JP3638077B2 - パワーセーブモード制御方法及び記憶装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はパワーセーブモード制御方法及び記憶装置に係り、特に複数の異なるフォーマットの記録媒体をサポートする記憶装置のパワーセーブモードを制御するパワーセーブモード制御方法及びこのようなパワーセーブモード制御方法を用いる記憶装置に関する。
【０００２】
本明細書では、異なるフォーマットの記録媒体とは、異なる記憶容量の記録媒体を含む。
光ディスクや光磁気ディスク等をサポートするディスク装置では、ホスト装置からの動作命令が一定時間ないと、消費電力を削減するためのパワーセーブモードに移行する。パワーセーブモードでは、ディスク装置の一部が停止されるので、パワーセーブモードからリード／ライトモード等の動作モードに復帰する場合には、停止していたディスク装置の一部を素早く動作状態に復帰させることが望まれる。
【０００３】
【従来の技術】
例えば光ディスク装置では、ホスト装置からの動作命令が来ない時間に応じて複数のパワーセーブモードが設けられており、効率良く光ディスク装置の消費電力を削減するようにしている。或るパワーセーブモードでは、光ディスク装置内の自動調整回路（ＡＦＴ：Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｆｉｌｔｅｒ Ｔｕｎｉｎｇ）のカットオフ周波数を設定するのに用いる水晶振動子及びシンセサイザのクロックが停止される。他方、光ディスク装置を上記或るパワーセーブモードからリード／ライトモードに復帰させる場合には、光ディスク装置内のリード回路のイニシャルシーケンスを行って水晶振動子及びシンセサイザのクロックの設定を行う。このようなリード回路のイニシャルシーケンスは、どのパワーセーブモードからのリード／ライトモードへの復帰であっても行われる。
【０００４】
先ず、光ディスク装置の水晶振動子及びシンセサイザのクロックが例えば６４０ＭＢの記憶容量の光ディスクに対して予め設定されている状態で６４０ＭＢの光ディスクがロードされている場合に、光ディスク装置をパワーセーブモードからリード／ライトモードに復帰させる際の動作を説明する。説明の便宜上、光ディスク装置のモードは時間ｔ１からパワーセーブモードであり、時間ｔ２にホスト装置からリード／ライト命令が入来するものとする。
【０００５】
時間ｔ２からは、予め設定された水晶振動子及びシンセサイザのクロックに基づいて上記自動調整回路のカットオフ周波数の設定を行い、時間ｔ３から時間ｔ４まではリード／ライト処理が行われる。ここで、ｔ１＜ｔ２＜ｔ３＜ｔ４である。従って、パワーセーブモードからリード／ライトモードへの復帰時間は、時間ｔ２から時間ｔ３までの間の時間である。
【０００６】
ところで、光ディスク装置がサポートする光ディスクには、複数の異なるフォーマットの光ディスクが存在する。このため、光ディスク装置の水晶振動子及びシンセサイザのクロックは、光ディスク装置にロードされている光ディスクのフォーマットに応じて設定する必要がある。
図１１は、光ディスク装置の水晶振動子及びシンセサイザのクロックが例えば６４０ＭＢの記憶容量の光ディスクに対して予め設定されている状態で２３０ＭＢの記憶容量の光ディスクがロードされている場合に、光ディスク装置をパワーセーブモードからリード／ライトモードに復帰させる際の動作を説明するタイムチャートである。この場合、光ディスク装置内のリード回路のイニシャルシーケンスを行って、水晶振動子及びシンセサイザのクロックを２３０ＭＢの光ディスクに対して設定し直す必要がある。同図中、光ディスク装置のモードは時間ｔ１からパワーセーブモードであり、時間ｔ２にホスト装置からリード／ライト命令が入来するものとする。
【０００７】
この場合、水晶振動子及びシンセサイザのクロックは、２３０ＭＢの光ディスクに対して設定されている可能性があるので、図１１に示す時間ｔ２からは、光ディスク装置内のリード回路のイニシャルシーケンスを行って、６４０ＭＢの光ディスクに対して水晶振動子及びシンセサイザのクロックを上記設定に基づいて再設定する。そして、時間ｔ２ａからは、再設定された水晶振動子及びシンセサイザのクロックに基づいて上記自動調整回路のカットオフ周波数の設定を行う。自動調整回路のカットオフ周波数は、この場合はロードされる光ディスクの記憶容量に拘らず６４０ＭＢの光ディスク用に設定されるので、カットオフ周波数の設定の前に６４０ＭＢの光ディスクに対して水晶振動子及びシンセサイザのクロックを設定する必要がある。更に、時間ｔ２ｂからは、ロードされている２３０ＭＢの光ディスクに対して水晶振動子及びシンセサイザのクロックを設定し直し、時間ｔ３ａから時間ｔ４ａまではリード／ライト処理が行われる。従って、パワーセーブモードからリード／ライトモードへの復帰時間は、時間ｔ２から時間ｔ３ａまでの間の時間である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
図１１からもわかるように、光ディスク装置の水晶振動子及びシンセサイザのクロックが６４０ＭＢの光ディスクに対して予め設定されている状態で２３０ＭＢの光ディスクがロードされている場合には、パワーセーブモードからリード／ライトモードへの復帰時間は、時間ｔ２から時間ｔ２ａまでの設定時間と、時間ｔ２ａから時間ｔ２ｂまでの設定時間と、時間ｔ２ｂから時間ｔ３ａまでの設定時間との和である。特に、時間ｔ２から時間ｔ２ａまでの設定時間及び時間ｔ２ｂから時間ｔ３ａまでの設定時間は、夫々水晶振動子が安定動作するまでの例えば約５０ｍｓ程度の発振安定待ち時間をも含むため、上記復帰時間が長くなってしまうという問題があった。
【０００９】
そこで、本発明は、記憶装置のパワーセーブモードから他のモードへの復帰時間を短縮することが可能なパワーセーブモード制御方法及び記憶装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の課題は、複数の異なるフォーマットの記録媒体がロード可能な記憶装置におけるパワーセーブモード制御方法であって、該記憶装置にロードされた記録媒体のフォーマットが、該記憶装置に対して予め設定された第１のフォーマット以外の場合、パワーセーブモードへの移行時に該記憶装置内のクロック周波数を第１のフォーマットの記録媒体用の第１の周波数に設定するステップを含むパワーセーブモード制御方法によって達成される。
【００１１】
本発明になるパワーセーブモード制御方法によれば、記憶装置のパワーセーブモードから他のモードへの復帰時間を短縮することが可能となる。
パワーセーブモード制御方法は、前記記憶装置に前記第１のフォーマットとは異なる第２のフォーマットの記録媒体がロードされている場合に、前記パワーセーブモードから所定モードへの移行時に前記クロック周波数を前記第１の周波数とは異なる該第２のフォーマット用の第２の周波数に設定するステップを更に含むようにしても良い。
【００１２】
本発明になるパワーセーブモード制御方法によれば、記憶装置にロードされる記憶媒体のフォーマットに応じてクロック周波数が自動的に設定されるので、ユーザはロードする記録媒体のフォーマットを意識する必要がない。
パワーセーブモード制御方法において、前記所定モードは、リード／ライトモードであっても良い。
【００１３】
パワーセーブモード制御方法において、前記パワーセーブモードは、前記記憶装置に設けられた複数のパワーセーブモードのうちの１つのモードであっても良い。
パワーセーブモード制御方法において、前記クロックは、２つ以上の水晶振動子の１つを選択して自動調整を行う前記記憶装置内の自動調整回路のカットオフ周波数設定用のクロックであっても良い。
【００１４】
上記の課題は、複数の異なるフォーマットの記録媒体がロード可能な記憶装置であって、ロードされた記録媒体のフォーマットが、該記憶装置に対して予め設定された第１のフォーマット以外の場合、パワーセーブモードへの移行時に該記憶装置内のクロック周波数を第１のフォーマットの記録媒体用の第１の周波数に設定する手段を備えた記憶装置によっても達成される。
【００１５】
本発明になる記憶装置によれば、記憶装置のパワーセーブモードから他のモードへの復帰時間を短縮することが可能となる。
記憶装置は、前記第１のフォーマットとは異なる第２のフォーマットの記録媒体がロードされている場合に、前記パワーセーブモードから所定モードへの移行時に前記クロック周波数を前記第１の周波数とは異なる該第２のフォーマット用の第２の周波数に設定する手段を更に備えても良い。
【００１６】
本発明になる記憶装置によれば、記憶装置にロードされる記憶媒体のフォーマットに応じてクロック周波数が自動的に設定されるので、ユーザはロードする記録媒体のフォーマットを意識する必要がない。
記憶装置において、前記所定モードは、リード／ライトモードであっても良い。
【００１７】
記憶装置において、前記パワーセーブモードは、前記記憶装置に設けられた複数のパワーセーブモードのうち１つのモードであっても良い。
記憶装置は、２つ以上の水晶振動子の１つを選択して自動調整を行う自動調整回路を更に備え、前記クロックは該自動調整回路のカットオフ周波数設定用のクロックであっても良い。
【００１８】
記憶装置は、ロードされた記録媒体からリードされた情報に基づいて該記憶媒体のフォーマットを判別する手段を更に備えても良い。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図面と共に説明する。
【００２０】
【実施例】
先ず、本発明になるパワーセーブモード制御方法の一実施例を図１及び図２と共に説明する。本実施例では、本発明が光ディスク装置に適用されている。
図１は、光ディスク装置の水晶振動子及びシンセサイザのクロックが例えば６４０ＭＢの記憶容量の光ディスクに対して予め設定されている状態で６４０ＭＢの光ディスクがロードされている場合に、光ディスク装置をパワーセーブモードからリード／ライトモードに復帰させる際の動作を説明するタイムチャートである。同図中、光ディスク装置のモードは時間ｔ１１からパワーセーブモードであり、時間ｔ１２にホスト装置からリード／ライト命令が入来するものとする。
【００２１】
時間ｔ１２からは、予め設定された水晶振動子及びシンセサイザのクロックに基づいて上記自動調整回路のカットオフ周波数の設定を行い、時間ｔ１３から時間ｔ１４まではリード／ライト処理が行われる。従って、パワーセーブモードからリード／ライトモードへの復帰時間は、時間ｔ１２から時間ｔ１３までの間の時間である。
【００２２】
ところで、光ディスク装置がサポートする光ディスクには、複数の異なるフォーマットの光ディスクが存在する。このため、光ディスク装置の水晶振動子及びシンセサイザのクロックは、光ディスク装置にロードされている光ディスクのフォーマットに応じて設定する必要がある。
図２は、光ディスク装置の水晶振動子及びシンセサイザのクロックが例えば６４０ＭＢの記憶容量の光ディスクに対して予め設定されている状態で２３０ＭＢの記憶容量の光ディスクがロードされている場合に、光ディスク装置をパワーセーブモードからリード／ライトモードに復帰させる際の動作を説明するタイムチャートである。この場合、光ディスク装置内のリード回路のイニシャルシーケンスを行って、水晶振動子及びシンセサイザのクロックを２３０ＭＢの光ディスクに対して設定し直す必要がある。同図中、光ディスク装置のモードは時間ｔ１１からパワーセーブモードであり、時間ｔ１２にホスト装置からリード／ライト命令が入来するものとする。
【００２３】
この場合、時間ｔ１２以降の復帰処理を行う際、水晶振動子及びシンセサイザのクロックは、２３０ＭＢの光ディスクに対して設定されている可能性がある。そこで、図２に示す時間ｔ１１からは、６４０ＭＢの光ディスクに対して水晶振動子及びシンセサイザのクロックを上記設定に基づいて再設定する。そして、時間ｔ１２からは、光ディスク装置内のリード回路のイニシャルシーケンスを行って、再設定された水晶振動子及びシンセサイザのクロックに基づいて、上記自動調整回路のカットオフ周波数の設定を行う。自動調整回路のカットオフ周波数は、この場合はロードされる光ディスクの記憶容量に拘らず記憶容量の大きい方の６４０ＭＢの光ディスク用に設定されるので、カットオフ周波数の設定の前に６４０ＭＢの光ディスクに対して水晶振動子及びシンセサイザのクロックを設定する必要がある。更に、時間ｔ１２ａからは、ロードされている２３０ＭＢの光ディスクに対して水晶振動子及びシンセサイザのクロックを設定し直し、時間ｔ１３から時間ｔ１４まではリード／ライト処理が行われる。従って、パワーセーブモードからリード／ライトモードへの復帰時間は、時間ｔ１２から時間ｔ１３までの間の時間である。
【００２４】
このように、本実施例では、パワーセーブモードの開始時に６４０ＭＢの光ディスクに対して水晶振動子及びシンセサイザのクロックを上記設定に基づいて再設定する。このため、時間ｔ１２以降の光ディスク装置内のリード回路のイニシャルシーケンスを行って、復帰処理を行う際には、水晶振動子及びシンセサイザのクロックを再設定する必要はなく、図１１との比較からも明らかなように、復帰時間を水晶振動子及びシンセサイザのクロックを再設定するのに要する時間分短縮することができる。
【００２５】
尚、複数のパワーセーブモードが設けられている場合には、そのうちの１つのパワーセーブモードの開始時に水晶振動子及びシンセサイザのクロックを再設定しても良い。この場合、複数のパワーセーブモードのうち、光ディスク装置内リード回路が停止されるパワーセーブモードや光ディスク装置の消費電力が最も大きいパワーセーブモード等の開始時に水晶振動子及びシンセサイザのクロックを再設定しても良い。
【００２６】
次に、本発明になる記憶装置の一実施例を図３〜図１０と共に説明する。図３は、記録装置の一実施例の概略構成を示すブロック図である。本実施例では、本発明が光ディスク装置に適用されている。
図３に示すように、光ディスク装置は、大略コントロールユニット１０とエンクロージャ１１とからなる。コントロールユニット１０は、光ディスク装置の全体的な制御を行うＭＰＵ１２、ホスト装置（図示せず）との間でコマンド及びデータのやり取りを行うインタフェース１７、光ディスク（図示せず）に対するデータのリード／ライトに必要な処理を行う光ディスクコントローラ（ＯＤＣ）１４、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）１６及びバッファメモリ１８を有する。バッファメモリ１８は、ＭＰＵ１２、ＯＤＣ１４及びインタフェース１７で共用され、例えばダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）を含む。水晶振動子１０１は、ＭＰＵ１２と接続されている。
【００２７】
ＯＤＣ１４には、フォーマッタ１４−１と、誤り訂正符号（ＥＣＣ）処理部１４−２とが設けられている。ライトアクセス時には、フォーマッタ１４−１がＮＲＺライトデータを光ディスクのセクタ単位に分割して記録フォーマットを生成し、ＥＣＣ処理部１４−２がセクタライトデータ単位にＥＣＣを生成して付加すると共に、必要に応じて巡回冗長検査（ＣＲＣ）符号を生成して付加する。更に、ＥＣＣ処理部１４−２はＥＣＣの符号化が済んだセクタデータを例えば１−７ランレングスリミテッド（ＲＬＬ）符号に変換する。
【００２８】
リードアクセス時には、セクタデータに対して１−７ＲＬＬの逆変換を行い、次にＥＣＣ処理部１４−２でＣＲＣを行った後にＥＣＣによる誤り検出及び誤り訂正を行う。更に、フォーマッタ１４−１でセクタ単位のＮＲＺデータを連結してＮＲＺリードデータのストリームとしてホスト装置に転送させる。
ＯＤＣ１４に対しては、ライト大規模集積回路（ＬＳＩ）２０が設けられ、ライトＬＳＩ２０は、ライト変調部２１とレーザダイオード制御回路２２とを有する。レーザダイオード制御回路２２の制御出力は、エンクロージャ１１側の光学ユニットに設けられたレーザダイオードユニット３０に供給される。レーザダイオードユニット３０は、レーザダイオード３０−１とモニタ用ディテクタ３０−２とを一体的に有する。ライト変調部２１は、ライトデータをピットポジションモジュレーション（ＰＰＭ）記録（マーク記録とも言う）又はパルスウィドスモジュレーション（ＰＷＭ）記録（エッジ記録とも言う）でのデータ形式に変換する。
【００２９】
レーザダイオードユニット３０を使用してデータの記録再生を行う光ディスク、即ち、書き換え可能な光磁気（ＭＯ）カートリッジ媒体として、本実施例では１２８ＭＢ，２３０ＭＢ，５４０ＭＢ，６４０ＭＢのいずれかを使用することができる。１２８ＭＢ及び２３０ＭＢのＭＯカートリッジ媒体では、光ディスク上のマークの有無に対応してデータを記録するＰＰＭ記録が採用されている。又、光ディスクの記録フォーマットは、ゾーンコンスタントアンギュラベロシティ（ＣＡＶ）であり、ユーザ領域のゾーン数は１２８ＭＢの光ディスクで１ゾーン、２３０ＭＢの光ディスクで１０ゾーンである。
【００３０】
高密度記録を行う５４０ＭＢ及び６４０ＭＢのＭＯカートリッジ媒体については、マークのエッジ、即ち、前縁及び後縁とをデータに対応させて記録するＰＷＭ記録が採用されている。ここで、５４０ＭＢの光ディスクと６４０ＭＢの光ディスクとの記憶容量の差は、セクタ容量の違いによるものであり、セクタ容量が２０４８バイトの場合は６４０ＭＢの光ディスクとなり、セクタ容量が５１２バイトの場合は５４０ＭＢの光ディスクとなる。又、光ディスクの記録フォーマットは、ゾーンＣＡＶであり、ユーザ領域のゾーン数は６４０ＭＢの光ディスクで１１ゾーン、５４０ＭＢの光ディスクで１８ゾーンである。
【００３１】
このように、本実施例では、１２８ＭＢ，２３０ＭＢ，５４０ＭＢ，６４０ＭＢの光ディスク、更に、ダイレクトオーバライト対応の２３０ＭＢ，５４０ＭＢ，６４０ＭＢの光ディスクにも対応可能である。従って、光ディスク装置に光ディスクをロードすると、先ず光ディスクの識別（ＩＤ）部をリードしてそのピット間隔からＭＰＵ１２で光ディスクの種別を認識し、種別の認識結果をＯＤＣ１４に通知する。
【００３２】
ＯＤＣ１４に対するリード系統としては、リードＬＳＩ２４が設けられ、リードＬＳＩ２４にはリード復調部２５と周波数シンセサイザ２６とが内蔵される。リードＬＳＩ２４に対しては、エンクロージャ１１に設けたＩＤ／ＭＯ用ディテクタ３２によるレーザダイオード３０−１からのレーザビームの戻り光の受光信号が、ヘッドアンプ３４を介してＩＤ信号及びＭＯ信号として入力されている。
【００３３】
リードＬＳＩ２４のリード復調部２５には、自動利得制御（ＡＧＣ）回路、フィルタ、セクタマーク検出回路等の回路機能が設けられ、リード復調部２５は入力されたＩＤ信号及びＭＯ信号からリードクロック及びリードデータを生成してＰＰＭデータ又はＰＷＭデータを元のＮＲＺデータに復調する。又、ゾーンＣＡＶを採用しているため、ＭＰＵ１２からリードＬＳＩ２４に内蔵された周波数シンセサイザ２６に対してゾーン対応のクロック周波数を発生させるための分周比の設定制御が行われる。
【００３４】
周波数シンセサイザ２６は、プログラマブル分周器を備えたフェーズロックドループ（ＰＬＬ）回路であり、光ディスク上のゾーン位置に応じて予め定めた固有の周波数を有する基準クロックをリードクロックとして発生する。即ち、周波数シンセサイザ２６は、プログラマブル分周器を備えたＰＬＬ回路で構成され、ＭＰＵ１２がゾーン番号に応じて設定した分周比ｍ／ｎに従った周波数ｆｏの基準クロックを、ｆｏ＝（ｍ／ｎ）・ｆｉに従って発生する。
【００３５】
ここで、分周比ｍ／ｎの分母の分周値ｎは、１２８ＭＢ，２３０ＭＢ，５４０ＭＢ又は６４０ＭＢの光ディスクの種別に応じた固有の値である。又、分周比ｍ／ｎの分子の分周値ｍは、光ディスクのゾーン位置に応じて変化する値であり、各光ディスクに対してゾーン番号に対応した値のテーブル情報として予め準備されている。更に、ｆｉは、周波数シンセサイザ２６の外部で発生した基準クロックの周波数を示す。
【００３６】
リードＬＳＩ２４で復調されたリードデータは、ＯＤＣ１４のリード系統に供給され、１−７ＲＬＬの逆変換を行った後にＥＣＣ処理部１４−２の符号化機能によりＣＲＣ及びＥＣＣ処理を施され、ＮＲＺセクタデータに復元される。次に、フォーマッタ１４−１でＮＲＺセクタデータを繋げたＮＲＺリードデータのストリームに変換し、バッファメモリ１８を経由してインタフェース１７からホスト装置に転送される。
【００３７】
ＭＰＵ１２に対しては、ＤＳＰ１６を経由してエンクロージャ１１側に設けた温度センサ３６の検出信号が供給されている。ＭＰＵ１２は、温度センサ３６で検出した光ディスク装置内部の環境温度に基づき、レーザダイオード制御回路２２におけるリード、ライト及びイレーズの各発光パワーを最適値に制御する。
ＭＰＵ１２は、ＤＳＰ１６を経由してドライバ３８によりエンクロージャ１１側に設けたスピンドルモータ４０を制御する。本実施例では、光ディスクの記録ドーマットがゾーンＣＡＶであるため、スピンドルモータ４０は例えば３０００ｒｐｍの一定速度で回転される。
【００３８】
又、ＭＰＵ１２は、ＤＳＰ１６を経由してドライバ４２を介してエンクロージャ１１側に設けた電磁石４４を制御する。電磁石４４は、光ディスク装置内にロードされた光ディスクのビーム照射側と反対側に配置されており、記録時及び消去時に光ディスクに外部磁界を供給する。
ＤＳＰ１６は、光ディスクに対してレーザダイオード３０からのビームの位置決めを行うためのサーボ機能を備え、目的トラックにシークしてオントラックするためのシーク制御部及びオントラック制御部として機能する。このシーク制御及びオントラック制御は、ＭＰＵ１２による上位コマンドに対するライトアクセス又はリードアクセスに並行して同時に実行することができる。
【００３９】
ＤＳＰ１６のサーボ機能を実現するため、エンクロージャ１１側の光学ユニットに光ディスクからのビーム戻り光を受光するフォーカスエラー信号（ＦＥＳ）用ディテクタ４５を設けている。ＦＥＳ検出回路４６は、ＦＥＳ用ディテクタ４５の受光出力からＦＥＳＥ１を生成してＤＳＰ１６に入力する。
エンクロージャ１１側の光学ユニットには、光ディスクからのビーム戻り光を受光するトラッキングエラー信号（ＴＥＳ）用ディテクタ４７も設けられている。ＴＥＳ検出回路４８は、ＴＥＳ用ディテクタ４７の受光出力からＴＥＳＥ２を生成してＤＳＰ１６に入力する。ＴＥＳＥ２は、トラックゼロクロス（ＴＺＣ）検出回路５０にも入力され、ＴＺＣパルスＥ３が生成されてＤＳＰ１６に入力される。
【００４０】
エンクロージャ１１側には、光ディスクに対してレーザビームを照射する対物レンズの位置を検出するレンズ位置センサ５２が設けられており、レンズ位置センサ５２からのレンズ位置検出信号（ＬＰＯＳ）Ｅ４はＤＳＰ１６に入力される。ＤＳＰ１６は、光ディスク上のビームスポットの位置を制御するため、ドライバ５８，６２，６６を介してフォーカスアクチュエータ６０、レンズアクチュエータ６４及びボイスコイルモータ（ＶＣＭ）６８を制御して駆動する。
【００４１】
図４は、エンクロージャ１１の概略構成を示す断面図である。図４に示すように、ハウジング６７内にはスピンドルモータ４０が設けられ、インレットドア６９側からＭＯカートリッジ７０を挿入することで、ＭＯカートリッジ７０に収納された光ディスク（ＭＯディスク）７２がスピンドルモータ４０の回転軸のハブに装着されて光ディスク７２が光ディスク装置にロードされる。
【００４２】
ロードされたＭＯカートリッジ７０内の光ディスク７２の下側には、ＶＣＭ６４により光ディスク７２のトラックを横切る方向に移動自在なキャリッジ７６が設けられている。キャリッジ７６上には対物レンズ８０が搭載され、固定光学系７８に設けられているレーザダイオード（３０−１）からのビームを立ち上げミラー８２を介して入射して光ディスク７２の記録面にビームスポットを結像する。
【００４３】
対物レンズ８０は、図３に示すエンクロージャ１１のフォーカスアクチュエータ６０により光軸方向に移動制御され、又、レンズアクチュエータ６４により光ディスク７２のトラックを横切る半径方向に例えば数十トラックの範囲内で移動可能である。このキャリッジ７６に搭載されている対物レンズ８０の位置が、図３のレンズ位置センサ５４により検出される。レンズ位置センサ５４は、対物レンズ８０の光軸が直上に向かう中立位置でレンズ位置検出信号をゼロとし、光ディスク７２のアウタ側への移動とインナ側への移動に対して夫々異なる曲性の移動量に応じたレンズ位置検出信号Ｅ４を出力する。
【００４４】
図５は、図３に示す光ディスク装置におけるＭＰＵ１２のリードＬＳＩ２４、ＯＤＣ１４及びＤＳＰ１６に対するパラメータ設定制御と整定待ち機能を説明するブロック図である。
ＭＰＵ１２には、ホスト装置からのリードコマンドに基づいて動作するパラメータの設定制御部９０と、パラメータ設定後の整定待ち処理部９２とが設けられている。設定制御部９０は、バッファメモリ１８に含まれるＲＡＭ等に展開されたパラメータテーブル９４を使用して各種アクセスに必要なパラメータの設定制御を行う。
【００４５】
リードＬＳＩ２４には、ＭＰＵ１２に設けた設定制御部９０によるパラメータ設定の対象として、周波数シンセサイザ２６と、ＩＤ／ＭＯ用ディテクタ３２から得られるＭＯ信号の等化回路９５とが設けられている。周波数シンセサイザ２６に対しては、本実施例では３つの制御レジスタ９６，９８，１００が設けられている。
【００４６】
制御レジスタ９６，９８，１００の夫々には、ＭＰＵ１２の設定制御部９０により分周比ｍ／ｎ、電圧制御発振器（ＶＣＯ）周波数設定及びＰＬＬダンピング抵抗選択の各パラメータが設定される。又、等化回路９５に対しては、制御レジスタ１０２が設けられており、ＭＰＵ１２の設定制御部９０によりイコライザカットオフ周波数が設定される。更に、ＯＤＣ１４に設けられているセクタマーク検出回路１０４に対しては、制御レジスタ１０６が設けられており、ＭＰＵ１２の設定制御部９０によりセクタマーク検出カットオフ周波数が設定制御される。
【００４７】
ＤＳＰ１６には、ＭＰＵ１２でホスト装置からのリードコマンドを実行する際にシークコマンドが転送される。ＤＳＰ１６は、このシークコマンドに基づいてＭＰＵ１２の処理に並行して同時にビームスポットを光ディスク７２の目標トラックに位置付けるためのシーク制御を行うシーク制御部１０８を備えている。
このように、ＭＰＵ１２の設定制御部９０は、リードＬＳＩ２４に設けられているＭＯ信号の等化回路９５のカットオフ周波数を制御レジスタ１０２の設定制御で最適化できる。又、設定制御部９０は、リードＬＳＩ２４に設けられている周波数シンセサイザ２６の分周比ｍ／ｎ、ＶＣＯ周波数設定及びＰＬＬダンピング抵抗選択の各パラメータを制御レジスタ９６，９８，１００の設定制御で最適化できる。更に、設定制御部９０は、ＯＤＣ１４に設けられているセクタマーク検出回路１０４のカットオフ周波数を制御レジスタ１０６の設定制御で最適化できる。
【００４８】
次に、本実施例では、複数のパワーセーブモードが設けられており、光ディスク装置の使用状況に応じて消費電力を最も効率的に低減するパワーセーブモードが選択される。図６は、本実施例におけるパワーセーブモードへの移行を説明するフローチャートであり、図３に示すＭＰＵ１２の動作に対応する。尚、説明の便宜上、光ディスク装置は６４０ＭＢの光ディスク７２用に予め設定されているものとし、光ディスク装置には２３０ＭＢの光ディスク７２がロードされているものとする。
【００４９】
図６において、ステップＳ０で光ディスク７２が光ディスク装置のエンクロージャ１１に挿入されたことを周知の手段で検出すると、ステップＳ１で光ディスク７２をスピンドルモータ４０の回転軸のハブに対して装着するロード処理を行う。ステップＳ２は、ロード処理が正しく行われたか否かを周知の手段で判定し、判定結果がＮＯであると処理はステップＳ０へ戻る。他方、ステップＳ２の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ３は、ロードされた光ディスク７２から光ディスク７２のＩＤ部をリードしてそのピット間隔から光ディスク７２の種別を認識し、上記の如く種別の認識結果をＯＤＣ１４に通知するので、この状態では、ロードされている光ディスク７２の種別、即ち、記憶容量を含むフォーマットが認識されている。ステップＳ３の後、処理はステップＳ４へ進む。
【００５０】
ステップＳ４は、光ディスク装置のモードをパワーセーブモードＭ１に設定する。パワーセーブモードＭ１では、図３に示すリードＬＳＩ２４は停止されると共に、ステップＳ３により２３０ＭＢの光ディスク７２がロードされていると認識されている場合には、図２に示したように、水晶振動子１０１及びリードＬＳＩ２４内の周波数シンセサイザ２６のクロックを６４０ＭＢの光ディスク７２用に設定する。ステップＳ３により６４０ＭＢの光ディスク７２がロードされていると認識されている場合には、図１に示したように、水晶振動子１０１及びリードＬＳＩ２４内の周波数シンセサイザ２６のクロックを６４０ＭＢの光ディスク７２用に設定する処理は行われない。
【００５１】
ステップＳ５は、一定時間Ｔ１内にホスト装置から命令があるか否かを判定し、判定結果がＮＯの場合、ステップＳ６は、光ディスク装置のモードをパワーセーブモードＭ２に設定する。パワーセーブモードＭ２では、水晶振動子１０１、周波数シンセサイザ２６、ドライバ５８，６２，６６、ヘッドアンプ３４、ＦＥＳ検出回路４６及びＴＥＳ検出回路４８内のアンプ等が停止され、ＤＳＰ１６、ＯＤＣ１４及びＭＰＵ１２のクロックが低下されると共に、バッファメモリ１８に含まれるＤＲＡＭのリフレッシュ動作を一段階低下させる。
【００５２】
ステップＳ７は、一定時間Ｔ２（Ｔ２＞Ｔ１）内にホスト装置から命令があるか否かを判定し、判定結果がＮＯの場合、ステップＳ８は、光ディスク装置のモードをパワーセーブモードＭ３に設定する。パワーセーブモードＭ３では、レーザダイオード３０−１、スピンドルモータ４０等が停止され、ＤＳＰ１６のクロックが停止されると共にバッファメモリ１８に含まれるＤＲＡＭのリフレッシュ動作をパワーセーブモードＭ２より更に一段階低下させる。
【００５３】
ステップＳ９は、一定時間Ｔ３（Ｔ３＞Ｔ２）内にホスト装置から命令があるか否かを判定し、判定結果がＮＯの場合、ステップＳ１０は、光ディスク装置のモードをパワーセーブモードＭ４に設定する。パワーセーブモードＭ４では、あるホストインタフェースでは、ＭＰＵ１２、バッファメモリ１８に含まれるＤＲＡＭのリフレッシュ動作等が停止される。ステップＳ１０の後、処理はステップＳ９へ戻る。
【００５４】
他方、ステップＳ５、Ｓ７又はＳ９の判定結果がＹＥＳの場合、処理はステップＳ１１へ進んでパワーセーブモードからのパワーセーブモード以外のモードへの復帰処理が行われると共に、リード／ライト処理が行われ、その後に処理はステップＳ４へ戻る。
図７は、図６に示すステップＳ１１による復帰処理を説明するフローチャートである。同図中、ステップＳ２１は、リードＬＳＩ２４の復帰処理を行い、ステップＳ２２は、ロードされている光ディスク７２用のパラメータをリードＬＳＩ２４に設定する。ステップＳ２３は、光ディスク７２のゾーンを検出し、ステップＳ２４は、光ディスク７２のゾーン毎のパラメータをリードＬＳＩ２４に設定し、処理は終了する。
【００５５】
図８及び図９は、図７に示すステップＳ２１によるリードＬＳＩ２４の復帰処理を説明するフローチャートである。図８中、ステップＳ３１は、水晶振動子１０１及び周波数シンセサイザ２６のクロックが６４０ＭＢの光ディスク７２用に設定されているか否かを判定する。ステップＳ３１の判定結果がＮＯであると、ステップＳ３２は、水晶振動子１０１及び周波数シンセサイザ２６のクロックを６４０ＭＢの光ディスク７２用に設定する。ステップＳ３１の判定結果がＹＥＳ又はステップＳ３２の後、ステップＳ３３は、イコライザブースト、ピーククランプ、ＡＣサグキャンセラ振幅補正等の各パラメータを制御レジスタ９６，９８，１００の設定制御により標準値に設定する。又、ステップＳ３４は、リードＬＳＩ２４を停止状態（スリープモード）から解除する。ステップＳ３４の後、処理は図９に示すステップＳ３５へ進む。
【００５６】
図９において、ステップＳ３５は、周波数シンセサイザ２６の分周比ｍ／ｎ，ＶＣＯ周波数の分周率及び基準クロックの分周率を設定する。ステップＳ３６は、リードＬＳＩ２４内のノーマル時、セクタマーク検出時のカットオフ周波数を決定する。ステップＳ３７〜Ｓ４０からなるシーケンスＳＱは、ＡＦＴのカットオフ周波数の設定動作に対応する。ステップＳ３７は、ＡＦＴのパワーをオン状態とし、ステップＳ３８は、ＡＦＴの初期化を行う。ステップＳ３９は、ＡＦＴによる自動調整処理を行い、ステップＳ４０は、ＡＦＴのパワーをオフ状態とする。そして、ステップＳ４１は、リードＬＳＩ２４内の制御レジスタ１０２にＭＯ信号の等化回路９５のカットオフ周波数を設定し、処理は終了する。
【００５７】
図１０は、本実施例におけるＡＦＴのカットオフ周波数設定動作を行うための処理を説明するタイムチャートである。同図中、（ａ）は周波数シンセサイザ２６の分周比ｍ／ｎ、ＶＣＯ周波数設定及びＰＬＬダンピング抵抗選択の各パラメータの設定タイミング、（ｂ）は周波数シンセサイザ２６の基準クロックの設定タイミング、（ｃ）はセクタマーク検出回路１０４によるセクタマークの検出時のカットオフ周波数決定タイミング、（ｄ）は整定待ち時間のタイミング、（ｅ）はＡＦＴのカットオフ周波数設定タイミングを示す。
【００５８】
以上、本発明を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言うまでもない。
【００５９】
【発明の効果】
本発明になるパワーセーブモード制御方法によれば、記憶装置のパワーセーブモードから他のモードへの復帰時間を短縮することが可能となる。
又、前記記憶装置に前記第１のフォーマットとは異なる第２のフォーマットの記録媒体がロードされている場合に、前記パワーセーブモードから所定モードへの移行時に前記クロック周波数を前記第１の周波数とは異なる該第２のフォーマット用の第２の周波数に設定するようにすると、記憶装置にロードされる記憶媒体のフォーマットに応じてクロック周波数が自動的に設定されるので、ユーザはロードする記録媒体のフォーマットを意識する必要がない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明になるパワーセーブモード制御方法の一実施例を説明するタイムチャートである。
【図２】本発明になるパワーセーブモード制御方法の一実施例を説明するタイムチャートである。
【図３】本発明になる記憶装置の一実施例の概略構成を示すブロック図である。
【図４】エンクロージャの概略構成を示す断面図である。
【図５】光ディスク装置におけるＭＰＵのリードＬＳＩ、ＯＤＣ及びＤＳＰに対するパラメータ設定制御と整定待ち機能を説明するブロック図である。
【図６】パワーセーブモードへの移行を説明するフローチャートである。
【図７】図６に示すステップＳ１１による復帰処理を説明するフローチャートである。
【図８】図７に示すステップＳ２１によるリードＬＳＩの復帰処理を説明するフローチャートである。
【図９】図７に示すステップＳ２１によるリードＬＳＩの復帰処理を説明するフローチャートである。
【図１０】ＡＦＴのカットオフ周波数設定動作を行うための処理を説明するタイムチャートである。
【図１１】従来の光ディスク装置におけるパワーセーブモードからリード／ライトモードへの復帰動作を説明するタイムチャートである。
【符号の説明】
１０ コントロールユニット
１１ エンクロージャ
１２ ＭＰＵ
１４ ＯＤＣ
１６ ＤＳＰ
１８ バッファメモリ
２４ リードＬＳＩ
２６ 周波数シンセサイザ
７２ 光ディスク
１０１ 水晶振動子
【発明の属する技術分野】
本発明はパワーセーブモード制御方法及び記憶装置に係り、特に複数の異なるフォーマットの記録媒体をサポートする記憶装置のパワーセーブモードを制御するパワーセーブモード制御方法及びこのようなパワーセーブモード制御方法を用いる記憶装置に関する。
【０００２】
本明細書では、異なるフォーマットの記録媒体とは、異なる記憶容量の記録媒体を含む。
光ディスクや光磁気ディスク等をサポートするディスク装置では、ホスト装置からの動作命令が一定時間ないと、消費電力を削減するためのパワーセーブモードに移行する。パワーセーブモードでは、ディスク装置の一部が停止されるので、パワーセーブモードからリード／ライトモード等の動作モードに復帰する場合には、停止していたディスク装置の一部を素早く動作状態に復帰させることが望まれる。
【０００３】
【従来の技術】
例えば光ディスク装置では、ホスト装置からの動作命令が来ない時間に応じて複数のパワーセーブモードが設けられており、効率良く光ディスク装置の消費電力を削減するようにしている。或るパワーセーブモードでは、光ディスク装置内の自動調整回路（ＡＦＴ：Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｆｉｌｔｅｒ Ｔｕｎｉｎｇ）のカットオフ周波数を設定するのに用いる水晶振動子及びシンセサイザのクロックが停止される。他方、光ディスク装置を上記或るパワーセーブモードからリード／ライトモードに復帰させる場合には、光ディスク装置内のリード回路のイニシャルシーケンスを行って水晶振動子及びシンセサイザのクロックの設定を行う。このようなリード回路のイニシャルシーケンスは、どのパワーセーブモードからのリード／ライトモードへの復帰であっても行われる。
【０００４】
先ず、光ディスク装置の水晶振動子及びシンセサイザのクロックが例えば６４０ＭＢの記憶容量の光ディスクに対して予め設定されている状態で６４０ＭＢの光ディスクがロードされている場合に、光ディスク装置をパワーセーブモードからリード／ライトモードに復帰させる際の動作を説明する。説明の便宜上、光ディスク装置のモードは時間ｔ１からパワーセーブモードであり、時間ｔ２にホスト装置からリード／ライト命令が入来するものとする。
【０００５】
時間ｔ２からは、予め設定された水晶振動子及びシンセサイザのクロックに基づいて上記自動調整回路のカットオフ周波数の設定を行い、時間ｔ３から時間ｔ４まではリード／ライト処理が行われる。ここで、ｔ１＜ｔ２＜ｔ３＜ｔ４である。従って、パワーセーブモードからリード／ライトモードへの復帰時間は、時間ｔ２から時間ｔ３までの間の時間である。
【０００６】
ところで、光ディスク装置がサポートする光ディスクには、複数の異なるフォーマットの光ディスクが存在する。このため、光ディスク装置の水晶振動子及びシンセサイザのクロックは、光ディスク装置にロードされている光ディスクのフォーマットに応じて設定する必要がある。
図１１は、光ディスク装置の水晶振動子及びシンセサイザのクロックが例えば６４０ＭＢの記憶容量の光ディスクに対して予め設定されている状態で２３０ＭＢの記憶容量の光ディスクがロードされている場合に、光ディスク装置をパワーセーブモードからリード／ライトモードに復帰させる際の動作を説明するタイムチャートである。この場合、光ディスク装置内のリード回路のイニシャルシーケンスを行って、水晶振動子及びシンセサイザのクロックを２３０ＭＢの光ディスクに対して設定し直す必要がある。同図中、光ディスク装置のモードは時間ｔ１からパワーセーブモードであり、時間ｔ２にホスト装置からリード／ライト命令が入来するものとする。
【０００７】
この場合、水晶振動子及びシンセサイザのクロックは、２３０ＭＢの光ディスクに対して設定されている可能性があるので、図１１に示す時間ｔ２からは、光ディスク装置内のリード回路のイニシャルシーケンスを行って、６４０ＭＢの光ディスクに対して水晶振動子及びシンセサイザのクロックを上記設定に基づいて再設定する。そして、時間ｔ２ａからは、再設定された水晶振動子及びシンセサイザのクロックに基づいて上記自動調整回路のカットオフ周波数の設定を行う。自動調整回路のカットオフ周波数は、この場合はロードされる光ディスクの記憶容量に拘らず６４０ＭＢの光ディスク用に設定されるので、カットオフ周波数の設定の前に６４０ＭＢの光ディスクに対して水晶振動子及びシンセサイザのクロックを設定する必要がある。更に、時間ｔ２ｂからは、ロードされている２３０ＭＢの光ディスクに対して水晶振動子及びシンセサイザのクロックを設定し直し、時間ｔ３ａから時間ｔ４ａまではリード／ライト処理が行われる。従って、パワーセーブモードからリード／ライトモードへの復帰時間は、時間ｔ２から時間ｔ３ａまでの間の時間である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
図１１からもわかるように、光ディスク装置の水晶振動子及びシンセサイザのクロックが６４０ＭＢの光ディスクに対して予め設定されている状態で２３０ＭＢの光ディスクがロードされている場合には、パワーセーブモードからリード／ライトモードへの復帰時間は、時間ｔ２から時間ｔ２ａまでの設定時間と、時間ｔ２ａから時間ｔ２ｂまでの設定時間と、時間ｔ２ｂから時間ｔ３ａまでの設定時間との和である。特に、時間ｔ２から時間ｔ２ａまでの設定時間及び時間ｔ２ｂから時間ｔ３ａまでの設定時間は、夫々水晶振動子が安定動作するまでの例えば約５０ｍｓ程度の発振安定待ち時間をも含むため、上記復帰時間が長くなってしまうという問題があった。
【０００９】
そこで、本発明は、記憶装置のパワーセーブモードから他のモードへの復帰時間を短縮することが可能なパワーセーブモード制御方法及び記憶装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の課題は、複数の異なるフォーマットの記録媒体がロード可能な記憶装置におけるパワーセーブモード制御方法であって、該記憶装置にロードされた記録媒体のフォーマットが、該記憶装置に対して予め設定された第１のフォーマット以外の場合、パワーセーブモードへの移行時に該記憶装置内のクロック周波数を第１のフォーマットの記録媒体用の第１の周波数に設定するステップを含むパワーセーブモード制御方法によって達成される。
【００１１】
本発明になるパワーセーブモード制御方法によれば、記憶装置のパワーセーブモードから他のモードへの復帰時間を短縮することが可能となる。
パワーセーブモード制御方法は、前記記憶装置に前記第１のフォーマットとは異なる第２のフォーマットの記録媒体がロードされている場合に、前記パワーセーブモードから所定モードへの移行時に前記クロック周波数を前記第１の周波数とは異なる該第２のフォーマット用の第２の周波数に設定するステップを更に含むようにしても良い。
【００１２】
本発明になるパワーセーブモード制御方法によれば、記憶装置にロードされる記憶媒体のフォーマットに応じてクロック周波数が自動的に設定されるので、ユーザはロードする記録媒体のフォーマットを意識する必要がない。
パワーセーブモード制御方法において、前記所定モードは、リード／ライトモードであっても良い。
【００１３】
パワーセーブモード制御方法において、前記パワーセーブモードは、前記記憶装置に設けられた複数のパワーセーブモードのうちの１つのモードであっても良い。
パワーセーブモード制御方法において、前記クロックは、２つ以上の水晶振動子の１つを選択して自動調整を行う前記記憶装置内の自動調整回路のカットオフ周波数設定用のクロックであっても良い。
【００１４】
上記の課題は、複数の異なるフォーマットの記録媒体がロード可能な記憶装置であって、ロードされた記録媒体のフォーマットが、該記憶装置に対して予め設定された第１のフォーマット以外の場合、パワーセーブモードへの移行時に該記憶装置内のクロック周波数を第１のフォーマットの記録媒体用の第１の周波数に設定する手段を備えた記憶装置によっても達成される。
【００１５】
本発明になる記憶装置によれば、記憶装置のパワーセーブモードから他のモードへの復帰時間を短縮することが可能となる。
記憶装置は、前記第１のフォーマットとは異なる第２のフォーマットの記録媒体がロードされている場合に、前記パワーセーブモードから所定モードへの移行時に前記クロック周波数を前記第１の周波数とは異なる該第２のフォーマット用の第２の周波数に設定する手段を更に備えても良い。
【００１６】
本発明になる記憶装置によれば、記憶装置にロードされる記憶媒体のフォーマットに応じてクロック周波数が自動的に設定されるので、ユーザはロードする記録媒体のフォーマットを意識する必要がない。
記憶装置において、前記所定モードは、リード／ライトモードであっても良い。
【００１７】
記憶装置において、前記パワーセーブモードは、前記記憶装置に設けられた複数のパワーセーブモードのうち１つのモードであっても良い。
記憶装置は、２つ以上の水晶振動子の１つを選択して自動調整を行う自動調整回路を更に備え、前記クロックは該自動調整回路のカットオフ周波数設定用のクロックであっても良い。
【００１８】
記憶装置は、ロードされた記録媒体からリードされた情報に基づいて該記憶媒体のフォーマットを判別する手段を更に備えても良い。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図面と共に説明する。
【００２０】
【実施例】
先ず、本発明になるパワーセーブモード制御方法の一実施例を図１及び図２と共に説明する。本実施例では、本発明が光ディスク装置に適用されている。
図１は、光ディスク装置の水晶振動子及びシンセサイザのクロックが例えば６４０ＭＢの記憶容量の光ディスクに対して予め設定されている状態で６４０ＭＢの光ディスクがロードされている場合に、光ディスク装置をパワーセーブモードからリード／ライトモードに復帰させる際の動作を説明するタイムチャートである。同図中、光ディスク装置のモードは時間ｔ１１からパワーセーブモードであり、時間ｔ１２にホスト装置からリード／ライト命令が入来するものとする。
【００２１】
時間ｔ１２からは、予め設定された水晶振動子及びシンセサイザのクロックに基づいて上記自動調整回路のカットオフ周波数の設定を行い、時間ｔ１３から時間ｔ１４まではリード／ライト処理が行われる。従って、パワーセーブモードからリード／ライトモードへの復帰時間は、時間ｔ１２から時間ｔ１３までの間の時間である。
【００２２】
ところで、光ディスク装置がサポートする光ディスクには、複数の異なるフォーマットの光ディスクが存在する。このため、光ディスク装置の水晶振動子及びシンセサイザのクロックは、光ディスク装置にロードされている光ディスクのフォーマットに応じて設定する必要がある。
図２は、光ディスク装置の水晶振動子及びシンセサイザのクロックが例えば６４０ＭＢの記憶容量の光ディスクに対して予め設定されている状態で２３０ＭＢの記憶容量の光ディスクがロードされている場合に、光ディスク装置をパワーセーブモードからリード／ライトモードに復帰させる際の動作を説明するタイムチャートである。この場合、光ディスク装置内のリード回路のイニシャルシーケンスを行って、水晶振動子及びシンセサイザのクロックを２３０ＭＢの光ディスクに対して設定し直す必要がある。同図中、光ディスク装置のモードは時間ｔ１１からパワーセーブモードであり、時間ｔ１２にホスト装置からリード／ライト命令が入来するものとする。
【００２３】
この場合、時間ｔ１２以降の復帰処理を行う際、水晶振動子及びシンセサイザのクロックは、２３０ＭＢの光ディスクに対して設定されている可能性がある。そこで、図２に示す時間ｔ１１からは、６４０ＭＢの光ディスクに対して水晶振動子及びシンセサイザのクロックを上記設定に基づいて再設定する。そして、時間ｔ１２からは、光ディスク装置内のリード回路のイニシャルシーケンスを行って、再設定された水晶振動子及びシンセサイザのクロックに基づいて、上記自動調整回路のカットオフ周波数の設定を行う。自動調整回路のカットオフ周波数は、この場合はロードされる光ディスクの記憶容量に拘らず記憶容量の大きい方の６４０ＭＢの光ディスク用に設定されるので、カットオフ周波数の設定の前に６４０ＭＢの光ディスクに対して水晶振動子及びシンセサイザのクロックを設定する必要がある。更に、時間ｔ１２ａからは、ロードされている２３０ＭＢの光ディスクに対して水晶振動子及びシンセサイザのクロックを設定し直し、時間ｔ１３から時間ｔ１４まではリード／ライト処理が行われる。従って、パワーセーブモードからリード／ライトモードへの復帰時間は、時間ｔ１２から時間ｔ１３までの間の時間である。
【００２４】
このように、本実施例では、パワーセーブモードの開始時に６４０ＭＢの光ディスクに対して水晶振動子及びシンセサイザのクロックを上記設定に基づいて再設定する。このため、時間ｔ１２以降の光ディスク装置内のリード回路のイニシャルシーケンスを行って、復帰処理を行う際には、水晶振動子及びシンセサイザのクロックを再設定する必要はなく、図１１との比較からも明らかなように、復帰時間を水晶振動子及びシンセサイザのクロックを再設定するのに要する時間分短縮することができる。
【００２５】
尚、複数のパワーセーブモードが設けられている場合には、そのうちの１つのパワーセーブモードの開始時に水晶振動子及びシンセサイザのクロックを再設定しても良い。この場合、複数のパワーセーブモードのうち、光ディスク装置内リード回路が停止されるパワーセーブモードや光ディスク装置の消費電力が最も大きいパワーセーブモード等の開始時に水晶振動子及びシンセサイザのクロックを再設定しても良い。
【００２６】
次に、本発明になる記憶装置の一実施例を図３〜図１０と共に説明する。図３は、記録装置の一実施例の概略構成を示すブロック図である。本実施例では、本発明が光ディスク装置に適用されている。
図３に示すように、光ディスク装置は、大略コントロールユニット１０とエンクロージャ１１とからなる。コントロールユニット１０は、光ディスク装置の全体的な制御を行うＭＰＵ１２、ホスト装置（図示せず）との間でコマンド及びデータのやり取りを行うインタフェース１７、光ディスク（図示せず）に対するデータのリード／ライトに必要な処理を行う光ディスクコントローラ（ＯＤＣ）１４、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）１６及びバッファメモリ１８を有する。バッファメモリ１８は、ＭＰＵ１２、ＯＤＣ１４及びインタフェース１７で共用され、例えばダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）を含む。水晶振動子１０１は、ＭＰＵ１２と接続されている。
【００２７】
ＯＤＣ１４には、フォーマッタ１４−１と、誤り訂正符号（ＥＣＣ）処理部１４−２とが設けられている。ライトアクセス時には、フォーマッタ１４−１がＮＲＺライトデータを光ディスクのセクタ単位に分割して記録フォーマットを生成し、ＥＣＣ処理部１４−２がセクタライトデータ単位にＥＣＣを生成して付加すると共に、必要に応じて巡回冗長検査（ＣＲＣ）符号を生成して付加する。更に、ＥＣＣ処理部１４−２はＥＣＣの符号化が済んだセクタデータを例えば１−７ランレングスリミテッド（ＲＬＬ）符号に変換する。
【００２８】
リードアクセス時には、セクタデータに対して１−７ＲＬＬの逆変換を行い、次にＥＣＣ処理部１４−２でＣＲＣを行った後にＥＣＣによる誤り検出及び誤り訂正を行う。更に、フォーマッタ１４−１でセクタ単位のＮＲＺデータを連結してＮＲＺリードデータのストリームとしてホスト装置に転送させる。
ＯＤＣ１４に対しては、ライト大規模集積回路（ＬＳＩ）２０が設けられ、ライトＬＳＩ２０は、ライト変調部２１とレーザダイオード制御回路２２とを有する。レーザダイオード制御回路２２の制御出力は、エンクロージャ１１側の光学ユニットに設けられたレーザダイオードユニット３０に供給される。レーザダイオードユニット３０は、レーザダイオード３０−１とモニタ用ディテクタ３０−２とを一体的に有する。ライト変調部２１は、ライトデータをピットポジションモジュレーション（ＰＰＭ）記録（マーク記録とも言う）又はパルスウィドスモジュレーション（ＰＷＭ）記録（エッジ記録とも言う）でのデータ形式に変換する。
【００２９】
レーザダイオードユニット３０を使用してデータの記録再生を行う光ディスク、即ち、書き換え可能な光磁気（ＭＯ）カートリッジ媒体として、本実施例では１２８ＭＢ，２３０ＭＢ，５４０ＭＢ，６４０ＭＢのいずれかを使用することができる。１２８ＭＢ及び２３０ＭＢのＭＯカートリッジ媒体では、光ディスク上のマークの有無に対応してデータを記録するＰＰＭ記録が採用されている。又、光ディスクの記録フォーマットは、ゾーンコンスタントアンギュラベロシティ（ＣＡＶ）であり、ユーザ領域のゾーン数は１２８ＭＢの光ディスクで１ゾーン、２３０ＭＢの光ディスクで１０ゾーンである。
【００３０】
高密度記録を行う５４０ＭＢ及び６４０ＭＢのＭＯカートリッジ媒体については、マークのエッジ、即ち、前縁及び後縁とをデータに対応させて記録するＰＷＭ記録が採用されている。ここで、５４０ＭＢの光ディスクと６４０ＭＢの光ディスクとの記憶容量の差は、セクタ容量の違いによるものであり、セクタ容量が２０４８バイトの場合は６４０ＭＢの光ディスクとなり、セクタ容量が５１２バイトの場合は５４０ＭＢの光ディスクとなる。又、光ディスクの記録フォーマットは、ゾーンＣＡＶであり、ユーザ領域のゾーン数は６４０ＭＢの光ディスクで１１ゾーン、５４０ＭＢの光ディスクで１８ゾーンである。
【００３１】
このように、本実施例では、１２８ＭＢ，２３０ＭＢ，５４０ＭＢ，６４０ＭＢの光ディスク、更に、ダイレクトオーバライト対応の２３０ＭＢ，５４０ＭＢ，６４０ＭＢの光ディスクにも対応可能である。従って、光ディスク装置に光ディスクをロードすると、先ず光ディスクの識別（ＩＤ）部をリードしてそのピット間隔からＭＰＵ１２で光ディスクの種別を認識し、種別の認識結果をＯＤＣ１４に通知する。
【００３２】
ＯＤＣ１４に対するリード系統としては、リードＬＳＩ２４が設けられ、リードＬＳＩ２４にはリード復調部２５と周波数シンセサイザ２６とが内蔵される。リードＬＳＩ２４に対しては、エンクロージャ１１に設けたＩＤ／ＭＯ用ディテクタ３２によるレーザダイオード３０−１からのレーザビームの戻り光の受光信号が、ヘッドアンプ３４を介してＩＤ信号及びＭＯ信号として入力されている。
【００３３】
リードＬＳＩ２４のリード復調部２５には、自動利得制御（ＡＧＣ）回路、フィルタ、セクタマーク検出回路等の回路機能が設けられ、リード復調部２５は入力されたＩＤ信号及びＭＯ信号からリードクロック及びリードデータを生成してＰＰＭデータ又はＰＷＭデータを元のＮＲＺデータに復調する。又、ゾーンＣＡＶを採用しているため、ＭＰＵ１２からリードＬＳＩ２４に内蔵された周波数シンセサイザ２６に対してゾーン対応のクロック周波数を発生させるための分周比の設定制御が行われる。
【００３４】
周波数シンセサイザ２６は、プログラマブル分周器を備えたフェーズロックドループ（ＰＬＬ）回路であり、光ディスク上のゾーン位置に応じて予め定めた固有の周波数を有する基準クロックをリードクロックとして発生する。即ち、周波数シンセサイザ２６は、プログラマブル分周器を備えたＰＬＬ回路で構成され、ＭＰＵ１２がゾーン番号に応じて設定した分周比ｍ／ｎに従った周波数ｆｏの基準クロックを、ｆｏ＝（ｍ／ｎ）・ｆｉに従って発生する。
【００３５】
ここで、分周比ｍ／ｎの分母の分周値ｎは、１２８ＭＢ，２３０ＭＢ，５４０ＭＢ又は６４０ＭＢの光ディスクの種別に応じた固有の値である。又、分周比ｍ／ｎの分子の分周値ｍは、光ディスクのゾーン位置に応じて変化する値であり、各光ディスクに対してゾーン番号に対応した値のテーブル情報として予め準備されている。更に、ｆｉは、周波数シンセサイザ２６の外部で発生した基準クロックの周波数を示す。
【００３６】
リードＬＳＩ２４で復調されたリードデータは、ＯＤＣ１４のリード系統に供給され、１−７ＲＬＬの逆変換を行った後にＥＣＣ処理部１４−２の符号化機能によりＣＲＣ及びＥＣＣ処理を施され、ＮＲＺセクタデータに復元される。次に、フォーマッタ１４−１でＮＲＺセクタデータを繋げたＮＲＺリードデータのストリームに変換し、バッファメモリ１８を経由してインタフェース１７からホスト装置に転送される。
【００３７】
ＭＰＵ１２に対しては、ＤＳＰ１６を経由してエンクロージャ１１側に設けた温度センサ３６の検出信号が供給されている。ＭＰＵ１２は、温度センサ３６で検出した光ディスク装置内部の環境温度に基づき、レーザダイオード制御回路２２におけるリード、ライト及びイレーズの各発光パワーを最適値に制御する。
ＭＰＵ１２は、ＤＳＰ１６を経由してドライバ３８によりエンクロージャ１１側に設けたスピンドルモータ４０を制御する。本実施例では、光ディスクの記録ドーマットがゾーンＣＡＶであるため、スピンドルモータ４０は例えば３０００ｒｐｍの一定速度で回転される。
【００３８】
又、ＭＰＵ１２は、ＤＳＰ１６を経由してドライバ４２を介してエンクロージャ１１側に設けた電磁石４４を制御する。電磁石４４は、光ディスク装置内にロードされた光ディスクのビーム照射側と反対側に配置されており、記録時及び消去時に光ディスクに外部磁界を供給する。
ＤＳＰ１６は、光ディスクに対してレーザダイオード３０からのビームの位置決めを行うためのサーボ機能を備え、目的トラックにシークしてオントラックするためのシーク制御部及びオントラック制御部として機能する。このシーク制御及びオントラック制御は、ＭＰＵ１２による上位コマンドに対するライトアクセス又はリードアクセスに並行して同時に実行することができる。
【００３９】
ＤＳＰ１６のサーボ機能を実現するため、エンクロージャ１１側の光学ユニットに光ディスクからのビーム戻り光を受光するフォーカスエラー信号（ＦＥＳ）用ディテクタ４５を設けている。ＦＥＳ検出回路４６は、ＦＥＳ用ディテクタ４５の受光出力からＦＥＳＥ１を生成してＤＳＰ１６に入力する。
エンクロージャ１１側の光学ユニットには、光ディスクからのビーム戻り光を受光するトラッキングエラー信号（ＴＥＳ）用ディテクタ４７も設けられている。ＴＥＳ検出回路４８は、ＴＥＳ用ディテクタ４７の受光出力からＴＥＳＥ２を生成してＤＳＰ１６に入力する。ＴＥＳＥ２は、トラックゼロクロス（ＴＺＣ）検出回路５０にも入力され、ＴＺＣパルスＥ３が生成されてＤＳＰ１６に入力される。
【００４０】
エンクロージャ１１側には、光ディスクに対してレーザビームを照射する対物レンズの位置を検出するレンズ位置センサ５２が設けられており、レンズ位置センサ５２からのレンズ位置検出信号（ＬＰＯＳ）Ｅ４はＤＳＰ１６に入力される。ＤＳＰ１６は、光ディスク上のビームスポットの位置を制御するため、ドライバ５８，６２，６６を介してフォーカスアクチュエータ６０、レンズアクチュエータ６４及びボイスコイルモータ（ＶＣＭ）６８を制御して駆動する。
【００４１】
図４は、エンクロージャ１１の概略構成を示す断面図である。図４に示すように、ハウジング６７内にはスピンドルモータ４０が設けられ、インレットドア６９側からＭＯカートリッジ７０を挿入することで、ＭＯカートリッジ７０に収納された光ディスク（ＭＯディスク）７２がスピンドルモータ４０の回転軸のハブに装着されて光ディスク７２が光ディスク装置にロードされる。
【００４２】
ロードされたＭＯカートリッジ７０内の光ディスク７２の下側には、ＶＣＭ６４により光ディスク７２のトラックを横切る方向に移動自在なキャリッジ７６が設けられている。キャリッジ７６上には対物レンズ８０が搭載され、固定光学系７８に設けられているレーザダイオード（３０−１）からのビームを立ち上げミラー８２を介して入射して光ディスク７２の記録面にビームスポットを結像する。
【００４３】
対物レンズ８０は、図３に示すエンクロージャ１１のフォーカスアクチュエータ６０により光軸方向に移動制御され、又、レンズアクチュエータ６４により光ディスク７２のトラックを横切る半径方向に例えば数十トラックの範囲内で移動可能である。このキャリッジ７６に搭載されている対物レンズ８０の位置が、図３のレンズ位置センサ５４により検出される。レンズ位置センサ５４は、対物レンズ８０の光軸が直上に向かう中立位置でレンズ位置検出信号をゼロとし、光ディスク７２のアウタ側への移動とインナ側への移動に対して夫々異なる曲性の移動量に応じたレンズ位置検出信号Ｅ４を出力する。
【００４４】
図５は、図３に示す光ディスク装置におけるＭＰＵ１２のリードＬＳＩ２４、ＯＤＣ１４及びＤＳＰ１６に対するパラメータ設定制御と整定待ち機能を説明するブロック図である。
ＭＰＵ１２には、ホスト装置からのリードコマンドに基づいて動作するパラメータの設定制御部９０と、パラメータ設定後の整定待ち処理部９２とが設けられている。設定制御部９０は、バッファメモリ１８に含まれるＲＡＭ等に展開されたパラメータテーブル９４を使用して各種アクセスに必要なパラメータの設定制御を行う。
【００４５】
リードＬＳＩ２４には、ＭＰＵ１２に設けた設定制御部９０によるパラメータ設定の対象として、周波数シンセサイザ２６と、ＩＤ／ＭＯ用ディテクタ３２から得られるＭＯ信号の等化回路９５とが設けられている。周波数シンセサイザ２６に対しては、本実施例では３つの制御レジスタ９６，９８，１００が設けられている。
【００４６】
制御レジスタ９６，９８，１００の夫々には、ＭＰＵ１２の設定制御部９０により分周比ｍ／ｎ、電圧制御発振器（ＶＣＯ）周波数設定及びＰＬＬダンピング抵抗選択の各パラメータが設定される。又、等化回路９５に対しては、制御レジスタ１０２が設けられており、ＭＰＵ１２の設定制御部９０によりイコライザカットオフ周波数が設定される。更に、ＯＤＣ１４に設けられているセクタマーク検出回路１０４に対しては、制御レジスタ１０６が設けられており、ＭＰＵ１２の設定制御部９０によりセクタマーク検出カットオフ周波数が設定制御される。
【００４７】
ＤＳＰ１６には、ＭＰＵ１２でホスト装置からのリードコマンドを実行する際にシークコマンドが転送される。ＤＳＰ１６は、このシークコマンドに基づいてＭＰＵ１２の処理に並行して同時にビームスポットを光ディスク７２の目標トラックに位置付けるためのシーク制御を行うシーク制御部１０８を備えている。
このように、ＭＰＵ１２の設定制御部９０は、リードＬＳＩ２４に設けられているＭＯ信号の等化回路９５のカットオフ周波数を制御レジスタ１０２の設定制御で最適化できる。又、設定制御部９０は、リードＬＳＩ２４に設けられている周波数シンセサイザ２６の分周比ｍ／ｎ、ＶＣＯ周波数設定及びＰＬＬダンピング抵抗選択の各パラメータを制御レジスタ９６，９８，１００の設定制御で最適化できる。更に、設定制御部９０は、ＯＤＣ１４に設けられているセクタマーク検出回路１０４のカットオフ周波数を制御レジスタ１０６の設定制御で最適化できる。
【００４８】
次に、本実施例では、複数のパワーセーブモードが設けられており、光ディスク装置の使用状況に応じて消費電力を最も効率的に低減するパワーセーブモードが選択される。図６は、本実施例におけるパワーセーブモードへの移行を説明するフローチャートであり、図３に示すＭＰＵ１２の動作に対応する。尚、説明の便宜上、光ディスク装置は６４０ＭＢの光ディスク７２用に予め設定されているものとし、光ディスク装置には２３０ＭＢの光ディスク７２がロードされているものとする。
【００４９】
図６において、ステップＳ０で光ディスク７２が光ディスク装置のエンクロージャ１１に挿入されたことを周知の手段で検出すると、ステップＳ１で光ディスク７２をスピンドルモータ４０の回転軸のハブに対して装着するロード処理を行う。ステップＳ２は、ロード処理が正しく行われたか否かを周知の手段で判定し、判定結果がＮＯであると処理はステップＳ０へ戻る。他方、ステップＳ２の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ３は、ロードされた光ディスク７２から光ディスク７２のＩＤ部をリードしてそのピット間隔から光ディスク７２の種別を認識し、上記の如く種別の認識結果をＯＤＣ１４に通知するので、この状態では、ロードされている光ディスク７２の種別、即ち、記憶容量を含むフォーマットが認識されている。ステップＳ３の後、処理はステップＳ４へ進む。
【００５０】
ステップＳ４は、光ディスク装置のモードをパワーセーブモードＭ１に設定する。パワーセーブモードＭ１では、図３に示すリードＬＳＩ２４は停止されると共に、ステップＳ３により２３０ＭＢの光ディスク７２がロードされていると認識されている場合には、図２に示したように、水晶振動子１０１及びリードＬＳＩ２４内の周波数シンセサイザ２６のクロックを６４０ＭＢの光ディスク７２用に設定する。ステップＳ３により６４０ＭＢの光ディスク７２がロードされていると認識されている場合には、図１に示したように、水晶振動子１０１及びリードＬＳＩ２４内の周波数シンセサイザ２６のクロックを６４０ＭＢの光ディスク７２用に設定する処理は行われない。
【００５１】
ステップＳ５は、一定時間Ｔ１内にホスト装置から命令があるか否かを判定し、判定結果がＮＯの場合、ステップＳ６は、光ディスク装置のモードをパワーセーブモードＭ２に設定する。パワーセーブモードＭ２では、水晶振動子１０１、周波数シンセサイザ２６、ドライバ５８，６２，６６、ヘッドアンプ３４、ＦＥＳ検出回路４６及びＴＥＳ検出回路４８内のアンプ等が停止され、ＤＳＰ１６、ＯＤＣ１４及びＭＰＵ１２のクロックが低下されると共に、バッファメモリ１８に含まれるＤＲＡＭのリフレッシュ動作を一段階低下させる。
【００５２】
ステップＳ７は、一定時間Ｔ２（Ｔ２＞Ｔ１）内にホスト装置から命令があるか否かを判定し、判定結果がＮＯの場合、ステップＳ８は、光ディスク装置のモードをパワーセーブモードＭ３に設定する。パワーセーブモードＭ３では、レーザダイオード３０−１、スピンドルモータ４０等が停止され、ＤＳＰ１６のクロックが停止されると共にバッファメモリ１８に含まれるＤＲＡＭのリフレッシュ動作をパワーセーブモードＭ２より更に一段階低下させる。
【００５３】
ステップＳ９は、一定時間Ｔ３（Ｔ３＞Ｔ２）内にホスト装置から命令があるか否かを判定し、判定結果がＮＯの場合、ステップＳ１０は、光ディスク装置のモードをパワーセーブモードＭ４に設定する。パワーセーブモードＭ４では、あるホストインタフェースでは、ＭＰＵ１２、バッファメモリ１８に含まれるＤＲＡＭのリフレッシュ動作等が停止される。ステップＳ１０の後、処理はステップＳ９へ戻る。
【００５４】
他方、ステップＳ５、Ｓ７又はＳ９の判定結果がＹＥＳの場合、処理はステップＳ１１へ進んでパワーセーブモードからのパワーセーブモード以外のモードへの復帰処理が行われると共に、リード／ライト処理が行われ、その後に処理はステップＳ４へ戻る。
図７は、図６に示すステップＳ１１による復帰処理を説明するフローチャートである。同図中、ステップＳ２１は、リードＬＳＩ２４の復帰処理を行い、ステップＳ２２は、ロードされている光ディスク７２用のパラメータをリードＬＳＩ２４に設定する。ステップＳ２３は、光ディスク７２のゾーンを検出し、ステップＳ２４は、光ディスク７２のゾーン毎のパラメータをリードＬＳＩ２４に設定し、処理は終了する。
【００５５】
図８及び図９は、図７に示すステップＳ２１によるリードＬＳＩ２４の復帰処理を説明するフローチャートである。図８中、ステップＳ３１は、水晶振動子１０１及び周波数シンセサイザ２６のクロックが６４０ＭＢの光ディスク７２用に設定されているか否かを判定する。ステップＳ３１の判定結果がＮＯであると、ステップＳ３２は、水晶振動子１０１及び周波数シンセサイザ２６のクロックを６４０ＭＢの光ディスク７２用に設定する。ステップＳ３１の判定結果がＹＥＳ又はステップＳ３２の後、ステップＳ３３は、イコライザブースト、ピーククランプ、ＡＣサグキャンセラ振幅補正等の各パラメータを制御レジスタ９６，９８，１００の設定制御により標準値に設定する。又、ステップＳ３４は、リードＬＳＩ２４を停止状態（スリープモード）から解除する。ステップＳ３４の後、処理は図９に示すステップＳ３５へ進む。
【００５６】
図９において、ステップＳ３５は、周波数シンセサイザ２６の分周比ｍ／ｎ，ＶＣＯ周波数の分周率及び基準クロックの分周率を設定する。ステップＳ３６は、リードＬＳＩ２４内のノーマル時、セクタマーク検出時のカットオフ周波数を決定する。ステップＳ３７〜Ｓ４０からなるシーケンスＳＱは、ＡＦＴのカットオフ周波数の設定動作に対応する。ステップＳ３７は、ＡＦＴのパワーをオン状態とし、ステップＳ３８は、ＡＦＴの初期化を行う。ステップＳ３９は、ＡＦＴによる自動調整処理を行い、ステップＳ４０は、ＡＦＴのパワーをオフ状態とする。そして、ステップＳ４１は、リードＬＳＩ２４内の制御レジスタ１０２にＭＯ信号の等化回路９５のカットオフ周波数を設定し、処理は終了する。
【００５７】
図１０は、本実施例におけるＡＦＴのカットオフ周波数設定動作を行うための処理を説明するタイムチャートである。同図中、（ａ）は周波数シンセサイザ２６の分周比ｍ／ｎ、ＶＣＯ周波数設定及びＰＬＬダンピング抵抗選択の各パラメータの設定タイミング、（ｂ）は周波数シンセサイザ２６の基準クロックの設定タイミング、（ｃ）はセクタマーク検出回路１０４によるセクタマークの検出時のカットオフ周波数決定タイミング、（ｄ）は整定待ち時間のタイミング、（ｅ）はＡＦＴのカットオフ周波数設定タイミングを示す。
【００５８】
以上、本発明を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言うまでもない。
【００５９】
【発明の効果】
本発明になるパワーセーブモード制御方法によれば、記憶装置のパワーセーブモードから他のモードへの復帰時間を短縮することが可能となる。
又、前記記憶装置に前記第１のフォーマットとは異なる第２のフォーマットの記録媒体がロードされている場合に、前記パワーセーブモードから所定モードへの移行時に前記クロック周波数を前記第１の周波数とは異なる該第２のフォーマット用の第２の周波数に設定するようにすると、記憶装置にロードされる記憶媒体のフォーマットに応じてクロック周波数が自動的に設定されるので、ユーザはロードする記録媒体のフォーマットを意識する必要がない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明になるパワーセーブモード制御方法の一実施例を説明するタイムチャートである。
【図２】本発明になるパワーセーブモード制御方法の一実施例を説明するタイムチャートである。
【図３】本発明になる記憶装置の一実施例の概略構成を示すブロック図である。
【図４】エンクロージャの概略構成を示す断面図である。
【図５】光ディスク装置におけるＭＰＵのリードＬＳＩ、ＯＤＣ及びＤＳＰに対するパラメータ設定制御と整定待ち機能を説明するブロック図である。
【図６】パワーセーブモードへの移行を説明するフローチャートである。
【図７】図６に示すステップＳ１１による復帰処理を説明するフローチャートである。
【図８】図７に示すステップＳ２１によるリードＬＳＩの復帰処理を説明するフローチャートである。
【図９】図７に示すステップＳ２１によるリードＬＳＩの復帰処理を説明するフローチャートである。
【図１０】ＡＦＴのカットオフ周波数設定動作を行うための処理を説明するタイムチャートである。
【図１１】従来の光ディスク装置におけるパワーセーブモードからリード／ライトモードへの復帰動作を説明するタイムチャートである。
【符号の説明】
１０ コントロールユニット
１１ エンクロージャ
１２ ＭＰＵ
１４ ＯＤＣ
１６ ＤＳＰ
１８ バッファメモリ
２４ リードＬＳＩ
２６ 周波数シンセサイザ
７２ 光ディスク
１０１ 水晶振動子
Claims (11)
- 複数の異なるフォーマットの記録媒体がロード可能であると共に、パワーセーブモードからの復帰時には第１のフォーマットの記録媒体用のクロックによりカットオフ周波数が設定される自動調整回路を備えた記憶装置におけるパワーセーブモード制御方法であって、
該記憶装置にロードされた記録媒体のフォーマットが該第１のフォーマット以外の場合、パワーセーブモード中に該記憶装置内で設定されるクロックの周波数を該第１のフォーマットの記録媒体用の第１の周波数に設定するステップを含む、パワーセーブモード制御方法。 - 前記記憶装置に前記第１のフォーマットとは異なる第２のフォーマットの記録媒体がロードされている場合に、前記パワーセーブモードから所定モードへの復帰中に前記クロック周波数を前記第１の周波数とは異なる該第２のフォーマット用の第２の周波数に設定するステップを更に含む、請求項１記載のパワーセーブモード制御方法。
- 前記所定モードは、リード／ライトモードである、請求項２記載のパワーセーブモード制御方法。
- 前記パワーセーブモードは、前記記憶装置に設けられた複数のパワーセーブモードのうちの１つのモードである、請求項１〜３のいずれか１項記載のパワーセーブモード制御方法。
- 前記クロックは、２つ以上の水晶振動子の１つを選択して自動調整を行う前記自動調整回路のカットオフ周波数設定用のクロックである、請求項１〜４のいずれか１項記載のパワーセーブモード制御方法。
- 複数の異なるフォーマットの記録媒体がロード可能であると共に、パワーセーブモードからの復帰時には第１のフォーマットの記録媒体用のクロックによりカットオフ周波数が設定される自動調整回路を有する記憶装置であって、
ロードされた記録媒体のフォーマットが該第１のフォーマット以外の場合、パワーセーブモード中に該記憶装置内で設定されるクロックのクロック周波数を第１のフォーマットの記録媒体用の第１の周波数に設定する手段を備えた、記憶装置。 - 前記第１のフォーマットとは異なる第２のフォーマットの記録媒体がロードされている場合に、前記パワーセーブモードから所定モードへの復帰中に前記クロック周波数を前記第１の周波数とは異なる該第２のフォーマット用の第２の周波数に設定する手段を更に備えた、請求項６記載の記憶装置。
- 前記所定モードは、リード／ライトモードである、請求項７記載の記憶装置。
- 前記パワーセーブモードは、前記記憶装置に設けられた複数のパワーセーブモードのうち１つのモードである、請求項６〜８のいずれか１項記載の記憶装置。
- 前記自動調整回路は、２つ以上の水晶振動子の１つを選択して自動調整を行い、前記クロックは該自動調整回路のカットオフ周波数設定用のクロックである、請求項６〜９のいずれか１項記載の記憶装置。
- ロードされた記録媒体からリードされた情報に基づいて該記憶媒体のフォーマットを判別する手段を更に備えた、請求項６〜１０のいずれか１項記載の記憶装置。
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