JP3763974B2 - 記憶装置及び記録媒体 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は記憶装置に係り、特に、不良セクタ発生した場合に情報を交代エリアに移動させる記憶装置に関する。
光磁気記録媒体や相変化記録媒体を用いたディスクドライブでは、記録媒体の回転を角速度一定で回転させて記録再生を行う、いわゆる、ＣＡＶ方式が適用されている。
【０００２】
しかし、近年、高密度化のため記録媒体を半径方向に複数のゾーンに分割し、内周側のゾーンと外周側のゾーンとで角速度を異ならせた、いわゆる、ＺＣＶＡ方式が採用されている。
ＣＡＶ方式は物理トラックのセクタ数を全半径位置に対して固定するため、内周側から外周側に向かうにつれて円周方向の密度が低くなる。これに対し、ＺＣＡＶ方式は半径方向でゾーンを分割するため、円周方向の密度を内外周で、ある程度一定にすることが可能であり、高密度化が可能となる。ＺＣＶＡ方式によって、高密度化することによって情報の欠陥に対して効率よく対処する必要がでてきた。
【０００３】
【従来の技術】
情報の欠陥に対する対処方法として、ＭＯドライブなどでは、交代処理が用いられている。
図１は従来の一例の交代処理の処理フローチャート、図２は従来の一例の交代処理の動作説明図を示す。
【０００４】
所定のゾーンＺN 内のセクタに情報をライト中にエラーが発生すると（ステップＳ１−１）、まず、情報をライトしようとするゾーンＺN に設定された交代エリアＡN に空きがあるか否かを判断する（ステップＳ１−２）。
ステップＳ１−２で、情報をライトしようとするゾーンＺN に設定された交代エリアＡN に空きがあれば、ゾーンＺN に設定された交代エリアＡN に情報をライトする、いわゆる、交代処理を行う（ステップＳ１−３）。
【０００５】
一方、ＺＣＡＶ方式では、外周側では円周方向の密度が高くなり、記録時のレーザパワーや磁界に対するマージンが狭くなっているため、装置のばらつきによる固有的なマージン不足によって外周側でエラーが発生し、交代処理が発生した場合、当該ゾーンにていくら交代処理を行っても正しく処理が行えない場合がある。
【０００６】
しかし、現在、不良セクタは交代処理が必要となるエラーが発生したセクタの存在する当該ゾーン内の交代エリアでアサインし、当該ゾーンの交代エリアが交代処理によって全て使用されており、使用不可の場合は近接ゾーン内の交代エリアから使用していく処理方法が一般的である。
また、特開平９−８２０３６号、特開平４−３３６７号に示されるように、所定ゾーンに設けられた交代エリアが全て登録済になると、他のゾーンの交代エリアに登録するようにしていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかるに、従来のこの種の記憶装置では、当該ゾーンにエラーが発生した場合には当該ゾーンの交代エリアに情報を交代し、当該ゾーンの交代エリアが全て使い果たされると、他のゾーンの交代エリアに情報を交代していた。このため、元々不良セクタの発生する可能性の高いゾーン内の交代エリアに交代処理を行うため、再び交代処理が行われる可能性が高いので、当該ゾーンの交代エリアを使い切ってしまうことがある。当該ゾーンの交代エリアを使い切ってしまうと、近傍のゾーン内の交代エリアへ交代処理を行い、交代処理が終了する。
【０００８】
したがって、このような場合、交代エリアでもエラーが発生する確率が高いので交代エリアで交代が起こり、交代処理に時間がかかり、ＯＳに設定されたアクセス時のタイムアウト時間により処理が停止してしまう等の問題点があった。
また、交代処理回数が多くなり、媒体上の不良セクタが急増するなどの問題点があった。
【０００９】
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、迅速に記憶情報を記憶できる記憶装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１は、複数のゾーンに分割された記録媒体の各ゾーンに交代エリアを設ける。所定のゾーンに情報を記憶する際に、所定のゾーンの不良セクタを検出し、検出された不良セクタが所定数となると所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶する。
【００１１】
請求項１によれば、不良セクタが所定数、発生すると、不良セクタが発生しやすいゾーンであると判断して、他のゾーンの交代エリアに情報を記憶するので、不良の発生しやすい、ゾーンの交代エリアで交代処理が繰り返されるのを防止して、無駄な交代処理を行うことなく、短い時間で、確実に情報を記憶できる。
請求項２は、請求項１において、所定のゾーンの交代エリアの不良セクタを検出し、検出された不良セクタが所定数のときに、所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶する。
【００１２】
請求項２によれば、情報を交代すべき先の交代エリアに所定数の不良セクタが発生したときに、不良が発生しやすいゾーンであると判断して、他のゾーンの交代エリアに情報を記憶するので、不良の発生しやすい、ゾーンの交代エリアで交代処理が繰り返されるのを防止して、無駄な交代処理を行うことなく、短い時間で、確実に情報を記憶できる。
【００１３】
請求項３は、記録媒体の初期化時に所定のゾーンに所定数の不良セクタを検出したときに、所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶する。
請求項３によれば、記録媒体の初期化時に所定のゾーンに所定数の不良セクタを検出したときに、所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶することにより、他のゾーンの交代エリアに情報を記憶するので、不良の発生しやすい、ゾーンの交代エリアで交代処理が繰り返されるのを防止して、無駄な交代処理を行うことなく、短い時間で、確実に情報を記憶できる。
【００１４】
請求項４は、トラック当たりの不良セクタを検出したときに、所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶する。
請求項４によれば、トラック当たりの不良セクタを検出したときに、所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶することにより、不良の発生しやすい、ゾーンの交代エリアで交代処理が繰り返されるのを防止して、無駄な交代処理を行うことなく、短い時間で、確実に情報を記憶できる。
【００１５】
請求項５は、記録媒体への１回のアクセスにおいて所定数の不良セクタが検出されたときに、アクセスすべき所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶する。
請求項５によれば、記録媒体への１回のアクセスにおいて所定数の不良セクタが検出されたときに、アクセスすべき所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶することにより、不良の発生しやすい、ゾーンの交代エリアで交代処理が繰り返されるのを防止して、無駄な交代処理を行うことなく、短い時間で、確実に情報を記憶できる。
【００１６】
請求項６は、記録媒体の交代エリアにおける不良セクタを検出し、交代エリアの不良セクタが所定数のときに、アクセスすべき所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶する。
請求項６によれば、交代エリアの不良セクタが所定数のときにアクセスすべき所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに交代することにより、不良の発生しやすい、ゾーンの交代エリアで交代処理が繰り返されるのを防止して、無駄な交代処理を行うことなく、短い時間で、確実に情報を記憶できる。
【００１７】
請求項７は、請求項１乃至６において、媒体の種類に応じて所定数を設定する。
請求項７によれば、記録媒体の種類に応じて不良の発生しやすさを判断して、不良の発生しやすさに応じて交代エリアを他のゾーンに切り換える所定数を設定することにより、記録媒体の種類毎に最適な交代制御を行える。
【００１８】
請求項８は、温度に応じて所定数を設定する。
請求項８によれば、温度に応じて不良の発生しやすさを判断して、不良の発生しやすさに応じて交代エリアを他のゾーンに切り換える所定数を設定することにより、温度に応じて最適な交代制御を行える。
請求項９は、情報記憶制御手段で所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶する所定数を外部から指示により設定可能とする。
【００１９】
請求項９によれば、他のゾーンに交代を行うまでの数を設定する回数を外部から設定可能とすることにより、使用状況に応じて所定回数の設定が行え、最適な交代制御を行える。
【００２０】
【発明の実施の形態】
図３は本発明の第１実施例のブロック構成図を示す。
本実施例の光磁気ディスク装置１００は、主にコントロールユニット１１０及びエンクロージャ１１１から構成される。
コントロールユニット１１０は、エンクロージャ１１１の各部に接続され、記録再生のための各種信号処理を行う。エンクロージャ１１１は、記録媒体が挿入され、記録媒体への情報の記憶を行う。
【００２１】
コントロールユニット１１０は、ＭＰＵ１１２、光ディスクコントローラ１１３、ＤＳＰ１１４、上位インタフェース１１５、バッファメモリ１１６、ライトＬＳＩ回路１１７、リードＬＳＩ回路１１８、ドライバ１１９〜１２３、フォーカスエラー信号検出回路１２４、トラッキングエラー信号検出回路１２５、トラックゼロクロス検出回路１２６から構成される。また、エンクロージャ１１１は、レーザダイオードユニット１２７、ＩＤ／ＭＯ用ディテクタ１２８、ヘッドアンプ１２９、温度センサ１３０、スピンドルモータ１３１、磁場印加部１３２、フォーカスサーボ用ディテクタ１３３、トラッキングサーボ用ディテクタ１３４、レンズ位置センサ１３５、フォーカスアクチュエータ１３６、レンズアクチュエータ１３７、ＶＣＭ１３８から構成される。
【００２２】
ＭＰＵ１１２は、プログラム領域１１２ａを有し、プログラム領域１１２ａに記憶されたプログラムにより光ディスクドライブ全体の制御を行う。光ディスクコントローラ１１３は、フォーマッタ１１３ａ及びエラーチェックコード処理部１１３ｂを有する。
フォーマッタ１１３ａは、ライトアクセス時にＮＲＺライトデータを媒体のセクタ単位に分割して記録フォーマットを生成する。ＥＣＣ処理部１１３ｂは、セクタライトデータ単位にＥＣＣコードを生成して、付加し、さらに必要ならばＣＲＣコードを生成して付加する。光ディスクコントローラ１１４は、ＥＣＣエンコードの済んだセクタデータを例えば１−７ＲＬＬ符号に変換し、ライトＬＳＩ回路１１７に供給する。
【００２３】
光ディスクコントローラ１１３は、リードアクセス時には、リードＬＳＩ回路１１８で復調されたセクタリードデータを１−７ＲＬＬ符号から逆変換する。ＥＣＣ処理ユニット１１３ｂは、セクタリードデータをＣＲＣチェックした後にエラー検出訂正する。フォーマッタ１１３ａは、セクタ単位のＮＲＺデータを連結してＮＲＺリードデータのストリームとして、バッファメモリ１１６に記憶する。
【００２４】
ＤＳＰ１１４は、ＭＰＵ１１２、光ディスクコントローラ１１３、上位インタフェース１１５とドライバ、検出手段との間に接続され、各種信号処理を行う。
上位インタフェース１１５は、上位装置との間でデータのやり取りを行う。
バッファメモリ１１６は、ライトデータ、リードデータを一時記憶する。
ライトＬＳＩ回路１１７は、ライト変調部１１７ａ及びＬＤ制御回路１１７ｂを有する。ライト変調部１１７ａは、光ディスクコントローラ１１３から供給されるライトデータをＰＰＭ記録又はＰＷＭ記録のデータ形式に変換する。
【００２５】
リードＬＳＩ回路１１８は、リード復調部１１８ａ及び周波数シンセサイザ１１８ｂを有する。リード復調部１１８ａは、ライトデータをＰＰＭ記録又はＰＷＭ記録のデータ形式に変換する。周波数シンセサイザ１１８ｂは、ＭＰＵ１１２からの指示に応じてライトデータのゾーンに対応した周波数のクロックを発生し、リード復調部１１８ａに供給する。リード復調部１１８ａは、周波数シンセサイザ１１８ｂから供給されるクロックに応じて復調を行う。
【００２６】
ドライバ１１９は、ＤＳＰ１１４からの駆動データに応じて記録媒体を回転させるための駆動信号を生成し、エンクロージャ１１１に設けられたスピンドルモータ１３１に供給する。ドライバ１２０は、ＤＳＰ１１４からの磁場印加データに応じて駆動信号を生成し、磁場印加部１３２に供給する。ドライバ１２１は、ＤＳＰ１１４から供給されるフォーカス駆動データに応じてフォーカス駆動用信号を生成し、エンクロージャ１１１に設けられたフォーカスアクチュエータ１３６に供給する。ドライバ１２２は、ＤＳＰ１１４から供給されるレンズ駆動データに応じてレンズ駆動用信号を生成し、エンクロージャ１１１に設けられたレンズアクチュエータ１３７に供給する。ドライバ１２３は、ＤＳＰ１１４から供給されるＶＣＭ駆動データに応じてＶＣＭ駆動用信号を生成し、エンクロージャ１１１に設けられたＶＣＭ１３８に供給する。
【００２７】
ＦＥＳ検出回路１２４は、エンクロージャ１１１のＦＥＳ検出用ディテクタ１３２に接続され、ＦＥＳ検出用ディテクタ１３３で検出されたフォーカスエラー検出信号をＤＳＰ１１４に供給する。ＴＥＳ検出回路１２５は、エンクロージャ１１１のＴＥＳ検出用ディテクタ１３４に接続され、ＴＥＳ検出用ディテクタ１３４で検出されたトラッキングエラー検出信号をＤＳＰ１１４及びＴＺＣ検出回路１２６に供給する。ＴＺＣ検出回路１２６は、ＴＥＳ検出回路１２５の検出信号に応じてゼロクロス信号を検出し、ＤＳＰ１１４に供給する。
【００２８】
エンクロージャ１１１は、レーザダイオードユニット１２７、ＩＤ／ＭＯ用ディテクタ１２８、ヘッドアンプ１２９、温度センサ１３０、スピンドルモータ１３１、磁場印加部１３２、ＦＥＳ用ディテクタ１３３、ＴＥＳ用ディテクタ１３４、レンズ位置センサ１３５、フォーカスアクチュエータ１３６、レンズアクチュエータ１３７、ＶＣＭ１３８から構成される。
【００２９】
レーザダイオードユニット１２７は、レーザダイオード１２７ａ及びモニタＰＤ（フォトディテクタ）１２７ｂを有する。レーザダイオード１２７ａは、ライトＬＳＩ回路１１７から供給される書込信号に応じたレーザ光を記録媒体に照射する。モニタＰＤ１２７ｂは、レーザダイオード１２７ａから出力されたレーザ光の強度を検出し、ライトＬＳＩ回路１１７に供給する。ライトＬＳＩ回路１１７は、モニタＰＤ１２７ｂで検出されたレーザ光量に応じて書込信号を制御する。
【００３０】
ＩＤ／ＭＯ用ディテクタ１２８は、レーザダイオード１２７ａから出射されたレーザ光の記録媒体からの反射光を検出する。ＩＤ／ＭＯ用ディテクタ１２８で検出された検出信号は、ヘッドアンプ１２９に供給される。
ヘッドアンプ１２９は、ＩＤ／ＭＯ用ディテクタ１２８で検出されたＭＯ／ＩＤ検出信号を増幅して、リードＬＳＩ回路１１８に供給する。
【００３１】
温度センサ１３０は、記録媒体の周囲温度を検出し、ＤＳＰ１１４に供給する。スピンドルモータ１３１は、記録媒体の中心孔に係合し、記録媒体を回転する。磁場印加部１３２は、記録媒体に記録用のバイアス磁界を印加する。
ＦＥＳ用ディテクタ１３３は、レーザダイオード１２７ａから記録媒体に照射されたレーザ光の反射光からレーザ光のフォーカスエラー信号を検出し、コントロールユニット１１０に設けられたＦＥＳ検出回路１２４に供給する。ＴＥＳ用ディテクタ１３４は、レーザダイオード１２７ａから記録媒体に照射されたレーザ光の反射光からレーザ光のトラッキングエラー信号を検出し、コントロールユニット１１０に設けられたＴＥＳ検出回路１２５に供給する。
【００３２】
レンズ位置センサ１３５は、レーザ光を記録媒体に出射するときにレーザ光を集光するレンズの位置に応じたレンズ位置信号を検出し、ＤＳＰ１１４に供給する。
フォーカスアクチュエータ１３６は、ドライバ１２１からのフォーカス駆動信号に応じてレンズ位置をレーザ光が記録媒体上で合焦するように制御する。レンズアクチュエータ１３７は、ドライバ１２２からトラッキング制御信号が供給され、供給されたトラッキング制御信号に応じてレンズ位置をレーザ光が記録媒体上の所望のトラックを走査するように制御する。
【００３３】
ＶＣＭ１３８は、レーザ光の記録媒体への照射位置及び磁場の印加位置を記録媒体の半径方向に移動する。
図４は本発明の第１実施例の機能ブロック図を示す。
光ディスクドライブ１００と上位装置２００とはＳＣＳＩインタフェース３００を介して接続されている。
【００３４】
光ディスクドライブ１００は、大まかにコマンド処理部１３９、交代処理部１４０、媒体アクセス部１４１、ディスク管理部１４２から構成される。上記機能は、例えば、ＭＰＵ１１２のプログラム領域１１２ａに格納されたプログラムにより処理を行う。
コマンド処理部１３９は、図３のハード構成の上位インタフェース１１５及び光ディスクコントローラ１１３で実現される。また、交代処理部１４０は、光ディスクコントローラ１１３及び他の回路で実現される。媒体アクセス部１４１は、コントロールユニット１１０の各回路及びエンクロージャ１１１により実現される。
【００３５】
ディスク管理部１４２は、ＭＰＵ１１２及びＭＰＵ１１２を動作させるプログラム１１２ａにより実現される。
コマンド処理部１３９は、ＳＣＳＩインタフェース３００を介して上位装置２００からコマンドを受信する。コマンド処理部１３９は、受信したコマンドに応じて媒体アクセス部１４１を制御する。媒体アクセス部１４１は、コマンド処理部１３９により光ディスクドライブ１００に挿入された光ディスクカートリッジ４００に内蔵された光ディスク４０１へのアクセス処理を行う。
【００３６】
交代処理部１４０は、コマンド処理部１３９からコマンドが供給され、コマンドが実行されたときに、欠陥セクタを検出した場合、ディスク管理部１４２で管理された欠陥管理情報に基づいて欠陥セクタの交代処理を行う。
ディスク管理部１４２は、光ディスク４０１に記録された管理情報から作成される。
【００３７】
ここで、光ディスク４０１のデータ構造について説明する。
図５は本発明の第１実施例の光ディスクのデータ構成図を示す。
図５において、ディスクレイアウトは、光ディスク４０１の論理トラック番号で示される。１論理トラックは１７セクタで構成される。また、１セクタは２０４８バイトで構成される。
【００３８】
光ディスク４０１は、ゾーンＣＡＶ方式で記録再生される。ディスクレイアウトは、アウタ側からリードインゾーン４０２、欠陥管理領域４０３、ユーザゾーン４０４、欠陥管理領域４０５、テストトラックを含むバッファゾーン４０６、バッファゾーン４０７、インナコントロールゾーン４０８、及び、バッファゾーン４０９で構成される。
【００３９】
このうち、アウタ側の欠陥管理領域４０３からインナ側のバッファゾーン４０６までがデータゾーンであり、それ以外がシステムゾーンとなる。
ユーザゾーン４０４に対するアウタ側の欠陥領域４０３には第１欠陥管理領域（ＤＭＡ１）４１１と第２欠陥管理領域（ＤＭＡ２）４１２が設けられ、一方、インナ側の欠陥管理領域４０５には第３欠陥領域（ＤＭＡ３）４１３と第４欠陥管理領域（ＤＭＡ３）４１４が設けられる。
【００４０】
この第１欠陥管理領域４１１、第２欠陥管理領域４１２、第３欠陥管理領域４１３及び第４欠陥管理領域４１４は、開始位置及び終了位置が定められている。
図６は本発明の第１実施例の欠陥管理領域のデータ構成図を示す。
第１欠陥管理領域４１１、第２欠陥管理領域４１２、第３欠陥管理領域４１３及び第４欠陥管理領域４１４は、図６に示すように欠陥領域のトラック番号及びセクタ番号で指定される開始位置及びトラック番号及びセクタ番号で指定される終了位置が定められている。
【００４１】
また、第１欠陥管理領域４１１から第４欠陥管理領域４１４のそれぞれには同一内容が記録される。
再び、図５に戻って説明を続ける。
第１欠陥領域４１１は、ディスク定義構造（ＤＤＳ）４２１、１次欠陥リスト（ＰＤＬ）４２２及び２次欠陥リスト（ＳＤＬ）４２３で構成される。このような第１欠陥管理領域４１１の内容は、残りの第２欠陥管理領域４１２、第３欠陥管理領域４１３及び第４欠陥管理領域４１４についても同様である。
【００４２】
ディスク定義構造４２１は、予め定められたＤＤＳフォーマットに従って１次欠陥リスト４２２と２次欠陥リスト４２３の開始アドレスが格納され、また、ユーザゾーン４０４の各ゾーンにおけるデータ領域及びスペア領域に関するディスクマップデータ（ＤＭＤ）４２４が格納されている。
図７は本発明の第１実施例のディスクマップデータのデータ構成図を示す。
【００４３】
ディスクマップデータには、図７に示すように各ゾーン毎のデータセクタ数、スペアセクタ数、スペア論理トラック数が格納されている。
ユーザゾーン４０４は、上位装置からのＳＣＳＩインタフェース等を通してアクセスできるリライタブルゾーンである。
図８は本発明の第１実施例の光ディスクのユーザゾーンのデータ構造を説明するための図を示す。
【００４４】
ユーザゾーン４０４は、１８ゾーンに分割されている。分割されたユーザゾーン４０４は、アウタ側から０、１、２、３、・・・１７の順にゾーン番号が付けられる。
各ゾーンは、データ領域４３１及びスペア領域４３２から構成される。このとき、クロック周波数は、ゾーンＣＡＶ方式により一定線密度が得ることができるようにするために内周側のゾーン程低く設定される。
【００４５】
図９は本発明の第１実施例の１次及び２次欠陥リストを説明するための図を示す。図９（Ａ）はあるゾーンのデータ領域４３１及びスペア領域４３２の状態、図９（Ｂ）は１次欠陥リスト４２２、図９（Ｃ）は２次欠陥リスト４２３の構成を示す。
まず、１次欠陥リスト４２２の作成方法について説明する。
【００４６】
フォーマット処理により図９（Ａ）に示すようにアドレスＡ0 をもつ先頭セクタ４４１にフォーマットを行ったとき、欠陥が発生したとすると、アドレスＡ0 のセクタ１００が欠陥セクタとして検出される。アドレスＡ0 のセクタ４４１が欠陥セクタとして検出されると、図９（Ｂ）に示すように１次欠陥リスト４２２に欠陥セクタのアドレスＡ0 が登録される。
【００４７】
図９（Ｂ）に示す１次欠陥リスト４２２に欠陥セクタのアドレスＡ0 が登録されると、図９（Ａ）に示すようにデータ領域４３１の最終セクタ４４２は、欠陥セクタ４１１分だけスペア領域４３２にスリップされる。セクタフォーマットが終了すると、図９（Ｂ）に示すように欠陥があるアドレスＡ0 、Ａ10、Ａi が登録される。
【００４８】
また、フォーマット後、リード／ライトコマンドで、例えば、データ領域４３１の先頭セクタ４４１をアクセスしたとすると、このとき、アクセスアドレスＡ0 により１次欠陥リスト４２２を参照する。１次欠陥リスト４２２を参照すると、アクセスアドレスＡ0 が欠陥アドレスＡ0 として登録されており、アクセスセクタは不良セクタであることが分かる。
【００４９】
そこで、この場合には次のアドレスＡ1 のセクタ４４３にスリップし、このスリップセクタ４４３にアクセスする。スリップセクタ４４３についても同様に１次欠陥リスト４４２を参照して欠陥アドレスとして登録されているか否かを判定する。判定結果、欠陥アドレスであれば、次にセクタにスリップし、同様な動作を行う。
【００５０】
次に２次欠陥リスト４２３の作成方法について説明する。
例えば、ライトコマンドによりデータ領域４３１のセクタアドレスＡ50のセクタ４４４をアクセスしたとする。このとき、アクセスしたセクタアドレスＡ50のセクタ４４４が欠陥セクタであるとする。
アクセスしたセクタアドレスＡ50のセクタ４４４に欠陥が検出されると、図９（Ｃ）に示すように２次欠陥リスト４２３の最後の空きセクタに欠陥アドレスＡ50と交代処理部１４０により交代処理された交代エリアの交代アドレスＡn とを組み合わせて登録される。
【００５１】
リード／ライトコマンドにより、２次欠陥リスト４２３に登録された欠陥アドレスＡ50にアクセスが行われる場合には、まず、１次欠陥リスト４２２が参照される。１次欠陥リスト４２２の参照により１次欠陥がなければ、次に２次欠陥リスト４２３が参照される。２次欠陥リスト４２３の参照により、アドレスＡ50が欠陥アドレスとして登録されているので、対で登録されたスペア領域４３２のアドレスである交代アドレスＡn にアクセスされる。
【００５２】
なお、上記ディスク定義構造４２１、１次欠陥リスト４２２、２次欠陥リスト４２３は、光ディスクカートリッジ４００の装着時に光ディスク４０１から読み出されて、ＭＰＵ１１２内のメモリに展開される。
また、光ディスクカートリッジ４００を光ディスクドライブ１００から排出するときには、装着時に更新された１次欠陥リスト４２２、２次欠陥リスト４２３を光ディスク４０１に上書きする。
【００５３】
なお、図５〜９のデータ構造は、１．３ＧＢのＭＯ媒体について説明したが、１２８、２３０、５４０、６４０ＭＢのＭＯ媒体もほぼ同様なフォーマットであるので、その説明は省略する。
交代処理部１４０では、１次欠陥リスト４２２及び２次欠陥リスト４２３に基づいてアクセスしたゾーンの欠陥の発生しやすさを判断し、交代処理の制御を行う。
【００５４】
図１０は本発明の第１実施例の交代処理部の処理フローチャートを示す。
交代処理部１４０は、ゾーンＺN 内のセクタに情報をライト中にエラーＥn が発生すると（ステップＳ２−１）、欠陥管理部１４２に格納された情報に基づいてゾーンＺN への交代処理条件を満たすか否かを判定する（ステップＳ２−２）。 ステップＳ２−２で、ゾーンＺN の交代エリアへの交代処理条件を満たすと、ゾーンＺN に設けられた交代エリアＡn に情報を書き込む（ステップＳ２−３）。
【００５５】
また、ステップＳ２−２で、ゾーンＺN の交代エリアＡn への交代処理条件を満たさない場合には、ゾーンＺ(N+1) の交代エリアＡn+1 に情報を書き込む（ステップＳ２−４）。
次に、ステップＳ２−２で判定する交代処理条件について説明する。
まず、第１の交代処理条件について説明する。第１の交代処理条件は、ゾーンＺN に発生したエラーが予め設定された所定数ｎ個以下であるという条件である。
【００５６】
図１１は本発明の第１実施例の交代処理部の第１の交代処理条件の動作説明図を示す。
交代処理部１４０は、ゾーンＺN に（ｎ＋１）個目のエラーＥn+1 が発生すると、２次欠陥リスト４２３に基づいて第１の交代処理条件であるゾーンＺN に発生したエラーがｎ個以下か否かを判定して、第１の交代処理条件であるゾーンＺN に発生したエラーがｎ個以上のときは、ゾーンＺ(N+1) の交代エリアＡn+1 にエラーが発生したセクタに記憶しようとした情報を記憶する。ただし、ｎ個は交代エリアの全セクタ数より少ない数である。
【００５７】
ゾーンＺN に発生したエラーの数は、２次欠陥リスト４２３を参照して、２次欠陥リスト４２３に登録された欠陥アドレスのうちゾーンＺN に含まれるアドレスの個数を算出することにより求める。ここでは、例えば、０．２×ｎ〜０．９×ｎ個くらいに設定する。
ゾーンＺN に（ｎ＋１）個目のエラーＥn+1 が発生すると、ゾーンＺN はエラーが発生しやすいゾーンであると判定して、本来ならゾーンＺN の交代エリアＡn に記憶すべき情報を他のゾーンＺ(N+1) の交代エリアＡn+1 に記憶する。つまり、エラーの発生する確率の高いゾーンＺN は同じゾーン内の交代エリアＡn に情報を記憶しても、交代エリア内でエラーが発生する確率が高いため、そのゾーン内の交代エリアは使用しないようにして交代処理が連続するのを防止する。このように交代処理が連続するのを防止されることにより交代処理時間を短縮できる。
【００５８】
次に第２の交代処理条件について説明する。第２の交代処理条件は、ゾーンＺN の交代エリアＡn に発生したエラーが予め設定された所定数ｎ個未満であるという条件である。
図１２は本発明の第１実施例の交代処理部の第２の交代処理条件の動作説明図を示す。
【００５９】
交代処理部１４０は、ゾーンＺN に（ｎ＋１）個目のエラーＥn+1 が発生すると、第２の交代処理条件であるゾーンＺN の交代エリアＡn に発生したエラーがｎ個未満か否かを２次欠陥リスト４２３から判定して、ゾーンＺN の交代エリアＡn に発生したエラーがｎ個以上のときは、ゾーンＺ(N+1) の交代エリアＡn+1 にエラーが発生したセクタに記憶しようとした情報を記憶する。ただし、ｎ個は交代エリアの全セクタ数より少ない数である。
【００６０】
このとき、ゾーンＺN の交代エリアＡn に発生したエラーの数は、２次欠陥リスト４２３を参照して、２次欠陥リスト４２３に登録された欠陥アドレスのうちゾーンＺN の交代エリアＡn に含まれるアドレスの個数を算出することにより求める。
ゾーンＺN の交代エリアＡn にｎ個目のエラーＥn が発生すると、ゾーンＺN はエラーが発生しやすゾーンであると判定して、本来ならゾーンＺN の交代エリアＡn に記憶すべき情報を他のゾーンＺ(N+1) の交代エリアＡn+1 に記憶する。つまり、エラーの発生する確率の高いゾーンＺN は同じゾーン内の交代エリアＡn に情報を記憶しても、交代エリア内でエラーが発生する確率が高いため、そのゾーン内の交代エリアは使用しないようにして交代処理が連続するのを防止する。このように交代処理が連続するのを防止されることにより交代処理時間を短縮できる。
【００６１】
次に第３の交代処理条件について説明する。第３の交代処理条件は、ゾーンＺN の１トラックＴｒに発生したエラーが予め設定された所定数ｎ個未満であるという条件である。
図１３は本発明の第１実施例の交代処理部の第３の交代処理条件の動作説明図を示す。
【００６２】
交代処理部１４０は、ゾーンＺN に（ｎ＋１）個目のエラーＥn+1 が発生すると、第３の交代処理条件であるゾーンＺN の１トラックＴｒに発生したエラーが予め設定された所定数ｎ個未満であるか否かを２次欠陥リスト４２３から判定して、ゾーンＺN の１トラックＴｒに発生したエラーが予め設定された所定数ｎ個以上のときは、ゾーンＺ(N+1) の交代エリアＡn+1 にエラーが発生したセクタに記憶しようとした情報を記憶する。ただし、ｎ個は交代エリアの全セクタ数より少ない数である。
【００６３】
このとき、ゾーンＺN の１トラックＴｒに発生したエラーは、２次欠陥リスト４２３を参照して、２次欠陥リスト４２３に登録された欠陥アドレスのうちゾーンＺN の１トラックＴｒに含まれるアドレスの個数を算出することにより求める。
ゾーンＺN の１トラックＴｒにｎ個目のエラーＥn が発生すると、ゾーンＺN はエラーが発生しやすゾーンであると判定して、本来ならゾーンＺN の交代エリアＡn に記憶すべき情報を他のゾーンＺ(N+1) の交代エリアＡn+1 に記憶する。つまり、エラーの発生する確率の高いゾーンＺN は同じゾーン内の交代エリアＡn に情報を記憶しても、交代エリア内でエラーが発生する確率が高いため、そのゾーン内の交代エリアは使用しないようにして交代処理が連続するのを防止する。このように交代処理が連続するのを防止されることにより交代処理時間を短縮できる。
【００６４】
次に第４の交代処理条件について説明する。第４の交代処理条件は、ゾーンＺN への１回のアクセスに発生したエラーが予め設定された所定数ｎ個未満であるという条件である。
図１４は本発明の第１実施例の交代処理部の第４の交代処理条件の動作説明図を示す。
【００６５】
交代処理部１４０は、ゾーンＺN に（ｎ＋１）個目のエラーＥn+1 が発生すると、第４の交代処理条件であるゾーンＺN への１回のアクセスに発生したエラーが予め設定された所定数ｎ個未満か否かを２次欠陥リスト４２３から判定して、ゾーンＺN の１トラックＴｒに発生したエラーが予め設定された所定数ｎ個以上のときは、ゾーンＺ(N+1) の交代エリアＡn+1 にエラーが発生したセクタに記憶しようとした情報を記憶する。ただし、ｎ個は交代エリアの全セクタ数より少ない数である。
【００６６】
このとき、ゾーンＺN への１回のアクセスに発生したエラーは、２次欠陥リスト４２３を参照して、２次欠陥リスト４２３に登録された欠陥アドレスのうちゾーンＺN への１回のアクセスでアクセスされるアドレスに含まれるアドレスの個数を算出することにより求める。
ゾーンＺN への１回のアクセスに発生したエラーが予め設定された所定数ｎ個であると、ゾーンＺN はエラーが発生しやすいゾーンであると判定して、本来ならゾーンＺN の交代エリアＡn に記憶すべき情報を他のゾーンＺ(N+1) の交代エリアＡn+1 に記憶する。つまり、エラーの発生する確率の高いゾーンＺN は同じゾーン内の交代エリアＡn に情報を記憶しても、交代エリア内でエラーが発生する確率が高いため、そのゾーン内の交代エリアは使用しないようにして交代処理が連続するのを防止する。このように交代処理が連続するのを防止されることにより交代処理時間を短縮できる。
【００６７】
次に第５の交代処理条件について説明する。第５の交代処理条件は、ゾーンＺN の交代エリアＡn に発生したエラーが予め設定された所定数ｎ個以下であるという条件である。
図１５は本発明の第１実施例の交代処理部の第５の交代処理条件の動作説明図を示す。
【００６８】
交代処理部１４０は、ゾーンＺN にエラーが発生し、交代エリアＡn に交代処理を行う。交代処理の結果、交代エリアＡn でエラーが発生し、予め設定された所定数（ｎ＋１）個になると、第５の交代処理条件であるゾーンＺN の交代エリアＡn に発生したエラーが予め設定された所定数（ｎ＋１）個になったか否かをＲＡＭ９８に記憶された２次欠陥リスト６６から判定して、ゾーンＺN の交代エリアＡn に発生したエラーが予め設定された所定数（ｎ＋１）個になったときは、ゾーンＺ(N+1) の交代エリアＡn+1 にエラーが発生したセクタに記憶しようとした情報を記憶する。
【００６９】
このとき、ゾーンＺN の交代エリアＡn での交代処理の回数は、２次欠陥リスト４２３を参照して、２次欠陥リスト４２３に登録された欠陥アドレスのうちゾーンＺN の交代エリアＡn のアドレスに含まれるアドレスの個数を算出することにより求める。
ゾーンＺN の交代エリアＡn で発生したエラーが（ｎ＋１）個になるとゾーンＺN の交代エリアＡn はエラーが発生しやすゾーンであると判定して、本来ならゾーンＺN の交代エリアＡn に記憶すべき情報を他のゾーンＺ(N+1) の交代エリアＡn+1 に記憶する。このため、エラーの発生する確率の高いゾーンＺN の交代エリアＡn に情報を記憶して、再びエラーが発生し、これを繰り返すことを防止できる。よって、交代処理時間を短縮できる。
【００７０】
次に第６の交代処理条件について説明する。第６の交代処理条件は、記録媒体に情報を記録する前のフォーマッティング時に不良セクタを発見し、リスト化した１次欠陥リスト、すなわち、「Primary Defect List 」でゾーンＺN の初期不良セクタがｎ個以下であるという条件である。
図１６は本発明の第１実施例の交代処理部の第６の交代処理条件の動作説明図を示す。
【００７１】
交代処理部１４０は、ゾーンＺN にエラーＥが発生し、交代処理を行う場合、１次欠陥リスト４２２を参照して、ゾーンＺN の１次欠陥セクタの個数を求める。交代処理部は、第６の交代処理条件であるゾーンＺN の１次欠陥数がｎ個以下か否かを判定する。
交代処理部１４０は、判定結果、ゾーンＺN の１次欠陥セクタの個数数が（ｎ＋１）個以上のときには、ゾーンＺ(N+1) の交代エリアＡn+1 にエラーが発生したセクタに記憶しようとした情報を記憶する。ただし、ｎ個は交代エリアの全セクタ数より少ない数である。
【００７２】
このとき、ゾーンＺN の１次欠陥セクタの個数数は、１次欠陥リスト４２２を参照し、ゾーンＺN のアドレスに含まれるアドレスをカウントすることにより求められる。
このように、ゾーンＺN にエラーが発生したとき、１次欠陥個数を参照し、１次欠陥個数が（ｎ＋１）個以上のときには、ゾーンＺN の交代エリアＡn はエラーが発生しやすゾーンであると判定して、本来ならゾーンＺN の交代エリアＡn に記憶すべき情報を他のゾーンＺ(N+1) の交代エリアＡn+1 に記憶する。つまり、エラーの発生する確率の高いゾーンＺN は同じゾーン内の交代エリアＡn に情報を記憶しても、交代エリア内でエラーが発生する確率が高いため、そのゾーン内の交代エリアは使用しないようにして交代処理が連続するのを防止する。このように交代処理が連続するのを防止されることにより交代処理時間を短縮できる。
【００７３】
なお、上記実施例では、ホストコンピュータからのコマンドにより閾値ｎを設定する。
図１７は本発明の第１実施例の閾値の設定方法を説明するための図を示す。
図１７に示すようにホストコンピュータ２００から光磁気ディスクドライブ１００にＳＣＳＩインタフェース３００を介して２バイトのコマンドを供給する。
【００７４】
ホストコンピュータ２００から光磁気ディスクドライブ１００に供給するコマンドは、第１バイトBYTE1 がコマンドコード及び第２バイトBYTE2 が閾値ｎとされている。
光磁気ディスクドライブ１００は、ホストコンピュータ２００から図１７に示すようなコマンドが供給されると、閾値ｎを設定する。ここで、閾値ｎは、ＤＲＡＭなどのメモリに電源断まで保存される。なお、設定しないときには予め格納された初期値を使用してもよい。
【００７５】
なお、本実施例では、ホストコンピュータ２００からのコマンドにより閾値ｎを設定するようにしたが、媒体種及び周囲温度に応じて自動的に閾値ｎを設定するようにしてもよい。
図１８に本発明の第２実施例の機能ブロック図を示す。同図中、図４と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００７６】
本実施例の光磁気ディスクドライブ５００は、媒体種を検出する媒体種検出手段５０１と、記録媒体の周囲温度を検出する温度検出手段５０２、媒体種検出手段５０１で検出された媒体種と温度検出手段５０２で検出された周囲温度とに応じた閾値が設定された閾値設定テーブル５０３を有する。本実施例の交代処理部５０４は、媒体種検出手段５０１及び温度検出手段５０２で検出された周囲温度とに応じて閾値設定テーブル５０３から値を読み出し、閾値ｎとして設定する。
【００７７】
媒体種検出手段５０１は、例えば、ＭＰＵ１１２のプログラムにより実現される。媒体種は、ＭＰＵ１１２によりＩＤデータの記録ピット間隔を検出することにより判定される。
また、温度検出手段５０２は、温度センサ１３０で実現できる。
図１９に本発明の第２実施例の閾値設定テーブルのデータ構成図を示す。
【００７８】
閾値設定テーブル５０３は、媒体種及び温度毎に閾値ｎ1 〜ｎ3 、ｎ11〜ｎ13、ｎ21〜ｎ23、ｎ31〜ｎ33、ｎ41〜ｎ43が設定されている。
例えば、媒体種検出手段５０１により１２８ＭＢの媒体種が媒体の管理領域を読み出すことで検出され、温度検出手段５０２により低温であると検出された場合、値Ｎ1 が閾値ｎとして交代処理部９４に設定される。また、媒体種検出手段により５４０ＭＢの媒体種が検出され、温度検出手段により中温であると検出された場合、値Ｎ22が閾値ｎとして交代処理部９４に設定される。さらに、媒体種検出手段により１．３ＧＢの媒体種が検出され、温度検出手段により高温であると検出された場合、値Ｎ43が閾値ｎとして交代処理部５０４に設定される。
【００７９】
以上のように媒体種検出手段及び温度検出手段により媒体種及び温度を検出し検出された媒体種及び温度に対応する閾値ｎを閾値設定テーブルから得て、交代処理部５０４に設定することにより、媒体及び温度に応じて最適な閾値を自動的に設定できる。
なお、本実施例では媒体種及び温度に応じて閾値を設定したが、媒体種及び温度に限られるものではない。また、１種類の条件又は３種以上の条件から閾値を設定してもよい。また、媒体種は容量毎に説明したが、光磁気ディスク、相変化型光ディスク、ＤＶＤ−ＲＡＭ光ディスクなどで種別を検出するようにしてもよい。
【００８０】
さらに、上記実施例では、１．３ＧＢ光ディスクとして、ダブルマスクＲＡＤ−ＭＳＲ光磁気記録について説明したが、これに限られるものではなく、ＦＡＤ−ＭＳＲ光磁気記録や相変化記録の光ディスクであってもよい。
上記説明した実施例において、フォーマット後の２次欠陥に対するだけでなく、フォマット時に検出された１次欠陥に対する交代処理にも応用できることは言うまでもない。
【００８１】
【発明の効果】
上述の如く、本発明の請求項１によれば、不良セクタが所定数、発生すると、不良セクタが発生しやすいゾーンであると判断して、他のゾーンの交代エリアを利用し情報を記憶するので、不良の発生しやすい、ゾーンの交代エリアで交代処理が繰り返されるのを防止して、無駄な交代処理を行うことなく、短い時間で、確実に情報を記憶できる等の特長を有する。
【００８２】
請求項２によれば、情報を交代すべき先の交代エリアに所定数の不良セクタが発生したときに、不良が発生しやすいゾーンであると判断して、他のゾーンの交代エリアを利用し情報を記憶するので、不良の発生しやすい、ゾーンの交代エリアで交代処理が繰り返されるのを防止して、無駄な交代処理を行うことなく、短い時間で、確実に情報を記憶できる等の特長を有する。
【００８３】
請求項３によれば、記録媒体の初期化時に所定のゾーンに所定数の不良セクタを検出したときに、所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶することにより、情報を記憶する前に不良が発生しやすい交代エリアを判定し、他のゾーンの交代エリアを利用し情報を記憶するので、不良の発生しやすい、ゾーンの交代エリアで交代処理が繰り返されるのを防止して、無駄な交代処理を行うことなく、短い時間で、確実に情報を記憶できる等の特長を有する。
【００８４】
請求項４によれば、トラック当たりの不良セクタを検出したときに、所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶することにより、他のゾーンの交代エリアを利用し情報を記憶するので、不良の発生しやすい、ゾーンの交代エリアで交代処理が繰り返されるのを防止して、無駄な交代処理を行うことなく、短い時間で、確実に情報を記憶できる等の特長を有する。
【００８５】
請求項５によれば、記録媒体への１回のアクセスにおいて所定数の不良セクタが検出されたときに、アクセスすべき所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶することにより、他のゾーンの交代エリアを利用し情報を記憶するので、不良の発生しやすい、ゾーンの交代エリアで交代処理が繰り返されるのを防止して、無駄な交代処理を行うことなく、短い時間で、確実に情報を記憶できる等の特長を有する。
【００８６】
請求項６によれば、交代エリアの不良セクタが所定数のときにアクセスすべき所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに交代することにより、不良の発生しやすい、ゾーンの交代エリアで交代処理が繰り返されるのを防止して、無駄な交代処理を行うことなく、短い時間で、確実に情報を記憶できる等の特長を有する。
【００８７】
請求項７によれば、記録媒体の種類に応じて不良の発生しやすさを判断して、不良の発生しやすさに応じて交代エリアを他のゾーンに切り換える所定数を設定することにより、記録媒体の種類毎に最適な交代制御を行える等の特長を有する。
請求項８によれば、温度に応じて不良の発生しやすさを判断して、不良の発生しやすさに応じて交代エリアを他のゾーンに切り換える所定数を設定することにより、温度に応じて最適な交代制御を行える等の特長を有する。
【００８８】
請求項９によれば、他のゾーンに交代を行うまでの数を設定する回数を外部から設定可能とすることにより、使用状況に応じて所定回数の設定が行え、最適な交代制御を行える等の特長を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の一例の処理フローチャートである。
【図２】従来の一例の動作説明図である。
【図３】本発明の第１実施例のブロック構成図である。
【図４】本発明の第１実施例の機能ブロック図である。
【図５】本発明の第１実施例の光ディスクのデータ構成図である。
【図６】本発明の第１実施例の欠陥管理領域のデータ構成図である。
【図７】本発明の第１実施例のディスクマップデータのデータ構成図である。
【図８】本発明の第１実施例の光ディスクのユーザゾーンのデータ構成図である。
【図９】本発明の第１実施例の１次及び２次欠陥リストを説明するための図である。
【図１０】本発明の第１実施例の交代処理部の処理フローチャートである。
【図１１】本発明の第１実施例の交代処理部の第１の交代処理条件の動作説明図である。
【図１２】本発明の第１実施例の交代処理部の第２の交代処理条件の動作説明図である。
【図１３】本発明の第１実施例の交代処理部の第３の交代処理条件の動作説明図である。
【図１４】本発明の第１実施例の交代処理部の第４の交代処理条件の動作説明図である。
【図１５】本発明の第１実施例の交代処理部の第５の交代処理条件の動作説明図である。
【図１６】本発明の第１実施例の交代処理部の第６の交代処理条件の動作説明図である。
【図１７】本発明の第１実施例の閾値の設定方法を説明するための図である。
【図１８】本発明の第２実施例の機能ブロック図である。
【図１９】本発明の第２実施例の閾値設定テーブルのデータ構成図である。
【符号の説明】
１００ 光ディスクドライブ
１１０ コントロールユニット
１１１ エンクロージャ
１１２ ＭＰＵ
１１２ａ プログラム領域
１１３ 光ディスクコントローラ
１１３ａ フォーマッタ
１１３ｂ ＥＣＣ処理部
１１４ ＤＳＰ
１１５ 上位インタフェース
１１６ バッファメモリ
１１７ ライトＬＳＩ回路
１１７ａ ライト変調部
１１７ｂ ＬＤ制御回路
１１８ リードＬＳＩ回路
１１８ａ リード復調部
１１８ｂ 周波数シンセサイザ
１１９〜１２３ ドライバ
１２４ ＦＥＳ検出回路
１２５ ＴＥＳ検出回路
１２６ ＴＺＣ検出回路
１２７ レーザダイオードユニット
１２７ａ レーザダイオード
１２７ｂ モニタＰＤ
１２８ ＩＤ／ＭＯ用ディテクタ
１２９ ヘッドアンプ
１３０ 温度センサ
１３１ スピンドルモータ
１３２ 磁場印加部
１３３ ＦＥＳ用ディテクタ
１３４ ＴＥＳ用ディテクタ
１３５ レンズ位置センサ
１３６ フォーカスアクチュエータ
１３７ レンズアクチュエータ
１３８ ＶＣＭ
１３９ コマンド処理部
１４０ 交代処理部
１４１ 媒体アクセス部
１４２ 欠陥管理部
４２１ ディスク定義構造
４２２ １次欠陥リスト
４２３ ２次欠陥リスト
【発明の属する技術分野】
本発明は記憶装置に係り、特に、不良セクタ発生した場合に情報を交代エリアに移動させる記憶装置に関する。
光磁気記録媒体や相変化記録媒体を用いたディスクドライブでは、記録媒体の回転を角速度一定で回転させて記録再生を行う、いわゆる、ＣＡＶ方式が適用されている。
【０００２】
しかし、近年、高密度化のため記録媒体を半径方向に複数のゾーンに分割し、内周側のゾーンと外周側のゾーンとで角速度を異ならせた、いわゆる、ＺＣＶＡ方式が採用されている。
ＣＡＶ方式は物理トラックのセクタ数を全半径位置に対して固定するため、内周側から外周側に向かうにつれて円周方向の密度が低くなる。これに対し、ＺＣＡＶ方式は半径方向でゾーンを分割するため、円周方向の密度を内外周で、ある程度一定にすることが可能であり、高密度化が可能となる。ＺＣＶＡ方式によって、高密度化することによって情報の欠陥に対して効率よく対処する必要がでてきた。
【０００３】
【従来の技術】
情報の欠陥に対する対処方法として、ＭＯドライブなどでは、交代処理が用いられている。
図１は従来の一例の交代処理の処理フローチャート、図２は従来の一例の交代処理の動作説明図を示す。
【０００４】
所定のゾーンＺN 内のセクタに情報をライト中にエラーが発生すると（ステップＳ１−１）、まず、情報をライトしようとするゾーンＺN に設定された交代エリアＡN に空きがあるか否かを判断する（ステップＳ１−２）。
ステップＳ１−２で、情報をライトしようとするゾーンＺN に設定された交代エリアＡN に空きがあれば、ゾーンＺN に設定された交代エリアＡN に情報をライトする、いわゆる、交代処理を行う（ステップＳ１−３）。
【０００５】
一方、ＺＣＡＶ方式では、外周側では円周方向の密度が高くなり、記録時のレーザパワーや磁界に対するマージンが狭くなっているため、装置のばらつきによる固有的なマージン不足によって外周側でエラーが発生し、交代処理が発生した場合、当該ゾーンにていくら交代処理を行っても正しく処理が行えない場合がある。
【０００６】
しかし、現在、不良セクタは交代処理が必要となるエラーが発生したセクタの存在する当該ゾーン内の交代エリアでアサインし、当該ゾーンの交代エリアが交代処理によって全て使用されており、使用不可の場合は近接ゾーン内の交代エリアから使用していく処理方法が一般的である。
また、特開平９−８２０３６号、特開平４−３３６７号に示されるように、所定ゾーンに設けられた交代エリアが全て登録済になると、他のゾーンの交代エリアに登録するようにしていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかるに、従来のこの種の記憶装置では、当該ゾーンにエラーが発生した場合には当該ゾーンの交代エリアに情報を交代し、当該ゾーンの交代エリアが全て使い果たされると、他のゾーンの交代エリアに情報を交代していた。このため、元々不良セクタの発生する可能性の高いゾーン内の交代エリアに交代処理を行うため、再び交代処理が行われる可能性が高いので、当該ゾーンの交代エリアを使い切ってしまうことがある。当該ゾーンの交代エリアを使い切ってしまうと、近傍のゾーン内の交代エリアへ交代処理を行い、交代処理が終了する。
【０００８】
したがって、このような場合、交代エリアでもエラーが発生する確率が高いので交代エリアで交代が起こり、交代処理に時間がかかり、ＯＳに設定されたアクセス時のタイムアウト時間により処理が停止してしまう等の問題点があった。
また、交代処理回数が多くなり、媒体上の不良セクタが急増するなどの問題点があった。
【０００９】
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、迅速に記憶情報を記憶できる記憶装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１は、複数のゾーンに分割された記録媒体の各ゾーンに交代エリアを設ける。所定のゾーンに情報を記憶する際に、所定のゾーンの不良セクタを検出し、検出された不良セクタが所定数となると所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶する。
【００１１】
請求項１によれば、不良セクタが所定数、発生すると、不良セクタが発生しやすいゾーンであると判断して、他のゾーンの交代エリアに情報を記憶するので、不良の発生しやすい、ゾーンの交代エリアで交代処理が繰り返されるのを防止して、無駄な交代処理を行うことなく、短い時間で、確実に情報を記憶できる。
請求項２は、請求項１において、所定のゾーンの交代エリアの不良セクタを検出し、検出された不良セクタが所定数のときに、所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶する。
【００１２】
請求項２によれば、情報を交代すべき先の交代エリアに所定数の不良セクタが発生したときに、不良が発生しやすいゾーンであると判断して、他のゾーンの交代エリアに情報を記憶するので、不良の発生しやすい、ゾーンの交代エリアで交代処理が繰り返されるのを防止して、無駄な交代処理を行うことなく、短い時間で、確実に情報を記憶できる。
【００１３】
請求項３は、記録媒体の初期化時に所定のゾーンに所定数の不良セクタを検出したときに、所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶する。
請求項３によれば、記録媒体の初期化時に所定のゾーンに所定数の不良セクタを検出したときに、所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶することにより、他のゾーンの交代エリアに情報を記憶するので、不良の発生しやすい、ゾーンの交代エリアで交代処理が繰り返されるのを防止して、無駄な交代処理を行うことなく、短い時間で、確実に情報を記憶できる。
【００１４】
請求項４は、トラック当たりの不良セクタを検出したときに、所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶する。
請求項４によれば、トラック当たりの不良セクタを検出したときに、所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶することにより、不良の発生しやすい、ゾーンの交代エリアで交代処理が繰り返されるのを防止して、無駄な交代処理を行うことなく、短い時間で、確実に情報を記憶できる。
【００１５】
請求項５は、記録媒体への１回のアクセスにおいて所定数の不良セクタが検出されたときに、アクセスすべき所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶する。
請求項５によれば、記録媒体への１回のアクセスにおいて所定数の不良セクタが検出されたときに、アクセスすべき所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶することにより、不良の発生しやすい、ゾーンの交代エリアで交代処理が繰り返されるのを防止して、無駄な交代処理を行うことなく、短い時間で、確実に情報を記憶できる。
【００１６】
請求項６は、記録媒体の交代エリアにおける不良セクタを検出し、交代エリアの不良セクタが所定数のときに、アクセスすべき所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶する。
請求項６によれば、交代エリアの不良セクタが所定数のときにアクセスすべき所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに交代することにより、不良の発生しやすい、ゾーンの交代エリアで交代処理が繰り返されるのを防止して、無駄な交代処理を行うことなく、短い時間で、確実に情報を記憶できる。
【００１７】
請求項７は、請求項１乃至６において、媒体の種類に応じて所定数を設定する。
請求項７によれば、記録媒体の種類に応じて不良の発生しやすさを判断して、不良の発生しやすさに応じて交代エリアを他のゾーンに切り換える所定数を設定することにより、記録媒体の種類毎に最適な交代制御を行える。
【００１８】
請求項８は、温度に応じて所定数を設定する。
請求項８によれば、温度に応じて不良の発生しやすさを判断して、不良の発生しやすさに応じて交代エリアを他のゾーンに切り換える所定数を設定することにより、温度に応じて最適な交代制御を行える。
請求項９は、情報記憶制御手段で所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶する所定数を外部から指示により設定可能とする。
【００１９】
請求項９によれば、他のゾーンに交代を行うまでの数を設定する回数を外部から設定可能とすることにより、使用状況に応じて所定回数の設定が行え、最適な交代制御を行える。
【００２０】
【発明の実施の形態】
図３は本発明の第１実施例のブロック構成図を示す。
本実施例の光磁気ディスク装置１００は、主にコントロールユニット１１０及びエンクロージャ１１１から構成される。
コントロールユニット１１０は、エンクロージャ１１１の各部に接続され、記録再生のための各種信号処理を行う。エンクロージャ１１１は、記録媒体が挿入され、記録媒体への情報の記憶を行う。
【００２１】
コントロールユニット１１０は、ＭＰＵ１１２、光ディスクコントローラ１１３、ＤＳＰ１１４、上位インタフェース１１５、バッファメモリ１１６、ライトＬＳＩ回路１１７、リードＬＳＩ回路１１８、ドライバ１１９〜１２３、フォーカスエラー信号検出回路１２４、トラッキングエラー信号検出回路１２５、トラックゼロクロス検出回路１２６から構成される。また、エンクロージャ１１１は、レーザダイオードユニット１２７、ＩＤ／ＭＯ用ディテクタ１２８、ヘッドアンプ１２９、温度センサ１３０、スピンドルモータ１３１、磁場印加部１３２、フォーカスサーボ用ディテクタ１３３、トラッキングサーボ用ディテクタ１３４、レンズ位置センサ１３５、フォーカスアクチュエータ１３６、レンズアクチュエータ１３７、ＶＣＭ１３８から構成される。
【００２２】
ＭＰＵ１１２は、プログラム領域１１２ａを有し、プログラム領域１１２ａに記憶されたプログラムにより光ディスクドライブ全体の制御を行う。光ディスクコントローラ１１３は、フォーマッタ１１３ａ及びエラーチェックコード処理部１１３ｂを有する。
フォーマッタ１１３ａは、ライトアクセス時にＮＲＺライトデータを媒体のセクタ単位に分割して記録フォーマットを生成する。ＥＣＣ処理部１１３ｂは、セクタライトデータ単位にＥＣＣコードを生成して、付加し、さらに必要ならばＣＲＣコードを生成して付加する。光ディスクコントローラ１１４は、ＥＣＣエンコードの済んだセクタデータを例えば１−７ＲＬＬ符号に変換し、ライトＬＳＩ回路１１７に供給する。
【００２３】
光ディスクコントローラ１１３は、リードアクセス時には、リードＬＳＩ回路１１８で復調されたセクタリードデータを１−７ＲＬＬ符号から逆変換する。ＥＣＣ処理ユニット１１３ｂは、セクタリードデータをＣＲＣチェックした後にエラー検出訂正する。フォーマッタ１１３ａは、セクタ単位のＮＲＺデータを連結してＮＲＺリードデータのストリームとして、バッファメモリ１１６に記憶する。
【００２４】
ＤＳＰ１１４は、ＭＰＵ１１２、光ディスクコントローラ１１３、上位インタフェース１１５とドライバ、検出手段との間に接続され、各種信号処理を行う。
上位インタフェース１１５は、上位装置との間でデータのやり取りを行う。
バッファメモリ１１６は、ライトデータ、リードデータを一時記憶する。
ライトＬＳＩ回路１１７は、ライト変調部１１７ａ及びＬＤ制御回路１１７ｂを有する。ライト変調部１１７ａは、光ディスクコントローラ１１３から供給されるライトデータをＰＰＭ記録又はＰＷＭ記録のデータ形式に変換する。
【００２５】
リードＬＳＩ回路１１８は、リード復調部１１８ａ及び周波数シンセサイザ１１８ｂを有する。リード復調部１１８ａは、ライトデータをＰＰＭ記録又はＰＷＭ記録のデータ形式に変換する。周波数シンセサイザ１１８ｂは、ＭＰＵ１１２からの指示に応じてライトデータのゾーンに対応した周波数のクロックを発生し、リード復調部１１８ａに供給する。リード復調部１１８ａは、周波数シンセサイザ１１８ｂから供給されるクロックに応じて復調を行う。
【００２６】
ドライバ１１９は、ＤＳＰ１１４からの駆動データに応じて記録媒体を回転させるための駆動信号を生成し、エンクロージャ１１１に設けられたスピンドルモータ１３１に供給する。ドライバ１２０は、ＤＳＰ１１４からの磁場印加データに応じて駆動信号を生成し、磁場印加部１３２に供給する。ドライバ１２１は、ＤＳＰ１１４から供給されるフォーカス駆動データに応じてフォーカス駆動用信号を生成し、エンクロージャ１１１に設けられたフォーカスアクチュエータ１３６に供給する。ドライバ１２２は、ＤＳＰ１１４から供給されるレンズ駆動データに応じてレンズ駆動用信号を生成し、エンクロージャ１１１に設けられたレンズアクチュエータ１３７に供給する。ドライバ１２３は、ＤＳＰ１１４から供給されるＶＣＭ駆動データに応じてＶＣＭ駆動用信号を生成し、エンクロージャ１１１に設けられたＶＣＭ１３８に供給する。
【００２７】
ＦＥＳ検出回路１２４は、エンクロージャ１１１のＦＥＳ検出用ディテクタ１３２に接続され、ＦＥＳ検出用ディテクタ１３３で検出されたフォーカスエラー検出信号をＤＳＰ１１４に供給する。ＴＥＳ検出回路１２５は、エンクロージャ１１１のＴＥＳ検出用ディテクタ１３４に接続され、ＴＥＳ検出用ディテクタ１３４で検出されたトラッキングエラー検出信号をＤＳＰ１１４及びＴＺＣ検出回路１２６に供給する。ＴＺＣ検出回路１２６は、ＴＥＳ検出回路１２５の検出信号に応じてゼロクロス信号を検出し、ＤＳＰ１１４に供給する。
【００２８】
エンクロージャ１１１は、レーザダイオードユニット１２７、ＩＤ／ＭＯ用ディテクタ１２８、ヘッドアンプ１２９、温度センサ１３０、スピンドルモータ１３１、磁場印加部１３２、ＦＥＳ用ディテクタ１３３、ＴＥＳ用ディテクタ１３４、レンズ位置センサ１３５、フォーカスアクチュエータ１３６、レンズアクチュエータ１３７、ＶＣＭ１３８から構成される。
【００２９】
レーザダイオードユニット１２７は、レーザダイオード１２７ａ及びモニタＰＤ（フォトディテクタ）１２７ｂを有する。レーザダイオード１２７ａは、ライトＬＳＩ回路１１７から供給される書込信号に応じたレーザ光を記録媒体に照射する。モニタＰＤ１２７ｂは、レーザダイオード１２７ａから出力されたレーザ光の強度を検出し、ライトＬＳＩ回路１１７に供給する。ライトＬＳＩ回路１１７は、モニタＰＤ１２７ｂで検出されたレーザ光量に応じて書込信号を制御する。
【００３０】
ＩＤ／ＭＯ用ディテクタ１２８は、レーザダイオード１２７ａから出射されたレーザ光の記録媒体からの反射光を検出する。ＩＤ／ＭＯ用ディテクタ１２８で検出された検出信号は、ヘッドアンプ１２９に供給される。
ヘッドアンプ１２９は、ＩＤ／ＭＯ用ディテクタ１２８で検出されたＭＯ／ＩＤ検出信号を増幅して、リードＬＳＩ回路１１８に供給する。
【００３１】
温度センサ１３０は、記録媒体の周囲温度を検出し、ＤＳＰ１１４に供給する。スピンドルモータ１３１は、記録媒体の中心孔に係合し、記録媒体を回転する。磁場印加部１３２は、記録媒体に記録用のバイアス磁界を印加する。
ＦＥＳ用ディテクタ１３３は、レーザダイオード１２７ａから記録媒体に照射されたレーザ光の反射光からレーザ光のフォーカスエラー信号を検出し、コントロールユニット１１０に設けられたＦＥＳ検出回路１２４に供給する。ＴＥＳ用ディテクタ１３４は、レーザダイオード１２７ａから記録媒体に照射されたレーザ光の反射光からレーザ光のトラッキングエラー信号を検出し、コントロールユニット１１０に設けられたＴＥＳ検出回路１２５に供給する。
【００３２】
レンズ位置センサ１３５は、レーザ光を記録媒体に出射するときにレーザ光を集光するレンズの位置に応じたレンズ位置信号を検出し、ＤＳＰ１１４に供給する。
フォーカスアクチュエータ１３６は、ドライバ１２１からのフォーカス駆動信号に応じてレンズ位置をレーザ光が記録媒体上で合焦するように制御する。レンズアクチュエータ１３７は、ドライバ１２２からトラッキング制御信号が供給され、供給されたトラッキング制御信号に応じてレンズ位置をレーザ光が記録媒体上の所望のトラックを走査するように制御する。
【００３３】
ＶＣＭ１３８は、レーザ光の記録媒体への照射位置及び磁場の印加位置を記録媒体の半径方向に移動する。
図４は本発明の第１実施例の機能ブロック図を示す。
光ディスクドライブ１００と上位装置２００とはＳＣＳＩインタフェース３００を介して接続されている。
【００３４】
光ディスクドライブ１００は、大まかにコマンド処理部１３９、交代処理部１４０、媒体アクセス部１４１、ディスク管理部１４２から構成される。上記機能は、例えば、ＭＰＵ１１２のプログラム領域１１２ａに格納されたプログラムにより処理を行う。
コマンド処理部１３９は、図３のハード構成の上位インタフェース１１５及び光ディスクコントローラ１１３で実現される。また、交代処理部１４０は、光ディスクコントローラ１１３及び他の回路で実現される。媒体アクセス部１４１は、コントロールユニット１１０の各回路及びエンクロージャ１１１により実現される。
【００３５】
ディスク管理部１４２は、ＭＰＵ１１２及びＭＰＵ１１２を動作させるプログラム１１２ａにより実現される。
コマンド処理部１３９は、ＳＣＳＩインタフェース３００を介して上位装置２００からコマンドを受信する。コマンド処理部１３９は、受信したコマンドに応じて媒体アクセス部１４１を制御する。媒体アクセス部１４１は、コマンド処理部１３９により光ディスクドライブ１００に挿入された光ディスクカートリッジ４００に内蔵された光ディスク４０１へのアクセス処理を行う。
【００３６】
交代処理部１４０は、コマンド処理部１３９からコマンドが供給され、コマンドが実行されたときに、欠陥セクタを検出した場合、ディスク管理部１４２で管理された欠陥管理情報に基づいて欠陥セクタの交代処理を行う。
ディスク管理部１４２は、光ディスク４０１に記録された管理情報から作成される。
【００３７】
ここで、光ディスク４０１のデータ構造について説明する。
図５は本発明の第１実施例の光ディスクのデータ構成図を示す。
図５において、ディスクレイアウトは、光ディスク４０１の論理トラック番号で示される。１論理トラックは１７セクタで構成される。また、１セクタは２０４８バイトで構成される。
【００３８】
光ディスク４０１は、ゾーンＣＡＶ方式で記録再生される。ディスクレイアウトは、アウタ側からリードインゾーン４０２、欠陥管理領域４０３、ユーザゾーン４０４、欠陥管理領域４０５、テストトラックを含むバッファゾーン４０６、バッファゾーン４０７、インナコントロールゾーン４０８、及び、バッファゾーン４０９で構成される。
【００３９】
このうち、アウタ側の欠陥管理領域４０３からインナ側のバッファゾーン４０６までがデータゾーンであり、それ以外がシステムゾーンとなる。
ユーザゾーン４０４に対するアウタ側の欠陥領域４０３には第１欠陥管理領域（ＤＭＡ１）４１１と第２欠陥管理領域（ＤＭＡ２）４１２が設けられ、一方、インナ側の欠陥管理領域４０５には第３欠陥領域（ＤＭＡ３）４１３と第４欠陥管理領域（ＤＭＡ３）４１４が設けられる。
【００４０】
この第１欠陥管理領域４１１、第２欠陥管理領域４１２、第３欠陥管理領域４１３及び第４欠陥管理領域４１４は、開始位置及び終了位置が定められている。
図６は本発明の第１実施例の欠陥管理領域のデータ構成図を示す。
第１欠陥管理領域４１１、第２欠陥管理領域４１２、第３欠陥管理領域４１３及び第４欠陥管理領域４１４は、図６に示すように欠陥領域のトラック番号及びセクタ番号で指定される開始位置及びトラック番号及びセクタ番号で指定される終了位置が定められている。
【００４１】
また、第１欠陥管理領域４１１から第４欠陥管理領域４１４のそれぞれには同一内容が記録される。
再び、図５に戻って説明を続ける。
第１欠陥領域４１１は、ディスク定義構造（ＤＤＳ）４２１、１次欠陥リスト（ＰＤＬ）４２２及び２次欠陥リスト（ＳＤＬ）４２３で構成される。このような第１欠陥管理領域４１１の内容は、残りの第２欠陥管理領域４１２、第３欠陥管理領域４１３及び第４欠陥管理領域４１４についても同様である。
【００４２】
ディスク定義構造４２１は、予め定められたＤＤＳフォーマットに従って１次欠陥リスト４２２と２次欠陥リスト４２３の開始アドレスが格納され、また、ユーザゾーン４０４の各ゾーンにおけるデータ領域及びスペア領域に関するディスクマップデータ（ＤＭＤ）４２４が格納されている。
図７は本発明の第１実施例のディスクマップデータのデータ構成図を示す。
【００４３】
ディスクマップデータには、図７に示すように各ゾーン毎のデータセクタ数、スペアセクタ数、スペア論理トラック数が格納されている。
ユーザゾーン４０４は、上位装置からのＳＣＳＩインタフェース等を通してアクセスできるリライタブルゾーンである。
図８は本発明の第１実施例の光ディスクのユーザゾーンのデータ構造を説明するための図を示す。
【００４４】
ユーザゾーン４０４は、１８ゾーンに分割されている。分割されたユーザゾーン４０４は、アウタ側から０、１、２、３、・・・１７の順にゾーン番号が付けられる。
各ゾーンは、データ領域４３１及びスペア領域４３２から構成される。このとき、クロック周波数は、ゾーンＣＡＶ方式により一定線密度が得ることができるようにするために内周側のゾーン程低く設定される。
【００４５】
図９は本発明の第１実施例の１次及び２次欠陥リストを説明するための図を示す。図９（Ａ）はあるゾーンのデータ領域４３１及びスペア領域４３２の状態、図９（Ｂ）は１次欠陥リスト４２２、図９（Ｃ）は２次欠陥リスト４２３の構成を示す。
まず、１次欠陥リスト４２２の作成方法について説明する。
【００４６】
フォーマット処理により図９（Ａ）に示すようにアドレスＡ0 をもつ先頭セクタ４４１にフォーマットを行ったとき、欠陥が発生したとすると、アドレスＡ0 のセクタ１００が欠陥セクタとして検出される。アドレスＡ0 のセクタ４４１が欠陥セクタとして検出されると、図９（Ｂ）に示すように１次欠陥リスト４２２に欠陥セクタのアドレスＡ0 が登録される。
【００４７】
図９（Ｂ）に示す１次欠陥リスト４２２に欠陥セクタのアドレスＡ0 が登録されると、図９（Ａ）に示すようにデータ領域４３１の最終セクタ４４２は、欠陥セクタ４１１分だけスペア領域４３２にスリップされる。セクタフォーマットが終了すると、図９（Ｂ）に示すように欠陥があるアドレスＡ0 、Ａ10、Ａi が登録される。
【００４８】
また、フォーマット後、リード／ライトコマンドで、例えば、データ領域４３１の先頭セクタ４４１をアクセスしたとすると、このとき、アクセスアドレスＡ0 により１次欠陥リスト４２２を参照する。１次欠陥リスト４２２を参照すると、アクセスアドレスＡ0 が欠陥アドレスＡ0 として登録されており、アクセスセクタは不良セクタであることが分かる。
【００４９】
そこで、この場合には次のアドレスＡ1 のセクタ４４３にスリップし、このスリップセクタ４４３にアクセスする。スリップセクタ４４３についても同様に１次欠陥リスト４４２を参照して欠陥アドレスとして登録されているか否かを判定する。判定結果、欠陥アドレスであれば、次にセクタにスリップし、同様な動作を行う。
【００５０】
次に２次欠陥リスト４２３の作成方法について説明する。
例えば、ライトコマンドによりデータ領域４３１のセクタアドレスＡ50のセクタ４４４をアクセスしたとする。このとき、アクセスしたセクタアドレスＡ50のセクタ４４４が欠陥セクタであるとする。
アクセスしたセクタアドレスＡ50のセクタ４４４に欠陥が検出されると、図９（Ｃ）に示すように２次欠陥リスト４２３の最後の空きセクタに欠陥アドレスＡ50と交代処理部１４０により交代処理された交代エリアの交代アドレスＡn とを組み合わせて登録される。
【００５１】
リード／ライトコマンドにより、２次欠陥リスト４２３に登録された欠陥アドレスＡ50にアクセスが行われる場合には、まず、１次欠陥リスト４２２が参照される。１次欠陥リスト４２２の参照により１次欠陥がなければ、次に２次欠陥リスト４２３が参照される。２次欠陥リスト４２３の参照により、アドレスＡ50が欠陥アドレスとして登録されているので、対で登録されたスペア領域４３２のアドレスである交代アドレスＡn にアクセスされる。
【００５２】
なお、上記ディスク定義構造４２１、１次欠陥リスト４２２、２次欠陥リスト４２３は、光ディスクカートリッジ４００の装着時に光ディスク４０１から読み出されて、ＭＰＵ１１２内のメモリに展開される。
また、光ディスクカートリッジ４００を光ディスクドライブ１００から排出するときには、装着時に更新された１次欠陥リスト４２２、２次欠陥リスト４２３を光ディスク４０１に上書きする。
【００５３】
なお、図５〜９のデータ構造は、１．３ＧＢのＭＯ媒体について説明したが、１２８、２３０、５４０、６４０ＭＢのＭＯ媒体もほぼ同様なフォーマットであるので、その説明は省略する。
交代処理部１４０では、１次欠陥リスト４２２及び２次欠陥リスト４２３に基づいてアクセスしたゾーンの欠陥の発生しやすさを判断し、交代処理の制御を行う。
【００５４】
図１０は本発明の第１実施例の交代処理部の処理フローチャートを示す。
交代処理部１４０は、ゾーンＺN 内のセクタに情報をライト中にエラーＥn が発生すると（ステップＳ２−１）、欠陥管理部１４２に格納された情報に基づいてゾーンＺN への交代処理条件を満たすか否かを判定する（ステップＳ２−２）。 ステップＳ２−２で、ゾーンＺN の交代エリアへの交代処理条件を満たすと、ゾーンＺN に設けられた交代エリアＡn に情報を書き込む（ステップＳ２−３）。
【００５５】
また、ステップＳ２−２で、ゾーンＺN の交代エリアＡn への交代処理条件を満たさない場合には、ゾーンＺ(N+1) の交代エリアＡn+1 に情報を書き込む（ステップＳ２−４）。
次に、ステップＳ２−２で判定する交代処理条件について説明する。
まず、第１の交代処理条件について説明する。第１の交代処理条件は、ゾーンＺN に発生したエラーが予め設定された所定数ｎ個以下であるという条件である。
【００５６】
図１１は本発明の第１実施例の交代処理部の第１の交代処理条件の動作説明図を示す。
交代処理部１４０は、ゾーンＺN に（ｎ＋１）個目のエラーＥn+1 が発生すると、２次欠陥リスト４２３に基づいて第１の交代処理条件であるゾーンＺN に発生したエラーがｎ個以下か否かを判定して、第１の交代処理条件であるゾーンＺN に発生したエラーがｎ個以上のときは、ゾーンＺ(N+1) の交代エリアＡn+1 にエラーが発生したセクタに記憶しようとした情報を記憶する。ただし、ｎ個は交代エリアの全セクタ数より少ない数である。
【００５７】
ゾーンＺN に発生したエラーの数は、２次欠陥リスト４２３を参照して、２次欠陥リスト４２３に登録された欠陥アドレスのうちゾーンＺN に含まれるアドレスの個数を算出することにより求める。ここでは、例えば、０．２×ｎ〜０．９×ｎ個くらいに設定する。
ゾーンＺN に（ｎ＋１）個目のエラーＥn+1 が発生すると、ゾーンＺN はエラーが発生しやすいゾーンであると判定して、本来ならゾーンＺN の交代エリアＡn に記憶すべき情報を他のゾーンＺ(N+1) の交代エリアＡn+1 に記憶する。つまり、エラーの発生する確率の高いゾーンＺN は同じゾーン内の交代エリアＡn に情報を記憶しても、交代エリア内でエラーが発生する確率が高いため、そのゾーン内の交代エリアは使用しないようにして交代処理が連続するのを防止する。このように交代処理が連続するのを防止されることにより交代処理時間を短縮できる。
【００５８】
次に第２の交代処理条件について説明する。第２の交代処理条件は、ゾーンＺN の交代エリアＡn に発生したエラーが予め設定された所定数ｎ個未満であるという条件である。
図１２は本発明の第１実施例の交代処理部の第２の交代処理条件の動作説明図を示す。
【００５９】
交代処理部１４０は、ゾーンＺN に（ｎ＋１）個目のエラーＥn+1 が発生すると、第２の交代処理条件であるゾーンＺN の交代エリアＡn に発生したエラーがｎ個未満か否かを２次欠陥リスト４２３から判定して、ゾーンＺN の交代エリアＡn に発生したエラーがｎ個以上のときは、ゾーンＺ(N+1) の交代エリアＡn+1 にエラーが発生したセクタに記憶しようとした情報を記憶する。ただし、ｎ個は交代エリアの全セクタ数より少ない数である。
【００６０】
このとき、ゾーンＺN の交代エリアＡn に発生したエラーの数は、２次欠陥リスト４２３を参照して、２次欠陥リスト４２３に登録された欠陥アドレスのうちゾーンＺN の交代エリアＡn に含まれるアドレスの個数を算出することにより求める。
ゾーンＺN の交代エリアＡn にｎ個目のエラーＥn が発生すると、ゾーンＺN はエラーが発生しやすゾーンであると判定して、本来ならゾーンＺN の交代エリアＡn に記憶すべき情報を他のゾーンＺ(N+1) の交代エリアＡn+1 に記憶する。つまり、エラーの発生する確率の高いゾーンＺN は同じゾーン内の交代エリアＡn に情報を記憶しても、交代エリア内でエラーが発生する確率が高いため、そのゾーン内の交代エリアは使用しないようにして交代処理が連続するのを防止する。このように交代処理が連続するのを防止されることにより交代処理時間を短縮できる。
【００６１】
次に第３の交代処理条件について説明する。第３の交代処理条件は、ゾーンＺN の１トラックＴｒに発生したエラーが予め設定された所定数ｎ個未満であるという条件である。
図１３は本発明の第１実施例の交代処理部の第３の交代処理条件の動作説明図を示す。
【００６２】
交代処理部１４０は、ゾーンＺN に（ｎ＋１）個目のエラーＥn+1 が発生すると、第３の交代処理条件であるゾーンＺN の１トラックＴｒに発生したエラーが予め設定された所定数ｎ個未満であるか否かを２次欠陥リスト４２３から判定して、ゾーンＺN の１トラックＴｒに発生したエラーが予め設定された所定数ｎ個以上のときは、ゾーンＺ(N+1) の交代エリアＡn+1 にエラーが発生したセクタに記憶しようとした情報を記憶する。ただし、ｎ個は交代エリアの全セクタ数より少ない数である。
【００６３】
このとき、ゾーンＺN の１トラックＴｒに発生したエラーは、２次欠陥リスト４２３を参照して、２次欠陥リスト４２３に登録された欠陥アドレスのうちゾーンＺN の１トラックＴｒに含まれるアドレスの個数を算出することにより求める。
ゾーンＺN の１トラックＴｒにｎ個目のエラーＥn が発生すると、ゾーンＺN はエラーが発生しやすゾーンであると判定して、本来ならゾーンＺN の交代エリアＡn に記憶すべき情報を他のゾーンＺ(N+1) の交代エリアＡn+1 に記憶する。つまり、エラーの発生する確率の高いゾーンＺN は同じゾーン内の交代エリアＡn に情報を記憶しても、交代エリア内でエラーが発生する確率が高いため、そのゾーン内の交代エリアは使用しないようにして交代処理が連続するのを防止する。このように交代処理が連続するのを防止されることにより交代処理時間を短縮できる。
【００６４】
次に第４の交代処理条件について説明する。第４の交代処理条件は、ゾーンＺN への１回のアクセスに発生したエラーが予め設定された所定数ｎ個未満であるという条件である。
図１４は本発明の第１実施例の交代処理部の第４の交代処理条件の動作説明図を示す。
【００６５】
交代処理部１４０は、ゾーンＺN に（ｎ＋１）個目のエラーＥn+1 が発生すると、第４の交代処理条件であるゾーンＺN への１回のアクセスに発生したエラーが予め設定された所定数ｎ個未満か否かを２次欠陥リスト４２３から判定して、ゾーンＺN の１トラックＴｒに発生したエラーが予め設定された所定数ｎ個以上のときは、ゾーンＺ(N+1) の交代エリアＡn+1 にエラーが発生したセクタに記憶しようとした情報を記憶する。ただし、ｎ個は交代エリアの全セクタ数より少ない数である。
【００６６】
このとき、ゾーンＺN への１回のアクセスに発生したエラーは、２次欠陥リスト４２３を参照して、２次欠陥リスト４２３に登録された欠陥アドレスのうちゾーンＺN への１回のアクセスでアクセスされるアドレスに含まれるアドレスの個数を算出することにより求める。
ゾーンＺN への１回のアクセスに発生したエラーが予め設定された所定数ｎ個であると、ゾーンＺN はエラーが発生しやすいゾーンであると判定して、本来ならゾーンＺN の交代エリアＡn に記憶すべき情報を他のゾーンＺ(N+1) の交代エリアＡn+1 に記憶する。つまり、エラーの発生する確率の高いゾーンＺN は同じゾーン内の交代エリアＡn に情報を記憶しても、交代エリア内でエラーが発生する確率が高いため、そのゾーン内の交代エリアは使用しないようにして交代処理が連続するのを防止する。このように交代処理が連続するのを防止されることにより交代処理時間を短縮できる。
【００６７】
次に第５の交代処理条件について説明する。第５の交代処理条件は、ゾーンＺN の交代エリアＡn に発生したエラーが予め設定された所定数ｎ個以下であるという条件である。
図１５は本発明の第１実施例の交代処理部の第５の交代処理条件の動作説明図を示す。
【００６８】
交代処理部１４０は、ゾーンＺN にエラーが発生し、交代エリアＡn に交代処理を行う。交代処理の結果、交代エリアＡn でエラーが発生し、予め設定された所定数（ｎ＋１）個になると、第５の交代処理条件であるゾーンＺN の交代エリアＡn に発生したエラーが予め設定された所定数（ｎ＋１）個になったか否かをＲＡＭ９８に記憶された２次欠陥リスト６６から判定して、ゾーンＺN の交代エリアＡn に発生したエラーが予め設定された所定数（ｎ＋１）個になったときは、ゾーンＺ(N+1) の交代エリアＡn+1 にエラーが発生したセクタに記憶しようとした情報を記憶する。
【００６９】
このとき、ゾーンＺN の交代エリアＡn での交代処理の回数は、２次欠陥リスト４２３を参照して、２次欠陥リスト４２３に登録された欠陥アドレスのうちゾーンＺN の交代エリアＡn のアドレスに含まれるアドレスの個数を算出することにより求める。
ゾーンＺN の交代エリアＡn で発生したエラーが（ｎ＋１）個になるとゾーンＺN の交代エリアＡn はエラーが発生しやすゾーンであると判定して、本来ならゾーンＺN の交代エリアＡn に記憶すべき情報を他のゾーンＺ(N+1) の交代エリアＡn+1 に記憶する。このため、エラーの発生する確率の高いゾーンＺN の交代エリアＡn に情報を記憶して、再びエラーが発生し、これを繰り返すことを防止できる。よって、交代処理時間を短縮できる。
【００７０】
次に第６の交代処理条件について説明する。第６の交代処理条件は、記録媒体に情報を記録する前のフォーマッティング時に不良セクタを発見し、リスト化した１次欠陥リスト、すなわち、「Primary Defect List 」でゾーンＺN の初期不良セクタがｎ個以下であるという条件である。
図１６は本発明の第１実施例の交代処理部の第６の交代処理条件の動作説明図を示す。
【００７１】
交代処理部１４０は、ゾーンＺN にエラーＥが発生し、交代処理を行う場合、１次欠陥リスト４２２を参照して、ゾーンＺN の１次欠陥セクタの個数を求める。交代処理部は、第６の交代処理条件であるゾーンＺN の１次欠陥数がｎ個以下か否かを判定する。
交代処理部１４０は、判定結果、ゾーンＺN の１次欠陥セクタの個数数が（ｎ＋１）個以上のときには、ゾーンＺ(N+1) の交代エリアＡn+1 にエラーが発生したセクタに記憶しようとした情報を記憶する。ただし、ｎ個は交代エリアの全セクタ数より少ない数である。
【００７２】
このとき、ゾーンＺN の１次欠陥セクタの個数数は、１次欠陥リスト４２２を参照し、ゾーンＺN のアドレスに含まれるアドレスをカウントすることにより求められる。
このように、ゾーンＺN にエラーが発生したとき、１次欠陥個数を参照し、１次欠陥個数が（ｎ＋１）個以上のときには、ゾーンＺN の交代エリアＡn はエラーが発生しやすゾーンであると判定して、本来ならゾーンＺN の交代エリアＡn に記憶すべき情報を他のゾーンＺ(N+1) の交代エリアＡn+1 に記憶する。つまり、エラーの発生する確率の高いゾーンＺN は同じゾーン内の交代エリアＡn に情報を記憶しても、交代エリア内でエラーが発生する確率が高いため、そのゾーン内の交代エリアは使用しないようにして交代処理が連続するのを防止する。このように交代処理が連続するのを防止されることにより交代処理時間を短縮できる。
【００７３】
なお、上記実施例では、ホストコンピュータからのコマンドにより閾値ｎを設定する。
図１７は本発明の第１実施例の閾値の設定方法を説明するための図を示す。
図１７に示すようにホストコンピュータ２００から光磁気ディスクドライブ１００にＳＣＳＩインタフェース３００を介して２バイトのコマンドを供給する。
【００７４】
ホストコンピュータ２００から光磁気ディスクドライブ１００に供給するコマンドは、第１バイトBYTE1 がコマンドコード及び第２バイトBYTE2 が閾値ｎとされている。
光磁気ディスクドライブ１００は、ホストコンピュータ２００から図１７に示すようなコマンドが供給されると、閾値ｎを設定する。ここで、閾値ｎは、ＤＲＡＭなどのメモリに電源断まで保存される。なお、設定しないときには予め格納された初期値を使用してもよい。
【００７５】
なお、本実施例では、ホストコンピュータ２００からのコマンドにより閾値ｎを設定するようにしたが、媒体種及び周囲温度に応じて自動的に閾値ｎを設定するようにしてもよい。
図１８に本発明の第２実施例の機能ブロック図を示す。同図中、図４と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００７６】
本実施例の光磁気ディスクドライブ５００は、媒体種を検出する媒体種検出手段５０１と、記録媒体の周囲温度を検出する温度検出手段５０２、媒体種検出手段５０１で検出された媒体種と温度検出手段５０２で検出された周囲温度とに応じた閾値が設定された閾値設定テーブル５０３を有する。本実施例の交代処理部５０４は、媒体種検出手段５０１及び温度検出手段５０２で検出された周囲温度とに応じて閾値設定テーブル５０３から値を読み出し、閾値ｎとして設定する。
【００７７】
媒体種検出手段５０１は、例えば、ＭＰＵ１１２のプログラムにより実現される。媒体種は、ＭＰＵ１１２によりＩＤデータの記録ピット間隔を検出することにより判定される。
また、温度検出手段５０２は、温度センサ１３０で実現できる。
図１９に本発明の第２実施例の閾値設定テーブルのデータ構成図を示す。
【００７８】
閾値設定テーブル５０３は、媒体種及び温度毎に閾値ｎ1 〜ｎ3 、ｎ11〜ｎ13、ｎ21〜ｎ23、ｎ31〜ｎ33、ｎ41〜ｎ43が設定されている。
例えば、媒体種検出手段５０１により１２８ＭＢの媒体種が媒体の管理領域を読み出すことで検出され、温度検出手段５０２により低温であると検出された場合、値Ｎ1 が閾値ｎとして交代処理部９４に設定される。また、媒体種検出手段により５４０ＭＢの媒体種が検出され、温度検出手段により中温であると検出された場合、値Ｎ22が閾値ｎとして交代処理部９４に設定される。さらに、媒体種検出手段により１．３ＧＢの媒体種が検出され、温度検出手段により高温であると検出された場合、値Ｎ43が閾値ｎとして交代処理部５０４に設定される。
【００７９】
以上のように媒体種検出手段及び温度検出手段により媒体種及び温度を検出し検出された媒体種及び温度に対応する閾値ｎを閾値設定テーブルから得て、交代処理部５０４に設定することにより、媒体及び温度に応じて最適な閾値を自動的に設定できる。
なお、本実施例では媒体種及び温度に応じて閾値を設定したが、媒体種及び温度に限られるものではない。また、１種類の条件又は３種以上の条件から閾値を設定してもよい。また、媒体種は容量毎に説明したが、光磁気ディスク、相変化型光ディスク、ＤＶＤ−ＲＡＭ光ディスクなどで種別を検出するようにしてもよい。
【００８０】
さらに、上記実施例では、１．３ＧＢ光ディスクとして、ダブルマスクＲＡＤ−ＭＳＲ光磁気記録について説明したが、これに限られるものではなく、ＦＡＤ−ＭＳＲ光磁気記録や相変化記録の光ディスクであってもよい。
上記説明した実施例において、フォーマット後の２次欠陥に対するだけでなく、フォマット時に検出された１次欠陥に対する交代処理にも応用できることは言うまでもない。
【００８１】
【発明の効果】
上述の如く、本発明の請求項１によれば、不良セクタが所定数、発生すると、不良セクタが発生しやすいゾーンであると判断して、他のゾーンの交代エリアを利用し情報を記憶するので、不良の発生しやすい、ゾーンの交代エリアで交代処理が繰り返されるのを防止して、無駄な交代処理を行うことなく、短い時間で、確実に情報を記憶できる等の特長を有する。
【００８２】
請求項２によれば、情報を交代すべき先の交代エリアに所定数の不良セクタが発生したときに、不良が発生しやすいゾーンであると判断して、他のゾーンの交代エリアを利用し情報を記憶するので、不良の発生しやすい、ゾーンの交代エリアで交代処理が繰り返されるのを防止して、無駄な交代処理を行うことなく、短い時間で、確実に情報を記憶できる等の特長を有する。
【００８３】
請求項３によれば、記録媒体の初期化時に所定のゾーンに所定数の不良セクタを検出したときに、所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶することにより、情報を記憶する前に不良が発生しやすい交代エリアを判定し、他のゾーンの交代エリアを利用し情報を記憶するので、不良の発生しやすい、ゾーンの交代エリアで交代処理が繰り返されるのを防止して、無駄な交代処理を行うことなく、短い時間で、確実に情報を記憶できる等の特長を有する。
【００８４】
請求項４によれば、トラック当たりの不良セクタを検出したときに、所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶することにより、他のゾーンの交代エリアを利用し情報を記憶するので、不良の発生しやすい、ゾーンの交代エリアで交代処理が繰り返されるのを防止して、無駄な交代処理を行うことなく、短い時間で、確実に情報を記憶できる等の特長を有する。
【００８５】
請求項５によれば、記録媒体への１回のアクセスにおいて所定数の不良セクタが検出されたときに、アクセスすべき所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶することにより、他のゾーンの交代エリアを利用し情報を記憶するので、不良の発生しやすい、ゾーンの交代エリアで交代処理が繰り返されるのを防止して、無駄な交代処理を行うことなく、短い時間で、確実に情報を記憶できる等の特長を有する。
【００８６】
請求項６によれば、交代エリアの不良セクタが所定数のときにアクセスすべき所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに交代することにより、不良の発生しやすい、ゾーンの交代エリアで交代処理が繰り返されるのを防止して、無駄な交代処理を行うことなく、短い時間で、確実に情報を記憶できる等の特長を有する。
【００８７】
請求項７によれば、記録媒体の種類に応じて不良の発生しやすさを判断して、不良の発生しやすさに応じて交代エリアを他のゾーンに切り換える所定数を設定することにより、記録媒体の種類毎に最適な交代制御を行える等の特長を有する。
請求項８によれば、温度に応じて不良の発生しやすさを判断して、不良の発生しやすさに応じて交代エリアを他のゾーンに切り換える所定数を設定することにより、温度に応じて最適な交代制御を行える等の特長を有する。
【００８８】
請求項９によれば、他のゾーンに交代を行うまでの数を設定する回数を外部から設定可能とすることにより、使用状況に応じて所定回数の設定が行え、最適な交代制御を行える等の特長を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の一例の処理フローチャートである。
【図２】従来の一例の動作説明図である。
【図３】本発明の第１実施例のブロック構成図である。
【図４】本発明の第１実施例の機能ブロック図である。
【図５】本発明の第１実施例の光ディスクのデータ構成図である。
【図６】本発明の第１実施例の欠陥管理領域のデータ構成図である。
【図７】本発明の第１実施例のディスクマップデータのデータ構成図である。
【図８】本発明の第１実施例の光ディスクのユーザゾーンのデータ構成図である。
【図９】本発明の第１実施例の１次及び２次欠陥リストを説明するための図である。
【図１０】本発明の第１実施例の交代処理部の処理フローチャートである。
【図１１】本発明の第１実施例の交代処理部の第１の交代処理条件の動作説明図である。
【図１２】本発明の第１実施例の交代処理部の第２の交代処理条件の動作説明図である。
【図１３】本発明の第１実施例の交代処理部の第３の交代処理条件の動作説明図である。
【図１４】本発明の第１実施例の交代処理部の第４の交代処理条件の動作説明図である。
【図１５】本発明の第１実施例の交代処理部の第５の交代処理条件の動作説明図である。
【図１６】本発明の第１実施例の交代処理部の第６の交代処理条件の動作説明図である。
【図１７】本発明の第１実施例の閾値の設定方法を説明するための図である。
【図１８】本発明の第２実施例の機能ブロック図である。
【図１９】本発明の第２実施例の閾値設定テーブルのデータ構成図である。
【符号の説明】
１００ 光ディスクドライブ
１１０ コントロールユニット
１１１ エンクロージャ
１１２ ＭＰＵ
１１２ａ プログラム領域
１１３ 光ディスクコントローラ
１１３ａ フォーマッタ
１１３ｂ ＥＣＣ処理部
１１４ ＤＳＰ
１１５ 上位インタフェース
１１６ バッファメモリ
１１７ ライトＬＳＩ回路
１１７ａ ライト変調部
１１７ｂ ＬＤ制御回路
１１８ リードＬＳＩ回路
１１８ａ リード復調部
１１８ｂ 周波数シンセサイザ
１１９〜１２３ ドライバ
１２４ ＦＥＳ検出回路
１２５ ＴＥＳ検出回路
１２６ ＴＺＣ検出回路
１２７ レーザダイオードユニット
１２７ａ レーザダイオード
１２７ｂ モニタＰＤ
１２８ ＩＤ／ＭＯ用ディテクタ
１２９ ヘッドアンプ
１３０ 温度センサ
１３１ スピンドルモータ
１３２ 磁場印加部
１３３ ＦＥＳ用ディテクタ
１３４ ＴＥＳ用ディテクタ
１３５ レンズ位置センサ
１３６ フォーカスアクチュエータ
１３７ レンズアクチュエータ
１３８ ＶＣＭ
１３９ コマンド処理部
１４０ 交代処理部
１４１ 媒体アクセス部
１４２ 欠陥管理部
４２１ ディスク定義構造
４２２ １次欠陥リスト
４２３ ２次欠陥リスト
Claims (9)
- 複数のゾーンに分割された記録媒体に情報を記憶する記憶装置において、
前記複数のゾーンに交代エリアを有し、所定のゾーンの不良セクタを検出する不良セクタ検出手段と、
前記不良セクタ検出手段により検出された前記不良セクタが所定数のときに、前記所定のゾーンの交代エリアに空きがあったとしても前記交代エリアを使用せずに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶する情報記憶制御手段を有することを特徴とする記憶装置。 - 前記不良セクタ検出手段は、所定のゾーンの交代エリアの不良セクタを検出する第１の不良セクタ検出手段を有し、
前記情報記憶制御手段は、前記第１の不良セクタ検出手段により検出された前記不良セクタが所定数のときに、前記所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶する第１の制御手段を有することを特徴とする請求項１記載の記憶装置。 - 前記不良セクタ検出手段は、前記記憶媒体の初期化時の不良セクタを検出する第２の不良セクタ検出手段を有し、
前記情報記憶制御手段は、前記第２の不良セクタ検出手段により検出された前記不良セクタが所定数のときに、前記所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶する第２の制御手段を有することを特徴とする請求項１又は２記載の記憶装置。 - 前記不良セクタ検出手段は、トラック当たりの不良セクタを検出する第３の不良セクタ検出手段を有し、
前記情報記憶制御手段は、前記第３の不良セクタ検出手段により検出された前記不良セクタが所定数のときに、前記所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶する第３の制御手段を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載の記憶装置。 - 前記不良セクタ検出手段は、前記記録媒体への１回のアクセスにおける不良セクタを検出する第４の不良セクタ検出手段を有し、
前記情報記憶制御手段は、前記第４の不良セクタ検出手段により検出された前記不良セクタが所定数のときに、前記アクセスすべき所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶する第４の制御手段を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載の記憶装置。 - 前記不良セクタ検出手段は、前記記録媒体の交代エリアにおける不良セクタを検出する第５の不良セクタ検出手段を有し、
前記情報記憶制御手段は、前記第５の不良セクタ検出手段により検出された前記不良セクタが所定数のときに、前記アクセスすべき所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶する第５の制御手段を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項記載の記憶装置。 - 前記挿入された記録媒体の種類を検出する媒体検出手段を有し、
前記情報記憶制御手段は、前記媒体検出手段で検出された媒体の種類に応じて所定数を設定し、前記不良セクタ検出手段により検出された前記不良セクタが所定数のときに、前記アクセスすべき所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶する第６の制御手段を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項記載の記憶装置。 - 温度を検出する温度検出手段を有し、
前記情報記憶制御手段は、前記温度検出手段により検出された温度に応じて所定数を設定し、前記不良セクタ検出手段により検出された前記不良セクタが該所定数のときに、前記アクセスすべき所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶する第７の制御手段を有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項記載の記憶装置。 - 前記情報記憶制御手段で所定のゾーンに記憶すべき情報を他のゾーンの交代エリアに記憶する所定数を外部から指示により設定する設定手段を有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項記載の記憶装置。
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