JP2797733B2 - 光学情報記録部材の記録方法 - Google Patents
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Description
報信号を記録する光学情報記録部材の記録方法に関す
る。中でも記録媒体や記録装置の変動に対応して、最適
な記録条件を得る方法に関するものである。
に、情報信号を記録あるいは再生を行う技術は、既に光
ディスク装置として実用化されている。以下、情報記録
部材を光ディスクとも略す。これらの技術の中で、再生
専用型のものはコンパクトディスク装置(以下CDと略
す)あるいはレーザーディスク装置として、また追記型
のものは文書ファイル、データファイル等に盛んに応用
されている。また、書換え型の記録装置は、現在商品化
が開始された段階にある。
結晶間、あるいは結晶−結晶間の可逆的な状態変化を利
用した相変化型光ディスクがある。これに用いる記録薄
膜は、レーザー光による加熱条件及び冷却条件によっ
て、アモルファス状態と結晶状態のいずれかの状態とな
り、かつ二つの状態に可逆性がある。また、アモルファ
ス状態と結晶状態では、光学定数(屈折率・消衰係数)
が異なる。相変化光ディスクは、情報信号に応じて選択
的に2つの状態を記録薄膜に形成し、この結果生じる光
学的変化(透過率、または反射率)を利用して信号の記
録・再生を行う。
示す光照射方法が提案されている。光ディスク上の記録
薄膜に、情報信号(a)に対応させて、ピークパワーP
pとバイアスパワーPb(Pp>Pb)の二つのパワー
レベル間で強度変調したレーザー光(b)を照射する方
法がある(特開昭56ー14530号公報)。このよう
なレーザ光が記録薄膜に照射されると、照射部は以前の
状態がアモルファスあるいは結晶のいずれであっても、
ピークパワーPpが照射された部分はアモルファス状態
となり、バイアスパワーPbが照射された部分は結晶状
態となる。この結果、一つのレーザー光スポットにより
光ディスク上に情報信号の重ね書き(オーバーライト)
が行われる。
うな構成では、光照射条件であるパワーレベルPp,P
bは、光ディスクの種類に応じて一定の最適値が存在す
る。即ち、同一条件で形成された光ディスクにおいて
も、製造時のばらつきや経時変化により記録薄膜の最適
な光照射条件が変化する。また、光ディスクの基板表面
の汚れ、あるいは記録するドライブ装置の光学系の伝送
効率の低下や動作状態の変動により、光ディスクの記録
薄膜に到達するレーザ光のパワーが変動することが考え
られる。
てC/Nの記録パワー依存性を示す。光ディスクおよび
記録条件は後述する実施例1と同じであり、ここでは光
ディスクの変動のポイントだけを説明する。曲線Aは初
期状態での測定結果を示し、曲線Bは同ディスクを粉塵
の多い環境に一定期間放置し、ディスク表面が汚れた状
態において再び記録特性を測定した結果を示す。一般に
光ディスクの記録においては、C/Nの最大となるパワー
が最適な条件とみなすことができる。光ディスク製造時
の検査行程における評価は、曲線Aの状態に相当し、最
適記録パワーは10mWとなる。しかし上記環境に放置した
後に、前記パワー10mWで記録すると、曲線Bの示すよう
にC/Nは30dBと低い値となり、十分な記録状態が得られ
なくなる。ここでは、ディスク表面が汚れた場合であっ
てが、前述のドライブの変動などが付加されるとさらに
記録状態が変化する。
最適な記録条件により信号の記録を行なったとしても、
記録する際の状態により異なった記録が行なわれ、この
結果記録部からのデータ信号を復調する際に、信号が正
しく復元されない、即ち再生エラーを生じるという問題
があった。
録する際に、記録媒体に対し最適な照射条件を設定する
方法を提供するものである。
報記録部材の記録方法は、光の照射条件により光学的に
識別可能な状態間で可逆的に変化する情報層上に光ビー
ムを照射することにより情報信号を記録する際の記録パ
ワーを決定する方法であって、前記情報層上に情報信号
を記録する前に、複数の異なるパワーレベルからなる一
連の光照射を行い、前記一連の光照射後の情報層からの
反射光量または透過光量の少なくとも何れかを測定し、
前記測定結果に基づいて最適な照射条件を決定する方法
を含み、前記パワーレベルの変化に対して前記測定結果
の変化が最大になるパワーレベルを基準パワーレベルと
し、前記基準パワーレベルに一定の値を乗ずることによ
り最適な記録パワーとするものである。
ける記録媒体および記録装置を組合わせた状態で最適状
態を決定できる。この結果、記録媒体または装置などの
時間的な変動に対応することで、誤りの少ない記録状態
が得られることとなる。
記録方法について、図面を参照しながら説明する。
を持つ光学情報記録装置の構成図を示す。初めに各部の
動作について説明する。
する光ディスク2、レーザー光を光ディスク上に集光す
るための光学系A、レーザー光の変調を行うための情報
記録部B、光ディスクから情報を再生しかつ光スポット
の制御を行うための再生制御部Cから構成される。ま
た、各回路の動作はコントローラ3により管理する。
録薄膜2bから構成されている。基板の表面は、凹凸形
状のトラッキング用のガイドトラック、あるいは記録位
置検出用のアドレス信号が形成されている。また、光デ
ィスクは、情報を記録する情報領域2c以外に、光の照
射条件を設定するためのテスト領域2dを設ける。基板
2aの材料としては、ポリメチルメタアクリレート(P
MMA)やポリカーボネート(PC)等の樹脂やガラス
が使用できる。光照射による相変化を利用して信号を記
録する記録材料2bには、アモルファス−結晶の相変化
では、GeTe、GeSbTe系、InSe系、InSeTlCo系、GeSnTeAu
系、GeSbTeSe系、SeSnTeO系、SeTeS系等を用いることが
できる。また結晶−結晶間の相変化材料としてはInSb
系、AgZn系等を用いることができる。光磁気記録用の記
録材料には、TbFeCo,GdTbFeなどがある。
モードにおける記録手順について説明する。光ディスク
に記録するデータ信号S01は、データ信号を光の強度
変調に変換する情報記録部Bに導かれ、最初にバッファ
メモリ4に一時記憶される。バッファメモリ4は、コン
トローラ3からのゲート信号S3aに対応したタイミン
グでデータ信号S4aを駆動回路5に出力する。駆動回
路5は、データ信号S4aに対応し、かつ記録設定器6
からの条件に従った変調電流S5を発生し、半導体レー
ザ7を駆動する。半導体レーザ7からは、図9(b)の
ようにピークパワーPpとバイアスパワーPbの間でパ
ワー変調された光が発生する。半導体レーザの光はコリ
メータレンズ8により平行光となり、偏向ビームスプリ
ッター9、1/4波長板10を透過し、対物レンズ11
でもって光ディスク2上の記録薄膜2b上に波長限界で
ある約1μmの大きさのスポット径に集光される。集光
した光を前記データ信号に対応してPp,Pb間で強度
変調することで、記録薄膜2b上では図9(c)のよう
にデータ信号に対応した記録マーク(アモルファス状
態)が形成され、記録が行なわれる。
ベルPrの連続光を光ディスクに照射する。記録薄膜2
bからの反射光は、対物レンズ11、1/4波長板10
を経て、偏向ビームスプリッター9によって反射され、
光検出器12上に入射する。光検出器12により光電変
換された信号は、再生制御部Cのプリアンプ13により
増幅される。再生・制御部Cは、サーボ部14によりプ
リアンプの信号S13の低周波数成分を用いて制御信号
S14に変換し、前記対物レンズ11を支持するボイス
コイル11aを駆動し、光ディスク上の光スポットのフ
ォーカシングおよびトラッキングを行う。一方復調回路
15では、プリアンプ13からの信号の高周波成分を用
いて光ディスク2上に形成されたマークからのデータ信
号を復調する。バッファメモリ16では、復調されたデ
ータ信号S15aを一旦記憶し、コントローラからの指
定する信号S3cに従って外部装置にデータ信号S16
を送り出す。以上の構成でもって、光ディスクにデータ
信号の記録、かつ記録部からの信号を再生することが可
能となる。
の概略について説明し、続いて3つの実施例を示し本発
明をさらに詳細に説明する。
とを示す基準信号S02が、コントローラ3入力される
ことにより、光ディスクの記録条件設定用の動作が開始
する。コントローラ3は、記録条件設定モードの信号S
3b、S3dをそれぞれ記録設定器6、サーボ部14に
出力する。サーボ部は、光ビームの位置をテスト条件領
域2dに移動させ、パターン発生器17の各種記録パタ
ーンを、記録設定器6により順次読みだし、前記記録パ
ターンに従って駆動回路5を動作させる。この結果、光
ディスク上には、記録条件に対応した異なる記録状態が
形成される。光ディスクの記録状態は、プリアンプの出
力信号S13の直流成分を反射率測定部19により検出
し、測定結果を示す信号S19と記録条件とをコントロ
ーラ3により対応させることで最適な記録条件を決定す
る。なお前記出力信号の直流成分は、光ディスクのサー
ボ信号の1つであるトラッキング信号の和信号、あるい
はフォーカス信号の和信号を用いることができる。他の
記録状態を評価する方法としては、復調部15からのデ
ータ復調過程で発生するエラー訂正信号S15bをエラ
ー検出部18で検出し、そのエラー信号S18と記録条
件を対応させることで最適記録状態を決定する。
スクの記録条件が変化する要因が生じた場合、あるいは
実際の記録・再生の動作でエラーが検出された場合に発
生させることで、記録条件の再設定が行なう。実際の動
作条件としては、光ディスクの交換時、ディスクドライ
ブの起動時、使用環境の温度が一定以上変化した時、記
録条件設定を行なった後一定の時間が経過した時、ある
いは再生信号から一定以上のエラーが検出された時に記
録条件設定信号が発生する構成とする。ディスク交換
時、あるいはドライブの起動時の検出により、ディスク
とドライブのそれぞれの間での変化あるいは相互間の変
動要素を保証できる。また、使用環境の温度変化、記録
条件設定からの時間経過を管理することで、記録媒体の
温度依存性、あるいはドライブの制御状態の変動を保証
することができる。
クの記録条件設定用の基準信号に応じて、その都度記録
条件の設定が行なわれ、常に最適な状態でデータの記録
を行なうことができ、データ記録装置としての信頼度が
向上する。
に詳しく説明する。 (実施例1)図2に本実施例に用いた光ディスクの構成
を示す。ポリカーボネート基板2a上に、保護層2eを
ZnS、記録材料2bをGeSbTe、保護層2fをZnS、反射層
2gをAuとした薄膜を順次積層し、さらにその上部にポ
リカーボネート製の保護板2hを接着剤2iを介して接
着した。この光ディスクを線速度1.25m/sで回転させ、
各種光照射条件での記録実験を行なった。
AはC/Nのパワー依存性、曲線Bは消去率のパワー依
存性を示す。一般にC/Nおよび消去率は、光ディスク
の記録状態を簡単に評価する基準として用いられ、これ
らの値が大きいことが信号品質が高く、データ信号の再
生エラーが発生する確率が低いことを意味する。曲線A
は、変調周波数を718kHzとし、バイアスパワーPbを5
mW一定とし、ピークパワーPpを変化させた時のC/N
の測定結果である。曲線Bは、あらかじめPp=10m
W、Pb=5mWの条件で718kHzの信号を記録を
行い、C/Nを測定する。前記信号の上にPpを10m
W一定としてバイアスパワーPb値を変化させて条件で
196kHzの信号をオーバライトし、初期の718kHzの信号成
分の減衰率を消去率とした。図3(a)から、C/Nは
10mW、消去率は5mWにそれぞれ最大値を持つ曲線
を示す。即ち、記録条件としては、Pp=10mW、P
b=5mWとすることで良好な記録が可能であることを
示す。
調)を照射した場合の反射率の測定結果を示す。実線C
はアモルファス状態に照射した場合、破線Dは結晶状態
に照射した場合である。なお、アモルファス状態の反射
率をR0、結晶状態の反射率をR1とする。斜線の領域
Eは反射率の取り得る範囲を示し、即ちこの範囲ではレ
ーザー光のパワーが低いため照射前の状態に依存した値
となる。(a)の結果と比較すると、高い消去率を示す
5mW前後のパワーで反射率が高くなり、高いC/Nの
示す10mW前後のパワーで反射率が低下するという相
関がある。一般に光ディスクの記録時のエラーは、製造
条件からくる記録材料のばらつき、あるいは感度の経時
変化により、上記(a)、(b)の曲線のパワーがシフ
トすることにより発生する。
光ディスクの記録条件を決定する方法を図11のフロー
チャートと、図4の信号波形を用いて説明する。図4
(a)は光ディスクの再生信号から得られた記録条件の
設定するためのテスト領域を示す制御信号、(b)は照
射する光の設定パワー、(c)は光照射した部分の反射
率変化を示す。
制御信号S3bにより、記録設定器6を通じてパターン
設定器17にコントローラの指定するテスト記録のパワ
ー条件が記録される。例えば5〜10mWの間の1mWステ
ップ間隔の値を設定しておく。続いて、サーボ部14に
より光ビームをディスク上のテスト領域2dに移動さ
せ、テスト領域からのプリフォーマット信号(例えば基
板の表面に設けられた凹凸ピットからなる制御信号)に
基づいて、テスト開始信号(a)に同期してパターン設
定器17の示す条件で光照射を行なう。テスト開始信号
(a)により光ディスク上に図4(b)に示すようなパ
ワーのDC光を照射する。ここでは、初めに5mWの設定
パワーで駆動回路5を駆動し、一定時間(例えば光ディ
スクが1/10回転)するごとにパワー値を高める。こ
の結果ディスクが1回転する間に10種類の値のパワー
による記録が行なわれる。次の回転ではレーザ光のパワ
ーを再生光レベルPrとし、記録部からの反射光を反射
率測定部19により検出する。反射率測定部19から
は、図4(c)のように照射条件に対応して変化する信
号が得られ、この値をコントローラ3により、回路的に
あるいは測定値を比較することにより、パワー変化に対
する反射率変化の最も大きなパワー値Pdを求める。例
えば反射率信号を微分回路を通し、その微分信号の最大
となる時間と、照射パワーを対応付けることでPdが得
られる。なおここでは設定パワーを10段階の場合とし
たが、さらに多くの段階を設定することも可能であり、
あるいはパワーを連続的に変化させることで図4(c)
は図3(b)に近づけることで、パワーPdの検出精度
が高まる。本実施例で最も変化の大きいパワーPdは7
mWである。
構造により状態変化に必要とするパワーが異なるが、本
発明の目的とするディスクの製造時のバラツキや、記録
装置の変動の範囲であれば、ピークパワーと消去パワー
値の間に一定の関係が成り立つ。このため、反射率変化
の大きいパワーPdと最大の消去率を示すパワーPb
1、および最大のC/Nを示すパワーPp1の間におい
ても次式の関係で近似できる。
パワーPdの値から、最適な記録パワーPp,Peが求
められる。本実施例の場合Pb1=5mW,Pp1=1
0mW,Pd=7mWであることからn=0.7,m=
1.4となる。このm,n値をパターン設定回路17に
記憶、あるいはディスク上のテスト領域2dの先頭部に
これらの条件を記録しておき、テスト記録の直前に読み
出す。例えば上記の方法で、異なるディスクからの反射
率変化を測定した結果Pd=10mWであったならば、
式1、式2の条件から、Pb=7mW,Pp=14mW
が求められる。以上の構成とすることで、光ディスクの
最適な記録条件が求められる。
ルとしたが、さらに照射パワーレベルを細かく設定す
る、あるいは照射パワーを連続的に変化することによ
り、図3(b)の曲線に近づけることが可能となる。こ
のような場合は、反射率値の比較を行なわずに、反射率
レベルを微分し、そのピークレベルを取り出すことで、
より精度の高いパワー設定が可能となる。 (実施例2)次に実施例1と同じ光ディスクについて、
ディジタル信号の記録を行ない、復調信号の評価から最
適記録パワーを求める方法について説明する。
ィオ用のコンパクトディスクで用いられているコード信
号である、音声信号とエラー訂正コードCIRC(Cross Int
erleave Reed-Solomon Code)を含んだEFM信号を用い
て記録を行う。光ディスク上の記録部からの再生信号
が、プリアンプから出力され、復調器15により音声信
号に復調される。この復調過程で発生するエラーをエラ
ー検出器18により測定する。
オーバーライトを行なった時の、各パワーに対するエラ
ーの測定結果を示す。ここで用いたエラー値は、EFM
信号で用いられているエラー訂正符号”C1”の1秒間
当りの発生量である。各曲線は、バイアスパワーPbを
一定としてピークパワーPpを段階的に照射した場合の
測定結果である。最適な記録状態を示すエラーが最小と
なる条件は、バイアスパワーPbに依存し、Pbが高く
なると最適なPpは小さな値に変化する傾向がある。
ディスクの記録条件を決定する方法であり、図12のフ
ローチャートを用いてその手順を説明する。初めにコン
トローラからの記録条件設定の制御信号S3bにより、
記録設定器6を通じてパターン設定器17にコントロー
ラの指定するテスト記録のパワー条件が記録される。例
えばバイアスパワーPbを4,5,6mW、ピークパワーP
pを8,9,10,11,12mWの合計12条件を設定す
る。続いて、サーボ部14により光ビームをディスク上
のテスト領域2dに移動させ、テスト領域からのプリフ
ォーマット信号に基づいて、テスト開始信号に同期して
パターン設定器17の示す条件で光照射を行なう。第1
の記録条件として、Pb=4mW、Pp=8mWの設定
パワーで一定時間の光照射を行ない、続いて第2の記録
条件Pp=4mW、Pp=9mWの記録を行なう。この
ように順次記録条件を変え12種類のパターンの記録を
行なう。その後、前記記録部からの再生光を復調部15
したコード信号からのエラーをエラー検出部18により
検出する。エラー検出結果の中で最小値を判別し、最小
値を示した信号の位置は容易に特定することが可能であ
り、例えば記録の開始点からの時間から照射時の記録パ
ワーPp,Pbが特定できる。図5に示した光ディスク
においては、Pb=5mW、Pp=10mWのとき最小
のエラー値を示していることから、この値が最適記録条
件となる。 (実施例3)実施例1および2は最適なパワー値を求め
る方法であったが、ここでは、記録マークのエッジの位
置を検出することにより信号を記録・再生するパルス幅
変調方式(PWM方式)に適した照射パターンを求める
方法に関する。
は、薄膜材料が照射した光を吸収することで温度上昇
し、その際に生じる状態変化、磁化方向の反転あるいは
変形することを利用して情報の記録を行うヒートモード
の記録方式である。図9は、ヒートモード記録により生
じる信号歪のを、形成状態および再生信号波形を示す。
データ信号(a)に対応してパワー変調された光(b)
が光ディスク上に照射されると、照射部はヒートモード
特有の熱の蓄積効果により、記録開始部の温度に比べ終
了点の温度が高くなり、得られる記録マークは(c)の
ように、始端が小さく終端が大きい涙滴状の非対称な形
状となる。非対称な記録マークのエッジ(始端、終端)
位置からの再生信号(d)を2値化した信号(e)は、
記録信号(a)に比べ、時間的誤差J1,J2,J3を
生じ、この量が一定量を越えると復調時エラーとなる。
称性を解消するために、図10に示すマルチパルス記録
方式がある。データ信号(a)の1個の反転信号(記録
マーク)に対し、複数のパルス列で構成される光(b)
を照射することにより、照射部の温度を制御する。この
光変調は各パルスのパワーは一定値とし、パルス幅を変
化させることで、照射部の温度条件を任意に制御でき
る。マルチパルス方式によると、記録開始点に光エネル
ギーを集中させることが可能となり、例えば始端部のパ
ルスのパルス幅を大きく、またはパルスの間隔を短くす
ることで(c)に示すように対称な記録マークを形成す
ることが可能となる。この結果歪の少ない再生信号
(d)、2値化信号(e)が得られ、エラーのない記録
が可能となる。しかしマルチパルス方式の変調パターン
(b)は、光ディスクや光ディスクドライブの状態によ
り、最適条件が異なる。
応して、最適な記録パターンを得ることが可能である。
図6は、記録薄膜に応じてマルチパルス波形の最適パタ
ーンを得るためのブロック図を示し、図7はそのタイミ
ングチャートを示す。なお変調方式は、実施例2と同じ
くエラー訂正コードCIRCを含んだEFM信号を採用し
た。この回路の特徴は、変調方式の最長のパルス幅11
Tに対し、44個の領域からなるパルス列をあらかじめ
パターン設定器に記憶させておき、入力される3Tから
11Tのパルスのパルス幅に対応させて、設定されたパ
ターンの先頭から必要な長さのパルス列を作り出すもの
である。
号S3bにより、基準信号発生器20(ここではEFM
の基準信号)からEFM信号S20aと、EFM信号の
クロック信号の周期T(=231nS)を4分割した周期の
クロックS20bが出力される。なお図7のタイミング
チャートは4Tのパルスをマルチパルス変調する場合に
ついて示している。まずEFM信号S20aが入力され
るとデータフリップフロップのDFF21とDFF22
およびNAND23により起動信号S23が作られ、パ
ラレル/シリアルアウトシフトレジスタ:PS/SR2
4が動作する。PS/SR24は、パターン設定器25
からの設定パターンを呼びだし、クロックS20bに同
期して1ステップずつ送り出す。パターン設定器25
は、44×15ビットのROMから構成され、EFM信
号の最長のパルス幅(11T)に対応できるように44
個のそれぞれに対して”H”または”L”の設定されて
おり、かつ15パターンの波形を記憶できる。選択器2
6は,記録設定器からの制御信号S6bに従って、パタ
ーン発生器25から出力されるパターンの種類を選択す
る。次にDFF21、DFF22、NAND27により
停止信号S27が出力される。この停止信号によりPS
/SR24からの17ステップ以降の出力は停止し、信
号S24のパルス列が得られる。なおDFF28はパル
ス列とクロックS20bを再び同期させた後、パルス列
信号S28を駆動回路5に送り出す。駆動回路5によ
り、最終的に図10(a)のEFM信号に対し、図10
(b)のような光出力が半導体レーザ7から得られる。
このようにしてEFM信号3T〜11Tのすべて幅のパ
ルスに対し、パルス列化が可能となり、かつ15種類の
異なるパターンを選択することが可能となる。
の動作手順を説明する。初めにコントローラからの記録
条件設定の制御信号S3bにより、記録設定器6を通じ
てパターン設定器17にコントローラの指定するマルチ
パルス方式のパターン、例えば図8の15種類のパター
ンを記憶させる。続いて、サーボ部14により光ビーム
をディスク上のテスト領域2dに移動させ、テスト領域
からのプリフォーマット信号に基づいて、テスト開始信
号に同期してパターン設定器17の示す条件で光照射を
行なう。第1の記録条件として、図8(a)のパターン
で一定時間の光照射を行ない、続いて第2の記録条件と
して図8(b)のパターンの記録を行なう。このように
順次記録条件を変え15種類のパターンの記録を行な
う。その後、前記記録部からの再生光を復調部15によ
り復調したコード信号からのエラー量をエラー検出部1
8により測定する。エラー検出結果の中で最小値を判別
し、最小値を示した信号の記録開始点からの記録時間か
ら、照射パターンを特定することができる。
速1.2m/Sで回転させ、記録パワーをPp=13mW、P
b=5mWとして記録実験を行ない、各照射パターンに
対するエラー量の測定を行なった。図8(a)〜(o)の
照射パターンに対し、エラー量としては、パターン
(a)=210,(b)=150,(c)=170,(d)=100,
(e)=180,(f)=95,(g)=180,(h)=170,
(i)=75,(j)=45,(k)=150,(l)=305,
(m)=18,(n)=30,(o)=130が得られた。以上
の結果から、最適な記録条件はパターン(m)となる。
いずれかを最適状態とする方法であったが、同時に照射
パワーと記録パターンを組あわせることにより、さらに
精度の高い記録条件を設定することが可能となる。ま
た、本実施例では記録条件を変化させる範囲をテスト記
録の範囲をディスクが1回転する間に完了することを1
つの基準としてきたが、更に短時間のテスト、あるいは
より精度の高いパワーの設定が必要な場合は、それぞれ
の特性に合わせて記録条件を設定することが望ましい。
して、エラー訂正量だけで評価する場合だけであった
が、他の方法としては、復調信号のジッター量を比較す
ることによっても、本発明と同等の結果が得られる。記
録媒体については相変化型の光ディスクの場合であった
が、本方式は、ヒートモード記録全般なかでもPWM方
式の記録を行なう場合に有効な方法である。
を記録する前に、さまざまなひかり照射を行い最適な光
の照射条件を設定することにより、光記録媒体および記
録装置等の変動の影響を受けることなく、エラーの少な
い記録状態を得ることができる。
る方法の構成図である。
ある。
N、消去率のパワー依存性およびDC光照射時の反射率
変化を示す特性図である。
化を示す図である。
依存性を示す図である。
形の最適なパターンを得る回路のブロック図である
ミングチャート図である。
照射パターン図である。
記録マークの形状の概念図である。
の変調波形と記録マークの形状の概念図である。
ローチャート図である。
ローチャート図である。
ローチャート図である。
ー依存性を示す図である。
Claims (8)
- 【請求項1】 光の照射条件により光学的に識別可能な
状態間で可逆的に変化する情報層上に光ビームを照射す
ることにより情報信号を記録する際の記録パワーを決定
する方法であって、前記情報層上に情報信号を記録する
前に、複数の異なるパワーレベルからなる一連の光照射
を行い、前記一連の光照射後の情報層からの反射光量ま
たは透過光量の少なくとも何れかを測定し、前記測定結
果に基づいて最適な照射条件を決定する方法を含み、前
記パワーレベルの変化に対して前記測定結果の変化が最
大になるパワーレベルを基準パワーレベルとし、前記基
準パワーレベルに一定の値を乗ずることにより最適な記
録パワーとすることを特徴とする光学情報記録部材の記
録方法。 - 【請求項2】 一連の光照射が、一定の期間パワーを一
定とした連続光の照射であることを特徴とする請求項1
記載の光学情報記録部材の記録方法。 - 【請求項3】 光の照射条件により光学的に識別可能な
状態間で可逆的に変化する情報層上に第1のパワーレベ
ルと、前記第1のパワーレベルよりも低い第2のパワー
レベルを含む少なくとも2つのレベル間でパワー変調し
た単一の光ビームを照射することにより情報信号を記録
する際の記録パワーを決定する方法であって、前記情報
層上に情報信号を記録する前に、特定の情報信号に従っ
て前記単一の光ビームをパワー変調する少なくとも前記
第1のパワーレベル及び前記第2のパワーレベルを何れ
も段階的に変化させた一連の光照射を行い、前記一連の
光照射後の前記情報層からの反射光量または透過光量の
少なくとも何れかを検出し、前記光検出により得られた
信号のエラー量を測定し、前記測定結果を予め設定され
た所定の値と比較することにより、最適なパワーレベル
を決定することを特徴とする光学情報記録部材の記録方
法。 - 【請求項4】 光照射が、情報信号に対応して情報層上
に形成する1個の記録マークに対し、複数のパルス列か
らなる変調パタ−ンによって行なわれ、前記変調パタ−
ンが少なくとも2つ以上存在する請求項3記載の光学情
報記録部材の記録方法。 - 【請求項5】 光の照射条件により光学的に識別可能な
状態間で可逆的に変化する情報層上に光ビームを照射す
ることにより情報信号を記録する際の記録パルスパタ−
ンを決定する方法であって、前記パルスパタ−ンが、前
記情報層上に形成する1個の記録マークに対し、複数の
パルス列からなる光照射であり、前記情報層上に情報信
号を記録する前に、特定の情報信号に応じて、前記複数
のパルス列の照射パタ−ンが異なる一連の光照射を行
い、前記一連の光照射後の前記情報層からの反射光量ま
たは透過光量の少なくとも何れかを検出し、前記光検出
により得られた信号のエラー量を測定し、前記測定結果
を予め設定された所定の値と比較し、前記比較結果の中
で前記エラー量が最小値となる照射パタ−ンを最適な照
射条件として決定することを特徴とする光学情報記録部
材の記録方法。 - 【請求項6】 一連の光照射が、メモリ上に予め設定し
たパルス列の照射パタ−ンを順次選択することによる異
なる光照射であることを特徴とする請求項4記載の光学
情報記録部材の記録方法。 - 【請求項7】 一連の光照射が、情報層上の情報記録領
域以外の領域で行なわれることを特徴とする請求項1、
3、5何れかに記載の光学情報記録部材の記録方法。 - 【請求項8】 情報層を備えた光学情報記録部材の交換
時、前記情報層からエラーが検出された時、記録装置の
起動時、前記起動時から一定時間経過した時、または使
用環境の温度が一定以上変化した時の少なくとも何れか
を検出する記録管理を行い、前記記録管理の検出結果に
基づき一連の光照射を行なうことを特徴とする請求項
1、3、5何れかに記載の光学情報記録部材の記録方
法。
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