JP4031915B2 - 再生方法及び記憶装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は再生方法及び記憶装置に係り、特に光磁気ディスク等の記録媒体から情報を再生する再生方法及びそのような再生方法を用いる記憶装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
光磁気ディスク装置には、MSR(Magnetic Super Resolution)を採用する光磁気ディスク(以下、MSRディスクと言う)に対して、所謂ダブルマスクRAD(Double Mask Rear Aperture Detection)により情報を再生するものがある。このダブルマスクは、MSRディスクに加えられる熱と磁場とを制御することにより、トラック方向上の前後に記録された情報の干渉を排除して、記録密度を向上可能とするものである。
【0003】
MSRディスク上の制御情報がピット等の幾何学的形状の変化で記録されているコントロールゾーン以外の各ゾーンでは、情報がヘッダと記録フィールドとからなる記録フォーマットで記録される。ヘッダは、セクタの先頭を示すセクタマーク、PLL位相同期及びAGCのためのVFOフィールド、後続のID部に同期するためのアドレスマーク、セクタアドレスを認識する情報を含むID部等からなり、凹又は凸のピット等の幾何学的形状の変化で記録されている。他方、記録フィールドは、記録フィールドの開始を示すギャップ部、PLL位相同期及びAGCのためのVFOフィールド、データに同期するための同期部、データを記録するためのデータフィールド等が、光磁気記録されている。
【0004】
従来の光磁気ディスク装置では、図1に示すように、ヘッダのID部の再生が終了すると、MSRディスク上に照射するレーザダイオード(LD)等の光源からの光ビームのパワー(以下、LDパワーと言う)を記録フィールドのデータフィールドの再生が可能なLDパワーまで上昇させ、上昇させたLDパワーで再生を継続する。同図中、(a)はLDパワーを示し、(b)はゾーンにおけるヘッダのID部と記録フィールドにおけるデータフィールドを示す。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記マスクとマスクを形成するために必要な熱との間には、図2に示す如きヒステリシスな関係がある。同図中、縦軸はマスクが形成される領域及びマスクが形成されない領域を示し、横軸は再生時のLDパワーを示す。このため、再生開始時にデータフィールドのデータを再生するために必要なLDパワーは、データフィールドのデータを再生し続けるために必要なLDパワーよりも高いということを本発明者らは新規に発見した。
【0006】
つまり、従来の光磁気ディスク装置では、データフィールドのデータの再生が開始された後のLDパワーは、再生開始時にデータフィールドのデータを再生するために必要なLDパワーより低くても良いにもかかわらず、データフィールドのデータの再生は、高いLDパワーで続けられる。このため、再生が可能なLDパワーの範囲が狭い、即ち、再生時のLDパワーのマージンが狭い、という問題があることを本発明者らは新規に発見した。
【0007】
そこで、本発明は、再生時のLDパワーのマージンを拡大して高密度化を実現可能な再生方法及び記憶装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記の課題は、位置情報を含むヘッダと、データを含む記録フィールドとからなる記録フォーマットの情報領域を有する記録媒体から、光ビームを用いて情報を再生する再生方法であって、記録フィールドの先頭付近における光ビームのパワーL2が、データが記録されている記録フィールドのデータフィールドにおけるパワーL3より高くなるように制御する制御ステップを含むことを特徴とする再生方法により達成できる。
【0009】
上記の課題は、位置情報を含むヘッダと、データを含む記録フィールドとからなる記録フォーマットの情報領域を有する記録媒体から、光ビームを用いて情報を再生する記憶装置であって、前記光ビームを出射する光源と、記録フィールドの先頭付近における光ビームのパワーL2が、データが記録されている記録フィールドのデータフィールドにおけるパワーL3より高くなるように該光源を制御する制御手段を備えたことを特徴とする記憶装置によっても達成できる。
【0010】
従って、本発明によれば、再生時のLDパワーのマージンを拡大して高密度化を実現可能な再生方法及び記憶装置を実現できる。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明になる再生方法及び本発明になる記憶装置の各実施例を、以下に図面と共に説明する。
【0012】
【実施例】
先ず、本発明になる記憶装置の第1実施例を図3〜図7と共に説明する。図3は、記憶装置の第1実施例の構成を示すブロック図である。記憶装置の第1実施例では、本発明が光ディスク装置に適用されている。又、記憶装置の第1実施例は、本発明になる再生方法の第1実施例を採用する。
【0013】
図3に示すように、光ディスク装置は、大略コントロールユニット10とエンクロージャ11とからなる。コントロールユニット10は、光ディスク装置の全体的な制御を行うMPU12、ホスト装置(図示せず)との間でコマンド及びデータのやり取りを行うインタフェース17、光ディスク(図示せず)に対するデータのリード/ライトに必要な処理を行う光ディスクコントローラ(ODC)14、デジタルシグナルプロセッサ(DSP)16及びメモリ18を有する。メモリ18は、MPU12、ODC14及びインタフェース17で共用され、例えばダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)や、制御プログラムやフラグ情報等を格納する不揮発性メモリ等を含む。水晶振動子101は、MPU12と接続されている。
【0014】
ODC14には、フォーマッタ14−1と、誤り訂正符号(ECC)処理部14−2とが設けられている。ライトアクセス時には、フォーマッタ14−1がNRZライトデータを光ディスクのセクタ単位に分割して記録フォーマットを生成し、ECC処理部14−2がセクタライトデータ単位にECCを生成して付加すると共に、必要に応じて巡回冗長検査(CRC)符号を生成して付加する。更に、ECC処理部14−2はECCの符号化が済んだセクタデータを例えば1−7ランレングスリミテッド(RLL)符号に変換する。
【0015】
リードアクセス時には、セクタデータに対して1−7RLLの逆変換を行い、次にECC処理部14−2でCRCを行った後にECCによる誤り検出及び誤り訂正を行う。更に、フォーマッタ14−1でセクタ単位のNRZデータを連結してNRZリードデータのストリームとしてホスト装置に転送させる。
【0016】
ODC14に対しては、リード/ライト大規模集積回路(LSI)20が設けられ、リード/ライトLSI20は、ライト変調部21、レーザダイオード制御回路22、リード復調部25及び周波数シンセサイザ26を有する。レーザダイオード制御回路22の制御出力は、エンクロージャ11側の光学ユニットに設けられたレーザダイオードユニット30に供給される。レーザダイオードユニット30は、レーザダイオード30−1とモニタ用ディテクタ30−2とを一体的に有する。ライト変調部21は、ライトデータをピットポジションモジュレーション(PPM)記録(マーク記録とも言う)又はパルスウィドスモジュレーション(PWM)記録(エッジ記録とも言う)でのデータ形式に変換する。
【0017】
レーザダイオードユニット30を使用してデータの記録再生を行う光ディスク、即ち、書き換え可能な光磁気(MO)カートリッジ媒体として、本実施例では、光ディスク上のマークエッジの有無に対応してデータを記録するPWM記録が採用されている。又、光ディスクの記録フォーマットは、超解像技術(MSR)を使用した2.3GBフォーマットであり、ZCAV方式を採用している。光ディスク装置に光ディスクをロードすると、先ず光ディスクの識別(ID)部をリードしてそのピット間隔からMPU12で光ディスクの種別(3.5インチサイズ、128MB,230MB,540/640MB,1.3GB,2.3GB,...といった記憶容量、種別等)を認識し、種別の認識結果をODC14に通知し、種別に応じた各種パラメータの設定がなされる。
【0018】
ODC14に対するリード系統としては、リード/ライトLSI20が設けられ、リード/ライトLSI20には上記の如くリード復調部25と周波数シンセサイザ26とが内蔵される。リード/ライトLSI20に対しては、エンクロージャ11に設けたID/MO用ディテクタ32によるレーザダイオード30−1からのレーザビームの戻り光の受光信号が、ヘッドアンプ34を介してID信号(エンボスピット信号)及びMO信号として入力されている。
【0019】
リード/ライトLSI20のリード復調部25には、自動利得制御(AGC)回路、フィルタ、セクタマーク検出回路等の回路機能が設けられ、リード復調部25は入力されたID信号及びMO信号からリードクロック及びリードデータを生成してPWMデータを元のNRZデータに復調する。又、ゾーンCAVを採用しているため、MPU12からリード/ライトLSI20に内蔵された周波数シンセサイザ26に対してゾーン対応のクロック周波数を発生させるための分周比の設定制御が行われる。
【0020】
周波数シンセサイザ26は、プログラマブル分周器を備えたフェーズロックドループ(PLL)回路であり、光ディスク上のゾーン位置に応じて予め定めた固有の周波数を有する再生用基準クロックをリードクロックとして発生する。即ち、周波数シンセサイザ26は、プログラマブル分周器を備えたPLL回路で構成され、通常モードでは、MPU12がゾーン番号に応じて設定した分周比m/nに従った周波数foの記録/再生用基準クロックを、fo=(m/n)・fiに従って発生する。
【0021】
ここで、分周比m/nの分母の分周値nは、光ディスクの種別に応じた固有の値である。又、分周比m/nの分子の分周値mは、光ディスクのゾーン位置に応じて変化する値であり、各光ディスクに対してゾーン番号に対応した値のテーブル情報として予め準備されている。更に、fiは、周波数シンセサイザ26の外部で発生した記録/再生用基準クロックの周波数を示す。
【0022】
リード/ライトLSI20で復調されたリードデータは、ODC14のリード系統に供給され、1−7RLLの逆変換を行った後にECC処理部14−2の符号化機能によりCRC及びECC処理を施され、NRZセクタデータに復元される。次に、フォーマッタ14−1でNRZセクタデータを繋げたNRZリードデータのストリームに変換し、メモリ18を経由してインタフェース17からホスト装置に転送される。
【0023】
MPU12に対しては、DSP16を経由してエンクロージャ11側に設けた温度センサ36の検出信号が供給されている。MPU12は、温度センサ36で検出した光ディスク装置内部の環境温度に基づき、レーザダイオード制御回路22におけるリード、ライト及びイレーズの各発光パワーを最適値に制御する。
【0024】
MPU12は、DSP16を経由してドライバ38によりエンクロージャ11側に設けたスピンドルモータ40を制御する。本実施例では、光ディスクの記録フォーマットがZCAV方式であるため、スピンドルモータ40は例えば3637rpmの一定速度で回転される。
【0025】
又、MPU12は、DSP16を経由してドライバ42を介してエンクロージャ11側に設けた電磁石44を制御する。電磁石44は、光ディスク装置内にロードされた光ディスクのビーム照射側と反対側に配置されており、記録時及び消去時に光ディスクに外部磁界を供給する。MSRを用いた1.3GB又は2.3GBフォーマットのMSR光ディスクでは、再生を行う際にも外部磁界を供給する。
【0026】
DSP16は、光ディスクに対してレーザダイオード30からのビームの位置決めを行うためのサーボ機能を備え、目的トラックにシークしてオントラックするためのシーク制御部及びオントラック制御部として機能する。このシーク制御及びオントラック制御は、MPU12による上位コマンドに対するライトアクセス又はリードアクセスに並行して同時に実行することができる。
【0027】
DSP16のサーボ機能を実現するため、エンクロージャ11側の光学ユニットに光ディスクからのビーム戻り光を受光するフォーカスエラー信号(FES)用ディテクタ45を設けている。FES検出回路46は、FES用ディテクタ45の受光出力からFESE1を生成してDSP16に入力する。
【0028】
エンクロージャ11側の光学ユニットには、光ディスクからのビーム戻り光を受光するトラッキングエラー信号(TES)用ディテクタ47も設けられている。TES検出回路48は、TES用ディテクタ47の受光出力からTESE2を生成してDSP16に入力する。TESE2は、トラックゼロクロス(TZC)検出回路50にも入力され、TZCパルスE3が生成されてDSP16に入力される。
【0029】
エンクロージャ11側には、光ディスクに対してレーザビームを照射する対物レンズの位置を検出するレンズ位置センサ54が設けられており、レンズ位置センサ54からのレンズ位置検出信号(LPOS)E4はDSP16に入力される。DSP16は、光ディスク上のビームスポットの位置を制御するため、ドライバ58,62,66を介してフォーカスアクチュエータ60、レンズアクチュエータ64及びボイスコイルモータ(VCM)68を制御して駆動する。
【0030】
図4は、エンクロージャ11の概略構成を示す断面図である。図4に示すように、ハウジング67内にはスピンドルモータ40が設けられ、インレットドア69側からMOカートリッジ70を挿入することで、MOカートリッジ70に収納された光ディスク(MOディスク)72のハブがスピンドルモータ40のターンテーブルに装着されて光ディスク72が光ディスク装置にロードされる。
【0031】
ロードされたMOカートリッジ70内の光ディスク72の下側には、VCM64により光ディスク72のトラックを横切る方向に移動自在なキャリッジ76が設けられている。キャリッジ76上には対物レンズ80が搭載され、固定光学系78に設けられているレーザダイオード30−1からのビームを立ち上げミラー82を介して入射して光ディスク72の記録面にビームスポットを結像する。
【0032】
対物レンズ80は、図3に示すエンクロージャ11のフォーカスアクチュエータ60により光軸方向に移動制御され、又、レンズアクチュエータ64により光ディスク72のトラックを横切る半径方向に例えば数十トラックの範囲内で移動可能である。このキャリッジ76に搭載されている対物レンズ80の位置が、図3のレンズ位置センサ54により検出される。レンズ位置センサ54は、対物レンズ80の光軸が直上に向かう中立位置でレンズ位置検出信号をゼロとし、光ディスク72のアウタ側への移動とインナ側への移動に対して夫々異なる曲性の移動量に応じたレンズ位置検出信号E4を出力する。
【0033】
図5は、光学系の要部を示す図である。同図中、立ち上げミラー82等の図示は省略する。レーザダイオード30−1から出射された光(レーザ)ビームは、コリメータレンズ102により平行光に変換され、ビームスプリッタ103に入射される。ビームスプリッタ103を透過した光ビームは、対物レンズ80により光ディスク72上に集光される。集光された光ビームは、光ディスク72により反射されて、ビームスプリッタ103に再度入射される。ビームスプリッタ103に再度入射された光ビームは、ウォラストンプリズム106側に反射される。ウォラストンプリズム106を通過した光ビームは、複合プリズム107及び集光レンズ108を介してID/MO用ディテクタ32に入射される。コリメータレンズ102、ビームスプリッタ103、ウォラストンプリズム106、複合プリズム107、集光レンズ108及びID/MO用ディテクタ32は、図4に示す固定光学系78内に設けられている。
【0034】
図6は、ヘッドアンプ34の要部の構成を示す図である。同図中、ID/MO用ディテクタ32は、光検出部a,bからなる2分割フォトディテクタにより構成され、ヘッドアンプ34の加算器341は、光検出部a,bの出力信号a,bを加算することでID信号(エンボスピット信号/光再生信号)を出力する。他方、ヘッドアンプ34の減算器342は、光検出部aの出力信号aから光検出部bの出力信号bを減算することでMO信号(光磁気信号)を出力する。
【0035】
図7は、リード/ライトLSI回路20内のリード復調部25の要部の構成を示す図である。リード復調部25は、同図に示す如く接続されたマルチプレクサ251、AGC回路252、AGCレベル検出回路253、ACサグキャンセラ254、微分回路255、ピーククランプ及びスライス設定回路256、セクタマーク検出回路257、データセパレータ258及び周波数シンセサイザ26からなる。
【0036】
ヘッドアンプ34からのID信号及びMO信号は、ODC14を介して供給されるゲート信号により切替制御されるマルチプレクサ251に入力され、1つの信号として出力される。マルチプレクサ251の出力信号は、出力レベルを一定にするためのAGC回路252に供給される。このAGC回路252は、AGCレベル検出回路253からの負帰還ループの中に、ローパスフィルタ、イコライザ及び微分器の機能を含む。従って、AGC回路252からは、高周波ノイズがカットされ、周波数特性が改善されると共に、低周波成分を除去された微分出力が得られる。
【0037】
AGC回路252の出力は、微分回路255を介してセクタマーク検出回路257に供給されると共に、データセパレータ258に供給される。セクタマーク検出回路257は、微分回路255を介してエッジ検出を行うことで、ヘッダのセクタマークを検出してセクタマーク信号を出力する。データセパレータ258には、ACサグキャンセラ254及びピーククランプ及びスライス設定回路256を介してデータを2値化するためのスライスレベルも入力される。これにより、データセパレータ258は、ID信号及びMO信号に対応するリードデータ及びリードクロックを出力し、データはこれらに基いて復調される。上記の如く、周波数シンセサイザ26は、光ディスク上のゾーン位置に応じて予め定めた固有の周波数を有する再生用基準クロックをリードクロックとして発生する。
【0038】
次に、本実施例において、前述したようにロードされた記録媒体の媒体種別が2.3GB以上の高密度記録媒体であると判別された場合に、レーザダイオード(LD)30−1から出射される光ビームのパワー(LDパワー)を制御するパワー制御動作について、図8及び図9と共に説明する。尚、2.3GB以下の低密度記録媒体では、パワーアップ期間はない、データフィールドから記録パワーを与える制御になっている。図8は、本実施例のパワー制御動作を説明するフローチャートである。図9は、再生時のLDパワーを説明する図である。図9中、(a)はLDパワーを示し、(b)は光ディスク72のゾーンにおけるヘッダのID部と記録フィールドにおけるデータフィールドを示す。
【0039】
図8に示す処理は、図3に示すMPU12のプログラムやファームウェアにより実行される。同図中、ステップS1は、図9(a)に示すように、LDパワーL1でヘッダのID部の再生が開始する。ステップS2は、ID部の再生が終了したか否かを判定する。ステップS2の判定結果がYESであると、ステップS3は、LDパワーを上げるようにODC14及びリード/ライトLSI回路20を介してレーザダイオードユニット30内のレーザダイオード30−1のパワーを制御する。これにより、図9中、LDパワーL2で記録フィールドの再生が開始される。又、ステップS4は、記録フィールドのデータフィールド付近で、LDパワーを継続してデータフィールドを再生するのに十分なLDパワーL3まで下げ、処理は終了する。ここで、L2>L3>L1なる関係が成立する。
【0040】
LDパワーをLDパワーL2に上昇させている期間は、例えば約10nsec〜約30μsecである。又、LDパワーL2に上昇させている期間は、例えば記録フィールドのギャップ部まで、即ち、記録フィールドのVFOフィールドの前までであっても良い。LDパワーL2は、LDパワーL3の例えば約1.01倍〜約2倍に設定される。
【0041】
次に、本実施例の第1変形例を、図10と共に説明する。図10は、第1変形例においてデータ消去を発生しないLDパワーの範囲を説明する図である。同図中、縦軸は、データの消去状態及び記録状態を示し、横軸はLDパワーを示す。
【0042】
図10に示すように、光ディスク72に記録されているデータの記録状態は、LDパワーLnまでは確実に維持される。しかし、LDパワーLnを超えると記録されているデータの記録状態は徐々に低下し、LDパワーLeを超えると記録されているデータは消去状態となる。そこで、本第1変形例では、図9(a)に示すLDパワーL2を、LDパワーLn以下、即ち、記録されているデータの消去を発生しない範囲(データを消去する際の消去パワーより低い値)に設定する。
【0043】
次に、本実施例の第2変形例を、図11と共に説明する。図11は、第2変形例における再生時のLDパワーを説明する図である。同図中、図9と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【0044】
上記第1実施例では、LDパワーをLDパワーL2からLDパワーL3に減少させるタイミングを、記録フィールドのVFOフィールドの前までに設定しているが、本変形例では、このタイミングを図11に示すように、記録フィールドのVFOフィールド開始後、且つ、記録フィールドのデータフィールドの開始前の任意の時点に設定している。
【0045】
次に、本実施例の第3変形例を、図12と共に説明する。図12は、第3変形例におけるLDパワー増加量と(環境)温度との関係を示す図である。同図中、縦軸はLDパワーをLDパワーL1からLDパワーL2に上昇させるための増加量を任意単位で示し、横軸は温度を任意単位で示す。温度は、図3に示す温度センサ36からの信号に基いてMPU12内で認識される。
【0046】
つまり、本変形例では、温度が高くなる程、LDパワーの増加量を減少させることで、LDパワーL2が不必要に高くなることを防止する。
【0047】
位置/温度に対応するパワー値は、予めテーブル化してメモリ18等のメモリに格納しておいても、計算により求めてLD制御回路22に設定しても良い。
【0048】
次に、本実施例の第4変形例を、図13と共に説明する。図13は、第4変形例におけるLDパワー増加量と光ディスク上の半径位置との関係を示す図である。同図中、縦軸はLDパワーをLDパワーL1からLDパワーL2に上昇させるための増加量を任意単位で示し、横軸は光ディスク72上の半径位置を任意単位で示す。半径位置は、ヘッダから再生される位置情報に基いてMPU12内で認識される。
【0049】
つまり、本変形例では、半径位置が光ディスク72の外周側にいく程、LDパワーの増加量を増加させることで、LDパワーL2が記録フィールドの再生を開始する際に十分高くなるようにする。
【0050】
次に、本実施例の第5変形例を、図14と共に説明する。図14は、第5変形例における再生時のLDパワーを説明する図である。同図中、図9と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【0051】
上記第1実施例では、LDパワーをLDパワーL2に上昇している期間、レーザダイオード30−1をDC発光させている。これに対し、本変形例では、LDパワーをLDパワーL2に上昇している期間、レーザダイオード30−1を複数のパルスで構成されたパルスで発光させている。各パルスの幅や振幅は、図14では同じとしているが、変化させても良い。尚、LDパワーをLDパワーL2からLDパワーL2に減少させるタイミングは、図11の如きタイミングとしても良いことは、言うまでもない。
【0052】
次に、本発明になる記憶装置の第2実施例を、図15と共に説明する。図15は、記憶装置の第2実施例のパワー制御動作を説明するフローチャートである。同図に示す処理は、図3に示すMPU12により実行される。記憶装置の第2実施例では、本発明が光ディスク装置に適用されている。又、記憶装置の第2実施例は、本発明になる再生方法の第2実施例を採用する。尚、記憶装置の第2実施例の基本構成は、上記第1実施例の基本構成と同じであるため、その図示及び説明は省略する。
【0053】
本実施例では、上記各実施例におけるLDパワーL3を上げるリードリトライ処理を行う。図15において、ステップS11は、データリードを開始し、ステップS12は、リードエラーが発生したか否かを判定し、判定結果がNOであれば処理は終了する。他方、ステップS12の判定結果がYESであると、エラーを解消する最適なLDパワーを求めるために、ステップS13は、記録フィールドのデータフィールドを再生する際のLDパワーL3を上げるリトライ処理を開始する。ステップS14は、LDパワーL3を上げる設定を行い、ステップS15は、記録フィールドのデータフィールドの前でのLDパワー2を下げる設定を行う。ステップS16は、ヘッダ(ID部)と記録フィールド(データフィールド)とのタイミング設定を行う、ステップS17は、記録フィールド内のデータフィールドのデータを再生する。ステップS18は、リードエラーが発生したか否かを判定し、判定結果がYESであると、処理はステップS14へ戻る。ステップS18の判定結果がNOであると、処理は終了する。
【0054】
次に、本発明になる記憶装置の第3実施例を、図16と共に説明する。図16は、記憶装置の第3実施例のパワー制御動作を説明するフローチャートである。同図に示す処理は、図3に示すMPU12により実行される。記憶装置の第3実施例では、本発明が光ディスク装置に適用されている。又、記憶装置の第3実施例は、本発明になる再生方法の第3実施例を採用する。尚、記憶装置の第3実施例の基本構成は、上記第1実施例の基本構成と同じであるため、その図示及び説明は省略する。
【0055】
本実施例では、上記各実施例におけるLDパワーL3を下げるリードリトライ処理を行う。図16において、ステップS21は、データリードを開始し、ステップS22は、リードエラーが発生したか否かを判定し、判定結果がNOであれば処理は終了する。他方、ステップS22の判定結果がYESであると、エラーを解消する最適なLDパワーを求めるために、ステップS23は、記録フィールドのデータフィールドを再生する際のLDパワーL3を下げるリトライ処理を開始する。ステップS24は、LDパワーL3を下げる設定を行い、ステップS25は、記録フィールドのデータフィールドの前でのLDパワー2を上げる設定を行う。ステップS26は、ヘッダ(ID部)と記録フィールド(データフィールド)とのタイミング設定を行う、ステップS27は、記録フィールド内のデータフィールドのデータを再生する。ステップS28は、リードエラーが発生したか否かを判定し、判定結果がYESであると、処理はステップS24へ戻る。ステップS28の判定結果がNOであると、処理は終了する。
【0056】
尚、LDパワー3やLDパワー2は、工場において、又は、所定のタイミングで予め測定されてメモリ18等のメモリに格納されているので、メモリから読み出してLD制御回路22に設定する。又、リトライ時に最適パワーを変更する例を説明したが、公知のテストライト処理によりテスト領域でパワー調節を行って、各半径位置の最適パワーを見つけて、メモリに格納して読み出すようにしても良い。
【0057】
図17は、LDパワーとエラーレートとの関係を示す図である。同図中、縦軸はエラーレートを示し、横軸は記録フィールドのデータフィールドを再生する際のLDパワーL3を示す。◇印は記録フィールドの再生開始時のLDパワーL2がLDパワーL3の1倍の場合、□印は記録フィールドの再生開始時のLDパワーL2がLDパワーL3の1.2倍の場合、▲印は記録フィールドの再生開始時のLDパワーL2がLDパワーL3の1.4倍の場合、×印は記録フィールドの再生開始時のLDパワーL2がLDパワーL3の1.6倍の場合を示す。
【0058】
上記従来例の場合、図17に示すように、記録フィールドの再生開始時のLDパワーL2がLDパワーL3の1倍である場合、同図の◇印のプロットからもわかるように、LDパワーL3が100%より少しでも下がるとエラーが増加していることが明白であり、LDパワーのマージンが狭い。
【0059】
これに対し、上記各実施例の如く、記録フィールドの再生開始時のLDパワーL2がLDパワーL3の1倍より大きい場合、同図の□印、▲印及び×印のプロットからもわかるように、LDパワーL3が80%程度下がらなければエラーが極めて増加することはなくなっていることが明白であり、再生が可能なLDパワーの範囲、即ち、再生時のLDパワーのマージンが拡大される。
【0060】
図18は、光ディスク72の記録フォーマットを示す図である。同図に示す記録フォーマット自体は周知であるため、本発明に直接関係する部分についてのみ説明する。
【0061】
光ディスク72上の制御情報がピット等の幾何学的形状の変化で記録されているコントロールゾーン以外の各ゾーンでは、情報がヘッダと記録フィールドとからなる図18に示す如き記録フォーマットで記録される。ヘッダは、セクタの先頭を示すセクタマークSM、PLL位相同期及びAGCのためのVFOフィールドVFO1,VFO2、後続のID部ID1,ID2に同期するためのアドレスマークAM、セクタアドレスを認識する情報を含むID部ID1,ID2、ヘッダの終わりを示すポストアンブルPAからなり、凹又は凸のピット等の幾何学的形状の変化で記録されている。例えば、ID部ID1は、トラック番号TRACK No.、ID番号ID No.、セクタ番号SECTORNo.及びCRCからなる。他方、記録フィールドは、記録フィールドの開始を示すギャップ部GAP、PLL位相同期及びAGCのためのVFOフィールドVFO3、データに同期するための同期部SYNC、データを記録するためのデータフィールドDATAFIELD、ポストアンブルPA及びバッファ部BUFFERが、光磁気記録されている。
【0062】
上記各実施例及び各変形例におけるヘッダのID部は、上記ヘッダのID部ID1からID部ID2までに対応する。従って、ID部の再生が終了した時点とは、ID部ID2の再生が終了した時点に対応するが、勿論ヘッダのポストアンブルPAをID部の再生の終了とみなすこともできる。他方、上記各実施例及び各変形例における記録フィールドのVFOフィールドは、上記記録フィールドのVFOフィールドVFO3に対応する。ヘッダの後半で光ビームのパワーを上げると、光再生(反射光量変化再生)のため、反射光の出力の制御が難しくなるため、上記実施例及び変形例では、記録フィールドの先頭で光ビームのパワーを上げている。
【0063】
上記各実施例及び各変形例では、従来装置との互換性を考慮して、例えば2.3GB未満の低密度記録媒体に対しては、本発明の機能を動作させないようにしているが、従来装置との互換性を考慮しない場合には、本発明の機能を低密度記録媒体に対して動作させても良い。この際、記録媒体の種別を判別する方法は、上記の如きID部のピットから種別を判別する方法の他に、制御情報領域の媒体情報をリードする方法を採用することも可能である。
【0064】
尚、上記各実施例及び各変形例は、適宜組み合わせ可能であることは、言うまでもない。又、本発明は、光ディスクへの適用に限定されるものではなく、各種光記録媒体、若しくは、光ビームを利用して光磁気的性質の変化で情報を記録する磁気記録媒体への適用が可能である。
【0065】
尚、本発明は、以下に付記する発明をも包含するものである。
【0066】
(付記1) 位置情報を含むヘッダと、データを含む記録フィールドとからなる記録フォーマットの情報領域を有する記録媒体から、光ビームを用いて情報を再生する再生方法であって、
記録フィールドの先頭付近における光ビームのパワーL2が、データが記録されている記録フィールドのデータフィールドにおけるパワーL3より高くなるように制御する制御ステップを含むことを特徴とする、再生方法。
【0067】
(付記2) 前記記録媒体の種別を判別する判別ステップを更に有し、高密度記録媒体であると判別された場合に前記制御ステップが実行されることを特徴とする、(付記1)記載の再生方法。
【0068】
(付記3) 前記制御ステップは、前記パワーL2を約10nsec〜約30μsecの時間維持してから前記パワーL3に減少させることを特徴とする、(付記1)又は(付記2)記載の再生方法。
【0069】
(付記4) 前記制御ステップは、前記パワーL2を、前記データフィールドに記録されているデータを消去する際の消去パワーより低いパワー値に設定することを特徴とする、(付記1)〜(付記3)のいずれか1項記載の再生方法。
【0070】
(付記5) 前記制御ステップは、前記パワーL2を前記パワーL3の約1.01倍〜約2.00倍のパワー値に設定することを特徴とする、(付記1)〜(付記4)のいずれか1項記載の再生方法。
【0071】
(付記6) 前記記録フィールドは、記録フィールドの開始を示すギャップ部、PLL位相同期及びAGCのためのVFOフィールド、データに同期するための同期部、及び前記データフィールドを含み、
前記制御ステップは、前記VFOフィールド開始前に前記光ビームのパワーを前記パワーL2から前記パワーL3に減少させることを特徴とする、(付記1)〜(付記5)のいずれか1項記載の再生方法。
【0072】
(付記7) 前記記録フィールドは、記録フィールドの開始を示すギャップ部、PLL位相同期及びAGCのためのVFOフィールド、データに同期するための同期部、及び前記データフィールドを含み、
前記制御ステップは、前記VFOフィールド開始後、且つ、前記データフィールドの開始前に前記光ビームのパワーを前記パワーL2から前記パワーL3に減少させることを特徴とする、(付記1)〜(付記5)のいずれか1項記載の再生方法。
【0073】
(付記8) 前記制御ステップは、温度又は前記記録媒体上の位置に応じて前記パワーL2を可変設定することを特徴とする、(付記1)〜(付記7)のいずれか1項記載の再生方法。
【0074】
(付記9) 前記制御ステップは、前記光ビームを前記パワーL2に設定する期間、前記光ビームの光源をDC発光又はパルス発光させることを特徴とする、(付記1)〜(付記8)のいずれか1項記載の再生方法。
【0075】
(付記10) 前記制御ステップは、前記ヘッダの再生時には前記パワーを前記パワーL3より低いパワーL1に設定することを特徴とする、(付記1)〜(付記9)のいずれか1項記載の再生方法。
【0076】
(付記11) 前記パワーL3を上げる又は下げるリードリトライ処理を行うリトライステップを更に含むことを特徴とする、(付記1)〜(付記10)のいずれか1項記載の再生方法。
【0077】
(付記12) 位置情報を含むヘッダと、データを含む記録フィールドとからなる記録フォーマットの情報領域を有する記録媒体から、光ビームを用いて情報を再生する記憶装置であって、
前記光ビームを出射する光源と、
記録フィールドの先頭付近における光ビームのパワーL2が、データが記録されている記録フィールドのデータフィールドにおけるパワーL3より高くなるように該光源を制御する制御手段を備えたことを特徴とする、記憶装置。
【0078】
(付記13) 前記記録媒体の種別を判別する判別手段を更に備え、高密度記録媒体であると判別された場合に前記制御手段が前記制御を実行することを特徴とする、(付記12)記載の記憶装置。
【0079】
(付記14) 前記制御手段は、前記パワーL2を、前記データフィールドに記録されているデータを消去する際の消去パワーより低いパワー値に設定することを特徴とする、(付記12)又は(付記13)記載の記憶装置。
【0080】
(付記15) 前記制御手段は、前記パワーL2を前記パワーL3の約1.01倍〜約2.00倍のパワー値に設定することを特徴とする、(付記12)〜(付記14)のいずれか1項記載の記憶装置。
【0081】
(付記16) 前記記録フィールドは、記録フィールドの開始を示すギャップ部、PLL位相同期及びAGCのためのVFOフィールド、データに同期するための同期部、及び前記データフィールドを含み、
前記制御手段は、前記VFOフィールド開始前に前記光ビームのパワーを前記パワーL2から前記パワーL3に減少させるように前記光源を制御することを特徴とする、(付記12)〜(付記15)のいずれか1項記載の記憶装置。
【0082】
(付記17) 前記記録フィールドは、記録フィールドの開始を示すギャップ部、PLL位相同期及びAGCのためのVFOフィールド、データに同期するための同期部、及び前記データフィールドを含み、
前記制御手段は、前記VFOフィールド開始後、且つ、前記データフィールドの開始前に前記光ビームのパワーを前記パワーL2から前記パワーL3に減少させるように前記光源を制御することを特徴とする、(付記12)〜(付記16)のいずれか1項記載の記憶装置。
【0083】
(付記18) 前記制御手段は、温度又は前記記録媒体上の位置に応じて前記パワーL2を可変設定することを特徴とする、(付記12)〜(付記17)のいずれか1項記載の記憶装置。
【0084】
(付記19) 前記制御手段は、前記光ビームを前記パワーL2に設定する期間、前記光源をDC発光又はパルス発光させることを特徴とする、(付記12)〜(付記18)のいずれか1項記載の記憶装置。
【0085】
(付記20) 前記制御手段は、前記ヘッダの再生時には前記パワーが前記パワーL3より低いパワーL1となるように前記光源を制御することを特徴とする、(付記12)〜(付記19)のいずれか1項記載の記憶装置。
【0086】
(付記21) 前記パワーL3を上げるか、或いは、下げるリードリトライ処理を行うリトライ手段を更に備えたことを特徴とする、(付記12)〜(付記20)のいずれか1項記載の記憶装置。
【0087】
以上、本発明を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、種々の変形及び改良が可能であることは、言うまでもない。
【0088】
【発明の効果】
本発明によれば、再生時のLDパワーのマージンを拡大し、環境変換等の影響で、最適なLDパワーが若干ずれてしまっても、十分再生可能な高信頼性の再生方法及び記憶装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の光磁気ディスク装置における再生時のLDパワーを説明する図である。
【図2】マスクとマスクを形成するために必要な熱との間の関係を示す図である。
【図3】本発明になる記憶装置の第1実施例の構成を示すブロック図である。
【図4】エンクロージャの概略構成を示す断面図である。
【図5】光学系の要部を示す図である。
【図6】ヘッドアンプの要部の構成を示す図である。
【図7】リード復調部の要部の構成を示す図である。
【図8】第1実施例のパワー制御動作を説明するフローチャートである。
【図9】第1実施例における再生時のLDパワーを説明する図である。
【図10】第1変形例においてデータ消去を発生しないLDパワーの範囲を説明する図である。
【図11】第2変形例における再生時のLDパワーを説明する図である。
【図12】第3変形例におけるLDパワー増加量と温度との関係を示す図である。
【図13】第4変形例におけるLDパワー増加量と光ディスク上の半径位置との関係を示す図である。
【図14】第5変形例における再生時のLDパワーを説明する図である。
【図15】本発明になる記憶装置の第2実施例のパワー制御動作を説明するフローチャートである。
【図16】本発明になる記憶装置の第3実施例のパワー制御動作を説明するフローチャートである。
【図17】LDパワーとエラーレートとの関係を示す図である。
【図18】光ディスクの記録フォーマットを示す図である。
【符号の説明】
12 MPU
14 ODC
16 DSP
18 メモリ
25 リード復調部
30−1 レーザダイオード
32 ID/MO用ディテクタ
34 ヘッドアンプ
Claims (10)
- 位置情報を含むヘッダと、データを含む記録フィールドとからなる記録フォーマットの情報領域を有する記録媒体から、光ビームを用いてマスク効果により情報を再生する再生方法であって、
前記光ビームのパワーを、
前記ヘッダにおいて、データが記録されている記録フィールドのデータフィールドにおけるパワーL3よりも低くなるパワーL1に制御する第1の制御ステップと、
記録フィールドの先頭付近において、マスクが形成されて前記データフィールドのデータが再生可能になる前記パワーL3より高いパワーL2に制御する第2の制御ステップと、
前記記録フィールドのデータフィールドにおいて、前記パワーL2より低く、継続してデータフィールドを再生するのに十分なパワーL3に制御する第3の制御ステップと、
を含むことを特徴とする、再生方法。 - 前記記録媒体の種別を判別する判別ステップを更に有し、高密度記録媒体であると判別された場合に前記制御ステップが実行されることを特徴とする、請求項1記載の再生方法。
- 前記第2の制御ステップは、前記パワーL2を、前記データフィールドに記録されているデータを消去する際の消去パワーより低いパワー値に設定することを特徴とする、請求項1又は2項記載の再生方法。
- 前記第2の制御ステップは、前記パワーL2を前記パワーL3の約1.01倍〜約2.00倍のパワー値に設定することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項記載の再生方法。
- 前記第2の制御ステップは、温度又は前記記録媒体上の位置に応じて前記パワーL2を可変設定することを特徴とする、請求項1〜請求項4のいずれか1項記載の再生方法。
- 位置情報を含むヘッダと、データを含む記録フィールドとからなる記録フォーマットの情報領域を有する記録媒体から、光ビームを用いてマスク効果により情報を再生する記憶装置であって、
前記光ビームを出射する光源と、
前記光ビームのパワーを、前記ヘッダにおいて、データが記録されている記録フィールドのデータフィールドにおけるパワーL3よりも低くなるパワーL1に制御し、記録フィールドの先頭付近において、マスクが形成されて前記データフィールドのデータが再生可能になる前記パワーL3より高いパワーL2に制御し、前記記録フィールドのデータフィールドにおいて、前記パワーL2より低く、継続してデータフィールドを再生するのに十分なパワーL3に制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする、記憶装置。 - 前記記録媒体の種別を判別する判別手段を更に備え、高密度記録媒体であると判別された場合に前記制御手段が前記制御を実行することを特徴とする、請求項6記載の記憶装置。
- 前記記録フィールドは、記録フィールドの開始を示すギャップ部、PLL位相同期及びAGCのためのVFOフィールド、データに同期するための同期部、及び前記データフィールドを含み、
前記制御手段は、前記VFOフィールド開始前に前記光ビームのパワーを前記パワーL2から前記パワーL3に減少させるように前記光源を制御することを特徴とする、請求項6又は請求項7記載の記憶装置。 - 前記記録フィールドは、記録フィールドの開始を示すギャップ部、PLL位相同期及びAGCのためのVFOフィールド、データに同期するための同期部、及び前記データフィールドを含み、
前記制御手段は、前記VFOフィールド開始後、且つ、前記データフィールドの開始前に前記光ビームのパワーを前記パワーL2から前記パワーL3に減少させるように前記光源を制御することを特徴とする、請求項6又は請求項7記載の記憶装置。 - 前記制御手段は、前記光ビームを前記パワーL2に設定する期間、前記光源をDC発光又はパルス発光させることを特徴とする、請求項6〜請求項9のいずれか1項記載の記憶装置。
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