JP2002025139A - 情報記憶装置及び情報記憶方法 - Google Patents

情報記憶装置及び情報記憶方法

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JP2002025139A
JP2002025139A JP2000205284A JP2000205284A JP2002025139A JP 2002025139 A JP2002025139 A JP 2002025139A JP 2000205284 A JP2000205284 A JP 2000205284A JP 2000205284 A JP2000205284 A JP 2000205284A JP 2002025139 A JP2002025139 A JP 2002025139A
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伸弥 小林
Shigetomo Yanagi
茂知 柳
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 記録媒体に磁場を印加して記録を行なう情報
記憶装置及び情報記憶方法に関し、消費電力を小さくで
きる情報記憶装置、及び情報記憶方法を提供することを
目的とする。 【解決手段】 光磁気ディスク装置などにおいて、記録
磁場のデフォルト値を装置の最小値に設定しておき、学
習により記録磁場のデフォルト値を最小値付近となるよ
うに変更する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は情報記憶装置及び情
報記憶方法に係り、特に、記憶媒体に磁場を印加して記
録を行なう情報記憶装置及び情報記憶方法に関する。
【０００２】近年、情報処理の分野では省電力化の推進
が望まれている。特に、光磁気ディスク装置では、情報
の記録再生にレーザビーム及び磁場を発生する必要があ
る。このため、比較的大きな電力を必要としていた。
【０００３】一方、携帯型のコンピュータに光磁気ディ
スク装置が搭載された場合などには、電池で駆動される
場合がある。このような場合に、大きな電力を消費する
と電池を大きく消耗し、駆動時間が低下する。このた
め、消費電力の低減が望まれている。
【０００４】
【従来の技術】光磁気ディスク装置でデータライトを行
なう際には、イレーズ処理、ライト処理、ベリファイ処
理が順に実行される。イレーズ処理は、データライトを
行なう範囲のデータをイレーズする処理である。ライト
処理は、イレーズされた範囲にデータをライトする処理
である。ベリファイ処理は、ライトデータを読み出し、
正確に記録されたか否かを判定する処理である。
【０００５】イレーズ処理、ライト処理では、光磁気デ
ィスクに磁場が印加されるとともに、レーザビームが照
射される。このとき、光磁気ディスクに印加される磁場
の位置関係は、光磁気ディスクに対して垂直にレーザビ
ームと磁場を印加できるとよいが、実際には、メカの公
差により光磁気ディスクが傾いてチャッキングされた
り、レンズが傾いて取り付けられたりして、理想の位置
関係にできないので、レーザビーム、光磁気ディスク、
磁場の相対位置関係が最悪となる場合でも確実にデータ
ライトが可能となる磁場となるように大きな値に設定し
ていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来の光磁
気ディスク装置ではデータライト時の磁場はメカの公差
が最悪となる場合でも確実にデータライトが可能となる
磁場となるように大きな値に設定されていたため、通常
の装置でデータライトに必要な磁場に比べて遥かに大き
な磁場に設定されており、したがって、大きな電力を消
費する等の問題点があった。
【０００７】本発明は上記の点に鑑みてなされたもの
で、消費電力を小さくできる情報記憶装置、及び情報記
憶方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、記憶媒体に磁
場を印加して少なくとも情報の記録を行なう際に、磁場
発生部から発生される磁場の大きさを制御する制御値を
磁場発生部の所定の磁場の制御範囲内で指示し、制御値
の初期値を格納しておき、エラー状況に応じて初期値を
制御範囲内の新しい制御値に更新する。
【０００９】本発明のよれば、各処理時のバイアス磁場
を装置のメカ公差を見込んだ最大値に設定しておく必要
なく、必要に応じて磁場のデフォルト値を設定可能とす
ることで、光ビーム、記憶媒体、磁場の相対関係によっ
ては磁場のデフォルト値及び制御範囲を低く抑えること
ができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１に本発明の一実施例の情報記
憶装置のブロック構成図を示す。本実施例の情報記憶装
置１は、コントロールユニット２及びエンクロージャ３
から構成される。
【００１１】コントロールユニット２は、インタフェー
ス１１、バッファメモリ１２、ＭＰＵ１３、光ディスク
コントローラ（ＯＤＣ）１４、ライトＬＳＩ１５、リー
ドＬＳＩ１６、ＤＳＰ１７、フォーカスエラー信号検出
回路１８、トラッキングエラー信号検出回路１９、トラ
ックゼロクロス検出回路２０、ドライバ２１〜２５から
構成される。また、エンクロージャ３は、レーザダイオ
ードユニット３１、ＩＤ／ＭＯ用ディテクタ３２、ヘッ
ドアンプ３３、温度センサ３４、スピンドルモータ３
５、磁場印加部３６、多分割ディテクタ３７、フォーカ
スアクチュエータ３８、レンズアクチュエータ３９、ボ
イスコイルモータ（ＶＣＭ）４０から構成される。
【００１２】インタフェース１１は、上位装置との間で
コマンド及びデータのやり取りを行なう。バッファメモ
リ１２は、インタフェース１１、ＭＰＵ１３、光ディス
クコントローラ１４で共用され、作業用記憶領域として
用いられる。
【００１３】ＭＰＵ１３は、情報記憶装置１の全体的な
制御を行なう。光ディスクコントローラ１４は、光ディ
スク媒体に対するデータのリード・ライトに必要な処理
を行なう。
【００１４】ライトＬＳＩ１５は、ライト変調回路及び
レーザダイオード制御回路を内蔵し、光ディスクコント
ローラ１４からのライトデータを媒体種別に応じてＰＰ
Ｍ記録データ又はＰＷＭ記録データに変換し、エンクロ
ージャ３のレーザダイオードユニット３１に供給する。
レーザダイオードユニット３１は、レーザダイオード３
１ａとモニタ用ディテクタ３１ｂを内蔵する。レーザダ
イオード３１ａは、ライトＬＳＩ１５からのデータに基
づいて発光される。モニタ用ディテクタ３１ｂは、レー
ザダイオード３１ａからの発光量を検出して、ライトＬ
ＳＩ１５に供給する。
【００１５】リードＬＳＩ１６は、リード復調回路及び
周波数シンセサイザを内蔵し、エンクロージャ３からの
ＩＤ信号及びＭＯ信号からリードクロックとリードデー
タを作成し、元のデータを復調する。ＤＳＰ１７は、エ
ンクロージャ３からの温度検出信号、フォーカスエラー
信号、トラッキングエラー信号、ゼロクロス信号に基づ
いて各種サーボ制御を行なう。フォーカスエラー信号検
出回路１８は、エンクロージャ３の多分割ディテクタ３
７の検出信号に基づいてフォーカスエラー信号を検出す
る。トラッキングエラー信号検出回路１９は、エンクロ
ージャ３の多分割ディテクタ３７の検出信号に基づいて
トラッキングエラー信号を検出する。
【００１６】ドライバ２１は、ＤＳＰ１７からの駆動信
号に応じてスピンドルモータ３５を駆動する。ドライバ
２２は、ＤＳＰ１７からの磁場発生信号に応じて磁場印
加部３６を駆動する。
【００１７】磁場印加部３６は、電磁石から構成され、
光磁気ディスクに印加する磁場をドライバ２２からの駆
動信号に応じて変化させることができるように構成され
ている。なお、磁場印加部３６は、磁極にコイルが巻線
された磁気ヘッドで媒体に対して浮上する浮上型もしく
は接触する接触型であってもよい。
【００１８】ドライバ２３は、ＤＳＰ１７からのフォー
カス制御信号に応じてフォーカスアクチュエータ３８を
駆動する。ドライバ２４は、ＤＳＰ１７からのトラッキ
ング制御信号に応じてレンズアクチュエータ３９を駆動
する。ドライバ２５は、ＤＳＰ１７からのＶＣＭ制御信
号に応じてＶＣＭ４０を駆動する。
【００１９】図２に本発明の一実施例のエンクロージャ
内部の概略構成図を示す。
【００２０】ＭＯ媒体５１が収納されたＭＯカートリッ
ジ５２は、挿入口５３よりハウジング５４内部に装着さ
れる。ＭＯ媒体５１は、ハウジング５４内部でスピンド
ルモータ３５と係合される。また、ハウジング５３内部
ではＭＯカートリッジ５２は、シャッタが開放され、Ｍ
Ｏ媒体５１を露出させる。ＭＯ媒体５１は、ハウジング
５３の内部で、キャリッジ５５と磁場印加部３６に挟持
される。
【００２１】キャリッジ５５は、ＶＣＭ４０によりＭＯ
媒体５１の半径方向（矢印Ａ方向）に移動可能とされて
いる。キャリッジ５５には、プリズム５６及び対物レン
ズ５７が搭載されている。プリズム５６は、固定光学系
５８からのレーザビームをＭＯ媒体５１方向に折曲させ
る。対物レンズ５７は、プリズム５６からのレーザビー
ムをＭＯ媒体５１上に集光させる。
【００２２】対物レンズ５７は、キャリッジ５５上に設
けられたフォーカスアクチュエータ３８により矢印Ｂ方
向に揺動されるとともに、キャリッジ５５上に設けられ
たレンズアクチュエータ３９により矢印Ａ方向に揺動さ
れる。対物レンズ５７がフォーカスアクチュエータ３８
により矢印Ｂ方向に揺動されることにより、フォーカス
制御が行なわれる。また、対物レンズ５７がレンズアク
チュエータ３９により矢印Ｂ方向に揺動されることによ
り、トラッキング制御が行なわれる。
【００２３】なお、本実施例では、ＶＣＭ４０及びレン
ズアクチュエータ３９によりトラッキングの制御を行な
っているが、レンズアクチュエータ３９を持たず、ＶＣ
Ｍ４０のみでトラッキング制御を行なうようにしてもよ
い。
【００２４】次に、本発明の特徴となるＭＯ媒体のライ
ト処理について説明する。
【００２５】図３に本発明の一実施例のライト処理を行
なうための機能ブロック図を示す。図３に示す機能ブロ
ックは、ＭＰＵ１３、光ディスクコントローラ１４、ラ
イトＬＳＩ１５により実現される。
【００２６】ライト処理を行なう機能ブロックは、リー
ド／ライト処理部６１、リトライ処理部６２、デフォル
トテーブル６３、テストライトオフセットテーブル６
４、リトライオフセットテーブル６５、温度オフセット
テーブル６６、磁場設定部６７、６８、パワー設定部６
９、７０、ディジタル／アナログ変換器（ＤＡＣ）７
１、７２から構成される。
【００２７】リード／ライト処理部６１は、データライ
トのための制御を行なう。リトライ処理部６２は、デー
タライトの際に発生したエラーに対するリトライのため
の制御を行なう。
【００２８】デフォルトテーブル６３には、イレーズ／
ライト磁場、及びリード磁場、並びにライトレーザパワ
ー、リードレーザパワーのデフォルト値が記憶されてい
る。図４に本発明の一実施例のデフォルトテーブルのデ
ータ構成図を示す。
【００２９】デフォルトテーブル６３は、ＭＯ媒体５１
のゾーンＺ１〜Ｚｎ毎にイレーズ／ライト磁場デフォル
ト値Ｈ１１〜Ｈ１ｎ、リード磁場デフォルト値Ｈ２１〜
Ｈ２ｎ、ライトレーザパワーデフォルト値ＰＷ１〜ＰＷ
ｎ、リードレーザパワーデフォルト値ＰＲ１〜ＰＲｎが
記憶されている。
【００３０】なお、本実施例では、イレーズ／ライト磁
場のデフォルト値Ｈ１１〜Ｈ１ｎ及びリード磁場のデフ
ォルト値Ｈ２１〜Ｈ２ｎは、ノミナル値＋αに設定され
ている。ノミナル値は、ノミナル状態での値を示す。ノ
ミナル状態は、メカ公差がない理想状態である。すなわ
ち、ノミナル値には、最低限必要な磁場が設定されてい
る。
【００３１】テストライトオフセットテーブル６４は、
テストライト時のイレーズ／ライト磁場及びリード磁場
並びにライトレーザパワー、リードレーザパワーのオフ
セット値が記憶されている。
【００３２】図５に本発明の一実施例のテストライトオ
フセットテーブルのデータ構成図を示す。
【００３３】テストライトオフセットテーブル６４は、
ＭＯ媒体５１のゾーンＺ１〜Ｚｎ毎にイレーズ／ライト
磁場のオフセット値ΔＨ１１〜ΔＨ１ｎ及びリード磁場
のオフセット値ΔＨ２１〜ΔＨ２ｎ並びにライトレーザ
パワーのオフセット値ΔＰＷ１〜ΔＰＷｎ、リードレー
ザパワーのオフセット値値ΔＰＲ１〜ΔＰＲｎが記憶さ
れている。イレーズ／ライト磁場のオフセット値ΔＨ１
１〜ΔＨ１ｎは、テストライト時にイレーズ／ライト磁
場のデフォルト値Ｈ１１〜Ｈ１ｎに加算される。リード
磁場のオフセット値ΔＨ２１〜ΔＨ２ｎは、テストリー
ド時にリード磁場のデフォルト値Ｈ２１〜Ｈ２ｎに加算
される。ライトレーザパワーのオフセット値ΔＰＷ１〜
ΔＰＷｎは、ライトレーザパワーのデフォルト値ＰＷ１
〜ＰＷｎに加算される。リードレーザパワーのオフセッ
ト値ΔＰＲ１〜ΔＰＲｎは、リードレーザパワーのデフ
ォルト値ＰＲ１〜ＰＲｎに加算される。
【００３４】リトライオフセットテーブル６５は、リト
ライ時のオフセット値が記憶されている。
【００３５】図６に本発明の一実施例のリトライオフセ
ットテーブルのデータ構成図を示す。
【００３６】リトライオフセットテーブル６５は、リト
ライ回数毎に磁場のオフセットΔＨ３１〜ΔＨ３ｍが記
憶されている。オフセット値ΔＨ３１〜ΔＨ３ｍは、リ
トライ回数に応じてイレーズ磁場のデフォルト値Ｈ１１
〜Ｈ１ｎ又はライト磁場のデフォルト値Ｈ２１〜Ｈ２ｎ
に加算される。
【００３７】温度オフセットテーブル６６は、装置内温
度に応じた磁場オフセット値が記憶されている。
【００３８】図７に本発明の一実施例の温度オフセット
テーブルのデータ構成図を示す。
【００３９】温度オフセットテーブル６６は、温度範囲
毎に磁場のオフセットΔＨ４１〜ΔＨ４６が記憶されて
いる。オフセット値ΔＨ４１〜ΔＨ４６は、温度に応じ
てイレーズ磁場のデフォルト値Ｈ１１〜Ｈ１ｎ又はライ
ト磁場のデフォルト値Ｈ２１〜Ｈ２ｎに加算される。
【００４０】磁場設定部６７には、リード／ライト処理
部６１によりイレーズ／ライト磁場及びリード磁場が設
定される。リード／ライト処理部６１は、ライト指示、
媒体種別、装置内温度、ゾーン番号に基づいてデフォル
トテーブル６３、テストライトオフセットテーブル６
４、温度オフセットテーブル６６を参照して、イレーズ
／ライト磁場及びリード磁場を求め、磁場設定部６７に
設定する。
【００４１】磁場設定部６８には、リトライ処理部６２
によりイレーズ磁場及びライト磁場が設定される。リト
ライ処理部６２は、リトライ回数に基づいてリトライオ
フセットテーブル６５を参照して、イレーズ／ライト磁
場及びリード磁場を求め、磁場設定部６８に設定する。
【００４２】パワー設定部６９には、リード／ライト処
理部６１によりレーザパワーが設定される。リード／ラ
イト処理部６１は、リード指示、ライト指示、媒体種
別、装置内温度、ゾーン番号に基づいてデフォルトテー
ブル６３、テストライトオフセットテーブル６４、温度
オフセットテーブル６６を参照して、レーザパワーを求
め、パワー設定部６９に設定する。
【００４３】パワー設定部７０には、リトライ処理部６
２によりレーザパワーが設定される。リトライ処理部６
２は、リード指示、ライト指示、媒体種別、装置内温
度、ゾーン番号に基づいてリトライオフセットテーブル
６５を参照して、レーザパワーを求め、パワー設定部７
０に設定する。
【００４４】ディジタル／アナログ変換器７１は、磁場
設定部６７、６８に設定された磁場をアナログ信号に変
換する。ディジタル／アナログ変換器７２は、パワー設
定部６９、７０に設定されたレーザパワーをアナログ信
号に変換する。
【００４５】次にライト処理について詳細に説明する。
【００４６】図８に本発明の一実施例のライト処理の処
理フローチャートを示す。
【００４７】ライト処理は、ステップＳ１〜Ｓ５からな
る。ステップＳ１は、バイアス磁場及びライトパワーを
デフォルト値に設定するステップである。
【００４８】ステップＳ２はイレーズ処理を実行するス
テップである。ステップＳ３は、データライト処理を実
行するステップである。ステップＳ４は、ベリファイ処
理を実行するステップである。ステップＳ５は、ライト
学習処理を実行するステップである。
【００４９】次にステップＳ２のイレーズ処理について
詳細に説明する。
【００５０】図９に本発明の一実施例のイレーズ処理の
処理フローチャートを示す。
【００５１】ステップＳ２のイレーズ処理は、ステップ
Ｓ２−１〜Ｓ２−７の７ステップからなる。
【００５２】ステップＳ２−１は、リトライ回数を
「０」にするステップである。ステップＳ２−２は、イ
レーズを実行するステップである。
【００５３】ステップＳ２−３は、イレーズが成功した
か否かを判定するステップである。ステップＳ２−３で
は、ステップＳ２−２のイレーズ実行時のエラーの発生
を監視しており、エラーなく終了したときにイレーズ成
功と判定し、エラーが発生したときにイレーズ不成功と
判定する。
【００５４】ステップＳ２−３でイレーズが成功したと
きには、ステップＳ２−４が実行される。ステップＳ２
−４は、ステップＳ３のデータライト処理を起動するス
テップである。
【００５５】また、ステップＳ２−３でイレーズが不成
功のときには、ステップＳ２−５が実行される。ステッ
プＳ２−５は、リトライ回数を「１」インクリメントす
るステップである。
【００５６】ステップＳ２−６は、リトライアウトか否
かを判定するステップである。ステップＳ２−６では、
リトライ回数を監視し、リトライ回数が所定の回数にな
ると、リトライアウトと判定する。ステップＳ２−６で
リトライアウトと判定された場合には、ステップＳ２−
７が実行される。
【００５７】ステップＳ２−７は、交代処理を実行する
ステップである。交代処理は、リトライアウトが発生し
たセクタを他のセクタに交代する処理である。リトライ
アウトが発生したセクタと交代先のセクタとは、リスト
化されて、管理される。
【００５８】また、ステップＳ２−６でリトライアウト
でない場合には、ステップＳ２−２に戻って再びイレー
ズが行なわれる。
【００５９】次にステップＳ３のライト処理について説
明する。
【００６０】図１０に本発明の一実施例のライト処理の
フローチャートを示す。
【００６１】ステップＳ３のライト処理は、ステップＳ
３−１〜Ｓ３−８の９ステップからなる。
【００６２】ステップＳ３−１は、データライトを実行
するステップである。
【００６３】ステップＳ３−２は、ステップＳ３−１の
データライトが成功したか否かを判定したステップであ
る。ステップＳ３−２では、データライト実行時のエラ
ーの発生を監視しており、エラーの発生なくデータライ
トが終了したときにデータライト成功と判定する。ステ
ップＳ３−２でデータライト成功と判定したときには、
ステップＳ３−３が実行される。ステップＳ３−３は、
ステップＳ４のベリファイ処理を起動するステップであ
る。
【００６４】また、ステップＳ３−２で、データライト
が不成功であった場合には、ステップＳ３−４が実行さ
れる。ステップＳ３−４は、リトライ回数を「１」イン
クリメントするステップである。
【００６５】ステップＳ３−５は、リトライアウトか否
かを判定するステップである。ステップＳ３−５では、
リトライ回数を監視しており、リトライ回数が所定回数
になると、リトライアウトであると判定し、リトライ回
数が所定回数に満たない場合には、リトライアウトでな
いと判定する。
【００６６】ステップＳ３−５でライトリトライアウト
であると判定されると、ステップＳ３−６が実行され
る。ステップＳ３−６は、交代処理を行なうステップで
ある。交代処理は、ステップＳ２−７と同じ処理であ
る。
【００６７】また、ステップＳ３−５でライトリトライ
アウトではないと判定されると、ステップＳ３−７が実
行される。ステップＳ３−７は、ライト不成功の原因が
オフトラックエラーによるものか否かを判定するステッ
プである。
【００６８】ステップＳ３−７でオフトラックエラーに
よりライト不成功となった場合には、ステップＳ３−８
が実行される。ステップＳ３−８は、再びステップＳ２
のイレーズ処理に戻るステップである。ステップＳ３−
７でライト不成功がオフトラックエラーによらない場合
には、ステップＳ３−２に戻る。
【００６９】次にステップＳ４のベリファイ処理につい
て説明する。
【００７０】図１１に本発明の一実施例のベリファイ処
理のフローチャートを示す。
【００７１】ベリファイ処理は、ステップＳ４−１〜Ｓ
４−１０の１０ステップからなる。ステップＳ４−１
は、ベリファイを実行するステップである。
【００７２】ステップＳ４−２は、ステップＳ４−２の
ベリファイが成功したか否かを判定するステップであ
る。ステップＳ４−２では、ステップＳ４−１のベリフ
ァイ実行時のエラーの発生を監視しており、エラーの発
生がないときには、ベリファイが成功したと判定し、エ
ラーが発生したときには、ベリファイが不成功であると
判定する。
【００７３】ステップＳ４−２でベリファイが成功した
と判定された場合には、ステップＳ４−３が実行され
る。ステップＳ４−３は後述する学習処理を起動するス
テップである。
【００７４】ステップＳ４−２でベリファイが不成功の
場合には、ステップＳ４−４が実行される。ステップＳ
４−４は、ベリファイリトライ回数を「１」インクリメ
ントするステップである。
【００７５】ステップＳ４−５は、リトライアウトか否
かを判定するステップである。ステップＳ４−５では、
リトライ回数を監視しており、リトライ回数が所定回数
になると、リトライアウトであると判定し、リトライ回
数が所定回数に満たない場合には、リトライアウトでな
いと判定する。
【００７６】ステップＳ４−５でリトライアウトでない
と判定された場合、ステップＳ４−６が実行される。ス
テップＳ４−６は、ベリファイ条件を変更するステップ
である。ステップＳ４−６では、例えば、再生ビームパ
ワー、磁場強度をなどの再生のための各種パラメータを
変更する。ステップＳ４−６でベリファイ条件が変更さ
れた後、ステップＳ４−１に戻って再びベリファイ処理
が実行される。
【００７７】また、ステップＳ４−５でリトライアウト
であると判定された場合には、ステップＳ４−７が実行
される。ステップＳ４−７は、イレーズからのリトライ
アウトか否かを判定するステップである。
【００７８】ステップＳ４−７でイレーズからのリトラ
イアウトであると判定された場合、ステップＳ４−８が
実行される。ステップＳ４−８は、交代処理を実行する
ステップである。交代処理は、ステップＳ２−７と同様
の処理である。
【００７９】ステップＳ４−７でイレーズからのリトラ
イアウトではない場合には、ステップＳ４−９が実行さ
れる。ステップＳ４−９は、バイアス磁場及びライトパ
ワーを変更するステップである。ステップＳ４−９でバ
イアス磁場及びライトパワーが変更されると、ステップ
Ｓ４−１０が実行される。ステップＳ４−１０は、ステ
ップＳ２のイレーズ処理を再び起動するステップであ
る。
【００８０】次にステップＳ４−３の学習処理を説明す
る。ここでは、イレーズ処理から学習処理に移行する場
合について説明しているが、学習処理はイレーズ、ライ
ト、リードについて実行されるものであり、イレーズ／
ライト磁場、イレーズ／ライトパワーに限定されるもの
ではなく、リード磁場、リードパワーの学習でも実行さ
れる。
【００８１】図１２に本発明の一実施例の学習処理のフ
ローチャートを示す。
【００８２】学習処理は、ステップＳ５、Ｓ６の２ステ
ップからなる。
【００８３】ステップＳ５は、バイアス磁場学習処理を
実行するステップである。ステップＳ５のバイアス磁場
学習処理は、リード、イレーズ、ライト時のバイアス磁
場強度を学習する処理である。
【００８４】ステップＳ６は、パワー学習処理を実行す
るステップである。ステップＳ６のパワー学習処理は、
リード、イレーズ、ライト時のレーザパワーを学習する
ための処理である。
【００８５】次にステップＳ５のバイアス磁場学習処理
について説明する。
【００８６】図１３に本発明の一実施例のバイアス磁場
学習処理のフローチャートを示す。ステップＳ５のバイ
アス磁場学習処理は、ステップＳ５−１〜Ｓ５−８の８
ステップからなる。
【００８７】ステップＳ５−１は、リトライ回数が０〜
６回が否かを判定するステップである。ステップＳ５−
１でリトライ回数が０〜６回であると判定されたとき、
すなわち、エラー発生回数が比較的少ないときには、ス
テップＳ５−２が実行される。ステップＳ５−２は、バ
イアス学習カウント値を「１」デクリメントするステッ
プである。
【００８８】また、ステップＳ５−１でリトライ回数が
７回以上、すなわち、エラー発生回数が多いときには、
ステップＳ５−３が実行される。ステップＳ５−３は、
バイアス学習カウント値を「１０００」インクリメント
するステップである。
【００８９】ステップＳ５−４は、学習カウント値が閾
値、例えば、「３０００」を超えたか否かを判定するス
テップである。閾値は、＋側と−側のそれぞれに設定す
るようにしてもよい。ただし、このときは、デフォルト
値の初期値からは減算はしないようにする必要がある。
【００９０】ステップＳ５−４で、学習カウント値が閾
値以下の場合には、そのまま処理を終了する。また、ス
テップＳ５−４で学習カウント値が閾値を超えた場合に
は、ステップＳ５−５が実行される。このとき、閾値は
プラス側とマイナス側にそれぞれ設定されている。
【００９１】ステップＳ５−５は、バイアス磁場設定値
を増減させ、新たなバイアス設定値にするステップであ
る。ステップＳ５−５では、学習カウント値がプラス側
の閾値を越えた場合には、バイアス磁場設定値を増加さ
せ、学習カウント値がマイナス側の閾値を越えた場合に
は、バイアス磁場設定値を減少させる。
【００９２】ステップＳ５−５ではバイアス磁場設定値
を、例えば、デフォルト値の１０％程度をオフセット値
として増減させる。例えば、クリップ値の１／２程度で
ある。なお、このとき、増加時と減少時とでバイアス磁
場設定値のオフセット値を異ならせるようにしてもよ
い。
【００９３】ステップＳ５−６は、バイアス磁場が予め
設定されたクリップ値を超えたか否かを判定するステッ
プである。クリップ値は、メカの最悪の状態を見込んだ
値である。ステップＳ５−６でバイアス磁場が予め設定
されたクリップ値を超えた場合には、ステップＳ５−７
が実行される。ステップＳ５−７は、バイアス磁場設定
値を予め設定されたクリップ値にクリップするステップ
である。
【００９４】ステップＳ５−８は、バイアスカウンタを
クリアするステップである。なお、ステップＳ５−６で
バイアス磁場が予め設定されたクリップ値を超えた場合
には、ステップＳ５−８が実行され、処理は終了され
る。
【００９５】次にステップＳ６のパワー学習処理を説明
する。
【００９６】図１４に本発明の一実施例のパワー学習処
理のフローチャートを示す。
【００９７】パワー学習処理は、ステップＳ６−１〜Ｓ
６−６の６ステップから構成される。
【００９８】ステップＳ６−１は、パワー学習カウント
値を更新する処理を実行するステップである。パワー学
習カウント値を更新する処理については後で詳細に説明
する。ステップＳ６−１でパワー学習カウント値が更新
されると、ステップＳ６−２が実行される。
【００９９】ステップＳ６−２は、ステップＳ６−１で
更新されたパワー学習カウント値が閾値を超えたか否か
を判定するステップである。ステップＳ６−２でパワー
学習カウント値が閾値を超えていなければ、そのまま処
理を終了する。また、ステップＳ６−２でパワー学習カ
ウント値が閾値を超えた場合には、ステップ６−３が実
行される。
【０１００】ステップＳ６−３は、パワー設定値を増加
させ、増加したパワー設定値を新しいパワーに設定する
ステップである。ステップＳ６−４は、ステップＳ６−
３で設定されたパワー設定値が予め設定されたクリップ
値を超えたか否かを判定するステップである。
【０１０１】ステップＳ６−４でパワー設定値がクリッ
プ値を超えた場合には、ステップＳ６−５が実行され
る。ステップＳ６−５は、パワー設定値をクリップ値に
クリップするステップである。ステップＳ６−６は、パ
ワー学習カウント値をクリアするステップである。
【０１０２】次にステップＳ６−１のパワー学習カウン
ト値更新処理を説明する。
【０１０３】図１５に本発明の一実施例のパワー学習カ
ウント値更新処理のフローチャートを示す。
【０１０４】ステップＳ６−１のパワー学習カウント値
更新処理は、ステップＳ６−１１〜Ｓ６−１８の８ステ
ップからなる。
【０１０５】ステップＳ６−１１は、リトライ回数が２
回又は３回かを判定するステップである。
【０１０６】ステップＳ６−１１でリトライ回数が２又
は３回であると判定されたときには、ステップＳ６−１
２が実行される。ステップＳ６−１２は、リトライがプ
ラスで成功したか否かを判定するステップである。
【０１０７】ステップＳ６−１２でリトライがプラスで
成功した場合には、ステップＳ６−１３が実行される。
ステップＳ６−１３は、パワー学習カウント値を「１」
インクリメントする。
【０１０８】また、ステップＳ６−１２でリトライがプ
ラスで成功しなかった場合には、ステップＳ６−１４が
実行される。ステップＳ６−１４は、パワー学習カウン
ト値を「１」デクリメントするステップである。
【０１０９】以上によりリトライ回数が２回又は３回の
ときのパワー学習カウント値の更新が終了する。
【０１１０】また、ステップＳ６−１１でリトライ回数
が２回又は３回でないときには、ステップＳ６−１５が
実行される。ステップＳ６−１５は、リトライ回数が４
回又は５回かを判定するステップである。
【０１１１】ステップＳ６−１５でリトライ回数が４回
又は５回のときには、ステップＳ６−１６が実行され
る。ステップＳ６−１６は、リトライはプラスで成功し
たか否かを判定するステップである。
【０１１２】ステップＳ６−１６でリトライがプラスで
成功したときには、ステップＳ６−１７が実行される。
ステップＳ６−１７は、パワー学習カウント値を「２」
インクリメントするステップである。
【０１１３】また、ステップＳ６−１６でリトライがプ
ラスで成功しなかったときには、ステップＳ６−１８が
実行される。ステップＳ６−１８はパワー学習カウント
値を「２」デクリメントするステップである。このと
き、プラスで成功したときには、増加側で成功であると
判定でき、マイナスで成功だと減算側で成功であると判
定できる。以上によりパワー学習カウント値が更新され
る。
【０１１４】上記の処理によって、バイアス磁場のデフ
ォルト値が更新される。
【０１１５】本実施例によれば、特に、バイアス磁場を
装置のメカ公差を見込んだ最大値に設定しておく必要な
く、バイアス磁場の最適値で各種処理を行なうことがで
きるため、消費電力を低減できる。
【０１１６】図１６に本発明の一実施例の動作説明図を
示す。図１６は、磁場に対するエラーレートの特性を示
す。
【０１１７】図１６において、実線は装置のメカ公差が
最小の場合の特性、破線は装置のメカ公差が最悪の場合
のイレーズ／ライト時特性を示す。
【０１１８】本実施例では、バイアス磁場のデフォルト
値Ｄ１を図１６の実線で示すメカ公差が最小の場合のと
きに最小値となる磁場付近に設定している。この場合、
図１６の破線で示すメカ公差が最悪の場合にはエラーレ
ートが大きくなり、デフォルト値Ｄ１では、正常に動作
しない。しかし、上記のバイアス磁場学習処理によって
デフォルト値を最適値Ｄ２に徐々に近づけるようにして
調整することで正確にイレーズして、正しくライトする
ことができる。なお、従来は最悪のメカ公差を考慮して
バイアス磁場をＤ１１に示すように最大値に設定してい
た。
【０１１９】また、本実施例では、情報記憶装置として
光磁気ディスク装置について限定したが、これに限定さ
れるものではなく、要は磁場を印加して情報を記録する
情報記憶装置に適用可能である。
【０１２０】なお、本実施例では、デフォルトテーブル
６３、オフセットテーブル６４は、ゾーン毎にデフォル
ト値及びオフセット値を管理しているが、エリア毎に管
理するようにしてもよい。
【０１２１】図１７に本発明の一実施例のデフォルトテ
ーブルの変形例のデータ構成図、図１８に本発明の一実
施例のオフセットテーブルの変形例のデータ構成図を示
す。デフォルトテーブル６３は、図１７に示すようにエ
リアＡ１〜Ａｎ毎にイレーズ／ライト磁場のデフォルト
値Ｈ１１〜Ｈ１ｎ、リード磁場のデフォルト値Ｈ２１〜
Ｈ２ｎ、ライトレーザパワーのデフォルト値ＰＷ１〜Ｐ
Ｗｎ、リードレーザパワーのデフォルト値ＰＲ１〜ＰＲ
ｎを記憶している。なお、エリアＡ１〜Ａｎは、光磁気
ディスクの半径方向及び円周方向を複数の分割して設定
される領域である。
【０１２２】また、オフセットテーブル６４は、図１８
に示すようにエリアＡ１〜Ａｎ毎にイレーズ／ライト磁
場のオフセット値ΔＨ１１〜ΔＨ１ｎ、リード磁場のオ
フセット値ΔＨ２１〜ΔＨ２ｎ、ライトレーザパワーの
オフセット値ΔＰＷ１〜ΔＰＷｎ、リードレーザパワー
のオフセット値ΔＰＲ１〜ΔＰＲｎを記憶している。デ
フォルト値及び初期オフセット値をエリアＡ毎に管理す
ることにより、きめ細かい制御が可能となる。
【０１２３】また、更新は、リトライ時だけでなく、温
度変化、時間毎に行なうようにしても良い。
【０１２４】なお、磁場の制御範囲は、デフォルト値か
らクリップ値までであり、デフォルト値が更新される
と、新しいデフォルト値からクリップ値までとなる。従
って、制御範囲を徐々に狭くでき、早く最適値を見つけ
ることができる。
【０１２５】また、磁場を使用してリードを行なう、超
解像記録方式にも同様な手法でデフォルト値を設置する
ことで応用可能である。
【０１２６】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の請求の範囲から逸脱することな
く、種々の変形例が可能である。
【０１２７】なお、本実施例は以下の付記の発明を含
む。
【０１２８】(付記１)記憶媒体に磁場を印加して少なく
とも情報の記録を行なう情報記憶装置において、前記記
憶媒体に対して磁場を発生する磁場発生部と、前記磁場
発生部から発生される磁場の大きさを制御する制御値を
磁場発生部の所定の磁場の制御範囲内で指示する磁場制
御部と、前記制御値の初期値を格納する記憶部と、エラ
ー状況に応じて前記初期値を前記制御範囲内の新しい制
御値に更新する更新部とを有することを特徴とする情報
記憶装置。
【０１２９】（付記２）前記初期値は、前記磁場発生部
の所定の磁場の制御範囲の最小値に設定されていること
を特徴とする付記１記載の情報記憶装置。
【０１３０】（付記３）リトライ回数をモニタする計数
部をさらに設け、前記更新部は、前記計数部でモニタさ
れたリトライ回数に応じて前記制御値を更新することを
特徴とする付記１記載の情報記憶装置。
【０１３１】（付記４）前記更新部は、前記記憶媒体の
領域毎、又は装置内温度毎に、前記制御値を記憶部に格
納することを特徴とする付記１記載の情報記憶装置。
【０１３２】（付記５）前記所定の磁場は、記録磁場、
消去磁場、再生磁場のいずれかであり、前記磁場制御部
は、記録磁場、消去磁場、再生磁場のいずれか一つ以上
の制御を行い、前記更新部は、記録磁場、消去磁場又は
再生磁場のいずれか一つ以上の更新を行なうことを特徴
とする付記１記載の情報記憶装置。
【０１３３】（付記６）更新された制御値は、記憶媒体
の排出又は装置電源オフの時にクリアされることを特徴
とする付記１記載の情報記憶装置。
【０１３４】（付記７）前記更新部は、前記制御値が更
新されている場合は、更新制御値に対して所定値を加算
又は減算を行なうことで、新しい制御値を求めることを
特徴とする付記１記載の情報記憶装置。
【０１３５】（付記８）前記更新部は、更新時の前記制
御値が初期値の場合は、初期値に対して所定値の減算は
行なわないことを特徴とする付記７記載の情報記憶装
置。
【０１３６】（付記９）記憶媒体に磁場を印加して少な
くとも情報の記録を行なう情報記憶方法において、前記
記憶媒体に対して磁場を発生する磁場発生部から発生さ
れる磁場の大きさを磁場発生部の所定の磁場の制御範囲
内で制御する制御値の初期値をエラー状況に応じて制御
範囲内の新しい制御値に更新することを特徴とする情報
記憶方法。（付記１０）前記初期値は、前記磁場発生部
の所定の磁場の制御範囲の最小値に設定されていること
を特徴とする付記９記載の情報記憶方法。
【０１３７】（付記１１）リトライ回数をモニタし、モ
ニタされたリトライ回数に応じて前記制御値を更新する
ことを特徴とする付記９記載の情報記憶方法。
【０１３８】（付記１２）前記制御値は、前記記憶媒体
の領域毎、又は装置内温度毎に記憶されることを特徴と
する付記９記載の情報記憶方法。
【０１３９】（付記１３）前記所定の磁場は、記録磁
場、消去磁場、再生磁場のいずれかであり、記録磁場、
消去磁場、再生磁場のいずれか一つ以上の制御及び更新
を行なうことを特徴とする付記９記載の情報記憶方法。
【０１４０】（付記１４）更新された制御値は、記憶媒
体の排出又は装置電源オフの時にクリアされることを特
徴とする付記９記載の情報記憶方法。
【０１４１】（付記１５）前記制御値が更新されている
場合は、更新制御値に対して所定値を加算又は減算を行
なうことで、新しい制御値を求めることを特徴とする付
記９記載の情報記憶方法。
【０１４２】（付記１６）更新時の前記制御値が初期値
の場合は、初期値に対して所定値の減算は行なわないこ
とを特徴とする付記１５記載の情報記憶方法。
【０１４３】
【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、各処理時
のバイアス磁場を装置のメカ公差を見込んだ最大値に設
定しておく必要なく、必要に応じて磁場のデフォルト値
を設定可能とすることで、光ビーム、記憶媒体、磁場の
相対関係によっては磁場のデフォルト値及び制御範囲を
低く抑えることができるので、消費電力を低減できる等
の特長を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の情報記憶装置の一実施例の概略構成図
である。
【図２】本発明の一実施例のエンクロージャ内部の概略
構成図である。
【図３】本発明の一実施例のライト処理を行なうための
機能ブロック図である。
【図４】本発明の一実施例のデフォルトテーブルのデー
タ構成図である。
【図５】本発明の一実施例のテストライトオフセットテ
ーブルのデータ構成図である。
【図６】本発明の一実施例のリトライオフセットテーブ
ルのデータ構成図である。
【図７】本発明の一実施例の温度オフセットテーブルの
データ構成図である。
【図８】本発明の一実施例のライト処理の処理フローチ
ャートである。
【図９】本発明の一実施例のイレーズ処理の処理フロー
チャートである。
【図１０】本発明の一実施例のライト処理のフローチャ
ートである。
【図１１】本発明の一実施例のベリファイ処理のフロー
チャートである。
【図１２】本発明の一実施例のリード、イレーズ、ライ
ト学習処理のフローチャートである。
【図１３】本発明の一実施例のバイアス磁場学習処理の
フローチャートである。
【図１４】本発明の一実施例のライトパワー学習処理の
フローチャートである。
【図１５】本発明の一実施例のライトパワー学習カウン
ト値更新処理のフローチャートである。
【図１６】本発明の一実施例の動作説明図である。
【図１７】本発明の一実施例のデフォルトテーブルの変
形例のデータ構成図である。
【図１８】本発明の一実施例のオフセットテーブルの変
形例のデータ構成図である。
【符号の説明】
１ 情報記憶装置 ２ コントロールユニット ３ エンクロージャ １１ 上位インタフェース １２ バッファメモリ １３ ＭＰＵ １４ 光ディスクコントローラ １５ ライトＬＳＩ １６ リードＬＳＩ １７ ＤＳＰ １８ フォーカスエラー信号検出回路 １９ トラッキングエラー信号検出回路 ２０ トラックゼロクロス検出回路 ２１〜２５ ドライバ ６１ ライト処理部 ６２ リトライ処理部 ６３ デフォルトテーブル ６４ テストライトオフセットテーブル ６５ リトライオフセットテーブル ６６ 温度オフセットテーブル ６７、６８ ライト・イレーズ磁場設定部 ６９、７０ レーザパワー設定部 ７１、７２ ディジタル／アナログ変換器

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 記憶媒体に磁場を印加して少なくとも情
    報の記録を行なう情報記憶装置において、 前記記憶媒体に対して磁場を発生する磁場発生部と、 前記磁場発生部から発生される磁場の大きさを制御する
    制御値を磁場発生部の所定の磁場の制御範囲内で指示す
    る磁場制御部と、 前記制御値の初期値を格納する記憶部と、 エラー状況に応じて前記初期値を前記制御範囲内の新し
    い制御値に更新する更新部とを有することを特徴とする
    情報記憶装置。
  2. 【請求項２】 前記初期値は、前記磁場発生部の所定の
    磁場の制御範囲の最小値に設定されていることを特徴と
    する請求項１記載の情報記憶装置。
  3. 【請求項３】 リトライ回数をモニタする計数部をさら
    に設け、 前記更新部は、前記計数部でモニタされたリトライ回数
    に応じて前記制御値を更新することを特徴とする請求項
    １記載の情報記憶装置。
  4. 【請求項４】 前記更新部は、前記記憶媒体の領域毎、
    又は装置内温度毎に、前記制御値を記憶部に格納するこ
    とを特徴とする請求項１記載の情報記憶装置。
  5. 【請求項５】 前記所定の磁場は、記録磁場、消去磁
    場、再生磁場のいずれかであり、前記磁場制御部は、記
    録磁場、消去磁場、再生磁場のいずれか一つ以上の制御
    を行な、 前記更新部は、記録磁場、消去磁場又は再生磁場のいず
    れか一つ以上の更新を行なうことを特徴とする請求項１
    記載の情報記憶装置。
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