JP2812636B2 - 光学的記録装置 - Google Patents

光学的記録装置

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    • G11B2220/20Disc-shaped record carriers

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、データ記録制御方式に
係り、特に、光記録媒体に照射されるレーザ光の強度を
最適にしてデータの記録を行なう光学的記録方式に関す
る。
【0002】
【従来の技術】一般に、光磁気デイスク装置や媒体の穴
あけによる追記型光デイスク装置などにおいては、光パ
ワーによる加熱によつてデータの記録を行なつている
が、光ヘツドのレンズの汚れや光デイスク媒体の環境温
度の変化、あるいは記録媒体の感度のばらつき等のた
め、一定の光パワーを使用するのでは記録動作が不十分
となることがあつた。
【0003】例えば光磁気デイスク装置において、光磁
気デイスク記録媒体面の温度変化により、温度が上ると
記録磁気ドメインが大きくなる傾向があるので、書き込
みレーザパワーを低くして磁気ドメインが広がらないよ
うにする必要がある。逆に、媒体の表面温度が低いとき
は記録磁気ドメインが狭くなる傾向があるので、書き込
みレーザパワーを高くする必要がある。また、光ヘツド
の対物レンズやデイスク面にごみが付着すると、光パワ
ーがデイスク面に到達しにくくなり、ドメインが狭くな
つたり欠落したりしてエラーが発生し易くなるので、光
パワーを上げてやる必要がある。同様な問題は、追記型
光デイスク装置でも生じ、温度が上ると加熱され過ぎて
穴が広がり、温度が下ると穴が狭くなつたり欠落したり
する。
【0004】しかし、温度変化があつても、媒体面の温
度を直接測ることは困難で、装置内に温度センサを設け
て検出温度に応じて書き込みレーザパワーを制御するこ
とも考えられるが、新しく光デイスクを装填した場合な
どには装置内温度と媒体表面温度が異なるため、媒体温
度変化に対応した適切なレーザパワー制御はできない。
【0005】そこで、従来、例えば特開平4−6743
6号公報に示されるように、本データを記録する前にデ
イスク媒体上の所定の領域に試し書きを行ない、この試
し書きを再生した結果に基づいて本データの記録時の光
パワーを最適にするレーザ駆動電流強度を設定する方法
が提案されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記特開平4−674
36号公報に示される従来技術では、デイスク装置が上
位装置から本データの書き込み命令を受け取る度に、こ
の本データの記録直前に試し書きを行なうため、上位装
置からの書き込み命令の処理時間が大きくなるといつた
問題がある。
【0007】データ記録時のレーザ駆動電流を設定する
ためには、試し書きデータの再生信号が必要なため、試
し書きは記録と再生の両動作が必要となる。光ヘツドが
1ビームの場合には、再生動作が記録動作の次の回転に
なるため、書き込み命令の処理時間は1回転分以上大き
くなる。さらに試し書きを行なう領域が光デイスク媒体
上のユーザエリアから離れたエリアに割り当てられてい
る場合には、光ヘツドの移動及び位置決め等のためさら
に処理時間の増大が著しい。光ヘツドが2ビームの場合
には、試し書き領域がユーザセクタ内にあれば、試し書
きによる処理時間の増大は発生しないが、ユーザセクタ
外にある場合にはやはり書き込み命令の処理時間は増大
する。
【0008】従つて、本発明の目的は、上記従来技術の
問題点を解決して、上位装置からの書き込み命令に対す
る処理時間を増大させずに試し書きを行なうことがで
き、また試し書きの実施回数を低減しても常に最適な記
録条件で記録を行なうことができる光学的記録方式を提
供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、光記録媒体に本データの記録を行なう前
に、この光記録媒体上の所定の領域に試し書きを行な
い、試し書きの再生信号に基づいて本データ記録時のレ
ーザ駆動電流を最適値に設定する光学的記録方式におい
て、前記試し書きを、上位装置からのデータ書き込み命
令とは非同期に任意の時間間隔で行なうように構成した
ものである。この場合、最初の試し書きは、光記録媒体
を光デイスク装置に装填したときに行なつて、この試し
書きデータの再生信号に基づいて後のユーザデータ記録
時のためのレーザ駆動電流を設定しておき、その後の試
し書きは、上記のように上位装置からのデータ書き込み
命令とは非同期に行なう。
【0010】また、前記試し書きを行なう時間間隔は、
前回の試し書きに基づくレーザ駆動電流の設定値と今回
の試し書きに基づくレーザ駆動電流の設定値との差が小
さい程次回の試し書きまでの時間が長くなるように決定
されたものである。
【0011】
【0012】
【作用】上記構成に基づく作用を説明する。
【0013】本発明によれば、上位装置からの書き込み
命令とは非同期に(独立して)、最初の光記録媒体装填
時や、上位装置からの命令を実行していない時に任意の
時間間隔で光記録媒体上の試し書き領域(所定領域)に
試し書きが行なわれ、その再生信号に基づいてユーザデ
ータ(本データ)記録時のためのレーザ駆動電流が最適
値に設定しておかれる。そして、上位装置からの書き込
み命令があると、既に設定されている最適値のレーザ駆
動電流によりユーザデータが書き込まれる。これによ
り、上位装置からの書き込み命令の度に試し書きを行な
う必要がなくなり、また、試し書きにより上位装置の処
理に影響を及ぼすこともなく、ユーザデータ記録処理時
間が増大するのを防止することができる。
【0014】また、試し書きによりレーザ駆動電流を設
定したときに、前回の試し書きで設定したレーザ駆動電
流と今回の試し書きで設定したレーザ駆動電流との差を
基に、次回の試し書きを行なうまでの時間間隔が決定さ
れる。これにより、レーザ駆動電流の差が小さいときは
次回の試し書きまでの時間が長くされ、差が大きいとき
は次の試し書きまでの時間が短くされる。従つて、光記
録媒体を光デイスク装置に装填した直後は、光記録媒体
の温度変化(温度上昇率)が大きく、試し書きの度にレ
ーザ駆動電流の設定値が変るので、試し書きの時間間隔
は短く決定される。装填してからの時間が経過するにつ
れて光記録媒体の温度変化(温度上昇率)が小さくなる
とレーザ駆動電流の設定値も変化が小さくなり、試し書
きの時間間隔が長くなるので、試し書きの回数は少なく
て済む。
【0015】
【0016】
【実施例】以下に、本発明の一実施例を図面を用いて説
明する。
【0017】図3ないし図5は、本発明の原理を示すも
のである。
【0018】図3は、本発明を光磁気デイスク装置に適
用した場合の実施例に用いる光デイスクシステムの一構
成例を示しており、光デイスク駆動装置3は光デイスク
媒体4を搭載しており、光デイスク媒体4に対するデー
タの書き込み,読み出し,消去等の動作を行なう。CP
U(中央処理装置)1は光デイスク装置の上位装置であ
る。光デイスク制御装置2は上位装置であるCPU1か
ら命令を受け取り、光デイスク制御装置2は上位装置で
あるCPU1から命令を受け取り、光デイスク駆動装置
3の制御を行なう。
【0019】図4は、光デイスク媒体4上のトラツクフ
オーマツト例を示しており、スパイラル状のトラツクを
備えているが、これは同心円状に形成されることもあ
る。各トラツクはそれぞれ固有のアドレスを持つ複数の
セクタに分割されている。図4では各トラツクのセクタ
数は内周・外周共に同じであるが、外周へ行くに従いト
ラツク当たりのセクタ数が増加するトラツクフオーマツ
トでもよい。
【0020】図5は、光デイスク媒体4上のデータエリ
アの割当て例を示しており、データエリアは、ユーザエ
リア41と試し書きエリア42からなる。本実施例で
は、試し書きエリア42は複数カ所割当てられており、
各試し書きエリアは1〜2回転分のトラツクからなつて
いる。
【0021】以上のような光デイスクシステムにおい
て、本発明の実施例を図1に示すフローチヤートで詳細
に説明する。
【0022】最初に、光デイスク媒体4が光デイスク駆
動装置3に装填された時の動作を説明する。光デイスク
制御装置2は、光デイスク媒体4が光デイスク駆動装置
3に装填されたことを認識すると(ステツプ51)、試
し書きエリア42へヘツドの位置付けを行ない(ステツ
プ53)、その後試し書き処理すなわちテストデータの
書き込み及び再生を行なう(ステツプ54)。次いで試
し書き後の再生信号に基づき、ユーザデータ記録時のレ
ーザ駆動電流を設定する(ステツプ55)。そして、媒
体装填による試し書き処理であるかどうかチエツクし
(ステツプ56)、媒体装填による試し書きであるた
め、次の試し書きまでのタイマ値を設定して(ステツプ
58)終了する。この場合の次の試し書きまでのタイマ
値は、例えば、光デイスク媒体4が光デイスク駆動装置
3に装填された後の光デイスク媒体4の時間に対する温
度変化の最大傾斜に基づいて、温度変化が十分小さい範
囲内で決定する。
【0023】試し書きエリア42へヘツドを位置付け
(ステツプ53)、試し書きを行ない(ステツプ5
4)、レーザ駆動電流を設定する(ステツプ55)処理
は、光デイスク媒体4の内周/外周でレーザ駆動電流が
異なる場合は(外周へ行く程媒体周速度が高くなり、1
セクタの通過時間が短くなる場合、外周へ行く程レーザ
駆動電流を強くする必要がある)、光デイスク媒体4上
に設けられた複数の試し書きエリア42で行ない、それ
ぞれのエリアでユーザデータ記録時のレーザ駆動電流を
覚えておき、ユーザデータ記録時に記録するエリアに対
応したレーザ駆動電流を設定して記録を行なうようにす
る。また、光デイスク媒体4上のエリアによるレーザ駆
動電流の差が内周から外周に対してほぼ一定であるなら
ば、最内周と最外周の試し書きエリア42についてのみ
試し書きを行ない、他のエリアに対しても最内周と最外
周でのレーザ駆動電流を基に設定することも可能であ
る。
【0024】次に、通常状態でのタイマによる時間経過
による試し書きの動作を説明する。光デイスク制御装置
2は、試し書きタイマによる試し書き要求を認識すると
(ステツプ52)、試し書きエリア42へヘツドの位置
付けを行ない(ステツプ53)、その後試し書き処理を
行なう(ステツプ54)。次いで試し書き後の再生信号
に基づき、ユーザデータ記録時のレーザ駆動電流を設定
する(ステツプ55)。そして、媒体装填による試し書
き処理であるかどうかチエツクし(ステツプ56)、そ
うでないため、試し書き実施前に設定されていたレーザ
駆動電流と試し書き実施結果により新たに設定する最適
のレーザ駆動電流との差を算出し、この差に基づいて次
の試し書きまでのタイマ値を設定して(ステツプ57)
終了する。この場合の次の試し書きまでのタイマ値は、
レーザ駆動電流の差が小さいほど大きくし、レーザ駆動
電流の差が大きいほど小さくなるように設定する。例え
ば、レーザ駆動電流の差ΔPが“0”ならばTmax、ま
た媒体挿入直後はTmin、その他の場合は(Tmin+定数
A/|ΔP|)でタイマ値を決定する。
【0025】この場合の試し書きについても、光デイス
ク媒体4のエリアによつてレーザ駆動電流が異なる場合
は、複数の試し書きエリア42で行ない、それぞれのエ
リアでレーザ駆動電流を覚えておく。また、1個所の試
し書きエリアでのレーザ駆動電流の設定値の変化量を基
に、他のエリアのレーザ駆動電流の校正ができるなら
ば、1個所の試し書きエリアについてのみ試し書きを行
なつてもよい。この1個所のみ試し書きを行なう場合に
は、試し書き要求発生時にヘツドが位置付いているトラ
ツクから最も近い試し書きエリアで行なえばよい。
【0026】通常状態での試し書きタイマによる試し書
き処理は、CPU1からの命令とは無関係に実施するた
め、試し書き処理中にCPU1から命令を受け取る場合
がある。この場合には、試し書き処理を中断してCPU
1からの命令を実行し、命令終了後に試し書きを再実行
してもよいし、試し書き処理終了後にCPU1から命令
を実行してもよい。あるいは、CPU1からの命令が書
き込み処理の場合に限つて試し書き処理終了後にCPU
1からの命令を実行し、書き込み処理以外の命令の場合
には、試し書き処理を中断してCPU1からの命令を実
行しその後試し書きを再実行するようにしてもよい。
【0027】ここで、書き込みレーザパワーの最適値の
求め方について説明する。テスト信号として1セクタ期
間に高密度パルスの部分と低密度パルスの部分とを有す
る信号で変調された書き込みレーザ光を用い、このレー
ザ光のパワーをセクタ毎に徐々に上昇して行く。次いで
これを再生して、高密度パルスの再生信号と低密度パル
スの再生信号のレベル差を求め、このレベル差が最も小
さくなるときの書き込みレーザパワーを最適値と判定す
るものである。このようにすれば、如何なる記録密度の
データに対しても一定の再生波形が得られる。
【0028】次に、書き込み動作の実施例を図2に示す
フローチヤートで詳細に説明する。
【0029】光デイスク制御装置2は、CPU1から書
き込み命令を受け取ると、ヘツドの位置付けを行ない
(ステツプ61)、その後書き込みデータを受信しデー
タの書き込み及び読み出しチエツクを行なう(ステツプ
62)。その後記録不良ブロツクを検出したかどうかを
チエツクし(ステツプ63)、記録不良ブロツクがなけ
れば終了する。記録不良ブロツクがあれば試し書き処理
を実施すべきかどうか判定し(ステツプ64)、試し書
き処理不要と判定すれば、記録不良ブロツクに対して交
替ブロツクの割り当て処理を行ない(ステツプ70)、
終了する。試し書き処理必要と判定すれば試し書きエリ
アへヘツドの位置付けを行ない(ステツプ65)、試し
書き処理を行なつた後レーザ駆動電流を設定する(ステ
ツプ66)。その後、記録不良ブロツクへヘツドを再位
置付けし(ステツプ67)、記録不良ブロツクへデータ
の再書き込み及び読み出しチエツクを行なう(ステツプ
68)。その後記録不良ブロツクを検出したかどうかを
チエツクし(ステツプ69)、記録不良ブロツクがなけ
れば終了する。記録不良ブロツクがあれば、記録不良ブ
ロツクに対して交替ブロツクの割り当て処理を行ない
(ステツプ70)、終了する。
【0030】試し書き処理を実施すべきかどうかの判定
(ステツプ65)は、記録不良ブロツクの数で行なつて
もよいし、記録不良ブロツクの発生率で行なつてもよ
い。つまり、記録不良ブロツク数が多くなつたときに
は、大幅な温度変化があつたため、レーザ駆動電流の最
適値が設定値から大幅にずれたものと判定し、設定し直
しをするものである。また、書き込み後の読み出しチエ
ツクにおいて、記録したビツトのシフト量が検出可能な
らば、それに基づいて行なつてもよい。
【0031】図2による処理は、図1による処理とは独
立して(無関係に)、かつ並用して行なうことができ
る。
【0032】図6は、上述した記録制御方式を実現する
ための装置の1例として、光デイスク装置の概略的構成
を示すブロツク図である。
【0033】図5において、21はチヤネル装置やホス
ト・コンピユータ等の上位装置1との間での信号授受を
制御するインタフエース・コントローラ、22は上位装
置からの命令に応じた動作や、既に説明した試し書き動
作を実現すべく制御装置を所定の手順で動作させるマイ
クロ・プロセツサ、23は前記マイクロ・プロセツサ2
2による制御動作を規定するマイクロ命令を格納するた
めのメモリ、24はバツフアメモリ27から取り出され
た情報を変調して光/磁気ヘツド回路29に出力する書
き込み回路、25は光デイスク上に記録された情報を消
去するための磁界制御回路、26は光/磁気ヘツド回路
29からの出力信号を復調し、バツフアメモリ27へ格
納するための読み取り回路を示す。なお、28はバツフ
アメモリ27の入出力バスを選択するためのセレクタで
あり、マイクロ・プロセツサ22から与えられるマイク
ロ命令30に応じて、インタフエース・バス33、プロ
セツサ・バス32、およびリード/ライト回路バス31
を選択的にバツフアメモリ27に接続する。
【0034】本実施例によれば、上位装置からの書き込
み命令とは非同期に試し書きを実施し、試し書きの度に
ユーザデータ記録時のレーザ駆動電流を最適値にしてお
くことができるため、上位装置からの書き込み命令の度
に試し書きを行なう必要がなく、ユーザデータ記録処理
時間の増大を防止することができる。この効果は、試し
書きエリアがユーザエリアとは別のエリアに設けられて
いる場合や光ヘツドが1ビームの場合には著しいものと
なる。
【0035】また、試し書き実施の時間間隔は、試し書
き実施によるレーザ駆動電流の設定値の差により決定さ
れるため、媒体環境温度の変化がほとんど無くなる定常
状態では、試し書き実施間隔が長くなり試し書き実施回
数が低減されることになる。これによつて、上位装置か
らの命令とのぶつかり頻度を低減するという効果や、試
し書きエリアの寿命を長くするという効果が得られる。
【0036】また、試し書きエリアを媒体上に複数個配
置しているため、1個所の試し書きエリアに対する試し
書き結果で媒体全面のレーザ駆動電流を算出できる場合
は、ヘツドが位置付いている最も近い試し書きエリアの
み試し書きを行なえばよいので、試し書きのための位置
付け時間を短縮できるという効果が得られる。
【0037】また、上位装置からの書き込み命令に対し
記録不良ブロツクを検出した時に試し書きを行なうこと
により、試し書きと試し書きの間で急激な媒体環境温度
変化があり、前回のレーザ駆動電流が最適なレーザ駆動
電流からずれていたとしても、レーザ駆動電流を最適値
に設定し直して再書き込みができる。これによつて、書
き込み時の記録不良ブロツクに対する交替ブロツクの割
り当て数を低減する効果が得られる。
【0038】本発明は、光磁気デイスク装置や追記型光
デイスク装置等の光記録再生装置に適用できる。
【0039】
【発明の効果】以上詳しく説明したように、本発明の光
学的記録方式によれば、上位装置からの書き込み命令と
は非同期に任意の時間間隔で試し書きを実施し、その都
度ユーザデータ記録時のレーザ駆動電流の最適値を算出
しておくため、上位装置からの書き込み命令の度に試し
書きを行なう必要はなく、上位装置からの書き込み命令
の処理時間を増大させることなく常に好適な書き込みレ
ーザ強度でもつて記録動作を行なうことができるという
効果が得られる。
【0040】また、次回の試し書き実施までの時間間隔
を前回の試し書きに基づくレーザ駆動電流の設定値と今
回の試し書きに基づくレーザ駆動電流の設定値との差に
より決定するため、媒体環境温度の変化が大きいときに
は試し書きの時間間隔が短くなり、媒体環境温度の変化
がほとんど無くなる定常状態では、試し書きの時間間隔
が長くなる。従つて、定常状態では試し書きの実施回数
が低減されることになり、上位装置からの命令と試し書
きのぶつかり頻度が小さくなることや試し書きエリアの
寿命を長くするという効果も得られる。
【0041】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例による試し書き動作を示すフ
ローチヤートである。
【図2】本発明の一実施例による書き込み動作を示すフ
ローチヤートである。
【図3】本発明が適用される光デイスクシステムの構成
図である。
【図4】記録媒体のトラツクフオーマツト例を示す図で
ある。
【図5】記録媒体のトラツク割り当ての一例を示す図で
ある。
【図6】本発明が適用される光デイスク装置の一実施例
のブロツク図である。
【符号の説明】
1 CPU 2 光デイスク制御装置 3 光デイスク駆動装置 4 光デイスク媒体 41 ユーザエリア 42 試し書きエリア
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G11B 7/00 G11B 7/125

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光記録媒体に本データの記録を行う前
    に、前記光記録媒体上の所定の領域に試し書きを行い、
    前記試し書きの再生信号に基づいて本データ記録時のレ
    ーザ駆動電流を最適値に設定する光学的記録装置であっ
    て、 前記試し書きは、上位装置からの本データの書き込み命
    令とは非同期に所定の時間間隔で行い、 前記所定の時間間隔は、前回の試し書きに基づくレーザ
    駆動電流の設定値と今回の試し書きに基づくレーザ駆動
    電流の設定値の差が小さいほど、次回の試し書きまでの
    時間が長くなるように決定されることを特徴とする光学
    的記録装置。
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