KR20030058214A - 배면 노광을 이용한 비오에이 구조 액정표시장치 및 그의제조방법 - Google Patents

배면 노광을 이용한 비오에이 구조 액정표시장치 및 그의제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에서는, 기판 상에 형성된 게이트 전극, 반도체층, 소스 및 드레인 전극으로 이루어진 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터 상부에 위치하며, 유기 절연물질로 이루어지고 상기 드레인 전극을 일부 노출시키는 드레인 콘택홀을 가지는 보호층과; 상기 보호층 상부에 위치하며, 상기 드레인 콘택홀을 통해 드레인 전극과 연결된 화소 전극과; 상기 화소 전극 상부에서 상기 소스 및 드레인 전극과 대응되는 선폭을 가지며, 감광성 수지를 이용하여 배면 노광에 의해 이루어진 블랙매트릭스를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판을 제공하는 것을 특징으로 한다.

Description

배면 노광을 이용한 비오에이 구조 액정표시장치 및 그의 제조방법{A Black Matrix on Array type Liquid Crystal Display Device using A Back Face Exposure and Method of Fabricating the same}
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 BOA(Black on Array)구조 액정표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
액정표시장치는 소비전력이 낮고, 휴대성이 양호한 기술집약적이며 부가가치가 높은 차세대 첨단 표시장치 소자로 가장 각광받고 있다.
상기 액정표시장치는 투명 전극이 형성된 두 기판 사이에 액정을 주입하여, 상기 액정의 이방성에 따른 빛의 굴절률 차이를 이용해 영상효과를 얻는 방식으로 구동한다.
현재에는, 각 화소를 개폐하는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Thin Film Transistor ; TFT)를 사용하는 능동행렬 액정표시장치(Active Matrix Liquid Crystal Display ; 이하, 액정표시장치로 약칭함)가 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.
도 1은 일반적인 액정표시장치의 일부영역에 대한 입체도로서, 액정이 구동되는 영역으로 정의되는 액티브 영역을 중심으로 도시하였다.
도시한 바와 같이, 서로 일정간격 이격되어 상부 및 하부 기판(10, 30)이 대향하고 있고, 이 상부 및 하부 기판(10, 30) 사이에는 액정층(50)이 개재되어 있다.
상기 하부 기판(30) 상부에는 다수 개의 게이트 및 데이터 배선(32, 34)이 서로 교차되어 있고, 이 게이트 및 데이터 배선(32, 34)이 교차되는 지점에 박막트랜지스터(T)가 형성되어 있으며, 게이트 및 데이터 배선(32, 34)이 교차되는 영역으로 정의되는 화소 영역(P)에는 박막트랜지스터(T)와 연결된 화소 전극(46)이 형성되어 있다.
도면으로 제시하지는 않았지만, 박막트랜지스터(T)는 게이트 전압을 인가받는 게이트 전극과, 데이터 전압을 인가받는 소스 및 드레인 전극과, 게이트 전압과 데이터 전압 차에 의해 전압의 온/오프를 조절하는 채널(ch ; channel)로 구성된다.
그리고, 상부 기판(10) 하부에는 컬러필터층(12), 공통 전극(16)이 차례대로 형성되어 있다.
도면으로 상세히 도시하지 않았지만, 컬러필터층(12)은 특정한 파장대의 빛만을 투과시키는 컬러필터와, 컬러필터의 경계부에 위치하여 액정의 배열이 제어되지 않는 영역상의 빛을 차단하는 블랙매트릭스로 구성된다.
그리고, 상부 및 하부 기판(10, 30)의 각 외부면에는 편광축과 평행한 빛만을 투과시키는 상부 및 하부 편광판(52, 54)이 위치하고, 하부 편광판(54) 하부에는 별도의 광원인 백라이트(back light)가 배치되어 있다.
최근에는, 액정표시장치의 화질 특성 및 화면 휘도를 높이기 위하여, 유기절연막을 보호층으로 이용하여 화소 전극을 이웃하는 게이트 및 데이터 배선과 일정간격 중첩되게 구성하는 고개구율 구조 액정표시장치에 대한 개발이 활발히 이루어지고 있다.
도 2는 기존의 고개구율 구조 액정표시장치에 대한 단면도로서, 박막트랜지스터부를 중심으로 도시하였다.
도시한 바와 같이, 어레이 기판인 하부 기판(70)과, 컬러필터 기판인 상부 기판(60)이 서로 대향되게 배치되어 있으며, 상부 및 하부 기판(60, 70) 사이에 액정층(90)이 개재된 구조의 액정표시장치에 있어서, 상기 하부 기판(70) 상에는 게이트 전극(72), 반도체층(74), 소스 및 드레인 전극(76, 78)으로 이루어진 박막트랜지스터(T)가 형성되어 있다. 이때, 상기 반도체층(74)은 비정질 실리콘(a-Si)으로 이루어진 액티브층(74a ; active layer)과, 액티브층(74a)과 소스 및 드레인 전극(76, 78)간의 접촉특성을 개선하기 위한 불순물 비정질 실리콘(74b ; ohmic contact layer)으로 이루어진 오믹 콘택층(74b)으로 구성되며, 소스 및 드레인 전극(76, 78)은 일정간격 이격되게 배치되어 있고, 소스 및 드레인 전극(76, 78)간의 이격구간에는 액티브층(74a)이 노출되어 이루어진 채널(ch)이 위치한다.
그리고, 상기 박막트랜지스터(T) 상부에는 유기 절연물질로 이루어지며, 드레인 전극(78)을 일부 노출시키는 드레인 콘택홀(80)을 가지는 보호층(82)이 형성되어 있고, 보호층(82) 상부에는 드레인 콘택홀(80)을 통해 드레인 전극(78)과 연결되는 우측 화소 전극(84) 및 미도시한 또 하나의 박막트랜스터(T)와 우측 화소 전극(84)과 동일한 연결관계를 가지는 좌측 화소 전극(84)이 형성되어 있다.
이때, 상기 좌, 우측 화소 전극(84)은 박막트랜지스터(T)의 채널(ch)을 덮지 않는 범위에서 박막트랜지스터(T)와 일정간격 중첩되게 형성되어 있다.
그리고, 상기 상부 기판(60)의 하부에는 박막트랜지스터(T)와 대응되는 위치에 블랙매트릭스(62)가 형성되어 있고, 블랙매트릭스(62) 하부에는 화소 전극(84)과 대응되는 위치에 컬러필터(64)가 형성되어 있고, 컬러필터(64) 하부에는 오버코트층(66 ; overcoat layer) 및 공통 전극(68)이 차례대로 형성되어 있다.
상기 블랙매트릭스(62)는 상부 및 하부 기판(60, 70)의 합착 마진을 고려하여 박막트랜지스터(T)와 대응되는 위치에서 양쪽으로 일정 마진을 두고 넓게 형성된다.
그러나, 상기 하부 기판(70) 하부에 위치하는 백라이트에서 방출되는 광원 중 채널(ch)과 대응되는 부분에서 사선 방향으로 진행하는 화살표로 나타낸 광원(LI)에 대해서는 블랙매트릭스(62)로 차단되지 않아 빛샘 현상이 완전히 차단되지 않는 문제점이 있다.
상기 문제점을 개선하기 위하여, 상기 블랙매트릭스를 하부 기판인 어레이 기판 상에 형성하는 BOA(Black Matrix on Array)구조 액정표시장치가 제안되고 있다.
상기 BOA 구조 액정표시장치에서는, 박막트랜지스터와 블랙매트릭스간 중첩갭이 좁아짐에 따라 광누설 전류 및 백라이트에서 사선 방향으로 진행하는 광원에 의한 빛샘 현상을 효과적으로 차단할 수 있는 장점을 가진다.
도 3은 기존의 BOA 구조 액정표시장치에 대한 단면도로서, 박막트랜지스터부를 기준으로 도시하였다.
도시한 바와 같이, 하부 기판(130) 상에는 박막트랜지스터(T)가 형성되어 있고, 박막트랜지스터(T) 상부에 유기 절연물질로 이루어진 보호층(132)이 형성되어 있고, 박막트랜지스터(T)와 연결되어 화소 전극(134)이 형성되어 있으며, 화소 전극(134) 상부의 박막트랜지스터(T)를 덮는 위치에는 블랙매트릭스(136)가 형성되어 있다.
그리고, 상기 상부 기판(110) 하부의 화소 전극(134)과 대응되는 위치에는 컬러필터(112)가 형성되어 있고, 컬러필터(112) 하부에는 오버코트층(114), 공통 전극(116)이 차례대로 형성되어 있다.
이와 같이, 기존의 BOA 구조 액정표시장치에서는 박막트랜지스터(T)와의 오버레이(overlay) 마진을 감안하여, 상기 박막트랜지스터(T)와 대응되는 선폭에서 양쪽으로 대략 2 ㎛정도의 선폭을 오버레이 마진으로 각각 크게 해서 블랙매트릭스(136)를 형성하였다.
이로 인해, 기존의 상부 기판에 블랙매트릭스가 구비된 고개구율 구조 액정표시장치에서보다 빛샘 현상을 효과적으로 차단할 수 있으나, 개구율 향상효과가 떨어지는 문제점이 있었다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에서는 BOA 구조 액정표시장치에 있어서 박막트랜지스터와 블랙매트릭스간의 오버레이 마진을 최소화하여 개구율이향상된 액정표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
이를 위하여, 본 발명에서는 소스 및 드레인 전극을 마스크로 하여 배면 노광 방식으로 블랙매트릭스를 형성하도록 한다.
도 1은 일반적인 액정표시장치의 일부영역에 대한 입체도.
도 2는 기존의 고개구율 구조 액정표시장치에 대한 단면도.
도 3은 기존의 BOA 구조 액정표시장치에 대한 단면도.
도 4는 본 발명에 따른 BOA 구조 액정표시장치에 대한 단면도.
도 5a 내지 5c는 본 발명에 따른 블랙매트릭스를 포함하는 BOA 구조 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 단계별로 나타낸 단면도.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
200 : 투명 기판 232 : 게이트 전극
234 : 게이트 절연막 236a : 액티브층
236b : 오믹 콘택층 236 : 반도체층
238 : 소스 전극 240 : 드레인 전극
244 : 보호층 246 : 화소 전극
248 : 블랙매트릭스 IV : 블랙매트릭스의 선폭
T : 박막트랜지스터
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 하나의 특징에서는 기판 상에 형성된 게이트 전극, 반도체층, 소스 및 드레인 전극으로 이루어진 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터 상부에 위치하며, 유기 절연물질로 이루어지고 상기 드레인 전극을 일부 노출시키는 드레인 콘택홀을 가지는 보호층과; 상기 보호층 상부에 위치하며, 상기 드레인 콘택홀을 통해 드레인 전극과 연결된 화소 전극과; 상기 화소 전극 상부에서 상기 소스 및 드레인 전극과 대응되는 선폭을 가지며, 감광성 수지를 이용하여 배면 노광에 의해 이루어진 블랙매트릭스를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판을 제공한다.
상기 감광성 수지는 카본계 감광성 수지이며, 상기 유기 절연물질은 BCB(benzocyclobutene), 아크릴계 수지(acryl containing resin) 중 어느 한 물질인 것을 특징으로 한다.
상기 반도체층은 비정질 실리콘(a-Si)으로 이루어진 액티브층(active layer) 과, 상기 액티브층 상부에 위치하며, 불순물 비정질 실리콘(n+ a-Si)으로 이루어진 오믹 콘택층(ohmic contact layer)으로 구성되며, 상기 소스 및 드레인 전극은 서로 일정간격 이격되게 위치하고, 상기 소스 및 드레인 전극 사이 구간에는 상기 액티브층을 노출시켜 이루어진 채널이 위치하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에서는, 기판 상에 게이트 전극, 반도체층, 소스 및 드레인 전극으로 이루어지는 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터 상부에 유기 절연물질로 이루어지고, 상기 드레인 전극을 일부 노출시키는 드레인 콘택홀을 가지는 보호층으로 형성하는 단계와; 상기 드레인 콘택홀을 통해 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계와; 상기 화소 전극 상부에 감광성 수지층을 형성하는 단계와; 상기 소스 및 드레인 전극을 마스크로 하여, 상기 감광성 수지층을 배면 노광하여 소스 및 드레인 전극과 대응되는 선폭을 가지는 블랙매트릭스를 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.
상기 감광성 수지는 카본계 감광성 수지인 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 BOA 구조 액정표시장치에 대한 단면도로서, 박막트랜지스터부를 중심으로 도시하였다.
도시한 바와 같이, 어레이 기판인 제 1 기판(230)과, 컬러필터 기판인 제 2 기판(270)이 서로 대향되게 배치되어 있고, 제 1, 2 기판(230, 270) 사이에는 액정층(250)이 개재되어 있다.
상기 제 1 기판(230)의 투명 기판(200) 상에는 게이트 전극(232)이 형성되어 있고, 게이트 전극(232) 상부에는 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층(236a) 및 불순물 비정질 실리콘으로 이루어진 오믹 콘택층(236b)이 차례대로 구성된 반도체층(236)이 형성되어 있고, 반도체층 상부에는 서로 일정간격 이격되어 소스 및 드레인 전극(238, 240)이 형성되어 있다.
그리고, 상기 소스 및 드레인 전극(238, 240) 사이 구간에는 액티브층(236a)이 노출되어 이루어진 채널(CH)이 구성되어 있다.
그리고, 상기 소스 및 드레인 전극(238, 240) 상부에는 상기 드레인 전극(240)을 일부 노출시키는 드레인 콘택홀(242)을 가지며, 유기 절연물질로 이루어진 보호층(244)이 형성되어 있다.
상기 게이트 전극(232), 반도체층(236), 소스 및 드레인 전극(238, 240)은 박막트랜지스터(T)를 구성한다.
상기 유기 절연물질로는 저유전율값(ε≤3)을 가지는 유기 절연물질에서 선택되며, 바람직하기로는 BCB(benzocyclobutene), 아크릴계 수지(acryl containing resin) 중 어느 한 물질에서 선택되는 것이다.
상기 보호층(244) 상부에는 드레인 콘택홀(242)을 통해 드레인 전극(240)과 연결되는 화소 전극(246)이 형성되어 있다.
이때, 상기 화소 전극(246)은 박막트랜지스터(T)와 연결구성된 우측 화소 전극(246) 및 미도시한 박막트랜지스터(T)와 우측 화소 전극(246)과 동일한 연결관계를 가지는 좌측 화소 전극(246)으로 이루어지며, 이때 화소 전극(246)은 개구율 향상을 목적으로 미도시한 게이트 및 데이터 배선과 일정 간격 중첩구성되며, 상기 박막트랜지스터(T)와도 채널(CH)부를 제외하고 일정간격 중첩구성된다.
그리고, 상기 화소 전극(246) 상부의 상기 박막트랜지스터(T)를 덮는 위치에블랙매트릭스(248)이 형성되어 있다. 이때, 본 발명에서는 상기 블랙매트릭스(248)의 선폭(IV)은 소스 및 드레인 전극(238, 240)의 형성폭과 대응되는 것을 특징으로 한다.
그리고, 본 발명에 따른 블랙매트릭스(248)를 이루는 물질은 감광성 수지에서 선택되는 것을 특징으로 한다.
즉, 본 발명에서는 블랙매트릭스(248)을 형성함에 있어서, 하부 기판(230) 하부에서 소스 및 드레인 전극(238, 240)을 마스크로 하여 배면 노광, 현상하여, 소스 및 드레인 전극(238, 240)에 의해 비노광된 감광성 수지 물질을 블랙매트릭스(248)로 이용하는 것을 특징으로 한다.
한편, 상기 상부 기판(270)에서 투명 기판(200) 하부의 화소 전극(246)과 대응된 위치에는 컬러필터(272)가 형성되어 있고, 컬러필터(272) 하부에는 오버코트층(274), 공통 전극(276)이 차례대로 형성되어 있다.
그러나, 상기 오버코트층(274)은 컬러필터(272)의 제조방식에 따라 생략가능하다.
이상과 같이, 본 발명에 따른 BOA 구조 액정표시장치에서는 광누설 전류 차단 목적으로 박막트랜지스터와 대응되는 위치에 블랙매트릭스를 형성함에 있어서, 소스 및 드레인 전극을 마스크로 하여 배면 노광 방식으로 블랙매트릭스를 구성함에 따라 소스 및 드레인 전극과 블랙매트릭스간의 오버레이 마진을 생략할 수 있고, 이에 따라 개구율이 보다 향상된 액정표시장치를 제공할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 블랙매트릭스를 포함하는 BOA 구조 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 대해서 설명한다.
도 5a 내지 5c는 본 발명에 따른 블랙매트릭스를 포함하는 BOA 구조 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 단계별로 나타낸 단면도이다.
도 5a에서는, 액정표시장치용 어레이 기판을 형성하는 단계이다.
도시한 바와 같이, 투명 기판 상에 박막트랜지스터 및 박막트랜지스터와 연결되는 화소 전극을 형성하여 어레이 기판을 완성하는 단계이다.
좀 더 상세히 설명하면, 투명 기판(200) 상에 게이트 전극(232)을 형성하는 단계와, 게이트 전극(232) 상부에 게이트 절연막(234)를 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막(234) 상부에 액티브층(236a), 오믹 콘택층(236b)을 차례대로 형성하여 반도체층(236)을 구성하는 단계와, 상기 반도체층(236) 상부에 서로 일정간격 이격되게 배치되는 소스 및 드레인 전극(238, 240)을 형성하는 단계와, 상기 소스 및 드레인 전극(238, 240) 사이 구간의 오믹 콘택층(236b)을 제거하여 그 하부층을 이루는 액티브층(236a)을 노출시켜 채널(CH)을 형성하는 것으로, 게이트 전극(232), 반도체층(236), 소스 및 드레인 전극(238, 240)으로 구성되는 박막트랜지스터(T)를 완성하는 단계와, 상기 박막트랜지스터(T) 상부에 유기 절연물질로 이루어지며, 상기 드레인 전극(240)을 일부 노출시키는 드레인 콘택홀(242)을 가지는 보호층(244)을 형성하는 단계와, 보호층(244) 상부에 드레인 콘택홀(242)을 통해 드레인 전극(240)과 연결되는 화소 전극(246)을 형성하는 단계를 포함한다.
이때, 상기 보호층(244)을 이루는 유기 절연물질은 저유전율값을 가지는 유기 절연물질에서 선택되며, 바람직하기로는 BCB, 아크릴계 수지 중 어느 한 물질에서 선택되는 것이다.
그리고, 개구율 향상을 목적으로 상기 화소 전극(246)은 채널(CH) 영역 이외의 박막트랜지스터(T)영역과 일부 중첩되게 형성하는 것을 특징으로 한다.
도 5b에서는, 상기 화소 전극(246) 상부에 블랙매트릭스 물질층(247)을 코팅하는 단계이다.
상기 블랙매트릭스 물질층(247)은 감광성 수지에서 선택되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에서는 배면 노광법에 의해 블랙매트릭스를 패터닝하기 때문에, 별도의 PR(photoresist) 및 마스크없이도 블랙매트릭스 물질층(247)을 패터닝하기 위해서 감광성 수지를 이용하는 것을 특징으로 한다.
도 5c에서는, 상기 소스 및 드레인 전극(238, 240)을 마스크로 하여, 블랙매트릭스 물질층(도 5b의 247)이 형성된 기판 하부에 노광 장치를 배치하여 노광처리하는 배면 노광 방식에 의해 상기 소스 및 드레인 전극(238, 240)과 대응된 위치의 블랙매트릭스 물질층(도 5b의 247)으로 이루어진 블랙매트릭스(248)을 형성하는 단계이다.
이 단계에서는, 상기 소스 및 드레인 전극(238, 240)을 마스크로 하여, 이와 대응된 위치의 블랙매트릭스 물질층(도 5b의 247)을 블랙매트릭스(248)로 이용하기 때문에, 기존의 BOA 구조 액정표시장치보다 블랙매트릭스와 소스 및 드레인 전극간의 중첩 정확도를 높일 수 있어 별도의 오버레이 마진을 생략할 수 있다.
예를 들어, 기존의 BOA 구조 액정표시장치에서는 양쪽으로 대략 2 ㎛을 오버레이 마진으로 두었으나, 본 발명에 따른 블랙매트릭스 제조방법에 의하면 별도의오버레이 마진이 생략됨에 따라 하나의 화소 영역 단위로 대략 4㎛만큼씩의 오버레이 마진을 줄일 수 있게 되므로 개구율을 더욱 향상시키는 효과를 얻을 수 있게 된다.
그러나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 취지에 어긋나지 않는 한도내에서 다양하게 변경하여 실시하여도 무방하다.
이와 같이, 본 발명에 따른 배면 노광을 이용하는 BOA 구조 액정표시장치에 의하면 다음과 같은 효과를 가진다.
첫째, 소스 및 드레인 전극과 블랙매트릭스간 별도의 오버레이를 생략할 수 있어 개구율을 향상시킬 수 있다.
둘째, 별도의 오버레이 마진없이도 소스 및 드레인 전극을 마스크로 삼아 블랙매트릭스 패턴을 형성함에 따라 빛샘 현상을 효과적으로 차단할 수 있다.
세째, 신뢰성 높은 고개구율, 고휘도 액정표시장치를 제공할 수 있다.

Claims (6)

  1. 기판 상에 형성된 게이트 전극, 반도체층, 소스 및 드레인 전극으로 이루어진 박막트랜지스터와;
    상기 박막트랜지스터 상부에 위치하며, 유기 절연물질로 이루어지고 상기 드레인 전극을 일부 노출시키는 드레인 콘택홀을 가지는 보호층과;
    상기 보호층 상부에 위치하며, 상기 드레인 콘택홀을 통해 드레인 전극과 연결된 화소 전극과;
    상기 화소 전극 상부에서 상기 소스 및 드레인 전극과 대응되는 선폭을 가지며, 감광성 수지를 이용하여 배면 노광에 의해 이루어진 블랙매트릭스
    를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성 수지는 카본계 감광성 수지인 액정표시장치용 어레이 기판.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기 절연물질은 BCB(benzocyclobutene), 아크릴계 수지(acryl containing resin) 중 어느 한 물질인 액정표시장치용 어레이 기판.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체층은 비정질 실리콘(a-Si)으로 이루어진 액티브층(active layer) 과, 상기 액티브층 상부에 위치하며, 불순물 비정질 실리콘(n+ a-Si)으로 이루어진 오믹 콘택층(ohmic contact layer)으로 구성되며, 상기 소스 및 드레인 전극은 서로 일정간격 이격되게 위치하고, 상기 소스 및 드레인 전극 사이 구간에는 상기 액티브층을 노출시켜 이루어진 채널이 위치하는 액정표시장치용 어레이 기판.
  5. 기판 상에 게이트 전극, 반도체층, 소스 및 드레인 전극으로 이루어지는 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;
    상기 박막트랜지스터 상부에 유기 절연물질로 이루어지고, 상기 드레인 전극을 일부 노출시키는 드레인 콘택홀을 가지는 보호층으로 형성하는 단계와;
    상기 드레인 콘택홀을 통해 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계와;
    상기 화소 전극 상부에 감광성 수지층을 형성하는 단계와;
    상기 소스 및 드레인 전극을 마스크로 하여, 상기 감광성 수지층을 배면 노광하여 소스 및 드레인 전극과 대응되는 선폭을 가지는 블랙매트릭스를 형성하는 단계
    를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 감광성 수지는 카본계 감광성 수지인 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.
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