CN1235207C - 光学存储设备 - Google Patents

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Abstract

激光二极管的光发射调节处理单元依次指令一个用于发光的D/A转换器在预定的两点以检验功率进行光发射，使激光二极管能够发光，向一个用于减除的D/A转换器指令与在两点的温度对应的减除电流，并借助一个用于监测的A/D转换器来测量各个功率。从测量结果，借助线性近似获得各个D/A转换器中的指令值与一个任意功率的关系，并将其寄存到一个功率表中。

Description

光学存储设备
本申请是中国专利申请号97102402.2一案的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种采用诸如盒式MO等等的可重写介质的光学存储设备，更具体地说，是涉及用于把一个激光二极管在装载介质时的光发射功率有效地调节到一个优化功率的光学存储设备。
背景技术
光盘作为近年来得到迅速发展的多媒体的主要介质的存储介质，得到了注意。例如，当考虑3.5英寸的盒式MO时，除了传统的128MB和230MB的盒式MO，近年还提供了540MB和640MB的高密度记录介质。因此，作为光盘驱动器，希望的是该光盘驱动器能够使用目前能够获得的128MB、230MB、540MB和640MB等所有介质。在近年已经得到迅速推广的个人计算机中，作为只读存储介质的紧凑盘(CD)的再现功能是不可缺少的。从空间和成本的角度看，在用于CD的光盘驱动器之外再安装用于作为可重写光盘设备的盒式MO的光盘驱动器，是困难的。在近年，既可以使用盒式MO又可以使用CD的光盘驱动器因而已经得到了开发。在这种CD/MO共同使用类型的光盘驱动器中，对于一个光学系统、一个机械结构、以及一个控制电路单元来说，它们尽可能既被用于CD又被用于盒式MO。
另一方面，在用于该光盘驱动器中的盒式MO中，介质的道被分成区，并采用了ZCAV记录(区恒定角速度记录)—其中区的扇区的数目是相等的。MO介质的区的数目在传统的128MB介质中被设定为一个区，而在230MB介质中被设定为10个区。另一方面，在已经在近年中被实际使用的540MB或640MB的高密度PWM记录介质中，与记录密度的改善相关地，介质的道间距变窄且区的数目也增大了。即，540MB介质中区的数目被设定为18个，640MB介质中区的数目被设定为11个，这几乎是传统的区数的两个倍。通常，在采用盒式MO的光盘介质的情况下，由于光发射功率即每一种介质的最佳激光二极管记录功率有不同，所以当装载介质时，对每一个区都进行一个测试写入，并执行一个光发射调节，以将记录功率调节到最佳值。在传统的128MB或230MB介质中，该记录是借助坑位置调节(PPM)来进行的，且只要使激光二极管的光发射功率在一个擦除功率和一个记录功率两个电平之间改变就足够了。另一方面，在540MB或640MB的PWM记录介质中，采用了借助脉宽调制(PWM)的记录以提高记录密度。在这种脉冲串记录中，需要在一个擦除功率、一个第一写入功率、和一个第二写入功率总共三个电平之间改变激光二极管的光发射功率。因此，对于其中区的数目增大的540MB或640MB介质，如果对每一个区进行激光二极管的光发射调节，就会出现一个问题，即除了由于脉冲串记录而引起的光发射功率的种类增加之外，还需要较长的时间来进行调节。在调节激光二极管的光发射时，与实际的坑位置调节记录或PWM记录中的即时光发射相比，光发射是借助一个缺省值来驱动的，而该缺省值是借助用于其中需要调节的较长时间的固件来指定的。这实际上使得激光二极管成为直流光发射的(连续光发射)。如果借助高光发射功率来进行光发射调节，就会损坏激光二极管，且这种损坏有加速的危险。
在传统的光盘驱动器中，作为用于将数据写入介质的写入功率，优化的功率根据介质的温度和种类而有所不同。因此，当介质被装载到光盘驱动器时，通过进行一个测试模式的测试写入，即对介质的测试写入，来执行对激光二极管的功率调节处理，以确定优化功率。根据传统的激光二极管功率调节处理，如图1所示，作为缺省功率而给出的写入功率在一个启动点401被设定为一个功率，且在逐渐减小写入功率的同时重复测试模式的例如写入和读取操作，从而计数数据的不一致的次数(误差数目)。当写入功率被减小到几乎极限功率的值时，数据的不一致次数增大。例如，在极限点404处的极限功率WPa下获得了超过1000次的数据不一致。随后，在从开始点401开始逐渐增大写入功率的同时，重复测试模式的写入和读取操作，从而计数数据的不一致次数(误差次数)。当写入增大到几乎一个极限功率的值时，数据的不一致次数增大。例如，在极限点406处的一个极限功率WPb下，获得了超过1000次的数据的不一致。当上和下限功率WPa和WPb可以如上地得到检测时，中间写入功率(WPb-WPa)/2可以被确定为最佳写入功率WP-best。然而，在与这种传统光盘驱动器中的测试写入有关的激光二极管的写入功率调节处理中，需要在增大和减小写入功率的同时通过将开始功率设定到一个初始点来检测两个极限功率。因此，需要一定的时间来检测这些极限功率，因而有一个问题，即需要一定的时间，例如直到设备在介质被装载之后进入一个准备好的状态。另一方面，由于对于写入功率调节需要通过以高功率驱动激光二极管来进行测试写入，激光二极管的负担很大。另外，由于写入功率调节在设备使用期间也是频繁进行的，因而有加速激光二极管损坏和缩短设备寿命的问题。
发明内容
(光发射调节)
根据本发明，提供了一种光学存储设备，它即使当区的数目很大时也能够有效地进行光发射调节而不使激光二极管的负担过大。本发明的一种光学存储设备具有用于发射激光束的激光二极管，该激光束被用来向介质记录或从介质再现信息。在介质记录时，根据多个不同的具体功率的组合的一个驱动电流从一个光发射电流源被提供给激光二极管。该光发射电流源由一个寄存器、一个D/A转换器、以及一个电流源电路组成。从光发射电流源提供的电流的值，由一个光发射电流指令单元利用一个寄存器和一个D/A转换器来指令。提供了一个自动功率控制单元(APC)，用于将激光二极管的光发射功率控制在指定的目标功率。该自动功率控制单元将光发射功率控制在例如指定的目标读取功率。为激光二极管提供了一个监测器光敏装置，用于接收激光束的一部分并输出一个光敏电流。在介质记录时，与指定的光发射功率和目标读取功率之差相对应的一个指定减除电流，被从该光敏电流中减去，且所获得的电流被设定为监测器电流。该监测器电流被馈送回自动功率控制单元。因此，即使当擦除功率和写入功率的光发射超过了目标读取功率时，与读取功率对应的监测器电流也被送回到APC。一个减除电流源由一个寄存器、一个D/A转换器、和一个电流源电路组成。采用一个D/A转换器的一个减除电流指令单元，控制着电流源电路，且提供了一个寄存器指令值的减除电流。从该减除电流源导出的一个监测器电流被用于一个监测器的A/D转换器读出，而该监测器被用作功率测量单元。
随后一个光发射调节处理单元依次通过设定一个调节模式来指令对光发射电流源的D/A转换器的两个点的预定测试功率下的光发射和命令用该光发射来驱动激光二极管，向该D/A转换器指令与在两个点测试功率对应的指定减除电流以进行减除电流源的减除，并测量来自一个监测器测量单元的监测器A/D转换器的测试功率。根据该测量结果，  通过线性近似获得了电流指令值与光发射电流源和减除电流源中的任意功率之间的关系，并将其寄存到一个功率表中。
更具体地说，光发射调节处理单元由一个光发射粗调处理单元和一个光发射细调处理单元组成。在其中上道控制被释放的状态下，光发射粗调处理单元指令在光发射电流源的D/A转换器的两个点处的预定测试功率的光发射并用该光发射来驱动激光二极管，向减除电流源的D/A转换器指令与两个点的测试功率相对应的指定减除电流，并测量来自监测器测量单元的A/D转换器的各个测试功率。根据在这两个点的测量结果，借助线性近似分别获得了：
I.监测器的功率测量值与任意光发射功率之间的关系
II.光发射的电流指令值与任意光发射功率的关系
III.用于减去的电流指令值与任意光发射功率的关系并将这种寄存在一个功率表中。在其中上道控制得到进行且自动功率控制被接通的状态下，光发射细调处理单元依次向光发射电流源的D/A转换器指令在两个点处的预定测试功率下的光发射，用该光发射驱动激光二极管，向减除电流源的D/A转换器指令与在两个点处的测试功率相对应的指定减除电流，并调节光发射电流源的D/A转换器的一个指令值以把监测器测量单元的A/D转换器测量到的功率被设定为目标读取功率。根据在两个点处的调节结果，借助线性近似而获得了光发射的电流指令值与任意光发射功率的关系，且功率表得到校正。如上所述，在本发明的光发射调节中，通过指定在两个点处的测试功率，从测量到的功率获得了斜率(a)和与y轴的交点(b)，作为关系方程(y＝ax+b)的系数，在该方程中电流指令值(y)与光发射电流源的光发射功率(x)之间的关系得到了线性近似。因此，能够计算出在任意光发射功率(x)下至光发射电流源的电流指令值。因此，足以获得在借助在两点处的光发射进行调节时的测试功率。具体地，通过将在两点处的测试功率设定在低功率侧的值，能够减小激光二极管的负担。
用于光发射的电流源具有一个读取功率电流源、一个擦除功率电流源、一个第一写入功率电流源、以及一个第二写入功率电流源。在激光二极管以一个读取功率、一个擦除功率P、一个第一写入功率、以及一个第二写入功率进行光发射时，读取功率电流源把用于以第一功率电平(例如记录功率电平)进行光发射的一个读取功率电流I0提供给激光二极管。当激光二极管以一个擦除功率、一个第一写入功率、以及一个第二写入功率进行光发射时，擦除功率电流源将用于使激光二极管以擦除功率进行光发射的一个擦除功率电流I1加到读取功率电流I0上，并将所获得的电流提供给激光二极管。当激光二极管以第一写入功率进行光发射时，第一写入功率电流源将用于使激光二极管以第二功率电平(例如第一写入功率电平)进行光发射的一个第一写入功率电流I2加到读取功率电流I0和擦除功率电流I1上，并将所获得的电流提供给激光二极管。另外，当激光二极管以第二写入功率进行光发射时，第二写入功率电流源将用于使激光二极管以第三功率电平(例如第二写入功率电平)的一个第二写入功率电流I3加到读取功率电流I0和擦除功率电流I1上，并将所产生的该电流提供给激光二极管。光发射电流指令单元具有用于指令读取功率电流源、第一写入功率电流源、和第二写入功率电流源的指令电流值的D/A转换器。  减除电流源具有擦除功率减除电流源、第一写入功率减除电流源、以及一个第二写入功率减去电流源。擦除功率减除电流源在以擦除功率进行光发射时从光敏装置的光敏电流i0中减去擦除功率的光敏电流i1在以第一写入功率进行光发射时，第一写入功率减除电流源从光敏装置的光敏电流i0中减去第一写入功率的光敏电流i2。进一步地，在以第二写入功率进行光发射时，第二写入功率减去电流源从光敏装置的光敏电流i0中减去第二写入功率的光敏电流i3。减除电流指令单元分别具有用于指令读取功率减除电流源的电流值的D/A转换器、第一写入功率减除电流源、以及第二写入功率减去电流源。
当装载到设备中的介质是坑位置调制(PPM)式记录介质时，光发射粗调处理单元和光发射细调处理单元调节各个擦除功率和第一写入功率。当装载到设备中的介质是脉宽调制(PWM)式介质时，光发射粗调处理单元和光发射细调处理单元对擦除功率、第一写入功率和第二写入功率中的每一个进行调节。
光发射粗调处理单元和光发射细调处理单元把介质的区分割成多个区域—例如三个区域，而在这些区中道沿着径向方向得到分割。
对于各个区的最里圈区和最外圈区，测试功率都得到指令，且在测量光发射功率的同时光发射在两点处得到调节。从测试功率与在两点处的测量功率之间的线性近似关系方程，最里圈区和最外圈区的外周边缘之间的区的调节值得到计算和设定。因此，即使区的数目增大，也只要在内圈和外圈的两个区中进行用于调节的写入功率下的光发射就足够了。与写入功率下的光发射有关的调节所需的时间因而显著地减小了。光发射粗调处理单元和光发射细调处理单元分别指定和调节擦除功率和写入功率作为测试功率。根据受到光发射粗调处理单元调节的功率表的调节值(调节缺省值)，光发射细调处理单元计算并设定光发射电流指令单元和减除电流指令单元的D/A转换器与测试功率相对应的指令值。当借助介质的测试写入而确定的最佳写入功率作为校正系数(偏移比值(ratio))—其中寄存在功率表中的写入功率由利用调节值(缺省值)作为基准的一个比值表示—而给定时光发射细调处理单元被校正系数乘到测试功率上，并校正到最佳测试功率。当优化功率的校正系数给定时，光发射细调处理单元将这样的校正系数与带有具有校正系数的一个上限值和一个下限值的预定系数限制范围进行比较。当该校正系数超过了该系数限制范围时，该功率校正系数被限制在该上限值或下限值。对于功率校正系数的上限值和下限值，光发射细调处理单元将其中道沿着径向方向按照多个单元得到分割的介质的区分成多个区域，通过将各个分出的区域的最里圈区的写入功率设定为最小功率而获得与下限值的下限比值，通过将最外圈区的写入功率设定为最大功率而获得对上限值的上限比值，从下限比值和上限比值的线性近似关系方程计算出最里圈区与最外圈区的外周边缘之间的任意区，并设定上限比值和下限比值。因此，不需要为每一个区设定上限值和下限值，且上和下限可以容易地设定。
当装载到设备中的介质是坑位置调制(PPM)记录介质和脉宽调制(PWM)记录介质时，在任何情况下，光发射粗调处理单元都调节擦除功率和第一写入功率，并将调节值寄存到功率表中。另一方面，当装载的介质是脉宽调制(PWM)记录介质时，光发射细调处理单元，除了擦除功率和第一写入功率之外，寄存利用第一写入功率作为基准的第二写入功率的功率比值。所要设定的第二写入功率，通过将该功率比值乘到指定的第一写入功率上，而得到计算。在此情况下，光发射细调处理单元，对于每一个区数，都把各个功率和功率比值寄存到功率表中。所设定的第二写入功率，通过将相同的指定区的功率比值乘到指定区的第一写入功率上，而被计算出来。该功率比值具有随着温度而改变的值。
为了获得基于温度的功率比值，光发射细调处理单元，利用对于两个温度T1和T2的功率比值的线性近似，而获得了两个关系方程(y＝a1·T+b1)和(y＝a2·T+b2)，其中该方程是从内圈侧区的两个不同点处的温度T1和T2的功率比值y1和y2和在外圈侧区的两个不同点处的温度T1和T2四个点获得的。随后，对于这两个线性关系方程的斜率a1和a2和功率比值与y轴的交点b1和b2，借助对于内圈侧和外圈侧的两个区的数目N1和N2的线性近似，获得了两个关系方程(a＝α·N+β)和(b＝γ·N+δ)。斜率α和γ以及与y轴的交点β和δ，被寄存到功率表中，当区的数目N被指定时，光发射细调处理单元为指定的区的数目N读出斜率α和γ以及与y轴的交点β和δ，计算温度T下关系方程的斜率a1和a2以及与y轴的交点b1和b2，并从此时的测量温度T最后计算出指定的区的功率比值。
当借助PWM进行记录从而借助数目与擦除功率、第一写入功率、和脉冲宽度对应的第二写入功率的脉冲串发射光时，响应于光发射脉冲串的结束，功率被减小到低于自动功率控制单元的目标读取功率的功率，且脉冲串被移到下一个光发射脉冲串；光发射细调处理单元减小至用于减除第一写入电流的D/A转换器的减除电流i1的指令值，以使目标读取功率的不足功率的时间乘积与超过该目标功率的第一写入功率的时间乘积相等并抵消。因此，进行了功率减小控制，从而通过响应于PWM记录的脉冲串的结束而将写入功率减小到零或等于或小于记录功率的一个值，即使对自动功率控制进行了大的反馈以补偿多余的功率，也在其之前执行了用于复合不足量的功率减小和抵消。因而，能够在不使写入功率由于功率不足而发生漂移的情况下，进行写入功率的稳定自动功率控制。
(最佳写入功率调节)
根据本发明，提供了一种光学存储设备，它能够适当进行一种处理，以在不给激光二极管产生负担的情况下在短时间里借助测试写入来确定最佳写入功率。因此，本发明的光学存储设备具有一个最佳写入功率调节单元—它包括：一个调节时序判定单元，用于判定对写入功率调节处理的需要，以优化介质的写入功率；以及，一个写入功率调节单元，它根据调节时序判定单元的判定结果而得到激活，并被用于在逐渐减小写入功率的同时把预定的测试模式写入介质，随后读出该预定的测试模式并与原来的测试模式相比较，计数数据的不一致的次数，检测不一致的次数超过一个预定阈值的、作为极限写入功率的写入功率，将一个预定的偏移加到该极限写入功率，并将所产生的值确定为最佳写入功率。因此，作为确定最佳写入功率的调节处理，只要从一个开始功率逐渐减小写入功率并检测下限侧上的极限功率，就已经足够了。与传统的情况—其中需要确定在上和下限两点处的极限功率—相比，调节处理所需的时间能够减小一半。由于测试写入不需要高功率，激光二极管不会被损坏，且设备的寿命得到了改善。
该写入功率调节单元具有至少两个写入功率—即擦除介质的记录坑的第一功率和形成记录坑的第二功率，并在逐渐减小写入功率时不时按照预定的比例关系来改变第一和第二功率。当写入功率被逐渐减小时，还可以改变写入功率，从而使第二功率的涨落比值小于第一功率的涨落比值。这种处理被称为DOW(直接覆盖写入)。更具体地说，在DOW的PPM记录介质中，第一功率是擦除功率且第二功率是第一写入功率。在PWM介质中，第一功率是擦除功率且第二功率被设定为第一和第二写入功率两个功率。写入功率调节单元把盘介质的一个用户不使用的区域的一部分指定为测试区域，并写入和读出测试模式。因此，即使进行测试写入，也不会对用户区域的介质性能产生影响。写入功率调节单元通过利用构成测试区域的多个道中的特定的道的连续部分扇区，来写入和读出测试模式。在此情况下，还可以通过在构成测试区域的多个道中通过产生随机数而随机指定适当的扇区，来写入和读出测试模式。还希望在不连续使用已经被使用的测试区域的扇区的情况下，每次都偏离这些扇区。在读出测试模式时，当不能检测到一个数据同步图案，即刚好在道格式中的用户区域之前的一个同步字节时，写入功率调节单元计不一致的最大次数。即该同步字节是检测数据区域的开始的重要信息。当不能检测到该同步字节时，立即判定不一致的次数是最大的，且在不计数据的不一致的次数的情况下处理得到加速。在读出测试模式时，当在从开头的扇区至预定数目的扇区的范围中的不一致的次数等于或小于产生的阈值时，写入功率调节单元认为所有的扇区都是质量良好的扇区，中断数据比较，并计数作为不一致次数的预定最小值(例如零)。例如，当在开头扇区处的不一致次数为1或更小时，在此之后不执行比较处理，不一致的次数被设定为零，且处理程序进行到下一个扇区的处理，从而提高了处理速度。当不一致的次数超过了表示一个功率界限的预定阈值时一该功率界限是借助首先设定的写入功率的测试模式写入和读取的功率界限，写入功率调节单元将测试功率增大到一个预定值并再次尝试。当极限功率超过了开始功率并由于设备的温度而很高时，就进行这样的处理。写入功率调节单元从设备的温度判定写入功率是初始设定的。即，由于有这样的相关性，即当设备的温度高时，极限功率减小，且当设备温度低时极限功率高，因而开始功率是在考虑到与温度的相关性的情况下设定的。写入功率调节单元当设备温度低时增大所要加到记录极限功率上的偏移量，并当设备温度高时减小该偏移量，从而根据设备温度来确定最佳写入功率。写入功率调节单元以这样的方式改变所要加到记录极限功率上的偏移量，即当设备温度低时，在内圈侧上的偏移量被减小且在外圈侧上的偏移量增大。另外，当设备温度高时，在内圈侧上的偏移量被增大且在外圈侧上的偏移量被减小。即，最佳写入功率是根据设备温度和沿着介质的径向方向的位置而确定的。由于区CAV被用作介质格式，外圈侧和内圈侧表示了由区号确定的内圈侧和外圈侧。
一个调节时序判定单元与从一个上的设备发出的写入指令同步地激活对写入功率的调节。即，在设备通过装载介质而得到激活之后，当从该上级设备发出了第一写入指令时，调节时序判定单元激活对写入功率的调节。由于刚好在介质被装载之后的介质温度不同于设备温度，除非功率调节是在介质温度与设备温度平衡之后进行的，最佳写入功率将被改变。因此，在激活时，写入功率不受到调节，但第一写入功率调节是当认为介质温度与设备温度相平衡时与第一写入指令的产生同步地执行的。当写入功率调节结果的有效性得到了保证时，调节时序判定单元从一个经过时间确定一个有效时间，其中该经过时间是从盘被激活的时序至当第一写入功率调节与从上设备产生的写入指令同步地得到执行的一个时序的时间。当该经过时间短于预定的阈值时间(大约两至三分钟)时，有效时间按照该经过时间而被减小。当经过时间超过了该阈值时间时，有效时间被设定为这样的阈值时间。即，保证写入功率调节结果的有效时间被设定为激活之后的一个短时间。在介质温度与设备温度相平衡之后，有效时间被设定为一个长时间。当从前一个写入功率调节开始的经过时间超过了有效时间时，调节时序判定单元激活下一个写入功率调节。即使从前一写入功率调节开始的经过时间没有达到该有效时间，当目前的设备温度的涨落超过了在前一写入功率调节时设备温度的预定温度范围时，即，当设备温度的改变很大时，调节时序判定单元激活写入功率调节，在实际的光盘驱动器的写入功率调节单元中，当设定测试功率时，通过利用设定的写入功率与作为基准的一个预定缺省写入功率的比值，而使写入功率得到改变。当确定最佳写入功率时，预定的偏移量比值被加到极限功率的该缺省比值上，从而确定最佳写入功率的一个缺省比值。另外，当缺省写入功率得到调节时，调节时序判定单元激活写入功率调节。通常，写入功率是通过提供与至激光二极管的多种功率增加量相对应的一个驱动电流而获得的。例如，在PPM记录介质中，通过提供驱动电流
(读取功率电流)+(擦除功率电流)+(写入功率电流)，而导出了缺省写入功率。因此，当激光二极管的驱动电流得到调节时，缺省功率本身改变，且现在不能使用用于确定最佳写入功率的缺省比值。因此，当进行对激光二极管驱动电流的调节即对缺省写入功率的调节时，用于确定最低写入功率的缺省比值的写入功率调节得到了有把握的执行。
附图说明
从以下结合附图的详细描述，本发明的上述和其他目的、特征和优点将变得更为显而易见。
图1用于说明传统的最佳写入功率调节处理；
图2A和2B是根据本发明的光盘驱动器的框图；
图3用于说明其中装载有盒式MO的设备的内部结构；
图4是图2的激光二极管控制电路的框图；
图5A至5J是本发明的PWM的脉冲串记录中的信号、光发射电流、减除电流以及监测器电流的时序图；
图6A至图6J是本发明的PPM记录中的信号、光发射电流、减除电流、以及监测器电流的时序图；
图7A和7B是借助图2的MPU实现的LD光发射处理单元的功能框图；
图8是根据图7A和7B的LD光发射调节处理的总体流程图；
图9是图8中的LD光发射粗调处理的总体流程图；
图10是图9中的一个监测器ADC归一化处理的流程图；
图11用于说明借助图10的处理的线性近似的关系方程；
图12是图9中的用于擦除的光发射粗调处理的流程图；
图13用于说明图12中的擦除光发射电流中的线性近似的关系方程；
图14用于说明图12中的擦除减除电流中的线性近似的关系方程；
图15是图9中的第一写入功率的光发射粗调的流程图；
图16是图9中的第二写入功率的光发射粗调的流程图；
图17用于说明图9的LD光发射粗调在功率表中的寄存内容；
图18是图8中的LD光发射细调处理的总体流程图；
图19是图18的擦除功率细调的流程图；
图20是图18中的一个第一写入功率细调的流程图；
图21是图18中的第二写入功率细调的流程图；
图22是根据细调结果的区域分割的功率表设定处理的流程图；
图23用于说明图22中的区域分割和线性近似；
图24用于说明借助图22中的设定处理获得的功率表中的寄存内容；
图25是在被一个第二写入功率作为功率比值来处理的情况下的温度校正的流程图；
图26用于说明图25中功率比值对温度的线性近似；
图27用于说明借助图25的处理而获得的功率表中的寄存内容；
图28是图8中的功率界限计算处理的流程图；
图29用于说明在图28的功率界限的计算中的线性近似；
图30用于说明借助图28的处理获得的功率表的寄存内容；
图31是流程图，用于说明借助PWM记录的自动功率控制而发生的写入功率漂移；
图32A至32C是时序图，用于说明用于补偿图31中的写入功率漂移的减除电流调节；
图33A至33D是用于实现图32的漂移补偿的第一写入功率光发射粗调的时序图；
图34是在光发射调节完成之后利用功率表的功率设定处理的流程图；
图35是借助图2中的MPU实现的最佳写入功率调节单元的功能框图；
图36用于说明图35中的缺省擦除功率表；
图37用于说明图35中的缺省写入功率表；
图38用于说明图35中的温度校正系数表；
图39是在图35的最佳写入功率调节之前的盘激活处理的流程图；
图40是包括图35的最佳写入功率调节的写入处理的流程图；
图41A和41B是关于是否需要图40的测试写入的判定的流程图；
图42A和42B是图40中的测试写入处理的流程图；
图43用于说明在图42的测试写入中极限功率的检测和优化功率的设定；
图44用于说明一个温度校正系数，它用于校正一个偏移量比值以通过加上图42中的极限功率而获得一个优化功率；
图45用于说明用于偏移量比值的区位置的一个校正系数，用于通过加上图42中的极限功率而获得一个优化功率；
图46A至46C显示了温度造成的最佳写入功率的移动；
图47是随机形成图42中的测试写入的写入地址的流程图；
图48用于说明介质的区域；
图49用于说明分配给图48中的非用户区域的功率调节区域；
图50用于说明借助图47的随机地址的测试写入；
图51是在图42的测试写入中依次形成写入地址的流程图；
图52用于说明根据图51中的依次地址的测试写入；
图53是借助图42的测试写入而进行的测试数据的读取处理的流程图；
图54用于说明作为图53的数据读取操作的目标的道格式；
图55是计数图42的测试写入中的数据的不一致的次数的处理的流程图；
图56是利用最佳写入功率的调节结果的功率表设定处理的流程图。
具体实施方式
(设备的结构)
图2A和2B是作为本发明的光学存储设备的光盘驱动器的电路框图。本发明的光盘驱动器由控制器10和外壳12组成。控制器10具有：MPU 14，用于控制整个光盘驱动器；一个接口控制器16，用于向一个上设备传送或从该上设备接收指令和数据；一个格式化器18，用于执行向一个光盘介质写入或从该光盘介质接收数据所需的处理；以及，一个缓冲存储器20，它由MPU 14、接口控制器16和格式化器18所共同使用。作为格式化器18的写入系统，提供了一个编码器22和一个激光二极管控制电路24。激光二极管控制电路24的控制输出被提供到为外壳12侧面的一个光学单元设置的激光二极管30。激光二极管单元30整体地具有一个激光二极管和用于监测的一个光敏装置。在本实施例中，可以采用128MB、230MB、540MB和640MB介质中的任何一种，来作为利用激光二极管单元30记录和再现的光盘，即可重写盒式MO介质。在它们之中，对于128MB和230MB的盒式MO介质，采用了坑位置记录(PPM记录)—其中数据是对应着介质上的标志的有或无来记录的。该介质的记录格式是ZCAV并对于128MB被设定为一个区和对于230MB被设定为十个区。对于540MB和640MB的盒式MO介质—其中进行高密度记录，采用了脉宽记录(PWM记录)—其中标志的边缘即前缘和后缘与数据相对应。640MB和540MB之间的存储容量的不同，是由于扇区容量之间的不同造成的。当扇区容量等于2k字节时，存储容量等于640MB。当扇区容量等于512字节时，存储容量等于540MB。该介质的记录格式对应于区CAV(ZCAV)且对于540MB有18个区且对于640MB有11个区。如上所述的本发明的光盘驱动器能够适应128MB、230MB、540MB和640MB中的每一个的存储容量。因此，当盒式MO被装载到光盘驱动器上时介质的一个ID部分首先被读取，在MPU14中从一个坑间隔识别介质的种类，且关于种类的识别结果被通知给格式化器18。在128MB或230MB介质的情况下，执行与PPM记录对应的格式化处理。在540MB或640MB介质的情况下，进行根据PWM记录的格式化处理。作为用于格式化器18的读取系统，提供了一个解码器26和一个读取LSI电路28。来自激光二极管30的光束的、被为外壳12设置的检测器32所返回的光的光敏信号，通过一个头放大器34而被输入到读取LSI电路28，以被作为ID信号和MO信号。为读取LSI电路28提供了AGC电路、滤波器、扇区标志检测电路、合成器、PLL等等的电路的作用。从输入的ID信号和MO信号形成了一个读取时钟和读取数据，并将它们提供给解码器26。由于区CAV被一个转轴马达40用作介质的记录系统，对于读取LSI电路28，由MPU 14为内装合成器进行与区对应的时钟频率的切换控制。对于128MB和230MB介质，按照格式化器18的介质种类，编码器22的调制系统和解码器26的解调系统被切换到PPM记录的调制和解调系统。另一方面，对于540MB和640MB介质，它们被切换到PWM记录的模型和解调系统。设置在外壳12侧面的温度检测器36的检测信号被提供给MPU 14。根据温度检测器36检测到的设备的环境温度，MPU 14把激光二极管控制电路24中用于读取、写入和擦除的每一种光发射功率控制在最佳值。MPU借助一个驱动器38控制设置在外壳12侧面的转轴马达40。由于盒式MO的记录格式被设定为ZCAV，转轴马达40以例如3600rpm的速度转动。MPU 14通过一个驱动器42控制设置在外壳12侧面的电磁铁44。电磁铁44被设置在与装载在设备中的盒式MO的光束发射侧相对的一侧上，并设置记录和擦除时将一个外部磁场加在介质上。一个DSP 15实现了将来自激光二极管30的光束定位到介质上的伺服功能。为此，为外壳12侧面的光学单元设置了一个两分检测器46，用于接收来自介质的光束模式的光。一个FES检测电路(聚焦误差信号检测电路)48从两分检测器46的输出形成了一个聚焦误差信号E1，并将其提供给DSP 15。一个TES检测电路(跟踪误差信号检测电路)50从两分检测器46的光敏输出形成了一个跟踪误差信号E2，并将其提供给DSP 15。跟踪误差信号E2被输入到一个TZC电路(道零交叉检测电路)45，借助该电路形成了一个道零交叉脉冲E3并将其提供给DSP 15。另外，在外壳12侧面设置了一个透镜位置检测器52，用于检测一个用于将激光束照射到介质上的物镜的位置。检测器52的透镜位置检测信号(LPOS)E4被提供给DSP 15。为了定位激光束，DSP 15分别通过驱动器54、58和62控制并驱动一个聚焦致动器56、一个透镜致动器60以及一个VCM64。
图3是光盘驱动器中的外壳的示意图。转轴马达40被设置在一个外壳66上。通过从一个进入门68侧将盒式MO70插入转轴马达40的转轴的轮毂上，执行了将一个内部MO介质72附着到转轴马达40的转轴的轮毂上的装载。可由VCM 64沿着与介质道相交的方向移动的一个支架76，被设置在装载的盒式MO70的MO介质72的下侧上。在支架76上安装有一个物镜80。来自为一个固定光学系统78设置的半导体激光器的激光束，通过一个棱镜82而被输入到物镜80上，且在MO介质72的介质表面上形成了作为图象的一个光束点。物镜80由图2B中的外壳12的聚焦致动器56沿着光轴方向移动和控制，并能够由透镜致动器60在沿着与介质道相交的径向方向例如十条道的范围内移动。装在支架76上的物镜80的位置由图2B中的透镜位置检测器52检测。透镜位置检测器52在其中物镜80的光轴正好指向上方的中性位置将一个透镜位置检测信号设定为0，并根据向外的运动和向内的运动的不同极性的运动量，产生透镜位置检测信号E4。
(LD光发射调节)
图4是为图2A中的控制器10设置的激光二极管控制电路24的电路框图。为激光二极管单元30整体地设置了一个激光二极管100和一个监测器光电二极管102。激光二极管100接收电源电压Vcc提供的驱动电流I、发射光、借助一个光学单元形成激光束、并将该激光束照射到介质表面上，从而进行记录和再现。来自激光二极管100的一部分光被输入到监测器光电二极管102上，从而使监测器光电二极管102产生与激光二极管100的光发射功率成正比的光敏电流I0。一个读取功率电流源104、一个擦除功率电流源106、一个第一写入功率电流源108、以及一个第二写入功率电流源110与激光二极管100相并联，从而分别向激光二极管100提供一个读取功率电流I0、一个擦除功率电流I1、一个第一写入功率电流I2、以及一个第三写入功率电流I3。即，在以读取功率进行光发射时，读取功率电流I0流过。在以擦除功率进行光发射时，擦除功率电流I1被加到读取功率电流I0上而形成的电流(I0+I1)流过。当以第一写入功率进行光发射时，进一步加上了第一写入功率电流I2的电流(I0+I1+I2)流过。当以第二写入功率进行光发射时，其中第二写入功率电流I3被加到读取功率电流I0和擦除功率电流I1上的电流(I0+I1+I3)流过。为读取功率电流源104设置了一个自动功率控制单元(以下缩写为APC)138。借助一个目标DAC寄存器120和一个D/A转换器(以下缩写为DAC)136，为APC 138设置了作为目标功率的具体目标读取功率。为擦除功率电流源106设置了一个EP电流DAC寄存器122和一个DAC 140，作为一个EP电流指令单元。为WP1电流源108设置了一个WP1电流DAC寄存器124和一个DAC 142，作为WP1电流指令单元。另外，还为第二写入功率电流源110设置了一个WP2电流DAC寄存器126和DAC 144，作为WP2电流指令单元。因此，来自电流源104、106、108和110的电流，能够通过为相应的寄存器120、122、124和126设置一个DAC指令值，而得到适当的改变。在此一个光发射电流源电路由一个寄存器、一个DAC和一个恒流源组成。作为借助APC 138的控制，执行了一种反馈控制，从而使从光电二极管102的光敏电流i0导出的监测器电流与DAC 136与一个目标读取功率相对应的一个目标电压相一致。因此，为监测器光电二极管102设置了减除电流源112、114和116，以当以擦除功率和超过读取功率的第一和第二写入功率进行光发射时减去光敏电流，并把与读取功率相对应的监测器电流im反馈到APC。对于擦除功率，可以借助作为EP减除电流指令单元的EP减除DAC寄存器128和DAC 146，为减除电流源112设定任意的减除电流i1。对于第一写入功率，可以借助作为WP1减除电流指令单元的WP1减除DAC寄存器130和一个DAC 148，为减除电流源114设定任意的减除电流i2。另外，借助作为WP2减除电流指令单元的WP2减除DAC寄存器132和一个DAC 150，可以为第二写入功率减除电流源116设定任意的减除电流i3。在这三个减除电流源i1、i2、i3的光发射模式下的监测器电流im如下。
I.当以读取功率进行光发射时：
im＝i0
II.当以擦除功率进行光发射时：
im＝i0-i1
III.当以第一写入功率进行光发射时：
im＝i0-(i1+i2)
IV.当以第二写入功率进行光发射时
im＝i0-(i1+i3)
因此，即使当以擦除功率和超过了目标读取功率的第一或第二写入功率中的任何一个进行光发射时，通过从光敏电流i0中减去相应的减除电流，在一个监测电压检测电阻118中作为与读取功率对应的电流而流过的监测器电流也都被反馈到APC 138。因此，APC 138控制了读取功率电流源104，从而总是保持目标读取功率，而不论光发射功率的值如何，从而实现了具体的擦除功率、第一写入功率和第二写入功率的自动功率控制。对于减除电流，减除电流源电路也由一个寄存器、一个DAC和一个恒流源组成。监测电压检测电阻118提供的与监测器电流im对应的一个监测电压，被一个A/D转换器(以下缩写为ADC)152转换成数字数据并被输入到一个监测ADC寄存器134。在此之后，该数字数据被读出到MPU 14侧。因此，ADC 152和监测ADC寄存器134构成了监测器电流im的一个测量单元。
图5A至5J是图4中的激光二极管控制电路24中PWM脉冲串记录的信号、光发射电流和减除电流的时序图。现在，假定图5B中的写入数据是与图5A中的写入选通信号同步地给出的，该写入数据与图5C的写入时钟同步进入门68被转换成图5D的脉宽数据。根据该脉宽数据，形成了如图5E所示的擦除脉冲，且进一步形成了如图5F所示的第一写入脉冲。进一步形成了如图5G所示的第二写入脉冲。该第二写入脉冲的脉冲数目与图5D的脉宽数据的脉冲宽度相对应。例如，对于头的脉宽数据，它具有四个时钟的脉冲宽度，下一个脉宽数据具有两个时钟的脉冲宽度，且再下一个的脉宽数据具有三个时钟的脉冲宽度。与其相对应，作为图5G的第二写入脉冲，对于在图5F的第一写入脉冲之后的头数据的四个时钟的宽度，产生了两个脉冲，对于随后两个时钟的脉冲宽度产生了0个脉冲，对于三个时钟的第三脉冲宽度产生了一个脉冲，且表示该脉冲宽度的信息得到记录。图5H显示了光发射电流和根据图5E、5F和5G的擦除脉冲、第一写入脉冲、和第二写入脉冲的光发射电流和功率，并涉及了在作为例子的540MB和640MB覆盖写入介质中的PWM记录。首先，始终提供记录电流，并借助读取功率RP进行直流光发射。因此，光发射电流(I0+I1)与擦除脉冲同步地流过，从而使电流借助擦除功率EP而得到增大。光发射电流I2以第一写入脉冲的时序被加上，且电流借助第一写入功率WP1而得到增大。进一步地，光发射电流I3以第二写入脉冲的时序被加上，且电流被设定为(I0+I1+I3)，从而使电流借助一个第二写入功率WP2而得到增大。在图5I中所示的一个减除电流被与图5H的光发射电流同步地提供到图4中的减除电流源112、114和116。即，对应于擦除功率EP的增大量的减除电流i1流过，对应于下一个第一写入功率WP1的增大量的减除电流i2被加上，从而使减除电流(I1+I2)流过。进一步地，对应于第二写入功率WP2的增大量的减除电流i3被加上，从而使减除电流(I1+I3)流过。因此，图5J的监测器电流im被设定为这样的值，即该值是通过从对应于图5H的光发射电流和光发射功率的光敏电流i0中减去图5H的减除电流而获得的。即使在光发射期间，监测器电流也始终被转换成对应于读取功率的恒定电流，并被反馈到APC 138。在128MB和230MB的覆盖写入介质的PWM记录中，图5H中的(RP+EP+WP1)被设定为擦除功率且(RP+EP+WP2)被设定为写入功率。另外，(EP+RP)作为一个辅助功率而被加上，以进行与图5E的擦除脉冲同步的光发射，从而使功率能够被高速地提高到擦除功率和写入功率。
图6A和6J是在PPM介质的记录时的信号、光发射电流、减除电流和监测器电流的时序图。现在，假定图6B的写入数据是与图6A的写入选通信号同步地给出的，图6D的一个坑边缘脉冲是与图6C的写入时钟同步地形成的。响应于该坑边缘脉冲，形成了图6E的擦除脉冲和图6F的第一写入脉冲。在PPM记录中，不采用图6G的第二写入脉冲。通过借助这样的擦除脉冲和第一写入脉冲向激光二极管提供图6H的光发射电流，导出了光发射功率P。在PPM记录中，由于擦除功率与读取功率RP相同，即使以擦除脉冲的时序，也能够保持读取功率RP和读取功率电流I0下的光发射。在第一写入脉冲的时序，光发射电流被增大到(I1+I2)并被设定为通过将擦除功率EP加到第一写入脉冲WP1上而获得的功率。作为图6I的减除电流，以第一写入脉冲的光发射时序提供了减除电流(i1+i2)。因此，图6J的监测器电流im始终被保持在与读取功率的光敏电流相对应的电流。
图7A和7B是本发明的光发射调节的功能框图，且它是借助图2A中的MPU 14实现的。为LD光发射处理单元160，设置了光发射粗调处理单元162、光发射细调处理单元164、以及功率设定处理单元166。光发射粗调处理单元162和光发射细调处理单元164构成了本发明的光发射处理单元。装载的介质的种类、响应于来自上级设备的存取的写入或擦除模式、从存取道获得的区号、以及在图2中外壳12侧面设置的温度检测器36获得的设备温度，都从外界通过寄存器168、170、172和174而为LD光发射处理单元160设定，并被用于光发射调节和通常的操作中的功率设定处理。为LD光发射处理单元160设置了一个功率表存储单元180。作为功率表存储单元180，采用了一个存储器—诸如图2A中的MPU 14所具有的DRAM等等。首先，如在右侧所示的，在功率表存储单元180中，设置了一个监测ADC系数表182、一个EP电流DAC系数表184、一个EP减除DAC系数表186、一个WP1电流DAC系数表188、一个WP1减除DAC系数表190、一个WP2电流DAC系数表192、以及一个WP2减除DAC系数表194。借助光发射调节处理，获得了用于一个任意功率的一个ADC输出的线性近似的关系方程—其中该任意功率提供了图4中的用于监测的DAC 152中的输入监测电压，且该关系方程的和斜率a0和与y轴的交点b0被寄存在监测ADC系数表182中。对于其中一个关系方程—其中图4中的DAC 140、142、144、146、148和150的每一个中的一个任意功率的寄存指令值都是借助由光发射调节的测量结果的线性近似获得的，这种关系方程的斜率和与y轴的交点被存储在各个表184、186、188、190、192和194中。对于光发射电流的系数表184、188、和192，由于线性近似的关系方程由(y＝ax+b)设定，系数a1、a2和a3以及交点b1、b2和b3都得到寄存。另一方面，对于减除电流的系数表186、190和194，由于线性近似的关系方程(y＝cx+d)是确定的，斜率c1、c2和c3以及与y轴的交点b1、b2和b3得到寄存。另一方面，在功率表存储单元180中，提供了一个擦除功率表196、一个第一写入功率表198、一个第二写入功率表200、一个功率比值表202、一个温度校正系数表204、以及一个极限功率表206。虽然与介质的所有区对应的具体功率值都已经预先存储在这些表中，在本发明中，在介质已经得到装载的初始状态下，它们不具有所有区的功率，而是只存储了光发射调节所需的至少两个区的功率值。因此，光发射粗调处理单元162获得了一个关系方程，以借助利用已经初始设定在各个表中的两个区的功率值的光发射调节来对区号的各个功率进行线性近似，从这种关系方程计算所有区的相应功率，并将这些功率寄存在表中。具体地说，光发射细调处理单元164，借助利用初始设定的两个区的光发射功率的光发射调节，和根据线性近似的关系方程的每一个区的各个功率的设定，来执行测量处理，其中该线性近似是根据利用光发射粗调处理单元162的ADC和DAC调节结果的测量结果而进行的。另外，在功率表存储单元180中设置了一个最佳功率表208。各个区与此时的设备温度对应的最佳功率，是借助测试写入而获得的，而该测试写入利用了在完成了光发射调节之后得到调节的各个功率。各个区的最佳功率被寄存在最佳功率表208中。当在此情况下被寄存到最佳功率表208中时，最佳功率自己没有被寄存，而是一个缺省放大率K(缺省比值)被寄存在最佳功率表208中，而该缺省放大率K是通过用在各个功率表中的一个调节值除所得到的最佳功率而导出的，而该调节值是通过光发射调节获得的并被作为一个基准。因此，当利用最佳功率表208中的缺省放大率来设定功率时，实际所要设定的功率能够通过把缺省放大率K乘到相应功率表的功率调节值上而获得。利用最佳功率表208的最佳功率设定由功率设定处理单元166执行。第二写入功率WP2与第一写入功率WP1之间的比值(WP2/WP1)已经被存储在设置在功率表存储单元180中的功率比值表202中。当功率比值表202被形成时，就不再需要第二写入功率表200。提供了温度校正系数表204，以通过与功率比值表202相应的时间的设备温度来校正功率比值。另外，当相应缺省放大率K被从最佳功率表208读出并被乘到调节的缺省值上时的上和下限，被功率设定处理单元166设定并被寄存到极限功率表206中。以与最佳功率表208的情况中类似的方式，极限功率表206中的上和下限已经被作为缺省放大率而得到寄存。当在最佳功率表中的缺省放大率与极限功率表中的极限放大率Kmax和Kmin有偏离时，缺省放大率受到极限比值的限制。
图8显示了借助图7A和7B中的LD光发射处理单元160的激光二极管光发射调节处理的总体流程图。首先在步骤S1，介质被装载和转动。在步骤S2，通过驱动图3的支架76，使光束被移到例如在介质的最外侧上的非用户区域。在此状态下，步骤S3随后进行，且执行激光二极管的光发射粗调。当进行激光二极管的光发射粗调时，一个聚焦伺服被关断且APC 138也被关断。在步骤S4，聚焦伺服和跟踪伺服被接通，且APC 138也被接通。在此状态下，在步骤S5识别介质的种类。当识别介质的种类时，通过从道的ID部分的读取数据识别一个坑间隔，能够识别介质的处理，即装载的介质是128MB介质、230MB介质、540MB介质还是640MB介质。当在步骤S5识别了介质的种类时，在步骤S6借助多个读取、擦除和写入功率来进行激光二极管的光发射细调。在此情况下，当介质是128MB或230MB介质时，进行根据PPM记录的光发射细调。当介质是540MB或640MB介质时，进行根据PWM记录的光发射细调。
图9是图8的步骤S3中进行的LD光发射粗调的总体流程图。在该LD光发射粗调中，首先在步骤S1对图4中用于监测的ADC 152进行归一化。在步骤S2，调节用于光发射电流的DAC 136、140、142和144以及图4中用于减除电流的DAC 146、148和150。
图10是用于图9中的步骤S1的监测ADC的归一化处理的流程图。
在监测ADC的归一化处理中，在步骤S1，一个具体的读取功率作为指令值y0而被设定到图4的目标DAC寄存器120中，且激光二极管100受到该读取功率的驱动以发射光。在此状态下，在系统2读出监测ADC寄存器134中的一个值x0。在步骤S3，一个指令值y1(＝2mW)被置于目标DAC寄存器120中。在步骤S4，读出监测ADC寄存器134中的一个值x1。以与上述类似的方式，在步骤S5将一个指令值y2(＝4mW)被置于目标DAC寄存器120中。在步骤S6，读出监测ADC寄存器134中的一个值x2。通过步骤S1至步骤S6的处理，获得了与2mW和4mW的读取功率的三个点处的功率相应的ADC152的测量值。因而在步骤S7，从三个关系方程计算作为系数的斜率a0和与y轴的交点b0，并将它们寄存到图7A和7B的监测ADC系数表182中。因此，在完成了归一化之后，通过将从监测ADC寄存器134获得的测量值x代入关系方程(y＝a0x+b0)，而随后计算出一个测量值y。
图11显示了图10的监测的ADC归一化中的线性近似的关系方程。即，由于在坐标轴y上的测量功率表示了2mW和4mW的读取功率，从在横坐标轴上相对于这些功率而获得的寄存值x0、x1和x2，确定了三个点Q0、Q1和Q2。从连接这些点的直线(y＝a0·x+b0)的关系方程获得系数a0和b0，就已经足够了。在此情况下，虽然获得了三个点Q0、Q1和Q2且关系方程的精度得到了提高，也可以测量两个点。
图12是命令擦除的光发射电流的DAC 140和用于指令进行图4的擦除的减除电流的DAC 146的光发射粗调的流程图。首先在步骤S1，在读取监测ADC寄存器134的同时，EP电流DAC寄存器122的寄存值y被增大，从而获得了测量功率x1(＝2mW)，从而得到了(x1，y1)。在步骤S2，在读取监测ADC寄存器134的同时，在EP减除DAC寄存器128中的一个寄存值z得到增大，从而使测量功率被设定为读取功率，从而获得了(x1，z1)。在步骤S3，在读取监测ADC寄存器134的同时，EP电流DAC寄存器122中的一个寄存值y被增大，从而获得了测量功率x2(＝4mW)，从而得到了(x2，y2)。在步骤S4，在读取监测ADC寄存器134的同时，在EP减除DAC寄存器128中的一个寄存值z被增大，从而使测量功率被设定到读取功率，  从而获得了(x2，z2)。在借助上述光发射完成了功率测量之后，在步骤S5，对于在步骤S1和S3获得的两个点(x1，y1)和(x2，y2)，EP电流DAC寄存器中对于功率x的值y被代入线性近似的关系方程(y＝a1·x+b1)，从而从这两个方程计算出斜率a1和与y轴的交点b1。具体地说，如图13所示，连接Q1(x1，y1)和Q2(x2，y2)的直线的关系方程(y＝a1·x+b1)得到近似，且作为系数而获得了斜率a1和与y轴的交点b1。在步骤S6，对于在步骤S2和S4获得的两个点(x1，z1)和(x2，z2)，如图14所示地设定Q3和Q4，连接这两点的一个直线得到近似，获得了关系方程(y＝c1·x+d1)，且Q3和Q4的值被代入到该方程中，从而计算出斜率c1和与y轴的交点d1。寄存指令值的线性近似的关系方程的斜率a和与y轴的交点b被寄存到图7A和7B中的EP电流DAC系数表184中，其中该指令值是用于DAC 140的一个任意功率的，以指令在步骤S5计算出的、在图4中的擦除功率光发射电流。线性近似的关系方程的斜率c和与y轴的交点b被寄存到图7A和7B中的EP减除DAC系数表186中，而该线性近似用于为步骤S6中计算出的任意功率获得用于减除电流DAC 146的寄存值y。
图15是用于第一写入功率的光发射的DAC 142和用于指令图4中的减除电流的DAC 148的光发射粗调的流程图。第一写入功率光发射粗调基本上与图12中用于擦除的光发射粗调相同，其不同在于至WP1电流DAC寄存器124的指令功率被设定为4mW和8mW两个点。通过在步骤S1至S4设定减除电流从而获得用于4mW和8mW的光发射的读取功率，对于写入功率光发射电流获得了两个点(x1，y1)和(x2，y2)，且对于减除电流获得了两个点(x1，z1)和(x2，z2)。在步骤S5，计算出任意的第一写入功率x的寄存值y的线性近似的关系方程的斜率a2和与y轴的交点b2。在步骤S6，计算出任意第一写入功率x的减除电流的寄存值z的线性近似的关系方程的斜率c2和与y轴的交点d2。上述的计算出的值被分别寄存到图7A和7B中的WP1电流DAC系数表188和WP1减除DAC系数表190。
图16是图4中的用于指令第二写入功率的光发射的电流的DAC144和用于指令减除电流的DAC 150的第二写入功率粗调处理的流程图。在该第二写入功率粗调处理中，第一在步骤S1，检查装载的介质是否PPM记录介质。在PPM记录介质的情况下，跳过第二写入功率的调节处理。在步骤S2，检查PWM介质是否被擦除。如果“是”，由于未采用第二写入功率，在此情况下写入功率粗调的处理也被跳过。显然，第二写入功率粗调总是可以进行，而不用鉴别PPM介质还是PWM介质的擦除操作。在步骤S3中的光发射调节基本上与图12中的擦除光发射粗调相同。在此情况下，光发射调节也是在4mW和8mW两点进行的，且减除电流随后得到调节以获得读取功率。在步骤S7和S8，计算线性近似的关系方程的斜率a3和与y轴的交点b3，其中该线性近似是对于用于指令以第二写入功率的光发射的电流的DAC144的。在步骤S8，计算线性近似的关系方程的斜率c3和与y轴的交点d3，其中该线性近似是对于用于在第二写入功率的光发射时指令减除电流的DAC 150的。上述的计算值被分别寄存到图7A和7B中不中的WP2电流DAC系数表192和WP2减除系数表194中。
图17显示了由上述光发射粗调寄存的图7A和7B中的功率表存储单元180中的系数表182和194中的寄存内容。通过利用斜率和与y轴的交点的值而形成它们之间的线性近似的关系方程。能够实现从任意的监测电压测量值至测量功率的转换和从任意功率至向ADC的电流指令值的转换。
图18是借助图7A和7B中的光发射细调处理单元164进行的激光二极管的光发射细调的流程图。在光发射细调处理中，在步骤S1，借助光发射粗调从系数表读出斜率和与y轴的交点—其中该光发射粗调已经完成，并对于用于测量光发射调节所需的监测器电流的ADC152、用于指令该电流以控制该电流而获得各个功率的DAC 140至144、以及用于指令减除电流的DAC146至150而获得关系方程。在步骤S2，形成介质的区的功率表。在步骤S3，形成用于这些区和温度的功率比值表。在步骤S4，计算功率界限。
图19是在图18的步骤S2中区的功率表的形成处理中执行的擦除功率细调的流程图。在该擦除功率细调中，第一在步骤S1，设定关于借助擦除功率的光发射粗调获得的电流指令DAC 140的关系方程(y＝a1·x+c1)和相应的减除电流指令DAC 146的关系方程(z＝c1·x+d1)。在步骤S2，通过将x1(＝3mW)代入关系方程，计算相应的电流DAC寄存值y1，且激光二极管100受到驱动以发射光。在此状态下，减除DAC寄存值x1(x1＝3mW)以类似方式得到计算，且减除电流得到提供，从而形成一种状态—它被从监测器电流中减除。在此3mW功率的光发射和减除电流状态下，处理程序进行到步骤S3。在利用监测ADC 152的寄存值作为测量值y而进行读取的同时，用于EP电流DAC寄存器122的寄存值x1得到改变以获得读取功率，从而借助DAC 140来调节光发射功率。因此，能够获得调节值(x1，y1)。在步骤S4，光发射功率增大到5mW，相应的减除电流得到类似设定并从监测器电流减去，且EP电流DAC 140的寄存器122的寄存值x2得到改变以使监测ADC值y被设定为读取功率，从而在步骤S5调节光发射电流。因此，导出了第二点(x2，y2)。最后在步骤S6，通过把通过调节而获得的两个点代入EP电流的DAC 140的关系方程，计算出该关系方程的系数a1和与y轴的交点b1，且它们作为擦除功率细调结果而被寄存图7A和7B中的EP电流DAC系数表184中并得到校正。
图20是第一写入功率的细调处理的流程图，其中该处理是在图18的步骤S2的区功率表的形成处理中执行的。在第一写入功率细调处理中，由于采用了擦除功率的光发射电流和第一写入功率的光发射电流两个电流，在步骤S1，借助对于擦除功率的粗调而获得的电流DAC值的关系方程和减除DAC的关系方程得到设定，且以类似方式在粗调中获得的第二写入功率的电流DAC值的关系方程和相应的减除DAC值的关系方程得到设定。在步骤S2，对于5mW的第一写入功率的光发射，第一写入功率被设定为WP1＝3mW，擦除功率被设定为EP＝2mW，且电流DAC值和减除DAC值从在步骤S1设定的关系方程得到计算，从而进行光发射控制。在此状态下，在步骤S3，监测ADC值作为测量值y而被读出，且第一写入功率PW1的电流ADC寄存值x1得到改变以获得读取功率，从而借助DAC 142调节光发射功率。在此时刻，得到(x1，y1)。在步骤S4，第一写入功率被设定为9mW。9mW的第一写入功率是借助第一写入功率WP(＝7mW)和擦除功率EP(＝2mW)而实现的。因此，对于7mW和2mW中每一个，都在步骤S1从关系方程计算出关于第一写入功率和擦除功率的减除DAC值，从而进行光发射控制。在光发射控制状态下，在如步骤S5所示地读出监测ADC值y的同时，WP1电流DAC值x2得到改变以获得读取功率，从而调节光发射功率。此时，获得了(x2，y2)。在最后的步骤S6，从在调节数据的两点处的关系方程的减除方程计算出在以第二写入功率进行光发射时指令第一写入功率WP1的电流的DAC 142的关系方程中的系数a2和与y轴的交点b2，并将它们被寄存到图7A和7B中的WP1电流DAC系数表188中，并对它们进行校正。
图21是在图18的步骤S2的区功率表的形成处理中执行的第二写入功率的细调处理的流程图。首先在步骤S1，借助对于第二写入功率的粗调而获得的关系方程得到设定，根据该关系方程在5mW和9mW两个点进行光发射，从测量结果计算系数a3和与y轴的交点b3，且图7A和7B中的WP2电流DAC系数表192得到校正。其他的点基本上与图20中的第一写入功率光发射调节处理中的点相同。
图22是区分割功率表形成处理的流程图，该处理用于从用于区号的线性近似的关系方程获得图7A和7B中的功率表存储单元180中设置的擦除功率表196、第一写入功率表198、以及第二写入功率表200。首先在步骤S1，如图23所示，例如对于540MB的介质的区号0至17的18个区，它们被分成内圈区域、中间区域和外圈区域三个区域。在步骤S2，在区的擦除模式下在各个区域的两端的擦除功率的值，即图23中的功率P11至P16得到设定。在擦除模式下的第一写入功率WP1的值P21至P26得到设定。在步骤S3，对于内圈、中间和外圈区域的各个区域的区号，在步骤S3设定的擦除功率和第一写入功率WP1得到线性近似，并从关系方程导出斜率和与y轴的交点。具体地说，例如，对于擦除功率，对于内圈、中间和外圈区域中的每一个，它们借助直线210、212和214而得到近似，从而分别从直线210、212和214的关系方程而导出斜率和与y轴的交点。在此情况下，作为与y轴的交点，采用了在各个区域的内圈边缘的区号0、7和12功率值P11、P13和P15。类似地，对于第一写入功率，它们也利用直线216、218和220而得到线性近似，从而从关系方程导出了斜率和与y轴的交点。在步骤S3，对于写入模式，图23中的内圈、中间和外圈区域的每一个的两端处的区的擦除功率、第一写入功率WP1和第二写入功率WP2得到了设定。在此情况下，除了在擦除模式下的擦除功率和第一写入功率，第二写入功率WP2得到重新设定，从而将第二写入功率P31至P36置入图23的内圈、中间和外圈区域每一个的两端的区。在步骤S4，对于擦除功率EP、第一写入功率WP1和第二写入功率WP2的每一个，进行如图23中的直线210至226的线性近似，从而从关系方程导出斜率和与y轴的交点。在完成了上述处理之后，关于内圈、中间和外圈区域三区域，对于擦除模式和写入模式中的每一个，擦除功率EP、第一写入功率WP1和第二写入功率WP2(不包括擦除模式)的关系方程的斜率和与y轴的交点被寄存到图7A和7B中的擦除功率表196、第一写入功率表198、第二写入功率表200。现在，假定各个功率是对于所有18个区获得的，由于在擦除模式和写入模式两种模式下都需要
(18个区)×(3个功率)＝54个功率，所以需要在表中存储108个功率。另一方面，在本发明的借助区的区域分割的线性近似的关系方程系数寄存中，由于每个区域寄存六个系数，所以只需要存储
(3个区域)×(6个系数)×(2个模式)＝36个功率。寄存表中的数据量能够得到显著的减小。图24显示了如上获得的图7A和7B中的擦除功率表196、第一写入功率表198和第二写入功率表200中的线性近似的关系方程的系数的寄存内容。
图25是光发射细调处理中写入功率比值温度校正处理的流程图。该写入功率比值温度校正处理被用于这样的情况—即其中采用了寄存与第一写入功率的功率比值的功率比值表202来取代图7中的第二写入功率表200。温度校正系数表204与功率比值表202相对应地得到准备。首先在步骤S1，例如在540MB介质的情况下，设定在最里圈区的两个不同的温度T1和T2(例如10℃和55℃)下功率比值(WP2/WP1)的四个点，以及在与这些温度(即10℃和55℃)相同的不同温度T1和T2下的功率比值(WP2/WP1)。
图26显示了图25的步骤S1中在最里圈区中在两个点Q1和Q2处温度T(横坐标轴)和功率比值(WP2/WP1)(y轴)和最外圈区的两个点Q3和Q4。在步骤S2，Q1和Q2的值通过最里圈区的温度T1和T2处的各个功率比值—即通过连接图26中的两点Q1和Q2的直线的线性近似—而被代入关系方程(y＝a1·T+b1)，从而计算斜率a1和与y轴的交点b1。类似地，在步骤S3，最外圈区的Q3和Q4的值被代入其中它们两者得到线性近似的直线的关系方程(y＝a17·T+b17)，从而计算斜率a17和与y轴的交点b17。在步骤S4，图26中的两个关系方程中的最里圈区的斜率a1和最外圈区的斜率a17，被代入区号N的线性近似的关系方程(a＝α·N+β)中，从而计算斜率α和与y轴的交点β。类似地，在步骤S5，最里圈区的与y轴的交点b1和最外圈区的交点b17被代入区号N的线性近似的关系方程(b＝γ·N+δ)中，从而计算斜率γ和与y轴的交点δ。在步骤S6，采用区号N的系数(α，β)和(γ，δ)作为一个指标而被寄存到图27所示的表中。图27中的表中的内容构成了图7A和7B中所示的功率比值表202和温度校正系数表204。从图27的功率表，当此时设备的区号N和温度T给定时，就能够获得指定的区号N的功率比值。例如，假定指定了区号N＝2，从表获得了系数α02和β02，并将它们代入斜率计算方程(a＝α·N+β)，从而获得功率比值计算方程的斜率a。同时，从区号N＝2读出系数γ02和δ02，并代入交点计算方程(b＝γ·N+δ)，从而计算功率比值计算方程与y轴的交点b2。计算出的斜率a和与y轴的交点b被置入功率比值计算方程。进一步地，通过将此时设备的温度T代入，能够计算功率比值(WP2/WP1)。根据设备温度和区号N的功率比值计算每一次都能够执行，或者根据此时的设备温度T的计算值也能够与区号N对应地被预先寄存到功率比值表202中。进一步地，以与其中图23中的区被分成内圈、中间和外圈区域且线性近似的斜率被寄存到表中的情况相类似地，还可以以这样的方式构成，即在此时的设备温度下在内圈、中间和外圈区域的两端的区的功率比值是从图27中的表中的内容获得的，且对于它们，与图23的情况类似地，相对于功率比值获得内圈、中间和外圈区域三者的线性近似中各个直线的斜率和与y轴的交点且它们被寄存到功率比值表202中。
图28是一个功率界限的计算处理的流程图，该处理是在光发射调节处理中进行的。在功率界限的计算处理中，第一在步骤S1，区被分成如图29所示的内圈、中间和外圈区域三个区域，且温度被分成每一个为8℃的温度范围。例如，温度被分成0-7℃、8-15℃、......和64-71℃八个温度范围。在步骤S2，为每一个温度范围设定功率上限Pmax和功率下限Pmin。对于图29的温度范围，功率上限Pmax和功率下限Pmin得到设定。在步骤S3，对于各个温度范围，设定内圈、中间和外圈区域三个区域中每一个中的最大功率Pmax和最小功率Pmin。图29涉及PWM记录的功率界限计算的一个例子。在此情况下，当设定各个区域的最大功率和最小功率时，采用了通过将读取功率RP、擦除功率EP和第二写入功率WP2相加而获得的功率(RP+EP+WP2)。即，对于功率(RP+EP+WP2)，内圈、中间和外圈区域区域中每一个的外圈边缘区6、11和17的功率P32、P34和P36被设定为最大功率，且内圈边缘区0、7、和12的功率P31、P33和P35被设定为最小功率Pmin。在PPM记录介质的情况下，各个区域的最大功率和最小功率，借助通过把读取功率RP、擦除功率EP和第一写入功率WP1相加而获得的功率(RP+EP+WP1)，而得到设定。在步骤S4，对于各个温度范围，计算功率上限的放大率Kmax，在该功率上限中内圈、中间和外圈区域三个区域的最大功率Pmax被设定为缺省值。类似地，利用作为缺省值的最小功率Pmin计算功率下限的放大率Kmin。在步骤S5，形成图7A和7B中的极限功率表206—其中每8℃的温度范围和区区域被用作指标且功率上和下限的缺省放大率已经得到寄存。根据这种极限功率表，从设备温度T和区号，参照极限功率表206而获得了相应的功率上限的缺省放大率Kmax和相应功率下限的缺省放大率Kmin。例如，在其中区域的最大功率给定的PWM介质的情况下，通过将功率(EP+WP2)乘以这些放大率Kmax和Kmin，能够获得功率上限和功率下限。上述操作基本上与这样的操作相同—即在这些操作中对图29中的每一个区域执行借助功率上限234、236和238的线性近似的设定和借助功率下限228、230和232的线性近似的设定。如上所述地设定的这种功率上和下限，并与缺省放大率相比较，以获得当在完成光发射调节之后进行写入操作时给定的最佳写入功率。当获得最佳写入功率的缺省放大率超过了如图29所示地设定的功率上限或功率下限时，给出最佳功率的缺省放大率被限制在功率上限或功率下限并得到采用。图30显示了借助图28的功率界限计算处理而形成的极限功率表的寄存内容。
图31的流程图显示了本发明的第一写入功率光发射粗调处理的另一实施例。该实施例的特征，在于图4中的APC 138中的PWM记录的写入功率的自动光发射控制中出现的漂移，在光发射粗调时得到了调节并能够得到补偿。
图32A至32C显示了PWM记录中写入功率的光发射中发生的功率漂移。对于PWM记录中的写入功率下的光发射，如图32A所示，擦除功率EP、第一写入功率WP1和第二写入功率WP2三级光发射的组合，以及当完成了第一时间的光发射脉冲串时的光发射功率，被设定为零，且操作移到下一个脉冲的光发射。与图32A中的光发射功率相对应，形成了图32B所示的减除电流。通过从监测器光电二极管102的光敏电流i0中减除该减除电流，形成了与读取功率P1相对应的监测器电流im。监测器电流im被反馈到图4的APC 138，且执行保持目标读取功率的自动功率控制。然而，由于图32A中的PWM记录的光发射脉冲串的最后光发射功率下降到零功率240，该光发射功率被减小到低于APC 138中的目标读取功率的值。在零功率240，实际的光发射功率与APC 138的目标读取功率相比是缺乏的。因此，为了补充不足的功率，APC 138借助一个反馈来进行一个校正，以增大功率，如虚线所示。因此，随后的光发射脉冲串如虚线所示地被移动了。即，由于图32C中的监测器电流im沿着使功率总是缺乏的方向变化，在总体上发生了这样的漂移，即该漂移使得光发射脉冲串沿着增大写入功率的方向移动。
因此，在本发明中，为了使图33A中的光发射功率与图3A中的相同，如图33B中所示，与第一写入功率WP1(其中在PWM记录中对每一个脉冲都有把握地产生了一个功率)相对应的减除电流i2得到减小，从而补偿了功率缺乏量—其中图33C中的监测器电流等于或小于目标读取功率。图33D显示了与第一写入功率WP1的一个监测器电流ia的时间相对应的一个区域246，在该第一写入功率WP1中图33C中的监测器电流中的目标读取功率RP被设定为一个基准；还显示了一个区域248，它具有监测器电流ib的时间宽度，而监测器电流ib对应于由于光发射功率在脉冲串结束时被设定为0而产生的不足功率。第一写入功率WP1的一个脉冲间隔Ta和其间产生不足功率的间隔Tb之间保持着固定的关系：
Ta∶Tb＝3∶2
因为当相对于图5H的光发射功率而考虑了图5C的写入时钟的时序时Ta＝1.5个时钟且Tb＝1个时钟。第一写入功率WP1具有这样的关系，即象在图5G的第一写入脉冲一样，为图5D的每一个脉宽数据都肯定产生一个功率。因此，如果当以图33D中的读取功率RP作为基准时功率增大区域246的时间乘积和功率不足区域248的时间乘积相等，就能够防止写入功率由于如图32A至32C所示的不足功率而产生的漂移。即，只要进行如下的设定就足够了。
(Ta×ia)＝(Tb×ib)由于Ta被固定为3且Tb被固定设定为2，功率增大区域246的具有与不足区域248相同的时间乘积的监测器电流ia为
ia＝ib×2/3为了获得这样的监测器电流ia，把图33B的减除电流中的第一写入功率减除电流i2设定为(i1-ia)(它比i2小ia)就足够了。即获得了
(i2-ia)＝i2-[ib×(2/3)]
在第一写入功率WP1的时序，与其对应的值被置于图4中的WP1减除DAC寄存器130，且把用于第一写入功率的减除电流源114的减除电流i2设定为(i2-ia)(它仅减小了ia)就足够了。在图31的第一写入功率光发射粗调中，为了保持如图33D所示的关系，监测器电流得到调节，从而与功率的一个值(ia)相等，以在完成了步骤S1中4mW的光发射之后通过在步骤S2中的WP1减除DAC寄存值z的增大而得到抵消，从而获得(x1，z1)。类似地，对于在其中在步骤S3以8mW进行光发射的状态中在步骤S4进行的WP1减除DAC寄存器Z的调节，监测器电流得到调节以等于给出相同功率的监测器电流ia，从而进行抵消，从而获得(x2，z2)。根据(x1，z1)和(x2，z2)—其中减除电流得到调节从而等于与在步骤S5中进行抵消的功率对应的ia，从在步骤S6中的WP1减除电流DAC寄存器Z的线性近似的关系方程，计算出斜率c2和与y轴的交点d2，并将它们寄存到表中。通过利用斜率c2和与y轴的交点d2来设定WP1电流DAC寄存值y，进行了对由于减除电流在图33B中的减除电流的第一写入功率WP1的时序处的减小而产生的不足功率的补偿。因此，如图33C所示，在第一写入功率WP1的时序，监测器电流ia增大到目标读取功率RP之上，且APC 138反馈该电流，从而抑制增大的功率，如虚线所示。因此，当光发射脉冲串完成且功率被设定为0时，APC 138沿着抑制功率的方向进行反馈控制。在零功率，即使比目标读取功率RP小很多的监测器电流被反馈且功率得到提高，由于功率已经在前一级得到了抑制，即使功率由于缺少反馈量而得到了增大，前一级的不足量也得到了抵消。在下一个光发射脉冲串中的写入功率的变化能够得到吸收。因此，即使功率在PWM记录的脉冲串的结束时刻被设定为0，也不出现沿着使功率被APC 138所增大的方向的漂移，且实现了稳定的写入操作。
在图33A至33D中，虽然作为一个例子而显示和描述了在PWM的功率脉冲串结束时将功率被设定为0的情况，但功率并不总是被设定为0，且本发明也能够以类似的方式被应用到将功率减小到目标读取功率RP或更小的情况。
图34是写入功率的设定处理的流程图，该处理是在借助图7的光发射粗调处理单元162和光发射细调处理单元164而完成了所有的光发射调节之后，由功率设定处理单元166执行的。在该功率设定处理中，首先在步骤S1，通过对来自上级设备的指令的解码，判定操作模式是写入模式还是擦除模式，并从道地址导出区号。在步骤S2，通过利用通过读取寄存器174而获得的此时的设备温度和在步骤S1中获得的区号作为索引，从极限功率表206读出在此情况下的最佳功率的缺省放大率。如果最佳功率的缺省放大率超过了功率界限，则功率界限被校正到限定的值。在步骤S3，检查装载的介质是否PWM记录介质。在PPM记录介质的情况下，在步骤S4，从指定的擦除或写入模式以及区号并参照擦除功率表196和第一写入功率表198，计算出与相应的擦除功率EP和第一写入功率WP1相对应的各个功率。在PWM介质的情况下，处理程序进行到步骤S5。以与PPM介质的情况类似的方式，从指定的擦除或写入模式以及区号，计算出各个擦除功率EP和第一写入功率WP1。另外，对于第二写入功率WP2，从设备的温度T和此时的区号并参照功率比值表202，获得功率比值(WP2/WP1)。通过将已经计算出的第一写入功率WP1乘到获得的功率比值上，计算出第二写入功率WP2。当能够计算出上述各个功率时，在步骤S4，把此时给出的最佳写入功率的缺省放大率乘到计算出的擦除功率EP、第一写入功率WP1、和第二写入功率WP2上，从而计算出所要设定的功率。在步骤S7，从计算出的功率计算DAC的指令值，  用于指令光发射电流和最佳电流。在DAC指令值的计算中，从图7A和7B中的系数表184至194读出线性近似的关系方程的斜率和与y轴的交点，并形成关系方程。通过将步骤S6中计算出的功率代入关系方程，计算电流DAC寄存值和减除DAC寄存值。在最后的步骤S8，计算出的寄存值被置入图4所示的激光二极管控制电路，且一系列的功率设定处理得到完成。
(最佳写入功率调节)
图35是写入功率调节功能的功能框图，用于把激光二极管的写入功率设定到由图2A的光盘驱动器的MPU 14实现的最佳值。一个写入功率调节单元300由MPU 14组成。为写入功率调节单元300设置了一个调节时序判定单元302、一个测试写入执行单元304、以及一个功率表形成单元306。设备温度由寄存器308输入写入功率调节单元300。为写入功率调节单元300设置了一个功率表存储单元310。在功率表存储单元310中，设置有一个缺省擦除功率表312、一个缺省写入功率表314以及一个温度校正系数表316。例如，作为缺省擦除功率表312，如图36所示，已经与第i区(＝1至11)对应地存储了缺省擦除功率(＝3.0至4.5mW)。如图37所示，与第i区(＝1至11)相对应，，已经在缺省写入功率表314中存储了缺省写入功率(＝6.0至11.0mW)。另外，如图38所示，与第i区(＝1至11)对应地，已经在温度校正系数表316中存储了温度校正系数Kt(＝-0.1至0.10)。图38中的温度校正系数表316中的温度校正系数Kt，对应于当设备温度T等于(T＝25℃)时的值。进一步地，在功率表存储单元310中，设置了一个擦除功率表318、一个第一写入功率表320和一个第二写入功率表322。因此，给出由写入功率调节单元300确定的最佳写入功率的缺省放大率被乘到与区号对应的缺省擦除功率表312和缺省写入功率表314，从而使一个擦除功率表318和一个第一写入功率表320的各个功率能够得到计算和寄存。对于第二写入功率表322，由于已经预先确定了利用第一写入功率作为基准的第二写入功率的功率比值，通过将该功率比值乘到从与区号对应的缺省写入功率表314获得的第一写入功率上，能够获得第二写入功率。进一步地，对于擦除功率和第一与第二写入功率中的每一个，根据此时的设备温度T而利用温度校正系数表316中的温度校正系数而得到温度校正的值，得到了采用。利用如上所述的写入功率调节单元300确定的最佳写入功率的缺省值来形成擦除功率表318、第一写入功率表320和第二写入功率表322，是由功率表形成单元306进行的。为功率表存储单元310设置了一个功率设定处理单元324。功率设定处理单元324在完成了最佳写入功率的调节之后由上级设备存取，并根据设备温度、介质种类、写入或擦除存取模式以及表示寄存器326的组中显示的存取道的区号，而借助激光二极管的光发射控制来设定功率。当功率得到设定时，功率设定处理单元324根据设备温度、介质种类、写入或擦除存取模式以及区号，访问功率表存储单元310中的擦除功率表318、第一写入功率表320、第二写入功率表322和温度校正系数表316，根据从这些表中检索到的数据计算图4所示的激光二极管控制电路24的各个寄存器的电流指令值，并产生计算出的电流指令值。为写入功率调节单元300设置的调节时序判定单元302确定测试写入执行单元304的时序并进行激活。在介质刚好被装载到光盘驱动器中之后，调节时序判定单元302不激活最佳写入功率的调节处理。当在完成了光盘驱动器的初始化处理之后从上设备产生了第一写入指令时，调节时序判定单元302鉴别该写入指令，从而使测试写入执行单元304执行一个测试写入，以借助最佳写入功率来执行。在一旦完成了测试写入执行单元304进行的写入功率调节处理之后，计算写入功率调节结果的有效时间。当从调节结束始经过时间达到了计算出的有效时间时，测试写入执行单元304为下一个写入功率调节而进行的处理得到了激活。对于其间经过时间达到有效时间的时期，当从寄存器308输入的设备温度T超过例如±3℃时，通过激活测试写入执行单元304而进行的写入功率调节得到了强迫执行。  测试写入执行单元304重复进行处理，从而使装载的介质的非用户区域中的一个任意测试区域得到了指定，且在预定的测试模式在逐渐减小写入功率的同时被写入介质之后，该测试模式被读出并与原来的测试模式相比较，从而计数数据的不一致的次数。在上述的测试写入处理中，当计数的不一致次数超过了预定的最大数(例如1000)时的写入功率得到了检测，作为极限写入功率。如上所述，当极限写入功率在逐渐减小写入功率的同时得到检测时，通过将预定的偏移量加到极限写入功率上而获得的值，被确定为最佳写入功率。写入功率在测试写入执行单元304中的设定，是利用此时的写入功率缺省值作为基准并利用缺省放大率而执行的。因此，极限写入功率也作为表示极限写入功率的缺省放大率而得到检测。通过将一个预定偏移量比值加到缺省放大率上而获得的一个值，被确定为最佳写入功率的缺省比值。
现在结合一个流程图来描述借助图35中的写入功率调节单元300来确定最佳写入功率的调节处理的细节。图39是当介质被装载到本发明的光盘驱动器中时的盘激活处理的流程图。作为被用作根据本发明的光盘驱动器的介质，有四种介质，包括作为PPM记录介质的128MB介质和230MB介质，以及作为PWM记录介质的540MB介质和640MB介质。在图39中，介质在步骤1被装载并如图3所示地被置于转轴马达40上，并以恒定速度转动。在步骤S2，设定测试写入请求标记FL。进一步地，在步骤S3，目前时间得到初始化。在步骤S4，当前的设备温度T得到检测，且完成了在激活时调节写入功率所需的处理。在盘激活处理中，作为确定最佳写入功率的准备处理以外的处理，形成DAC的各个系数表—这些DAC被用于借助图7A和7B所示的LD光发射处理单元160而提供的电流指令，并形成存储光发射功率的缺省值的功率表。因此，准备了图36、37和38中所示的缺省擦除功率表312、缺省写入功率表314和温度校正系数表316。
图40是在激活了光盘驱动器之后的写入处理的总体流程图。在该写入处理中，在步骤S1判定是否有来自上级设备的测试写入请求。如果有测试写入请求，则随后进行步骤S4，并执行测试写入。在通常的状态下，由于没有来自上级设备的测试写入请求，处理程序进行到步骤S2，且判定是否需要测试写入。关于是否需要测试写入的判定由图35的调节时序判定单元302进行。当在步骤S3判定需要测试写入时，随后进行步骤S4，且测试写入执行单元304执行测试写入并确定最佳写入功率。当确定了最佳写入功率时，在步骤S5测试写入请求标记FL得到复置。在步骤S6，当前时间得到更新且通过执行测试写入而确定的最佳写入功率的时间得到保持。在步骤S7，当前温度得到更新且当通过执行测试写入而确定最佳写入功率时的设备温度也得到保持。在步骤S8，当在此情况下的上级设备请求写入存取时，执行来自上级设备的写入操作。图41A和41B是判定是否需要图40中的步骤S3中的测试写入的处理的流程图。在判定是否需要测试写入的处理中，首先在步骤S1读出当前时间。在步骤S2，计算从光盘驱动器激活至前一测试写入的时间。在步骤S3，通过用一个预定时间(例如20秒)除激活的时间A，将时间A转换成单元时间B。在步骤S4，检查单元时间B的数目是否少于8个，即从激活至第一测试写入的时间A是否小于160秒。当时间A小于160秒时，随后进行步骤S5，且检查单元时间B的数目是否小于4，即时间A是否小于30秒。当温度T在80至160秒之间时，单元时间B的数目被固定在3，即时间A在步骤S6被固定在30秒，且处理程序进行到步骤S7。当在步骤S5时间A小于80秒时，处理程序进行到步骤S7。在步骤S7，计算一个有效时间C—其间保证了采用由前一测试写入确定的最佳写入功率。在此情况下，有效时间C被设定为(20秒×2B(单元时间的数目))。有效时间的最大值被限制在160秒。因此，只要从激活至测试写入的时间A小于160秒，其间保证了测试写入确定的最佳写入功率的有效时间C被设定为对应于2B的时间。当时间A超过了160秒时，有效时间C被固定于预定的时间(C＝160秒)。当计算这种有效时间C时，它根据一个所要求的时间而变化，直到装载到光盘驱动器中的介质的温度被稳定在设备温度。即，在介质刚被装载之后的初始化时，由于介质温度与设备温度有所不同，根据设备温度的最佳写入功率调节在此阶段不能有效地进行。因此，在激活时不执行对写入功率的调节。当大约一或两分钟的时间过去时，装载的介质的温度与设备温度达到了平衡。因此，第一写入功率调节，与一个时序同步地得到执行，而该时序是在光盘驱动器得到激活之后第一次从上级设备发出写入指令的时序。在激活之后，由于从上级设备发出写入指令的时序是变化的，在图41A的步骤S1至S7，获得从激活至首先测试写入的时间A，且从时间A确定用于鉴别下一个和随后的测试写入时序的有效时间C。当有效时间C能够在步骤S7中得到计算时，在步骤S8，作为通过将计算出的的有效时间C加到前一测试写入的时间上而获得的时间的有效判定时间D得到计算。在图41B中的步骤S9，检查当前时间是否超过了有效判定时间D。当当前时间超过了有效判定时间D时，随后进行步骤S14，且一个测试写入标记被接通。处理程序进行到下一个测试写入的执行。当在步骤S9中当前时间没有达到有效判定时间D时，在步骤S17测试写入标记被关断。当单元时间B等于或大于8，即当在步骤S4有效时间等于或长于160秒时，随后进行步骤S10，并检查通过从当前时间减去前一测试写入时间而获得的时间是否小于一小时。如果“是”，则在步骤S11读出当前温度。在步骤S12，检查当前温度是否处于前一温度的±3℃的范围内。如果“是”，在步骤S13，测试写入标记被关断且不进行测试写入。当有超过前一温度的±3℃的温度涨落时，测试写入标记被接通且在步骤S14执行测试写入。当在步骤S10当前时间与前一测试写入时间之差等于或长于一小时时，测试写入标记在步骤S14被强迫接通并执行测试写入。在关于是否需要测试写入的判定处理中设定的阈值时间，可以根据需要得到适当确定。
图42A和42B显示了一个测试写入执行处理的流程图，该处理是在图40A中的步骤S4执行的，且该处理是由图35中的测试写入执行单元304执行的。首先在步骤S1，测量设备温度T。在步骤S2，在为图2的控制器10设置的缓冲存储器20中形成十六进制符号的写入图案组成的测试模式(pattern)“596595”和“FEDC，......3210”。测试模式“596595”是最坏的图案，其中误差的发生率是最大的。“FEDC，.......3210”是十六进制符号的各个字的整个图案。在步骤S3，形成测试写入执行扇区。如将在下面描述的，对于测试写入执行扇区，在介质的非用户区域中确定的一个测试区域得到指定，且扇区地址得到产生。在步骤S4，从设备温度计算开始写入功率WP的缺省比值WPO。在步骤S5，通过将此时的缺省写入功率DWP乘到缺省写入功率比值WPO上，计算出写入功率WP。在步骤S6，利用缺省比值WPO计算擦除功率EP。当计算缺省擦除功率EP时，采用了一个值的擦除功率的缺省比值—该值是以这样的方式获得的，即一个值—其中系数0.7被乘到通过从写入功率的缺省比值WPO减去1.0而获得的一个值上—被加到1上；且这样的缺省比值被乘到一个缺省擦除功率DEP上，从而计算出擦除功率EP。即，擦除功率的流程图比值与写入功率相比得到了抑制。在步骤S7，通过采用计算出的写入功率WP和擦除功率EP，将在步骤S2在缓冲存储器中形成的两种写入图案写入到介质的测试区域中。在此例中，当介质是128MB或230MB介质时，进行PPM记录。当介质是540MB或640MB介质时，执行PWM记录。在完成了数据写入操作之后，在步骤S8执行测试模式的数据的读取操作。在步骤S9，读取图案被与缓冲存储器中的原来的写入图案相比较，且以字为单位来计数数据的不一致的次数。在步骤S10，当数据的不一致的次数小于1000时，这意味着功率没有达到下限点的写入功率，处理程序进行到步骤S11。写入功率的缺省比值WPO被减小了预定的值0.05。处理程序再次返回到步骤S5，且执行利用减小了0.05的缺省比值WPO的测试写入。该数据写入操作在如上所述地减小写入功率的缺省比值WPO的同时得到重复。当数据的不一致的次数在步骤S10等于或大于1000时，判定功率已经达到了写入功率下限点。在步骤S12，缺省比值被校准到25℃处的下限功率的缺省比值(WPO-EDG)。即，通过将温度校正系数乘到一个值—其中从当前温度减去了25℃—而获得的一个值，被加到在步骤S10确定的写入功率下限点(WPO-EDG)。在步骤S13，预定的偏移量比值ΔWPO被加到温度校准值上，从而计算最佳功率的缺省比值WPO。在步骤S14，根据确定的最佳写入功率的缺省比值WPO的各个区的写入功率得到设定。
图43显示了一个测试写入，其中在图42A和42B中的测试写入的执行中的测试功率被逐渐减小。首先，在一个开始点328，通过设定缺省写入功率DWP而开始测试写入。通过在每次将开始的缺省比值1.0减小0.05的同时进行测试写入，获得不一致的次数。当写入功率WP达到下限写入功率WP时，不一致的次数增大。当不一致的次数达到了预定的阈值(例如1000个)时，它被检测为极限点330。通过将预定的偏移量比值ΔWPO加到与在极限点330处的下限写入功率WP相对应的缺省比值WPO—极限上，确定了一个缺省比值WP—最佳，它给出了最佳写入功率WP。
图44是曲线图，显示了温度校正系数Kt与偏移量比值ΔWPO的特性，而偏移量比值ΔWPO在图42B的步骤S13中被加到极限功率的缺省比值上。用于为温度T校正偏移量比值ΔWPO的温度校正系数Kt，是借助作为线性近似(其中在温度T(＝25℃)处的校正系数Kt被设定为Kt＝1.0)的关系方程(Kt＝A·T+B)的系数的斜率A和与y轴的交点B而确定的。因此，通过将此时的设备温度T代入关系方程，获得了相应的温度系数Kt的值。通过将在温度T(＝25℃)下获得的缺省偏移量比值ΔWPO乘到Kt的值上，能够获得用于计算最佳写入功率的偏移量比值ΔWPO。
图45显示了区校正Ki的线性近似的关系方程，其中该校正是用于用在图42B的步骤S13中的偏移量比值ΔWPO的区号的。该关系方程由(Ki＝C·i+D)确定，且斜率C和与y轴的交点D是作为关系方程的系数而确定的。由于在中心第i区＝6处区校正系数Ki被设定为1.0，确定了在区号6处的缺省偏移量比值ΔWPO。因此，区校正系数Ki是从对于任意第i区的关系方程(Ki＝C·i+D)获得的，并被乘到第i区的缺省偏移量比值ΔWPO上，从而能够获得用于在步骤S13计算最佳写入功率的偏移量比值ΔWPO。
图46A至46C是曲线图，显示了图42A和42B中的测试写入中的用于写入功率WPO的不一致次数与设备温度的特征。图46A涉及这样的情况，即其中设备温度等于25℃。图46B涉及该温度被减小到T＝10℃的情况。图46C涉及其中温度被增大到T＝55℃的情况。对于图46A中的T＝25℃，当设备温度减小时，如图46B中的T＝10℃所示，不一致次数对写入功率的特性曲线360沿着使写入功率由于温度的降低而被增大的方向而被移到特性364。相反地，当温度被增大到如图46C所示的T＝55℃时，曲线360沿着减小写入功率的方向被移到特性368。因此，最佳写入功率点根据温度而改变，如362、366、370所示。对于写入功率和不一致次数取决于设备温度的特性，例如，假定测试写入的开始功率在T＝25℃被固定在低功率侧的开始功率WP。在此状态下，当温度如图46B所需地减小到T＝10℃时，低于在超过1000的不一致次数的极限点30写入功率的写入功率，被设定为启动功率。因此，在图42A和42B的测试写入的执行中，如果在第一测试写入中数据的不一致的次数超过了在低功率侧上的极限点处的阈值1000，则在步骤S11执行一个处理，以增大写入功率的缺省比值ΔWPO一个预定的比值。因此，即使温度下降，通过将开始功率移到高于在极限点330处的功率侧，也能够进行正常的测试写入。显然可以理解的，是当一个预定的缺省值被设定为开始写入功率时，通过进行基于设备温度T的温度校正，也能够根据图46A至46C所示的与温度对应的特性，来设定测试写入的最佳开始功率。即使借助这种方法，如果测试功率的开始功率低于低功率侧上的极限点，只要将一个偏移量比值加上以借助类似的处理来增大开始功率，就足够了。
图47是形成测试写入执行扇区的地址的流程图，该处理是在图42A和42B中的测试写入执行的步骤S3执行的。测试写入执行地址的形成，涉及随机扇区地址的产生的一个例子。首先在步骤S1，设定介质的区域开头地址。在本发明的测试写入中，图48的介质72中的用户区域334之外的一个非用户区域338或之内的非用户区域336被分配给一个功率调节区域。图49显示了图48中的非用户区域338，且相对于非用户区域338中的一个预定道范围设定了一个功率调节区域340。因此，在步骤S1，一个区域开头地址，即功率调节区域340中的任意测试写入的一个道地址和一个扇区数，得到了设定。在步骤S2，从一个一道的区域长度减去其中已经完成了测试写入的扇区的数目，从而获得剩余的区域长度。这是由于对于其中曾经进行了测试写入的扇区不继续进行测试写入。在步骤S3，通过将一个随机数乘到剩余的区域长度上，获得了偏移扇区的数。作为一个随机数，根据预定的随机数程序产生在从0至1范围中的一个任意值。当偏移扇区的数被如上所述地获得时，在步骤S4，通过将偏移扇区的数加到区域开头地址上，获得执行地址。图50显示了通过形成图47中的随机测试写入地址的测试写入。三次的测试写入342-1、342-2和342-3，是用四扇区作为一个单位，而随机执行的。
图51显示了测试写入执行扇区的地址形成的另一实施例，该地址形成是在图42A和42B中的测试写入执行的步骤S3执行的，且其特征在于测试写入执行地址是依次形成的。首先在步骤S1，通过从区域最后地址减去已经得到测试的测试写入扇区的数，而获得功率调节区域的最后开始地址。在步骤S2，前一个执行地址被置入执行地址。在步骤S3，前一执行地址和最后开始地址得到比较。当前一执行地址没有达到最后开始地址时，随后进行步骤S5，且执行地址被设定为[(前一执行地址)+(测试写入扇区的数)]，并执行测试写入。当前一执行地址超过了最后开始地址时，在步骤S4将区域开头地址置入执行地址，并执行测试写入。图52显示了通过图51的测试写入地址的依次形成而进行的功率调节区域的测试写入，且测试写入344-1、344-2和344-3，是以四扇区作为一个单位而执行的。
图53是图42A和42B中的步骤S8中的数据读取处理的流程图。在测试写入结束之后的数据读取操作中，首先在步骤S1读出扇区。对于扇区读取操作，在步骤S2鉴别异常结束是否存在。在异常结束的情况下，检查错误的因素是否基于同步字节的同步错误。如图54的道格式所示，同步字节354是表示数据356的开始位置的重要信息。如果该错误因素是基于同步字节354的同步错误，由于不能读出随后的数据356，处理程序进行到步骤S5。为了将不一致的次数强行设定到最大值，与测试模式完全不同的一个图案被存储到读取缓冲器中。因此，数据的不一致的次数，通过比较读取缓冲器中的不同图案和测试模式，而达到最大。在步骤S3中错误不是同步字节的同步错误的情况下，在步骤S4根据需要执行另一种错误处理。在步骤S6，检查扇区是否功率调节区域中的最后一个扇区。从步骤S1开始的处理得到重复，直到扇区达到最后扇区。在最后扇区的情况下，处理程序进行到不一致的次数的下一个判定处理。
图55是在图42A和42B中的步骤S9中以字为单位计数数据的不一致的次数的处理的流程图。首先在步骤S1，将D＝0置入用于鉴别质量良好的扇区的计数器D。在步骤S2，通过将测试模式与读取图案相比较而获得一个扇区的不一致的次数。在步骤S3，检查一个扇区的不一致次数是否小于预定的阈值(例如10)。如果它小于10，则判定扇区是质量良好的扇区。在步骤S4，表示质量良好的扇区的计数器D被加1。当不一致的次数等于或大于10时，不一致的次数的计数增大。当在步骤S7没有鉴别到最后扇区时，处理程序再次返回到步骤S2，且通过比较处理获得下一个扇区的不一致次数。在步骤S4，当质量良好的扇区的计数器D被增大1时，随后进行步骤S5并检查计数器D是否等于或大于1。当D小于1时，即当它等于0时，处理程序进行到步骤S6，且所有的扇区都被认为是质量良好的扇区。不一致的次数被设定为0。因此，当测试写入的开头扇区被认为是质量良好的扇区时，对随后的扇区不进行不一致次数的比较，而是进行下一个测试写入。因此，实现了高处理速度的测试写入，且调节时间得到了缩短。
图56是图42A和42B中的步骤S14中最后执行的各个区的写入功率设定处理，即功率表形成处理，的流程图。在该功率表形成处理中，在步骤S1，从设备温度计算擦除功率EP的缺省功率表和每一个区的第一写入功率WP1。在步骤S2，设定第i区的写入功率(WP)i，把在写入功率调节中获得的最佳缺省比值WPO乘到缺省写入功率DWPi上，并进一步执行温度校正，从而计算写入功率。在步骤S3，检查介质是否PWM介质。在PWM介质的情况下，随后进行步骤S4，且与在步骤S2中获得的第一写入功率对应的一个写入功率(WP1)i乘到第i区的功率比值(WP2/WP1)上，从而计算一个第二写入功率(WP2)i。在步骤S5，设定第i区的一个擦除功率(EP)i。当计算擦除功率时，把抑制涨落量的一个系数0.7乘到一个值上—在该值中从通过写入功率调节而导出的最佳写入功率的缺省比值WPO减去了1.0，且所得到的乘积被加1.0。所得到的和值又被乘到缺省擦除功率EPi上。借助此时测量的温度进行的温度校正显然得到了进行。借助图56的功率表形成处理，形成了图35的功率表存储单元310中所示的擦除功率表318、第一写入功率表320、和第二写入功率表322。响应于来自上级设备的随后的写入存取，读出与区号对应的功率，并进行根据此时的设备温度的温度校正。在此之后，计算并设定图4的激光二极管控制电路中的寄存器的DAC指令值，且激光二极管100的光发射得到了控制。
根据如上所述的本发明，通过在两个功率—它们是低功率因而不会损坏激光二极管—进行激光二极管的光发射控制，能够在不损坏设备的情况下在短时间里进行光发射调节。即使区的数目增大(例如它们被分成三个区域)，光发射调节也得到进行，且在任意功率下在所有区中的调节值能够借助调节结果的线性近似而得到设定。即使区的数目增大，也能够在短时间内进行光发射调节。另外，即使区的数目由于介质的格式改变而改变，设备也能够方便地适应。
根据本发明，在不给激光二极管产生负担的情况下，能够在短时间里适当地进行借助测试写入的最佳写入功率确定处理。即，作为确定最佳写入功率的调节处理，只要从开始功率逐渐减小写入功率并检测下限侧上的极限功率，就足够了。与在两个点处检测上和下限功率的传统情况相比，使用一半的时间就足够了。由于测试写入不需要高功率，不会对激光二极管产生损坏，且设备的寿命得到了改善。
本发明不限于前述实施例，且在本发明的所附权利要求书的精神和范围内可以有很多修正和变化。本发明不仅限于在本发明的前述实施例中公布的数值。

Claims (24)

1.一种光学存储设备，包括
一个激光二极管(100)，用于发射激光束；以及
一个写入功率调节单元(300)，用于在分步逐渐减小所述激光二极管(100)的写入功率的同时把预定的测试图案(″596595″，″FEDC，……3210″)写入介质(72)，在此之后读出所述测试图案并与一个原来的测试图案(″596595″，″FEDC，……3210″)相比较，计数数据的不一致的次数，检测其中所述不一致的次数超过一个阈值的写入功率以作为极限写入功率，并确定通过将一个预定偏移量加到所述极限写入功率上而获得的值作为最佳写入功率。
2.根据权利要求1的设备，其中所述写入功率调节单元(300)至少具有两个功率—用于擦除介质(72)的记录坑的第一功率和用于形成记录坑的作为写入功率的第二功率，并以预定的比例关系分步减小改变所述第一和第二功率。
3.根据权利要求1的设备，其中所述写入功率调节单元(300)具有至少两个功率—擦除介质(72)的记录坑的第一功率和形成记录坑的作为写入功率的第二功率，并改变所述写入功率从而使所述第二功率的摆动比值小于所述第一功率的摆动比值。
4.根据权利要求1的设备，其中当在以首先设定的写入功率写入测试图案(″596595″，″FEDC，……3210″)之后读出所述测试图案并使之与初始的测试图案比较时，其中不一致的次数超过了预定阈值的写入功率作为极限写入功率，所述写入功率调节单元(300)将测试功率增大一个预定的值并再次尝试写入和读取操作。
5.根据权利要求1的设备，其中所述写入功率调节单元(300)当设备的温度低时增大加到所述记录极限功率上的偏移量并当设备温度高时减小所述偏移量，从而根据设备温度来确定最佳写入功率。
6.根据权利要求1的设备，其中所述写入功率调节单元(300)以这样的方式调节加到所述记录极限功率上的偏移量，即当设备温度低时一个内圈侧被减小和一个外圈侧被增大，且当设备温度高时内圈侧被增大且外圈侧被减小，从而根据设备温度和沿着介质(72)的径向方向的位置来确定最佳写入功率(WP-best)。
7.一种光学记录设备，包括：
一个写入功率调节单元(300)，用于在分步逐渐减小写入功率的同时将一个预定测试图案(″596595″，″FEDC，……3210″)写入到介质(72)上，在此之后读出所述测试图案，将所述测试图案与一个原来的测试图案(″596595″，″FEDC，……3210″)相比较，计数数据的不一致的次数，检测其中所述不一致的次数超过一个阈值的写入功率以作为极限写入功率，并确定通过将一个预定偏移量加到所述极限写入功率上而获得的值作为最佳写入功率；以及
一个调节时序判定单元(302)，用于判定是否需要一个写入功率调节处理以优化用于所述介质(72)的写入功率并根据所述判定的结果来启动所述写入功率调节单元(300)。
8.根据权利要求7的设备，其中所述调节时序判定单元(302)与从一个上级设备产生的写入指令同步地启动写入功率调节。
9.根据权利要求8的设备，其中在设备借助介质(72)的装载而得到启动之后，当从所述上级设备产生了一个第一写入指令时，所述调节时序判定单元(302)启动写入功率调节。
10.根据权利要求9的设备，其中所述调节时序判定单元(302)基于如下的一个经过时间来确定一个有效时间，在该有效时间内写入功率被调节的状态被保证有效，而该经过时间是在介质(72)启动后直至与来自上级设备的写入指令同步地执行第一次写入功率调节的时间。
11.根据权利要求10的设备，其中当所述经过时间短于预定的阈值时间时，所述调节时序判定单元(302)根据所述经过时间来减小所述有效时间，且当所述经过时间超过所述阈值时间时所述调节时序判定单元(302)将所述有效时间设定为所述阈值时间。
12.根据权利要求11的设备，其中当从前一个写入功率调节的时序开始的经过时间超过了所述有效时间时，所述调节时序判定单元(302)启动下一个写入功率调节。
13.根据权利要求11的设备，其中在从前一写入功率调节的时序开始的经过时间超过了所述有效时间之前，所述调节时序判定单元(302)当当前的设备温度波动超过前一写入功率调节时的设备温度的预定温度范围时启动写入功率调节。
14.根据权利要求13的设备，其中当设定一个测试功率时，所述写入功率调节单元(300)利用以预定的缺省写入功率作为基准的所设定写入功率的缺省比值来改变写入功率，且当所述最佳写入功率被确定时，一个预定的偏移量比值被加到所述极限功率的缺省比值上，从而确定最佳写入功率的一个缺省比值。
15.根据权利要求14的设备，其中当所述缺省写入功率的调节被执行时，所述调节时序判定单元(302)启动所述写入功率调节。
16.一种光学记录设备，包括：
一个写入功率调节单元(300)，用于在分步改变写入功率的同时将预定的测试图案(″596595″，″FEDC，……3210″)写入到介质(72)上，在此之后读出所述测试图案，将所述测试图案与一个原来的测试图案相比较，计数数据的不一致的次数，检测其中所述不一致的次数超过一个阈值的写入功率以作为极限写入功率，并确定通过将一个预定偏移量加到所述极限写入功率上而获得的值作为最佳写入功率，其中
所述写入功率调节单元(300)将盘介质(72)的一个用户未使用区域(336，338)的一部分指定为测试区域(340)并执行测试图案(″596595″，″FEDC，……3210″)的写入操作和读取操作。
17.一种光学记录设备，包括：
一个写入功率调节单元(300)，用于在分步改变写入功率的同时将预定的测试图案(″596595″，″FEDC，……3210″)写入到介质(72)上，在此之后读出所述测试图案，将所述测试图案与一个原来的测试图案(″596595″，″FEDC，……3210″)相比较，计数数据的不一致的次数，检测其中所述不一致的次数超过一个阈值的写入功率以作为极限写入功率，并确定通过将一个预定偏移量加到所述极限写入功率上而获得的值作为最佳写入功率，其中
所述写入功率调节单元(300)利用构成用于写入所述测试图案的测试区域(340)的多个道中的一个特定道的一部分连续扇区而执行测试图案(″596595″，″FEDC，……3210″)的写入操作和读取操作。
18.一种光学记录设备，包括：
一个写入功率调节单元(300)，用于在分步改变写入功率的同时将预定的测试图案(″596595″，″FEDC，……3210″)写入到介质(72)上，在此之后读出所述测试图案，将所述测试图案与一个原来的测试图案(″596595″，″FEDC，……3210″)相比较，计数数据的不一致的次数，检测其中所述不一致的次数超过一个阈值的写入功率以作为极限写入功率，并确定通过将一个预定偏移量加到所述极限写入功率上而获得的值作为最佳写入功率，其中
所述写入功率调节单元(300)通过产生一个随机数在构成用于写入所述测试图案的测试区域(340)的多个道中随机指定适当的扇区，并执行该测试图案(″596595″，″FEDC，……3210″)的写入操作和读取操作。
19.一种光学记录设备，包括：
一个写入功率调节单元(300)，用于在分步改变写入功率的同时将预定的测试图案(″596595″，″FEDC，……3210″)写入到介质(72)上，在此之后读出所述测试图案，将所述测试图案与一个原来的测试图案(″596595″，″FEDC，……3210″)相比较，计数数据的不一致的次数，检测其中所述不一致的次数超过一个阈值的写入功率以作为极限写入功率，并确定通过将一个预定偏移量加到所述极限写入功率上而获得的值作为最佳写入功率，其中
当在读取测试图案期间不能检测到数据同步图案时，所述写入功率调节单元(300)计数不一致次数的一个预定最大数目作为所述数据不一致次数。
20.一种光学记录设备，包括：
一个写入功率调节单元(300)，用于在分步改变写入功率的同时将预定的测试图案(″596595″，″FEDC，……3210″)写入到介质(72)上，在此之后读出所述测试图案，将所述测试图案与一个原来的测试图案(″596595″，″FEDC，……3210″)相比较，计数数据的不一致的次数，检测其中所述不一致的次数超过一个阈值的写入功率以作为极限写入功率，并确定通过将一个预定偏移量加到所述极限写入功率上而获得的值作为最佳写入功率，其中
当读取测试图案期间，在从开头扇区至预定数的扇区的范围中的不一致次数等于或小于预定的阈值时，所述写入功率调节单元(300)认为所有的扇区都是质量良好的扇区、中断数据比较、并计数一个预定的最小值来作为所述数据不一致次数。
21.一种光学记录设备，包括：
一个写入功率调节单元(300)，用于在分步改变写入功率的同时将预定的测试图案(″596595″，″FEDC，……3210″)写入到介质(72)上，在此之后读出所述测试图案，将所述测试图案与一个原来的测试图案(″596595″，″FEDC，……3210″)相比较，计数数据的不一致的次数，检测其中所述不一致的次数超过一个阈值的写入功率以作为极限写入功率，并确定通过将一个预定偏移量加到所述极限写入功率上而获得的值作为最佳写入功率，其中
所述写入功率调节单元(300)基于设备温度确定写入功率的初始值。
22.一种光学记录设备，包括：
一个写入功率调节单元(300)，用于在分步改变写入功率的同时将预定的测试图案(″596595″，″FEDC，……3210″)写入到介质上，在此之后读出所述测试图案，将所述测试图案与一个原来的测试图案(″596595″，″FEDC，……3210″)相比较，计数数据的不一致的次数，检测其中所述不一致的次数超过一个阈值的写入功率以作为极限写入功率，并确定通过将一个预定偏移量加到所述极限写入功率上而获得的值作为最佳写入功率；以及
一个测试执行单元(304)，用于将盘介质(72)的一个用户未使用区域(336，338)的一部分指定为测试区域(340)，并在借助所述写入功率调节单元(300)进行调节时执行测试图案(″596595″，″FEDC，……3210″)的写入操作和读取操作。
23.根据权利要求22的设备，其中所述写入功率调节单元(300)通过利用构成所述测试区域(340)的多个道中的一条特定道的一部分连续扇区来执行测试图案(″596595″，″FEDC，……3210″)的写入和读取操作。
24.根据权利要求22的设备，其中所述写入功率调节单元(300)通过产生一个随机数来随机指定构成所述测试区域(340)的多个道中的适当扇区，并执行测试图案(″596595″，″FEDC，……3210″)的写入和读取操作。
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