JP2003248928A - 光レベル制御装置 - Google Patents
光レベル制御装置Info
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
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- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 再生ジッタの悪化を防止することができる光
レベル制御装置を提供する。 【解決手段】 第２レベルを段階的に設定して全ての第
２レベル毎に第２レベルと第１レベルの差と、第２レベ
ルと第１レベルの差に対する第３レベルと第２レベルの
差の比率を段階的に変化させたときの全ての比率に対応
する第３レベルと第２レベルの差を設定したテーブルを
作成するテーブル作成手段Ｓ２〜Ｓ１６と、記録を行う
光ディスクから読み出した製品情報に応じて当該光ディ
スクに最適第２レベルと最適比率を決定する最適値決定
手段Ｓ１８と、最適第２レベルと最適比率を用いてテー
ブルから第２レベルと第１レベルの差及び第３レベルと
第２レベルの差を取得して光レベル制御に使用する取得
手段Ｓ２０とを有することにより、ライトレベルとリー
ドレベルの差に対するパワードレベルとライトレベルの
差の比率を最適値に設定でき、再生ジッタの悪化を防止
することができる。
レベル制御装置を提供する。 【解決手段】 第２レベルを段階的に設定して全ての第
２レベル毎に第２レベルと第１レベルの差と、第２レベ
ルと第１レベルの差に対する第３レベルと第２レベルの
差の比率を段階的に変化させたときの全ての比率に対応
する第３レベルと第２レベルの差を設定したテーブルを
作成するテーブル作成手段Ｓ２〜Ｓ１６と、記録を行う
光ディスクから読み出した製品情報に応じて当該光ディ
スクに最適第２レベルと最適比率を決定する最適値決定
手段Ｓ１８と、最適第２レベルと最適比率を用いてテー
ブルから第２レベルと第１レベルの差及び第３レベルと
第２レベルの差を取得して光レベル制御に使用する取得
手段Ｓ２０とを有することにより、ライトレベルとリー
ドレベルの差に対するパワードレベルとライトレベルの
差の比率を最適値に設定でき、再生ジッタの悪化を防止
することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光レベル制御装置に
関し、特に、記録型光ディスクにデータ記録を行う光デ
ィスク装置の光レベル制御装置に関する。
関し、特に、記録型光ディスクにデータ記録を行う光デ
ィスク装置の光レベル制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】データ記録が可能な記録型光ディスクに
は、ＣＤ−Ｒ等の追記型光ディスクと、ＣＤ−ＲＷ等の
書き換え可能型光ディスクとがある。このうち、ＣＤ−
Ｒの記録では、レーザ光の光強度を図１に示すように、
リードレベルを基準にライトレベルを重畳し、更に、ラ
イトレベルの開始から所定時間( 例えば１Ｔ〜１．５
Ｔ、Ｔは標準速度（１倍速）にて周波数４．３２ＭＨｚ
の１周期で約２３６ｍｓｅｃ）はパワードレベルを設定
している。これは、レーザ光の照射直後は光ディスク上
の温度が低く、照射時間の経過に伴い温度が上昇してい
くので、パワードレベルを設定することによって温度上
昇を早め、一定幅のピットを形成するためである。
は、ＣＤ−Ｒ等の追記型光ディスクと、ＣＤ−ＲＷ等の
書き換え可能型光ディスクとがある。このうち、ＣＤ−
Ｒの記録では、レーザ光の光強度を図１に示すように、
リードレベルを基準にライトレベルを重畳し、更に、ラ
イトレベルの開始から所定時間( 例えば１Ｔ〜１．５
Ｔ、Ｔは標準速度（１倍速）にて周波数４．３２ＭＨｚ
の１周期で約２３６ｍｓｅｃ）はパワードレベルを設定
している。これは、レーザ光の照射直後は光ディスク上
の温度が低く、照射時間の経過に伴い温度が上昇してい
くので、パワードレベルを設定することによって温度上
昇を早め、一定幅のピットを形成するためである。
【０００３】一方、ＣＤ−ＲＷの記録では、レーザ光の
光強度を図２に示すように、バイアスレベルを基準とし
て、ライトレベルとイレーズレベルの２値で変化させて
いる。この場合、ライトレベルによって光ディスクの記
録膜の状態が結晶状態からアモルファス状態に変化して
記録マークが形成され、また、イレーズレベルによって
アモルファス状態から結晶状態に変化して記録済みの記
録マークが消去される。
光強度を図２に示すように、バイアスレベルを基準とし
て、ライトレベルとイレーズレベルの２値で変化させて
いる。この場合、ライトレベルによって光ディスクの記
録膜の状態が結晶状態からアモルファス状態に変化して
記録マークが形成され、また、イレーズレベルによって
アモルファス状態から結晶状態に変化して記録済みの記
録マークが消去される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の光ディスク装置
は、ＣＤ−Ｒの記録時には、レーザ光の光強度をフロン
トモニタで検出して、リードレベルとライトレベルにつ
いてはフィードバック制御を行っているが、パワードレ
ベルについては、パワードレベル期間がフロントモニタ
の応答に比して短いためにフィードバック制御を行わ
ず、ライトレベルとリードレベルの差ＤＷに対するパワ
ードレベルとライトレベルの差ＤＰの比率ＤＷ／ＤＰを
一定に設定している。
は、ＣＤ−Ｒの記録時には、レーザ光の光強度をフロン
トモニタで検出して、リードレベルとライトレベルにつ
いてはフィードバック制御を行っているが、パワードレ
ベルについては、パワードレベル期間がフロントモニタ
の応答に比して短いためにフィードバック制御を行わ
ず、ライトレベルとリードレベルの差ＤＷに対するパワ
ードレベルとライトレベルの差ＤＰの比率ＤＷ／ＤＰを
一定に設定している。
【０００５】しかし、メーカ等による光ディスクの記録
特性の違いによって、上記比率ＤＷ／ＤＰの最適値は、
例えば１０〜１５パーセント程度で異なり、従来は光デ
ィスクの種類によって、必ずしも最適のパワードレベル
が設定されておらず、再生ジッタが悪化する等の問題が
あった。
特性の違いによって、上記比率ＤＷ／ＤＰの最適値は、
例えば１０〜１５パーセント程度で異なり、従来は光デ
ィスクの種類によって、必ずしも最適のパワードレベル
が設定されておらず、再生ジッタが悪化する等の問題が
あった。
【０００６】また、ＣＤ−ＲＷの記録時にも、記録速度
が遅ければレーザ光の光強度をフロントモニタで検出し
て、ライトレベルとイレーズレベルのフィードバック制
御を行えるが、記録速度が速くなるとライトレベル期間
がフロントモニタの応答に比して短くなるために、イレ
ーズレベルとバイアスレベルの差に対するライトレベル
とイレーズレベルの差の比率を最適値に設定する必要が
ある。この場合にも、光ディスクの記録特性の違いによ
って、上記比率ＤＷ／ＤＰの最適値は異なり、光ディス
クの種類によって、最適のパワードレベルが設定されて
いない場合には、再生ジッタが悪化する等の問題があっ
た。
が遅ければレーザ光の光強度をフロントモニタで検出し
て、ライトレベルとイレーズレベルのフィードバック制
御を行えるが、記録速度が速くなるとライトレベル期間
がフロントモニタの応答に比して短くなるために、イレ
ーズレベルとバイアスレベルの差に対するライトレベル
とイレーズレベルの差の比率を最適値に設定する必要が
ある。この場合にも、光ディスクの記録特性の違いによ
って、上記比率ＤＷ／ＤＰの最適値は異なり、光ディス
クの種類によって、最適のパワードレベルが設定されて
いない場合には、再生ジッタが悪化する等の問題があっ
た。
【０００７】本発明は、上記の点に鑑みなされたもの
で、ライトレベルとリードレベルの差に対するパワード
レベルとライトレベルの差の比率、または、イレーズレ
ベルとバイアスレベルに対するライトレベルとイレーズ
レベルの差の比率を最適値に設定でき、再生ジッタの悪
化を防止することができる光レベル制御装置を提供する
ことを目的とする。
で、ライトレベルとリードレベルの差に対するパワード
レベルとライトレベルの差の比率、または、イレーズレ
ベルとバイアスレベルに対するライトレベルとイレーズ
レベルの差の比率を最適値に設定でき、再生ジッタの悪
化を防止することができる光レベル制御装置を提供する
ことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、基準となる第１レベルより高い第２レベルと前記第
２レベルより高い第３レベルからなる光強度のレーザ光
を光ディスクに照射して記録を行う際に前記第１，第
２，第３レベルの制御を行う光レベル制御装置であっ
て、第２レベルを段階的に設定して全ての第２レベル毎
に第２レベルと第１レベルの差と、前記第２レベルと第
１レベルの差に対する前記第３レベルと第２レベルの差
の比率を段階的に変化させたときの全ての比率に対応す
る第３レベルと第２レベルの差を設定したテーブルを作
成するテーブル作成手段（Ｓ２〜Ｓ１６）と、記録を行
う光ディスクから読み出した製品情報に応じて当該光デ
ィスクに最適第２レベルと最適比率を決定する最適値決
定手段（Ｓ１８）と、前記最適第２レベルと最適比率を
用いて前記テーブルから第２レベルと第１レベルの差及
び第３レベルと第２レベルの差を取得して光レベル制御
に使用する取得手段（Ｓ２０）とを有することにより、
第２レベルであるライトレベルと第１レベルであるリー
ドレベルの差に対する第３レベルであるパワードレベル
とライトレベルの差の比率、または、第２レベルである
イレーズレベルと第１レベルであるバイアスレベルに対
する第３レベルであるライトレベルとイレーズレベルの
差の比率を最適値に設定でき、再生ジッタの悪化を防止
することができる。
は、基準となる第１レベルより高い第２レベルと前記第
２レベルより高い第３レベルからなる光強度のレーザ光
を光ディスクに照射して記録を行う際に前記第１，第
２，第３レベルの制御を行う光レベル制御装置であっ
て、第２レベルを段階的に設定して全ての第２レベル毎
に第２レベルと第１レベルの差と、前記第２レベルと第
１レベルの差に対する前記第３レベルと第２レベルの差
の比率を段階的に変化させたときの全ての比率に対応す
る第３レベルと第２レベルの差を設定したテーブルを作
成するテーブル作成手段（Ｓ２〜Ｓ１６）と、記録を行
う光ディスクから読み出した製品情報に応じて当該光デ
ィスクに最適第２レベルと最適比率を決定する最適値決
定手段（Ｓ１８）と、前記最適第２レベルと最適比率を
用いて前記テーブルから第２レベルと第１レベルの差及
び第３レベルと第２レベルの差を取得して光レベル制御
に使用する取得手段（Ｓ２０）とを有することにより、
第２レベルであるライトレベルと第１レベルであるリー
ドレベルの差に対する第３レベルであるパワードレベル
とライトレベルの差の比率、または、第２レベルである
イレーズレベルと第１レベルであるバイアスレベルに対
する第３レベルであるライトレベルとイレーズレベルの
差の比率を最適値に設定でき、再生ジッタの悪化を防止
することができる。
【０００９】請求項２に記載の発明は、請求項１記載の
光レベル制御装置において、前記最適値決定手段は、予
め各種光ディスクの製品情報に応じた最適第２レベルと
最適比率が予め設定されている対応テーブルを有し、記
録を行う光ディスクから読み出した製品情報を用いて前
記対応テーブルから前記製品情報に応じた最適第２レベ
ルと最適比率を決定することにより、製品情報に応じた
最適第２レベルと最適比率を簡単かつ短時間で決定する
ことができる。
光レベル制御装置において、前記最適値決定手段は、予
め各種光ディスクの製品情報に応じた最適第２レベルと
最適比率が予め設定されている対応テーブルを有し、記
録を行う光ディスクから読み出した製品情報を用いて前
記対応テーブルから前記製品情報に応じた最適第２レベ
ルと最適比率を決定することにより、製品情報に応じた
最適第２レベルと最適比率を簡単かつ短時間で決定する
ことができる。
【００１０】なお、上記括弧内の参照符号は、理解を容
易にするために付したものであり、一例にすぎず、図示
の態様に限定されるものではない。
易にするために付したものであり、一例にすぎず、図示
の態様に限定されるものではない。
【００１１】
【発明の実施の形態】まず、ＣＤ−Ｒの記録を行う光デ
ィスク装置の光レベル制御装置について、説明する。
ィスク装置の光レベル制御装置について、説明する。
【００１２】図３は、本発明の光レベル制御装置の一実
施例のブロック図を示す。同図中、ＭＰＵ１０は、不揮
発性メモリ１２及び図示しないメモリを用いて装置全体
の制御を行う。ＭＰＵ１０の出力するリードレベル指示
データはＤ／Ａ変換器１４でアナログ化されてレーザダ
イオードドライバ１６の端子ａに供給され、同様に、Ｍ
ＰＵ１０の出力するライトレベル指示データ（図１のＤ
Ｗに相当）はＤ／Ａ変換器１８でアナログ化されてレー
ザダイオードドライバ１６の端子ｂに供給される。更
に、ＭＰＵ１０の出力するパワードレベル指示データ
（図１のＤＰに相当）はＤ／Ａ変換器２０でアナログ化
されてレーザダイオードドライバ１６の端子ｃに供給さ
れる。ところで、レーザダイオードドライバ１６の端子
ａ，ｂにおける電圧は、Ａ／Ｄ変換器１５，２１それぞ
れでデジタル化されてＭＰＵ１０に供給される。
施例のブロック図を示す。同図中、ＭＰＵ１０は、不揮
発性メモリ１２及び図示しないメモリを用いて装置全体
の制御を行う。ＭＰＵ１０の出力するリードレベル指示
データはＤ／Ａ変換器１４でアナログ化されてレーザダ
イオードドライバ１６の端子ａに供給され、同様に、Ｍ
ＰＵ１０の出力するライトレベル指示データ（図１のＤ
Ｗに相当）はＤ／Ａ変換器１８でアナログ化されてレー
ザダイオードドライバ１６の端子ｂに供給される。更
に、ＭＰＵ１０の出力するパワードレベル指示データ
（図１のＤＰに相当）はＤ／Ａ変換器２０でアナログ化
されてレーザダイオードドライバ１６の端子ｃに供給さ
れる。ところで、レーザダイオードドライバ１６の端子
ａ，ｂにおける電圧は、Ａ／Ｄ変換器１５，２１それぞ
れでデジタル化されてＭＰＵ１０に供給される。
【００１３】レーザダイオードドライバ１６には、この
他に端子２２から記録用の変調信号が供給され、レーザ
ダイオードドライバ１６は記録用の変調信号に応じて、
リードレベルまたはライトレベルまたはパワードレベル
それぞれを得るための電流をレーザダイオード２４に供
給してレーザダイオード２４を発光させ、このレーザ光
が光ディスクに照射されて記録が行われる。
他に端子２２から記録用の変調信号が供給され、レーザ
ダイオードドライバ１６は記録用の変調信号に応じて、
リードレベルまたはライトレベルまたはパワードレベル
それぞれを得るための電流をレーザダイオード２４に供
給してレーザダイオード２４を発光させ、このレーザ光
が光ディスクに照射されて記録が行われる。
【００１４】フロントモニタ２６は、レーザダイオード
２４の出力するレーザ光の光強度を検出するものであっ
てフォトダイオードで構成されており、光強度に応じた
検出電流をｎｐｎトランジスタＱ１のコレクタに流す。
トランジスタＱ１はｎｐｎトランジスタＱ２，Ｑ３とカ
レントミラー回路を構成しており、トランジスタＱ２，
Ｑ３のコレクタには上記検出電流と同一値の電流が流れ
る。
２４の出力するレーザ光の光強度を検出するものであっ
てフォトダイオードで構成されており、光強度に応じた
検出電流をｎｐｎトランジスタＱ１のコレクタに流す。
トランジスタＱ１はｎｐｎトランジスタＱ２，Ｑ３とカ
レントミラー回路を構成しており、トランジスタＱ２，
Ｑ３のコレクタには上記検出電流と同一値の電流が流れ
る。
【００１５】トランジスタＱ２のコレクタは互いに連動
したスイッチ２８，３０を介して可変電流源３２に接続
されている。スイッチ２８，３０はＭＰＵ１０からの指
示でリードレベルのタイミングでのみオンし、可変電流
源３２はＭＰＵ１０からの指示に従った値の定電流をス
イッチ２８，３０に流す。スイッチ２８，３０の接続点
は演算増幅器３４の反転入力端子に接続されている。
したスイッチ２８，３０を介して可変電流源３２に接続
されている。スイッチ２８，３０はＭＰＵ１０からの指
示でリードレベルのタイミングでのみオンし、可変電流
源３２はＭＰＵ１０からの指示に従った値の定電流をス
イッチ２８，３０に流す。スイッチ２８，３０の接続点
は演算増幅器３４の反転入力端子に接続されている。
【００１６】演算増幅器３４の非反転入力端子には基準
電圧Ｖｒｅｆが供給されており、演算増幅器３４はコン
デンサ３５と共にミラー積分回路を構成している。この
ミラー積分回路の出力電圧はｐｎｐトランジスタ３６で
反転されたのちＤ／Ａ変換器１４出力に重畳されてレー
ザダイオードドライバ１６の端子ａに供給される。
電圧Ｖｒｅｆが供給されており、演算増幅器３４はコン
デンサ３５と共にミラー積分回路を構成している。この
ミラー積分回路の出力電圧はｐｎｐトランジスタ３６で
反転されたのちＤ／Ａ変換器１４出力に重畳されてレー
ザダイオードドライバ１６の端子ａに供給される。
【００１７】ここで、ＭＰＵ１０からＤ／Ａ変換器１４
を通してレーザダイオードドライバ１６にリードレベル
指示信号が供給され、レーザダイオードドライバ１６が
リードレベルを得るための電流をレーザダイオード２４
に流すと共に、ＭＰＵ１０から上記リードレベルに応じ
た指示信号が可変電流源３２に供給されて、可変電流源
３２の出力電流値が例えばｉ１にされているものとす
る。
を通してレーザダイオードドライバ１６にリードレベル
指示信号が供給され、レーザダイオードドライバ１６が
リードレベルを得るための電流をレーザダイオード２４
に流すと共に、ＭＰＵ１０から上記リードレベルに応じ
た指示信号が可変電流源３２に供給されて、可変電流源
３２の出力電流値が例えばｉ１にされているものとす
る。
【００１８】レーザダイオード２４の出力するレーザ光
の光強度が指示されたリードレベルより低い場合には、
フロントモニタ２６の検出電流値が上記電流値ｉ１より
小さいために、電流値ｉ１と検出電流値との差電流がコ
ンデンサ３５を充電する方向に流れ、演算増幅器３４の
出力電圧は低下し、ｐｎｐトランジスタ３６からレーザ
ダイオードドライバ１６の端子ａに供給される電圧は上
昇し、これによって、レーザダイオードドライバ１６は
レーザダイオード２４に流す電流を増大させ、レーザダ
イオード２４の出力するレーザ光の光強度が増大する。
レーザダイオード２４の出力するレーザ光の光強度が指
示されたリードレベルより高い場合には、逆の動作によ
ってレーザダイオードドライバ１６はレーザダイオード
２４に流す電流を減少させ、レーザダイオード２４の出
力するレーザ光の光強度が減少し、フィードバック制御
が行われる。
の光強度が指示されたリードレベルより低い場合には、
フロントモニタ２６の検出電流値が上記電流値ｉ１より
小さいために、電流値ｉ１と検出電流値との差電流がコ
ンデンサ３５を充電する方向に流れ、演算増幅器３４の
出力電圧は低下し、ｐｎｐトランジスタ３６からレーザ
ダイオードドライバ１６の端子ａに供給される電圧は上
昇し、これによって、レーザダイオードドライバ１６は
レーザダイオード２４に流す電流を増大させ、レーザダ
イオード２４の出力するレーザ光の光強度が増大する。
レーザダイオード２４の出力するレーザ光の光強度が指
示されたリードレベルより高い場合には、逆の動作によ
ってレーザダイオードドライバ１６はレーザダイオード
２４に流す電流を減少させ、レーザダイオード２４の出
力するレーザ光の光強度が減少し、フィードバック制御
が行われる。
【００１９】トランジスタＱ３のコレクタは互いに連動
したスイッチ３８，４０を介して可変電流源４２に接続
されている。スイッチ３８，４０はＭＰＵ１０からの指
示でライトレベルのタイミングでのみオンし、可変電流
源４２はＭＰＵ１０からの指示に従った値の定電流をス
イッチ３８，４０に流す。スイッチ３８，４０の接続点
は演算増幅器４４の反転入力端子に接続されている。
したスイッチ３８，４０を介して可変電流源４２に接続
されている。スイッチ３８，４０はＭＰＵ１０からの指
示でライトレベルのタイミングでのみオンし、可変電流
源４２はＭＰＵ１０からの指示に従った値の定電流をス
イッチ３８，４０に流す。スイッチ３８，４０の接続点
は演算増幅器４４の反転入力端子に接続されている。
【００２０】演算増幅器４４の非反転入力端子には基準
電圧Ｖｒｅｆが供給されており、演算増幅器４４はコン
デンサ４５と共にミラー積分回路を構成している。この
ミラー積分回路の出力電圧はｐｎｐトランジスタ４６で
反転されたのちＤ／Ａ変換器１４出力に重畳されてレー
ザダイオードドライバ１６の端子ａに供給される。
電圧Ｖｒｅｆが供給されており、演算増幅器４４はコン
デンサ４５と共にミラー積分回路を構成している。この
ミラー積分回路の出力電圧はｐｎｐトランジスタ４６で
反転されたのちＤ／Ａ変換器１４出力に重畳されてレー
ザダイオードドライバ１６の端子ａに供給される。
【００２１】ここで、ＭＰＵ１０からＤ／Ａ変換器１８
を通してレーザダイオードドライバ１６にライトレベル
指示信号が供給され、レーザダイオードドライバ１６が
ライトレベルを得るための電流をレーザダイオード２４
に流すと共に、ＭＰＵ１０から上記ライトレベルに応じ
た指示信号が可変電流源４２に供給されて、可変電流源
４２の出力電流値が例えばｉ２にされているものとす
る。
を通してレーザダイオードドライバ１６にライトレベル
指示信号が供給され、レーザダイオードドライバ１６が
ライトレベルを得るための電流をレーザダイオード２４
に流すと共に、ＭＰＵ１０から上記ライトレベルに応じ
た指示信号が可変電流源４２に供給されて、可変電流源
４２の出力電流値が例えばｉ２にされているものとす
る。
【００２２】レーザダイオード２４の出力するレーザ光
の光強度が指示されたライトレベルより低い場合には、
フロントモニタ２６の検出電流値が上記電流値ｉ１より
小さいために、電流値ｉ１と検出電流値との差電流がコ
ンデンサ４５を充電する方向に流れ、演算増幅器４４の
出力電圧は低下し、ｐｎｐトランジスタ４６からレーザ
ダイオードドライバ１６の端子ａに供給される電圧は上
昇し、これによって、レーザダイオードドライバ１６は
レーザダイオード２４に流す電流を増大させ、レーザダ
イオード２４の出力するレーザ光の光強度が増大する。
レーザダイオード２４の出力するレーザ光の光強度が指
示されたライトレベルより高い場合には、逆の動作によ
ってレーザダイオードドライバ１６はレーザダイオード
２４に流す電流を減少させ、レーザダイオード２４の出
力するレーザ光の光強度が減少し、フィードバック制御
が行われる。
の光強度が指示されたライトレベルより低い場合には、
フロントモニタ２６の検出電流値が上記電流値ｉ１より
小さいために、電流値ｉ１と検出電流値との差電流がコ
ンデンサ４５を充電する方向に流れ、演算増幅器４４の
出力電圧は低下し、ｐｎｐトランジスタ４６からレーザ
ダイオードドライバ１６の端子ａに供給される電圧は上
昇し、これによって、レーザダイオードドライバ１６は
レーザダイオード２４に流す電流を増大させ、レーザダ
イオード２４の出力するレーザ光の光強度が増大する。
レーザダイオード２４の出力するレーザ光の光強度が指
示されたライトレベルより高い場合には、逆の動作によ
ってレーザダイオードドライバ１６はレーザダイオード
２４に流す電流を減少させ、レーザダイオード２４の出
力するレーザ光の光強度が減少し、フィードバック制御
が行われる。
【００２３】ここで、レーザダイオードドライバ１６の
端子ｂの入力電圧・出力電流特性の一実施例を図４に示
し、レーザダイオード２４の入力電流・出力光強度特性
の一実施例を図５に示す。なお、図５に示すレーザダイ
オードの入力電流・出力光強度特性でＢはリードレベ
ル、Ｅはライトレベル、Ｗはパワードレベルを表してい
る。
端子ｂの入力電圧・出力電流特性の一実施例を図４に示
し、レーザダイオード２４の入力電流・出力光強度特性
の一実施例を図５に示す。なお、図５に示すレーザダイ
オードの入力電流・出力光強度特性でＢはリードレベ
ル、Ｅはライトレベル、Ｗはパワードレベルを表してい
る。
【００２４】図６は、本発明装置のＭＰＵ１０が実行す
るパワードレベル設定処理の一実施例のフローチャート
を示す。この処理は、例えば光ディスク装置に光ディス
クが装着されたとき、及びその後の所定時間経過毎に実
行される。
るパワードレベル設定処理の一実施例のフローチャート
を示す。この処理は、例えば光ディスク装置に光ディス
クが装着されたとき、及びその後の所定時間経過毎に実
行される。
【００２５】同図中、ＭＰＵ１０はステップＳ２でパワ
ードレベル指示データによりＤ／Ａ変換器２０出力を０
Ｖに設定し、可変電流源３２に所定値を設定し、スイッ
チ２８，３０をオンさせリードレベルのフィードバック
制御を行い（図５における入力電流レベルＢを超えてい
る必要がある）、その時のレーザダイオードドライバ１
６の端子ａにおける電圧をＡ／Ｄ変換器１５で取得し、
その値をステップＳ４の固定値として使う。ステップＳ
４でリードレベル指示データによりＤ／Ａ変換器１４出
力を上記固定値（図５における入力電流レベルＢを超え
ている必要がある）に設定してスイッチ２８，３０をオ
フさせる。ステップＳ６でライトレベル指示データによ
り可変電流源４２を第２の値（例えばレーザダイオード
の出力光強度１０ｍＷに相当）に設定する。そして、ス
テップＳ８で、そのときのレーザダイオードドライバ１
６の端子ｂの電圧をＡ／Ｄ変換器２１から読み取って電
圧Ｗ１として保持する。
ードレベル指示データによりＤ／Ａ変換器２０出力を０
Ｖに設定し、可変電流源３２に所定値を設定し、スイッ
チ２８，３０をオンさせリードレベルのフィードバック
制御を行い（図５における入力電流レベルＢを超えてい
る必要がある）、その時のレーザダイオードドライバ１
６の端子ａにおける電圧をＡ／Ｄ変換器１５で取得し、
その値をステップＳ４の固定値として使う。ステップＳ
４でリードレベル指示データによりＤ／Ａ変換器１４出
力を上記固定値（図５における入力電流レベルＢを超え
ている必要がある）に設定してスイッチ２８，３０をオ
フさせる。ステップＳ６でライトレベル指示データによ
り可変電流源４２を第２の値（例えばレーザダイオード
の出力光強度１０ｍＷに相当）に設定する。そして、ス
テップＳ８で、そのときのレーザダイオードドライバ１
６の端子ｂの電圧をＡ／Ｄ変換器２１から読み取って電
圧Ｗ１として保持する。
【００２６】次に、ステップＳ１０でライトレベル指示
データにより可変電流源４２を第２の値（例えばレーザ
ダイオードの出力光強度２０ｍＷに相当）に設定する。
なお、１０ｍＷ設定時も、２０ｍＷ設定時も第２の値と
しており、異なるパワーが設定されておかしいとも考え
られるが、レーザダイオードドライバ１６の端子ｂのチ
ャンネルでコントロールされるパワーを第２の値と考え
る方が実際に即している。
データにより可変電流源４２を第２の値（例えばレーザ
ダイオードの出力光強度２０ｍＷに相当）に設定する。
なお、１０ｍＷ設定時も、２０ｍＷ設定時も第２の値と
しており、異なるパワーが設定されておかしいとも考え
られるが、レーザダイオードドライバ１６の端子ｂのチ
ャンネルでコントロールされるパワーを第２の値と考え
る方が実際に即している。
【００２７】そして、ステップＳ１２で、そのときのレ
ーザダイオードドライバ１６の端子ｂの電圧をＡ／Ｄ変
換器２１から読み取って電圧Ｗ２として保持し、出力光
強度の増分１０ｍＷに対応する差電圧（Ｗ２−Ｗ１）を
求める。
ーザダイオードドライバ１６の端子ｂの電圧をＡ／Ｄ変
換器２１から読み取って電圧Ｗ２として保持し、出力光
強度の増分１０ｍＷに対応する差電圧（Ｗ２−Ｗ１）を
求める。
【００２８】その後、ステップＳ１４でＤ／Ａ変換器２
０に供給するパワードレベル指示データを最低値から最
大値方向に向かって順次増加させ、パワードレベル指示
データの各値に対しレーザダイオードドライバ１６の端
子ｂの電圧をＡ／Ｄ変換器２１から読み取って保持す
る。上記のようにパワードレベル指示データを最低値か
ら最大値方向に向かって順次増加させると、フィードバ
ック制御がかかることから端子ｂの電圧は徐々に低下す
る。図７に上記ステップＳ２〜Ｓ１４における端子ｂの
電圧の変化を示す。これによって、パワードレベル指示
データの各値に対応する端子ｂの電圧の変化、つまり、
出力光強度の変化が何ｍＷであるかを知ることができ
る。
０に供給するパワードレベル指示データを最低値から最
大値方向に向かって順次増加させ、パワードレベル指示
データの各値に対しレーザダイオードドライバ１６の端
子ｂの電圧をＡ／Ｄ変換器２１から読み取って保持す
る。上記のようにパワードレベル指示データを最低値か
ら最大値方向に向かって順次増加させると、フィードバ
ック制御がかかることから端子ｂの電圧は徐々に低下す
る。図７に上記ステップＳ２〜Ｓ１４における端子ｂの
電圧の変化を示す。これによって、パワードレベル指示
データの各値に対応する端子ｂの電圧の変化、つまり、
出力光強度の変化が何ｍＷであるかを知ることができ
る。
【００２９】次に、ステップＳ１６で、上記差電圧（Ｗ
２−Ｗ１）と、パワードレベル指示データの各値に対応
する出力光強度の変化が何ｍＷであるかの関係から、実
測ライトレベルを例えば１０ｍＷから２０ｍＷまで段階
的に設定し、全ての実測ライトレベル毎に、対応するラ
イトレベル指示データ（ＤＷに相当）を求め、更に、全
ての実測ライトレベル毎に、ライトレベルとリードレベ
ルの差ＤＷに対するパワードレベルとライトレベルの差
ＤＰの比率ＤＷ／ＤＰを例えば１０〜１５パーセントの
間で段階的に変化させて設定し、全ての比率ＤＷ／ＤＰ
毎に対応するパワードレベル指示データ（ＤＰに相当）
を求め、これをパワードテーブルとしてＭＰＵ１０の内
蔵メモリ（揮発性メモリ）に保持する。
２−Ｗ１）と、パワードレベル指示データの各値に対応
する出力光強度の変化が何ｍＷであるかの関係から、実
測ライトレベルを例えば１０ｍＷから２０ｍＷまで段階
的に設定し、全ての実測ライトレベル毎に、対応するラ
イトレベル指示データ（ＤＷに相当）を求め、更に、全
ての実測ライトレベル毎に、ライトレベルとリードレベ
ルの差ＤＷに対するパワードレベルとライトレベルの差
ＤＰの比率ＤＷ／ＤＰを例えば１０〜１５パーセントの
間で段階的に変化させて設定し、全ての比率ＤＷ／ＤＰ
毎に対応するパワードレベル指示データ（ＤＰに相当）
を求め、これをパワードテーブルとしてＭＰＵ１０の内
蔵メモリ（揮発性メモリ）に保持する。
【００３０】次に、ＭＰＵ１０はステップＳ１８で装着
された光ディスクから、その光ディスクの製品情報（メ
ーカーＩＤ等）を読み出す。ところで、不揮発性メモリ
１２には、光ディスクの製品情報に応じた最適ライトレ
ベルと最適比率ＤＷ／ＤＰとの対応テーブルが予め設定
されており、ＭＰＵ１０はステップＳ２０で光ディスク
の製品情報を用いて対応テーブルを参照して最適ライト
レベルと最適比率ＤＷ／ＤＰとを得、この最適ライトレ
ベルと最適比率ＤＷ／ＤＰでパワードテーブルを参照し
て実際の記録に用いるライトレベル指示データとパワー
ドレベル指示データを得る。
された光ディスクから、その光ディスクの製品情報（メ
ーカーＩＤ等）を読み出す。ところで、不揮発性メモリ
１２には、光ディスクの製品情報に応じた最適ライトレ
ベルと最適比率ＤＷ／ＤＰとの対応テーブルが予め設定
されており、ＭＰＵ１０はステップＳ２０で光ディスク
の製品情報を用いて対応テーブルを参照して最適ライト
レベルと最適比率ＤＷ／ＤＰとを得、この最適ライトレ
ベルと最適比率ＤＷ／ＤＰでパワードテーブルを参照し
て実際の記録に用いるライトレベル指示データとパワー
ドレベル指示データを得る。
【００３１】これによって、装着された光ディスク（Ｃ
Ｄ−Ｒ）の記録特性に応じた最適のライトレベルとこれ
に対する最適のパワードレベル設定して、この光ディス
クの記録を行うことが可能となり、再生ジッタの悪化を
防止することができる。
Ｄ−Ｒ）の記録特性に応じた最適のライトレベルとこれ
に対する最適のパワードレベル設定して、この光ディス
クの記録を行うことが可能となり、再生ジッタの悪化を
防止することができる。
【００３２】また、全ての実測ライトレベル毎に、対応
するライトレベル指示データ（ＤＷに相当）を求め、更
に、全ての実測ライトレベル毎に、ライトレベルとリー
ドレベルの差ＤＷに対するパワードレベルとライトレベ
ルの差ＤＰの比率ＤＷ／ＤＰを例えば１０〜１５パーセ
ントの間で段階的に変化させて設定し、全ての比率ＤＷ
／ＤＰ毎に対応するパワードレベル指示データ（ＤＰに
相当）を求めてパワードテーブルを作成しているため、
環境温度の変化やレーザダイオード２４，フロントモニ
タ２６等の経年変化があっても、各実測ライトレベル及
び実際の各パワードレベルを得るためのライトレベル指
示データ及びパワードレベル指示データを高精度に取得
することができ、高精度の光レベル制御を行うことがで
きる。
するライトレベル指示データ（ＤＷに相当）を求め、更
に、全ての実測ライトレベル毎に、ライトレベルとリー
ドレベルの差ＤＷに対するパワードレベルとライトレベ
ルの差ＤＰの比率ＤＷ／ＤＰを例えば１０〜１５パーセ
ントの間で段階的に変化させて設定し、全ての比率ＤＷ
／ＤＰ毎に対応するパワードレベル指示データ（ＤＰに
相当）を求めてパワードテーブルを作成しているため、
環境温度の変化やレーザダイオード２４，フロントモニ
タ２６等の経年変化があっても、各実測ライトレベル及
び実際の各パワードレベルを得るためのライトレベル指
示データ及びパワードレベル指示データを高精度に取得
することができ、高精度の光レベル制御を行うことがで
きる。
【００３３】なお、ＣＤ−ＲＷの記録を行う光ディスク
装置の光レベル制御装置については、図３，図６におけ
るリードレベルをバイアスレベルと読み替え、ライトレ
ベルをイレーズレベルと読み替え、パワードレベルをラ
イトレベルと読み替えることにより、全く同様にして、
装着された光ディスク（ＣＤ−ＲＷ）の記録特性に応じ
た最適のイレーズレベルとこれに対する最適のライトレ
ベルを設定して、この光ディスクの記録を行うことが可
能となり、再生ジッタの悪化を防止することができる。
装置の光レベル制御装置については、図３，図６におけ
るリードレベルをバイアスレベルと読み替え、ライトレ
ベルをイレーズレベルと読み替え、パワードレベルをラ
イトレベルと読み替えることにより、全く同様にして、
装着された光ディスク（ＣＤ−ＲＷ）の記録特性に応じ
た最適のイレーズレベルとこれに対する最適のライトレ
ベルを設定して、この光ディスクの記録を行うことが可
能となり、再生ジッタの悪化を防止することができる。
【００３４】
【発明の効果】上述の如く、請求項１に記載の発明は、
第２レベルであるライトレベルと第１レベルであるリー
ドレベルの差に対する第３レベルであるパワードレベル
とライトレベルの差の比率、または、第２レベルである
イレーズレベルと第１レベルであるバイアスレベルに対
する第３レベルであるライトレベルとイレーズレベルの
差の比率を最適値に設定でき、再生ジッタの悪化を防止
することができる。
第２レベルであるライトレベルと第１レベルであるリー
ドレベルの差に対する第３レベルであるパワードレベル
とライトレベルの差の比率、または、第２レベルである
イレーズレベルと第１レベルであるバイアスレベルに対
する第３レベルであるライトレベルとイレーズレベルの
差の比率を最適値に設定でき、再生ジッタの悪化を防止
することができる。
【００３５】請求項２に記載の発明は、製品情報に応じ
た最適第２レベルと最適比率を簡単かつ短時間で決定す
ることができる。
た最適第２レベルと最適比率を簡単かつ短時間で決定す
ることができる。
【図１】追記型光ディスクの記録時の光強度波形を示す
図である。
図である。
【図２】書き換え可能型光ディスクの記録時の光強度波
形を示す図である。
形を示す図である。
【図３】本発明の光レベル制御装置の一実施例のブロッ
ク図である。
ク図である。
【図４】レーザダイオードドライバの入力電圧・出力電
流特性図である。
流特性図である。
【図５】レーザダイオードの入力電流・出力光強度特性
図である。
図である。
【図６】ＭＰＵが実行するパワードレベル設定処理の一
実施例のフローチャートである。
実施例のフローチャートである。
【図７】レーザダイオードドライバの端子ｂの電圧の変
化を示す図である。
化を示す図である。
１０ ＭＰＵ
１２ 不揮発性メモリ
１４，１８，２０ Ｄ／Ａ変換器
１６ レーザダイオードドライバ
２１ Ａ／Ｄ変換器
２２ 端子
２４ レーザダイオード
２６ フロントモニタ
２８，３０，３８，４０ スイッチ
３２，４２ 可変電流源
３４，４４ 演算増幅器
３５，４５ コンデンサ
３６，４６ ｐｎｐトランジスタ
Ｑ１〜Ｑ３ ｎｐｎトランジスタ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5D090 AA01 BB03 BB05 CC01 EE11
KK03
5D119 AA12 BA01 BB02 BB04 HA20
HA45
5D789 AA12 BA01 BB02 BB04 HA20
HA45
Claims (2)
- 【請求項１】 基準となる第１レベルより高い第２レベ
ルと前記第２レベルより高い第３レベルからなる光強度
のレーザ光を光ディスクに照射して記録を行う際に前記
第１，第２，第３レベルの制御を行う光レベル制御装置
であって、 第２レベルを段階的に設定して全ての第２レベル毎に第
２レベルと第１レベルの差と、前記第２レベルと第１レ
ベルの差に対する前記第３レベルと第２レベルの差の比
率を段階的に変化させたときの全ての比率に対応する第
３レベルと第２レベルの差を設定したテーブルを作成す
るテーブル作成手段と、 記録を行う光ディスクから読み出した製品情報に応じて
当該光ディスクに最適第２レベルと最適比率を決定する
最適値決定手段と、 前記最適第２レベルと最適比率を用いて前記テーブルか
ら第２レベルと第１レベルの差及び第３レベルと第２レ
ベルの差を取得して光レベル制御に使用する取得手段と
を有することを特徴とする光レベル制御装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の光レベル制御装置におい
て、 前記最適値決定手段は、予め各種光ディスクの製品情報
に応じた最適第２レベルと最適比率が予め設定されてい
る対応テーブルを有し、記録を行う光ディスクから読み
出した製品情報を用いて前記対応テーブルから前記製品
情報に応じた最適第２レベルと最適比率を決定すること
を特徴とする光レベル制御装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002044511A JP2003248928A (ja) | 2002-02-21 | 2002-02-21 | 光レベル制御装置 |
| US10/370,439 US20030156521A1 (en) | 2002-02-21 | 2003-02-19 | Optical power level-controlling device for reduced reproduction jitter |
| CN03104667A CN1440030A (zh) | 2002-02-21 | 2003-02-19 | 光能级控制装置 |
| TW092103627A TW200303539A (en) | 2002-02-21 | 2003-02-21 | Optical power level-controlling device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002044511A JP2003248928A (ja) | 2002-02-21 | 2002-02-21 | 光レベル制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003248928A true JP2003248928A (ja) | 2003-09-05 |
Family
ID=27678445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002044511A Pending JP2003248928A (ja) | 2002-02-21 | 2002-02-21 | 光レベル制御装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030156521A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003248928A (ja) |
| CN (1) | CN1440030A (ja) |
| TW (1) | TW200303539A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1875467A2 (en) * | 2005-04-15 | 2008-01-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Recording system for setting write strategy |
| US8218257B2 (en) * | 2007-06-01 | 2012-07-10 | Texas Instruments Incorporated | Disk drive with multiple level power reduction during write |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3457463B2 (ja) * | 1996-04-26 | 2003-10-20 | 富士通株式会社 | 光学的記憶装置 |
| JP3579214B2 (ja) * | 1997-06-24 | 2004-10-20 | 富士通株式会社 | 光学的記憶装置 |
| JP3298547B2 (ja) * | 1999-03-30 | 2002-07-02 | ヤマハ株式会社 | 光ディスク記録装置 |
| JP4560251B2 (ja) * | 2001-09-10 | 2010-10-13 | パイオニア株式会社 | 情報記録装置および情報記録方法 |
-
2002
- 2002-02-21 JP JP2002044511A patent/JP2003248928A/ja active Pending
-
2003
- 2003-02-19 CN CN03104667A patent/CN1440030A/zh active Pending
- 2003-02-19 US US10/370,439 patent/US20030156521A1/en not_active Abandoned
- 2003-02-21 TW TW092103627A patent/TW200303539A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030156521A1 (en) | 2003-08-21 |
| CN1440030A (zh) | 2003-09-03 |
| TW200303539A (en) | 2003-09-01 |
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