KR100312260B1 - 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 능동형 매트릭스 액정표시장치에 관한 것으로, 데이터라인이 형성된 기판에 배면노광을 통하여 자기정렬에 의하여 화소전극을 패터닝함으로써, 전체 화소셀에 걸쳐 화소전극과 데이터라인간의 간격이 균일하게 하려 하기 위하여, 다수개의 게이트라인과 다수개의 데이터라인이 교차하여 다수개의 화소셀을 정의하고, 상기 각 화소셀의 게이트라인과 데이터라인의 교차부에는 스위칭소자가 형성되어 있고, 스위칭소자에는 화소전극이 형성되어 있는 액정표시장치에 있어서, 상기 각 화소셀의 화소전극의 일측면과 이에 인접하는 데이터라인의 측면과의 거리가 1㎛이하인 액정표시장치를 제공하며, 데이터라인이 형성된 기판에 배면노광을 통하여 화소전극을 자기정합법에 의하여 패터닝함으로써, 화소전극과 데이터라인간의 간격을 전체 화소셀에 걸쳐 균일하게 형성할 수 있어서, 화면의 얼룩현상을 줄일 수 있다.

Description

액정표시장치 및 그 제조방법{An LCD and a fabricating method thereof}
본 발명은 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로 특히, 능동소자를 부착하여 각각의 화소를 독립적으로 구동시키는 능동형 매트릭스 액정표시장치(Active Matrix Liquid Crystal Display; AMLCD ) 및 그 제조방법에 관한 것이다.
액정표시장치는 스위칭소자와 화소전극을 구비하는 다수개의 화소셀이 배열되어 있는 하판과, 다수개의 컬러필터 및 공통전극으로 구성된 상판과, 이 두 기판 사이에 채워져 있는 액정으로 구성되어 있으며, 두 기판의 양쪽면에는 자연광을 선편광시켜주는 편광판이 각각 부착되어 있다.
도 1은 종래기술에 따른 액정표시장치의 평면구조를 개략적으로 나타낸 것이다.
데이터라인(15L)과 게이트라인(11L)이 교차하여 임의의 화소셀 영역을 정의하고 있으며, 데이터라인(15L)과 게이트라인(11L)의 교차부에는 스위칭소자인 박막트랜지스터(TFT)가 형성되어 있다.
TFT는 게이트라인(11L)으로부터 돌출된 게이트전극(11G), 데이터라인(15L)으로부터 돌출된 소오스전극(15S) 및 소오스전극(15S)에 대응되어 형성된 드레인전극(15D) 및 이들 전극에 중첩된 활성층(13)을 구비하고 있다.
그리고, 드레인전극(15D)에는 화소전극(17)이 연결되어 있는데, 화소전극(17)은 전단의 게이트라인(10L)과 중첩되어 스토리지 캐패시터를 이루고 있다.
이 때, 소오스전극(15S)을 구비하는 데이터라인(15L), 게이트전극(11G)을 구비하는 게이트라인(11L), 드레인전극(15D) 및 화소전극(17)의 형성은 소정의 물질층을 증착한 다음, 그 상부에 감광막을 도포하고 선택노광 및 현상하여 소정의 패턴을 가지는 감광막패턴을 형성한 다음, 감광막패턴을 마스크로 하여 소정의 물질층을 식각하는 통상의 배선 형성 과정을 통하여 이루어진다.
그러나, 언급한 바와 같은 제조공정에 의하여 화소전극을 형성하는 경우에는 노광공정시 노광장비의 오정렬에 의한 노광오차 혹은, 식각공정시 식각공정조건에 의한 식각오차에 의하여 화소전극의 패턴위치에 변동이 일어나는 경우가 발생한다.
이를 도 2를 참조하여 다음에서 설명한다.
도 2는 화소전극과 데이터라인의 중첩정도를 나타낸 도면으로, 도 1의 I-I 절단선을 따라 나타낸 단면구조도이다.
기판(100) 상에 게이트절연막(12)이 형성되어 있고, 게이트절연막(12) 상에 데이터라인(15L)이 형성되어 있고, 그 상부에 보호막(16)이 형성되어 있다. 그리고, 보호막(16) 상에는 데이터라인(15L)을 사이에 두고 두 화소전극(17)이 데이터라인(15L)과 좌우로 각각 L, R의 간격을 두고 위치하고 있다.
그런데, 종래 기술에 따른 액정표시장치를 제작하는 과정에서 노광오차나 식각오차가 발생하는 경우에는 화소전극의 위치는 최초의 설계 위치에 대하여 변동이 일어난다. 이러한 변동은 특히, 분할노광을 진행하는 경우에 크게 일어난다.
분할노광을 진행하는 경우에는 노광시마다 포토마스크등의 장비를 새롭게 정렬해야 하기 때문에 화소전극과 데이터라인간의 간격인 L 혹은, R을 전체 화소셀에 걸쳐서 균일하게 할 수 없다는 문제점이 있다. 그 결과, 전체 화소셀에 있어서 화소전극과 데이터라인 간의 기생 캐패시터 값은 큰 편차를 가지게 되어 화면 전체에 걸쳐 얼룩현상이 일어나고, 크로스 토크가 더 심하게 일어난다.
본 발명은 상기 종래 기술에 따른 문제점을 해결할 수 있는 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.
본 발명은 데이터라인이 형성된 기판에 배면노광을 통하여 자기정렬에 의하여 화소전극을 패터닝함으로써, 전체 화소셀에 걸쳐 화소전극과 데이터라인간의 간격이 균일하게 이루어진 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공하려 하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 다수개의 게이트라인과 다수개의 데이터라인이 교차하여 다수개의 화소셀을 정의하고, 상기 각 화소셀의 게이트라인과 데이터라인의 교차부에는 스위칭소자가 형성되어 있고, 스위칭소자에는 화소전극이 형성되어 있는 액정표시장치에 있어서, 상기 각 화소셀의 화소전극의 일측면과 이에 인접하는 데이터라인의 측면과의 거리가 1㎛이하인 액정표시장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 다수개의 게이트라인과 다수개의 데이터라인이 교차하여 다수개의 화소셀이 정의되고, 상기 각 화소셀의 게이트라인과 데이터라인의 교차부에는 스위칭소자가 형성된 기판을 마련하는 단계와, 상기 기판의 노출된 부분을 덮는 보호막을 증착하는 단계와, 상기 보호막을 사진식각하여 상기 스위칭소자의 일전극을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 드레인전극의 노출된 부분을 포함하는 기판의 노출된 전면을 덮는 투명도전물질층을 형성하는 단계와, 상기 투명도전물질층 상에 음성형 감광막을 형성하는 단계와, 상기 음성형 감광막을 배면노광법에 의하여 선택노광하는 단계와, 상기 선택노광된 감광막을 현상하여 소정 형상의 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광막 패턴을 마스크로 하여 상기 투명물질층을 식각하는 단계를 포함하는 액정표시장치의 제조방법을 제공한다.
도 1은 종래 기술에 따른 액정표시장치의 평면도
도 2는 도 1의 I-I 절단선을 따라 나타낸 단면도
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 평면구조도
도 4는 도 3의 II-II 절단선을 따라 나타낸 단면구조도
도 5a부터 도 5g는 도 3에 보인 액정표시장치의 제조공정을 설명하기 위한 도면
도 6a부터 도 6b는 배면노광시 광의 조사방향을 변화시킬 경우의 화소전극과 데이터라인의 간격조절을 설명하기 위한 도면
도 7은 본 발명에 따른 액정표시장치에서 화소전극과 데이터라인의 간격범위를 나타낸 도면
이하, 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 3과 도 4는 본 발명의 제 1 실시예를 설명하기 위한 도면으로, 도 3은 본 발명을 구현한 액정표시장치의 평면도를 나타내고, 도 4는 도 3의 Ⅱ-Ⅱ'절단선을 따라나타낸 단면도이다.
액정표시장치는 다수개의 게이트라인과 대수개의 데이터라인이 교차하여 다수개의 화소셀이 배열되는 구조를 가진다.
도면에는 데이터라인(35L)과 게이트라인(31L)이 교차하여 하나의 화소셀을 형성하고 있으며, 교차부에는 스위칭소자인 박막트랜지스터(TFT)가 형성되어 있다. TFT는 게이트라인(31L)의 일부, 데이터라인(35L)의 일부, 드레인전극(35D) 및 이들에 중첩된 활성층(33)을 구비하고 있다. 활성층(33)을 도면에 보인 바와 같이, 게이트라인(31L)에 의하여 충분히 중첩될 수 있도록 형성된 경우에는 백라이트의 광에 노출됨으로써 야기되는 누설전류를 방지할 수 있는 잇점이 있다.
그리고, 드레인전극(35D)에는 화소전극(37)이 연결되어 있는데, 전단의 게이트라인(30L)과 중첩되어 온 게이트(on gate) 방식의 스토리지 캐패시터를 이루고 있다.
이 때, 화소전극(37)은 배면노광에 의하여 형성되므로, 데이터라인, 보조전극 혹은, 게이트라인을 마스크로 하여 자기정렬적으로 노광되고, 패터닝된다. 이와 같이, 화소전극(37)은 포토마스크를 사용하지 않고서도 데이터라인 혹은 게이트라인을 마스크로 자기정렬에 의하여 패터닝되므로, 전체 화소셀에 걸쳐 데이터라인(35L)과의 간격은 균일하게 된다.
즉, 도면에 보인 바와 같이, 전체 화소셀에 걸쳐 데이터라인(35L)과 그 좌측부의 화소전극(37)과의 간격은 'L'로 균일하고, 데이터라인(35L)과 그 우측부의 화소전극(37)과의 간격은 'R'로 균일하게 된다. 따라서, 화소전극과 데이터라인의 간격의불균일로 야기되는 화면의 얼룩현상의 발생을 억제할 수 있다.
한 편, 도면에 보인 바와 같이, 전단의 게이트라인(30L)과 화소전극(37)의 사이에 위치하는 유전층의 두께를 줄이기 위하여 데이터라인(35L) 형성물질로 형성된 보조전극(35C)을 개재하는 경우에는 유전층의 두께를 게이트절연막과 보호막의 두께에서 게이트절연막만의 두께로 감소시킬 수 있어서 그 만큼의 캐패시턴스 용량을 증가시킬 수 있다.
이 때, 도면에 보인 바와 같이, 게이트라인(30L)을 충분히 덮도록 보조전극(35C)을 패터닝하는 경우에는 하나의 화소셀에 있어서의 게이트라인과 화소전극의 중첩에 의하여 발생되는 기생용량 Cgs를 줄일 수 있다.
도 5a부터 도 5g는 도 3과 도 4에 보인 액정표시장치의 제조공정을 설명하기 위한 도면으로, 도 3의 Ⅱ-Ⅱ절단선을 따라 나타낸 단면제조공정도이다.
도 5a를 참조하면, 기판(300) 상에 제 1 도전층을 증착하고 사진식각하여 게이트라인(31L)을 형성한다. 이어서, 게이트라인(31L)을 덮는 게이트절연막(32)을 증착한다. 그 다음, 도면에는 표시하지 않았지만, 게이트절연막(32) 상의 소정 부분에 활성층을 형성한다.
도 5b를 참조하면, 게이트절연막(32)을 포함하는 기판의 노출된 전면을 덮는 제 2 도전층을 증착하고, 사진식각하여 데이터라인(35L) 및 스토리지 캐패시터를 위한 보조전극(35C)을 형성한다. 이 때, 게이트절연막(32) 상에 드레인전극(도면미표시)도 함께 형성한다.
도 5c를 참조하면, 기판의 노출된 전면을 덮는 보호막(36)을 증착한 후,보호막(36)을 사진식각하여 보조전극(35C)의 일부를 노출시키는 콘택홀을 형성한다. 이 때, 도면에는 표시하지 않았지만, 드레인전극의 일부를 노출시키는 콘택홀도 함께 형성한다.
이어서, 기판의 노출된 전면을 덮는 투명도전층(37ℓ)을 증착한 다음, 투명도전층(37ℓ)을 덮는 음성형 감광막(PR)을 도포한다.
도 5d를 참조하면, 화소전극을 형성하기 위한 식각마스크로 사용될 감광막 패턴을 형성하기 위한 노광작업을 진행한다. 이 때, 노광작업은 배면노광과 상면노광을 통하여 진행된다. 이 때, 상면노광은 화소전극을 전단의 게이트라인까지 중첩(도 3참조)시키기 위하여 실시하는 것이므로, 온 게이트방식의 스토리지 캐패시터를 형성하지 않을 경우에는 생략할 수 있다.
배면노광 결과, 음성형 감광막(PR)은 게이트라인(31L) 및 데이터라인(35L)을 제외한 부분을 통과하는 광에 의하여 자기정렬적으로 노광된다.
그리고, 상면노광 결과, 포토마스크(M)의 패턴대로 배면노광에 의하여 노광된 부분에서 전단의 게이트라인까지 노광부분이 확장된다.
노광작업은 배면노광 후 상면노광 혹은, 상면노광 후 배면노광의 순서에 의하여 진행할 수 있다.
도 5e를 참조하면, 패턴노광된 음성형 감광막을 현상하여 감광막패턴(39)을 현상한다. 감광막패턴(PR)은 도 3에 보인 평면도에서의 화소전극(37)과 같은 형상으로 패터닝된다.
도 5f를 참조하면, 감광막패턴(PR)을 마스크로 하여 그 하단의 투명도전물질층을식각하여 화소전극(37)을 형성한다. 이 때, 화소전극(37)의 데이터라인(35L) 쪽 부분은 데이터라인(35L)을 마스크로하는 배면노광을 통하여 자기정합적으로 패터닝된다. 따라서, 화소전극(37)과 데이터라인(35L)의 간격은 전체 화소셀에 걸쳐 균일하게 된다. 따라서, 전체 화소셀에 걸쳐서 기생용량의 편차정도를 줄일 수 있어서, 표시화면의 얼룩현상을 줄일 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 화소전극을 배면노광에 의하여 데이터라인을 마스크로 자기정렬적으로 형성하기 때문에 노광장비의 정렬오차로 인한 야기되는 데이터라인과 화소전극간의 간격 불균일을 해소한다.
본 발명은 노광작업시 광 조사방향을 조절함으로써, 화소전극과 데이터라인간의 간격을 조절할 수 있다. 이를 도 6a부터 도 6b를 참조하여 설명하면 다음과 같다. 설명의 편의를 위하여, 하기 도면에는 화소전극과 데이터라인 부분만을 개략적으로 나타낸 것이다. (노광공정만을 제외하고는 본 발명의 제 1 실시예에서의 액정표시장치의 제조공정과 동일하므로 동일한 구성에는 동일 부호를 사용한다.)
도 6a를 참조하면, 투명물질층(37ℓ)과 음성형 감광막(PR)까지 형성한 기판에 화소전극을 형성하기 위한 배면노광을 진행한다. 이 때, 기판에 대한 광의 조사방향 혹은 조사각도는 데이터라인(35L)에 대한 화소전극의 위치를 고려하여 결정한다.
도면에는 데이터라인(35L)의 좌측부분에 위치하는 화소전극은 데이터라인(35L)에 'L'의 간격으로 중첩되고, 데이터라인의 우측부분에 위치하는 화소전극은 데이터라인(35L)에 'R'의 간격으로 이격되어 위치하게 형성되도록 광을 조사한 경우를 나타낸 것이다.
이 경우에는 데이터라인(35L)의 좌측 화소전극을 데이터라인(35L)에 중첩되어 있으므로, 데이터라인 좌측 부분에서 발생하는 빛샘현상을 방지할 수 있는 잇점이 있다.
동일한 방법에 의하여 데이터라인 우측 부분에서 발생하는 빛샘현상을 방지하기 위하여 데이터라인의 우측부분에 위치하는 화소전극의 위치를 변경할 수 도 있다.
따라서, 기판에 대한 광의 조사방향 혹은 조사각도를 적절하게 조절하는 경우에는 화소전극(37)과 데이터라인(35L)의 간격도 조절할 수 있다.
본 발명은 배면노광시 기판의 각도 또는, 광의 조사각도를 조절함으로써 화소전극(37)과 데이터라인(35L)과의 간격을 자유롭게 조절하는 것이 가능하다. 본 발명은 도 7에 보인 바와 같이, 화소전극(37)을 데이터라인(35L)의 일 측단을 기준(39)으로 하여 ±1㎛ 범위의 간격을 두고 형성하는 것이 가능하다.
이 때, 감광막의 현상공정 혹은, 식각공정 중에 CD(Critical Dimension)를 조절할 경우 화소전극(37)과 데이터라인(35L)의 간격은 더 정밀한 범위로 조절할 수 있다.
본 발명은 데이터라인이 형성된 기판에 배면노광을 통하여 화소전극을 자기정합법에 의하여 패터닝함으로써, 화소전극과 데이터라인간의 간격을 전체 화소셀에 걸쳐 균일하게 형성할 수 있어서, 화면의 얼룩현상을 줄일 수 있다. 또한, 본 발명은 배면노광시 기판의 각도 또는, 광의 조사각도를 조절함으로써 화소전극과 데이터라인 간의 간격을 조절할 수 있다.
본 발명은 제시된 실시예 뿐만이 아니라, 첨부된 특허청구범위 및 언급한 상술부분을 통하여 다양한 실시예로 구현될 수 있으며, 동업자에 의하여 다양한 방식으로 적용될 수 있다.

Claims (9)

  1. 다수개의 게이트라인과 다수개의 데이터라인이 교차하여 다수개의 화소셀을 정의하고, 상기 각 화소셀의 게이트라인과 데이터라인의 교차부에는 스위칭소자가 형성되어 있고, 스위칭소자에는 화소전극이 형성되어 있는 액정표시장치에 있어서,
    상기 각 화소셀의 화소전극의 일측면과 이에 인접하는 데이터라인의 측면과의 거리가 1㎛이하인 액정표시장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 각 화소셀의 화소전극의 다른 측면과 이에 인접하는 데이터라인의 측면과의 거리가 1㎛이하인 액정표시장치.
  3. 청구항 1 또는, 청구항 2에 있어서,
    상기 화소전극과 상기 데이터라인은 이격되어 있는 액정표시장치.
  4. 청구항 1 또는, 청구항 2에 있어서
    상기 화소전극과 상기 데이터라인은 중첩되어 있는 액정표시장치.
  5. 청구항 2에 있어서,
    상기 화소전극의 일측면은 이에 인접하는 데이터라인과 이격되어 있고, 상기 화소전극의 다른 일측면은 이에 인접하는 데이터라인과 중첩되어 있는 액정표시장치.
  6. 청구항 1, 또는, 청구항 2, 또는, 청구항 5에 있어서,
    상기 화소전극은 전단 화소셀의 게이트라인에 중첩되어 온 게이트 방식의 보조 캐패시턴스를 이루되, 상기 데이터라인 형성물질로 상기 게이트라인에 중첩되도록 형성되되, 상기 화소전극에 연결되어 있는 보조전극을 더 포함하는 액정표시장치.
  7. 다수개의 게이트라인과 다수개의 데이터라인이 교차하여 다수개의 화소셀이 정의되고, 상기 각 화소셀의 게이트라인과 데이터라인의 교차부에는 스위칭소자가 형성된 기판을 마련하는 단계와,
    상기 기판의 노출된 부분을 덮는 보호막을 증착하는 단계와,
    상기 보호막을 사진식각하여 상기 스위칭소자의 일전극을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계와,
    상기 드레인전극의 노출된 부분을 포함하는 기판의 노출된 전면을 덮는 투명도전물질층을 형성하는 단계와,
    상기 투명도전물질층 상에 음성형 감광막을 형성하는 단계와,
    상기 음성형 감광막을 배면노광법에 의하여 선택노광하는 단계와,
    상기 선택노광된 감광막을 현상하여 소정 형상의 감광막 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 감광막 패턴을 마스크로 하여 상기 투명물질층을 식각하는 단계를 포함하는 액정표시장치의 제조방법.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 감광막을 현상하기 전에 전단의 게이트라인을 그 상단의 일부만을 제외하도록 상면노광하는 단계를 더 포함하는 액정표시장치의 제조방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 상면노광은 상기 배면노광 전 혹은, 후에 진행하는 액정표시장치의 제조방법.
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI221539B (en) * 2000-11-30 2004-10-01 Hannstar Display Corp Method for forming bumps utilized for manufacturing LCD
KR100443538B1 (ko) * 2001-08-20 2004-08-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
US7638807B2 (en) * 2003-10-28 2009-12-29 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Transparent conductive multi-layer structure, process for its manufacture and device making use of transparent conductive multi-layer structure
US7265299B2 (en) * 2004-03-04 2007-09-04 Au Optronics Corporation Method for reducing voltage drop across metal lines of electroluminescence display devices
GB2419216A (en) * 2004-10-18 2006-04-19 Hewlett Packard Development Co Display device with greyscale capability
KR101231842B1 (ko) * 2005-12-29 2013-02-08 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법
TWI336792B (en) * 2006-04-07 2011-02-01 Au Optronics Corp Manufacturing method for a bottom substrate of a liquid crystal display device
TWI311337B (en) * 2006-10-02 2009-06-21 Au Optronics Corporatio Multi-domain vertical alignment pixel structure and fabrication method thereof
US9557619B2 (en) 2011-09-26 2017-01-31 Apple Inc. Data line-to-pixel decoupling
TWI511200B (zh) * 2013-07-25 2015-12-01 Ye Xin Technology Consulting Co Ltd 顯示面板製作方法
CN103927045B (zh) * 2013-12-30 2017-04-05 上海天马微电子有限公司 一种触控基板的制备方法
CN107037641B (zh) * 2017-05-12 2020-04-24 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
US10910413B2 (en) * 2018-10-10 2021-02-02 HKC Corporation Limited Method of manufacturing array substrate and array substrate

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62152174A (ja) * 1985-12-25 1987-07-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
JPH0493818A (ja) * 1990-08-03 1992-03-26 Stanley Electric Co Ltd アクティブマトリックスとその製造方法
GB9114018D0 (en) * 1991-06-28 1991-08-14 Philips Electronic Associated Thin-film transistor manufacture
KR0135391B1 (ko) * 1994-05-28 1998-04-22 김광호 자기정렬된 액정표시장치용 박막트랜지스터 및 제조방법
KR100225098B1 (ko) * 1996-07-02 1999-10-15 구자홍 박막트랜지스터의 제조방법
US6081308A (en) * 1996-11-21 2000-06-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for manufacturing liquid crystal display
KR100590742B1 (ko) * 1998-05-11 2007-04-25 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
TW559683B (en) * 1998-09-21 2003-11-01 Advanced Display Kk Liquid display device and manufacturing process therefor
JP4242963B2 (ja) * 1999-02-10 2009-03-25 三洋電機株式会社 カラー液晶表示装置
US6184069B1 (en) * 1999-05-24 2001-02-06 Chi Mei Electronics Corp. Fabrication of thin film transistor-liquid crystal display with self-aligned transparent conducting layers
KR100309209B1 (ko) * 1999-07-31 2001-09-29 구본준, 론 위라하디락사 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른 액정표시장치
KR100621534B1 (ko) * 1999-08-02 2006-09-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시장치
KR100313245B1 (ko) * 1999-08-25 2001-11-07 구본준, 론 위라하디락사 리페어 기능을 갖는 액정표시소자
US6559904B1 (en) * 2000-11-01 2003-05-06 Lg Philips Lcd Co, Ltd. Liquid crystal display with high aperture ratio

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