JPH11213519A

JPH11213519A - パワーセーブモード制御方法及び記憶装置

Info

Publication number: JPH11213519A
Application number: JP10008989A
Authority: JP
Inventors: Nobuya Kobayashi; 伸弥小林; Shigetomo Yanagi; 茂知柳
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1998-01-20
Filing date: 1998-01-20
Publication date: 1999-08-06
Anticipated expiration: 2018-01-20
Also published as: US6381204B1; JP3638077B2

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明はパワーセーブモード制御方法及び記
憶装置に関し、記憶装置のパワーセーブモードから他の
モードへの復帰時間を短縮することを可能とすることを
目的とする。【解決手段】複数の異なるフォーマットの記録媒体が
ロード可能な記憶装置において、ロードされた記録媒体
のフォーマットが予め設定された第１のフォーマット以
外の場合、パワーセーブモードへの移行時に該記憶装置
内のクロック周波数を第１のフォーマットの記録媒体用
の第１の周波数に設定するように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はパワーセーブモード
制御方法及び記憶装置に係り、特に複数の異なるフォー
マットの記録媒体をサポートする記憶装置のパワーセー
ブモードを制御するパワーセーブモード制御方法及びこ
のようなパワーセーブモード制御方法を用いる記憶装置
に関する。

【０００２】本明細書では、異なるフォーマットの記録
媒体とは、異なる記憶容量の記録媒体を含む。光ディス
クや光磁気ディスク等をサポートするディスク装置で
は、ホスト装置からの動作命令が一定時間ないと、消費
電力を削減するためのパワーセーブモードに移行する。
パワーセーブモードでは、ディスク装置の一部が停止さ
れるので、パワーセーブモードからリード／ライトモー
ド等の動作モードに復帰する場合には、停止していたデ
ィスク装置の一部を素早く動作状態に復帰させることが
望まれる。

【０００３】

【従来の技術】例えば光ディスク装置では、ホスト装置
からの動作命令が来ない時間に応じて複数のパワーセー
ブモードが設けられており、効率良く光ディスク装置の
消費電力を削減するようにしている。或るパワーセーブ
モードでは、光ディスク装置内の自動調整回路（ＡＦ
Ｔ：ＡｕｔｏｍａｔｉｃＦｉｌｔｅｒＴｕｎｉｎ
ｇ）のカットオフ周波数を設定するのに用いる水晶振動
子及びシンセサイザのクロックが停止される。他方、光
ディスク装置を上記或るパワーセーブモードからリード
／ライトモードに復帰させる場合には、光ディスク装置
内のリード回路のイニシャルシーケンスを行って水晶振
動子及びシンセサイザのクロックの設定を行う。このよ
うなリード回路のイニシャルシーケンスは、どのパワー
セーブモードからのリード／ライトモードへの復帰であ
っても行われる。

【０００４】先ず、光ディスク装置の水晶振動子及びシ
ンセサイザのクロックが例えば６４０ＭＢの記憶容量の
光ディスクに対して予め設定されている状態で６４０Ｍ
Ｂの光ディスクがロードされている場合に、光ディスク
装置をパワーセーブモードからリード／ライトモードに
復帰させる際の動作を説明する。説明の便宜上、光ディ
スク装置のモードは時間ｔ１からパワーセーブモードで
あり、時間ｔ２にホスト装置からリード／ライト命令が
入来するものとする。

【０００５】時間ｔ２からは、予め設定された水晶振動
子及びシンセサイザのクロックに基づいて上記自動調整
回路のカットオフ周波数の設定を行い、時間ｔ３から時
間ｔ４まではリード／ライト処理が行われる。ここで、
ｔ１＜ｔ２＜ｔ３＜ｔ４である。従って、パワーセーブ
モードからリード／ライトモードへの復帰時間は、時間
ｔ２から時間ｔ３までの間の時間である。

【０００６】ところで、光ディスク装置がサポートする
光ディスクには、複数の異なるフォーマットの光ディス
クが存在する。このため、光ディスク装置の水晶振動子
及びシンセサイザのクロックは、光ディスク装置にロー
ドされている光ディスクのフォーマットに応じて設定す
る必要がある。図１１は、光ディスク装置の水晶振動子
及びシンセサイザのクロックが例えば６４０ＭＢの記憶
容量の光ディスクに対して予め設定されている状態で２
３０ＭＢの記憶容量の光ディスクがロードされている場
合に、光ディスク装置をパワーセーブモードからリード
／ライトモードに復帰させる際の動作を説明するタイム
チャートである。この場合、光ディスク装置内のリード
回路のイニシャルシーケンスを行って、水晶振動子及び
シンセサイザのクロックを２３０ＭＢの光ディスクに対
して設定し直す必要がある。同図中、光ディスク装置の
モードは時間ｔ１からパワーセーブモードであり、時間
ｔ２にホスト装置からリード／ライト命令が入来するも
のとする。

【０００７】この場合、水晶振動子及びシンセサイザの
クロックは、２３０ＭＢの光ディスクに対して設定され
ている可能性があるので、図１１に示す時間ｔ２から
は、光ディスク装置内のリード回路のイニシャルシーケ
ンスを行って、６４０ＭＢの光ディスクに対して水晶振
動子及びシンセサイザのクロックを上記設定に基づいて
再設定する。そして、時間ｔ２ａからは、再設定された
水晶振動子及びシンセサイザのクロックに基づいて上記
自動調整回路のカットオフ周波数の設定を行う。自動調
整回路のカットオフ周波数は、この場合はロードされる
光ディスクの記憶容量に拘らず６４０ＭＢの光ディスク
用に設定されるので、カットオフ周波数の設定の前に６
４０ＭＢの光ディスクに対して水晶振動子及びシンセサ
イザのクロックを設定する必要がある。更に、時間ｔ２
ｂからは、ロードされている２３０ＭＢの光ディスクに
対して水晶振動子及びシンセサイザのクロックを設定し
直し、時間ｔ３ａから時間ｔ４ａまではリード／ライト
処理が行われる。従って、パワーセーブモードからリー
ド／ライトモードへの復帰時間は、時間ｔ２から時間ｔ
３ａまでの間の時間である。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】図１１からもわかるよ
うに、光ディスク装置の水晶振動子及びシンセサイザの
クロックが６４０ＭＢの光ディスクに対して予め設定さ
れている状態で２３０ＭＢの光ディスクがロードされて
いる場合には、パワーセーブモードからリード／ライト
モードへの復帰時間は、時間ｔ２から時間ｔ２ａまでの
設定時間と、時間ｔ２ａから時間ｔ２ｂまでの設定時間
と、時間ｔ２ｂから時間ｔ３ａまでの設定時間との和で
ある。特に、時間ｔ２から時間ｔ２ａまでの設定時間及
び時間ｔ２ｂから時間ｔ３ａまでの設定時間は、夫々水
晶振動子が安定動作するまでの例えば約５０ｍｓ程度の
発振安定待ち時間をも含むため、上記復帰時間が長くな
ってしまうという問題があった。

【０００９】そこで、本発明は、記憶装置のパワーセー
ブモードから他のモードへの復帰時間を短縮することが
可能なパワーセーブモード制御方法及び記憶装置を提供
することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の課題は、複数の異
なるフォーマットの記録媒体がロード可能な記憶装置に
おけるパワーセーブモード制御方法であって、該記憶装
置にロードされた記録媒体のフォーマットが予め設定さ
れた第１のフォーマット以外の場合、パワーセーブモー
ドへの移行時に該記憶装置内のクロック周波数を第１の
フォーマットの記録媒体用の第１の周波数に設定するス
テップを含むパワーセーブモード制御方法によって達成
される。

【００１１】本発明になるパワーセーブモード制御方法
によれば、記憶装置のパワーセーブモードから他のモー
ドへの復帰時間を短縮することが可能となる。パワーセ
ーブモード制御方法は、前記記憶装置に前記第１のフォ
ーマットとは異なる第２のフォーマットの記録媒体がロ
ードされている場合に、前記パワーセーブモードから所
定モードへの移行時に前記クロック周波数を前記第１の
周波数とは異なる該第２のフォーマット用の第２の周波
数に設定するステップを更に含むようにしても良い。

【００１２】本発明になるパワーセーブモード制御方法
によれば、記憶装置にロードされる記憶媒体のフォーマ
ットに応じてクロック周波数が自動的に設定されるの
で、ユーザはロードする記録媒体のフォーマットを意識
する必要がない。パワーセーブモード制御方法におい
て、前記所定モードは、リード／ライトモードであって
も良い。

【００１３】パワーセーブモード制御方法において、前
記パワーセーブモードは、前記記憶装置に設けられた複
数のパワーセーブモードのうちの１つのモードであって
も良い。パワーセーブモード制御方法において、前記ク
ロックは、２つ以上の水晶振動子の１つを選択して自動
調整を行う前記記憶装置内の自動調整回路のカットオフ
周波数設定用のクロックであっても良い。

【００１４】上記の課題は、複数の異なるフォーマット
の記録媒体がロード可能な記憶装置であって、ロードさ
れた記録媒体のフォーマットが予め設定された第１のフ
ォーマット以外の場合、パワーセーブモードへの移行時
に該記憶装置内のクロック周波数を第１のフォーマット
の記録媒体用の第１の周波数に設定する手段を備えた記
憶装置によっても達成される。

【００１５】本発明になる記憶装置によれば、記憶装置
のパワーセーブモードから他のモードへの復帰時間を短
縮することが可能となる。記憶装置は、前記第１のフォ
ーマットとは異なる第２のフォーマットの記録媒体がロ
ードされている場合に、前記パワーセーブモードから所
定モードへの移行時に前記クロック周波数を前記第１の
周波数とは異なる該第２のフォーマット用の第２の周波
数に設定する手段を更に備えても良い。

【００１６】本発明になる記憶装置によれば、記憶装置
にロードされる記憶媒体のフォーマットに応じてクロッ
ク周波数が自動的に設定されるので、ユーザはロードす
る記録媒体のフォーマットを意識する必要がない。記憶
装置において、前記所定モードは、リード／ライトモー
ドであっても良い。

【００１７】記憶装置において、前記パワーセーブモー
ドは、前記記憶装置に設けられた複数のパワーセーブモ
ードのうち１つのモードであっても良い。記憶装置は、
２つ以上の水晶振動子の１つを選択して自動調整を行う
自動調整回路を更に備え、前記クロックは該自動調整回
路のカットオフ周波数設定用のクロックであっても良
い。

【００１８】記憶装置は、ロードされた記録媒体からリ
ードされた情報に基づいて該記憶媒体のフォーマットを
判別する手段を更に備えても良い。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面と共
に説明する。

【００２０】

【実施例】先ず、本発明になるパワーセーブモード制御
方法の一実施例を図１及び図２と共に説明する。本実施
例では、本発明が光ディスク装置に適用されている。図
１は、光ディスク装置の水晶振動子及びシンセサイザの
クロックが例えば６４０ＭＢの記憶容量の光ディスクに
対して予め設定されている状態で６４０ＭＢの光ディス
クがロードされている場合に、光ディスク装置をパワー
セーブモードからリード／ライトモードに復帰させる際
の動作を説明するタイムチャートである。同図中、光デ
ィスク装置のモードは時間ｔ１１からパワーセーブモー
ドであり、時間ｔ１２にホスト装置からリード／ライト
命令が入来するものとする。

【００２１】時間ｔ１２からは、予め設定された水晶振
動子及びシンセサイザのクロックに基づいて上記自動調
整回路のカットオフ周波数の設定を行い、時間ｔ１３か
ら時間ｔ１４まではリード／ライト処理が行われる。従
って、パワーセーブモードからリード／ライトモードへ
の復帰時間は、時間ｔ１２から時間ｔ１３までの間の時
間である。

【００２２】ところで、光ディスク装置がサポートする
光ディスクには、複数の異なるフォーマットの光ディス
クが存在する。このため、光ディスク装置の水晶振動子
及びシンセサイザのクロックは、光ディスク装置にロー
ドされている光ディスクのフォーマットに応じて設定す
る必要がある。図２は、光ディスク装置の水晶振動子及
びシンセサイザのクロックが例えば６４０ＭＢの記憶容
量の光ディスクに対して予め設定されている状態で２３
０ＭＢの記憶容量の光ディスクがロードされている場合
に、光ディスク装置をパワーセーブモードからリード／
ライトモードに復帰させる際の動作を説明するタイムチ
ャートである。この場合、光ディスク装置内のリード回
路のイニシャルシーケンスを行って、水晶振動子及びシ
ンセサイザのクロックを２３０ＭＢの光ディスクに対し
て設定し直す必要がある。同図中、光ディスク装置のモ
ードは時間ｔ１１からパワーセーブモードであり、時間
ｔ１２にホスト装置からリード／ライト命令が入来する
ものとする。

【００２３】この場合、時間ｔ１２以降の復帰処理を行
う際、水晶振動子及びシンセサイザのクロックは、２３
０ＭＢの光ディスクに対して設定されている可能性があ
る。そこで、図２に示す時間ｔ１１からは、６４０ＭＢ
の光ディスクに対して水晶振動子及びシンセサイザのク
ロックを上記設定に基づいて再設定する。そして、時間
ｔ１２からは、光ディスク装置内のリード回路のイニシ
ャルシーケンスを行って、再設定された水晶振動子及び
シンセサイザのクロックに基づいて、上記自動調整回路
のカットオフ周波数の設定を行う。自動調整回路のカッ
トオフ周波数は、この場合はロードされる光ディスクの
記憶容量に拘らず記憶容量の大きい方の６４０ＭＢの光
ディスク用に設定されるので、カットオフ周波数の設定
の前に６４０ＭＢの光ディスクに対して水晶振動子及び
シンセサイザのクロックを設定する必要がある。更に、
時間ｔ１２ａからは、ロードされている２３０ＭＢの光
ディスクに対して水晶振動子及びシンセサイザのクロッ
クを設定し直し、時間ｔ１３から時間ｔ１４まではリー
ド／ライト処理が行われる。従って、パワーセーブモー
ドからリード／ライトモードへの復帰時間は、時間ｔ１
２から時間ｔ１３までの間の時間である。

【００２４】このように、本実施例では、パワーセーブ
モードの開始時に６４０ＭＢの光ディスクに対して水晶
振動子及びシンセサイザのクロックを上記設定に基づい
て再設定する。このため、時間ｔ１２以降の光ディスク
装置内のリード回路のイニシャルシーケンスを行って、
復帰処理を行う際には、水晶振動子及びシンセサイザの
クロックを再設定する必要はなく、図１１との比較から
も明らかなように、復帰時間を水晶振動子及びシンセサ
イザのクロックを再設定するのに要する時間分短縮する
ことができる。

【００２５】尚、複数のパワーセーブモードが設けられ
ている場合には、そのうちの１つのパワーセーブモード
の開始時に水晶振動子及びシンセサイザのクロックを再
設定しても良い。この場合、複数のパワーセーブモード
のうち、光ディスク装置内リード回路が停止されるパワ
ーセーブモードや光ディスク装置の消費電力が最も大き
いパワーセーブモード等の開始時に水晶振動子及びシン
セサイザのクロックを再設定しても良い。

【００２６】次に、本発明になる記憶装置の一実施例を
図３〜図１０と共に説明する。図３は、記録装置の一実
施例の概略構成を示すブロック図である。本実施例で
は、本発明が光ディスク装置に適用されている。図３に
示すように、光ディスク装置は、大略コントロールユニ
ット１０とエンクロージャ１１とからなる。コントロー
ルユニット１０は、光ディスク装置の全体的な制御を行
うＭＰＵ１２、ホスト装置（図示せず）との間でコマン
ド及びデータのやり取りを行うインタフェース１７、光
ディスク（図示せず）に対するデータのリード／ライト
に必要な処理を行う光ディスクコントローラ（ＯＤＣ）
１４、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）１６及び
バッファメモリ１８を有する。バッファメモリ１８は、
ＭＰＵ１２、ＯＤＣ１４及びインタフェース１７で共用
され、例えばダイナミックランダムアクセスメモリ（Ｄ
ＲＡＭ）を含む。水晶振動子１０１は、ＭＰＵ１２と接
続されている。

【００２７】ＯＤＣ１４には、フォーマッタ１４−１
と、誤り訂正符号（ＥＣＣ）処理部１４−２とが設けら
れている。ライトアクセス時には、フォーマッタ１４−
１がＮＲＺライトデータを光ディスクのセクタ単位に分
割して記録フォーマットを生成し、ＥＣＣ処理部１４−
２がセクタライトデータ単位にＥＣＣを生成して付加す
ると共に、必要に応じて巡回冗長検査（ＣＲＣ）符号を
生成して付加する。更に、ＥＣＣ処理部１４−２はＥＣ
Ｃの符号化が済んだセクタデータを例えば１−７ランレ
ングスリミテッド（ＲＬＬ）符号に変換する。

【００２８】リードアクセス時には、セクタデータに対
して１−７ＲＬＬの逆変換を行い、次にＥＣＣ処理部１
４−２でＣＲＣを行った後にＥＣＣによる誤り検出及び
誤り訂正を行う。更に、フォーマッタ１４−１でセクタ
単位のＮＲＺデータを連結してＮＲＺリードデータのス
トリームとしてホスト装置に転送させる。ＯＤＣ１４に
対しては、ライト大規模集積回路（ＬＳＩ）２０が設け
られ、ライトＬＳＩ２０は、ライト変調部２１とレーザ
ダイオード制御回路２２とを有する。レーザダイオード
制御回路２２の制御出力は、エンクロージャ１１側の光
学ユニットに設けられたレーザダイオードユニット３０
に供給される。レーザダイオードユニット３０は、レー
ザダイオード３０−１とモニタ用ディテクタ３０−２と
を一体的に有する。ライト変調部２１は、ライトデータ
をピットポジションモジュレーション（ＰＰＭ）記録
（マーク記録とも言う）又はパルスウィドスモジュレー
ション（ＰＷＭ）記録（エッジ記録とも言う）でのデー
タ形式に変換する。

【００２９】レーザダイオードユニット３０を使用して
データの記録再生を行う光ディスク、即ち、書き換え可
能な光磁気（ＭＯ）カートリッジ媒体として、本実施例
では１２８ＭＢ，２３０ＭＢ，５４０ＭＢ，６４０ＭＢ
のいずれかを使用することができる。１２８ＭＢ及び２
３０ＭＢのＭＯカートリッジ媒体では、光ディスク上の
マークの有無に対応してデータを記録するＰＰＭ記録が
採用されている。又、光ディスクの記録フォーマット
は、ゾーンコンスタントアンギュラベロシティ（ＣＡ
Ｖ）であり、ユーザ領域のゾーン数は１２８ＭＢの光デ
ィスクで１ゾーン、２３０ＭＢの光ディスクで１０ゾー
ンである。

【００３０】高密度記録を行う５４０ＭＢ及び６４０Ｍ
ＢのＭＯカートリッジ媒体については、マークのエッ
ジ、即ち、前縁及び後縁とをデータに対応させて記録す
るＰＷＭ記録が採用されている。ここで、５４０ＭＢの
光ディスクと６４０ＭＢの光ディスクとの記憶容量の差
は、セクタ容量の違いによるものであり、セクタ容量が
２０４８バイトの場合は６４０ＭＢの光ディスクとな
り、セクタ容量が５１２バイトの場合は５４０ＭＢの光
ディスクとなる。又、光ディスクの記録フォーマット
は、ゾーンＣＡＶであり、ユーザ領域のゾーン数は６４
０ＭＢの光ディスクで１１ゾーン、５４０ＭＢの光ディ
スクで１８ゾーンである。

【００３１】このように、本実施例では、１２８ＭＢ，
２３０ＭＢ，５４０ＭＢ，６４０ＭＢの光ディスク、更
に、ダイレクトオーバライト対応の２３０ＭＢ，５４０
ＭＢ，６４０ＭＢの光ディスクにも対応可能である。従
って、光ディスク装置に光ディスクをロードすると、先
ず光ディスクの識別（ＩＤ）部をリードしてそのピット
間隔からＭＰＵ１２で光ディスクの種別を認識し、種別
の認識結果をＯＤＣ１４に通知する。

【００３２】ＯＤＣ１４に対するリード系統としては、
リードＬＳＩ２４が設けられ、リードＬＳＩ２４にはリ
ード復調部２５と周波数シンセサイザ２６とが内蔵され
る。リードＬＳＩ２４に対しては、エンクロージャ１１
に設けたＩＤ／ＭＯ用ディテクタ３２によるレーザダイ
オード３０−１からのレーザビームの戻り光の受光信号
が、ヘッドアンプ３４を介してＩＤ信号及びＭＯ信号と
して入力されている。

【００３３】リードＬＳＩ２４のリード復調部２５に
は、自動利得制御（ＡＧＣ）回路、フィルタ、セクタマ
ーク検出回路等の回路機能が設けられ、リード復調部２
５は入力されたＩＤ信号及びＭＯ信号からリードクロッ
ク及びリードデータを生成してＰＰＭデータ又はＰＷＭ
データを元のＮＲＺデータに復調する。又、ゾーンＣＡ
Ｖを採用しているため、ＭＰＵ１２からリードＬＳＩ２
４に内蔵された周波数シンセサイザ２６に対してゾーン
対応のクロック周波数を発生させるための分周比の設定
制御が行われる。

【００３４】周波数シンセサイザ２６は、プログラマブ
ル分周器を備えたフェーズロックドループ（ＰＬＬ）回
路であり、光ディスク上のゾーン位置に応じて予め定め
た固有の周波数を有する基準クロックをリードクロック
として発生する。即ち、周波数シンセサイザ２６は、プ
ログラマブル分周器を備えたＰＬＬ回路で構成され、Ｍ
ＰＵ１２がゾーン番号に応じて設定した分周比ｍ／ｎに
従った周波数ｆｏの基準クロックを、ｆｏ＝（ｍ／ｎ）
・ｆｉに従って発生する。

【００３５】ここで、分周比ｍ／ｎの分母の分周値ｎ
は、１２８ＭＢ，２３０ＭＢ，５４０ＭＢ又は６４０Ｍ
Ｂの光ディスクの種別に応じた固有の値である。又、分
周比ｍ／ｎの分子の分周値ｍは、光ディスクのゾーン位
置に応じて変化する値であり、各光ディスクに対してゾ
ーン番号に対応した値のテーブル情報として予め準備さ
れている。更に、ｆｉは、周波数シンセサイザ２６の外
部で発生した基準クロックの周波数を示す。

【００３６】リードＬＳＩ２４で復調されたリードデー
タは、ＯＤＣ１４のリード系統に供給され、１−７ＲＬ
Ｌの逆変換を行った後にＥＣＣ処理部１４−２の符号化
機能によりＣＲＣ及びＥＣＣ処理を施され、ＮＲＺセク
タデータに復元される。次に、フォーマッタ１４−１で
ＮＲＺセクタデータを繋げたＮＲＺリードデータのスト
リームに変換し、バッファメモリ１８を経由してインタ
フェース１７からホスト装置に転送される。

【００３７】ＭＰＵ１２に対しては、ＤＳＰ１６を経由
してエンクロージャ１１側に設けた温度センサ３６の検
出信号が供給されている。ＭＰＵ１２は、温度センサ３
６で検出した光ディスク装置内部の環境温度に基づき、
レーザダイオード制御回路２２におけるリード、ライト
及びイレーズの各発光パワーを最適値に制御する。ＭＰ
Ｕ１２は、ＤＳＰ１６を経由してドライバ３８によりエ
ンクロージャ１１側に設けたスピンドルモータ４０を制
御する。本実施例では、光ディスクの記録ドーマットが
ゾーンＣＡＶであるため、スピンドルモータ４０は例え
ば３０００ｒｐｍの一定速度で回転される。

【００３８】又、ＭＰＵ１２は、ＤＳＰ１６を経由して
ドライバ４２を介してエンクロージャ１１側に設けた電
磁石４４を制御する。電磁石４４は、光ディスク装置内
にロードされた光ディスクのビーム照射側と反対側に配
置されており、記録時及び消去時に光ディスクに外部磁
界を供給する。ＤＳＰ１６は、光ディスクに対してレー
ザダイオード３０からのビームの位置決めを行うための
サーボ機能を備え、目的トラックにシークしてオントラ
ックするためのシーク制御部及びオントラック制御部と
して機能する。このシーク制御及びオントラック制御
は、ＭＰＵ１２による上位コマンドに対するライトアク
セス又はリードアクセスに並行して同時に実行すること
ができる。

【００３９】ＤＳＰ１６のサーボ機能を実現するため、
エンクロージャ１１側の光学ユニットに光ディスクから
のビーム戻り光を受光するフォーカスエラー信号（ＦＥ
Ｓ）用ディテクタ４５を設けている。ＦＥＳ検出回路４
６は、ＦＥＳ用ディテクタ４５の受光出力からＦＥＳＥ
１を生成してＤＳＰ１６に入力する。エンクロージャ１
１側の光学ユニットには、光ディスクからのビーム戻り
光を受光するトラッキングエラー信号（ＴＥＳ）用ディ
テクタ４７も設けられている。ＴＥＳ検出回路４８は、
ＴＥＳ用ディテクタ４７の受光出力からＴＥＳＥ２を生
成してＤＳＰ１６に入力する。ＴＥＳＥ２は、トラック
ゼロクロス（ＴＺＣ）検出回路５０にも入力され、ＴＺ
ＣパルスＥ３が生成されてＤＳＰ１６に入力される。

【００４０】エンクロージャ１１側には、光ディスクに
対してレーザビームを照射する対物レンズの位置を検出
するレンズ位置センサ５２が設けられており、レンズ位
置センサ５２からのレンズ位置検出信号（ＬＰＯＳ）Ｅ
４はＤＳＰ１６に入力される。ＤＳＰ１６は、光ディス
ク上のビームスポットの位置を制御するため、ドライバ
５８，６２，６６を介してフォーカスアクチュエータ６
０、レンズアクチュエータ６４及びボイスコイルモータ
（ＶＣＭ）６８を制御して駆動する。

【００４１】図４は、エンクロージャ１１の概略構成を
示す断面図である。図４に示すように、ハウジング６７
内にはスピンドルモータ４０が設けられ、インレットド
ア６９側からＭＯカートリッジ７０を挿入することで、
ＭＯカートリッジ７０に収納された光ディスク（ＭＯデ
ィスク）７２がスピンドルモータ４０の回転軸のハブに
装着されて光ディスク７２が光ディスク装置にロードさ
れる。

【００４２】ロードされたＭＯカートリッジ７０内の光
ディスク７２の下側には、ＶＣＭ６４により光ディスク
７２のトラックを横切る方向に移動自在なキャリッジ７
６が設けられている。キャリッジ７６上には対物レンズ
８０が搭載され、固定光学系７８に設けられているレー
ザダイオード（３０−１）からのビームを立ち上げミラ
ー８２を介して入射して光ディスク７２の記録面にビー
ムスポットを結像する。

【００４３】対物レンズ８０は、図３に示すエンクロー
ジャ１１のフォーカスアクチュエータ６０により光軸方
向に移動制御され、又、レンズアクチュエータ６４によ
り光ディスク７２のトラックを横切る半径方向に例えば
数十トラックの範囲内で移動可能である。このキャリッ
ジ７６に搭載されている対物レンズ８０の位置が、図３
のレンズ位置センサ５４により検出される。レンズ位置
センサ５４は、対物レンズ８０の光軸が直上に向かう中
立位置でレンズ位置検出信号をゼロとし、光ディスク７
２のアウタ側への移動とインナ側への移動に対して夫々
異なる曲性の移動量に応じたレンズ位置検出信号Ｅ４を
出力する。

【００４４】図５は、図３に示す光ディスク装置におけ
るＭＰＵ１２のリードＬＳＩ２４、ＯＤＣ１４及びＤＳ
Ｐ１６に対するパラメータ設定制御と整定待ち機能を説
明するブロック図である。ＭＰＵ１２には、ホスト装置
からのリードコマンドに基づいて動作するパラメータの
設定制御部９０と、パラメータ設定後の整定待ち処理部
９２とが設けられている。設定制御部９０は、バッファ
メモリ１８に含まれるＲＡＭ等に展開されたパラメータ
テーブル９４を使用して各種アクセスに必要なパラメー
タの設定制御を行う。

【００４５】リードＬＳＩ２４には、ＭＰＵ１２に設け
た設定制御部９０によるパラメータ設定の対象として、
周波数シンセサイザ２６と、ＩＤ／ＭＯ用ディテクタ３
２から得られるＭＯ信号の等化回路９５とが設けられて
いる。周波数シンセサイザ２６に対しては、本実施例で
は３つの制御レジスタ９６，９８，１００が設けられて
いる。

【００４６】制御レジスタ９６，９８，１００の夫々に
は、ＭＰＵ１２の設定制御部９０により分周比ｍ／ｎ、
電圧制御発振器（ＶＣＯ）周波数設定及びＰＬＬダンピ
ング抵抗選択の各パラメータが設定される。又、等化回
路９５に対しては、制御レジスタ１０２が設けられてお
り、ＭＰＵ１２の設定制御部９０によりイコライザカッ
トオフ周波数が設定される。更に、ＯＤＣ１４に設けら
れているセクタマーク検出回路１０４に対しては、制御
レジスタ１０６が設けられており、ＭＰＵ１２の設定制
御部９０によりセクタマーク検出カットオフ周波数が設
定制御される。

【００４７】ＤＳＰ１６には、ＭＰＵ１２でホスト装置
からのリードコマンドを実行する際にシークコマンドが
転送される。ＤＳＰ１６は、このシークコマンドに基づ
いてＭＰＵ１２の処理に並行して同時にビームスポット
を光ディスク７２の目標トラックに位置付けるためのシ
ーク制御を行うシーク制御部１０８を備えている。この
ように、ＭＰＵ１２の設定制御部９０は、リードＬＳＩ
２４に設けられているＭＯ信号の等化回路９５のカット
オフ周波数を制御レジスタ１０２の設定制御で最適化で
きる。又、設定制御部９０は、リードＬＳＩ２４に設け
られている周波数シンセサイザ２６の分周比ｍ／ｎ、Ｖ
ＣＯ周波数設定及びＰＬＬダンピング抵抗選択の各パラ
メータを制御レジスタ９６，９８，１００の設定制御で
最適化できる。更に、設定制御部９０は、ＯＤＣ１４に
設けられているセクタマーク検出回路１０４のカットオ
フ周波数を制御レジスタ１０６の設定制御で最適化でき
る。

【００４８】次に、本実施例では、複数のパワーセーブ
モードが設けられており、光ディスク装置の使用状況に
応じて消費電力を最も効率的に低減するパワーセーブモ
ードが選択される。図６は、本実施例におけるパワーセ
ーブモードへの移行を説明するフローチャートであり、
図３に示すＭＰＵ１２の動作に対応する。尚、説明の便
宜上、光ディスク装置は６４０ＭＢの光ディスク７２用
に予め設定されているものとし、光ディスク装置には２
３０ＭＢの光ディスク７２がロードされているものとす
る。

【００４９】図６において、ステップＳ０で光ディスク
７２が光ディスク装置のエンクロージャ１１に挿入され
たことを周知の手段で検出すると、ステップＳ１で光デ
ィスク７２をスピンドルモータ４０の回転軸のハブに対
して装着するロード処理を行う。ステップＳ２は、ロー
ド処理が正しく行われたか否かを周知の手段で判定し、
判定結果がＮＯであると処理はステップＳ０へ戻る。他
方、ステップＳ２の判定結果がＹＥＳであると、ステッ
プＳ３は、ロードされた光ディスク７２から光ディスク
７２のＩＤ部をリードしてそのピット間隔から光ディス
ク７２の種別を認識し、上記の如く種別の認識結果をＯ
ＤＣ１４に通知するので、この状態では、ロードされて
いる光ディスク７２の種別、即ち、記憶容量を含むフォ
ーマットが認識されている。ステップＳ３の後、処理は
ステップＳ４へ進む。

【００５０】ステップＳ４は、光ディスク装置のモード
をパワーセーブモードＭ１に設定する。パワーセーブモ
ードＭ１では、図３に示すリードＬＳＩ２４は停止され
ると共に、ステップＳ３により２３０ＭＢの光ディスク
７２がロードされていると認識されている場合には、図
２に示したように、水晶振動子１０１及びリードＬＳＩ
２４内の周波数シンセサイザ２６のクロックを６４０Ｍ
Ｂの光ディスク７２用に設定する。ステップＳ３により
６４０ＭＢの光ディスク７２がロードされていると認識
されている場合には、図１に示したように、水晶振動子
１０１及びリードＬＳＩ２４内の周波数シンセサイザ２
６のクロックを６４０ＭＢの光ディスク７２用に設定す
る処理は行われない。

【００５１】ステップＳ５は、一定時間Ｔ１内にホスト
装置から命令があるか否かを判定し、判定結果がＮＯの
場合、ステップＳ６は、光ディスク装置のモードをパワ
ーセーブモードＭ２に設定する。パワーセーブモードＭ
２では、水晶振動子１０１、周波数シンセサイザ２６、
ドライバ５８，６２，６６、ヘッドアンプ３４、ＦＥＳ
検出回路４６及びＴＥＳ検出回路４８内のアンプ等が停
止され、ＤＳＰ１６、ＯＤＣ１４及びＭＰＵ１２のクロ
ックが低下されると共に、バッファメモリ１８に含まれ
るＤＲＡＭのリフレッシュ動作を一段階低下させる。

【００５２】ステップＳ７は、一定時間Ｔ２（Ｔ２＞Ｔ
１）内にホスト装置から命令があるか否かを判定し、判
定結果がＮＯの場合、ステップＳ８は、光ディスク装置
のモードをパワーセーブモードＭ３に設定する。パワー
セーブモードＭ３では、レーザダイオード３０−１、ス
ピンドルモータ４０等が停止され、ＤＳＰ１６のクロッ
クが停止されると共にバッファメモリ１８に含まれるＤ
ＲＡＭのリフレッシュ動作をパワーセーブモードＭ２よ
り更に一段階低下させる。

【００５３】ステップＳ９は、一定時間Ｔ３（Ｔ３＞Ｔ
２）内にホスト装置から命令があるか否かを判定し、判
定結果がＮＯの場合、ステップＳ１０は、光ディスク装
置のモードをパワーセーブモードＭ４に設定する。パワ
ーセーブモードＭ４では、あるホストインタフェースで
は、ＭＰＵ１２、バッファメモリ１８に含まれるＤＲＡ
Ｍのリフレッシュ動作等が停止される。ステップＳ１０
の後、処理はステップＳ９へ戻る。

【００５４】他方、ステップＳ５、Ｓ７又はＳ９の判定
結果がＹＥＳの場合、処理はステップＳ１１へ進んでパ
ワーセーブモードからのパワーセーブモード以外のモー
ドへの復帰処理が行われると共に、リード／ライト処理
が行われ、その後に処理はステップＳ４へ戻る。図７
は、図６に示すステップＳ１１による復帰処理を説明す
るフローチャートである。同図中、ステップＳ２１は、
リードＬＳＩ２４の復帰処理を行い、ステップＳ２２
は、ロードされている光ディスク７２用のパラメータを
リードＬＳＩ２４に設定する。ステップＳ２３は、光デ
ィスク７２のゾーンを検出し、ステップＳ２４は、光デ
ィスク７２のゾーン毎のパラメータをリードＬＳＩ２４
に設定し、処理は終了する。

【００５５】図８及び図９は、図７に示すステップＳ２
１によるリードＬＳＩ２４の復帰処理を説明するフロー
チャートである。図８中、ステップＳ３１は、水晶振動
子１０１及び周波数シンセサイザ２６のクロックが６４
０ＭＢの光ディスク７２用に設定されているか否かを判
定する。ステップＳ３１の判定結果がＮＯであると、ス
テップＳ３２は、水晶振動子１０１及び周波数シンセサ
イザ２６のクロックを６４０ＭＢの光ディスク７２用に
設定する。ステップＳ３１の判定結果がＹＥＳ又はステ
ップＳ３２の後、ステップＳ３３は、イコライザブース
ト、ピーククランプ、ＡＣサグキャンセラ振幅補正等の
各パラメータを制御レジスタ９６，９８，１００の設定
制御により標準値に設定する。又、ステップＳ３４は、
リードＬＳＩ２４を停止状態（スリープモード）から解
除する。ステップＳ３４の後、処理は図９に示すステッ
プＳ３５へ進む。

【００５６】図９において、ステップＳ３５は、周波数
シンセサイザ２６の分周比ｍ／ｎ，ＶＣＯ周波数の分周
率及び基準クロックの分周率を設定する。ステップＳ３
６は、リードＬＳＩ２４内のノーマル時、セクタマーク
検出時のカットオフ周波数を決定する。ステップＳ３７
〜Ｓ４０からなるシーケンスＳＱは、ＡＦＴのカットオ
フ周波数の設定動作に対応する。ステップＳ３７は、Ａ
ＦＴのパワーをオン状態とし、ステップＳ３８は、ＡＦ
Ｔの初期化を行う。ステップＳ３９は、ＡＦＴによる自
動調整処理を行い、ステップＳ４０は、ＡＦＴのパワー
をオフ状態とする。そして、ステップＳ４１は、リード
ＬＳＩ２４内の制御レジスタ１０２にＭＯ信号の等化回
路９５のカットオフ周波数を設定し、処理は終了する。

【００５７】図１０は、本実施例におけるＡＦＴのカッ
トオフ周波数設定動作を行うための処理を説明するタイ
ムチャートである。同図中、（ａ）は周波数シンセサイ
ザ２６の分周比ｍ／ｎ、ＶＣＯ周波数設定及びＰＬＬダ
ンピング抵抗選択の各パラメータの設定タイミング、
（ｂ）は周波数シンセサイザ２６の基準クロックの設定
タイミング、（ｃ）はセクタマーク検出回路１０４によ
るセクタマークの検出時のカットオフ周波数決定タイミ
ング、（ｄ）は整定待ち時間のタイミング、（ｅ）はＡ
ＦＴのカットオフ周波数設定タイミングを示す。

【００５８】以上、本発明を実施例により説明したが、
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明
の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言う
までもない。

【００５９】

【発明の効果】本発明になるパワーセーブモード制御方
法によれば、記憶装置のパワーセーブモードから他のモ
ードへの復帰時間を短縮することが可能となる。又、前
記記憶装置に前記第１のフォーマットとは異なる第２の
フォーマットの記録媒体がロードされている場合に、前
記パワーセーブモードから所定モードへの移行時に前記
クロック周波数を前記第１の周波数とは異なる該第２の
フォーマット用の第２の周波数に設定するようにする
と、記憶装置にロードされる記憶媒体のフォーマットに
応じてクロック周波数が自動的に設定されるので、ユー
ザはロードする記録媒体のフォーマットを意識する必要
がない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明になるパワーセーブモード制御方法の一
実施例を説明するタイムチャートである。

【図２】本発明になるパワーセーブモード制御方法の一
実施例を説明するタイムチャートである。

【図３】本発明になる記憶装置の一実施例の概略構成を
示すブロック図である。

【図４】エンクロージャの概略構成を示す断面図であ
る。

【図５】光ディスク装置におけるＭＰＵのリードＬＳ
Ｉ、ＯＤＣ及びＤＳＰに対するパラメータ設定制御と整
定待ち機能を説明するブロック図である。

【図６】パワーセーブモードへの移行を説明するフロー
チャートである。

【図７】図６に示すステップＳ１１による復帰処理を説
明するフローチャートである。

【図８】図７に示すステップＳ２１によるリードＬＳＩ
の復帰処理を説明するフローチャートである。

【図９】図７に示すステップＳ２１によるリードＬＳＩ
の復帰処理を説明するフローチャートである。

【図１０】ＡＦＴのカットオフ周波数設定動作を行うた
めの処理を説明するタイムチャートである。

【図１１】従来の光ディスク装置におけるパワーセーブ
モードからリード／ライトモードへの復帰動作を説明す
るタイムチャートである。

【符号の説明】

１０コントロールユニット１１エンクロージャ１２ＭＰＵ１４ＯＤＣ１６ＤＳＰ１８バッファメモリ２４リードＬＳＩ２６周波数シンセサイザ７２光ディスク１０１水晶振動子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の異なるフォーマットの記録媒体が
ロード可能な記憶装置におけるパワーセーブモード制御
方法であって、該記憶装置にロードされた記録媒体のフォーマットが予
め設定された第１のフォーマット以外の場合、パワーセ
ーブモードへの移行時に該記憶装置内のクロック周波数
を該第１のフォーマットの記録媒体用の第１の周波数に
設定するステップを含む、パワーセーブモード制御方
法。
【請求項２】前記記憶装置に前記第１のフォーマット
とは異なる第２のフォーマットの記録媒体がロードされ
ている場合に、前記パワーセーブモードから所定モード
への移行時に前記クロック周波数を前記第１の周波数と
は異なる該第２のフォーマット用の第２の周波数に設定
するステップを更に含む、請求項１記載のパワーセーブ
モード制御方法。
【請求項３】前記所定モードは、リード／ライトモー
ドである、請求項２記載のパワーセーブモード制御方
法。
【請求項４】前記パワーセーブモードは、前記記憶装
置に設けられた複数のパワーセーブモードのうちの１つ
のモードである、請求項１〜３のいずれか１項記載のパ
ワーセーブモード制御方法。
【請求項５】前記クロックは、２つ以上の水晶振動子
の１つを選択して自動調整を行う前記記憶装置内の自動
調整回路のカットオフ周波数設定用のクロックである、
請求項１〜４のいずれか１項記載のパワーセーブモード
制御方法。
【請求項６】複数の異なるフォーマットの記録媒体が
ロード可能な記憶装置であって、ロードされた記録媒体のフォーマットが予め設定された
第１のフォーマット以外の場合、パワーセーブモードへ
の移行時に該記憶装置内のクロック周波数を第１のフォ
ーマットの記録媒体用の第１の周波数に設定する手段を
備えた、記憶装置。
【請求項７】前記第１のフォーマットとは異なる第２
のフォーマットの記録媒体がロードされている場合に、
前記パワーセーブモードから所定モードへの移行時に前
記クロック周波数を前記第１の周波数とは異なる該第２
のフォーマット用の第２の周波数に設定する手段を更に
備えた、請求項６記載の記憶装置。
【請求項８】前記所定モードは、リード／ライトモー
ドである、請求項７記載の記憶装置。
【請求項９】前記パワーセーブモードは、前記記憶装
置に設けられた複数のパワーセーブモードのうち１つの
モードである、請求項６〜８のいずれか１項記載の記憶
装置。
【請求項１０】２つ以上の水晶振動子の１つを選択し
て自動調整を行う自動調整回路を更に備え、前記クロッ
クは該自動調整回路のカットオフ周波数設定用のクロッ
クである、請求項６〜９のいずれか１項記載の記憶装
置。
【請求項１１】ロードされた記録媒体からリードされ
た情報に基づいて該記憶媒体のフォーマットを判別する
手段を更に備えた、請求項６〜１０のいずれか１項記載
の記憶装置。