한 것으로, 특히 4개의 마스크를 사용하여 박막트랜지스터를 제작함에 있어서 슬릿 마스크의 구조를 종래의 'U'자형의 슬릿 모양 대신 단방향으로 배치되는 슬릿을 사용함으로써 마스크 제작을 쉽게 하고 'U'자형으로 제작되는데 따른 마스크 패턴의 불균일성으로 채널 형성시 오차가 발생하는 것을 막고 쉽고 균일한 채널을 형성하는 것을 특징으로 한다.

4마스크, 단방향 슬릿 마스크, 'U'자형 슬릿 마스크

Description

액정표시소자 및 그 제조방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THEREOF}

도 1은 일반적인 액정표시장치의 단위화소를 나타내는 평면도.

도 2는 일반적인 액정표시장치의 액정표시패널을 나타내는 개략적 단면도.

도 3a ~ 3e는 일반적인 액정표시장치의 제조공정을 나타내는 수순 공정도.

도 4a는 일반적인 액정표시장치의 박막트랜지스터 채널 형성용 슬릿 마스크의 패턴.

도 4b는 일반적인 액정표시장치의 슬릿 마스크에 의해 제작된 박막트랜지스터의 채널 불량을 나타내는 사진.

도 5a는 본 발명의 액정표시장치의 박막트랜지스터 채널 형성용 슬릿 마스크 패턴

도 5b는 본 발명의 액정표시장치의 스위칭 소자의 채널 형성모습을 나타낸 개략도.

도 6a ~ 6g는 본 발명의 슬릿 마스크를 이용한 박막트랜지스터 제작공정을 나타내는 수순 공정도.

본 발명은 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 4 마스크를 사용하여 박막트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)를 제작하는 공정 중 슬릿마스크를 사용하여 채널부를 형성한 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로, 액정표시장치는 매트릭스(matrix) 형태로 배열된 액정 셀들에 화상정보에 따른 데이터신호를 개별적으로 공급하여, 그 액정 셀들의 배열을 조절함으로써, 원하는 화상을 표시할 수 있도록 한 표시장치이다.

따라서, 액정표시장치는 화소 단위의 액정 셀들이 매트릭스 형태로 배열되는 액정표시패널과, 상기 액정을 구동하기 위한 드라이버 집적회로(integrated circuit: IC)가 구비된다.

상기 액정표시패널은 서로 대향하는 컬러필터(color filter) 기판 및 박막트랜지스터(TFT) 어레이(array) 기판과, 그 컬러필터 기판 및 박막트랜지스터 어레이 기판의 이격 간격에 충진된 액정층으로 구성된다.

그리고, 상기 액정표시패널의 박막트랜지스터 어레이 기판상에는 데이터 드라이버 집적회로로부터 공급되는 데이터 신호를 액정 셀에 전송하기 위한 다수의 데이터 라인들과, 게이트 드라이버 집적회로로부터 공급되는 주사신호를 액정 셀에 전송하기 위한 다수의 게이트 라인들이 서로 직교하며, 이들 데이터 라인들과 게이트 라인들의 교차부마다 액정 셀이 정의된다.

상기 게이트 드라이버 집적회로는 다수의 게이트라인에 순차적으로 주사신호를 공급함으로써, 매트릭스 형태로 배열된 액정 셀들이 1개 라인씩 순차적으로 선 택되도록 하고, 그 선택된 1개 라인의 액정 셀들에는 데이터 드라이버 집적회로로부터 데이터 신호가 공급된다.

상기 컬러필터 기판 및 박막트랜지스터 어레이 기판의 대향하는 내측 면에는 각각 공통전극과 화소전극이 형성되어 상기 액정층에 전계를 인가한다. 이때, 화소전극은 박막트랜지스터 어레이 기판 상에 액정 셀 별로 형성되는 반면에 공통전극은 컬러필터 기판의 전면에 일체화되어 형성된다. 따라서, 공통전극에 전압을 인가한 상태에서 화소전극에 인가되는 전압을 제어함으로써, 액정 셀들의 광투과율을 개별적으로 조절할 수 있게 된다.

이와 같이 화소전극에 인가되는 전압을 액정 셀 별로 제어하기 위하여 각각의 액정 셀에는 스위칭 소자로 사용되는 박막트랜지스터가 형성된다.

상기한 바와 같은 액정표시장치의 구성요소들을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

먼저, 도 1은 일반적인 액정표시장치의 단위화소에 대한 평면도이다.

도 1을 참조하면, 게이트 배선(4)이 기판 상에 일정하게 이격되어 행으로 배열되고, 데이터 배선(2)이 일정하게 이격되어 열로 배열된다. 따라서, 게이트 배선(4)과 데이터 배선(2)은 매트릭스 형태로 배열된다. 이때, 단위 액정 셀은 데이터 배선(2)과 게이트 배선(4)의 교차 영역에 정의되며, 박막트랜지스터(TFT)와 화소전극(14)을 구비한다.

상기 게이트 배선(4)의 소정의 위치에서 연장되어 박막트랜지스터(TFT)의 게이트 전극(10)이 형성되고, 상기 데이터 배선(2)으로부터 소스 전극(8)이 연장되어, 상기 게이트 전극(10)과 소정의 영역이 오버랩(overlap)되어 있다.

그리고, 상기 게이트 전극(10)을 기준으로 소스 전극(8)과 대응하는 위치에 드레인 전극(12)이 형성되고, 상기 드레인 전극(12) 상에 형성된 드레인 콘택홀(16)을 통해 화소전극(14)이 드레인 전극(12)과 전기적으로 접속되게 된다.

상기 박막트랜지스터(TFT)는 게이트 배선(4)을 통해 게이트 전극(10)에 공급되는 주사신호에 의해 상기 소스 전극(8)과 드레인 전극(12) 사이에 전도 채널(conductive channel)을 형성하기 위한 반도체층(미도시)을 구비한다.

이와 같이 박막트랜지스터(TFT)가 게이트 배선(4)으로부터 공급되는 주사 신호에 응답하여 소스 전극(8)과 드레인 전극(12) 사이에 전도 채널을 형성함에 따라 데이터 배선(2)을 통해 소스 전극(8)으로 공급된 데이터 신호가 드레인 전극(12)에 전송되도록 한다.

한편, 드레인 콘택홀(16)을 통해 드레인 전극(12)에 접속된 화소전극(14)은 광투과율이 높은 투명 ITO(indium tin oxide) 물질로 형성된다. 이때, 상기 화소전극(14)은 드레인 전극(12)으로부터 공급되는 데이터 신호에 의해 컬러필터 기판에 형성되는 공통 투명전극(미도시)과 함께 액정층에 전계를 발생시킨다.

이와 같이 액정층에 전계가 인가되면, 액정은 유전 이방성에 의해 회전하여 백라이트로부터 발광되는 빛을 화소전극(14)을 통해 컬러필터 기판 쪽으로 투과시키며, 그 투과되는 빛의 양은 데이터 신호의 전압 값에 의해 조절된다.

그리고, 스토리지 콘택홀(22)을 통해 화소전극(14)에 접속된 스토리지 전극(20)은 게이트 배선(4) 상에 증착되어 스토리지 커패시터(18)를 형성하며, 스토리지 전극(20)과 게이트 배선(4) 사이에는 상기 박막트랜지스터(TFT)의 형성과정에서 증착되는 게이트 절연막(미도시)이 삽입되어 있다.

상기한 바와 같은 스토리지 커패시터(18)는 게이트 배선(4)에 주사신호가 인가되는 박막트랜지스터의 턴-온(turn-on) 기간 동안 주사신호의 전압값이 충전된 후, 박막트랜지스터의 턴-오프(turn-off) 기간 동안 그 충전된 전압을 상기 화소전극(14)에 공급함으로써, 액정의 구동이 유지되도록 한다.

도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 절단한 단위 화소의 단면을 보인 예시도로서, 박막트랜지스터 어레이 기판(50)과 대향하여 합착되는 컬러필터 기판(60)과 상기 박막트랜지스터 어레이 기판(50) 및 컬러필터 기판(60)을 일정하게 이격시키는 스페이서(70) 및 상기 박막트랜지스터 어레이 기판(50)과 컬러필터 기판(60) 사이의 이격된 공간에 액정이 충진된 액정층(80)으로 구성된다.

상기의 TFT어레이 기판(50)에는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)와 스토리지 커패시터(C)가 형성되어 있다.

상기에서 박막트랜지스터는 액정이 구동 할 수 있도록 하는 핵심 소자로서 그 제조 공정은 현재 5개의 마스크를 이용한 5마스크 공정이 널리 사용되고 있다.

이하, 상기 5마스크 공정을 도 3을 통하여 상세히 설명한다.

도 3a ~ 3e는 5개의 마스크를 사용하여 박막트랜지스터를 제조하는 공정을 나타낸다.

먼저, 도3a에 도시한 바와 같이, 유리기판(301)의 상부에 게이트 전극물질(미도시)을 형성한다. 상기의 게이트 배선을 형성하기 위한 금속막은 소정의 시간 동안 박막트랜지스터에 전압을 유지시키기 위한 저장영역의 배선과 게이트 패드부로서의 역할도 한다.

상기의 게이트 금속막을 형성한 다음, 포토레지스터(미도시)를 상기 금속막 위에 증착하고 제1 마스크(미도시)를 통해 포토리소그래피(photolithography)를 실시하여 유리기판(301)의 채널영역에 게이트 전극(302)을 선택적으로 형성한다.

그리고, 도 3b에 도시한 바와 같이, 상기 결과물의 상부에 SiNx 재질을 갖는 게이트절연막(303)과, 액티브층(304)을 순차적으로 형성한 다음, 제 2 마스크(미도시)를 통해 포토리소그래피를 실시하여 상기 액티브층(304)이 상기 채널영역 상에 잔류하도록 선택적으로 식각한다. 이때, 액티브층(304)은 비정질실리콘(a-Si)(304a)과 고농도의 n+ 비정질실리콘층(304b)을 적층하여 형성한다.

상기의 절연층(SiNx) 및 액티브 층의 증착은 통상 플라즈마 화학기상증착(plasma enhanced chemical vapor deposition: PECVD)방법에 의해 이루어진다.

그리고, 도 3c에 도시한 바와 같이, 상기 결과물의 상부에 소스/드레인 전극물질을 형성한 다음 제 3 마스크(미도시)를 통해 포토리소그래피를 실시하여 상기 소스/드레인 전극물질이 상기 채널영역 상에서는 상기 액티브층(304)의 양측에 이격되어 소스/드레인 전극(306, 307)으로 적용될 수 있도록 식각한다.

그리고, 도 3d에 도시한 바와 같이, 상기 결과물의 상부에 보호막(308)을 형성한 다음 제 4 마스크(미도시)를 통해 포토리소그래피를 실시하여 상기 채널영역의 드레인 전극(307)이 노출되도록 선택적으로 식각한다.

그리고, 도 3e에 도시한 바와 같이, 상기 결과물의 상부에 전극물질을 형성한 다음 제 5 마스크(미도시)를 통해 포토리소그래피를 실시하여 상기 채널영역의 드레인 전극(307)과 접속되는 화소전극(309)을 형성한다.

마스크의 수는 액정표시장치의 제조에 있어서 매우 중요한 문제이며 비용절감 및 생산량향상 등에 직접적 영향을 줌으로 4개의 마스크가 적용되는 액정 표시장치의 제조방법이 제안되었다.

4개의 마스크를 이용하여 박막트랜지스터를 제작하는 공정에서는 슬릿 마스크를 사용하여 박막트랜지스터의 위치 별로 서로 다른 노광이 이루어지게 하여 현상 과정에서 포토레지스트의 두께가 서로 다른 하프 톤 포토레지스트(half tone photoresistor)를 형성하는 것이 주요 기술이다.

이하, 일반적인 슬릿 마스크 구조를 도 4a를 통하여 설명한다.

일반적인 슬릿 마스크는 도 4a에 도시한 바와 같이, 'U'형으로 구성되는 소스 패턴부(401)와 상기 소스 패턴부(401)의 요(凹)부로 진입해 있으며 요(凹)부의 삼 면과 일정한 이격 거리를 두고 있는 드레인 패턴부(402)와 상기의 소스 패턴(401) 및 드레인 패턴부(402)의 이격 공간 사이에 형성되며 드레인 패턴부(402)의 장축과 평행한 수평부(403a), 드레인 패턴부(402)의 장축과 수직한 수직부(403b), 상기 수평부(403a)와 수직부(403b)가 만나는 사선부(403c)를 포함하는 슬릿 패턴부(403)가 배치된 구조를 하고 있다.

이와 같은 슬릿 마스크를 사용하는 4마스크 박막트랜지스터 공정에서는 슬릿의 간격 및 패턴 형상이 채널의 형상과 정밀도를 결정하는 주요 요소이다.

그러나, 슬릿 마스크의 패턴을 제작하는 과정에서 슬릿 마스크의 패턴은 2㎛이하의 정밀한 제작과정이 필요한데, 도 4a에서 보는 바와 같이 일반적인 마스크 형상은 'U'형으로 구성됨으로 슬릿 패턴이 꺾이는 사선부(403c)가 발생하고 이 부분에서의 패턴 간격의 불균형이 발생하는 경우가 많다. 설계상으로는 슬릿의 간격을 동일하게 만들더라도 마스크를 제작하는 과정에서 기술적 한계 등으로 수평부(403a)와 사선부(403c)의 편차 발생은 필연적이다.

통상 슬릿 패턴의 수평부(403a)에 의해서 형성되는 채널의 폭과 채널의 수직부(403b)에 의해 만들어지는 채널의 폭과의 오차는 500Å내외로 양호하지만 슬릿 패턴의 수직부(403a), 수평부(403b)에 의해 만들어지는 채널과 슬릿 패턴의 상기 사선부(403c)에 의해 만들어지는 채널과의 오차는 2000Å내외로 크게 나타난다.

도 4b는 슬릿 마스크의 정밀도 불량으로 인한 불량 채널의 형성을 촬영한 샘(scanning electron microscope: SEM)사진이다.

본 발명은 상기에서 살펴 보았듯이 액정표시장치의 박막트랜지스터 제작을 위해 슬릿 마스크를 사용하는 4마스크 공정에서 슬릿 마스크의 구조적 단점을 개선하여 더욱 정밀한 채널영역을 형성함과 더불어 용이한 슬릿 마스크의 제작을 가능하게 한 액정표시소자 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 액정표시소자의 제조방법은 기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극상에 게이트절연막, 반도체층 및 도전층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 도전층상에 감광막을 형성하는 단계; 상기 감광막상에 단방향 슬릿 마스크를 적용하고 포토리소그래피 공정을 진행하여 소스 전극, 드레인 전극 및 채널층을 형성하는 단계; 상기 소스 전극 및 드레인 전극 상에 보호막을 형성하는 단계 및 상기 보호막상에 화소전극을 형성하는 단계를 포함한다.
또한, 본 발명의 액정표시소자는 'U'형의 소스 전극; 상기 소스 전극의 요(凹)부에 형성되는 드레인 전극; 및 상기 소스 전극과 드레인 전극의 장변 사이에 형성되는 채널층을 포함한다.

이하, 본 발명의 액정표시소자를 제조하는데 적용되는 슬릿 마스크의 원리를 살펴본다.

빛은 파동성을 가지므로 장애물을 만나면 회절하는 성질을 가진다. 빛이 좁은 슬릿을 통과할 때 회절하여 진행하므로 경로의 차이가 발생한다.

이때, 상기의 경로차에 따라 빛이 서로 보강간섭을 하거나 상쇄 간섭을 하게 된다.

상기의 좁은 슬릿에서의 빛의 경로차 △λ= d*x/L의 관계를 가진다.

참고로, 상기 공식에서 △λ는 빛이 회절함으로서 발생하는 파장의 위상차를 나타내며, d는 슬릿간격을 나타내며, x는 빛의 간섭 무늬 사이의 간격을 나타내며, L은 슬릿간의 간격을 나타낸다.

상기의 공식에서 보는 바와 같이 슬릿의 간격과 빛의 회절 정도는 반비례하며 슬릿간격을 조절함으로써 빛의 회절 정도를 조절할 수 있다. 또한 회절하는 빛의 위상차 △λ를 파장 λ의 정수배가 되게 하면 회절하여 만나는 빛은 고강도의 보강간섭을 하고 파장의 반의 정수배가 되게 하면 빛은 상쇄간섭하여 어둡고 약해진다.

상기의 원리를 이용한 것이 슬릿 마스크인데 슬릿 마스크는 슬릿의 간격 d와 슬릿과 포토레지스터 막과의 거리 L과 노광하는 빛의 파장을 결정하여 포토 레지스트에 서로 다른 빛의 강도로 노광이 가능하게 한다. 포토레지스트는 빛에 노출되는정도에 따라 현상(developing)정도가 다르게 나타난다.

특히 노광 되는 빛은 그 파장의 길이가 매우 작으므로 회절을 일으키기 위해서는 슬릿 폭의 정밀도가 매우 중요하다.

본 발명은 슬릿 마스크에 불량이 발생하여 포토레지스트에 노광이 불균일하게 형성되고 그 결과 식각의 불균일로 채널층의 단락 등의 불량이 발생하는 문제를 해결하기 위해 슬릿 마스크의 구조를 단일 방향으로 배치된 슬릿 패턴을 포함하도록 변경 제작하는 데 있다.

이하, 도 5a를 통하여 본 발명의 슬릿 마스크의 구조를 상세히 설명한다.

도 5a에 도시한 바와 같이, 본 발명의 슬릿 마스크는 'U'형의 소스 전극을 형성하기 위한 'U'형의 소스 패턴부(501)와 상기 소스 패턴부(501)의 요(凹)부로 진입하고 소스 패턴부(501)의 내측과 일정한 이격거리를 유지하는 일(一)자형의 드레인 패턴부(502) 및 상기 소스 패턴부(501)와 드레인 패턴부(502) 사이에 형성되는 이격 공간에 드레인 패터부(502)의 장축부와 평행하고 장축의 양측으로 배치되는 슬릿 패턴부(503)를 포함하여 이루어진다.

상기의 슬릿 패턴부(503)는 서로 평행하고 동일한 크기로 이루어져 있다.

상기의 슬릿 마스크는 'U'형의 채널의 길이가 약 30㎛이고 소스 패턴부(501)와 드레인 패턴부(502)의 이격 거리가 약 5㎛이다. 슬릿의 폭은 약 1㎛내외이다.

도 5a에서와 같이 본 발명의 슬릿 패턴부(503)는 채널영역 내에서 꺾이는 부분이 없이 드레인 패턴부(502)의 양측에 형성되므로 채널층은 드레인 패턴부(502)의 장축방향의 좌, 우측에만 형성이 된다.

도 5b는 본 발명의 슬릿 마스크를 사용하여 제조한 스위칭 소자에서 채널이 형성되는 모습을 보인 도면이다.

본 발명의 슬릿 마스크에 의해서 스위칭 소자는 'U'형의 소스 전극(501')과 'ㅡ'형의 드레인 전극(502')이 형성되고 드레인 전극(502')의 장변과 소스 전극(501') 사이에 채널영역이 형성된다. 소스 전극(501')과 드레인 전극(502')의 단변 사이에는 채널이 형성되지 않는다.

도 5a의 K-K' 라인을 절단면으로 하여 도시한 본 발명의 액정표시장치의 스위칭 소자의 제조공정을 도 6a ~ 6g를 통해 살펴본다.

먼저, 도 6a에 도시한 바와 같이, 기판(601)의 상부에 전극물질을 형성한 다음 제 1 마스크( 미도시)를 통해 포토리소그래피를 실시하여 기판(601)상에 게이트 전극(602)을 패터닝한다.

그리고, 도 6b에 도시한 바와 같이, 상기 결과물의 상부에 SiNx 재질의 게이트절연막(603), 액티브층 및 전극물질로 이루어진 전극층(606)을 순차적으로 형성한다. 이때, 상기 액티브층은 비정질실리콘(a-Si)(604)과 고농도의 n+ 비정질실리콘(605)이 적층된 반도체층이다.

그리고, 도 6c에 도시한 바와 같이, 상기 전극층(606)의 상부에 감광막(PR)(607)을 형성한 다음 본 발명의 단방향 슬릿마스크인 제 2 마스크(M)를 통해 포토리소그래피를 실시하여 상기 채널영역 상에 선택적으로 잔류하는 감광막(PR)(607)의 패턴을 형성한다.

상기의 결과 소스 전극과 드레인 전극의 장변 사이에는 회절 노광이 이루어져 단차를 가진 감광막 패턴이 형성되고 소스 전극과 드레인 전극의 단변 사이에는 완전 노광이 이루어져 감광막이 제거되어 상기 전극층(606)이 노출된다.

상기의 회절 노광된 포토레지스터는 일부가 제거됨으로 향후 서로 다른 식각율을 나타낼 수 있다.

도 6d는 상기 감광막(PR)(607)의 패턴을 통해 포토레지스터가 제거되고 노출된 영역의 적층막을 상기 게이트절연막(603)이 노출될 때까지 식각한 것을 나타낸다.

그리고, 도 6e에 도시한 바와 같이, 상기 회절 노광이 적용되어 다른 영역의 감광막(PR)(608) 패턴에 비해 얇은 두께를 갖는 채널영역 게이트 전극(602) 상의 전극층(606) 상부 감광막(PR)(608)을 선택적으로 제거한다.

그리고, 도 6f에 도시한 바와 같이, 상기 감광막(PR)(608)이 선택적으로 제거되어 노출된 전극층(606)을 식각하고, 계속해서 액티브층(604, 605)을 소정의 두께만큼 식각하여 액티브층의 양측 상부에 이격되는 소스/드레인 전극을 형성한 다음 상기 잔류하는 감광막(PR)(608)을 제거한다.

이때, 본 발명의 소스 전극과 드레인 전극의 장변 사이에서는 액티브층이 남게 되지만 소스 전극과 드레인 전극의 단변 사이에는 액티브층이 제거되어 채널이 형성되지 않게 된다.

그리고, 도 6g에 도시한 바와 같이, 상기 결과물의 상부 전면에 SiNx 재질의 보호막(609)을 형성한다.

다음으로, 도면에는 도시하지 않았지만, 감광막을 도포하고 콘택홀을 형성한 다음 화소전극을 형성하여 스위칭 소자를 완성한다.

본 발명은 액정표시장치의 박막트랜지스터의 제작에 사용되는 4개의 마스크 중, 슬릿 마스크의 구조를 단반향의 슬릿 패턴부로 구성함으로써 하프 톤(half tone)채널을 만들 때 채널의 균일성을 향상시키는 효과가 있다. 그 결과, 하프 톤 채널내의 채널의 불균일한 형성으로 소자특성이 저하되는 문제를 해결할 수 있다. 또한, 선폭 불량에 따른 채널의 단락 등을 방지할 수 있고 수율을 향상할 수 있다.

Claims (9)

1. 기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계;

   상기 게이트 전극상에 게이트절연막, 반도체층 및 도전층을 순차적으로 형성하는 단계;

   상기 도전층상에 감광막을 형성하는 단계;

   상기 감광막상에 단방향 슬릿 마스크를 적용하고 포토리소그래피 공정을 진행하여 소스 전극, 드레인 전극 및 채널층을 형성하는 단계;

   상기 소스 전극 및 드레인 전극 상에 보호막을 형성하는 단계 및

   상기 보호막상에 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시소자의 제조방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 슬릿 마스크는

   'U'형의 소스 패턴부;

   상기 소스 패턴부의 요(凹)부에 형성되는 드레인 패턴부; 및

   상기 소스 패턴부와 드레인 패턴부 사이에 형성되는 단방향의 슬릿 패턴부를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
3. 제 2 항에 있어서, 상기 슬릿 패턴부는 드레인 패턴부의 장축과 평행하게 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
4. 제 2 항에 있어서, 상기 슬릿 패턴부는 드레인 패턴부의 양측에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
5. 제 1 항에 있어서, 상기 소스 전극, 드레인 전극 및 채널층을 형성하는 단계는

   상기 감광막을 회절노광하는 단계;

   상기 회절노광된 감광막 패턴을 식각마스크로 적용하여 상기 도전층 및 반도체층을 제거하는 단계;

   상기 회절노광된 감광막 패턴을 일부 제거하는 단계; 및

   상기 일부 제거된 감광막 패턴을 식각 마스크로 적용하여 채널층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
6. 5 항에 있어서, 상기 채널층을 형성하는 단계는

   상기 채널층이 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에서 한 방향으로만 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
7. 제 6 항에 있어서, 상기 소스 전극은 "U"형이며 상기 드레인 전극은 상기 소스 전극의 요(凹)부에 'ㅡ'형으로 형성되며 상기 채널층은 상기 소스 전극 및 드레인전극의 장변 사이에 단방향으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
8. 'U'형의 소스 전극;

   상기 소스 전극의 요(凹)부에 형성되는 드레인 전극; 및

   상기 소스 전극과 드레인 전극의 장변 사이에 형성되는 채널층을 포함하는 액정표시소자.
9. 제 8 항에 있어서, 단방향 슬릿 마스크에 의해 상기 소스 전극과 드레인 전극의 장변 사이에 채널영역이 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.

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