JP3259204B2 - 光記録方法及び光記録のパルストレイン条件決定方法 - Google Patents
光記録方法及び光記録のパルストレイン条件決定方法Info
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- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
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- Optical Head (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光記録のパルストレイ
ン条件及び熱遮断条件決定方法、同決定装置、光記録方
法及び光記録装置に関する。
ン条件及び熱遮断条件決定方法、同決定装置、光記録方
法及び光記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光記録は、現在、レーザビームの熱的性
質が専ら利用されて記録が成されており、記録媒体（光
ディスク）としては、（１）一度だけ記録可能なライト
ワンス型光ディスク（孔開けタイプ）、例えば薄い金属
膜もしくはサーメット膜を記録層とする光ディスク、
（２）記録、再生、消去が繰り返し何度でも可能な光デ
ィスク、例えば磁性薄膜を記録層とする光磁気ディス
ク、結晶相と非晶質相との間で相変化する金属膜もしく
はサーメット膜を記録層とする相変化光ディスクなどが
挙げられる。
質が専ら利用されて記録が成されており、記録媒体（光
ディスク）としては、（１）一度だけ記録可能なライト
ワンス型光ディスク（孔開けタイプ）、例えば薄い金属
膜もしくはサーメット膜を記録層とする光ディスク、
（２）記録、再生、消去が繰り返し何度でも可能な光デ
ィスク、例えば磁性薄膜を記録層とする光磁気ディス
ク、結晶相と非晶質相との間で相変化する金属膜もしく
はサーメット膜を記録層とする相変化光ディスクなどが
挙げられる。
【０００３】光ディスクには、これから情報を記録する
トラックが渦巻き状又は同心円状に何万本も形成されて
いる。このトラック上に０と１に相当する２種の情報単
位が形成され、情報が記録される。実際には、トラック
それ自身（つまり、地の部分）が０又は１の一方に相当
する第１情報単位を示し、トラック上に点々と又は島状
に０又は１の他方に相当する第２情報単位（最近、これ
をマークと呼ぶ）が形成される。この場合、マークの有
無、マーク間隔、マークの長さ、マーク形成開始位置
（つまり、マークの前エッジ位置）、マーク形成終了位
置（つまり、マークの後エッジ位置）等が情報を表す。
特にマークのエッジ位置が情報を表す方法はマーク長記
録と呼ばれる。
トラックが渦巻き状又は同心円状に何万本も形成されて
いる。このトラック上に０と１に相当する２種の情報単
位が形成され、情報が記録される。実際には、トラック
それ自身（つまり、地の部分）が０又は１の一方に相当
する第１情報単位を示し、トラック上に点々と又は島状
に０又は１の他方に相当する第２情報単位（最近、これ
をマークと呼ぶ）が形成される。この場合、マークの有
無、マーク間隔、マークの長さ、マーク形成開始位置
（つまり、マークの前エッジ位置）、マーク形成終了位
置（つまり、マークの後エッジ位置）等が情報を表す。
特にマークのエッジ位置が情報を表す方法はマーク長記
録と呼ばれる。
【０００４】光記録装置は、主として、レーザビーム光
源、該光源からレーザビームを光ディスクに照射する照
射光学系、レーザビーム強度を記録すべき情報に従い変
調する変調手段、並びに光ディスクの回転手段からな
る。光磁気記録装置の場合には、更にビームの照射位置
にバイアス磁界を印加する磁気手段が付加される。光記
録はレーザビームの熱的性質を専ら利用する（ヒートモ
ード）ので、原理的には、レーザビーム強度を相対的に
高い第１レベルと相対的に低い基底レベル（第２レベ
ル）との間でパルス変調すればよく、第１レベルのと
き、マークが形成され、第２レベルのとき、マークは形
成されない。つまり、１つのパルスで１つのマークが形
成される。第２レベルはマークを形成しないので、第２
レベルはゼロでもよい。しかし、マークを形成したいと
き、言い換えれば、マークの前エッジを形成したいと
き、形成直前のディスク温度状態を、常に積極的に一定
温度状態に保っておくことが好ましい。そうしないと、
前エッジ位置が形成直前の温度状態に依存して変動する
ことになる。変動は、高密度で記録しようとすると、障
害となる。そこで、光ディスクを所定の温度Θpre に余
熱してプレヒート状態にしておくことが好ましく、第２
レベルはこのプレヒート状態（温度Θpre ）を保つ強度
Ｐpre とすることが一般的である。温度Θpre は、マー
ク形成直前のディスクの温度が、ビームのピーク温度位
置又はスポット中心位置で記録する情報（データ）パタ
ーンによらず一定の温度であり、Ｐpre は以下の式で示
される。
源、該光源からレーザビームを光ディスクに照射する照
射光学系、レーザビーム強度を記録すべき情報に従い変
調する変調手段、並びに光ディスクの回転手段からな
る。光磁気記録装置の場合には、更にビームの照射位置
にバイアス磁界を印加する磁気手段が付加される。光記
録はレーザビームの熱的性質を専ら利用する（ヒートモ
ード）ので、原理的には、レーザビーム強度を相対的に
高い第１レベルと相対的に低い基底レベル（第２レベ
ル）との間でパルス変調すればよく、第１レベルのと
き、マークが形成され、第２レベルのとき、マークは形
成されない。つまり、１つのパルスで１つのマークが形
成される。第２レベルはマークを形成しないので、第２
レベルはゼロでもよい。しかし、マークを形成したいと
き、言い換えれば、マークの前エッジを形成したいと
き、形成直前のディスク温度状態を、常に積極的に一定
温度状態に保っておくことが好ましい。そうしないと、
前エッジ位置が形成直前の温度状態に依存して変動する
ことになる。変動は、高密度で記録しようとすると、障
害となる。そこで、光ディスクを所定の温度Θpre に余
熱してプレヒート状態にしておくことが好ましく、第２
レベルはこのプレヒート状態（温度Θpre ）を保つ強度
Ｐpre とすることが一般的である。温度Θpre は、マー
ク形成直前のディスクの温度が、ビームのピーク温度位
置又はスポット中心位置で記録する情報（データ）パタ
ーンによらず一定の温度であり、Ｐpre は以下の式で示
される。
【０００５】 Θpre ＝Ａ×Ｐpre ×｛１−exp(−∞／τ）｝＋ΘA ・・・式（３） 但し、Ａ（℃／ｍＷ）は、当該ディスクとスポットと記
録線速度によって決定されるレーザビーム強度の熱効率
であり、ΘA （℃）はビームを全く照射していない状態
でのディスク温度である。マークの形成方法の第１は、
単純に１つのパルスで１つのマークを形成する方法であ
る。図１１は、この第１の方法で１つのマークを形成す
る場合のレーザビーム強度の波形図である。図１１に示
すように、マーク形成を開始すべくレーザビーム強度を
基底レベル（第２レベル）Ｐpre から立ち上げ、立ち上
げた強度（第１レベル）ＰW1を半値幅で時間ＴW1維持し
た後、Ｐpre に立ち下げるパルス波形となる。この場合
には、マーク長が長くなったとき、熱蓄積による弊害が
でる。その弊害とは、マーク形成を終了すべくレーザビ
ーム強度をＰpre に立ち下げても、それまでの熱蓄積が
あるので、媒体温度がマーク形成開始温度以下になかな
か下がらない。そのため、マーク長さが不用意に長くな
ってしまったり、マークの幅が不用意に太くなることで
ある。この弊害を「マーク形成の終了位置、つまりマー
クの後エッジ位置の、記録データパターン依存性」と言
う。この依存性は、高密度記録にとって障害になり、デ
ータの弁別性を低下させる。
録線速度によって決定されるレーザビーム強度の熱効率
であり、ΘA （℃）はビームを全く照射していない状態
でのディスク温度である。マークの形成方法の第１は、
単純に１つのパルスで１つのマークを形成する方法であ
る。図１１は、この第１の方法で１つのマークを形成す
る場合のレーザビーム強度の波形図である。図１１に示
すように、マーク形成を開始すべくレーザビーム強度を
基底レベル（第２レベル）Ｐpre から立ち上げ、立ち上
げた強度（第１レベル）ＰW1を半値幅で時間ＴW1維持し
た後、Ｐpre に立ち下げるパルス波形となる。この場合
には、マーク長が長くなったとき、熱蓄積による弊害が
でる。その弊害とは、マーク形成を終了すべくレーザビ
ーム強度をＰpre に立ち下げても、それまでの熱蓄積が
あるので、媒体温度がマーク形成開始温度以下になかな
か下がらない。そのため、マーク長さが不用意に長くな
ってしまったり、マークの幅が不用意に太くなることで
ある。この弊害を「マーク形成の終了位置、つまりマー
クの後エッジ位置の、記録データパターン依存性」と言
う。この依存性は、高密度記録にとって障害になり、デ
ータの弁別性を低下させる。
【０００６】マーク形成方法の第２は、この問題を幾分
か解決するものである。図１２は、この第２の方法で１
つのマークを形成する場合のレーザビーム強度の波形図
である。図１２に示すように、マークを形成すべく、光
記録媒体に照射するレーザビーム強度を、Ｐpre からＰ
pre より高い強度ＰW1へ立ち上げ、ＰW1を時間ＴW1維持
した後ＰW1より低い強度ＰLTに立ち下げ、その後ＰLTと
ＰLTより高い強度ＰW2との間で強度変調させるのであ
る。ＰW2を維持する時間はＴW2、ＰLTとＰW2との間で強
度変調させる際の変調周期はＴp である。この方式は、
本来１つのパルスであるべき波形（図１１参照）が、先
頭の小パルスと１又は２以上の後続の小パルスとからな
る波形となっており、パルストレイン（pulse train ）
方式と呼ばれる。この場合には、マーク形成中の光ディ
スクのレーザビーム照射位置の温度は、一般に、高い温
度付近で上下に変動する。
か解決するものである。図１２は、この第２の方法で１
つのマークを形成する場合のレーザビーム強度の波形図
である。図１２に示すように、マークを形成すべく、光
記録媒体に照射するレーザビーム強度を、Ｐpre からＰ
pre より高い強度ＰW1へ立ち上げ、ＰW1を時間ＴW1維持
した後ＰW1より低い強度ＰLTに立ち下げ、その後ＰLTと
ＰLTより高い強度ＰW2との間で強度変調させるのであ
る。ＰW2を維持する時間はＴW2、ＰLTとＰW2との間で強
度変調させる際の変調周期はＴp である。この方式は、
本来１つのパルスであるべき波形（図１１参照）が、先
頭の小パルスと１又は２以上の後続の小パルスとからな
る波形となっており、パルストレイン（pulse train ）
方式と呼ばれる。この場合には、マーク形成中の光ディ
スクのレーザビーム照射位置の温度は、一般に、高い温
度付近で上下に変動する。
【０００７】パルストレイン方式において、前記各値
は、パルストレイン条件と呼ばれている。この条件は、
従来、光ディスクによらず一定に決められており、欧州
コンピュータ製造業者連合（EUROPEAN COMPUTER MANUFA
CTURERS ASSOCIATION ：ECMAとす) の規格書 ECMA ／TC
31／92／36文書の第87頁（図１３参照）によると、例え
ば、ＰLTはプレヒート状態（温度Θpre ）を保つ強度Ｐ
pre と等しく、ＴW2は書き込みクロック周期Ｔの２分の
１と決められている。ＰW2は、予め決定しておいた最適
なＰW1とＰpre を用いて、ランダムパターンを記録し、
「マークの後エッジ位置の、記録データパターン依存
性」が最小になる値として決められた。
は、パルストレイン条件と呼ばれている。この条件は、
従来、光ディスクによらず一定に決められており、欧州
コンピュータ製造業者連合（EUROPEAN COMPUTER MANUFA
CTURERS ASSOCIATION ：ECMAとす) の規格書 ECMA ／TC
31／92／36文書の第87頁（図１３参照）によると、例え
ば、ＰLTはプレヒート状態（温度Θpre ）を保つ強度Ｐ
pre と等しく、ＴW2は書き込みクロック周期Ｔの２分の
１と決められている。ＰW2は、予め決定しておいた最適
なＰW1とＰpre を用いて、ランダムパターンを記録し、
「マークの後エッジ位置の、記録データパターン依存
性」が最小になる値として決められた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】パルストレイン条件が
固定された従来技術では、「マークの後エッジ位置の、
記録データパターン依存性」が最小になる値としてＰW2
を設定すると、使用する光ディスクによっては、ＰW2の
値が非常に大きくなってしまうことがある。そのため、
レーザ光源に過大な負担がかかり、劣化を著しく早める
ことになると言う問題点が発生した。
固定された従来技術では、「マークの後エッジ位置の、
記録データパターン依存性」が最小になる値としてＰW2
を設定すると、使用する光ディスクによっては、ＰW2の
値が非常に大きくなってしまうことがある。そのため、
レーザ光源に過大な負担がかかり、劣化を著しく早める
ことになると言う問題点が発生した。
【０００９】本発明の目的は、この問題点を解決するこ
とにある。
とにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らの研究によれ
ば、前記問題点の原因が、光ディスクによらず固定され
たパルストレイン条件にあり、そのため、光ディスクに
よっては最適なパルストレイン条件が適用されていない
ことを突き止めた。本発明者らは、更に研究を進めた結
果、光ディスクごとに熱時定数τが異なり、τを考慮し
て最適なパルストレイン条件を決定する方法、決定装置
を発明した。また、決定されたパルストレイン条件を用
いて、光記録する方法、光記録装置等も発明した。
ば、前記問題点の原因が、光ディスクによらず固定され
たパルストレイン条件にあり、そのため、光ディスクに
よっては最適なパルストレイン条件が適用されていない
ことを突き止めた。本発明者らは、更に研究を進めた結
果、光ディスクごとに熱時定数τが異なり、τを考慮し
て最適なパルストレイン条件を決定する方法、決定装置
を発明した。また、決定されたパルストレイン条件を用
いて、光記録する方法、光記録装置等も発明した。
【００１１】他方、高密度記録の場合、次のマークの開
始位置が、前のマークの終了位置に依存して変動してし
まう問題があった。このことを「マーク形成の開始位
置、つまりマークの前エッジ位置の、記録データパター
ン依存性」と言う。この問題を解決するため、マーク形
成を終了すべくレーザビーム強度を立ち下げるとき、一
旦、Ｐpre より低いＰLBに下げて、時間Ｔoff 後Ｐpre
に立ち上げる光記録方式が提案された。図９、図１０
は、この方式で１つのマークを形成する場合のレーザビ
ーム強度の波形図である。図９は１つのパルスで１つマ
ークを形成する場合であり、図１０はパルストレイン方
式でマークを形成する場合である。この方式では、前の
マーク長さがどんなであっても、次のマーク形成は所定
の位置から開始される。つまり、次のマークにとって
は、前のマークからの熱的影響が遮断されている訳であ
る。このように熱的影響が遮断される条件のことを「熱
遮断条件」と呼び、これはＰpre とＰLBとＴoff で示さ
れる。
始位置が、前のマークの終了位置に依存して変動してし
まう問題があった。このことを「マーク形成の開始位
置、つまりマークの前エッジ位置の、記録データパター
ン依存性」と言う。この問題を解決するため、マーク形
成を終了すべくレーザビーム強度を立ち下げるとき、一
旦、Ｐpre より低いＰLBに下げて、時間Ｔoff 後Ｐpre
に立ち上げる光記録方式が提案された。図９、図１０
は、この方式で１つのマークを形成する場合のレーザビ
ーム強度の波形図である。図９は１つのパルスで１つマ
ークを形成する場合であり、図１０はパルストレイン方
式でマークを形成する場合である。この方式では、前の
マーク長さがどんなであっても、次のマーク形成は所定
の位置から開始される。つまり、次のマークにとって
は、前のマークからの熱的影響が遮断されている訳であ
る。このように熱的影響が遮断される条件のことを「熱
遮断条件」と呼び、これはＰpre とＰLBとＴoff で示さ
れる。
【００１２】レーザビーム強度がＰW1又はＰW2から低下
し、ＰLBを経てＰpre になったとき、光ディスクの温度
はマーク形成が可能な高い温度（以下、Θtop とする）
から降温し、やがてプレヒート状態の温度Θpre で一定
になる。この場合に降温プロフィールは２通りある。第
１は、Θtop から単調に低下してΘpre に達し、そのま
ま横ばい（一定）となる降温プロフィールである。第２
は、Θtop から低下し、一旦、Θpre 以下になり、今度
は昇温を始めてΘpre に達し、そのまま横ばい（一定）
となる降温プロフィールである。いずれにせよ、光ディ
スクの温度がΘpre で一定になっていないと、次のマー
ク形成の開始位置、つまりマークの前エッジ位置が所望
の通りにならない。いずれの場合にも、Θtop から低下
しΘpre で一定になるまでの時間をＴtcと呼ぶ。
し、ＰLBを経てＰpre になったとき、光ディスクの温度
はマーク形成が可能な高い温度（以下、Θtop とする）
から降温し、やがてプレヒート状態の温度Θpre で一定
になる。この場合に降温プロフィールは２通りある。第
１は、Θtop から単調に低下してΘpre に達し、そのま
ま横ばい（一定）となる降温プロフィールである。第２
は、Θtop から低下し、一旦、Θpre 以下になり、今度
は昇温を始めてΘpre に達し、そのまま横ばい（一定）
となる降温プロフィールである。いずれにせよ、光ディ
スクの温度がΘpre で一定になっていないと、次のマー
ク形成の開始位置、つまりマークの前エッジ位置が所望
の通りにならない。いずれの場合にも、Θtop から低下
しΘpre で一定になるまでの時間をＴtcと呼ぶ。
【００１３】記録密度を高めるべく、Ｔtc時間過ぎる前
に次のマークを形成させると、マークの前エッジ位置が
記録データパターン依存性を持ってしまい、データ弁別
性が低下する。そこで、Ｔtc時間過ぎた後、次のマーク
を形成させることになるが、このＴtcが長いと次のマー
クとの間隔を長くせざるをえないので、記録密度が粗く
なる。
に次のマークを形成させると、マークの前エッジ位置が
記録データパターン依存性を持ってしまい、データ弁別
性が低下する。そこで、Ｔtc時間過ぎた後、次のマーク
を形成させることになるが、このＴtcが長いと次のマー
クとの間隔を長くせざるをえないので、記録密度が粗く
なる。
【００１４】このＴtcを短くする条件が熱遮断条件であ
るとも言える。図１４は、パルストレイン及び熱遮断方
式でマークを形成した場合の、各時刻のレーザビームの
スポット中心の温度又は各時刻のピーク温度のグラフで
ある。熱遮断が足りないと、図１４に一点鎖線で示す降
温プロフィールが得られ、長いＴtcがもたらされる。ま
た、熱遮断が過ぎると図１４に二点鎖線で示す降温プロ
フィールが得られ、同じく長いＴtcがもたらされる。最
適な熱遮断条件では、図１４に実線で示す降温プロフィ
ールが得られ、最短のＴtcがもたらされる。 パルスト
レイン方式で記録を行う場合、マークの書き始め、すな
わちマークの前エッジを形成するときに、形成直前のデ
ィスク温度状態を常に積極的に一定に保っておく必要が
あり、その方法として、上記熱遮断方式は非常に有効で
ある。従って、パルストレイン方式は、熱遮断方式と合
わせて使用することが望ましい。
るとも言える。図１４は、パルストレイン及び熱遮断方
式でマークを形成した場合の、各時刻のレーザビームの
スポット中心の温度又は各時刻のピーク温度のグラフで
ある。熱遮断が足りないと、図１４に一点鎖線で示す降
温プロフィールが得られ、長いＴtcがもたらされる。ま
た、熱遮断が過ぎると図１４に二点鎖線で示す降温プロ
フィールが得られ、同じく長いＴtcがもたらされる。最
適な熱遮断条件では、図１４に実線で示す降温プロフィ
ールが得られ、最短のＴtcがもたらされる。 パルスト
レイン方式で記録を行う場合、マークの書き始め、すな
わちマークの前エッジを形成するときに、形成直前のデ
ィスク温度状態を常に積極的に一定に保っておく必要が
あり、その方法として、上記熱遮断方式は非常に有効で
ある。従って、パルストレイン方式は、熱遮断方式と合
わせて使用することが望ましい。
【００１５】なお、式（２）におけるＰLBをゼロにした
熱遮断条件のとき、図１４に示したＴtcが、絶対値とし
て最小になる。従って、ＰLBはゼロとすることが好まし
い。また、Ｔoff は、書き込みクロック周期（write cl
ock period）Ｔのｍ／ｎ倍（ｍ，ｎは自然数）又はそれ
に近い値とすることが好ましい。即ち、本発明は、第１
に、「光記録媒体に照射するレーザビーム強度を、前記
媒体面の温度がある一定温度となるプレヒート状態を保
つ強度ＰpreからＰpreより高い強度ＰW1へ立ち上げ、Ｐ
W1を時間ＴW1維持した後ＰW1より低い強度ＰLTに立ち下
げ、その後ＰLTとＰLTより高い強度ＰW2との間で強度変
調させて前記光記録媒体にマークを形成する光記録方法
であって、前記各値を下記式（１）を満足する組合せと
して求めることを特徴とする光記録方法（請求項１）」
を提供する。 (ＰW1-Ｐpre)×{１-exp(-ＴW1／τ)}×{１-exp(-Ｔp ／τ)} ＝(ＰLT-Ｐpre)×{１-exp(-Ｔp ／τ)}+(ＰW2-ＰLT)×{１-exp(-ＴW2／τ)} ・・・・・式（１） （τ；前記光記録媒体の熱時定数、ＴW2；ＰW2を維持す
る時間、Ｔp ；ＰLTとＰW2との間で強度変調させる際の
変調周期）
熱遮断条件のとき、図１４に示したＴtcが、絶対値とし
て最小になる。従って、ＰLBはゼロとすることが好まし
い。また、Ｔoff は、書き込みクロック周期（write cl
ock period）Ｔのｍ／ｎ倍（ｍ，ｎは自然数）又はそれ
に近い値とすることが好ましい。即ち、本発明は、第１
に、「光記録媒体に照射するレーザビーム強度を、前記
媒体面の温度がある一定温度となるプレヒート状態を保
つ強度ＰpreからＰpreより高い強度ＰW1へ立ち上げ、Ｐ
W1を時間ＴW1維持した後ＰW1より低い強度ＰLTに立ち下
げ、その後ＰLTとＰLTより高い強度ＰW2との間で強度変
調させて前記光記録媒体にマークを形成する光記録方法
であって、前記各値を下記式（１）を満足する組合せと
して求めることを特徴とする光記録方法（請求項１）」
を提供する。 (ＰW1-Ｐpre)×{１-exp(-ＴW1／τ)}×{１-exp(-Ｔp ／τ)} ＝(ＰLT-Ｐpre)×{１-exp(-Ｔp ／τ)}+(ＰW2-ＰLT)×{１-exp(-ＴW2／τ)} ・・・・・式（１） （τ；前記光記録媒体の熱時定数、ＴW2；ＰW2を維持す
る時間、Ｔp ；ＰLTとＰW2との間で強度変調させる際の
変調周期）
【００１６】また、本発明は、第２に、「光記録媒体に
照射するレーザビーム強度を、前記媒体面の温度がある
一定温度となるプレヒート状態を保つ強度ＰpreからＰp
reより高い強度ＰW1へ立ち上げ、ＰW1を時間ＴW1維持し
た後ＰW1より低い強度ＰLTに立ち下げ、その後ＰLTとＰ
LTより高い強度ＰW2との間で強度変調させて前記光記録
媒体にマークを形成し、その後Ｐpreより低い強度ＰLB
に立ち下げ、時間Ｔoff後Ｐpreに立ち上げる光記録方法
であって、前記各値を下記式（１）及び式（２）を満足
する組合せとして求めることを特徴とする光記録方法
（請求項２）」を提供する。 (ＰW1-Ｐpre)×{１-exp(-ＴW1／τ)}×{１-exp(-Ｔp ／τ)} ＝(ＰLT-Ｐpre)×{１-exp(-Ｔp ／τ)}+(ＰW2-ＰLT)×{１-exp(-ＴW2／τ)} ・・・・・式（１） Ｔoff＝τ×ln[{(ＰW1-ＰLB)-(ＰW1-Ｐpre)×exp(-ＴW1/τ)}÷(Ｐpre-ＰLB)] ・・・・・式（２） （τ；前記光記録媒体の熱時定数、ＴW2；ＰW2を維持す
る時間、Ｔp ；ＰLTとＰW2との間で強度変調させる際の
変調周期）
照射するレーザビーム強度を、前記媒体面の温度がある
一定温度となるプレヒート状態を保つ強度ＰpreからＰp
reより高い強度ＰW1へ立ち上げ、ＰW1を時間ＴW1維持し
た後ＰW1より低い強度ＰLTに立ち下げ、その後ＰLTとＰ
LTより高い強度ＰW2との間で強度変調させて前記光記録
媒体にマークを形成し、その後Ｐpreより低い強度ＰLB
に立ち下げ、時間Ｔoff後Ｐpreに立ち上げる光記録方法
であって、前記各値を下記式（１）及び式（２）を満足
する組合せとして求めることを特徴とする光記録方法
（請求項２）」を提供する。 (ＰW1-Ｐpre)×{１-exp(-ＴW1／τ)}×{１-exp(-Ｔp ／τ)} ＝(ＰLT-Ｐpre)×{１-exp(-Ｔp ／τ)}+(ＰW2-ＰLT)×{１-exp(-ＴW2／τ)} ・・・・・式（１） Ｔoff＝τ×ln[{(ＰW1-ＰLB)-(ＰW1-Ｐpre)×exp(-ＴW1/τ)}÷(Ｐpre-ＰLB)] ・・・・・式（２） （τ；前記光記録媒体の熱時定数、ＴW2；ＰW2を維持す
る時間、Ｔp ；ＰLTとＰW2との間で強度変調させる際の
変調周期）
【００１７】また、本発明は、第３に、「前記強度ＰLT
を、前記強度Ｐpreと等しくしたことを特徴とする請求
項１又は請求項２に記載の光記録方法（請求項３）」を
提供する。また、本発明は、第４に、「前記強度ＰLT
を、前記強度Ｐpreより大きくしたことを特徴とする請
求項１又は請求項２に記載の光記録方法（請求項４）」
を提供する。また、本発明は、第５に、「ＰLTとＰLTよ
り高い強度ＰW2との間で強度変調させる際の変調周期Ｔ
p を書き込みクロック周期Ｔと等しくしたことを特徴と
する請求項１から請求項４のいずれかに記載の光記録方
法（請求項５）」を提供する。
を、前記強度Ｐpreと等しくしたことを特徴とする請求
項１又は請求項２に記載の光記録方法（請求項３）」を
提供する。また、本発明は、第４に、「前記強度ＰLT
を、前記強度Ｐpreより大きくしたことを特徴とする請
求項１又は請求項２に記載の光記録方法（請求項４）」
を提供する。また、本発明は、第５に、「ＰLTとＰLTよ
り高い強度ＰW2との間で強度変調させる際の変調周期Ｔ
p を書き込みクロック周期Ｔと等しくしたことを特徴と
する請求項１から請求項４のいずれかに記載の光記録方
法（請求項５）」を提供する。
【００１８】また、本発明は、第６に、「前記強度ＰW2
を前記強度ＰW1と等しくしたことを特徴とする請求項１
から請求項５のいずれかに記載の光記録方法（請求項
６）」を提供する。また、本発明は、第７に、「前記強
度ＰW2を前記強度ＰW1より小さくしたことを特徴とする
請求項１から請求項５のいずれかに記載の光記録方法
（請求項７）」を提供する。また、本発明は、第８に、
「前記強度ＰLB をゼロとしたことを特徴とする請求項
１又は請求項２に記載の光記録方法（請求項８）」を提
供する。
を前記強度ＰW1と等しくしたことを特徴とする請求項１
から請求項５のいずれかに記載の光記録方法（請求項
６）」を提供する。また、本発明は、第７に、「前記強
度ＰW2を前記強度ＰW1より小さくしたことを特徴とする
請求項１から請求項５のいずれかに記載の光記録方法
（請求項７）」を提供する。また、本発明は、第８に、
「前記強度ＰLB をゼロとしたことを特徴とする請求項
１又は請求項２に記載の光記録方法（請求項８）」を提
供する。
【００１９】また、本発明は、第９に、「光記録媒体に
照射するレーザビーム強度を、前記媒体面の温度がある
一定温度となるプレヒート状態を保つ強度ＰpreからＰp
reより高い強度ＰW1へ立ち上げ、ＰW1を時間ＴW1維持し
た後ＰW1より低い強度ＰLTに立ち下げ、その後ＰLTとＰ
LTより高い強度ＰW2との間で強度変調させて前記光記録
媒体にマークを形成する光記録方法の条件を決定する方
法であって、前記各値を下記式（１）を満足する組合せ
として求めることを特徴とする光記録のパルストレイン
条件決定方法（請求項９）」を提供する。 (ＰW1-Ｐpre)×{１-exp(-ＴW1／τ)}×{１-exp(-Ｔp ／τ)} ＝(ＰLT-Ｐpre)×{１-exp(-Ｔp ／τ)}+(ＰW2-ＰLT)×{１-exp(-ＴW2／τ)} ・・・・・式（１） （τ；前記光記録媒体の熱時定数、ＴW2；ＰW2を維持す
る時間、Ｔp ；ＰLTとＰW2との間で強度変調させる際の
変調周期）
照射するレーザビーム強度を、前記媒体面の温度がある
一定温度となるプレヒート状態を保つ強度ＰpreからＰp
reより高い強度ＰW1へ立ち上げ、ＰW1を時間ＴW1維持し
た後ＰW1より低い強度ＰLTに立ち下げ、その後ＰLTとＰ
LTより高い強度ＰW2との間で強度変調させて前記光記録
媒体にマークを形成する光記録方法の条件を決定する方
法であって、前記各値を下記式（１）を満足する組合せ
として求めることを特徴とする光記録のパルストレイン
条件決定方法（請求項９）」を提供する。 (ＰW1-Ｐpre)×{１-exp(-ＴW1／τ)}×{１-exp(-Ｔp ／τ)} ＝(ＰLT-Ｐpre)×{１-exp(-Ｔp ／τ)}+(ＰW2-ＰLT)×{１-exp(-ＴW2／τ)} ・・・・・式（１） （τ；前記光記録媒体の熱時定数、ＴW2；ＰW2を維持す
る時間、Ｔp ；ＰLTとＰW2との間で強度変調させる際の
変調周期）
【００２０】また、本発明は、第１０に、「光記録媒体
に照射するレーザビーム強度を、前記媒体面の温度があ
る一定温度となるプレヒート状態を保つ強度Ｐpreから
Ｐpreより高い強度ＰW1へ立ち上げ、ＰW1を時間ＴW1維
持した後ＰW1より低い強度ＰLTに立ち下げ、その後ＰLT
とＰLTより高い強度ＰW2との間で強度変調させて前記光
記録媒体にマークを形成し、その後Ｐpreより低い強度
ＰLBに立ち下げ、時間Ｔoff後Ｐpreに立ち上げる光記録
方法の条件を決定する方法であって、前記各値を下記式
（１）及び式（２）を満足する組合せとして求めること
を特徴とする光記録のパルストレイン条件決定方法（請
求項１０）」を提供する。 (ＰW1-Ｐpre)×{１-exp(-ＴW1／τ)}×{１-exp(-Ｔp ／τ)} ＝(ＰLT-Ｐpre)×{１-exp(-Ｔp ／τ)}+(ＰW2-ＰLT)×{１-exp(-ＴW2／τ)} ・・・・・式（１） Ｔoff＝τ×ln[{(ＰW1-ＰLB)-(ＰW1-Ｐpre)×exp(-ＴW1/τ)}÷(Ｐpre-ＰLB)] ・・・・・式（２） （τ；前記光記録媒体の熱時定数、ＴW2；ＰW2を維持す
る時間、Ｔp ；ＰLTとＰW2との間で強度変調させる際の
変調周期）
に照射するレーザビーム強度を、前記媒体面の温度があ
る一定温度となるプレヒート状態を保つ強度Ｐpreから
Ｐpreより高い強度ＰW1へ立ち上げ、ＰW1を時間ＴW1維
持した後ＰW1より低い強度ＰLTに立ち下げ、その後ＰLT
とＰLTより高い強度ＰW2との間で強度変調させて前記光
記録媒体にマークを形成し、その後Ｐpreより低い強度
ＰLBに立ち下げ、時間Ｔoff後Ｐpreに立ち上げる光記録
方法の条件を決定する方法であって、前記各値を下記式
（１）及び式（２）を満足する組合せとして求めること
を特徴とする光記録のパルストレイン条件決定方法（請
求項１０）」を提供する。 (ＰW1-Ｐpre)×{１-exp(-ＴW1／τ)}×{１-exp(-Ｔp ／τ)} ＝(ＰLT-Ｐpre)×{１-exp(-Ｔp ／τ)}+(ＰW2-ＰLT)×{１-exp(-ＴW2／τ)} ・・・・・式（１） Ｔoff＝τ×ln[{(ＰW1-ＰLB)-(ＰW1-Ｐpre)×exp(-ＴW1/τ)}÷(Ｐpre-ＰLB)] ・・・・・式（２） （τ；前記光記録媒体の熱時定数、ＴW2；ＰW2を維持す
る時間、Ｔp ；ＰLTとＰW2との間で強度変調させる際の
変調周期）
【００２１】また、本発明は、第１１に、「前記強度Ｐ
LTを、前記強度Ｐpreと等しく設定することを特徴とす
る請求項９又は請求項１０に記載の光記録のパルストレ
イン条件決定方法（請求項１１）」を提供する。また、
本発明は、第１２に、「前記強度ＰLTを、前記強度Ｐpr
eより大きく設定することを特徴とする請求項９又は請
求項１０に記載の光記録のパルストレイン条件決定方法
（請求項１２）」を提供する。また、本発明は、第１３
に、「ＰLTとＰLTより高い強度ＰW2との間で強度変調さ
せる際の変調周期Ｔp を書き込みクロック周期Ｔと等し
くしたことを特徴とする請求項９から請求項１２のいず
れかに記載の光記録のパルストレイン条件決定方法（請
求項１３）」を提供する。
LTを、前記強度Ｐpreと等しく設定することを特徴とす
る請求項９又は請求項１０に記載の光記録のパルストレ
イン条件決定方法（請求項１１）」を提供する。また、
本発明は、第１２に、「前記強度ＰLTを、前記強度Ｐpr
eより大きく設定することを特徴とする請求項９又は請
求項１０に記載の光記録のパルストレイン条件決定方法
（請求項１２）」を提供する。また、本発明は、第１３
に、「ＰLTとＰLTより高い強度ＰW2との間で強度変調さ
せる際の変調周期Ｔp を書き込みクロック周期Ｔと等し
くしたことを特徴とする請求項９から請求項１２のいず
れかに記載の光記録のパルストレイン条件決定方法（請
求項１３）」を提供する。
【００２２】また、本発明は、第１４に、「前記強度Ｐ
W2を前記強度ＰW1と等しく設定することを特徴とする請
求項９から請求項１３のいずれかに記載の光記録のパル
ストレイン条件決定方法（請求項１４）」を提供する。
また、本発明は、第１５に、「前記強度ＰW2を前記強度
ＰW1より小さく設定することを特徴とする請求項９から
請求項１３のいずれかに記載の光記録のパルストレイン
条件決定方法（請求項１５）」を提供する。また、本発
明は、第１６に、「前記強度ＰLB をゼロとしたことを
特徴とする請求項１０記載の光記録のパルストレイン条
件決定方法（請求項１６）」を提供する。
W2を前記強度ＰW1と等しく設定することを特徴とする請
求項９から請求項１３のいずれかに記載の光記録のパル
ストレイン条件決定方法（請求項１４）」を提供する。
また、本発明は、第１５に、「前記強度ＰW2を前記強度
ＰW1より小さく設定することを特徴とする請求項９から
請求項１３のいずれかに記載の光記録のパルストレイン
条件決定方法（請求項１５）」を提供する。また、本発
明は、第１６に、「前記強度ＰLB をゼロとしたことを
特徴とする請求項１０記載の光記録のパルストレイン条
件決定方法（請求項１６）」を提供する。
【００２３】
【００２４】
【００２５】
【００２６】
【００２７】
【００２８】
【００２９】
【００３０】
【００３１】
【００３２】
【００３３】
【００３４】
【００３５】
【００３６】
【００３７】
【００３８】
【００３９】
【００４０】
【００４１】
【００４２】
【００４３】
【００４４】
【００４５】
【００４６】
【作用】まず、熱時定数τについて説明する。図３は、
記録すべきデータ信号のパターン（波形）の一例（図３
(1)）、そのときのレーザビームの発光及び消光を示す
チャート（光源へ入力する電力のチャート）（図３
(2)）、そのときのディスクの温度プロフィール（昇温
プロフィール）（図３(3)）、及び形成されるマークの
関係を示す説明図（図３(4)）である。
記録すべきデータ信号のパターン（波形）の一例（図３
(1)）、そのときのレーザビームの発光及び消光を示す
チャート（光源へ入力する電力のチャート）（図３
(2)）、そのときのディスクの温度プロフィール（昇温
プロフィール）（図３(3)）、及び形成されるマークの
関係を示す説明図（図３(4)）である。
【００４７】光ディスクに対し、記録用レーザビーム
（パルス）を用いて光記録を行なう場合、熱拡散の立場
から光ディスクを見ると、断熱的ディスクと熱拡散的デ
ィスクの２種存在する。レーザビームをデータ信号（図
３(1)）に従い、図３(2) に示すように、消光から発光
へとステップ関数的（矩形波のように）に立ち上げると
する。断熱的ディスクは、熱拡散的ディスクに比べて熱
がこもり易いため、レーザビームの単位強度当たりの昇
温［℃／ｍＷ］、すなわち、式（３）に於けるＡが大き
い。つまり、同一の強度で長時間照射した場合、温度が
飽和するレベルは、断熱的ディスクの方が高い。
（パルス）を用いて光記録を行なう場合、熱拡散の立場
から光ディスクを見ると、断熱的ディスクと熱拡散的デ
ィスクの２種存在する。レーザビームをデータ信号（図
３(1)）に従い、図３(2) に示すように、消光から発光
へとステップ関数的（矩形波のように）に立ち上げると
する。断熱的ディスクは、熱拡散的ディスクに比べて熱
がこもり易いため、レーザビームの単位強度当たりの昇
温［℃／ｍＷ］、すなわち、式（３）に於けるＡが大き
い。つまり、同一の強度で長時間照射した場合、温度が
飽和するレベルは、断熱的ディスクの方が高い。
【００４８】一方、断熱的ディスクは、昇温プロフィー
ル又は温度プロフィール〔instantaneous (elevated) t
emperature profile 〕が飽和に達するまでの所要時間
が、熱拡散的ディスクに比べて長い。図４は、温度が飽
和に達するまでの所要時間（ｔsat ）を示す温度プロフ
ィールのグラフである。すなわち、断熱的ディスクは、
図４におけるｔsatが、熱拡散的ディスクに比べて長
い。このことは、土瓶は鉄瓶よりも熱し難く冷め難いと
考えれば、分かりやすい。熱時定数τは、このｔsat に
対応する。すなわち、ｔsat の長いディスクはτが大き
いといえる。
ル又は温度プロフィール〔instantaneous (elevated) t
emperature profile 〕が飽和に達するまでの所要時間
が、熱拡散的ディスクに比べて長い。図４は、温度が飽
和に達するまでの所要時間（ｔsat ）を示す温度プロフ
ィールのグラフである。すなわち、断熱的ディスクは、
図４におけるｔsatが、熱拡散的ディスクに比べて長
い。このことは、土瓶は鉄瓶よりも熱し難く冷め難いと
考えれば、分かりやすい。熱時定数τは、このｔsat に
対応する。すなわち、ｔsat の長いディスクはτが大き
いといえる。
【００４９】本発明者の一人は、鋭意研究の結果、先に
光ディスクそれ自体を測定することによって、ディスク
の熱時定数を測定する方法を発明した。次にこの測定方
法を説明する。 ＜熱時定数の測定方法＞被測定物である光ディスクと、
測定ツール（測定手段）である光ディスク評価用の光記
録／再生装置（以下、評価用ドライブとも言う）を用意
する。レーザビームは、N.A.＝ 0.55 、波長＝ 830 nm
であり、立ち上がり時間と立ち下がり時間は共に約 5ns
ecである。評価用ドライブに光ディスクをセットし、デ
ィスクのトラックが測定線速度（Ｖ＝11.3 ｍ／sec ）
となるようにディスクを回転させる。次に評価用ドライ
ブのレーザビームのスポットをトラック上にサーボオン
させる。つまり、フォーカシングとトラッキングのサー
ボ装置を作動させる。そして、レーザビームをパルス変
調する。レーザビームの照射によりディスクの温度は上
昇するが、パルス変調は、各パルスの加熱による熱が干
渉し合わないと見なせるに十分な時間間隔が開くような
デュティ・サイクル（duty cycle）とする。そして、様
々なパルス時間長（pulse dulation time ；以下、P.D.
T.と略す）を持つパルスをディスクに照射し、各P.D.T.
毎の「ディスクに記録を行うことのできる最小パワー
（Ｐth ）」を求める。
光ディスクそれ自体を測定することによって、ディスク
の熱時定数を測定する方法を発明した。次にこの測定方
法を説明する。 ＜熱時定数の測定方法＞被測定物である光ディスクと、
測定ツール（測定手段）である光ディスク評価用の光記
録／再生装置（以下、評価用ドライブとも言う）を用意
する。レーザビームは、N.A.＝ 0.55 、波長＝ 830 nm
であり、立ち上がり時間と立ち下がり時間は共に約 5ns
ecである。評価用ドライブに光ディスクをセットし、デ
ィスクのトラックが測定線速度（Ｖ＝11.3 ｍ／sec ）
となるようにディスクを回転させる。次に評価用ドライ
ブのレーザビームのスポットをトラック上にサーボオン
させる。つまり、フォーカシングとトラッキングのサー
ボ装置を作動させる。そして、レーザビームをパルス変
調する。レーザビームの照射によりディスクの温度は上
昇するが、パルス変調は、各パルスの加熱による熱が干
渉し合わないと見なせるに十分な時間間隔が開くような
デュティ・サイクル（duty cycle）とする。そして、様
々なパルス時間長（pulse dulation time ；以下、P.D.
T.と略す）を持つパルスをディスクに照射し、各P.D.T.
毎の「ディスクに記録を行うことのできる最小パワー
（Ｐth ）」を求める。
【００５０】図５は、パルス時間長（P.D.T.）を説明す
る波形図である。時間P.D.Tの間、「ディスクに記録を
行うことのできる最小パワー（Ｐth ）」でレーザビー
ムのパルスをディスクに照射することを示している。図
６は、Ｐth を縦軸、P.D.T.を横軸にデータをプロット
したグラフである。図６に示すように、Ｐth はP.D.T.
が長くなるにつれて低下し、ある一定のレベルＰ0に収
束する。
る波形図である。時間P.D.Tの間、「ディスクに記録を
行うことのできる最小パワー（Ｐth ）」でレーザビー
ムのパルスをディスクに照射することを示している。図
６は、Ｐth を縦軸、P.D.T.を横軸にデータをプロット
したグラフである。図６に示すように、Ｐth はP.D.T.
が長くなるにつれて低下し、ある一定のレベルＰ0に収
束する。
【００５１】次に、図７に示す如くに、Ｐth をＰ0で規
格化した値の逆数、すなわち、Ｐ0／Ｐth を縦軸、P.D.
T.を横軸にデータをプロットする。これは、レーザビー
ムをディスクに照射した場合の、昇温時の熱応答関数の
グラフを表す。また、図８に示す如くに、縦軸に１−Ｐ
0／Ｐth をとれば、レーザビームをＯＦＦした時の、降
温時の熱応答関数のグラフを表す。図８の熱応答関数が
指数関数 exp(−ｔ／τ)に近似できるとき、前記τは測
定した光ディスクの、測定した線速度（Ｖ）での、測定
したレーザビームによる昇温降温の熱時定数を表す。
格化した値の逆数、すなわち、Ｐ0／Ｐth を縦軸、P.D.
T.を横軸にデータをプロットする。これは、レーザビー
ムをディスクに照射した場合の、昇温時の熱応答関数の
グラフを表す。また、図８に示す如くに、縦軸に１−Ｐ
0／Ｐth をとれば、レーザビームをＯＦＦした時の、降
温時の熱応答関数のグラフを表す。図８の熱応答関数が
指数関数 exp(−ｔ／τ)に近似できるとき、前記τは測
定した光ディスクの、測定した線速度（Ｖ）での、測定
したレーザビームによる昇温降温の熱時定数を表す。
【００５２】従来の固定されたパルストレイン条件で
は、「マークの後エッジ位置の、記録データパターン依
存性」を最小にすることが難しい。また、使用する光デ
ィスクによっては、ＰW2の値が非常に大きくなってしま
う。しかし、本発明に従いτを式（１）に代入して求め
られたパルストレイン条件を用いれば、その依存性が最
小になるし、最小にするＰW2の値を小さくすることがで
きる。このことは本発明者らが初めて見いだした。前記
依存性が小さくなると、高密度記録が正確に行なうこと
ができ、データの弁別性が良好となる。作成の容易さか
ら、ＰLTとＰLTより高い強度ＰW2との間で強度変調させ
る際の変調周期Ｔp を書き込みクロック周期Ｔと等しく
し、時間ＴW2を、前記変調周期Ｔp のｍ／ｎ倍（ｍ，ｎ
は自然数、ｍ＜ｎ）とすることが好ましい。また強度Ｐ
LTをＰpre と等しくしてもよい。
は、「マークの後エッジ位置の、記録データパターン依
存性」を最小にすることが難しい。また、使用する光デ
ィスクによっては、ＰW2の値が非常に大きくなってしま
う。しかし、本発明に従いτを式（１）に代入して求め
られたパルストレイン条件を用いれば、その依存性が最
小になるし、最小にするＰW2の値を小さくすることがで
きる。このことは本発明者らが初めて見いだした。前記
依存性が小さくなると、高密度記録が正確に行なうこと
ができ、データの弁別性が良好となる。作成の容易さか
ら、ＰLTとＰLTより高い強度ＰW2との間で強度変調させ
る際の変調周期Ｔp を書き込みクロック周期Ｔと等しく
し、時間ＴW2を、前記変調周期Ｔp のｍ／ｎ倍（ｍ，ｎ
は自然数、ｍ＜ｎ）とすることが好ましい。また強度Ｐ
LTをＰpre と等しくしてもよい。
【００５３】ところで、式（１）のパルストレイン条件
は、ディスクの熱応答特性が単純な指数関数exp(−ｔ／
τ) で近似できる場合についてのみ適用できる。単純な
指数関数で近似できない場合は、熱応答関数を時間の関
数ｆ(ｔ)とおいて、次のように考える。ＰW1のレベルを
ＴW1時間維持し、ＰLTに立ち下げたときの時刻をｔ＝０
として、そのときのディスクの温度（温度はレーザビー
ムの強度に比例するので、以後強度の時間関数として表
す）をＦ0 とおくと、Ｆ0 は以下のように表せる。
は、ディスクの熱応答特性が単純な指数関数exp(−ｔ／
τ) で近似できる場合についてのみ適用できる。単純な
指数関数で近似できない場合は、熱応答関数を時間の関
数ｆ(ｔ)とおいて、次のように考える。ＰW1のレベルを
ＴW1時間維持し、ＰLTに立ち下げたときの時刻をｔ＝０
として、そのときのディスクの温度（温度はレーザビー
ムの強度に比例するので、以後強度の時間関数として表
す）をＦ0 とおくと、Ｆ0 は以下のように表せる。
【００５４】 Ｆ0 ＝Ｐb・ｆ(ＴW1)＋ＰW1・｛１−ｆ(ＴW1)｝ また、ｎ個めの後続パルスの終了時、即ちｔ＝ｎＴp 時
間後のディスク温度Ｆnは、以下のようになる。
間後のディスク温度Ｆnは、以下のようになる。
【００５５】
【数１】
【００５６】先頭パルス（ＰW1、ＴW1）によるディスク
のピーク温度およびｎ個の各後続パルス（ＰW2、ＴW2）
によるディスクのピーク温度がどれも等しくなるための
条件は、Ｆ0 ＝Ｆ1 ＝Ｆ2 ＝・・・・Ｆn である。即ち、Ｆ
n ＝Ｆn+1 （ｎ＝0,1,2,・・・・）として式を立てると、下
記式（４）となる。 Ｐb・［ｆ{ＴW1+(n+1)Ｔp }−ｆ(ＴW1+ｎＴp )］ ＋ＰW1・［ｆ{(n+1)Ｔp }−ｆ{ＴW1+(n+1)Ｔp } −ｆ(ｎＴp )＋ｆ(ＴW1+ｎＴp )］ ＋ＰLT・［ｆ(ＴW2+ｎＴp )−ｆ{(n+1)Ｔp }］ ＋ＰW2・｛ｆ(ｎＴp )−ｆ(ＴW2+ｎＴp )｝ ＝０ ・・・・・（４） 式（４）はこれ以上解けない。そこでｆ(ｔ)が以下の条
件を満たすと仮定する。
のピーク温度およびｎ個の各後続パルス（ＰW2、ＴW2）
によるディスクのピーク温度がどれも等しくなるための
条件は、Ｆ0 ＝Ｆ1 ＝Ｆ2 ＝・・・・Ｆn である。即ち、Ｆ
n ＝Ｆn+1 （ｎ＝0,1,2,・・・・）として式を立てると、下
記式（４）となる。 Ｐb・［ｆ{ＴW1+(n+1)Ｔp }−ｆ(ＴW1+ｎＴp )］ ＋ＰW1・［ｆ{(n+1)Ｔp }−ｆ{ＴW1+(n+1)Ｔp } −ｆ(ｎＴp )＋ｆ(ＴW1+ｎＴp )］ ＋ＰLT・［ｆ(ＴW2+ｎＴp )−ｆ{(n+1)Ｔp }］ ＋ＰW2・｛ｆ(ｎＴp )−ｆ(ＴW2+ｎＴp )｝ ＝０ ・・・・・（４） 式（４）はこれ以上解けない。そこでｆ(ｔ)が以下の条
件を満たすと仮定する。
【００５７】 ｆ(ａ)・ｆ(ｂ)＝ｆ(ａ＋ｂ)，ｆ(ａ)／ｆ(ｂ)＝ｆ(ａ−ｂ)・・・（５） すると式（４）はさらに分解できて、以下の式となる。 ｆ(ｎＴp )［（ＰW1−Ｐb）・｛１−ｆ(ＴW1)｝・｛１−ｆ(Ｔp )｝ −（ＰLT−Ｐb）・｛１−ｆ(Ｔp )｝ −（ＰW2−ＰLT）・｛１−ｆ(ＴW2)｝］＝０・・・・・（６） したがって、式（６）において、 （ＰW1−Ｐb）・｛１−ｆ(ＴW1)｝・｛１−ｆ(Ｔp )｝ −（ＰLT−Ｐb）・｛１−ｆ(Ｔp )｝ −（ＰW2−ＰLT）・｛１−ｆ(ＴW2)｝＝０ とすれば、任意のｎについて Ｆn ＝Ｆn+1 が成り立つ
条件が決まる。即ちその条件は、 （ＰW1−Ｐb）・｛１−ｆ(ＴW1)｝・｛１−ｆ(Ｔp )｝ ＝（ＰLT−Ｐb）・｛１−ｆ(Ｔp )｝ ＋（ＰW2−ＰLT）・｛１−ｆ(ＴW2)｝ ・・・・・（７） 式（７）は、パルストレインの条件式（１）において、
exp(−ｔ／τ)＝ｆ(ｔ)とした形と等しくなる。
条件が決まる。即ちその条件は、 （ＰW1−Ｐb）・｛１−ｆ(ＴW1)｝・｛１−ｆ(Ｔp )｝ ＝（ＰLT−Ｐb）・｛１−ｆ(Ｔp )｝ ＋（ＰW2−ＰLT）・｛１−ｆ(ＴW2)｝ ・・・・・（７） 式（７）は、パルストレインの条件式（１）において、
exp(−ｔ／τ)＝ｆ(ｔ)とした形と等しくなる。
【００５８】以上のことから、熱応答関数ｆ(ｔ)が式
（５）の条件を満たすとき、先頭パルス（ＰW1、ＴW1）
によるディスクのピーク温度およびｎ個の各後続パルス
（ＰW2、ＴW2）によるディスクのピーク温度がどれも等
しくなるための条件が決定できる。熱応答関数ｆ(ｔ)が
式（４）の条件を満たさない場合は、ディスク温度が一
定となる条件が決定できないので、ＦA をＦ0 〜Ｆn の
平均として、
（５）の条件を満たすとき、先頭パルス（ＰW1、ＴW1）
によるディスクのピーク温度およびｎ個の各後続パルス
（ＰW2、ＴW2）によるディスクのピーク温度がどれも等
しくなるための条件が決定できる。熱応答関数ｆ(ｔ)が
式（４）の条件を満たさない場合は、ディスク温度が一
定となる条件が決定できないので、ＦA をＦ0 〜Ｆn の
平均として、
【００５９】
【数２】
【００６０】を最小とする条件を探すことになる。以
下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本
発明はこれに限られるものではない。
下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本
発明はこれに限られるものではない。
【００６１】
【実施例】図１は、本実施例にかかる光磁気記録装置の
主要な構成を示す概念図である。この装置は再生装置を
兼用しており、主として、光磁気記録媒体Ｄを回転させ
るモータ（回転手段６）、レーザビーム光源２、レーザ
ビームの強度を、記録すべき２値化情報に従い、高レベ
ルと低レベルとの間でパルス変調する光源駆動回路１、
記録磁界印加手段（永久磁石１１）、パルス波形整形回
路１０、及び条件決定手段１２からなる。ここでは、パ
ルス波形整形回路１０は、パルス波形を、図２（後述）
に示すような波形に整形する。
主要な構成を示す概念図である。この装置は再生装置を
兼用しており、主として、光磁気記録媒体Ｄを回転させ
るモータ（回転手段６）、レーザビーム光源２、レーザ
ビームの強度を、記録すべき２値化情報に従い、高レベ
ルと低レベルとの間でパルス変調する光源駆動回路１、
記録磁界印加手段（永久磁石１１）、パルス波形整形回
路１０、及び条件決定手段１２からなる。ここでは、パ
ルス波形整形回路１０は、パルス波形を、図２（後述）
に示すような波形に整形する。
【００６２】条件決定手段１２は、式（１）及び式
（２）に基づいて各値（Ｐpre、ＰW1、ＰW2、ＰLT、ＰL
B、ＴW1、ＴW2、Ｔp、Ｔoff）の組合わせを決定する演
算部と、決定された値を出力する出力部を備えている。
演算部では、式（１）及び式（２）に基づいて各値を決
定する。そして、決定された値を出力部から出力する。
パルス波形整形回路１０では、この出力値に基づいてパ
ルス波形を整形する。
（２）に基づいて各値（Ｐpre、ＰW1、ＰW2、ＰLT、ＰL
B、ＴW1、ＴW2、Ｔp、Ｔoff）の組合わせを決定する演
算部と、決定された値を出力する出力部を備えている。
演算部では、式（１）及び式（２）に基づいて各値を決
定する。そして、決定された値を出力部から出力する。
パルス波形整形回路１０では、この出力値に基づいてパ
ルス波形を整形する。
【００６３】媒体Ｄとして、光磁気ディスクをセットす
る。回転手段６で媒体Ｄを回転させ、媒体Ｄのトラック
の線速度が所定値となるようにする。光源２からのレー
ザビームのスポットをトラック上にサーボオンさせる。
つまり、フォーカシングとトラッキングのサーボ装置
（不図示）を作動させる。そして、光源２から出射され
るレーザビームを、光源駆動回路１により記録すべき２
値化情報に従いパルス変調する。光源２から出射したビ
ームは、コリメータレンズ３を通って平行にされた後、
ビームスプリッタ４で反射される。反射されたビーム
は、対物レンズ５で集光され、媒体Ｄ上に焦点を結ぶ。
記録は、これで基本的に終わりである。
る。回転手段６で媒体Ｄを回転させ、媒体Ｄのトラック
の線速度が所定値となるようにする。光源２からのレー
ザビームのスポットをトラック上にサーボオンさせる。
つまり、フォーカシングとトラッキングのサーボ装置
（不図示）を作動させる。そして、光源２から出射され
るレーザビームを、光源駆動回路１により記録すべき２
値化情報に従いパルス変調する。光源２から出射したビ
ームは、コリメータレンズ３を通って平行にされた後、
ビームスプリッタ４で反射される。反射されたビーム
は、対物レンズ５で集光され、媒体Ｄ上に焦点を結ぶ。
記録は、これで基本的に終わりである。
【００６４】再生の場合は、強度変調をしないＤＣ点灯
のレーザビームを記録時と同様に媒体Ｄに照射する。そ
して、媒体から反射された光を対物レンズ５を通してビ
ームスプリッタ４に入射させ、そこを透過した光を集光
レンズ７で集光した上で、ディテクタ９に入射させる。
このとき、集光レンズ７とディテクタ９との間に置いた
アナライザ（偏光子）を通して、偏光面の回転状況を光
の強度変化に変換する。これにより、偏光面の回転とし
て読みとった媒体Ｄの記録情報を光の強度変化に変換す
る。光の強度変化は、ディテクタ９で電気信号の強弱に
変換される。これが再生である。
のレーザビームを記録時と同様に媒体Ｄに照射する。そ
して、媒体から反射された光を対物レンズ５を通してビ
ームスプリッタ４に入射させ、そこを透過した光を集光
レンズ７で集光した上で、ディテクタ９に入射させる。
このとき、集光レンズ７とディテクタ９との間に置いた
アナライザ（偏光子）を通して、偏光面の回転状況を光
の強度変化に変換する。これにより、偏光面の回転とし
て読みとった媒体Ｄの記録情報を光の強度変化に変換す
る。光の強度変化は、ディテクタ９で電気信号の強弱に
変換される。これが再生である。
【００６５】上記のような装置において、作用の項で説
明したτの測定法でτ＝36nsec（Ｖ＝11.3ｍ／sec ）を
有する光磁気ディスクを用意した。全面初期化の後、こ
の光磁気ディスクを測定線速度：Ｖ＝11.3ｍ／sec で回
転させ、これに対し、N.A.＝0.55 、波長＝830nm 、レ
ーザパルスの立ち上がり、立ち下がり時間が共に約 5ns
ec である記録再生用レーザビームを用い、次の条件で
２／３（１，７） R.L.L., 0.56 μｍ／bit,Ｔ（write
clock period）＝ 33 nsecの NRZI マーク長記録用ラン
ダム信号を記録した。パルス波形は、図２に示すよう
な、パルストレイン方式及び熱遮断方式を使用した。マ
ークの種類は２Ｔマーク〜８Ｔマークの７種である。図
２は、２Ｔマーク〜８Ｔマークを形成する場合のレーザ
ビーム強度の波形図である。ここで、ｎＴマークとは、
記録されたマークを再生した際に、そのマークに対応す
る再生パルスの幅がクロック周期Ｔのｎ倍（例えば２Ｔ
マークの場合は２倍）になるようなマークを示す。
明したτの測定法でτ＝36nsec（Ｖ＝11.3ｍ／sec ）を
有する光磁気ディスクを用意した。全面初期化の後、こ
の光磁気ディスクを測定線速度：Ｖ＝11.3ｍ／sec で回
転させ、これに対し、N.A.＝0.55 、波長＝830nm 、レ
ーザパルスの立ち上がり、立ち下がり時間が共に約 5ns
ec である記録再生用レーザビームを用い、次の条件で
２／３（１，７） R.L.L., 0.56 μｍ／bit,Ｔ（write
clock period）＝ 33 nsecの NRZI マーク長記録用ラン
ダム信号を記録した。パルス波形は、図２に示すよう
な、パルストレイン方式及び熱遮断方式を使用した。マ
ークの種類は２Ｔマーク〜８Ｔマークの７種である。図
２は、２Ｔマーク〜８Ｔマークを形成する場合のレーザ
ビーム強度の波形図である。ここで、ｎＴマークとは、
記録されたマークを再生した際に、そのマークに対応す
る再生パルスの幅がクロック周期Ｔのｎ倍（例えば２Ｔ
マークの場合は２倍）になるようなマークを示す。
【００６６】熱遮断条件は、ＰW1＝11.5ｍＷ、ＴW1＝50
nsec（＝Ｔ×３／２）、ＰLB＝Ｐr＝1.5 ｍＷ、Ｐpre
＝3.5 ｍＷ、Ｔoff ＝50nsec（マーク形成の開始位置、
つまりマークの前エッジ位置の、記録データパターン依
存性が最小になる値）とした。 ［実施例１］Ｔp 、ＴW2及びＰW2を、Ｔp ＝33nsec（＝
Ｔ）、ＴW2＝16.5nsec（＝Ｔ×１／２）、ＰW2＝ＰW1＝
11.5ｍＷに固定した。
nsec（＝Ｔ×３／２）、ＰLB＝Ｐr＝1.5 ｍＷ、Ｐpre
＝3.5 ｍＷ、Ｔoff ＝50nsec（マーク形成の開始位置、
つまりマークの前エッジ位置の、記録データパターン依
存性が最小になる値）とした。 ［実施例１］Ｔp 、ＴW2及びＰW2を、Ｔp ＝33nsec（＝
Ｔ）、ＴW2＝16.5nsec（＝Ｔ×１／２）、ＰW2＝ＰW1＝
11.5ｍＷに固定した。
【００６７】その後ＰLTを種々に変えて記録を行い、再
生レーザビーム強度Ｐr ＝1.5 ｍＷで再生して、「マー
クの後エッジ位置の、記録データパターン依存性」を測
定したところ、ＰLT＝4.6 ｍＷのとき、前記依存性が最
小であった。 ［実施例２］Ｔp 、ＰLT及びＰW2を、Ｔp ＝33nsec（＝
Ｔ）、ＰLT＝Ｐpre ＝3.5 ｍＷ、ＰW2＝ＰW1＝11.5ｍＷ
に固定した。
生レーザビーム強度Ｐr ＝1.5 ｍＷで再生して、「マー
クの後エッジ位置の、記録データパターン依存性」を測
定したところ、ＰLT＝4.6 ｍＷのとき、前記依存性が最
小であった。 ［実施例２］Ｔp 、ＰLT及びＰW2を、Ｔp ＝33nsec（＝
Ｔ）、ＰLT＝Ｐpre ＝3.5 ｍＷ、ＰW2＝ＰW1＝11.5ｍＷ
に固定した。
【００６８】その後ＴW2を種々に変えて記録を行い、再
生レーザビーム強度Ｐr ＝1.5 ｍＷで再生して、「マー
クの後エッジ位置の、記録データパターン依存性」を測
定したところ、ＴW2＝21.5nsecのとき、前記依存性が最
小であった。 ［実施例３］Ｔp 及びＴW2を、Ｔp ＝33nsec（＝Ｔ）、
ＴW2＝16.5nsec（＝Ｔ×１／２）に固定し、ＰLT＝5.0
ｍＷとした。
生レーザビーム強度Ｐr ＝1.5 ｍＷで再生して、「マー
クの後エッジ位置の、記録データパターン依存性」を測
定したところ、ＴW2＝21.5nsecのとき、前記依存性が最
小であった。 ［実施例３］Ｔp 及びＴW2を、Ｔp ＝33nsec（＝Ｔ）、
ＴW2＝16.5nsec（＝Ｔ×１／２）に固定し、ＰLT＝5.0
ｍＷとした。
【００６９】このとき、ＰW2を式（１）から算出したと
ころ、ＰW2＝10.8ｍＷとなった。この条件で記録を行
い、再生レーザビーム強度Ｐr ＝1.5 ｍＷで再生し、
「マークの後エッジ位置の、記録データパターン依存
性」を測定したところ、前記依存性は小さく、データの
弁別性も良好であった。また、ＰW2のみを種々に変え
て、同様に記録・再生を試みたが、ＰW2が10.8ｍＷのと
き、前記依存性が最小であった。ＰW2の値は、比較例の
それに比べて、2.5 ｍＷ低かった。 ［実施例４］Ｔp 及びＰLTを、Ｔp ＝33nsec（＝Ｔ）、
ＰLT＝Ｐpre ＝3.5 ｍＷに固定し、ＴW2＝25.0nsec（＝
Ｔ×３／４）とした。
ころ、ＰW2＝10.8ｍＷとなった。この条件で記録を行
い、再生レーザビーム強度Ｐr ＝1.5 ｍＷで再生し、
「マークの後エッジ位置の、記録データパターン依存
性」を測定したところ、前記依存性は小さく、データの
弁別性も良好であった。また、ＰW2のみを種々に変え
て、同様に記録・再生を試みたが、ＰW2が10.8ｍＷのと
き、前記依存性が最小であった。ＰW2の値は、比較例の
それに比べて、2.5 ｍＷ低かった。 ［実施例４］Ｔp 及びＰLTを、Ｔp ＝33nsec（＝Ｔ）、
ＰLT＝Ｐpre ＝3.5 ｍＷに固定し、ＴW2＝25.0nsec（＝
Ｔ×３／４）とした。
【００７０】このとき、ＰW2を式（１）から算出したと
ころ、ＰW2＝10.7ｍＷとなった。この条件で記録を行
い、再生レーザビーム強度Ｐr ＝1.5 ｍＷで再生し、
「マークの後エッジ位置の、記録データパターン依存
性」を測定したところ、前記依存性は小さく、データの
弁別性も良好であった。また、ＰW2のみを種々に変え
て、同様に記録・再生を試みたが、ＰW2が10.7ｍＷのと
き、前記依存性が最小であった。ＰW2の値は、比較例の
それに比べて、2.6 ｍＷ低かった。
ころ、ＰW2＝10.7ｍＷとなった。この条件で記録を行
い、再生レーザビーム強度Ｐr ＝1.5 ｍＷで再生し、
「マークの後エッジ位置の、記録データパターン依存
性」を測定したところ、前記依存性は小さく、データの
弁別性も良好であった。また、ＰW2のみを種々に変え
て、同様に記録・再生を試みたが、ＰW2が10.7ｍＷのと
き、前記依存性が最小であった。ＰW2の値は、比較例の
それに比べて、2.6 ｍＷ低かった。
【００７１】
【比較例】Ｔp 、ＰLT及びＴW2を、Ｔp ＝33nsec（＝
Ｔ）、ＰLT＝Ｐpre ＝3.5 ｍＷ、ＴW2＝16.5nsec（＝Ｔ
×１／２）に固定した。その後ＰW2を種々に変えて記録
を行い、再生レーザビーム強度Ｐr ＝1.5 ｍＷで再生し
て、「マークの後エッジ位置の、記録データパターン依
存性」を測定したところ、ＰW2＝13.3ｍＷのとき、前記
依存性が最小であった。この値は、［実施例３］に比べ
て2.5 ｍＷ、［実施例４］に比べて2.6 ｍＷ高かった。
Ｔ）、ＰLT＝Ｐpre ＝3.5 ｍＷ、ＴW2＝16.5nsec（＝Ｔ
×１／２）に固定した。その後ＰW2を種々に変えて記録
を行い、再生レーザビーム強度Ｐr ＝1.5 ｍＷで再生し
て、「マークの後エッジ位置の、記録データパターン依
存性」を測定したところ、ＰW2＝13.3ｍＷのとき、前記
依存性が最小であった。この値は、［実施例３］に比べ
て2.5 ｍＷ、［実施例４］に比べて2.6 ｍＷ高かった。
【００７２】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、光ディス
クに最適なパルストレイン条件が求められるので、これ
を使用して光記録した場合、どんな光ディスクでも常に
「マーク形成の終了位置、つまりマークの後エッジ位置
の、記録データパターン依存性」が最小となり、また、
最小とするＰW2の値を小さくできる。その結果、常に高
密度で記録でき、それでいてデータの弁別性の低下が常
に避けられる。
クに最適なパルストレイン条件が求められるので、これ
を使用して光記録した場合、どんな光ディスクでも常に
「マーク形成の終了位置、つまりマークの後エッジ位置
の、記録データパターン依存性」が最小となり、また、
最小とするＰW2の値を小さくできる。その結果、常に高
密度で記録でき、それでいてデータの弁別性の低下が常
に避けられる。
【図１】本発明の実施例にかかる光磁気記録装置の主要
な構成を示す概念図。
な構成を示す概念図。
【図２】実施例に使用した、２Ｔマーク〜８Ｔマークを
形成する場合のレーザビーム強度の波形図。
形成する場合のレーザビーム強度の波形図。
【図３】記録すべきデータ信号のパターン（波形）の一
例、そのときのレーザビームの発光及び消光を示すチャ
ート（光源へ入力する電力のチャート）、そのときのデ
ィスクの温度プロフィール（昇温プロフィール）及び形
成されるマークの関係を示す説明図。
例、そのときのレーザビームの発光及び消光を示すチャ
ート（光源へ入力する電力のチャート）、そのときのデ
ィスクの温度プロフィール（昇温プロフィール）及び形
成されるマークの関係を示す説明図。
【図４】温度が飽和に達するまでの所要時間（ｔsat ）
を示す温度プロフィールのグラフ。
を示す温度プロフィールのグラフ。
【図５】パルス時間長（P.D.T.）を説明する波形図。
【図６】Pth を縦軸、P.D.T.を横軸にデータをプロット
したグラフ。
したグラフ。
【図７】P0／Pth を縦軸、P.D.T.を横軸にデータをプロ
ットしたグラフ（ディスクの昇温プロフィールを表
す）。
ットしたグラフ（ディスクの昇温プロフィールを表
す）。
【図８】１−P0／Pth を縦軸、P.D.T.を横軸にデータを
プロットしたグラフ（ディスクの降温プロフィールを表
す）。
プロットしたグラフ（ディスクの降温プロフィールを表
す）。
【図９】熱遮断を用いて１つのマークを形成する場合の
レーザビーム強度の波形図。
レーザビーム強度の波形図。
【図１０】熱遮断を用い、かつパルストレイン方式で１
つのマークを形成する場合のレーザビーム強度の波形
図。
つのマークを形成する場合のレーザビーム強度の波形
図。
【図１１】従来の方式で１つのマークを形成する場合の
レーザビーム強度の波形図。
レーザビーム強度の波形図。
【図１２】パルストレイン方式で１つのマークを形成す
る場合のレーザビーム強度の波形図。
る場合のレーザビーム強度の波形図。
【図１３】規格書 ECMA ／TC31／92／36文書の第87頁に
記載された波形図。
記載された波形図。
【図１４】パルストレイン及び熱遮断方式でマークを形
成した場合の、各時刻のレーザビームのスポット中心の
温度又は各時刻のピーク温度のグラフ。
成した場合の、各時刻のレーザビームのスポット中心の
温度又は各時刻のピーク温度のグラフ。
１；光源駆動回路 ２；レーザビーム光源 ３；コリメータレンズ ４；ビームスプリッタ ５；対物レンズ ６；モータ（回転手段） ７；集光レンズ ８；アナライザ（偏光子） ９；ディテクタ １０；パルス波形整形回路 １１；記録磁界印加手段（永久磁石） １２；条件決定手段 Ｄ；記録媒体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−278036（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−150230（ＪＰ，Ａ) 井手浩、外７名、「高密度光磁気ディ スクにおける記録磁区形状の制御方 式」、光メモリシンポジウム’92、1992 年７月13日発行、ｐｐ．63−64 井手浩、外９名、「光磁気ディスクの 高密度マークエッジ記録制御方式の検 討」、1992年電子情報通信学会秋季大会 講演論文集、分冊５、1992年９月、ｐ. 21 戸田剛、外８名「光強度オーバーライ ト方式における記録パルス波形と記録− 消去特性」、1992年電子情報通信学会秋 季大会講演論文集、分冊５、1992年９ 月、ｐ．22 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 7/00 - 7/013 G11B 7/125
Claims (16)
- 【請求項１】光記録媒体に照射するレーザビーム強度
を、前記媒体面の温度がある一定温度となるプレヒート
状態を保つ強度ＰpreからＰpreより高い強度ＰW1へ立ち
上げ、ＰW1を時間ＴW1維持した後ＰW1より低い強度ＰLT
に立ち下げ、その後ＰLTとＰLTより高い強度ＰW2との間
で強度変調させて前記光記録媒体にマークを形成する光
記録方法であって、 前記各値を下記式（１）を満足する組合せとして求める
ことを特徴とする光記録方法。 (ＰW1-Ｐpre)×{１-exp(-ＴW1／τ)}×{１-exp(-Ｔp ／τ)} ＝(ＰLT-Ｐpre)×{１-exp(-Ｔp ／τ)}+(ＰW2-ＰLT)×{１-exp(-ＴW2／τ)} ・・・・・式（１） （τ；前記光記録媒体の熱時定数、ＴW2；ＰW2を維持す
る時間、Ｔp ；ＰLTとＰW2との間で強度変調させる際の
変調周期） - 【請求項２】光記録媒体に照射するレーザビーム強度
を、前記媒体面の温度がある一定温度となるプレヒート
状態を保つ強度ＰpreからＰpreより高い強度ＰW1へ立ち
上げ、ＰW1を時間ＴW1維持した後ＰW1より低い強度ＰLT
に立ち下げ、その後ＰLTとＰLTより高い強度ＰW2との間
で強度変調させて前記光記録媒体にマークを形成し、そ
の後Ｐpreより低い強度ＰLBに立ち下げ、時間Ｔoff後Ｐ
preに立ち上げる光記録方法であって、 前記各値を下記式（１）及び式（２）を満足する組合せ
として求めることを特徴とする光記録方法。 (ＰW1-Ｐpre)×{１-exp(-ＴW1／τ)}×{１-exp(-Ｔp ／τ)} ＝(ＰLT-Ｐpre)×{１-exp(-Ｔp ／τ)}+(ＰW2-ＰLT)×{１-exp(-ＴW2／τ)} ・・・・・式（１） Ｔoff＝τ×ln[{(ＰW1-ＰLB)-(ＰW1-Ｐpre)×exp(-ＴW1/τ)}÷(Ｐpre-ＰLB)] ・・・・・式（２） （τ；前記光記録媒体の熱時定数、ＴW2；ＰW2を維持す
る時間、Ｔp ；ＰLTとＰW2との間で強度変調させる際の
変調周期） - 【請求項３】前記強度ＰLTを、前記強度Ｐpreと等しく
したことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光
記録方法。 - 【請求項４】前記強度ＰLTを、前記強度Ｐpreより大き
くしたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の
光記録方法。 - 【請求項５】ＰLTとＰLTより高い強度ＰW2との間で強度
変調させる際の変調周期Ｔp を書き込みクロック周期Ｔ
と等しくしたことを特徴とする請求項１から請求項４の
いずれかに記載の光記録方法。 - 【請求項６】前記強度ＰW2を前記強度ＰW1と等しくした
ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記
載の光記録方法。 - 【請求項７】前記強度ＰW2を前記強度ＰW1より小さくし
たことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに
記載の光記録方法。 - 【請求項８】前記強度ＰLB をゼロとしたことを特徴と
する請求項１又は請求項２に記載の光記録方法。 - 【請求項９】光記録媒体に照射するレーザビーム強度
を、前記媒体面の温度がある一定温度となるプレヒート
状態を保つ強度ＰpreからＰpreより高い強度ＰW1へ立ち
上げ、ＰW1を時間ＴW1維持した後ＰW1より低い強度ＰLT
に立ち下げ、その後ＰLTとＰLTより高い強度ＰW2との間
で強度変調させて前記光記録媒体にマークを形成する光
記録方法の条件を決定する方法であって、 前記各値を下記式（１）を満足する組合せとして求める
ことを特徴とする光記録のパルストレイン条件決定方
法。 (ＰW1-Ｐpre)×{１-exp(-ＴW1／τ)}×{１-exp(-Ｔp ／τ)} ＝(ＰLT-Ｐpre)×{１-exp(-Ｔp ／τ)}+(ＰW2-ＰLT)×{１-exp(-ＴW2／τ)} ・・・・・式（１） （τ；前記光記録媒体の熱時定数、ＴW2；ＰW2を維持す
る時間、Ｔp ；ＰLTとＰW2との間で強度変調させる際の
変調周期） - 【請求項１０】光記録媒体に照射するレーザビーム強度
を、前記媒体面の温度がある一定温度となるプレヒート
状態を保つ強度ＰpreからＰpreより高い強度ＰW1へ立ち
上げ、ＰW1を時間ＴW1維持した後ＰW1より低い強度ＰLT
に立ち下げ、その後ＰLTとＰLTより高い強度ＰW2との間
で強度変調させて前記光記録媒体にマークを形成し、そ
の後Ｐpreより低い強度ＰLBに立ち下げ、時間Ｔoff後Ｐ
preに立ち上げる光記録方法の条件を決定する方法であ
って、 前記各値を下記式（１）及び式（２）を満足する組合せ
として求めることを特徴とする光記録のパルストレイン
条件決定方法。 (ＰW1-Ｐpre)×{１-exp(-ＴW1／τ)}×{１-exp(-Ｔp ／τ)} ＝(ＰLT-Ｐpre)×{１-exp(-Ｔp ／τ)}+(ＰW2-ＰLT)×{１-exp(-ＴW2／τ)} ・・・・・式（１） Ｔoff＝τ×ln[{(ＰW1-ＰLB)-(ＰW1-Ｐpre)×exp(-ＴW1/τ)}÷(Ｐpre-ＰLB)] ・・・・・式（２） （τ；前記光記録媒体の熱時定数、ＴW2；ＰW2を維持す
る時間、Ｔp ；ＰLTとＰW2との間で強度変調させる際の
変調周期） - 【請求項１１】前記強度ＰLTを、前記強度Ｐpreと等し
く設定することを特徴とする請求項９又は請求項１０に
記載の光記録のパルストレイン条件決定方法。 - 【請求項１２】前記強度ＰLTを、前記強度Ｐpreより大
きく設定することを特徴とする請求項９又は請求項１０
に記載の光記録のパルストレイン条件決定方法。 - 【請求項１３】ＰLTとＰLTより高い強度ＰW2との間で強
度変調させる際の変調周期Ｔp を書き込みクロック周期
Ｔと等しくしたことを特徴とする請求項９から請求項１
２のいずれかに記載の光記録のパルストレイン条件決定
方法。 - 【請求項１４】前記強度ＰW2を前記強度ＰW1と等しく設
定することを特徴とする請求項９から請求項１３のいず
れかに記載の光記録のパルストレイン条件決定方法。 - 【請求項１５】前記強度ＰW2を前記強度ＰW1より小さく
設定することを特徴とする請求項９から請求項１３のい
ずれかに記載の光記録のパルストレイン条件決定方法。 - 【請求項１６】前記強度ＰLB をゼロとしたことを特徴
とする請求項１０記載の光記録のパルストレイン条件決
定方法。
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-
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Non-Patent Citations (3)
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| 井手浩、外７名、「高密度光磁気ディスクにおける記録磁区形状の制御方式」、光メモリシンポジウム’９２、１９９２年７月１３日発行、ｐｐ．６３−６４ |
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| 戸田剛、外８名「光強度オーバーライト方式における記録パルス波形と記録−消去特性」、１９９２年電子情報通信学会秋季大会講演論文集、分冊５、１９９２年９月、ｐ．２２ |
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