JP3006645B2

JP3006645B2 - 光ディスク装置

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Publication number: JP3006645B2
Application number: JP4359176A
Authority: JP
Inventors: 昭西沢; 完治茅沼
Original assignee: Victor Company of Japan Ltd
Current assignee: Victor Company of Japan Ltd
Priority date: 1992-12-25
Filing date: 1992-12-25
Publication date: 2000-02-07
Anticipated expiration: 2015-02-07
Also published as: JPH0750028A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、非線形光学材料層を有
する光ディスクの再生をする光ディスク装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】微細な情報ピットが凹凸の形状で周回状
に形成される光ディスクは、近年その大容量化が検討さ
れているが、光ディスクへの記録では、レーザ光スポッ
トの光強度がガウス分布をしているため、記録媒体の感
度を変えたり或いは光ヘッドのレーザー光出力を制御す
ることによって、レンズによって集光されたレーザ光の
光スポット径よりも小径の記録マークを光ディスク媒体
上に形成することが可能である。しかし再生時には、レ
ンズで集光された再生用レーザー光のスポット径は、再
生用光ヘッドに於けるレーザ光の波長やレーザ光を集光
する対物レンズの開口数によって制限される光スポット
径の最小限界値より小さくは出来ない。

【０００３】即ち、光ディスクに凹凸の記録マーク（以
下、記録マークをピット又は情報ピットとも記す）によ
って記録された情報の再生に於いて、再生用レーザ光の
波長をλ、前記レーザ光を集光する対物レンズの開口数
をＮＡとする時、再生限界の記録マークのピッチ（以
下、最短ピッチとも記す）は、λ／２ＮＡとなる。こ
のことから、より短いピッチの記録マークを識別して再
生するために、波長λの短いレーザ光を用いることや、
前記開口数ＮＡの大きなレンズを用いることが考えられ
るが、再生に用いる半導体レーザーの短波長化は技術的
に困難が多く、また開口数ＮＡの大きなレンズを光ディ
スクの再生装置に組み込むことは、小型化や制御性等の
観点から困難がある。

【０００４】一方、光ディスクの記録密度の向上方法と
しては、前記したレーザ光の波長や対物レンズの開口数
に着眼した方法とは別に、再生時に光スポットを実効的
に小さくする方法が、特開平２−９６９２６号公報に開
示されている。これは、再生時に記録媒体の情報トラッ
クをレーザ光で走査する場合に、記録媒体を走査する走
査ビームの照射により走査スポット内で識別状態が発生
し、その結果実効走査スポットが元の走査スポットより
もかなり小さくなると言う光学効果を発生させる非線形
光学材料の層を光ディスクに設けて、この光ディスクの
情報面を光学的に走査するようにした方法である。

【０００５】図３は、非線形光学材料を使用した一般的
な光ディスクの断面図である。図３に示す光ディスク４
０Ａに於いて、透明基板４１の上に、３次非線形光学材
料層４２、反射層４３、保護膜４４が夫々積層されて、
光ディスク４０Ａが構成されている。また前記光ディス
ク４０Ａには、情報を記録するための情報トラックが、
同心円状或いは螺旋状に形成され、前記情報トラック上
には、凹凸の形状でピット部が形成され、このピット部
のピットとピットとの間にはランド部が形成されてい
る。３次非線形光学材料層の厚さは、光学的に再生用レ
ーザ光の光波長の略１／２となっている。

【０００６】図３に示す光ディスク４０Ａでは、非線形
光学材料として３次非線形光学材料が用いられており、
再生には３次非線形光学現象と呼ばれる光学特性が利用
されている。即ち照射されるレーザ光の光強度があるレ
ベル以上になると、物質の屈折率や透過率が光強度の変
化に対して非線形に変化する光学現象が利用されている
ものであり、光ディスクの情報面上に集光されたレーザ
光の径を、レーザ光の波長と対物レンズの開口数で決定
される理論的最小径よりも実効的に小さくし、高い分解
能を得ようとするものである。この方法によれば、レー
ザ光の波長と対物レンズの開口数から決定される限界分
解能以上にまで分解能を向上させうる超解像現象が得ら
れるとされている。

【０００７】以下に、前記した３次非線形光学材料につ
いて説明する。３次非線形光学材料については、「レー
ザ分光学」（ＭａｒｋＤ．Ｌｅｖｅｎｓｏｎ、Ｓａｔ
ｏｒｕＳ．Ｋａｎｏ著オーム社昭和６３年刊）
や、「位相共役分光学」（左貝潤一著朝倉書店１９
９０年刊）等に述べられている。３次非線形光学材料
は、略全ての物質が有している性質であるが、図３に示
す光ディスク４０Ａで用いられる材料としては、３次非
線形光学材料の程度を表すＸ（３）が比較的大きなもの
が必要であって、使用される材料は自ずと限定されてく
る。

【０００８】３次非線形光学現象は、３次非線形光学材
料に入射する光の強度に応じて光学材料の吸収係数や屈
折率が非線形に変化する現象である。例えば有機色素系
材料等では、色素の吸収波長近傍の波長を有するレーザ
光線が色素に照射された場合、ある光強度以上の光で色
素の吸収係数が急激に減少する性質を有しており、これ
は飽和吸収現象として知られている。この現象は純物理
的現象で可逆的であり、色素に入射する光強度を弱める
と速やかに元の吸収係数に回復するために、超解像現象
を利用した光ディスクに使用することが可能である。

【０００９】また、直接遷移型半導体等では、半導体の
バンドギャップ近傍の周波数の光が入射した時、励起状
態のキャリア密度が極端に増加し、飽和吸収を起こしそ
れと同時に屈折率の低下も起こすためにやはり超解像現
象を利用した光ディスクに使用することが可能である。
またこれとは別に、純化学的現象としてのフォトクロミ
ック現象がある。これは、物質に光が照射されるとその
物質は光エネルギーを受け異性化又は解離して、その分
子構造が変化し、その結果前記物質の特定波長に於ける
吸収係数が変化するものであり、光によって透過率が変
化するために広い意味での３次非線形光学材料と呼ぶこ
とが出来る。

【００１０】以上、３次非線形光学材料の例を示した
が、光を照射された物質の光透過率が光強度に応じて変
化するものは広義には全て３次非線形光学材料と呼ばれ
る。図４は、３次非線形光学材料の光学特性の一例を示
す図である。図４に於いて、横軸は光強度を示し、曲線
Ｃ１は３次非線形光学材料の透過率を示す。曲線Ｃ１で
示すように、３次非線形光学材料を照射する光強度を次
第に増加させた場合、ある光強度の近傍で材料の透過率
が急激に上昇する。また、曲線Ｃ２で示すように、レー
ザ光の光強度は、ビーム中心で最大となり、中心から離
れるに従って光強度が小となる。そして光ビームの中心
部ＣＣが前記超解像現象の発現に利用される。

【００１１】このように、レーザ光はその中心部ほど光
強度が強く、いわゆるガウス分布をしていることは良く
知られている。このため、前記光ディスク４０Ａの３次
非線形光学材料層４２を照射するレーザ光強度を適当に
調整すれば、３次非線形光学材料層４２に於いてレーザ
光の中心部のみで透過率が向上する。従って、反射層４
３に到達するレーザ光のスポット径は、前記光学的理論
で示される最小スポット径よりも小さなものとなる。と
ころが、実際の光ディスク再生装置に於いては、レーザ
出力の変動、対物レンズの汚れ、ディスク基板内の複屈
折の不斉一や透過率のばらつき、３次非線形光学材料の
膜厚のばらつきや吸収係数のばらつき等により、前記３
次非線形光学材料層４２に照射されるレーザ光の光強度
は５０％以上も変化することがあり、前記超解像現象の
発現が期待通りには得られ難いことが判明した。

【００１２】図５は、実質的光スポット径の変動を説明
する図である。図５に於いて、情報トラック上に形成さ
れている多数のピットＰが示されている。同図の（Ａ）
は光ディスクの再生に最適な光強度のレーザ光が照射さ
れた場合の図であり、対物レンズで収束されたレーザ光
の径は、３次非線形光学材料層４２の入射側ではＣ３で
示すように大きく、出射側では小さくなってＣ４で示す
ように再生に最適なビーム径となる。前記実効的光スポ
ット径とは、前記３次非線形光学材料層を通過した後の
光スポットの径を指すものである。

【００１３】一方、同図の（Ｂ）は、（Ａ）の場合より
弱い光強度のレーザ光が照射された場合の図であり、３
次非線形光学材料層４２に入射されるレーザ光の光強度
が最適な光強度より小さいために、３次非線形光学材料
層４２の出力側に於けるビーム径Ｃ５は、Ｃ４で示す最
適な大きさに比べ小さくなっている。この場合、必要以
上の超解像現象が生じ、情報ピットから読み出される情
報信号が変形したり、前記情報信号の出力が小さくなっ
たり、或いは読取りが不可能になったりする。逆にレー
ザ光の光強度が大きすぎた場合には、３次非線形光学材
料層４２の出力側に於けるビーム径が最適径より大きく
なって必要な超解像現象が生じなくなってしまい、情報
ピットから読み出される情報信号が変形したり、前記情
報信号の出力が小さくなったり、或いは読取りが不可能
になったりする。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】３次非線形光学材料層
を光ディスクに設けて超解像現象を発現させ、高密度光
ディスクを再生する方法では、前記３次非線形光学材料
層を照射するレーザ光の光強度の変化やディスク毎の光
学特性のばらつき等により、再生信号の状態が大きく変
化すると言う問題点があった。本発明の光ディスク装置
は、前記問題点に鑑み発明されたもので、その目的は、
非線形光学材料層を有する光ディスクの再生に於いて、
再生用光源の変動やディスク毎の光学特性のばらつきに
対して、安定に超解像現象が発現し良好な再生信号が得
られる光ディスク装置を提供することである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る本発明の
光ディスク装置は、少なくとも、周回状の情報トラック
を有する透明基板と、照射されるレーザ光の強度変化に
対して屈折率または透過率が非線形に変化する３次非線
形光学材料層と、反射層とがこの順に積層された光ディ
スクを、光学ヘッドの再生用レーザ光源から出射したレ
ーザ光を用いて再生する光ディスク装置において、前記
再生用レーザ光源の光強度を順次異なる値に制御するた
めの掃引信号を発生する掃引信号発生手段を用いて、前
記再生用レーザ光源の光強度を前記光ディスク装置に装
着された再生対象の光ディスクに対して最適な光強度に
校正するレーザ光源制御装置を備え、前記レーザ光源制
御装置は、前記掃引信号発生手段の出力に応じて異なる
光強度のレーザ光を前記再生用レーザ光源から順次出力
させながら前記光学ヘッドにより前記光ディスクを再生
させて、再生高周波（ＲＦ）信号の前記各光強度ごとの
振幅を検出し、前記再生高周波（ＲＦ）信号の振幅を基
にして前記再生用レーザ光源の光強度を最適値に設定
し、その後、前記レーザ光源制御装置で校正された光強
度の前記再生用レーザ光源を用いて、前記再生対象の光
ディスクの再生を行うようにした光ディスク装置であ
る。請求項２に係る本発明の光ディスク装置は、前記再
生用レーザ光源の光強度を順次異なる値に制御するため
の掃引信号を発生する掃引信号発生手段を用いて、前記
再生用レーザ光源の光強度を前記光ディスク装置に装着
された再生対象の光ディスクに対して最適な光強度に校
正するレーザ光源制御装置を備え、前記レーザ光源制御
装置は、前記掃引信号発生手段の出力に応じて異なる光
強度のレーザ光を前記再生用レーザ光源から順次出力さ
せながら光学ヘッドにより前記光ディスクを再生させ
て、再生高周波（ＲＦ）信号のうち前記光ディスクに記
録される最短情報ピットに対応した最高繰り返し周波数
成分の振幅を前記各光強度ごとに検出し、前記最高繰り
返し周波数成分の振幅を基にして前記再生用レーザ光源
の光強度を最適値に設定し、その後、前記レーザ光源制
御装置で校正された光強度の前記再生用レーザ光源を用
いて、前記再生対象の光ディスクの再生を行うようにし
た光ディスク装置である。請求項３に係る本発明の光デ
ィスク装置は、前記再生用レーザ光源の光強度を順次異
なる値に制御するための掃引信号を発生する掃引信号発
生手段を用いて、前記再生用レーザ光源の光強度を前記
光ディスク装置に装着された再生対象の光ディスクに対
して最適な光強度に校正するレーザ光源制御装置を備
え、前記レーザ光源制御装置は、前記掃引信号発生手段
の出力に応じて異なる光強度のレーザ光を前記再生用レ
ーザ光源から順次出力させながら前記光学ヘッドにより
前記光ディスクを再生させて、再生高周波（ＲＦ）信号
のうち前記光ディスクに記録される最短情報ピットに対
応した最高繰り返し周波数成分の振幅を前記各光強度ご
とに検出し、前記再生用レーザ光源の光強度の変化に対
する前記最高繰り返し周波数成分の振幅の変化率が略最
大になるように前記再生用レーザ光源の光強度を設定
し、その後、前記レーザ光源制御装置で校正された光強
度の前記再生用レーザ光源を用いて、前記再生対象の光
ディスクの再生を行うようにした光ディスク装置であ
る。

【００１６】

【作用】光ディスクに設けられた３次非線形光学材料層
では、適当な光強度を有するレーザ光が照射されると、
このレーザスポットの中心部のみで透過率が高くなるた
め、照射されたレーザ光の光スポット径よりも実効的に
径の小さな光スポットが光ディスクの反射層に照射され
ることになり、前記超解像現象が得られる。前記超解像
現象を安定に得るためには、前記３次非線形光学材料層
に照射されるレーザ光の光強度を最適値近傍に設定する
必要がある。このため、光ディスク装置の起動後、まず
レーザ光源の出力を変化させながらトラック上に形成さ
れた最短ピットからの情報が検出され、この信号の振幅
の変化率が最大となるレーザ光出力が検出され、その後
前記検出されたレーザ光出力で光ディスクの再生が行わ
れる。

【００１７】

【実施例】本発明の光ディスク装置は、光強度の変化に
対して光学的透過率が非線形に変化する光学材料からな
る３次非線形光学材料層と反射層とが透明基板上に積層
され周回状に設けられたトラック上に情報ピットが形成
されている光ディスクを、レーザ光源からのレーザ光を
用いて再生するようにした光ディスク装置であって、前
記光ディスクから得られる再生信号を用いて前記レーザ
光源の再生時の光強度を決定しこの光強度になるように
前記レーザ光源を制御するレーザ光源制御装置を備えて
いる光ディスク装置である。

【００１８】以下、図１を用いて本発明の光ディスク装
置の一実施例について説明する。図１は、本発明の光デ
ィスク装置の一実施例の要部を示す図である。図１に示
すように、光ディスク装置１０は、光ディスク４０に設
けられた周回状の情報トラックに凹凸の形状で形成され
た情報ピットから信号を再生する装置である。図３は、
非線形光学材料を使用した一般的な光ディスクの断面図
である。前記光ディスク４０は、図３に示すように基板
４１、３次非線形光学材料層４２、反射層４３、保護膜
４４が積層された構造となっていて従来例で説明した光
ディスク４０Ａと略同様のものである。

【００１９】しかし前記光ディスク４０では、周回状に
設けられた情報トラックには、再生時に使用するレーザ
光の光強度を設定するための光強度設定用トラックがデ
ィスク１周分設けられており、前記光強度設定用トラッ
ク上には、多数のピットが連続的に略同一のピッチで形
成されており、このピッチは、前記光ディスクに記録さ
れる最高繰り返し周波数に相当する最短ピッチである。
これは、超解像現象を用いる光ディスクから得られる情
報信号で、レーザ光強度の変化によって最も変化するの
は、前記最短情報ピットからの信号成分であることに着
目されたものである。

【００２０】また、前記光ディスク４０の３次非線形光
学材料層４２は、ポリカーボネート樹脂を用いた基板４
１に、スパッタリング装置を用いて、ＧａＡｓ、Ｉｎ
Ｐ、ＣｄＳ等の内の１つの材料によって成膜されたもの
であり、膜厚はレーザ光波長７８０ｎｍで光学長がλ／
２となるように設定されている。前記３次非線形光学材
料層４２の上には、アルミニウムからなる反射層４３が
成膜され、その上に紫外線硬化樹脂からなる保護膜４４
が設けられている。

【００２１】図１に示す光ディスク装置１０に於いて、
レーザ光源３から出射されたレーザ光は、コリメートレ
ンズ４で平行光とされ、ビームスプリッタ５を通過す
る。前記ビームスプリッタ５を通過したレーザ光は、対
物レンズ６によって集光され、前記光ディスク４０上で
光スポットを結像する。前記レーザ光が前記光ディスク
４０上で光スポットを形成するようにフォーカス制御が
かけられ、前記光スポットが前記情報トラックの中心を
走査するようにトラッキング制御がかけられる。前記フ
ォーカス制御やトラッキング制御は、前記対物レンズ６
がアクチュエータ７によって移動されることによって行
われる。

【００２２】前記光ディスク４０の反射層４３で反射さ
れたレーザ光は、対物レンズ６を通り、ビームスプリッ
タ５で反射され、集光レンズ８に入射する。前記集光レ
ンズ８で集光されたレーザ光は、２分割光検知器９に入
射される。前記２分割光検知器９は、その分割線が前記
情報トラックの中心線に実質的に対応するように配置さ
れる。前記２分割光検知器９の出力Ｓｄは、分割された
２つの光検知器から出力される２つの信号からなり、こ
の２つの信号から、フォーカス制御をかけるためのフォ
ーカス誤差信号、トラッキング制御をかけるためのトラ
ッキング誤差信号が生成されるが、これらの装置につい
ては図示を省略してある。

【００２３】また前記２分割光検知器９の出力Ｓｄは、
レーザ光源制御装置２に供給され、前記レーザ光源３の
光強度は、前記レーザ光源制御装置２の出力信号Ｓｃに
応じて制御される。前記光ディスク装置１０に於いて、
光ディスク４０が装着され起動された後、前記信号Ｓｃ
によってレーザ光源３の光強度を徐々に変化させなが
ら、前記光ディスク４０に設けられている前記光強度設
定用トラックの情報が再生され、この再生された信号の
振幅が検出される。そして前記信号の振幅の変化率が最
大となった時点で、前記レーザ光源３に印加されている
信号Ｓｃの値Ｓｃｐが記憶される。

【００２４】この後、前記レーザ光源制御装置２の出力
Ｓｃは前記Ｓｃｐに固定され、この信号が前記レーザ光
源３に入力され、レーザ光の光強度は光ディスクの再生
に最適な光強度に維持される。図２は、本発明に於ける
レーザ光源制御装置の一実施例を示すブロック図であ
る。以下、レーザ光源制御装置２について図２を基に説
明する。光ディスク４０が光ディスク装置１０に装着さ
れ、起動された直後では、図２に示すスイッチ２９の出
力端子３１を介して、前記レーザ光源３に対して出力さ
れる。前記スイッチ２９は、その制御端子３２の信号に
よって切り替えられる半導体スイッチである。また掃引
信号発生手段２８は、光ディスク装置１０のメカコンか
ら制御端子３３に印加される信号によって信号の発生開
始や停止が制御される。

【００２５】図６は、レーザ光強度設定時に於けるレー
ザ光強度及びその制御装置の状態を示す図である。光デ
ィスク装置１０の起動時に於いて、前記レーザ光源３の
光強度は、図６の（Ａ）に示すように制御される。即ち
起動直後のレーザ光強度は予め定められた所定値Ｐ１で
あり、フォーカス制御やトラッキング制御の引き込み動
作が終了した時間ｔ１では前記Ｐ１より小さいＰ２とさ
れる。前記ｔ１より所定時間Ｔｃ経過後の時間ｔ２まで
は一定の率で増加し、時間ｔ２では前記Ｐ１より大きい
Ｐ３とされる。前記時間Ｔｃは、光ディスク４０が１回
転するのに要する時間よりも小さい。

【００２６】前記時間ｔ１とｔ２の間では、前記光強度
設定用トラックから読み出された信号の振幅が検出さ
れ、その変化率が最大となる時間ｔｐが検出され、この
時間ｔｐに於ける光強度がＰ４であったとすると、前記
時間ｔ２以降では、前記レーザ光源３の光強度は前記Ｐ
４とされる。図６の（Ｂ）には、前記時間ｔ１からｔ２
に於ける再生信号の振幅Ｖａとその振幅の変化率Ｖｄが
示され、時間ｔｐに於いて前記変化率Ｖｄが最大になっ
ていることが示されている。

【００２７】図２に於いて、前記光検知器９からの２つ
の信号からなる信号Ｓｄは、ＲＦ信号検出回路２２に印
加され、前記２つの信号が加算されてＲＦ信号Ｓｒが生
成される。このＲＦ信号Ｓｒは、信号量検出手段１５に
印加される。尚、前記ＲＦ信号Ｓｒは、再生信号として
図示しない復号装置などに供給されるが、その説明は省
略する。前記信号量検出手段１５では、前記ＲＦ信号Ｓ
ｒが、バンドパスフィルタ２３と振幅検出回路２４とに
よって、所定周波数成分だけが検出されその振幅Ｖａが
検出されて変化率検出手段２５に対して出力される。

【００２８】前記バンドパスフィルタの中心周波数は、
光ディスク４０の最短ピットに対応した周波数近傍に設
定されている。また、前記振幅検出回路２４では、信号
のピーク値或いはピーク・ピーク値が検出される。前記
変化率検出手段２５は、所定時間ごとに前記振幅Ｖａが
サンプリングされその変化率が検出されるが、例えば簡
単な微分回路で構成することもできる。

【００２９】前記変化率検出手段２５の出力Ｖｄは、出
力Ｖｄが最大となる点を検出しその時点での前記掃引信
号発生手段２８の出力レベルを記憶する記憶手段１６に
印加される。この記憶手段１６は、前記信号Ｖｄが最大
となる点を検出するピーク検出回路２６と、そのときの
前記掃引信号発生手段２８の出力レベルを記憶するサン
プルホールド回路２７とからなっており、前記サンプル
ホールド回路２７には、前記掃引信号発生手段２８の出
力が印加されている。尚、前記時間ｔ２以降では、前記
スイッチ２９の出力端子３１は前記記憶手段１６の出力
側と接続され、前記記憶手段１６の出力が前記レーザ光
源３に対して出力される。

【００３０】本発明の光ディスク装置では、３次非線形
光学材料層４２が設けられた光ディスク４０を用い、例
えば波長７８０ｎｍの半導体レーザ光源を用いて再生評
価を行ったところ、再生光の光強度を最適値に設定する
ためのレーザ光源制御装置２が設けられているため、再
生時にはまず、使用する光ディスクや再生装置の特性か
ら自動的にレーザ光強度が最適値に設定され、必要とさ
れる超解像現象が良好に発現し、従来の光ディスクに比
べ、情報信号ピット幅、ピット長とも２／３の大きさの
高密度光ディスクが、Ｃ１エラー比率０．５％と非常に
良好に再生できた。

【００３１】また、前記光ディスク４０を前記レーザ光
源制御装置を持たない再生装置で再生したところ、前記
超解像現象が発現し情報信号が得られるものの、Ｃ１エ
ラー比率が５％と大きく、正常な再生は出来なかった。
尚、前記レーザ光源制御装置２に於いて、再生に最適な
レーザ光強度を決定する場合、実施例では掃引信号発生
手段２８によってレーザ光源の光強度を連続的に変化さ
せたが、レーザ光強度をディスク１回転ごとに不連続に
変化させ、再生信号の内最短ピットに対応する成分の振
幅のディスク１回転毎の平均値を求め、その変化率が最
大になる条件を検出するようにしても良い。この場合、
実施例で述べたような最短ピッチのピットが連続的に形
成されたトラックは必ずしも必要ではない。

【００３２】

【発明の効果】本発明の光ディスク装置によれば、光デ
ィスクの非線形材料層を照射するレーザ光の光強度を再
生に適切な値とすることが出来、良好に超解像現象を発
現させることが出来るため、非線形光学材料層を有する
高密度光ディスクを安定に再生することが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光ディスク装置の一実施例の要部を示
す図である。

【図２】本発明に於けるレーザ光源制御装置の一実施例
を示すブロック図である。

【図３】非線形光学材料を使用した一般的な光ディスク
の断面図である。

【図４】３次非線形光学材料の光学特性の一例を示す図
である。

【図５】実質的光スポット径の変動を説明する図であ
る。

【図６】レーザ光強度設定時に於けるレーザ光強度及び
その制御装置の状態を示す図ある。

【符号の説明】

２レーザ光源制御装置３再生用レーザ光源４コリメートレンズ５ビームスプリッタ６対物レンズ７アクチュエータ８集光レンズ９２分割光検知器１０光ディスク装置１５信号量検出手段１６記憶手段２５変化率検出手段２８掃引信号発生手段４０光ディスクＳｒ再生高周波（ＲＦ）信号

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 7/125

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも、周回状の情報トラックを有す
る透明基板と、照射されるレーザ光の強度変化に対して
屈折率または透過率が非線形に変化する３次非線形光学
材料層と、反射層とがこの順に積層された光ディスク
を、光学ヘッドの再生用レーザ光源から出射したレーザ
光を用いて再生する光ディスク装置において、前記再生用レーザ光源の光強度を順次異なる値に制御す
るための掃引信号を発生する掃引信号発生手段を用い
て、前記再生用レーザ光源の光強度を前記光ディスク装
置に装着された再生対象の光ディスクに対して最適な光
強度に校正するレーザ光源制御装置を備え、前記レーザ光源制御装置は、前記掃引信号発生手段の出
力に応じて異なる光強度のレーザ光を前記再生用レーザ
光源から順次出力させながら前記光学ヘッドにより前記
光ディスクを再生させて、再生高周波（ＲＦ）信号の前
記各光強度ごとの振幅を検出し、前記再生高周波（Ｒ
Ｆ）信号の振幅を基にして前記再生用レーザ光源の光強
度を最適値に設定し、その後、前記レーザ光源制御装置で校正された光強度の
前記再生用レーザ光源を用いて、前記再生対象の光ディ
スクの再生を行うようにしたことを特徴とする光ディス
ク装置。
【請求項２】少なくとも、周回状の情報トラックを有す
る透明基板と、照射されるレーザ光の強度変化に対して
屈折率または透過率が非線形に変化する３次非線形光学
材料層と、反射層とがこの順に積層された光ディスク
を、光学ヘッドの再生用レーザ光源から出射したレーザ
光を用いて再生する光ディスク装置において、前記再生用レーザ光源の光強度を順次異なる値に制御す
るための掃引信号を発生する掃引信号発生手段を用い
て、前記再生用レーザ光源の光強度を前記光ディスク装
置に装着された再生対象の光ディスクに対して最適な光
強度に校正するレーザ光源制御装置を備え、前記レーザ光源制御装置は、前記掃引信号発生手段の出
力に応じて異なる光強度のレーザ光を前記再生用レーザ
光源から順次出力させながら前記光学ヘッドにより前記
光ディスクを再生させて、再生高周波（ＲＦ）信号のう
ち前記光ディスクに記録される最短情報ピットに対応し
た最高繰り返し周波数成分の振幅を前記各光強度ごとに
検出し、前記最高繰り返し周波数成分の振幅を基にして
前記再生用レーザ光源の光強度を最適値に設定し、その後、前記レーザ光源制御装置で校正された光強度の
前記再生用レーザ光源を用いて、前記再生対象の光ディ
スクの再生を行うようにしたことを特徴とする光ディス
ク装置。
【請求項３】少なくとも、周回状の情報トラックを有す
る透明基板と、照射されるレーザ光の強度変化に対して
屈折率または透過率が非線形に変化する３次非線形光学
材料層と、反射層とがこの順に積層された光ディスク
を、光学ヘッドの再生用レーザ光源から出射したレーザ
光を用いて再生する光ディスク装置において、前記再生用レーザ光源の光強度を順次異なる値に制御す
るための掃引信号を発生する掃引信号発生手段を用い
て、前記再生用レーザ光源の光強度を前記光ディスク装
置に装着された再生対象の光ディスクに対して最適な光
強度に校正するレーザ光源制御装置を備え、前記レーザ光源制御装置は、前記掃引信号発生手段の出
力に応じて異なる光強度のレーザ光を前記再生用レーザ
光源から順次出力させながら前記光学ヘッドにより前記
光ディスクを再生させて、再生高周波（ＲＦ）信号のう
ち前記光ディスクに記録される最短情報ピットに対応し
た最高繰り返し周波数成分の振幅を前記各光強度ごとに
検出し、前記再生用レーザ光源の光強度の変化に対する
前記最高繰り返し周波数成分の振幅の変化率が略最大に
なるように前記再生用レーザ光源の光強度を設定し、その後、前記レーザ光源制御装置で校正された光強度の
前記再生用レーザ光源を用いて、前記再生対象の光ディ
スクの再生を行うようにしたことを特徴とする光ディス
ク装置。