JP2002358672A - 書き込み／消去方法及び記憶装置 - Google Patents

書き込み／消去方法及び記憶装置

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    • G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、書き込み／消去方法及び記憶装置
に関し、光ビームが記録媒体上のトラックの中心からず
れた位置を走査したり、書き込み／消去パワーのある程
度のずれが発生したりしても、隣接トラックの信号の劣
化を確実に防止可能とすることを目的とする。 【解決手段】 記録媒体に対する光ビームの書き込み及
び／又は消去パワーを変更する機能を備えた記憶装置に
おいて、書き込み及び／又は消去時の、光ビームの記録
媒体上のトラックに対するトラック外れを検出するため
の書き込み及び／又は消去用スライスレベルと、トラッ
ク外れ検出時定数と、記憶装置に対する外部振動や衝撃
を検出するための書き込み及び／又は消去用スライスレ
ベルと、外部振動や衝撃を検出するための衝撃検出時定
数とを含む書き込み及び／又は消去用パラメータのう
ち、少なくとも１つのパラメータを前記書き込み及び／
又は消去パワーに応じて設定するように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は書き込み及び／又は
消去方法（以下、書き込み／消去方法と言う）及び記憶
装置に係り、特に記録媒体に対する書き込み／消去時に
用いるパラメータを書き込み／消去パワーに応じて設定
する書き込み／消去方法及び記憶装置に関する。
【０００２】光磁気ディスク装置では、光磁気ディスク
のランドに対して情報を記録及び／又は再生（記録／再
生）する構成のものに加え、光磁気ディスクのランド及
びグルーブの両方に情報を記録／再生する構成のものが
提案されている。光磁気ディスクのランド及びグルーブ
の両方に情報を記録／再生する、所謂ランド・グルーブ
記録方式を採用することにより、記録密度を増大するこ
とができる。
【０００３】
【従来の技術】光磁気ディスクに代表される、ランド・
グルーブ記録方式を採用する狭トラックピッチを有する
光記録媒体では、隣接トラックに書き込まれている信号
による信号干渉により、目的トラックの信号再生性能が
劣化してしまう可能性がある。この信号干渉は、隣接ト
ラックに信号が書き込まれた時の光ビームの書き込みパ
ワーと、トラックと光ビームの位置ずれに依存すること
が知られている。又、書き込みパワーが大きいとトラッ
クと光ビームの位置ずれ許容量が減少し、書き込みパワ
ーが小さいとトラックと光ビームの位置ずれ許容量が増
加することも知られている。
【０００４】つまり、書き込みパワーが大きいと、狭ト
ラックピッチを有する光記録媒体であるため、書き込み
を行う目的トラックに隣接する隣接トラックに対して熱
伝導が起こりやすくなり、隣接トラックの信号を消去し
たり、目的トラックに書き込む信号が隣接トラックに漏
れ込んでしまう。このため、書き込みパワーが大きい
と、隣接トラックの書き込み信号レベルを劣化させてし
まう。そこで、書き込みパワーを調整することで、隣接
トラックの書き込み信号レベルの劣化を抑制する方法
が、例えば特願平１１−１６２５１号公報にて提案され
ている。
【０００５】更に、書き込みパワーが大きいと、狭トラ
ックピッチを有する光記録媒体であるため、目的トラッ
クからの読み出し時に隣接トラックからの信号が漏れ込
んでしまう。特に、隣接トラックの書き込みパワーが大
きい程、隣接トラックから読み出し信号が目的トラック
の読み出し信号に漏れ込みやすい。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の記憶装
置では、光ビームが記録媒体上のトラックの中心を走査
しているものとして、書き込みパワーの限界を求めてい
る。このため、記憶装置に外部振動や衝撃が加わると、
実際には光ビームがトラックの中心からずれた位置を走
査してしまうので、上記の如く隣接トラックの信号を劣
化させてしまう可能性があった。
【０００７】他方、例えば特開２０００−１８２２９２
号公報では、書き込みリトライ処理において書き込みパ
ワーを変化させて、書き込みパワーに対する統計的な書
き込み成功率を求め、この書き込み成功率に基いて書き
込みパワーを最適な値に制御する方法が提案されてい
る。この場合、意図して書き込みパワー／消去パワーを
設定することになるが、光ビームのトラック外れを検出
する際に用いるトラック外れ検出スライスレベルを、予
め高い書き込み／消去パワーの場合を想定して設定する
必要があるため、トラック外れを厳しく監視することと
なり、トラック外れを過敏に検出してしまう可能性があ
った。
【０００８】そこで、本発明は、光ビームが記録媒体上
のトラックの中心からずれた位置を走査したり、書き込
み／消去パワーのある程度のずれが発生したりしても、
隣接トラックの信号の劣化を確実に防止可能な書き込み
／消去方法及び記憶装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、記録媒体
に対する光ビームの書き込み及び／又は消去パワーを変
更する機能を備えた記憶装置において、書き込み及び／
又は消去時の、前記光ビームの前記記録媒体上のトラッ
クに対するトラック外れを検出するための書き込み及び
／又は消去用スライスレベルを、前記書き込み及び／又
は消去パワーに応じて設定する設定ステップを含むこと
を特徴とする書き込み及び／又は消去方法によって達成
できる。
【００１０】上記の課題は、記録媒体に対する光ビーム
の書き込み及び／又は消去パワーを変更する機能を備え
た記憶装置において、書き込み及び／又は消去時の、前
記記憶装置に対する外部振動や衝撃を検出するための書
き込み及び／又は消去用スライスレベルを、前記書き込
み及び／又は消去パワーに応じて設定する設定ステップ
を含むことを特徴とする書き込み及び／又は消去方法に
よっても達成できる。
【００１１】上記の課題は、記録媒体に対する光ビーム
の書き込み及び／又は消去パワーを変更する機能を備え
た記憶装置において、書き込み及び／又は消去時の、前
記光ビームの前記記録媒体上のトラックに対するトラッ
ク外れを検出するための書き込み及び／又は消去用スラ
イスレベルと、トラック外れ検出時定数と、前記記憶装
置に対する外部振動や衝撃を検出するための書き込み及
び／又は消去用スライスレベルと、外部振動や衝撃を検
出するための衝撃検出時定数とを含む書き込み及び／又
は消去用パラメータのうち、少なくとも１つのパラメー
タを前記書き込み及び／又は消去パワーに応じて設定す
る設定ステップを含むことを特徴とする書き込み及び／
又は消去方法によっても達成できる。
【００１２】前記書き込み用パラメータの前記書き込み
パワーに対する依存度は、前記消去用パラメータの前記
消去パワーに対する依存度とは異なるようにしても良
い。
【００１３】上記の課題は、記録媒体に対する光ビーム
の書き込み及び／又は消去パワーを変更する機能を備え
た記憶装置であって、書き込み及び／又は消去時の、前
記光ビームの前記記録媒体上のトラックに対するトラッ
ク外れを検出するための書き込み及び／又は消去用スラ
イスレベルを、前記書き込み及び／又は消去パワーに応
じて設定する設定手段を備えたことを特徴とする記憶装
置によっても達成できる。
【００１４】上記の課題は、記録媒体に対する光ビーム
の書き込み及び／又は消去パワーを変更する機能を備え
た記憶装置であって、書き込み及び／又は消去時の、前
記記憶装置に対する外部振動や衝撃を検出するための書
き込み及び／又は消去用スライスレベルを、前記書き込
み及び／又は消去パワーに応じて設定する設定手段を備
えたことを特徴とする記憶装置によっても達成できる。
【００１５】上記の課題は、記録媒体に対する光ビーム
の書き込み及び／又は消去パワーを変更する機能を備え
た記憶装置であって、書き込み及び／又は消去時の、前
記光ビームの前記記録媒体上のトラックに対するトラッ
ク外れを検出するための書き込み及び／又は消去用スラ
イスレベルと、トラック外れ検出時定数と、前記記憶装
置に対する外部振動や衝撃を検出するための書き込み及
び／又は消去用スライスレベルと、外部振動や衝撃を検
出するための衝撃検出時定数とを含む書き込み及び／又
は消去用パラメータのうち、少なくとも１つのパラメー
タを前記書き込み及び／又は消去パワーに応じて設定す
る設定手段を備えたことを特徴とする記憶装置によって
も達成できる。
【００１６】本発明によれば、光ビームが記録媒体上の
トラックの中心からずれた位置を走査したり、書き込み
／消去パワーのある程度のずれが発生したりしても、隣
接トラックの信号の劣化を確実に防止可能な書き込み／
消去方法及び記憶装置を実現することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明になる書き込み／消去方法
及び本発明になる記憶装置の各実施例を、以下図面と共
に説明する。
【００１８】
【実施例】図１は、記憶装置の第１実施例の構成を示す
ブロック図である。同図に示すように、光ディスク装置
は、大略コントロールユニット１１０とエンクロージャ
１１１とからなる。コントロールユニット１１０は、光
ディスク装置の全体的な制御を行うＭＰＵ１１２、ホス
ト装置（図示せず）との間でコマンド及びデータのやり
取りを行うインタフェース１１７、光ディスク（図示せ
ず）に対するデータのリード／ライトに必要な処理を行
う光ディスクコントローラ（ＯＤＣ）１１４、デジタル
シグナルプロセッサ（ＤＳＰ）１１６及びメモリ１１８
を有する。メモリ１１８は、ＭＰＵ１１２、ＯＤＣ１１
４及びインタフェース１１７で共用され、例えばダイナ
ミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）や、制御プ
ログラムやフラグ情報等を格納する不揮発性メモリ等を
含む。水晶振動子３０１は、ＭＰＵ１１２と接続されて
いる。
【００１９】ＯＤＣ１１４には、フォーマッタ１１４−
１と、誤り訂正符号（ＥＣＣ）処理部１１４−２とが設
けられている。ライトアクセス時には、フォーマッタ１
１４−１がＮＲＺライトデータを光ディスクのセクタ単
位に分割して記録フォーマットを生成し、ＥＣＣ処理部
１１４−２がセクタライトデータ単位にＥＣＣを生成し
て付加すると共に、必要に応じて巡回冗長検査（ＣＲ
Ｃ）符号を生成して付加する。更に、ＥＣＣ処理部１１
４−２はＥＣＣの符号化が済んだセクタデータを例えば
１−７ランレングスリミテッド（ＲＬＬ）符号に変換す
る。
【００２０】リードアクセス時には、セクタデータに対
して１−７ＲＬＬの逆変換を行い、次にＥＣＣ処理部１
１４−２でＣＲＣを行った後にＥＣＣによる誤り検出及
び誤り訂正を行う。更に、フォーマッタ１１４−１でセ
クタ単位のＮＲＺデータを連結してＮＲＺリードデータ
のストリームとしてホスト装置に転送させる。
【００２１】ＯＤＣ１１４に対しては、リード／ライト
大規模集積回路（ＬＳＩ）１２０が設けられ、リード／
ライトＬＳＩ１２０は、ライト変調部１２１、レーザダ
イオード制御回路１２２、リード復調部１２５及び周波
数シンセサイザ１２６を有する。レーザダイオード制御
回路１２２の制御出力は、エンクロージャ１１１側の光
学ユニットに設けられたレーザダイオードユニット１３
０に供給される。レーザダイオードユニット１３０は、
レーザダイオード１３０−１とモニタ用ディテクタ１３
０−２とを一体的に有する。ライト変調部１２１は、ラ
イトデータをピットポジションモジュレーション（ＰＰ
Ｍ）記録（マーク記録とも言う）又はパルスウィドスモ
ジュレーション（ＰＷＭ）記録（エッジ記録とも言う）
でのデータ形式に変換する。
【００２２】レーザダイオードユニット１３０を使用し
てデータの記録再生を行う光ディスク、即ち、書き換え
可能な光磁気（ＭＯ）カートリッジ媒体として、本実施
例では、光ディスク上のマークエッジの有無に対応して
データを記録するＰＷＭ記録が採用されている。又、光
ディスクの記録フォーマットは、超解像技術（ＭＳＲ）
を使用した２.３ＧＢフォーマットであり、ＺＣＡＶ方
式を採用している。光ディスク装置に光ディスクをロー
ドすると、先ず光ディスクの識別（ＩＤ）部をリードし
てそのピット間隔からＭＰＵ１１２で光ディスクの種別
（３．５インチサイズ、１２８ＭＢ，２３０ＭＢ，５４
０／６４０ＭＢ，１．３ＧＢ，２．３ＧＢ，...といっ
た記憶容量、種別等）を認識し、種別の認識結果をＯＤ
Ｃ１４に通知し、種別に応じた各種パラメータの設定が
なされる。
【００２３】ＯＤＣ１１４に対するリード系統として
は、リード／ライトＬＳＩ１２０が設けられ、リード／
ライトＬＳＩ１２０には上記の如くリード復調部１２５
と周波数シンセサイザ１２６とが内蔵される。リード／
ライトＬＳＩ１２０に対しては、エンクロージャ１１１
に設けたＩＤ／ＭＯ用ディテクタ１３２によるレーザダ
イオード１３０−１からのレーザビームの戻り光の受光
信号が、ヘッドアンプ１３４を介してＩＤ信号（エンボ
スピット信号）及びＭＯ信号として入力されている。
【００２４】リード／ライトＬＳＩ１２０のリード復調
部１２５には、自動利得制御（ＡＧＣ）回路、フィル
タ、セクタマーク検出回路等の回路機能が設けられ、リ
ード復調部１２５は入力されたＩＤ信号及びＭＯ信号か
らリードクロック及びリードデータを生成してＰＷＭデ
ータを元のＮＲＺデータに復調する。又、ゾーンＣＡＶ
を採用しているため、ＭＰＵ１１２からリード／ライト
ＬＳＩ１２０に内蔵された周波数シンセサイザ１２６に
対してゾーン対応のクロック周波数を発生させるための
分周比の設定制御が行われる。
【００２５】周波数シンセサイザ１２６は、プログラマ
ブル分周器を備えたフェーズロックドループ（ＰＬＬ）
回路であり、光ディスク上のゾーン位置に応じて予め定
めた固有の周波数を有する再生用基準クロックをリード
クロックとして発生する。即ち、周波数シンセサイザ１
２６は、プログラマブル分周器を備えたＰＬＬ回路で構
成され、通常モードでは、ＭＰＵ１１２がゾーン番号に
応じて設定した分周比ｍ／ｎに従った周波数ｆｏの記録
/再生用基準クロックを、ｆｏ＝（ｍ／ｎ）・ｆｉに従
って発生する。
【００２６】ここで、分周比ｍ／ｎの分母の分周値ｎ
は、光ディスクの種別に応じた固有の値である。又、分
周比ｍ／ｎの分子の分周値ｍは、光ディスクのゾーン位
置に応じて変化する値であり、各光ディスクに対してゾ
ーン番号に対応した値のテーブル情報として予め準備さ
れている。更に、ｆｉは、周波数シンセサイザ１２６の
外部で発生した記録/再生用基準クロックの周波数を示
す。
【００２７】リード／ライトＬＳＩ１２０で復調された
リードデータは、ＯＤＣ１１４のリード系統に供給さ
れ、１−７ＲＬＬの逆変換を行った後にＥＣＣ処理部１
１４−２の符号化機能によりＣＲＣ及びＥＣＣ処理を施
され、ＮＲＺセクタデータに復元される。次に、フォー
マッタ１１４−１でＮＲＺセクタデータを繋げたＮＲＺ
リードデータのストリームに変換し、メモリ１１８を経
由してインタフェース１１７からホスト装置に転送され
る。
【００２８】ＭＰＵ１１２に対しては、ＤＳＰ１１６を
経由してエンクロージャ１１１側に設けた温度センサ１
３６の検出信号が供給されている。ＭＰＵ１１２は、温
度センサ１３６で検出した光ディスク装置内部の環境温
度に基づき、レーザダイオード制御回路１２２における
リード、ライト及びイレーズの各発光パワーを最適値に
制御する。
【００２９】ＭＰＵ１１２は、ＤＳＰ１６を経由してド
ライバ１３８によりエンクロージャ１１１側に設けたス
ピンドルモータ１４０を制御する。本実施例では、光デ
ィスクの記録フォーマットがＺＣＡＶ方式であるため、
スピンドルモータ１４０は例えば３６３７ｒｐｍの一定
速度で回転される。
【００３０】又、ＭＰＵ１１２は、ＤＳＰ１１６を経由
してドライバ１４２を介してエンクロージャ１１１側に
設けた電磁石１４４を制御する。電磁石１４４は、光デ
ィスク装置内にロードされた光ディスクのビーム照射側
と反対側に配置されており、記録時及び消去時に光ディ
スクに外部磁界を供給する。ＭＳＲを用いた１.３ＧＢ
又は２．３ＧＢフォーマットのＭＳＲ光ディスクでは、
再生を行う際にも外部磁界を供給する。
【００３１】ＤＳＰ１１６は、光ディスクに対してレー
ザダイオード１３０からのビームの位置決めを行うため
のサーボ機能を備え、目的トラックにシークしてオント
ラックするためのシーク制御部及びオントラック制御部
として機能する。このシーク制御及びオントラック制御
は、ＭＰＵ１１２による上位コマンドに対するライトア
クセス又はリードアクセスに並行して同時に実行するこ
とができる。
【００３２】ＤＳＰ１１６のサーボ機能を実現するた
め、エンクロージャ１１１側の光学ユニットに光ディス
クからのビーム戻り光を受光するフォーカスエラー信号
（ＦＥＳ）用ディテクタ１４５を設けている。ＦＥＳ検
出回路１４６は、ＦＥＳ用ディテクタ１４５の受光出力
からＦＥＳＥ１を生成してＤＳＰ１１６に入力する。
【００３３】エンクロージャ１１１側の光学ユニットに
は、光ディスクからのビーム戻り光を受光するトラッキ
ングエラー信号（ＴＥＳ）用ディテクタ１４７も設けら
れている。ＴＥＳ検出回路１４８は、ＴＥＳ用ディテク
タ１４７の受光出力からＴＥＳＥ２を生成してＤＳＰ１
１６に入力する。ＴＥＳＥ２は、トラックゼロクロス
（ＴＺＣ）検出回路１５０にも入力され、ＴＺＣパルス
Ｅ３が生成されてＤＳＰ１１６に入力される。
【００３４】エンクロージャ１１１側には、光ディスク
に対してレーザビームを照射する対物レンズの位置を検
出するレンズ位置センサ１５４が設けられており、レン
ズ位置センサ１５４からのレンズ位置検出信号（ＬＰＯ
Ｓ）Ｅ４はＤＳＰ１１６に入力される。ＤＳＰ１１６
は、光ディスク上のビームスポットの位置を制御するた
め、ドライバ１５８，１６２，１６６を介してフォーカ
スアクチュエータ１６０、レンズアクチュエータ１６４
及びボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１６８を制御して駆
動する。
【００３５】図２は、エンクロージャ１１１の概略構成
を示す断面図である。図２に示すように、ハウジング１
６７内にはスピンドルモータ１４０が設けられ、インレ
ットドア１６９側からＭＯカートリッジ１７０を挿入す
ることで、ＭＯカートリッジ１７０に収納された光ディ
スク（ＭＯディスク）１７２のハブがスピンドルモータ
１４０のターンテーブルに装着されて光ディスク１７２
が光ディスク装置にロードされる。
【００３６】ロードされたＭＯカートリッジ１７０内の
光ディスク１７２の下側には、ＶＣＭ１６４により光デ
ィスク１７２のトラックを横切る方向に移動自在なキャ
リッジ１７６が設けられている。キャリッジ１７６上に
は対物レンズ１８０が搭載され、固定光学系１７８に設
けられているレーザダイオード１３０−１からのビーム
を立ち上げミラー１８２を介して入射して光ディスク１
７２の記録面にビームスポットを結像する。
【００３７】対物レンズ１８０は、図１に示すエンクロ
ージャ１１１のフォーカスアクチュエータ１６０により
光軸方向に移動制御され、又、レンズアクチュエータ１
６４により光ディスク１７２のトラックを横切る半径方
向に例えば数十トラックの範囲内で移動可能である。こ
のキャリッジ１７６に搭載されている対物レンズ１８０
の位置が、図１のレンズ位置センサ１５４により検出さ
れる。レンズ位置センサ１５４は、対物レンズ１８０の
光軸が直上に向かう中立位置でレンズ位置検出信号をゼ
ロとし、光ディスク１７２のアウタ側への移動とインナ
側への移動に対して夫々異なる曲性の移動量に応じたレ
ンズ位置検出信号Ｅ４を出力する。
【００３８】図３は、本発明になる記憶装置の第１実施
例の要部を示すブロック図である。記憶装置の第１実施
例では、本発明が特に特開平１１−１６２５１号公報に
て提案されているような、書き込みパワーを増減させて
書き込みが成功するまでリトライを行うリトライ処理を
行う機能を備えた光磁気ディスク装置に適用されてい
る。又、記憶装置の第１実施例は、本発明になる書き込
み／消去方法の第１実施例を採用する。図３中、図１及
び図２と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略
する。
【００３９】図３において、光磁気ディスク装置は、大
略ＭＰＵ１１２、ディジタルシグナルプロセッサ（ＤＳ
Ｐ）１１６、光学ヘッド３、フォトディテクタ部４、ア
ンプ・フィルタ・オフセット加算回路５、ドライバ（駆
動回路）１６２、アクチュエータ１６４及びメモリ１１
８からなる。
【００４０】ＭＰＵ１１２は、ノイズフィルタ１０１、
割り込み制御部１０２及びリード／ライト制御部１０３
の機能を含む。メモリ１１８は、ＭＰＵ１１２が実行す
るプログラムやテーブル等の各種データを格納するＲＯ
Ｍ領域と、ＭＰＵ１１２が実行する計算の中間結果等を
格納するＲＡＭ領域を含む。ＤＳＰ１１６は、大略読み
出し（以下、リードと言う）用スライス設定部２１、書
き込み／消去（以下、ライト／イレーズと言う）用設定
部２２、スイッチ回路２３、ディジタル・アナログ変換
器（ＤＡＣ）２４、アナログ・ディジタル変換器（ＡＤ
Ｃ）２５、アンプ２６、比較器２７、位相補償フィルタ
機能を含むトラッキング制御部２８、ＤＡＣ２９及びト
ラッキングエラー信号（ＴＥＳ）振幅・オフセット検出
回路３０からなる。光磁気ディスク１７２は、装着脱可
能であっても良い。尚、図３では、説明の便宜上、ＤＳ
Ｐ１１６のハードウェア及びファームウェアのうち、光
ビームのトラック外れを検出するのに用いるスライスレ
ベルの設定に関わる部分のみを示す。
【００４１】尚、フォーカス制御系、光磁気ディスク駆
動系、リード／ライト信号処理系等は、本発明の要旨と
直接関係がないので、図３ではこれらの図示は省略す
る。又、光磁気ディスク装置の基本構成は、図３に示す
基本構成に限定されず、ＤＳＰ１１６等のプロセッサが
後述する動作を行える構成であれば、種々の周知の基本
構成を用いることができる。
【００４２】図３において、光学ヘッド３により光磁気
ディスク１７２上に光ビームを照射して、光磁気ディス
ク１７２から反射された光ビームのうち、トラッキング
制御に用いられる成分は、フォトディテクタ部４により
検出され、ＴＥＳがアンプ・フィルタ・オフセット加算
回路５を介して、ＤＳＰ１１６内のＡＤＣ２５に供給さ
れる。光学ヘッド３及びフォトディテクタ部４は、図１
に示すレーザダイオードユニット１３０、ＩＤ／ＭＯ用
ディテクタ１３２、ヘッドアンプ１３４、ＴＥＳ用ディ
テクタ１４５及びＴＥＳ用ディテクタ１４７に対応す
る。アンプ・フィルタ・オフセット加算回路５は、アン
プ（増幅）機能と、フィルタ機能と、オフセット加算機
能とを備えている。ＡＤＣ２５は、ディジタル信号に変
換されたＴＥＳをアンプ２６及びＴＥＳ振幅・オフセッ
ト検出回路３０に供給する。ＴＥＳ振幅・オフセット検
出回路３０は、ＴＥＳの正側のピーク値及び負側のピー
ク値を検出して、ＭＰＵ１１２に供給する。
【００４３】ＭＰＵ１１２は、ＴＥＳ振幅・オフセット
検出回路３０から得られるＴＥＳの正側のピーク値及び
負側のピーク値に基いて、ＴＥＳのゼロ付近でトラッキ
ング制御が行われるようにＤＳＰ１１６内のＤＡＣ２４
を介してオフセット量をアンプ・フィルタ・オフセット
加算回路５に供給して、ＴＥＳのオフセットを補正する
と共に、ＴＥＳの振幅が規定振幅となるように、ＤＳＰ
１１６内のアンプ２６のゲインを制御する。これによ
り、アンプ２６からは、ＴＥＳのレベルに対する変位量
が正規化された、正規化ＴＥＳが得られて比較器２７に
供給される。
【００４４】アンプ２６からの正規化ＴＥＳは、トラッ
キング制御部２８にも供給される。トラッキング制御部
２８は、正規化ＴＥＳの位相補償等を行い、トラッキン
グ目標に対する位置誤差を出力してＤＡＣ２９及び駆動
回路１６２を介してアクチュエータ１６４を周知の方法
で制御することにより、光学ヘッド３、即ち、光ビーム
のトラッキング制御を行う。
【００４５】ＭＰＵ１１２は、リード時には、リード時
のトラック外れを検出するのに用いる適切なリード用ス
ライスレベルをリード用スライス設定部２１に設定す
る。又、ＭＰＵＰ１は、ライト／イレーズ時には、ライ
ト／イレーズ時のトラック外れを検出するのに用いるラ
イト／イレーズ用スライスレベルを計算してライト／イ
レーズ用スライス設定部２２に設定する。更に、ＭＰＵ
１１２は、リード又はライト／イレーズであることを示
す識別信号を、スイッチ回路２３に供給する。これによ
り、スイッチ回路２３は識別信号に基いて、リード時に
はリード用スライス設定部２１からのリード用スライス
レベルを比較器２７に供給し、ライト／イレーズ時には
ライト／イレーズ用スライス設定部２２からのライト／
イレーズ用スライスレベルを比較器２７に供給する。
【００４６】尚、後述するテストトラック用のリード用
スライスレベルもリード用スライス設定部２１に設定
し、テストトラック用のライト／イレーズ用スライスレ
ベルもライト／イレーズ用スライス設定部２２に設定可
能であるため、テストトラック用のリード／ライト／イ
レーズ用スライス設定部の図示は省略する。光磁気ディ
スク１７２上のテストトラックは、例えば特開平１１−
１６２５１号公報等で提案されているテストライト及び
テストリードにより光ビームのパワーを調整するために
設けられた領域であり、ユーザデータが書き込まれるこ
とはない。このような、記録媒体の媒体種別毎に決めら
れた少なくとも１以上のエリア毎にテストライト領域が
ある。
【００４７】比較器２７は、リード時には、アンプ２６
からの正規化ＴＥＳが、スイッチ２３を介して得られる
リード用スライスレベルを超えているか否かを比較して
比較結果報告をＭＰＵ１１２に対して行う。同様にし
て、比較器２７は、ライト／イレーズ時には、アンプ２
６からの正規化ＴＥＳが、スイッチ２３を介して得られ
るライト／イレーズ用スライスレベルを超えているか否
かを比較して比較結果報告をＭＰＵ１１２に対して行
う。リード時に、正規化ＴＥＳがリード用スライスレベ
ルを超えていることを示す比較結果報告（トラック外れ
報告）が比較器２７から得られると、ＭＰＵ１１２はト
ラック外れを認識すると共に、トラック外れ報告に応答
してエラー通知等をＭＰＵ１１２のリード／ライト制御
部１０３に行う。又、ライト／イレーズ時に、正規化Ｔ
ＥＳがライト／イレーズ用スライスレベルを超えている
ことを示す比較結果報告（トラック外れ報告）が比較器
２７から得られると、ＭＰＵ１１２はトラック外れを認
識すると共に、トラック外れ報告によりライト／イレー
ズ処理に割り込みが発生して割り込み制御部１０２によ
りライト／イレーズ処理を直ちに中断することで、光磁
気ディスク１７２上のデータ破壊を防止する。
【００４８】図４は、記憶装置の第１実施例におけるＭ
ＰＵ１１２の動作を説明するフローチャートである。同
図に示す処理は、ホスト装置から例えばシークコマンド
が発行されると起動される。
【００４９】図４において、ステップＳ１は、シークコ
マンドに伴うジャンプ命令が発行されたか否かを判定
し、判定結果がＹＥＳになると、ステップＳ２は、光磁
気ディスク１７２上のセクタ番号、トラック番号等の識
別情報（ＩＤ）部分のリードを実行する。ステップＳ３
は、ＩＤ部分のリードが成功したか否かを判定し、判定
結果がＮＯであると、処理はステップＳ２へ戻る。他
方、ステップＳ３の判定結果がＹＥＳであると、ステッ
プＳ４は、シークコマンドに含まれる目的トラックに到
達しているか否かを判定し、判定結果がＹＥＳである
と、処理は後述するステップＳ９へ進む。
【００５０】ステップＳ４の判定結果がＮＯであると、
ステップＳ５は、目的トラックへ到達するためにジャン
プするべきトラック本数を計算し、ステップＳ６は、計
算されたトラック本数のジャンプを実行する。ステップ
Ｓ７は、ジャンプが成功したか否かを判定し、判定結果
がＹＥＳであると、処理はステップＳ２へ戻る。ステッ
プＳ７の判定結果がＮＯであると、ステップＳ８は、ト
ラックへの再引き込みを実行し、処理はステップＳ２へ
戻る。
【００５１】ステップＳ９は、シークコマンドがテスト
トラックへのシークを指示しているか否かを判定し、判
定結果がＮＯであると、ステップＳ１０は、シークコマ
ンドがリード処理を指示しているか否かを判定する。ス
テップＳ１０の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ
１１は、光学ヘッド３から出力する光ビームの光源のパ
ワーを、目的トラックの含まれる光磁気ディスク１７２
上のセクタに応じたリードパワーに設定し、処理は終了
することで動作は周知のリード処理へと進む。リード処
理の場合、リード時のトラック外れを検出するのに用い
る適切なリード用スライスレベルが予め求められてお
り、上記の如くリード用スライス設定部２１に設定され
ているものとする。リード時に多少オフトラックしても
隣接トラックに影響を与えないレベルのリードパワー制
御を行っているため、図４では、リードパワーに応じて
リード用スライスレベルを変更していない。
【００５２】他方、ステップＳ１０の判定結果がＮＯで
あると、ステップＳ１２は、シークコマンドがライト処
理を指示しているか否かを判定する。ステップＳ１２の
判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ１３は、光学ヘ
ッド３から出力する光ビームの光源のパワーを、目的ト
ラックの含まれる光磁気ディスク１７２上のセクタに応
じたライトパワーに設定する。又、ステップＳ１４は、
トラック外れを検出するためのライト用スライスレベル
を計算し、処理は後述するステップＳ１９へ進む。ステ
ップＳ１２の判定結果がＮＯであると、ステップＳ１５
は、光学ヘッド３から出力する光ビームの光源のパワー
を、目的トラックの含まれる光磁気ディスク１７２上の
セクタに応じたイレーズパワーに設定する。又、ステッ
プＳ１６は、トラック外れを検出するためのイレーズ用
スライスレベルを計算し、処理は後述するステップＳ１
９へ進む。
【００５３】ライト用スライスレベルは、ライト用スラ
イスレベルをＲＳＬ、ライト用スライスレベルのデフォ
ルト値をＲＳＬＤ、負の値を有する係数をＡ、±％で表
されるトラック外れ時のライトパワーとトラックの中心
を走査する光ビームのライトパワーとの比をＸで示す
と、例えば次の一次式で求めることができる。
【００５４】ＲＳＬ＝ＲＳＬＤ+Ａ×Ｘ このようにして、ライトパワーを増加させた場合には、
トラック外れを検出するためのライト用スライスレベル
を減少させて、トラック外れを厳しい条件で監視するこ
とができる。他方、ライトパワーを減少させた場合に
は、トラック外れを検出するためのライト用スライスレ
ベルを増加させて、トラック外れを緩やかな条件で監視
することができる。
【００５５】同様に、イレーズ用スライスレベルは、イ
レーズ用スライスレベルをＥＳＬ、イレーズ用スライス
レベルのデフォルト値をＥＳＬＤ、負の値を有する係数
をＢ、±％で表されるトラック外れ時のライトパワーと
トラックの中心を走査する光ビームのライトパワーとの
比をＸで示すと、例えば次の一次式で求めることができ
る。通常、Ｂ＜Ａであり、イレーズ用スライスレベルと
ライト用スライスレベルのパワー依存度は異なる。
【００５６】ＥＳＬ＝ＥＳＬＤ+Ｂ×Ｘ このようにして、イレーズパワーを増加させた場合に
は、トラック外れを検出するためのイレーズ用スライス
レベルを減少させて、トラック外れを厳しい条件で監視
することができる。他方、イレーズパワーを減少させた
場合には、トラック外れを検出するためのイレーズ用ス
ライスレベルを増加させて、トラック外れを緩やかな条
件で監視することができる。
【００５７】ステップＳ９の判定結果がＹＥＳである
と、ステップＳ１７は、光学ヘッド３から出力する光ビ
ームの光源のパワーを、テストトラックに応じたリード
／ライト／イレーズパワーに設定する。又、ステップＳ
１８は、光磁気ディスク１７２上のテストトラック用
の、トラック外れを検出するためのリード／ライト／イ
レーズ用スライスレベルを計算し、処理はステップＳ１
９へ進む。テストトラック用のトラック外れを検出する
ためのライト／イレーズ用スライスレベルは、通常のラ
イト／イレーズ処理時のトラック外れを検出するための
ライト／イレーズ用スライスレベルより大きい値（例え
ば２倍）が設定されており、トラック外れの監視を緩和
された条件で行うように設定されている。
【００５８】ステップＳ１９は、ステップＳ１４、Ｓ１
６又はＳ１８で計算されたスライスレベルを対応するス
ライス設定部２１又は２２に設定し、処理は終了するこ
とで、動作は周知のライト／イレーズ処理又はテストト
ラックリード／ライト／イレーズ処理へと進む。
【００５９】尚、リード／ライト／イレーズパワーの設
定自体は、例えば特開平１１−１６２５１号公報等から
周知であるため、本明細書ではその説明は省略する。
【００６０】本実施例では、トラック外れを検出するた
めのライト／イレーズ用スライスレベルを設定している
が、トラック外れを検出するための時定数（以下、トラ
ック外れ検出時定数と言う）を同様にして設定しても良
い。この場合、図４に示すステップＳ１３，Ｓ１４又は
Ｓ１５，Ｓ１６では、ライト／イレーズ用スライスレベ
ルの計算及び設定に代えて、或いは、これらに加えて、
ライト／イレーズ時のトラック外れ検出時定数を設定す
る。トラック外れ検出時定数は、比較器２７からの比較
結果通知に基いて、ＭＰＵ１１２内のノイズフィルタ１
０１の時定数を設定すれば良い。
【００６１】従って、最適ライト／イレーズパワーの変
動に応じて、トラック外れを検出するためのライト／イ
レーズ用スライスレベル及び／又はトラック外れ検出時
定数を変更して設定することができる。尚、最適ライト
／イレーズパワーは、テストライト／イレーズによりそ
の都度更新されるが、更新前と更新後の通常のライト／
イレーズでは、ライト／イレーズ用スライスレベル及び
／又はトラック外れ検出時定数は変更しない。
【００６２】図５は、本発明になる記憶装置の第２実施
例の要部を示すブロック図である。記憶装置の第２実施
例では、本発明が特に特開平１１−１６２５１号公報に
て提案されているような、ライトパワーを増減させてラ
イトが成功するまでリトライを行うリトライ処理を行う
機能を備えた光磁気ディスク装置に適用されている。
又、記憶装置の第２実施例は、本発明になる書き込み／
消去方法の第２実施例を採用する。図５では、主要部分
のみを示すと共に、図３と同一部分には同一符号を付
し、その説明は省略する。
【００６３】図５において、衝撃センサ４１は、光磁気
ディスク装置に加えられる外部振動や衝撃を検出して、
衝撃信号を出力する。衝撃信号は、アンプ機能及びフィ
ルタ機能を有するアンプ・フィルタ回路４２を介して、
比較器４４に供給される。具体的には、衝撃信号は、ア
ンプ・フィルタ回路４２により、必要とされる感度が得
られる振幅に増幅されると共に、ノイズを除去されてか
ら比較器４４に供給される。他方、ＭＰＵ１１２は、Ｄ
ＡＣ４３を介して基準衝撃信号を比較器４４に供給す
る。従って、比較器４４は、アンプ・フィルタ回路４２
からの衝撃信号が、基準衝撃信号を超えるレベルを有す
るか否かを比較して比較結果報告をＭＰＵ１１２に対し
て行う。ライト／イレーズ時に、アンプ・フィルタ回路
４２からの衝撃信号が、基準衝撃信号を超えるレベルを
有することを示す比較結果報告（衝撃検出報告）が比較
器４４から得られると、ＭＰＵ１１２は衝撃検出を認識
すると共に、衝撃検出報告によりライト／イレーズ処理
に割り込みが発生して割り込み制御部１０２によりライ
ト／イレーズ処理を直ちに中断することで、光磁気ディ
スク１７２上のデータ破壊を防止する。
【００６４】尚、衝撃センサ４１は、外部から衝撃を受
けた時の素子内部の歪みに応じた電流や電圧を出力する
周知の素子からなる。つまり、衝撃センサ４１は、外部
から加えられる加速度に比例した電流や電圧を出力する
ので、この出力をある規定スライスレベルでスライスし
て、スライスレベルを超えた場合にはライト／イレーズ
処理を中断するといった動作が可能となる。
【００６５】図６は、記憶装置の第２実施例におけるＭ
ＰＵ１１２の動作を説明するフローチャートである。同
図に示す処理は、ホスト装置から例えばシークコマンド
が発行されると起動される。図６中、図４と同一ステッ
プには同一符号を付し、その説明は省略する。
【００６６】図６において、ステップＳ１０の判定結果
がＹＥＳであると、ステップＳ１１は、光学ヘッド３か
ら出力する光ビームの光源のパワーを、目的トラックの
含まれる光磁気ディスク１７２上のセクタに応じたリー
ドパワーに設定し、処理はステップＳ２１へ進む。リー
ド時には、光磁気ディスク１７２上のデータを破壊する
可能性はないので、ステップＳ２１は、比較器４４から
の衝撃検出報告によるライト／イレーズ処理への割り込
みを無効化し、処理は終了することで動作は周知のリー
ド処理へと進む。
【００６７】ステップＳ１２の判定結果がＹＥＳである
と、ステップＳ１３は、光学ヘッド３から出力する光ビ
ームの光源のパワーを、目的トラックの含まれる光磁気
ディスク１７２上のセクタに応じたライトパワーに設定
する。又、ステップＳ１４−１は、衝撃を検出するため
のライト用スライスレベルを計算し、処理は後述するス
テップＳ１９−１へ進む。ステップＳ１２の判定結果が
ＮＯであると、ステップＳ１５は、光学ヘッド３から出
力する光ビームの光源のパワーを、目的トラックの含ま
れる光磁気ディスク１７２上のセクタに応じたイレーズ
パワーに設定する。又、ステップＳ１６−１は、衝撃を
検出するためのイレーズ用スライスレベルを計算し、処
理は後述するステップＳ１９−１へ進む。
【００６８】ライト用スライスレベルは、ライト用スラ
イスレベルをＳＲＳＬ、ライト用スライスレベルのデフ
ォルト値をＳＲＳＬＤ、負の値を有する係数をＣ、±％
で表されるトラック外れ時のライトパワーとトラックの
中心を走査する光ビームのライトパワーとの比をＸで示
すと、例えば次の一次式で求めることができる。
【００６９】ＳＲＳＬ＝ＳＲＳＬＤ+Ｃ×Ｘ このようにして、ライトパワーを増加させた場合には、
衝撃を検出するためのライト用スライスレベルを減少さ
せて、衝撃を厳しい条件で監視することができる。他
方、ライトパワーを減少させた場合には、衝撃を検出す
るためのライト用スライスレベルを増加させて、衝撃を
緩やかな条件で監視することができる。
【００７０】同様に、イレーズ用スライスレベルは、イ
レーズ用スライスレベルをＳＥＳＬ、イレーズ用スライ
スレベルのデフォルト値をＳＥＳＬＤ、負の値を有する
係数をＤ、±％で表されるトラック外れ時のライトパワ
ーとトラックの中心を走査する光ビームのライトパワー
との比をＸで示すと、例えば次の一次式で求めることが
できる。通常、Ｄ＜Ｃであり、イレーズ用スライスレベ
ルとライト用スライスレベルのパワー依存度は異なる。
【００７１】ＳＥＳＬ＝ＳＥＳＬＤ+Ｄ×Ｘ このようにして、イレーズパワーを増加させた場合に
は、衝撃を検出するためのイレーズ用スライスレベルを
減少させて、衝撃を厳しい条件で監視することができ
る。他方、イレーズパワーを減少させた場合には、衝撃
を検出するためのイレーズ用スライスレベルを増加させ
て、衝撃を緩やかな条件で監視することができる。
【００７２】ステップＳ９の判定結果がＹＥＳである
と、ステップＳ１７は、光学ヘッド３から出力する光ビ
ームの光源のパワーを、テストトラックに応じたリード
／ライト／イレーズパワーに設定する。又、ステップＳ
１８−１は、光磁気ディスク１７２上のテストトラック
用の、衝撃を検出するためのライト／イレーズ用スライ
スレベルを計算し、処理はステップＳ１９−１へ進む。
テストトラック用の衝撃を検出するためのライト／イレ
ーズ用スライスレベルは、通常のライト／イレーズ処理
時の衝撃を検出するためのライト／イレーズ用スライス
レベルより大きい値が設定されており、衝撃の監視を緩
和された条件で行うように設定されている。
【００７３】ステップＳ１９−１は、ステップＳ１４−
１、Ｓ１６−１又はＳ１８−１で計算されたスライスレ
ベルを対応するスライス設定部２１又は２２に設定し、
処理はステップＳ２２へ進む。ライトイレーズ時には、
光磁気ディスク１７２上のデータを破壊する可能性があ
るので、ステップＳ２２は、比較器４４からの衝撃検出
報告によるライト／イレーズ処理への割り込みを有効化
し、処理は終了することで、動作は周知のライト／イレ
ーズ処理又はテストトラックリード／ライト／イレーズ
処理へと進む。
【００７４】本実施例では、衝撃を検出するためのライ
ト／イレーズ用スライスレベルを設定しているが、衝撃
を検出するための時定数（以下、衝撃検出時定数と言
う）を同様にして設定しても良い。この場合、図６に示
すステップＳ１３，Ｓ１４−１又はＳ１５，Ｓ１６−１
では、ライト／イレーズ用スライスレベルの計算及び設
定に代えて、或いは、これらに加えて、ライト／イレー
ズ時の衝撃検出時定数を設定する。衝撃検出時定数は、
比較器４４からの比較結果通知に基いて、ＭＰＵ１１２
内のノイズフィルタ１０１の時定数を設定すれば良い。
【００７５】従って、最適ライト／イレーズパワーの変
動に応じて、衝撃を検出するためのライト／イレーズ用
スライスレベル及び／又はライト／イレーズ時の衝撃検
出時定数を変更して設定することができる。尚、最適ラ
イト／イレーズパワーは、テストライト／イレーズによ
りその都度更新されるが、更新前と更新後の通常のライ
ト／イレーズでは、ライト／イレーズ用スライスレベル
及び／又は衝撃検出時定数は変更しない。
【００７６】尚、本実施例では、図５において比較器４
４に供給される基準衝撃信号、即ち、衝撃を検出するた
めのスライスレベルは、ＭＰＵ１１２からＤＡＣ４３を
介して供給されているが、図３に示す上記第１実施例の
場合と同様に、スライス設定部２１，２２及びスイッチ
回路２３を用いて比較器４４に供給するようにしても良
い。この場合、ＤＡＣ４３は省略可能である。
【００７７】上記第１実施例の如きトラック外れ検出機
能は、光磁気ディスク１７２の媒体ノイズを除去するた
めのノイズフィルタ１０１のフィルタ機能を備えてお
り、又、ＤＳＰ１１６のファームウェアによるトラック
外れの検出には時間的な遅れが避けられないため、光磁
気ディスク装置に加わる外部の振動や衝撃により光学ヘ
ッド３が高速で移動してしまうと、トラック外れが検出
された時点では既に光ビームが隣接トラックに近づいて
しまっている可能性がある。そこで、トラック外れを検
出するためのライト／イレーズ用スライスレベルを減少
させ、ノイズフィルタ１０１のフィルタ時定数を減少さ
せることで、トラック外れを厳しい条件で監視すること
ができ、より高速にトラック外れの小さな変位量も検出
可能となる。しかし、トラック外れを厳しい条件で監視
すると、媒体ノイズも厳しい条件で監視することとな
り、光磁気ディスク１７２の生産性の向上が難しくな
る。そこで、上記第２実施例では、外部の振動や衝撃を
監視し、基準値を超える場合にはライト／イレーズ処理
を中断させることで、光磁気ディスク１７２上のデータ
破壊を防止することができる。
【００７８】図７は、ＭＰＵ１１２の割り込み処理を説
明するフローチャートである。同図に示す処理は、上記
第１及び第２実施例においてＭＰＵ１１２により実行さ
れる。同図中、ステップＳ３１は、比較器２７又は４４
からの比較結果通知がＭＰＵ１１２への割り込みを指示
しているか否かを判定する。ステップＳ３１の判定結果
がＹＥＳであると、ステップＳ３２は、ライト／イレー
ズ処理を中断して光磁気ディスク１７２上のデータ破壊
を防止し、処理は終了する。他方、ステップＳ３１の判
定結果がＮＯであると、ステップＳ３３は、ライト／イ
レーズ処理が終了したか否かを判定する。ステップＳ３
３の判定結果がＮＯであると、処理はステップＳ３１へ
戻り、ＹＥＳであると処理は終了する。
【００７９】次に、ホスト装置からライトコマンドが発
行された場合のＭＰＵ１１２、ＯＤＣ１１４及びＤＳＰ
１１６の処理を、図９及び図１０と共に説明する。
【００８０】図９は、ホスト装置からライトコマンドが
発行された場合のＭＰＵ１１２及びＯＤＣ１１４のファ
ームウェア処理を説明するフローチャートである。ホス
ト装置からライトコマンドが発行されて図９に示す処理
が開始されると、ステップＳ５１は、ＭＰＵ１１２内の
リトライカウンタの値を初期化する。ステップＳ５２
は、リトライカウンタの値が規定値以下であるか否かを
判定し、判定結果がＮＯであると、処理は異常終了す
る。他方、ステップＳ５２の判定結果がＹＥＳである
と、ステップＳ５３は、ライトコマンドを発行すると共
に、リトライ回数をＭＰＵ１１２へ通知することで、図
１０と共に後述するＭＰＵ１１２及びＤＳＰ１１６の処
理が開始される。ステップＳ５４は、図１０に示す処理
の終了に伴うフォーマッタ１１４−１からのコマンド終
了を待ち、ステップＳ５５は、正常終了であるか否かを
判定する。ステップＳ５５の判定結果がＮＯであると、
ステップＳ５６は、リトライカウンタの値を１だけイン
クリメントし、処理はステップＳ５２へ戻る。他方、ス
テップＳ５５の判定結果がＹＥＳであると、処理は正常
終了する。
【００８１】図１０は、ホスト装置からライトコマンド
が発行された場合のＭＰＵ１１２及びＤＳＰ１１６のフ
ァームウェア処理を説明するフローチャートである。図
９に示すステップＳ５３によりライトコマンドが発行さ
れて図１０に示す処理が開始されると、ステップＳ６１
は、ライトモードフラグをメモリ１１８にセットする。
ステップＳ６２は、図４と共に説明した上記第１実施例
のシーク時の処理又は図６と共に説明した上記第２実施
例のシーク時の処理を行うと共に、リトライ回数をＭＰ
Ｕ１１２へ通知する。ステップＳ６３は、正常終了であ
るか否かを判定し、判定結果がＮＯであると処理は異常
終了する。他方、ステップＳ６３の判定結果がＹＥＳで
あると、ステップＳ６４は、ライトパラメータ及びコマ
ンドをフォーマッタ１１４−１にセットし、処理は正常
終了する。
【００８２】図９及び図１０に示す如きファームウェア
処理は、ホスト装置から発行されたコマンドがリード／
イレーズコマンドの場合も同様である。
【００８３】尚、上記第１及び第２実施例は、適切に組
み合わせることが可能である。つまり、光ビームのライ
ト／イレーズパワーに応じて計算して設定するパラメー
タは、トラック外れを検出するためのライト／イレーズ
用スライスレベル、トラック外れ検出時定数、衝撃を検
出するためのライト／イレーズ用スライスレベル及び衝
撃検出時定数のうち、２以上の任意のパラメータを組み
合わせて使用しても良い。
【００８４】又、これらのパラメータは、予め計算して
メモリ１１８内のテーブルに格納しておき読み出して設
定することもできる。図８は、このようなテーブル内
の、ライトパワーと各パラメータとの関係を説明する図
である。同図に示す如く、テーブル内には、リトライカ
ウンタの値、最適ライトパワー、各種ライトパワーに対
するトラック外れを検出するためのライト用スライスレ
ベル、トラック外れ検出時定数、衝撃を検出するための
ライト用スライスレベル及び衝撃検出時定数が格納され
ている。同図では、説明の便宜上、ライトパワーに対す
るパラメータのみを示す。イレーズパワーに対しても、
パラメータを計算して同様なテーブルに格納しておけば
良い。
【００８５】上記実施例では、従来装置との互換性を考
慮して、例えば２.３ＧＢ未満の低密度記録媒体に対し
ては、本発明の機能を動作させないようにしているが、
従来装置との互換性を考慮しない場合には、本発明の機
能を低密度記録媒体に対して動作させても良い。この
際、記録媒体の種別を判別する方法は、上記の如きＩＤ
部のピットから種別を判別する方法の他に、制御情報領
域の媒体情報をリードする方法を採用することも可能で
ある。
【００８６】更に、本発明は、光磁気ディスク装置への
適用に限定されるものではなく、他の方式の光磁気や相
変化型等の各種光記録媒体を用いる記憶装置や光ビーム
を利用して光磁気的性質の変化で情報を記録する磁気記
録媒体を用いる記憶装置等にも適用可能であることは、
言うまでもない。
【００８７】本発明は、以下に付記する発明をも包含す
るものである。
【００８８】（付記１） 記録媒体に対する光ビームの
書き込み及び／又は消去パワーを変更する機能を備えた
記憶装置において、書き込み及び／又は消去時の、前記
光ビームの前記記録媒体上のトラックに対するトラック
外れを検出するための書き込み及び／又は消去用スライ
スレベルを、前記書き込み及び／又は消去パワーに応じ
て設定する設定ステップを含むことを特徴とする、書き
込み及び／又は消去方法。
【００８９】（付記２） 記録媒体に対する光ビームの
書き込み及び／又は消去パワーを変更する機能を備えた
記憶装置において、書き込み及び／又は消去時の、前記
記憶装置に対する外部振動や衝撃を検出するための書き
込み及び／又は消去用スライスレベルを、前記書き込み
及び／又は消去パワーに応じて設定する設定ステップを
含むことを特徴とする、書き込み及び／又は消去方法。
【００９０】（付記３） 前記設定ステップは、前記書
き込み及び／又は消去パワーの増加に応じて前記書き込
み及び／又は消去用スライスレベルを減少させることを
特徴とする、（付記１）又は（付記２）記載の書き込み
及び／又は消去方法。
【００９１】（付記４） 前記設定ステップは、前記書
き込み及び／又は消去パワーの減少に応じて前記書き込
み及び／又は消去用スライスレベルを増加させることを
特徴とする、（付記１）〜（付記３）のいずれか１項記
載の書き込み及び／又は消去方法。
【００９２】（付記５） 前記設定ステップは、前記書
き込み及び／又は消去パワーに応じてトラック外れ検出
時定数も設定することを特徴とする、（付記１）〜（付
記４）のいずれか１項記載の書き込み及び／又は消去方
法。
【００９３】（付記６） 前記設定ステップは、前記書
き込み及び／又は消去パワーに応じて外部振動や衝撃を
検出するための衝撃検出時定数も設定することを特徴と
する、（付記１）〜（付記５）のいずれか１項記載の書
き込み及び／又は消去方法。
【００９４】（付記７） 記録媒体に対する光ビームの
書き込み及び／又は消去パワーを変更する機能を備えた
記憶装置において、書き込み及び／又は消去時の、前記
光ビームの前記記録媒体上のトラックに対するトラック
外れを検出するための書き込み及び／又は消去用スライ
スレベルと、トラック外れ検出時定数と、前記記憶装置
に対する外部振動や衝撃を検出するための書き込み及び
／又は消去用スライスレベルと、外部振動や衝撃を検出
するための衝撃検出時定数とを含む書き込み及び／又は
消去用パラメータのうち、少なくとも１つのパラメータ
を前記書き込み及び／又は消去パワーに応じて設定する
設定ステップを含むことを特徴とする、書き込み及び／
又は消去方法。
【００９５】（付記８） 前記書き込み用パラメータの
前記書き込みパワーに対する依存度は、前記消去用パラ
メータの前記消去パワーに対する依存度とは異なること
を特徴とする、（付記７）記載の書き込み及び／又は消
去方法。
【００９６】（付記９） 前記記録媒体の種別を判別す
る判別ステップを更に含み、前記設定ステップは、前記
判別ステップにおいて前記記録媒体が高密度記録媒体で
あると判別された場合に実行されることを特徴とする、
（付記１）〜（付記８）のいずれか１項記載の書き込み
及び／又は消去方法。
【００９７】（付記１０） 記録媒体に対する光ビーム
の書き込み及び／又は消去パワーを変更する機能を備え
た記憶装置であって、書き込み及び／又は消去時の、前
記光ビームの前記記録媒体上のトラックに対するトラッ
ク外れを検出するための書き込み及び／又は消去用スラ
イスレベルを、前記書き込み及び／又は消去パワーに応
じて設定する設定手段を備えたことを特徴とする、記憶
装置。
【００９８】（付記１１） 記録媒体に対する光ビーム
の書き込み及び／又は消去パワーを変更する機能を備え
た記憶装置であって、書き込み及び／又は消去時の、前
記記憶装置に対する外部振動や衝撃を検出するための書
き込み及び／又は消去用スライスレベルを、前記書き込
み及び／又は消去パワーに応じて設定する設定手段を備
えたことを特徴とする、記憶装置。
【００９９】（付記１２） 前記設定手段は、前記書き
込み及び／又は消去パワーの増加に応じて前記書き込み
及び／又は消去用スライスレベルを減少させることを特
徴とする、（付記１０）又は（付記１１）記載の記憶装
置。
【０１００】（付記１３） 前記設定手段は、前記書き
込み及び／又は消去パワーの減少に応じて前記書き込み
及び／又は消去用スライスレベルを増加させることを特
徴とする、（付記１０）〜（付記１２）のいずれか１項
記載の記憶装置。
【０１０１】（付記１４） 前記設定手段は、前記書き
込み及び／又は消去パワーに応じてトラック外れ検出時
定数も設定することを特徴とする、（付記１０）〜（付
記１３）のいずれか１項記載の記憶装置。
【０１０２】（付記１５） 前記設定手段は、前記書き
込み及び／又は消去パワーに応じて外部振動や衝撃を検
出するための衝撃検出時定数も設定することを特徴とす
る、（付記１０）〜（付記１４）のいずれか１項記載の
記憶装置。
【０１０３】（付記１６） 記録媒体に対する光ビーム
の書き込み及び／又は消去パワーを変更する機能を備え
た記憶装置であって、書き込み及び／又は消去時の、前
記光ビームの前記記録媒体上のトラックに対するトラッ
ク外れを検出するための書き込み及び／又は消去用スラ
イスレベルと、トラック外れ検出時定数と、前記記憶装
置に対する外部振動や衝撃を検出するための書き込み及
び／又は消去用スライスレベルと、外部振動や衝撃を検
出するための衝撃検出時定数とを含む書き込み及び／又
は消去用パラメータのうち、少なくとも１つのパラメー
タを前記書き込み及び／又は消去パワーに応じて設定す
る設定手段を備えたことを特徴とする、記憶装置。
【０１０４】（付記１７） 前記書き込み用パラメータ
の前記書き込みパワーに対する依存度は、前記消去用パ
ラメータの前記消去パワーに対する依存度とは異なるこ
とを特徴とする、（付記１６）記載の記憶装置。
【０１０５】（付記１８） 前記記録媒体の種別を判別
する判別手段を更に備え、前記設定手段は、前記判別手
段において前記記録媒体が高密度記録媒体であると判別
された場合に前記設定を行うことを特徴とする、（付記
１０）〜（付記１７）のいずれか１項記載の記憶装置。
【０１０６】以上、本発明を実施例により説明したが、
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、種々の
変形及び改良が可能であることは、言うまでもない。
【０１０７】
【発明の効果】本発明によれば、光ビームが光記録媒体
上のトラックの中心からずれた位置を走査したり、書き
込み／消去パワーのある程度のずれが発生したりして
も、隣接トラックの信号の劣化を確実に防止可能な書き
込み／消去方法及び記憶装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明になる記憶装置第１実施例を示すブロッ
ク図である。
【図２】エンクロージャの概略構成を示す断面図であ
る。
【図３】本発明になる記憶装置の第１実施例の要部を示
すブロック図である。
【図４】記憶装置の第１実施例におけるＭＰＵの動作を
説明するフローチャートである。
【図５】本発明になる記憶装置の第２実施例の要部を示
すブロック図である。
【図６】記憶装置の第２実施例におけるＭＰＵの動作を
説明するフローチャートである。
【図７】ＭＰＵの割り込み処理を説明するフローチャー
トである。
【図８】ライトパワーと各パラメータとの関係を説明す
る図である。
【図９】ホスト装置からライトコマンドが発行された場
合のＭＰＵ及びＯＤＣの処理を説明するフローチャート
である。
【図１０】ホスト装置からライトコマンドが発行された
場合のＭＰＵ及びＤＳＰの処理を説明するフローチャー
トである。
【符号の説明】
３ 光学ヘッド ２１ リード用スライス設定部 ２２ ライト／イレーズ用スライス設定部 ２３ スイッチ回路 ２７，４４ 比較器 ４１ 衝撃センサ １０１ ノイズフィルタ １０２ 割り込み処理部 １０３ リード／ライト制御部 １１２ ＭＰＵ １１６ ＤＳＰ １７２ 光磁気ディスク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5D090 AA01 BB04 CC01 CC18 DD03 FF09 FF36 HH02 JJ03 KK03 5D118 AA24 AA27 AA28 BA01 BB05 BF03 BF04 CD20

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 記録媒体に対する光ビームの書き込み及
    び／又は消去パワーを変更する機能を備えた記憶装置に
    おいて、 書き込み及び／又は消去時の、前記光ビームの前記記録
    媒体上のトラックに対するトラック外れを検出するため
    の書き込み及び／又は消去用スライスレベルを、前記書
    き込み及び／又は消去パワーに応じて設定する設定ステ
    ップを含むことを特徴とする、書き込み及び／又は消去
    方法。
  2. 【請求項２】 記録媒体に対する光ビームの書き込み及
    び／又は消去パワーを変更する機能を備えた記憶装置に
    おいて、 書き込み及び／又は消去時の、前記記憶装置に対する外
    部振動や衝撃を検出するための書き込み及び／又は消去
    用スライスレベルを、前記書き込み及び／又は消去パワ
    ーに応じて設定する設定ステップを含むことを特徴とす
    る、書き込み及び／又は消去方法。
  3. 【請求項３】 前記設定ステップは、前記書き込み及び
    ／又は消去パワーの増加に応じて前記書き込み及び／又
    は消去用スライスレベルを減少させることを特徴とす
    る、請求項１又は請求項２記載の書き込み及び／又は消
    去方法。
  4. 【請求項４】 前記設定ステップは、前記書き込み及び
    ／又は消去パワーの減少に応じて前記書き込み及び／又
    は消去用スライスレベルを増加させることを特徴とす
    る、請求項１〜請求項３のいずれか１項記載の書き込み
    及び／又は消去方法。
  5. 【請求項５】 記録媒体に対する光ビームの書き込み及
    び／又は消去パワーを変更する機能を備えた記憶装置に
    おいて、 書き込み及び／又は消去時の、前記光ビームの前記記録
    媒体上のトラックに対するトラック外れを検出するため
    の書き込み及び／又は消去用スライスレベルと、トラッ
    ク外れ検出時定数と、前記記憶装置に対する外部振動や
    衝撃を検出するための書き込み及び／又は消去用スライ
    スレベルと、外部振動や衝撃を検出するための衝撃検出
    時定数とを含む書き込み及び／又は消去用パラメータの
    うち、少なくとも１つのパラメータを前記書き込み及び
    ／又は消去パワーに応じて設定する設定ステップを含む
    ことを特徴とする、書き込み及び／又は消去方法。
  6. 【請求項６】 前記記録媒体の種別を判別する判別ステ
    ップを更に含み、前記設定ステップは、前記判別ステッ
    プにおいて前記記録媒体が高密度記録媒体であると判別
    された場合に実行されることを特徴とする、請求項１〜
    請求項５のいずれか１項記載の書き込み及び／又は消去
    方法。
  7. 【請求項７】 記録媒体に対する光ビームの書き込み及
    び／又は消去パワーを変更する機能を備えた記憶装置で
    あって、 書き込み及び／又は消去時の、前記光ビームの前記記録
    媒体上のトラックに対するトラック外れを検出するため
    の書き込み及び／又は消去用スライスレベルを、前記書
    き込み及び／又は消去パワーに応じて設定する設定手段
    を備えたことを特徴とする、記憶装置。
  8. 【請求項８】 記録媒体に対する光ビームの書き込み及
    び／又は消去パワーを変更する機能を備えた記憶装置で
    あって、 書き込み及び／又は消去時の、前記記憶装置に対する外
    部振動や衝撃を検出するための書き込み及び／又は消去
    用スライスレベルを、前記書き込み及び／又は消去パワ
    ーに応じて設定する設定手段を備えたことを特徴とす
    る、記憶装置。
  9. 【請求項９】 前記設定手段は、前記書き込み及び／又
    は消去パワーに応じて外部振動や衝撃を検出するための
    衝撃検出時定数も設定することを特徴とする、請求項７
    又は請求項８記載の記憶装置。
  10. 【請求項１０】 記録媒体に対する光ビームの書き込み
    及び／又は消去パワーを変更する機能を備えた記憶装置
    であって、 書き込み及び／又は消去時の、前記光ビームの前記記録
    媒体上のトラックに対するトラック外れを検出するため
    の書き込み及び／又は消去用スライスレベルと、トラッ
    ク外れ検出時定数と、前記記憶装置に対する外部振動や
    衝撃を検出するための書き込み及び／又は消去用スライ
    スレベルと、外部振動や衝撃を検出するための衝撃検出
    時定数とを含む書き込み及び／又は消去用パラメータの
    うち、少なくとも１つのパラメータを前記書き込み及び
    ／又は消去パワーに応じて設定する設定手段を備えたこ
    とを特徴とする、記憶装置。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100498450B1 (ko) * 2002-10-14 2005-07-01 삼성전자주식회사 기록/재생 중의 충격에 대응하는 광 디스크 시스템 및이에 대한 충격 대응 방법
JP2006202435A (ja) * 2005-01-21 2006-08-03 Fujitsu Ten Ltd ディスクチェンジャ
US7760598B2 (en) * 2006-10-04 2010-07-20 Delphi Technologies, Inc. Method and system for evaluating CD player response to anomalies in a CD
US7668058B2 (en) 2006-10-04 2010-02-23 Delphi Technologies, Inc. Method and system for evaluating CD player response to vibration during playback of a CD

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5965946A (ja) * 1982-10-06 1984-04-14 Hitachi Ltd ビデオデイスクプレ−ヤ
JPS6190376A (ja) 1984-10-05 1986-05-08 Mitsubishi Electric Corp トラツキングサ−ボ回路のル−プゲイン調整回路
JPH0778897B2 (ja) 1987-08-31 1995-08-23 キヤノン株式会社 光学式情報記録再生装置
JP2667872B2 (ja) 1988-04-28 1997-10-27 キヤノン電子株式会社 データ記録装置
US5257255A (en) * 1988-03-30 1993-10-26 Canon Denshi Kabushiki Kaisha Recording and/or reproducing apparatus with sensor for detecting head speed or acceleration
US5251194A (en) * 1989-04-17 1993-10-05 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Techniques for controlling beam position and focus in optical disk drives
JPH03171437A (ja) * 1989-11-30 1991-07-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 信号記録方法と最適パワー設定装置
US5333138A (en) * 1992-03-11 1994-07-26 Ministor Peripherals International Limited Apparatus and method for preventing data corruption in disk drives from mechanical shock during write operations
US5270880A (en) * 1992-04-10 1993-12-14 International Business Machines Corporation Predictive read-write inhibit decision using fuzzy logic
JPH05298770A (ja) 1992-04-17 1993-11-12 Sony Corp 光磁気記録装置
US5564013A (en) * 1992-06-22 1996-10-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording and reproducing apparatus adapted to optically record and reproduce data in a sector, and method thereof
JP3264385B2 (ja) 1992-09-09 2002-03-11 ソニー株式会社 光デイスク記録再生装置
JP3290020B2 (ja) 1993-12-28 2002-06-10 株式会社デノン 光ディスク記録装置
JPH0963093A (ja) 1995-08-25 1997-03-07 Sony Corp レーザ光出力制御回路
JP3123591B2 (ja) * 1995-12-20 2001-01-15 富士通株式会社 光ディスク装置
JPH09274770A (ja) 1996-04-03 1997-10-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光ディスク再生装置及び再生方法
JP3457463B2 (ja) 1996-04-26 2003-10-20 富士通株式会社 光学的記憶装置
US5991251A (en) * 1997-03-11 1999-11-23 Ricoh Company, Ltd. Method and apparatus for changing laser beam power of an optical storage device for various types of compact disks
JPH10283730A (ja) 1997-04-02 1998-10-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光ディスク再生装置および方法
JPH111625A (ja) 1997-06-12 1999-01-06 Mitsubishi Chem Corp 水溶性錯体及びそれを利用した造影剤
JP3579214B2 (ja) * 1997-06-24 2004-10-20 富士通株式会社 光学的記憶装置
JP3429165B2 (ja) * 1997-08-28 2003-07-22 富士通株式会社 光学的記憶装置
JP3447956B2 (ja) * 1998-05-21 2003-09-16 富士通株式会社 光学的記憶装置
JP2000099965A (ja) 1998-09-18 2000-04-07 Sony Corp ディスクドライブ装置
JP2000182292A (ja) 1998-12-15 2000-06-30 Fujitsu Ltd 光学的記憶装置及び光記憶媒体の記録再生方法
JP3490622B2 (ja) * 1998-12-17 2004-01-26 富士通株式会社 トラッキング制御方法及び記憶装置
JP2000215450A (ja) 1999-01-18 2000-08-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光ディスク装置
JP3833016B2 (ja) * 1999-08-27 2006-10-11 富士通株式会社 記憶装置のサーボリカバリー方法及び記憶装置

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