JP2000182292A - 光学的記憶装置及び光記憶媒体の記録再生方法 - Google Patents
光学的記憶装置及び光記憶媒体の記録再生方法Info
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- G11B20/10—Digital recording or reproducing
- G11B20/18—Error detection or correction; Testing, e.g. of drop-outs
- G11B20/1816—Testing
- G11B2020/183—Testing wherein at least one additional attempt is made to read or write the data when a first attempt is unsuccessful
Abstract
(57)【要約】
【課題】リードリトライやベリファイリトライの成功率
を高め短時間でリトライを成功させる。 【解決手段】ＭＳＲ媒体のリードリトライは、再生磁界
を設定変更しながら実行する。成功したリードリトライ
のパラメータ設定値を統計情報として保存し、デフォル
トに対する設定値の変化が大きくなったらデフォルトを
更新する。リトライに成功したパラメータ設定情報を統
計情報として保存し、新たなリードリトライでは統計情
報の中から成功率の高いパラメータ設定情報を選択して
リトライを実行する。
を高め短時間でリトライを成功させる。 【解決手段】ＭＳＲ媒体のリードリトライは、再生磁界
を設定変更しながら実行する。成功したリードリトライ
のパラメータ設定値を統計情報として保存し、デフォル
トに対する設定値の変化が大きくなったらデフォルトを
更新する。リトライに成功したパラメータ設定情報を統
計情報として保存し、新たなリードリトライでは統計情
報の中から成功率の高いパラメータ設定情報を選択して
リトライを実行する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光を用いて
情報の記録と再生を行う光学的記憶装置及び光記憶媒体
の記録再生方法に関し、特に、ビーム径よりも小さい密
度でデータを記録再生するＭＳＲ媒体を含む光記憶媒体
の記録再生動作でリードエラーが発生した場合のリトラ
イを最適化する光学的記憶装置及び光記憶媒体の記録再
生方法に関する。
情報の記録と再生を行う光学的記憶装置及び光記憶媒体
の記録再生方法に関し、特に、ビーム径よりも小さい密
度でデータを記録再生するＭＳＲ媒体を含む光記憶媒体
の記録再生動作でリードエラーが発生した場合のリトラ
イを最適化する光学的記憶装置及び光記憶媒体の記録再
生方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータの外部記憶媒体とし
て、光ディスクが脚光を浴びている。光ディスクは、レ
ーザ光を用いて媒体上にサブミクロンオーダーの磁気的
な記録ピットを作ることにより、これまでの外部記憶媒
体であるフロッピーディスクやハードディスクに比べ、
格段に記録容量を増大させることが可能となる。
て、光ディスクが脚光を浴びている。光ディスクは、レ
ーザ光を用いて媒体上にサブミクロンオーダーの磁気的
な記録ピットを作ることにより、これまでの外部記憶媒
体であるフロッピーディスクやハードディスクに比べ、
格段に記録容量を増大させることが可能となる。
【０００３】更に、希土類−遷移金属系材料を用いた垂
直磁気記憶媒体である光磁気ディスクにおいては、情報
の書替えが可能であり、今後の発展がますます期待され
ている。
直磁気記憶媒体である光磁気ディスクにおいては、情報
の書替えが可能であり、今後の発展がますます期待され
ている。
【０００４】光ディスクは例えば３．５インチ片面で１
２８ＭＢ，２３０ＭＢ、５４０ＭＢ、６４０ＭＢの記憶
容量を持っている。ここで１２８ＢＭ媒体、２３０ＭＢ
媒体はピットポジション記録（ＰＰＭ記録）であり、５
４０ＢＭ媒体、６４０ＭＢ媒体はパルス幅変調記録（Ｐ
ＷＭ記録）である。
２８ＭＢ，２３０ＭＢ、５４０ＭＢ、６４０ＭＢの記憶
容量を持っている。ここで１２８ＢＭ媒体、２３０ＭＢ
媒体はピットポジション記録（ＰＰＭ記録）であり、５
４０ＢＭ媒体、６４０ＭＢ媒体はパルス幅変調記録（Ｐ
ＷＭ記録）である。
【０００５】これは３．５インチフロッピー（登録商
標）ディスク１枚の記憶容量が約１ＭＢであることを考
えると、光ディスク１枚でフロッピーディスク１２８枚
から６４０枚分の記憶容量を持つことを意味する。この
ように光ディスクは記録密度の非常に高い書替可能な記
憶媒体である。
標）ディスク１枚の記憶容量が約１ＭＢであることを考
えると、光ディスク１枚でフロッピーディスク１２８枚
から６４０枚分の記憶容量を持つことを意味する。この
ように光ディスクは記録密度の非常に高い書替可能な記
憶媒体である。
【０００６】しかし、これからのマルチメディア時代に
備え、光ディスクの記録密度を現在よりも更に高くする
必要がある。記録密度を高くするためには、媒体上に更
に多くのピットを記録させなければならない。そのため
には、現在よりもピットを更に小さくし、ピットとピッ
トの間隔も詰めていく必要がある。このような方法で記
録密度を高くする場合、レーザ光の波長を現在の６７０
ｎｍよりも更に短くする必要があるが、実用化を考慮し
た場合、現行の波長６７０ｎｍでピットサイズを小さく
しなければならない。
備え、光ディスクの記録密度を現在よりも更に高くする
必要がある。記録密度を高くするためには、媒体上に更
に多くのピットを記録させなければならない。そのため
には、現在よりもピットを更に小さくし、ピットとピッ
トの間隔も詰めていく必要がある。このような方法で記
録密度を高くする場合、レーザ光の波長を現在の６７０
ｎｍよりも更に短くする必要があるが、実用化を考慮し
た場合、現行の波長６７０ｎｍでピットサイズを小さく
しなければならない。
【０００７】この場合、記録についてはレーザ光のパワ
ーを制御することによってビーム径よりも小さなピット
を形成することは可能である。しかし、再生について
は、ビーム径よりも小さなピットを再生すると、隣のピ
ットとのクロストークが大きくなり、最悪の場合、再生
ビームの中に隣のピットまで入ってしまい、実用性を考
慮した場合、非常に難しい。
ーを制御することによってビーム径よりも小さなピット
を形成することは可能である。しかし、再生について
は、ビーム径よりも小さなピットを再生すると、隣のピ
ットとのクロストークが大きくなり、最悪の場合、再生
ビームの中に隣のピットまで入ってしまい、実用性を考
慮した場合、非常に難しい。
【０００８】現行の波長６７０ｎｍでビーム径よりも小
さなピットを再生する方法として特開平３−９３０５８
号に代表される光磁気記録再生方法があり、超解像技術
（ＭＳＲ：Magnetically induced Super Resolution ）
による記録再生方法として知られている。これにはＦＡ
Ｄ(Front Aperture Detection ）方式とＲＡＤ(RearApe
rture Detection)方式の２つの方法がある。
さなピットを再生する方法として特開平３−９３０５８
号に代表される光磁気記録再生方法があり、超解像技術
（ＭＳＲ：Magnetically induced Super Resolution ）
による記録再生方法として知られている。これにはＦＡ
Ｄ(Front Aperture Detection ）方式とＲＡＤ(RearApe
rture Detection)方式の２つの方法がある。
【０００９】ＦＡＤ方式は、図５３（Ａ）（Ｂ）のよう
に、ＭＳＲ媒体を基板３１１上で記録層３２０と再生層
３１６に分け、リードビームのレーザスポット３２２を
照射した状態で、再生磁界Ｈｒを加えて再生する。この
とき再生層３１６が記録ピットの部分については、レー
ザスポット３２２による媒体加熱の温度分布に依存して
記録層２２０との境界に形成されるスイッチ層（Switch
ing Layer)３１８の磁気的な結合が切れ、再生磁界Ｈｒ
の影響を受けてマスクとなる。
に、ＭＳＲ媒体を基板３１１上で記録層３２０と再生層
３１６に分け、リードビームのレーザスポット３２２を
照射した状態で、再生磁界Ｈｒを加えて再生する。この
とき再生層３１６が記録ピットの部分については、レー
ザスポット３２２による媒体加熱の温度分布に依存して
記録層２２０との境界に形成されるスイッチ層（Switch
ing Layer)３１８の磁気的な結合が切れ、再生磁界Ｈｒ
の影響を受けてマスクとなる。
【００１０】これに対し次の記録ピットの部分について
はスイッチ層３１８の磁気的な結合は保ったままであ
り、アパーチャ（開口）３２４となる。このためレーザ
スポット３２２のように、隣接するピット３２６の影響
を受けることなくアパーチャ２２４のピット２３０のみ
を読み取ることができる。
はスイッチ層３１８の磁気的な結合は保ったままであ
り、アパーチャ（開口）３２４となる。このためレーザ
スポット３２２のように、隣接するピット３２６の影響
を受けることなくアパーチャ２２４のピット２３０のみ
を読み取ることができる。
【００１１】一方、ダブルマスクＲＡＤ方式は、図５４
（Ａ）（Ｂ）のように、基板３１１上の再生層３１６、
中間層３１７及び記録層３２０の３層から構成されてい
る。再生時の再生レーザパワーを若干高くしてリードす
る。このリード時には、リードビームのレーザスポット
３３４による媒体加熱の温度分布に依存し、再生層３１
６にはフロントマスク３３６、記録層３２０の磁化情報
が再生層３１６に転写されるアパーチャ３３８及びリア
マスク３１７が形成される。
（Ａ）（Ｂ）のように、基板３１１上の再生層３１６、
中間層３１７及び記録層３２０の３層から構成されてい
る。再生時の再生レーザパワーを若干高くしてリードす
る。このリード時には、リードビームのレーザスポット
３３４による媒体加熱の温度分布に依存し、再生層３１
６にはフロントマスク３３６、記録層３２０の磁化情報
が再生層３１６に転写されるアパーチャ３３８及びリア
マスク３１７が形成される。
【００１２】即ち、リードビームレーザスポット３３４
による低温のフロントマスク３３６では、再生磁界３３
２によって再生層３１６が初期化されているので、信号
は得られない。中間温度のアパーチャ３３８では、中間
層３１７が垂直磁化されるため結合力が強まり、記録層
３２０の磁化情報が再生層３１６に転写され、信号が得
られる。高温のリアマスク３３７では、中間層３１７の
キューリ温度に近いので、記録層３２０と再生層３１６
の結合力が小さくなり、再生層３１６の磁化は再生磁界
３３２の方向に揃う。
による低温のフロントマスク３３６では、再生磁界３３
２によって再生層３１６が初期化されているので、信号
は得られない。中間温度のアパーチャ３３８では、中間
層３１７が垂直磁化されるため結合力が強まり、記録層
３２０の磁化情報が再生層３１６に転写され、信号が得
られる。高温のリアマスク３３７では、中間層３１７の
キューリ温度に近いので、記録層３２０と再生層３１６
の結合力が小さくなり、再生層３１６の磁化は再生磁界
３３２の方向に揃う。
【００１３】再生層３１６に転写された記録層３２０の
磁化情報は、光学磁気効果（カー効果あるいはファラデ
ー効果）によって光学的な信号に変換されることでデー
タが再生される。
磁化情報は、光学磁気効果（カー効果あるいはファラデ
ー効果）によって光学的な信号に変換されることでデー
タが再生される。
【００１４】このとき、現在読み出している記録層３２
０のピット３２８に対し、次に読み出す記録層３２０の
ピット３３０は、再生層３１６の初期磁化情報によるフ
ロントマスク３３６の形成で転写されないため、記録ピ
ットがレーザスポット３３４より小さくとも、クロスト
ークは発生せず、ビーム径よりも小さなピットを再生す
ることができる。
０のピット３２８に対し、次に読み出す記録層３２０の
ピット３３０は、再生層３１６の初期磁化情報によるフ
ロントマスク３３６の形成で転写されないため、記録ピ
ットがレーザスポット３３４より小さくとも、クロスト
ークは発生せず、ビーム径よりも小さなピットを再生す
ることができる。
【００１５】更に、このダブルマスクＲＡＤを用いる
と、再生部分以外の記録層３２０の領域は初期化された
再生層３１６によってマスクされた状態になっているの
で、隣のピットからのピット干渉が発生せず、更にピッ
ト間隔を詰めることができ、また、隣接するトラックか
らのクロストークを抑えることもできるので、トラック
ピッチもＦＡＤより詰めることができ、現行の波長６８
０ｎｍを用いても高密度化を行うことが可能となる。
と、再生部分以外の記録層３２０の領域は初期化された
再生層３１６によってマスクされた状態になっているの
で、隣のピットからのピット干渉が発生せず、更にピッ
ト間隔を詰めることができ、また、隣接するトラックか
らのクロストークを抑えることもできるので、トラック
ピッチもＦＡＤより詰めることができ、現行の波長６８
０ｎｍを用いても高密度化を行うことが可能となる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなＭＳＲ媒体を用いた従来の光ディスク装置にあって
は、再生時に使用する再生磁界とリードパワーを厳密に
制御しなければ、適切な再生動作ができないという問題
がある。その理由は、例えば図５３（Ａ）（Ｂ）のＦＡ
Ｄ方式でレーザビーの再生パワーＰｒが低すぎた場合、
再生層３１６の磁化による図５３（Ｂ）のマスク３２６
の形成範囲が小さくなり、ピット３２８がマスクされず
にクロストークを起こす。
うなＭＳＲ媒体を用いた従来の光ディスク装置にあって
は、再生時に使用する再生磁界とリードパワーを厳密に
制御しなければ、適切な再生動作ができないという問題
がある。その理由は、例えば図５３（Ａ）（Ｂ）のＦＡ
Ｄ方式でレーザビーの再生パワーＰｒが低すぎた場合、
再生層３１６の磁化による図５３（Ｂ）のマスク３２６
の形成範囲が小さくなり、ピット３２８がマスクされず
にクロストークを起こす。
【００１７】また再生パワーＰｒが強すぎた場合には、
マスク３２６の形成範囲が広がってピット３３０も部分
的にマスクするようになり、再生レベルが低下してエラ
ーとなる。同時に再生磁界Ｈｒが記録層３２０にも作用
し、記録データを消しかねない。
マスク３２６の形成範囲が広がってピット３３０も部分
的にマスクするようになり、再生レベルが低下してエラ
ーとなる。同時に再生磁界Ｈｒが記録層３２０にも作用
し、記録データを消しかねない。
【００１８】図５４（Ａ）（Ｂ）のダブルマスクＲＡＤ
方式で再生パワーおよび再生磁界が低すぎた場合、再生
層３１６のビーム加熱による結合範囲が広がらず、アパ
ーチャが形成されず、図５４（Ｂ）のピット３２８が再
生されない。
方式で再生パワーおよび再生磁界が低すぎた場合、再生
層３１６のビーム加熱による結合範囲が広がらず、アパ
ーチャが形成されず、図５４（Ｂ）のピット３２８が再
生されない。
【００１９】また再生パワーおよび再生磁界が強すぎた
場合には、再生層３１６の初期化磁界のビーム加熱によ
る消去範囲が狭くなってフロントマスク３３６の形成範
囲が広がり、ピット２２８も部分的にマスクするように
なり、アパーチャ３３８が小さくなり、再生レベルが低
下してエラーとなる。同時に再生パワーが強すぎると記
録層３２０にも作用し、記録データを消しかねない。
場合には、再生層３１６の初期化磁界のビーム加熱によ
る消去範囲が狭くなってフロントマスク３３６の形成範
囲が広がり、ピット２２８も部分的にマスクするように
なり、アパーチャ３３８が小さくなり、再生レベルが低
下してエラーとなる。同時に再生パワーが強すぎると記
録層３２０にも作用し、記録データを消しかねない。
【００２０】この現象は再生磁界や再生パワーを調整す
るだけでは不十分であり、記憶媒体の温度を決める装置
内部の環境温度にも依存する。即ち、装置内の環境温度
が低温側に変化すると再生層のアパーチャ形成温度まで
加熱するためのレーザパーワーが必要となる。逆に環境
温度が高温側に変化すると再生層のリアマスク形成温度
までの加熱は少しでよいため再生パワーを低くする必要
がある。
るだけでは不十分であり、記憶媒体の温度を決める装置
内部の環境温度にも依存する。即ち、装置内の環境温度
が低温側に変化すると再生層のアパーチャ形成温度まで
加熱するためのレーザパーワーが必要となる。逆に環境
温度が高温側に変化すると再生層のリアマスク形成温度
までの加熱は少しでよいため再生パワーを低くする必要
がある。
【００２１】リードアクセスに基づくＭＳＲ媒体のある
セクタのリードが失敗した場合、最適値に調整された再
生パワーおよび再生磁界の値を使用して再度リードする
リードリトライを行うが、装置内の環境温度等が再生磁
界を最適値に調整した際の条件から外れていると、何回
リトライを行っても成功せず、最終的にリトライアウト
となり、不良セクタと判断して交代処理を行うことにな
る。
セクタのリードが失敗した場合、最適値に調整された再
生パワーおよび再生磁界の値を使用して再度リードする
リードリトライを行うが、装置内の環境温度等が再生磁
界を最適値に調整した際の条件から外れていると、何回
リトライを行っても成功せず、最終的にリトライアウト
となり、不良セクタと判断して交代処理を行うことにな
る。
【００２２】このためリードエラーが発生した際にリト
ライ成功となるまでに時間がかかり、更に、装置の使用
条件が大きく変っているとリトライ不成功でリードエラ
ーを多発し、処理性能が低下する問題があった。
ライ成功となるまでに時間がかかり、更に、装置の使用
条件が大きく変っているとリトライ不成功でリードエラ
ーを多発し、処理性能が低下する問題があった。
【００２３】同様なリードリトライの問題は、ライド動
作がイレーズ、ライト、及びベリファイを行うことか
ら、ベリファイでエラーとなったときのベリファイリト
ライでも生ずる。
作がイレーズ、ライト、及びベリファイを行うことか
ら、ベリファイでエラーとなったときのベリファイリト
ライでも生ずる。
【００２４】このようなリードリトライ及びベリファイ
リトライにおけるリトライ不成功の問題は、再生磁界を
必要とするＭＳＲ媒体のみならず、通常のＭＯ媒体にお
いても同様である。
リトライにおけるリトライ不成功の問題は、再生磁界を
必要とするＭＳＲ媒体のみならず、通常のＭＯ媒体にお
いても同様である。
【００２５】本発明は、リトライ処理を工夫してＭＳＲ
媒体のリードエラーの発生を低減する光学的記憶装置及
び光記憶媒体の記録再生方法を提供することを目的とす
る。
媒体のリードエラーの発生を低減する光学的記憶装置及
び光記憶媒体の記録再生方法を提供することを目的とす
る。
【００２６】また本発明は、パラメータを設定変更しな
がら行うリードリトライやベリファイリトライで成功時
のパラメータ設定情報を統計情報として保存し、統計情
報の学習処理による最適パラメータの更新を行ってリト
ライ成功の条件を反映し、リードエラーの発生を低減す
る光学的記憶装置及び光記憶媒体の記録再生方法を提供
することを目的とする。
がら行うリードリトライやベリファイリトライで成功時
のパラメータ設定情報を統計情報として保存し、統計情
報の学習処理による最適パラメータの更新を行ってリト
ライ成功の条件を反映し、リードエラーの発生を低減す
る光学的記憶装置及び光記憶媒体の記録再生方法を提供
することを目的とする。
【００２７】更に本発明は、成功したリードリトライの
情報を保存し、次のリードリトライ時に保存情報から成
功率の高いリードリトライの条件を取り出してリトライ
成功率を向上させる光学的記憶装置及び光記憶媒体の記
録再生方法を提供することを目的とする。
情報を保存し、次のリードリトライ時に保存情報から成
功率の高いリードリトライの条件を取り出してリトライ
成功率を向上させる光学的記憶装置及び光記憶媒体の記
録再生方法を提供することを目的とする。
【００２８】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。
図である。
【００２９】（ＭＳＲ媒体のリードリトライ）まず本発
明は、基板上に、少なくともデータを記録するための記
録層と記録層に記録されたデータを再生するための再生
層とを有するＭＳＲ媒体（光記憶媒体）を使用する。記
録部は、レーザビームのビーム径より小さい記録密度で
ＭＳＲ媒体の記録層にデータを記録する。再生部は、再
生に必要な再生磁界と再生レーザパワーを組み合わせて
最適な値に設定することによって、ビーム径より小さい
記録密度でＭＳＲ媒体の記録層に記録されているデータ
を再生する。
明は、基板上に、少なくともデータを記録するための記
録層と記録層に記録されたデータを再生するための再生
層とを有するＭＳＲ媒体（光記憶媒体）を使用する。記
録部は、レーザビームのビーム径より小さい記録密度で
ＭＳＲ媒体の記録層にデータを記録する。再生部は、再
生に必要な再生磁界と再生レーザパワーを組み合わせて
最適な値に設定することによって、ビーム径より小さい
記録密度でＭＳＲ媒体の記録層に記録されているデータ
を再生する。
【００３０】これに加え本発明は、図１（Ａ）のよう
に、リードリトライ処理部８６を設け、リードエラーが
発生した際のリードリトライ時に、再生磁界の値を変更
して再生動作をリトライすることを特徴とする。
に、リードリトライ処理部８６を設け、リードエラーが
発生した際のリードリトライ時に、再生磁界の値を変更
して再生動作をリトライすることを特徴とする。
【００３１】このように本発明は、ＭＳＲ媒体のリード
リトライの際に、再生磁界の値を変更し、変更した再生
磁界でリードのリトライを行うことでリトライを成功さ
せ、リトライアウトによってリードエラーが発生する頻
度を低減する。
リトライの際に、再生磁界の値を変更し、変更した再生
磁界でリードのリトライを行うことでリトライを成功さ
せ、リトライアウトによってリードエラーが発生する頻
度を低減する。
【００３２】リードリトライ処理部８６は、ＭＳＲ媒体
にフォーマットされた各ゾーン、ＭＳＲ媒体の記録領域
を複数のエリアに分割した各エリア、装置内の温度の少
なくともいずれかに応じてリードリトライ時に再生磁界
を変更する。
にフォーマットされた各ゾーン、ＭＳＲ媒体の記録領域
を複数のエリアに分割した各エリア、装置内の温度の少
なくともいずれかに応じてリードリトライ時に再生磁界
を変更する。
【００３３】ＭＳＲ媒体の再生に最適な再生パワーまた
は再生磁界の強さは、媒体の各ゾーン、各エリア、更に
はそのときの装置内温度により異なることから、これら
の条件に応じて適切な値を再生パワーまたは再生磁界を
変更することで、リードエラーの発生頻度を低減する。
は再生磁界の強さは、媒体の各ゾーン、各エリア、更に
はそのときの装置内温度により異なることから、これら
の条件に応じて適切な値を再生パワーまたは再生磁界を
変更することで、リードエラーの発生頻度を低減する。
【００３４】リードリトライ処理部８６は、テストリー
ドにより最適再生パワー又は最適再生磁界のテストオフ
セットΔＰｒ、ΔＨ１を決定し、所定のデフォルト値Ｐ
ｒ、ＨにテストオフセットΔＰｒ１，ΔＨ１と所定のリ
トライオフセットΔＰｒ２、ΔＨ２を加算した再生パワ
ー（Ｐｒ＋Ｐｒ１＋ΔＰ２）又は再生磁界（Ｈ＋ΔＨ１
＋ΔＨ２）に変更する。
ドにより最適再生パワー又は最適再生磁界のテストオフ
セットΔＰｒ、ΔＨ１を決定し、所定のデフォルト値Ｐ
ｒ、ＨにテストオフセットΔＰｒ１，ΔＨ１と所定のリ
トライオフセットΔＰｒ２、ΔＨ２を加算した再生パワ
ー（Ｐｒ＋Ｐｒ１＋ΔＰ２）又は再生磁界（Ｈ＋ΔＨ１
＋ΔＨ２）に変更する。
【００３５】このようにリードリトライ時にテストリー
ドで、そのときの使用条件に適合した最適再生パワーま
たは最適再生磁界を決定した後に、最適再生パワーまた
は最適再生磁界をリトライ用に変更して再度リードする
ことで、実際の使用条件の変化に適合した最適再生パワ
ーまたは再生磁界に変更でき、学習が進むにしたがっ
て、少ないリトイラ回数でリードを成功させることがで
きる。
ドで、そのときの使用条件に適合した最適再生パワーま
たは最適再生磁界を決定した後に、最適再生パワーまた
は最適再生磁界をリトライ用に変更して再度リードする
ことで、実際の使用条件の変化に適合した最適再生パワ
ーまたは再生磁界に変更でき、学習が進むにしたがっ
て、少ないリトイラ回数でリードを成功させることがで
きる。
【００３６】本発明は、ＭＳＲ媒体の記録再生方法を提
供するものであり、基板上に、少なくともデータを記録
するための記録層と記録層に記録されたデータを再生す
るための再生層とを有するＭＳＲ媒体（光記憶媒体）を
用いて、レーザビームのビーム径より小さい記録密度で
ＭＳＲ媒体の記録層にデータを記録する記録過程と、再
生に必要な再生磁界と再生レーザパワーを組み合わせて
最適な値に設定することによって、前記ビーム径より小
さい記録密度でＭＳＲ媒体の記録層に記録されているデ
ータを再生する再生過程と、再生過程でリードエラーが
発生した際のリードリトライ時に、再生磁界の値を変更
して再生動作をリトライするリードリトライ過程と、を
備えたことを特徴とする。このＭＳＲ媒体の記録再生方
法の詳細も装置構成と同じである。 （リードパラメータの統計的更新）本発明は、パラメー
タを設定変更しながら行うリードリトライやベリファイ
リトライで、成功時のパラメータ設定情報を統計情報と
して保存し、統計情報の学習処理による最適パラメータ
の更新を行ってリトライ成功の条件を反映してリードエ
ラーの発生を低減する光学的記憶装置及び方法を提供す
る。
供するものであり、基板上に、少なくともデータを記録
するための記録層と記録層に記録されたデータを再生す
るための再生層とを有するＭＳＲ媒体（光記憶媒体）を
用いて、レーザビームのビーム径より小さい記録密度で
ＭＳＲ媒体の記録層にデータを記録する記録過程と、再
生に必要な再生磁界と再生レーザパワーを組み合わせて
最適な値に設定することによって、前記ビーム径より小
さい記録密度でＭＳＲ媒体の記録層に記録されているデ
ータを再生する再生過程と、再生過程でリードエラーが
発生した際のリードリトライ時に、再生磁界の値を変更
して再生動作をリトライするリードリトライ過程と、を
備えたことを特徴とする。このＭＳＲ媒体の記録再生方
法の詳細も装置構成と同じである。 （リードパラメータの統計的更新）本発明は、パラメー
タを設定変更しながら行うリードリトライやベリファイ
リトライで、成功時のパラメータ設定情報を統計情報と
して保存し、統計情報の学習処理による最適パラメータ
の更新を行ってリトライ成功の条件を反映してリードエ
ラーの発生を低減する光学的記憶装置及び方法を提供す
る。
【００３７】本発明の光学的記憶装置は、レーザビーム
により光記憶媒体にデータを記録する記録部と、再生に
必要なパラメータを最適な値に設定することによって、
前記光記憶媒体に記録されているデータを再生する再生
部とを備える。
により光記憶媒体にデータを記録する記録部と、再生に
必要なパラメータを最適な値に設定することによって、
前記光記憶媒体に記録されているデータを再生する再生
部とを備える。
【００３８】このような光学的記憶装置につき、本発明
は、図１（Ｂ）のように、更にリードリトライ処理部
（リトライ処理部）１２２を設け、再生部でリードエラ
ーが発生した際のリードリトライ時に、パラメータ設定
値を設定変更しながらリードリトライを繰り返し、リト
ライ成功時にパラメータ設定値を統計情報として保存
し、統計情報に基づく学習処理によりパラメータ設定値
を更新することを特徴とする。
は、図１（Ｂ）のように、更にリードリトライ処理部
（リトライ処理部）１２２を設け、再生部でリードエラ
ーが発生した際のリードリトライ時に、パラメータ設定
値を設定変更しながらリードリトライを繰り返し、リト
ライ成功時にパラメータ設定値を統計情報として保存
し、統計情報に基づく学習処理によりパラメータ設定値
を更新することを特徴とする。
【００３９】ここで、パラメータ設定値は、通常、デフ
ォルトにテスト処理で最適パラメータを決定した際に得
られたテストオフセットを加算した値である。
ォルトにテスト処理で最適パラメータを決定した際に得
られたテストオフセットを加算した値である。
【００４０】このように本発明の光学的記憶装置は、リ
ードリトライが成功したら、成功時のパラメータ設定値
を統計情報として保存し、統計情報の学習処理により最
適パラメータを自動的に更新し、リトライ成功の条件を
最適パラメータに反映させることで、リードリトライの
成功までの回数を低減して成功率を高めると共に、リト
ライ失敗（リトライアウト）によるリードエラーの発生
頻度を低減し、リード動作の安定性を向上させる。
ードリトライが成功したら、成功時のパラメータ設定値
を統計情報として保存し、統計情報の学習処理により最
適パラメータを自動的に更新し、リトライ成功の条件を
最適パラメータに反映させることで、リードリトライの
成功までの回数を低減して成功率を高めると共に、リト
ライ失敗（リトライアウト）によるリードエラーの発生
頻度を低減し、リード動作の安定性を向上させる。
【００４１】リードリトライ処理部１２２は、更に、記
録部でベリファイでリードエラーが発生した際のベリフ
ァイリトライ時に、同様にパラメータ設定値を設定変更
しながらベリファイリトライを繰り返し、リトライ成功
時にパラメータ設定値を統計情報として保存し、統計情
報に基づく学習処理によりパラメータ設定値を更新す
る。このためライト動作におけるイレーズ、ライトに続
くベリファイでリードエラーとなったときのベリファイ
リトライの成功までの回数を低減し、リトライ失敗によ
るリードエラーの発生頻度を低減し、ライト動作の安定
性を向上させる。
録部でベリファイでリードエラーが発生した際のベリフ
ァイリトライ時に、同様にパラメータ設定値を設定変更
しながらベリファイリトライを繰り返し、リトライ成功
時にパラメータ設定値を統計情報として保存し、統計情
報に基づく学習処理によりパラメータ設定値を更新す
る。このためライト動作におけるイレーズ、ライトに続
くベリファイでリードエラーとなったときのベリファイ
リトライの成功までの回数を低減し、リトライ失敗によ
るリードエラーの発生頻度を低減し、ライト動作の安定
性を向上させる。
【００４２】光記憶媒体としてレーザビームのビーム径
より小さい記録密度で記録するＭＳＲ媒体（磁気超解像
媒体）を使用した場合、本発明の光学的記憶装置は、図
１（Ｃ）のように、再生のためのパラメータとして、再
生磁界Ｈ、リードパワーＰｒ、ローパスフィルタのカッ
トオフ周波数ＦｃとブーストＦｂ、スライス回路のスラ
イスレベルＳ、データ弁別器のウィンドウ値（ウィンド
ウ遅延時間）Ｗ、フォーカスオフセットＦＣＯを設定
し、リードリトライ時に、複数種類のパラメータを順次
切り替えて設定変更しながらリードリトライを繰り返
す。
より小さい記録密度で記録するＭＳＲ媒体（磁気超解像
媒体）を使用した場合、本発明の光学的記憶装置は、図
１（Ｃ）のように、再生のためのパラメータとして、再
生磁界Ｈ、リードパワーＰｒ、ローパスフィルタのカッ
トオフ周波数ＦｃとブーストＦｂ、スライス回路のスラ
イスレベルＳ、データ弁別器のウィンドウ値（ウィンド
ウ遅延時間）Ｗ、フォーカスオフセットＦＣＯを設定
し、リードリトライ時に、複数種類のパラメータを順次
切り替えて設定変更しながらリードリトライを繰り返
す。
【００４３】また光記憶媒体としてレーザビームのビー
ム系に依存した記録密度で記録するＭＯ媒体等の光磁気
媒体を使用した場合、本発明の光学的記憶装置は、再生
のためのパラメータとして、ＭＲＳ媒体に固有な再生磁
界Ｈを除く、リードパワーＰｒ、ローパスフィルタのカ
ットオフ周波数ＦｃとブーストＦｂ、スライス回路のス
ライスレベルＳ、データ弁別器のウィンドウ値（ウィン
ドウ遅延時間）Ｗ、フォーカスオフセットＦＣＯを設定
し、リードリトライ時に、複数種類のパラメータを順次
切り替えて設定変更しながらリードリトライを繰り返
す。
ム系に依存した記録密度で記録するＭＯ媒体等の光磁気
媒体を使用した場合、本発明の光学的記憶装置は、再生
のためのパラメータとして、ＭＲＳ媒体に固有な再生磁
界Ｈを除く、リードパワーＰｒ、ローパスフィルタのカ
ットオフ周波数ＦｃとブーストＦｂ、スライス回路のス
ライスレベルＳ、データ弁別器のウィンドウ値（ウィン
ドウ遅延時間）Ｗ、フォーカスオフセットＦＣＯを設定
し、リードリトライ時に、複数種類のパラメータを順次
切り替えて設定変更しながらリードリトライを繰り返
す。
【００４４】リードリトライ処理部１２２は、リードリ
トライ時に、パラメータ設定値にリトライオフセットを
加算するパラメータの設定変更と、パラメータ設定値か
らリトライオフセットを減算するパラメータの設定変更
を、交互（トグル的）に繰り返しながらリードリトライ
を行い、成功時のパラメータ設定値とリトライオフセッ
トを加算したか又は減算したかを統計情報として保存す
る。
トライ時に、パラメータ設定値にリトライオフセットを
加算するパラメータの設定変更と、パラメータ設定値か
らリトライオフセットを減算するパラメータの設定変更
を、交互（トグル的）に繰り返しながらリードリトライ
を行い、成功時のパラメータ設定値とリトライオフセッ
トを加算したか又は減算したかを統計情報として保存す
る。
【００４５】例えばリトライ１回目は、そのときのパラ
メータ設定値（＝デフォルト＋テストオアフセット）に
リトライオフセットを加算し、不成功となったリトライ
２回目では、パラメータ設定値（＝デフォルト＋テスト
オアフセット）からリトライオフセットを減算する。こ
れによりパラメータ設定値を中心としたプラス、マイナ
スの同程度の範囲でのパラメータを設定変更してリトラ
イ成功の機会を増加させ、少ないリトライ回数で成功さ
せて成功率を高める。
メータ設定値（＝デフォルト＋テストオアフセット）に
リトライオフセットを加算し、不成功となったリトライ
２回目では、パラメータ設定値（＝デフォルト＋テスト
オアフセット）からリトライオフセットを減算する。こ
れによりパラメータ設定値を中心としたプラス、マイナ
スの同程度の範囲でのパラメータを設定変更してリトラ
イ成功の機会を増加させ、少ないリトライ回数で成功さ
せて成功率を高める。
【００４６】またパラメータの設定変更がデフォルトを
中心としてプラス、マイナスの方向に略均等に変更され
るため、パラメータ変更によるリトライの回数が増加
し、デフォルトから急速に離れて限界値に至ることを回
避できる。
中心としてプラス、マイナスの方向に略均等に変更され
るため、パラメータ変更によるリトライの回数が増加
し、デフォルトから急速に離れて限界値に至ることを回
避できる。
【００４７】統計情報に基づくパラメータ設定値の更新
は、統計情報に基づき成功したリトライオフセットの加
算回数と成功したリトライオフセット減算回数の総和の
絶対値が所定の閾値以上のとき、リトライに成功したパ
ラメータ設定値に近づけるようにデフォルトに加算する
テストオフセットを更新する。例えばリトライに成功し
たリトライオフセットの半分だけデフォルトに加算する
テストオフセットを増加又は減少して最適パラメータを
更新する。
は、統計情報に基づき成功したリトライオフセットの加
算回数と成功したリトライオフセット減算回数の総和の
絶対値が所定の閾値以上のとき、リトライに成功したパ
ラメータ設定値に近づけるようにデフォルトに加算する
テストオフセットを更新する。例えばリトライに成功し
たリトライオフセットの半分だけデフォルトに加算する
テストオフセットを増加又は減少して最適パラメータを
更新する。
【００４８】このようにリトライを成功させたパラメー
タ設定値の統計情報を学習し、リトライを成功させるパ
ラメータの統計的な傾向に併せて通常のリードやベリフ
ァイで使用するパラメータを更新することで、その後の
リードやベリファイでのエラー低減できる。
タ設定値の統計情報を学習し、リトライを成功させるパ
ラメータの統計的な傾向に併せて通常のリードやベリフ
ァイで使用するパラメータを更新することで、その後の
リードやベリファイでのエラー低減できる。
【００４９】リトライ処理部は、パラメータ設定値を、
光記憶媒体にフォーマットされた各ゾーン、光記録媒体
の記録領域を複数のエリアに分化した各エリア、装置内
の温度の少なくともいずれかに応じて設定変更する。
光記憶媒体にフォーマットされた各ゾーン、光記録媒体
の記録領域を複数のエリアに分化した各エリア、装置内
の温度の少なくともいずれかに応じて設定変更する。
【００５０】このためリトライ処理部は、パラメータ設
定値（デフォルト＋テストオフセット）とパラメータの
設定変更に使用するリトライオフセットを、例えば図１
（Ｃ）のように、光記憶媒体にフォーマットされた各ゾ
ーン、光記録媒体の記録領域を複数のエリアに分化した
各エリア、装置内の温度に応じて予め準備し、リトライ
時のゾーン、エリア、装置内温度に基づき、対応するパ
ラメータ設定値にリトライオフセットを加算してパラメ
ータを設定変更する。
定値（デフォルト＋テストオフセット）とパラメータの
設定変更に使用するリトライオフセットを、例えば図１
（Ｃ）のように、光記憶媒体にフォーマットされた各ゾ
ーン、光記録媒体の記録領域を複数のエリアに分化した
各エリア、装置内の温度に応じて予め準備し、リトライ
時のゾーン、エリア、装置内温度に基づき、対応するパ
ラメータ設定値にリトライオフセットを加算してパラメ
ータを設定変更する。
【００５１】これによってリトライ時のパラメータの設
定変更が光記憶媒体のゾーン、エリア、装置内温度に応
じて最適化でき、リトライ成功率を向上できる。
定変更が光記憶媒体のゾーン、エリア、装置内温度に応
じて最適化でき、リトライ成功率を向上できる。
【００５２】本発明の光学的記憶装置は、更に、図１
（Ｂ）のように、テストリードにより最適パラメータ設
定値を与えるデフォトルに加算するテストオフセットを
決定し、テストリードからの経過時間が所定時間に達し
た時、又はテストリード時の装置温度を基準温度とした
所定値を越える温度変化が発生した時に次のテストリー
ドを行うテスト処理部１２６を備える。
（Ｂ）のように、テストリードにより最適パラメータ設
定値を与えるデフォトルに加算するテストオフセットを
決定し、テストリードからの経過時間が所定時間に達し
た時、又はテストリード時の装置温度を基準温度とした
所定値を越える温度変化が発生した時に次のテストリー
ドを行うテスト処理部１２６を備える。
【００５３】この場合、リードリトライ処理部１２２
は、リトライ成功のパラメータ設定情報を保存した統計
情報に基づいてパラメータを更新した際に、テスト処理
部１２６の経過時間を初期化すると共に、基準温度をリ
トライ成功時の装置内温度に更新して次のテストリード
を判断させる。
は、リトライ成功のパラメータ設定情報を保存した統計
情報に基づいてパラメータを更新した際に、テスト処理
部１２６の経過時間を初期化すると共に、基準温度をリ
トライ成功時の装置内温度に更新して次のテストリード
を判断させる。
【００５４】これによってリードリトライやライトリト
ライの成功で得られたパラメータ設定値に基づき通常の
リードやベリファイで使用するパラメータを更新する処
理が、テスト処理部１２６で最適パラメータを決定する
テスト処理と同等の処理と見做され、リトライがテスト
処理の一部に組み込まれることで、媒体のアクセスを中
断して実行されるテスト処理の発生頻度を低減し、全体
としてのアクセス性能を向上する。
ライの成功で得られたパラメータ設定値に基づき通常の
リードやベリファイで使用するパラメータを更新する処
理が、テスト処理部１２６で最適パラメータを決定する
テスト処理と同等の処理と見做され、リトライがテスト
処理の一部に組み込まれることで、媒体のアクセスを中
断して実行されるテスト処理の発生頻度を低減し、全体
としてのアクセス性能を向上する。
【００５５】本発明の光学的記憶装置において、リード
リトライ処理部１２２は、ベリファイリトライが不成功
となった場合、ライトリトライ処理部１２５により、光
記憶媒体にデータを記録するためのライトパワーを設定
変更しながらイレーズ、ライト、ベリファイのライト動
作を繰り返す。このようにリードリトライが不成功に終
っても、更にライトパワーを変更しながらライトリトラ
イを繰り返すことで、リトライの成功率を更に向上でき
る。
リトライ処理部１２２は、ベリファイリトライが不成功
となった場合、ライトリトライ処理部１２５により、光
記憶媒体にデータを記録するためのライトパワーを設定
変更しながらイレーズ、ライト、ベリファイのライト動
作を繰り返す。このようにリードリトライが不成功に終
っても、更にライトパワーを変更しながらライトリトラ
イを繰り返すことで、リトライの成功率を更に向上でき
る。
【００５６】このときリトライ処理部は、ライトリトラ
イ時に、ライトパワーの設定値にリトライオフセットを
加算するパラメータの設定変更とライトパワー設定値か
らリトライオフセットを減算するパラメータの設定変更
を交互に行いながらライトリトライを繰り返す。
イ時に、ライトパワーの設定値にリトライオフセットを
加算するパラメータの設定変更とライトパワー設定値か
らリトライオフセットを減算するパラメータの設定変更
を交互に行いながらライトリトライを繰り返す。
【００５７】またリトライ処理部は、ライトリトライの
成功時に、成功したライトパワー設定値とリトライオフ
セットを加算したか減算したかを学習結果として保存
し、前記学習結果において成功したリトライオフセット
の加算回数と成功したリトライオフセットの減算回数の
総和の絶対値が所定の閾値以上のとき、前記ライトパワ
ー設定値をリトライに成功した最新のライトパワー設定
値に近づけるように更新する。
成功時に、成功したライトパワー設定値とリトライオフ
セットを加算したか減算したかを学習結果として保存
し、前記学習結果において成功したリトライオフセット
の加算回数と成功したリトライオフセットの減算回数の
総和の絶対値が所定の閾値以上のとき、前記ライトパワ
ー設定値をリトライに成功した最新のライトパワー設定
値に近づけるように更新する。
【００５８】リトライ処理部は、ライトリトライ時に光
記憶媒体にフォーマットされた各ゾーン、光学的記録媒
体の記録領域を複数のエリアに分割した各エリア、装置
内の温度の少なくともいずれかに応じてライトパワーを
設定変更する。 （成功リトライの反映）本発明は、成功したリードリト
ライの情報を統計情報として保存し、次のリートリトラ
イ時に統計情報から成功率の高いリードリトライの条件
を取り出してリトライ成功率を向上させる光学的記憶装
置を提供する。
記憶媒体にフォーマットされた各ゾーン、光学的記録媒
体の記録領域を複数のエリアに分割した各エリア、装置
内の温度の少なくともいずれかに応じてライトパワーを
設定変更する。 （成功リトライの反映）本発明は、成功したリードリト
ライの情報を統計情報として保存し、次のリートリトラ
イ時に統計情報から成功率の高いリードリトライの条件
を取り出してリトライ成功率を向上させる光学的記憶装
置を提供する。
【００５９】本発明の光学的記憶装置は、レーザビーム
により光記憶媒体にデータを記録する記録部と、再生に
必要なパラメータを最適な値に設定することによって、
光記憶媒体に記録されているデータを再生する再生部と
を備える。
により光記憶媒体にデータを記録する記録部と、再生に
必要なパラメータを最適な値に設定することによって、
光記憶媒体に記録されているデータを再生する再生部と
を備える。
【００６０】本発明は、リトライ処理部を更に設け、リ
トライ処理部は、再生部でリードエラーが発生した際の
リードリトライ時に、過去の成功したリトライ情報に基
づいて成功率の高いリードリトライを行い、リトライ成
功時に成功したリトライ情報を保存することを特徴とす
る。
トライ処理部は、再生部でリードエラーが発生した際の
リードリトライ時に、過去の成功したリトライ情報に基
づいて成功率の高いリードリトライを行い、リトライ成
功時に成功したリトライ情報を保存することを特徴とす
る。
【００６１】このように成功したリトライ情報が次のリ
ードリトライに反映されることで、複数種類のパラメー
タを切り替えて設定変更しながら行うリトライの成功率
が飛躍的に高まり、固定的に決められた順番に複数種類
のパラメータを切り替えて設定変更しながら行うリトラ
イに比べ、成功するまでのリトライ回数が低減し、リト
ライ実施時間を短縮する。
ードリトライに反映されることで、複数種類のパラメー
タを切り替えて設定変更しながら行うリトライの成功率
が飛躍的に高まり、固定的に決められた順番に複数種類
のパラメータを切り替えて設定変更しながら行うリトラ
イに比べ、成功するまでのリトライ回数が低減し、リト
ライ実施時間を短縮する。
【００６２】リトライ処理部は、更に、記録部でベリフ
ァイでリードエラーが発生した際のベリファイリトライ
時に、過去の成功したリトライ情報に基づいてリードリ
トライを行い、リトライ成功時に成功したリトライ情報
を保存する。このようにライト動作のイレーズ、ライト
に続くベリファイでのリードエラーに対するリトライに
ついても、同様に成功するまでのリトライ回数が低減
し、リトライ実施時間を短縮する。
ァイでリードエラーが発生した際のベリファイリトライ
時に、過去の成功したリトライ情報に基づいてリードリ
トライを行い、リトライ成功時に成功したリトライ情報
を保存する。このようにライト動作のイレーズ、ライト
に続くベリファイでのリードエラーに対するリトライに
ついても、同様に成功するまでのリトライ回数が低減
し、リトライ実施時間を短縮する。
【００６３】リトライ処理部は、複数種類のパラメータ
を切り替えて設定変更しながらリトライを実行して成功
したパラメータ設定値を統計情報として保存し、新たな
リードリトライ時には、前回の成功したパラメータ設定
値からリードリトライを開始し、リトライ成功時に成功
したパラメータ設定値を記憶する。
を切り替えて設定変更しながらリトライを実行して成功
したパラメータ設定値を統計情報として保存し、新たな
リードリトライ時には、前回の成功したパラメータ設定
値からリードリトライを開始し、リトライ成功時に成功
したパラメータ設定値を記憶する。
【００６４】これよって、前回成功した特定のパラメー
タ設定値が次のリトライ時に使用され、連続セクタのリ
ードのように、リトライ条件が変っていなけば、１回の
リトライで成功することができる。
タ設定値が次のリトライ時に使用され、連続セクタのリ
ードのように、リトライ条件が変っていなけば、１回の
リトライで成功することができる。
【００６５】リトライ処理部は、複数種類のパラメータ
を切り替えて設定変更しながらリトライを実行して成功
したパラメータ設定値と各パラメータ毎の成功回数を統
計情報として保存し、新たなリードリトライ時には、統
計情報の成功回数の多い順にパラメータ設定値を選択し
てリードリトライを繰り返す。
を切り替えて設定変更しながらリトライを実行して成功
したパラメータ設定値と各パラメータ毎の成功回数を統
計情報として保存し、新たなリードリトライ時には、統
計情報の成功回数の多い順にパラメータ設定値を選択し
てリードリトライを繰り返す。
【００６６】このように各パラメータにつき過去に成功
した回数が統計情報として保存されていることで、新た
なリトライ時に最も成功率の高い特定のパラメータ設定
値を選択してリトライを実行することとなり、成功する
までのリトライ回数が低減し、リトライ実施時間を短縮
する。
した回数が統計情報として保存されていることで、新た
なリトライ時に最も成功率の高い特定のパラメータ設定
値を選択してリトライを実行することとなり、成功する
までのリトライ回数が低減し、リトライ実施時間を短縮
する。
【００６７】本発明の光学的記憶装置において、光記憶
媒体としてレーザビームのビーム系より小さい記録密度
で記録すＭＳＲ媒体（磁気超解像媒体）を使用した場
合、パラメータとして、再生磁界、リードパワー、ロー
パスフィルタのカットオフ周波数とブースト、スライス
回路のスライスレベル、データ弁別器のウィンドウ値
（ウィンドウ遅延時間）、フォーカスオフセットを切り
替えて設定変更しながらリトライを実行する。
媒体としてレーザビームのビーム系より小さい記録密度
で記録すＭＳＲ媒体（磁気超解像媒体）を使用した場
合、パラメータとして、再生磁界、リードパワー、ロー
パスフィルタのカットオフ周波数とブースト、スライス
回路のスライスレベル、データ弁別器のウィンドウ値
（ウィンドウ遅延時間）、フォーカスオフセットを切り
替えて設定変更しながらリトライを実行する。
【００６８】また光記憶媒体としてレーザビームのビー
ム系に依存した記録密度で記録するＭＯ媒体等の光磁気
媒体を使用した場合、ＭＳＲ媒体に固有な再生磁界を除
いたパラメータとして、リードパワー、ローパスフィル
タのカットオフ周波数とブースト、スライス回路のスラ
イスレベル、データ弁別器のウィンドウ値（ウィンドウ
遅延時間）、フォーカスオフセットを切り替えて設定変
更しながらリトライを実行する。
ム系に依存した記録密度で記録するＭＯ媒体等の光磁気
媒体を使用した場合、ＭＳＲ媒体に固有な再生磁界を除
いたパラメータとして、リードパワー、ローパスフィル
タのカットオフ周波数とブースト、スライス回路のスラ
イスレベル、データ弁別器のウィンドウ値（ウィンドウ
遅延時間）、フォーカスオフセットを切り替えて設定変
更しながらリトライを実行する。
【００６９】リトライ処理部は、リードリトライ時に、
パラメータ設定値にリトライオフセットを加算するパラ
メータの設定変更と、パラメータ設定値からリトライオ
フセットを減算するパラメータの設定変更を交互に繰り
返す。
パラメータ設定値にリトライオフセットを加算するパラ
メータの設定変更と、パラメータ設定値からリトライオ
フセットを減算するパラメータの設定変更を交互に繰り
返す。
【００７０】リトライ処理部は、成功したリトライにお
けるパラメータ設定の統計情報を、装置内温度、媒体に
フォーマットされた各ゾーン、光記録媒体の種別、又は
シーク距離に応じて保存する。リトライに使用する各種
パラメータは、装置内温度、媒体ゾーン、光記録媒体の
種別、又はシーク距離の条件によりリトライ成功率が異
なることから、各条件に応じて使い分けることで、リト
ライ成功率を更に向上できる。
けるパラメータ設定の統計情報を、装置内温度、媒体に
フォーマットされた各ゾーン、光記録媒体の種別、又は
シーク距離に応じて保存する。リトライに使用する各種
パラメータは、装置内温度、媒体ゾーン、光記録媒体の
種別、又はシーク距離の条件によりリトライ成功率が異
なることから、各条件に応じて使い分けることで、リト
ライ成功率を更に向上できる。
【００７１】装置内温度については、例えば４０℃で
は、リードパワーを設定変更したリトライで成功する
が、５０℃に上昇すると例えばフォーカスオフセットを
設定変更したリトライで成功するという場合がある。こ
のため成功したパラメータ設定値及び成功回数を装置温
度に分けて保存し、リトライ時には装置温度に対応した
統計情報から成功率の高いパラメータのリトライを選択
して実行する。
は、リードパワーを設定変更したリトライで成功する
が、５０℃に上昇すると例えばフォーカスオフセットを
設定変更したリトライで成功するという場合がある。こ
のため成功したパラメータ設定値及び成功回数を装置温
度に分けて保存し、リトライ時には装置温度に対応した
統計情報から成功率の高いパラメータのリトライを選択
して実行する。
【００７２】媒体ゾーンについては、ゾーン毎に記録周
波数が異なっており、このため最インナで成功したリト
ライが最アウタで適切である可能性は少ない。そこで成
功したリトライの統計情報を各ゾーンに分けて保存し、
リトライ時には現在ゾーンに対応した統計情報から成功
率の高いパラメータ情報を選択してリトライを実行す
る。
波数が異なっており、このため最インナで成功したリト
ライが最アウタで適切である可能性は少ない。そこで成
功したリトライの統計情報を各ゾーンに分けて保存し、
リトライ時には現在ゾーンに対応した統計情報から成功
率の高いパラメータ情報を選択してリトライを実行す
る。
【００７３】媒体種別については、例えばＭＯ媒体とし
て１２８ＭＢ媒体、２３０ＭＢ媒体、５４０ＭＢ媒体、
６４０ＭＢ媒体があり、１２８ＭＢ媒体と２３０ＭＢ媒
体はＰＰＭ記録、５４０ＭＢ媒体と６４０ＭＢ媒体とＰ
ＷＭ記録である。更に１．３ＧＢのＭＳＲ媒体がある。
このように媒体種別が異なると記録再生の手法が異なる
ことから、媒体毎に分けて成功したリトイラの統計情報
を保存し、リトライ時には媒体種別に対応した統計情報
から成功率の高いパラメータ情報を選択してリトライを
実行する。
て１２８ＭＢ媒体、２３０ＭＢ媒体、５４０ＭＢ媒体、
６４０ＭＢ媒体があり、１２８ＭＢ媒体と２３０ＭＢ媒
体はＰＰＭ記録、５４０ＭＢ媒体と６４０ＭＢ媒体とＰ
ＷＭ記録である。更に１．３ＧＢのＭＳＲ媒体がある。
このように媒体種別が異なると記録再生の手法が異なる
ことから、媒体毎に分けて成功したリトイラの統計情報
を保存し、リトライ時には媒体種別に対応した統計情報
から成功率の高いパラメータ情報を選択してリトライを
実行する。
【００７４】更にシーク動作を伴うセクタ位置けで生ず
るリードエラーについては、シーク距離によってリトラ
イが成功するパラメータが異なることから、シーク距離
により分けて成功したリトライの統計情報を保存し、新
たなシーク位置付けのリトライ時には、そのときのシー
ク距離に対応した統計情報から成功率の高いパラメータ
情報を選択してリトライを実行する。
るリードエラーについては、シーク距離によってリトラ
イが成功するパラメータが異なることから、シーク距離
により分けて成功したリトライの統計情報を保存し、新
たなシーク位置付けのリトライ時には、そのときのシー
ク距離に対応した統計情報から成功率の高いパラメータ
情報を選択してリトライを実行する。
【００７５】
【発明の実施の形態】＜目 次＞ １．装置構成 ２．ＭＳＲ媒体のリードリトライ ３．パラメータの統計的更新 ４．成功リトライの反映 １．装置構成 図２は、本発明の光学的記憶装置である光ディスクドラ
イブの回路ブロック図である。本発明の光ディスクドラ
イブは、コントロールユニット１０とエンクロージャ１
１で構成される。コントロールユニット１０には光ディ
スクドライブの全体的な制御を行うＭＰＵ１２、上位装
置との間でコマンド及びデータのやり取りを行うインタ
フェース１５、光ディスク媒体に対するデータのリード
・ライトに必要な処理を行う光ディスクコントローラ
（ＯＤＣ）１４、ＤＳＰ１６、及びバッファメモリ１８
が設けられる。
イブの回路ブロック図である。本発明の光ディスクドラ
イブは、コントロールユニット１０とエンクロージャ１
１で構成される。コントロールユニット１０には光ディ
スクドライブの全体的な制御を行うＭＰＵ１２、上位装
置との間でコマンド及びデータのやり取りを行うインタ
フェース１５、光ディスク媒体に対するデータのリード
・ライトに必要な処理を行う光ディスクコントローラ
（ＯＤＣ）１４、ＤＳＰ１６、及びバッファメモリ１８
が設けられる。
【００７６】バッファメモリ１８は、ＭＰＵ１２、光デ
ィスクコントローラ１４、及び上位インタフェース１５
で共用される。光ディスクコントローラ１４には、フォ
ーマッタとＥＣＣ処理機能が設けられる。
ィスクコントローラ１４、及び上位インタフェース１５
で共用される。光ディスクコントローラ１４には、フォ
ーマッタとＥＣＣ処理機能が設けられる。
【００７７】光ディスクドライブにカートリッジ媒体が
投入されると、媒体種別がＭＰＵ１２で認識され、媒体
種別に応じた記録再生機能が光ディスクコントローラ１
４及びＤＳＰ１６でセットアップされる。この光ディス
クドライブは、１２８ＭＢ、２３０ＭＢ、５４０ＭＢ及
び６４０ＭＢのＭＯ媒体、及び１．３ＧＢのＭＳＲ媒体
に対応できる。
投入されると、媒体種別がＭＰＵ１２で認識され、媒体
種別に応じた記録再生機能が光ディスクコントローラ１
４及びＤＳＰ１６でセットアップされる。この光ディス
クドライブは、１２８ＭＢ、２３０ＭＢ、５４０ＭＢ及
び６４０ＭＢのＭＯ媒体、及び１．３ＧＢのＭＳＲ媒体
に対応できる。
【００７８】カートリッジ媒体の記録フォーマットはゾ
ーンＣＡＶである。更に、媒体の記録方式は、１２８Ｍ
Ｂと２３０ＭＢ媒体が、媒体上のマークの有無に対応し
てデータを記録するピットポジション記録（ＰＰＭ記
録）である。５４０ＭＢ及び６４０ＭＢのＭＯ媒体、及
び１．３ＧＢのＭＳＲ媒体は、マークのエッジ即ち前縁
と後縁をデータに対応させるパルス幅記録（ＰＷＭ記
録）である。
ーンＣＡＶである。更に、媒体の記録方式は、１２８Ｍ
Ｂと２３０ＭＢ媒体が、媒体上のマークの有無に対応し
てデータを記録するピットポジション記録（ＰＰＭ記
録）である。５４０ＭＢ及び６４０ＭＢのＭＯ媒体、及
び１．３ＧＢのＭＳＲ媒体は、マークのエッジ即ち前縁
と後縁をデータに対応させるパルス幅記録（ＰＷＭ記
録）である。
【００７９】光ディスクドライブにＭＯカートリッジ媒
体をローディングした際には、まず媒体のＩＤ部をリー
ドし、そのピット間隔等からＭＰＵ１２において媒体の
種別を認識し、種別を光ディスクコントローラ１４、Ｄ
ＳＰ１６、ライトＬＳＩ２０、リードＬＳＩ２４に通知
し、媒体に適合した記録再生機能を確立する。
体をローディングした際には、まず媒体のＩＤ部をリー
ドし、そのピット間隔等からＭＰＵ１２において媒体の
種別を認識し、種別を光ディスクコントローラ１４、Ｄ
ＳＰ１６、ライトＬＳＩ２０、リードＬＳＩ２４に通知
し、媒体に適合した記録再生機能を確立する。
【００８０】光ディスクコントローラ１４は、カートリ
ッジ媒体投入後のライトアクセス時には、フォーマッタ
でＮＲＺライトデータを媒体のセクタ単位に分割して記
録フォーマットを生成し、ＥＣＣ処理によりセクタライ
トデータ単位にＥＣＣコードを生成して付加し、必要な
らばＣＲＣコードを生成して付加し、更に例えば１−７
ＲＬＬ符号に変換してライトＬＳＩ２０に出力する。
ッジ媒体投入後のライトアクセス時には、フォーマッタ
でＮＲＺライトデータを媒体のセクタ単位に分割して記
録フォーマットを生成し、ＥＣＣ処理によりセクタライ
トデータ単位にＥＣＣコードを生成して付加し、必要な
らばＣＲＣコードを生成して付加し、更に例えば１−７
ＲＬＬ符号に変換してライトＬＳＩ２０に出力する。
【００８１】ライトＬＳＩ２０はライト変調回路とレー
ザダイオード制御回路を内蔵する。レーザダイオードユ
ニット３０は、レーザダイオードとモニタ用ディテクタ
を内蔵する。
ザダイオード制御回路を内蔵する。レーザダイオードユ
ニット３０は、レーザダイオードとモニタ用ディテクタ
を内蔵する。
【００８２】ライトＬＳ１２０は、光ディスクドライブ
１４からのセクタライトデータを、媒体種別に応じてＰ
ＰＭ記録データ又はＰＷＭ記録データに変換してレーザ
ダイオードユニット３０に供給し、ライトビームにより
媒体に書き込む。
１４からのセクタライトデータを、媒体種別に応じてＰ
ＰＭ記録データ又はＰＷＭ記録データに変換してレーザ
ダイオードユニット３０に供給し、ライトビームにより
媒体に書き込む。
【００８３】この書込動作は、媒体上の指示セクタにビ
ーム位置決めした状態で、イレーズ、ライト、ベリファ
イを行う。ベリファイの際にリードエラーが発生する
と、ベリファイリトライとなり、本発明ではリードに必
要な各種のパラメータを切り替えて設定変更しながらベ
リファイトリライを実行する。
ーム位置決めした状態で、イレーズ、ライト、ベリファ
イを行う。ベリファイの際にリードエラーが発生する
と、ベリファイリトライとなり、本発明ではリードに必
要な各種のパラメータを切り替えて設定変更しながらベ
リファイトリライを実行する。
【００８４】リードＬＳＩ２４は、リード復調回路と周
波数シンセサイザを内蔵する。リードＬＳＩ２４に対し
ては、エンクロージャ１１に設けたＩＤ／ＭＯ用ディテ
クタ３２によるリードビームの戻り光の受光信号が、ヘ
ッドアンプ３４を介してＩＤ信号及びＭＯ信号として入
力されている。
波数シンセサイザを内蔵する。リードＬＳＩ２４に対し
ては、エンクロージャ１１に設けたＩＤ／ＭＯ用ディテ
クタ３２によるリードビームの戻り光の受光信号が、ヘ
ッドアンプ３４を介してＩＤ信号及びＭＯ信号として入
力されている。
【００８５】リードＬＳＩ２４には、ＡＧＣ回路、フィ
ルタ、データ弁別器等の復調回路が内蔵され、入力した
ＩＤ信号及びＭＯ信号よりリードクロックとリードデー
タを作成し、ＰＰＭ記録データ又はＰＷＭ記録データか
ら元のＮＲＺデータを復調している。
ルタ、データ弁別器等の復調回路が内蔵され、入力した
ＩＤ信号及びＭＯ信号よりリードクロックとリードデー
タを作成し、ＰＰＭ記録データ又はＰＷＭ記録データか
ら元のＮＲＺデータを復調している。
【００８６】またスピンドルモータ４０の制御としてゾ
ーンＣＡＶを採用していることから、ＭＰＵ１２からリ
ードＬＳＩ２４に内蔵した周波数シンセサイザに対しゾ
ーン対応のクロック周波数を発生させるための分周比の
設定制御が行われている。周波数シンセサイザはプログ
ラマブル分周器を備えたＰＬＬ回路であり、媒体のゾー
ン位置に応じて予め定めた固有の周波数をもつ基準クロ
ックをリードクロックとして発生する。
ーンＣＡＶを採用していることから、ＭＰＵ１２からリ
ードＬＳＩ２４に内蔵した周波数シンセサイザに対しゾ
ーン対応のクロック周波数を発生させるための分周比の
設定制御が行われている。周波数シンセサイザはプログ
ラマブル分周器を備えたＰＬＬ回路であり、媒体のゾー
ン位置に応じて予め定めた固有の周波数をもつ基準クロ
ックをリードクロックとして発生する。
【００８７】リードＬＳＩ２４で復調されたリードデー
タは、光ディクスコントローラ１４に与えられ、１−７
ＲＬＬ符号の逆変換後にＣＲＣチェックとＥＣＣ処理を
受けてＮＲＺセクタデータが復元され、フォーマッタに
よりＮＲＺリードデータのストリームに繋げた後に、バ
ッファメモリ１８を経由して上位インタフェース１５に
より上位装置に転送される。
タは、光ディクスコントローラ１４に与えられ、１−７
ＲＬＬ符号の逆変換後にＣＲＣチェックとＥＣＣ処理を
受けてＮＲＺセクタデータが復元され、フォーマッタに
よりＮＲＺリードデータのストリームに繋げた後に、バ
ッファメモリ１８を経由して上位インタフェース１５に
より上位装置に転送される。
【００８８】リードアクセスでリードエラーが発生する
と、リードリトライが行われる。本発明のリードリトラ
イは、再生に必要な各種のパラメータを切り替えて設定
変更しながらリードリトライを実行する。
と、リードリトライが行われる。本発明のリードリトラ
イは、再生に必要な各種のパラメータを切り替えて設定
変更しながらリードリトライを実行する。
【００８９】ＭＰＵ１２に対しては、ＤＳＰ１６を経由
してエンクロージャ１１側に設けた温度センサ３６の検
出信号が与えられている。ＭＰＵ１２は、温度センサ３
６で検出した装置内の環境温度に基づき、レーザダイオ
ード制御ユニット２２におけるリード、ライト、イレー
ズの各発光パワーを媒体上で実際に記録再生を行うテス
ト処理により最適値に制御する。
してエンクロージャ１１側に設けた温度センサ３６の検
出信号が与えられている。ＭＰＵ１２は、温度センサ３
６で検出した装置内の環境温度に基づき、レーザダイオ
ード制御ユニット２２におけるリード、ライト、イレー
ズの各発光パワーを媒体上で実際に記録再生を行うテス
ト処理により最適値に制御する。
【００９０】ＭＰＵ１２は、ＤＳＰ１６を経由してドラ
イバ３８によりエンクロージャ１１側に設けたスピンド
ルモータ４０を制御する。ＭＯカートリッジの記録フォ
ーマットはゾーンＣＡＶであることから、スピンドルモ
ータ４０を一定回転数で駆動する。
イバ３８によりエンクロージャ１１側に設けたスピンド
ルモータ４０を制御する。ＭＯカートリッジの記録フォ
ーマットはゾーンＣＡＶであることから、スピンドルモ
ータ４０を一定回転数で駆動する。
【００９１】ＭＰＵ１２は、ＤＳＰ１６からドライバ４
２を介してエンクロージャ１１側に設けた磁場印加ユニ
ット４４を制御する。磁場印加ユニット４４は装置内に
ローディングされたＭＯカートリッジのビーム照射側と
反対側に配置されており、ＭＯ媒体については、記録時
及び消去時に媒体に外部磁界を供給し、ＭＳＲ媒体につ
いては、記録時及び消去時に加え再生時にも媒体に外部
磁界を供給する。
２を介してエンクロージャ１１側に設けた磁場印加ユニ
ット４４を制御する。磁場印加ユニット４４は装置内に
ローディングされたＭＯカートリッジのビーム照射側と
反対側に配置されており、ＭＯ媒体については、記録時
及び消去時に媒体に外部磁界を供給し、ＭＳＲ媒体につ
いては、記録時及び消去時に加え再生時にも媒体に外部
磁界を供給する。
【００９２】磁場印加ユニット４４としては、通常、電
磁石を使用するが、これ以外に本発明の校正処理により
決定された最適磁場が得られる永久磁石でもよいし、更
には、電磁石と永久磁石を組み合わせたものであっても
よい。
磁石を使用するが、これ以外に本発明の校正処理により
決定された最適磁場が得られる永久磁石でもよいし、更
には、電磁石と永久磁石を組み合わせたものであっても
よい。
【００９３】磁場印加ユニット４４によるＭＡＳ媒体の
再生時の外部磁界は、ＦＡＤ媒体については再生磁界Ｈ
ｒであり、ＲＡＤ媒体については、初期化磁界Ｈｉであ
る。更に、再生時の磁場印加ユニット４４による外部磁
界は、本発明にあっては、ＭＰＵ１４の処理機能として
実現されるテスト処理により、例えばＭＳＲ媒体の再生
に必要なパラメータである再生磁界とリードパワーを最
適値の組に決定する。このテスト処理は、再生磁界、リ
ードパワー以外のパラメータについても行われる。
再生時の外部磁界は、ＦＡＤ媒体については再生磁界Ｈ
ｒであり、ＲＡＤ媒体については、初期化磁界Ｈｉであ
る。更に、再生時の磁場印加ユニット４４による外部磁
界は、本発明にあっては、ＭＰＵ１４の処理機能として
実現されるテスト処理により、例えばＭＳＲ媒体の再生
に必要なパラメータである再生磁界とリードパワーを最
適値の組に決定する。このテスト処理は、再生磁界、リ
ードパワー以外のパラメータについても行われる。
【００９４】ＤＳＰ１６は、媒体に対しレーザダイオー
ド３０からのビームの位置決めを行うためのサーボ機能
を備え、目的トラックにシークしてオントラックするた
めのシーク制御を行う。このシーク制御は、ＭＰＵ１２
による上位コマンドに対するライトアクセス又はリード
アクセスに並行して同時に実行することができる。
ド３０からのビームの位置決めを行うためのサーボ機能
を備え、目的トラックにシークしてオントラックするた
めのシーク制御を行う。このシーク制御は、ＭＰＵ１２
による上位コマンドに対するライトアクセス又はリード
アクセスに並行して同時に実行することができる。
【００９５】ＤＳＰ１６のサーボ機能を実現するため、
エンクロージャ１１側の光学ユニットに媒体からのビー
ム戻り光を受光するＦＥＳ用ディテクタ４６を設け、Ｆ
ＥＳ検出回路（フォーカスエラー信号検出回路）４８
が、ＦＥＳ用ディテクタ４６の受光出力からフォーカス
エラー信号Ｅ１を作成してＤＳＰ１６に入力している。
エンクロージャ１１側の光学ユニットに媒体からのビー
ム戻り光を受光するＦＥＳ用ディテクタ４６を設け、Ｆ
ＥＳ検出回路（フォーカスエラー信号検出回路）４８
が、ＦＥＳ用ディテクタ４６の受光出力からフォーカス
エラー信号Ｅ１を作成してＤＳＰ１６に入力している。
【００９６】またエンクロージャ１１側の光学ユニット
に媒体からのビーム戻り光を受光する多分割ディテクタ
４６を設け、ＴＥＳ検出回路（トラッキングエラー信号
検出回路）５０が多分割ディテクタ４６の受光出力から
トラッキングエラー信号Ｅ２を作成し、ＤＳＰ１６に入
力している。トラッキングエラー信号Ｅ２はＴＺＣ検出
回路（トラックゼロクロス検出回路）５４に入力され、
トラックゼロクロスパルスＥ３を作成してＤＳＰ１６に
入力している。
に媒体からのビーム戻り光を受光する多分割ディテクタ
４６を設け、ＴＥＳ検出回路（トラッキングエラー信号
検出回路）５０が多分割ディテクタ４６の受光出力から
トラッキングエラー信号Ｅ２を作成し、ＤＳＰ１６に入
力している。トラッキングエラー信号Ｅ２はＴＺＣ検出
回路（トラックゼロクロス検出回路）５４に入力され、
トラックゼロクロスパルスＥ３を作成してＤＳＰ１６に
入力している。
【００９７】更にＤＳＰ１６は、媒体上のビームスポッ
トの位置を制御するため、ドライバ５８，６２，６６を
介してフォーカスアクチュエータ６０、レンズアクチュ
エータ６４及びＶＣＭ６８を制御駆動している。
トの位置を制御するため、ドライバ５８，６２，６６を
介してフォーカスアクチュエータ６０、レンズアクチュ
エータ６４及びＶＣＭ６８を制御駆動している。
【００９８】ここでエンクロージャ１１の概略は図３の
ようになる。ハウジング６７内にはスピンドルモータ４
０が設けられ、スピンドルモータ４０の回転軸のハブに
対しインレットドア６９側よりＭＯカートリッジ７０を
挿入することで、内部のＭＯ媒体７２がスピンドルモー
タ４０の回転軸のハブに装着されるローディングが行わ
れる。ローディングされたＭＯカートリッジ７０のＭＯ
媒体７２の下側には、ＶＣＭ６８により媒体トラックを
横切る方向に移動自在なキャリッジ７６が設けられてい
る。
ようになる。ハウジング６７内にはスピンドルモータ４
０が設けられ、スピンドルモータ４０の回転軸のハブに
対しインレットドア６９側よりＭＯカートリッジ７０を
挿入することで、内部のＭＯ媒体７２がスピンドルモー
タ４０の回転軸のハブに装着されるローディングが行わ
れる。ローディングされたＭＯカートリッジ７０のＭＯ
媒体７２の下側には、ＶＣＭ６８により媒体トラックを
横切る方向に移動自在なキャリッジ７６が設けられてい
る。
【００９９】キャリッジ７６上には対物レンズ８０が搭
載され、固定光学系７８に設けているレーザダイオード
からのビームをプリズム８２を介して入射し、ＭＯ媒体
７２の媒体面にビームスポットを結像している。対物レ
ンズ８０は図２のエンクロージャ１１に設けたフォーカ
スアクチュエータ６０により光軸方向に移動制御され、
レンズアクチュエータ６４により媒体トラックを横切る
半径方向に例えば数十トラックの範囲内で移動すること
ができる。
載され、固定光学系７８に設けているレーザダイオード
からのビームをプリズム８２を介して入射し、ＭＯ媒体
７２の媒体面にビームスポットを結像している。対物レ
ンズ８０は図２のエンクロージャ１１に設けたフォーカ
スアクチュエータ６０により光軸方向に移動制御され、
レンズアクチュエータ６４により媒体トラックを横切る
半径方向に例えば数十トラックの範囲内で移動すること
ができる。
【０１００】このキャリッジ７６に搭載している対物レ
ンズ８０の位置が、レンズ位置センサ５４により検出さ
れる。レンズ位置センサ５４は対物レンズ８０の光軸が
直上に向かう中立位置でレンズ位置検出信号を零とし、
アウタ側への移動とインナ側への移動に対しそれぞれ異
なった極性の移動量に応じたレンズ位置検出信号Ｅ４を
出力する。
ンズ８０の位置が、レンズ位置センサ５４により検出さ
れる。レンズ位置センサ５４は対物レンズ８０の光軸が
直上に向かう中立位置でレンズ位置検出信号を零とし、
アウタ側への移動とインナ側への移動に対しそれぞれ異
なった極性の移動量に応じたレンズ位置検出信号Ｅ４を
出力する。
【０１０１】尚、図２は、光ピックアップとしてレンズ
アクチュエータ６４とＶＣＭ６８を備えたダブル駆動型
を例にとるが、レンズアクチュエータ６４を持たないＶ
ＣＭ６８のみシングル駆動型も含む。 ２．ＭＳＲ媒体のリードリトライ 図４は、ＭＳＲ媒体のリードリトライ処理を行うための
本発明の第１実施形態の機能ブロック図である。このリ
ードリトライ処理のための機能は、図２のＭＰＵ１２、
光ディスクコントローラ１４、ＤＳＰ１６、ライトＬＳ
Ｉ２０及びリードＬＳＩ２４により実現される。
アクチュエータ６４とＶＣＭ６８を備えたダブル駆動型
を例にとるが、レンズアクチュエータ６４を持たないＶ
ＣＭ６８のみシングル駆動型も含む。 ２．ＭＳＲ媒体のリードリトライ 図４は、ＭＳＲ媒体のリードリトライ処理を行うための
本発明の第１実施形態の機能ブロック図である。このリ
ードリトライ処理のための機能は、図２のＭＰＵ１２、
光ディスクコントローラ１４、ＤＳＰ１６、ライトＬＳ
Ｉ２０及びリードＬＳＩ２４により実現される。
【０１０２】図４において、ＭＳＲ媒体のリードのため
リード処理部８４が設けられ、またリード動作の際のエ
ラーに対するリードリトライのためにリードリトライ処
理部８６が設けられる。リード処理部８４及びリードリ
トライ処理部８６に対しては、再生磁界及びリードパワ
ーを最適値に制御するために使用するデフォルトテーブ
ル８８、テストリードオフセットテーブル９０、リトラ
イオフセットテーブル９２が設けられる。
リード処理部８４が設けられ、またリード動作の際のエ
ラーに対するリードリトライのためにリードリトライ処
理部８６が設けられる。リード処理部８４及びリードリ
トライ処理部８６に対しては、再生磁界及びリードパワ
ーを最適値に制御するために使用するデフォルトテーブ
ル８８、テストリードオフセットテーブル９０、リトラ
イオフセットテーブル９２が設けられる。
【０１０３】更にリード動作及びリトライ動作の制御指
示のためのレジスタ群９４が設けられる。このレジスタ
群９４には、リード指示、ライト指示、リトライ指示、
媒体種別、装置内温度Ｔ、トラック番号ＴＫ、セクタ番
号ＳＳ、ゾーン番号Ｚｉが必要に応じて格納される。
示のためのレジスタ群９４が設けられる。このレジスタ
群９４には、リード指示、ライト指示、リトライ指示、
媒体種別、装置内温度Ｔ、トラック番号ＴＫ、セクタ番
号ＳＳ、ゾーン番号Ｚｉが必要に応じて格納される。
【０１０４】リード処理部８４は、レジスタ９６に再生
磁界の設定値を格納すると同時に、レジスタ９８にリー
ドパワーの設定値を格納し、ＤＡコンバータ１０４，１
０６でアナログ制御信号に変換し、図２のドライバ４２
を介して磁界印加部４４の電磁石に駆動電流を流すこと
で再生磁界を発生し、またレーザダイオードユニット３
０のレーザダイオードに発光電流を流すことで、設定し
たリードパワーのレーザビームを発行する。
磁界の設定値を格納すると同時に、レジスタ９８にリー
ドパワーの設定値を格納し、ＤＡコンバータ１０４，１
０６でアナログ制御信号に変換し、図２のドライバ４２
を介して磁界印加部４４の電磁石に駆動電流を流すこと
で再生磁界を発生し、またレーザダイオードユニット３
０のレーザダイオードに発光電流を流すことで、設定し
たリードパワーのレーザビームを発行する。
【０１０５】デフォルトテーブル８８には、例えば図５
のゾーン分割デフォルトテーブル８８−１のように、Ｍ
ＳＲ媒体のゾーンＺ１〜Ｚ１８の１８ゾーンに分けて、
再生磁界のデフォルト値Ｈ１〜Ｈ１８とリードパワーの
デフォルト値Ｐｒ１〜Ｐｒ１８が格納されている。
のゾーン分割デフォルトテーブル８８−１のように、Ｍ
ＳＲ媒体のゾーンＺ１〜Ｚ１８の１８ゾーンに分けて、
再生磁界のデフォルト値Ｈ１〜Ｈ１８とリードパワーの
デフォルト値Ｐｒ１〜Ｐｒ１８が格納されている。
【０１０６】テストリードオフセットテーブル９０は、
図６のゾーン分割テストリードオフセットテーブル９０
−１のように、ＭＳＲ媒体のゾーンＺ１〜Ｚ１８に分け
て、前回までのリードリトライにおけるテストリードで
求められたデフォルトに加算するテストオフセットΔＨ
１１〜ΔＨ１１８が格納されている。
図６のゾーン分割テストリードオフセットテーブル９０
−１のように、ＭＳＲ媒体のゾーンＺ１〜Ｚ１８に分け
て、前回までのリードリトライにおけるテストリードで
求められたデフォルトに加算するテストオフセットΔＨ
１１〜ΔＨ１１８が格納されている。
【０１０７】更にリトライオフセットテーブル９２に
は、例えば図７の回数分割リトライオフセットテーブル
９２−１のようにリトライ回数ｎに分けて、リトライオ
フセットΔＨ２１〜ΔＨ２ｎが格納されている。このリ
トライオフセットテーブルは、具体的には図８のような
回数分割のリトライオフセットテーブル９２−２を使用
する。
は、例えば図７の回数分割リトライオフセットテーブル
９２−１のようにリトライ回数ｎに分けて、リトライオ
フセットΔＨ２１〜ΔＨ２ｎが格納されている。このリ
トライオフセットテーブルは、具体的には図８のような
回数分割のリトライオフセットテーブル９２−２を使用
する。
【０１０８】この回数分割リトライオフセットテーブル
９２−２は、リードリトライ回数１〜７回のそれぞれに
つき、リトライオフセットΔＨ２として、そのときのデ
フォルトに対する増加率（パーセント表示）を格納して
いる。例えば、リードリトライの１回目は＋１０％、２
回目は−１０％、３回目は＋２０％、４回目は−２０
％、５回目は＋３０％、６回目は−３０％、７回目は＋
４０％とするリトライオフセットΔＨ２を格納してい
る。
９２−２は、リードリトライ回数１〜７回のそれぞれに
つき、リトライオフセットΔＨ２として、そのときのデ
フォルトに対する増加率（パーセント表示）を格納して
いる。例えば、リードリトライの１回目は＋１０％、２
回目は−１０％、３回目は＋２０％、４回目は−２０
％、５回目は＋３０％、６回目は−３０％、７回目は＋
４０％とするリトライオフセットΔＨ２を格納してい
る。
【０１０９】リード処理部８４は、通常のリード動作時
に、アクセスするゾーンＺｉに対応した再生磁界のデフ
ォルトＨｉを図５のゾーン分割デフォルトテーブル８８
−１から読み出し、同時に同じゾーンＺｉのテストリー
ドオフセットΔＨ1iを図６のゾーン分割テストオフセッ
トテーブル９０−１から読み出し、再生磁界Ｈとして Ｈ＝Ｈｉ＋ΔＨ1i を求めてレジスタ９６に設定し、最適な再生磁界を作り
出している。
に、アクセスするゾーンＺｉに対応した再生磁界のデフ
ォルトＨｉを図５のゾーン分割デフォルトテーブル８８
−１から読み出し、同時に同じゾーンＺｉのテストリー
ドオフセットΔＨ1iを図６のゾーン分割テストオフセッ
トテーブル９０−１から読み出し、再生磁界Ｈとして Ｈ＝Ｈｉ＋ΔＨ1i を求めてレジスタ９６に設定し、最適な再生磁界を作り
出している。
【０１１０】このようなリード処理部８４による最適再
生磁界とリードパワーによるリード動作でリードエラー
が発生すると、リードリトライ処理部８６が起動する。
リードリトライ処理部８６は、１回目のリードリトライ
では、例えば図８の回数分割リトライオフセットテーブ
ル９２−２のデフォルトに対する＋１０％のリトライオ
フセットΔＨ２を読み出し、これに再生磁界のデフォル
トＨｉとテストリードオフセットΔＨｉを加えた再生磁
界 Ｈ＝Ｈｉ＋ΔＨ１ｉ＋ΔＨ２ｉ を求め、テストリードを行う。
生磁界とリードパワーによるリード動作でリードエラー
が発生すると、リードリトライ処理部８６が起動する。
リードリトライ処理部８６は、１回目のリードリトライ
では、例えば図８の回数分割リトライオフセットテーブ
ル９２−２のデフォルトに対する＋１０％のリトライオ
フセットΔＨ２を読み出し、これに再生磁界のデフォル
トＨｉとテストリードオフセットΔＨｉを加えた再生磁
界 Ｈ＝Ｈｉ＋ΔＨ１ｉ＋ΔＨ２ｉ を求め、テストリードを行う。
【０１１１】テストリードとは、ＭＳＲ媒体のある領域
例えば現在アクセスしているゾーンの中の予め定められ
たテストトラックに対し、リードパワーと再生磁界を変
化させながらテストデータのライト動作とリード動作を
行い、ＣＮＲ特性（キャリア雑音比特性）やビット不一
致数の特性を測定し、エラーレートが規定値を満足する
ように最適なリードパワー及び再生磁界を求める処理で
ある。このようなテストリードにより最適な再生磁界及
びリードパワーを決定する。
例えば現在アクセスしているゾーンの中の予め定められ
たテストトラックに対し、リードパワーと再生磁界を変
化させながらテストデータのライト動作とリード動作を
行い、ＣＮＲ特性（キャリア雑音比特性）やビット不一
致数の特性を測定し、エラーレートが規定値を満足する
ように最適なリードパワー及び再生磁界を求める処理で
ある。このようなテストリードにより最適な再生磁界及
びリードパワーを決定する。
【０１１２】ここでテストリードによる最適な再生磁界
は、デフォルトＨｉ及びリトライオフセットΔＨ２ｉは
固定値であることから、結果的に最適なテストリードオ
フセットΔＨ1iを決定することを意味する。このように
して最適な再生磁界を与えるテストリードオフセットΔ
Ｈ1iが決定できたならば、テストリードで求められた再
生磁界とリードパワーの最適値を使用して、リードエラ
ーを発生したセクタについてリードリトライを実行す
る。
は、デフォルトＨｉ及びリトライオフセットΔＨ２ｉは
固定値であることから、結果的に最適なテストリードオ
フセットΔＨ1iを決定することを意味する。このように
して最適な再生磁界を与えるテストリードオフセットΔ
Ｈ1iが決定できたならば、テストリードで求められた再
生磁界とリードパワーの最適値を使用して、リードエラ
ーを発生したセクタについてリードリトライを実行す
る。
【０１１３】この１回目のリトライを行ってもリードエ
ラーとなってリトライが失敗した場合には、図８の２回
目のリードリトライのリトライオフセットΔＨ２である
デフォルトに対する−１０％を選択し、同様にテストリ
ードにより最適な再生磁界を与えるテストリードオフセ
ットΔＨ1iを決定し、テストリードで最適な再生磁界及
びリードパワーを決定した後に、リードエラーを起こし
たセクタに位置付けして２回目のリードリトライを実行
する。
ラーとなってリトライが失敗した場合には、図８の２回
目のリードリトライのリトライオフセットΔＨ２である
デフォルトに対する−１０％を選択し、同様にテストリ
ードにより最適な再生磁界を与えるテストリードオフセ
ットΔＨ1iを決定し、テストリードで最適な再生磁界及
びリードパワーを決定した後に、リードエラーを起こし
たセクタに位置付けして２回目のリードリトライを実行
する。
【０１１４】このようにして、図８の場合には最大で７
回までのリードリトライが繰り返される。
回までのリードリトライが繰り返される。
【０１１５】図９は、図４のリードリトライ処理部８６
で行われるテストリードにおける最適再生磁界の算出処
理の一例である。図９において、横軸は再生磁界Ｈ［Ｏ
ｅ：エルステッド］であり、縦軸がリードデータのキャ
リアノイズ比（ＮＣＲ）である。
で行われるテストリードにおける最適再生磁界の算出処
理の一例である。図９において、横軸は再生磁界Ｈ［Ｏ
ｅ：エルステッド］であり、縦軸がリードデータのキャ
リアノイズ比（ＮＣＲ）である。
【０１１６】ＭＳＲ媒体の再生磁界は、例えば最低値Ｈ
ｍｉｎ＝１００エルステッドから最大値Ｈｍａｘ＝５０
０エルステッドの範囲で変化させる。このような再生磁
界の変化により特性曲線１０８が得られ、キャリアノイ
ズレシオＣＮＲが所定の閾値ＴＨ＝４７．５ｄＢとなる
交点１１０，１１２の再生磁界Ｈｓ＝２００エルステッ
ドとＨｅ＝４５０エルステッドを求める。
ｍｉｎ＝１００エルステッドから最大値Ｈｍａｘ＝５０
０エルステッドの範囲で変化させる。このような再生磁
界の変化により特性曲線１０８が得られ、キャリアノイ
ズレシオＣＮＲが所定の閾値ＴＨ＝４７．５ｄＢとなる
交点１１０，１１２の再生磁界Ｈｓ＝２００エルステッ
ドとＨｅ＝４５０エルステッドを求める。
【０１１７】そして最適磁界Ｈｂｅｓｔとして例えば Ｈｂｅｓｔ＝Ｈｓ＋（Ｈｅ−Ｈｓ）／２ として算出する。
【０１１８】図１０はリトライ時のテストリードで求め
る最適再生磁界の他の算出処理であり、この場合には再
生データのビット不一致数Ｎの特性に基づいて再生磁界
の最適値を決めている。即ち横軸に示すように、再生磁
界の最低値Ｈｍｉｎ＝１００エルステッドから最大値Ｈ
ｍａｘ＝５００エルステッドまで再生磁界を変化させな
がらテストリードを行ってリードデータのビット不一致
率Ｎを求めると、例えば特性曲線１１４が得られる。
る最適再生磁界の他の算出処理であり、この場合には再
生データのビット不一致数Ｎの特性に基づいて再生磁界
の最適値を決めている。即ち横軸に示すように、再生磁
界の最低値Ｈｍｉｎ＝１００エルステッドから最大値Ｈ
ｍａｘ＝５００エルステッドまで再生磁界を変化させな
がらテストリードを行ってリードデータのビット不一致
率Ｎを求めると、例えば特性曲線１１４が得られる。
【０１１９】この測定は例えば５０エルステッド単位に
離散的に行われることから、ビット不一致数Ｎが所定の
閾値Ｎｔｈ以下となるＨｍｉｎ側の測定点１１６とＨｍ
ａｘ側の測定点１１８の磁界をそれぞれＨｓ，Ｈｅとし
て求める。そして同様に、最適磁界Ｈｂｅｓｔを Ｈｂｅｓｔ＝Ｈｓ＋（Ｈｅ−Ｈｓ）／２ として算出する。
離散的に行われることから、ビット不一致数Ｎが所定の
閾値Ｎｔｈ以下となるＨｍｉｎ側の測定点１１６とＨｍ
ａｘ側の測定点１１８の磁界をそれぞれＨｓ，Ｈｅとし
て求める。そして同様に、最適磁界Ｈｂｅｓｔを Ｈｂｅｓｔ＝Ｈｓ＋（Ｈｅ−Ｈｓ）／２ として算出する。
【０１２０】図１２は、図４のリードリトライ処理で使
用するデフォルトテーブルの他の実施形態であり、ＭＳ
Ｒ媒体のＺ１〜Ｚ１８の１８ゾーンを例えば３ゾーンご
とにグループ化したエリアＡ１〜Ａ６で分けたエリア分
割デフォルトテーブル８８−２として再生磁界及びリー
ドパワーのデフォルト値を格納している。
用するデフォルトテーブルの他の実施形態であり、ＭＳ
Ｒ媒体のＺ１〜Ｚ１８の１８ゾーンを例えば３ゾーンご
とにグループ化したエリアＡ１〜Ａ６で分けたエリア分
割デフォルトテーブル８８−２として再生磁界及びリー
ドパワーのデフォルト値を格納している。
【０１２１】図１３は、図１２のエリア区分デフォルト
テーブル８８−２に対応したエリア区分テストリードオ
フセットテーブル９０−２であり、同様にＭＳＲ媒体の
３ゾーン単位のエリアＡ１〜Ａ６に分けて、テストリー
ドで求めたデフォルトに加算するテストリードオフセッ
トを格納している。
テーブル８８−２に対応したエリア区分テストリードオ
フセットテーブル９０−２であり、同様にＭＳＲ媒体の
３ゾーン単位のエリアＡ１〜Ａ６に分けて、テストリー
ドで求めたデフォルトに加算するテストリードオフセッ
トを格納している。
【０１２２】この図１２，図１３に示すエリア分割のデ
フォルトテーブル８８−２及びテストリードオフセット
テーブル９０−２を使用した場合についても、全く同様
にして、図７もしくは図８の回数分割リトライオフセッ
トテーブル９２−１，９２−２を使用した再生磁界の設
定値を変更したリードリトライが実行できる。
フォルトテーブル８８−２及びテストリードオフセット
テーブル９０−２を使用した場合についても、全く同様
にして、図７もしくは図８の回数分割リトライオフセッ
トテーブル９２−１，９２−２を使用した再生磁界の設
定値を変更したリードリトライが実行できる。
【０１２３】図１４は、図４のリードリトライで使用す
るテストオフセットテーブル９０の他の実施形態であ
り、この実施形態は温度分割テストリードオフセットテ
ーブル９０−３としたことを特徴とする。
るテストオフセットテーブル９０の他の実施形態であ
り、この実施形態は温度分割テストリードオフセットテ
ーブル９０−３としたことを特徴とする。
【０１２４】即ち、ＭＳＲ媒体の再生に必要な最適な再
生磁界は、装置内の温度Ｔにより異なることから、リー
ドリトライのテストリードで最適なテストリードオフセ
ットΔＨ1iが求められたならば、そのときの装置内温度
Ｔにより分けて、テストリードで求めた最適テストリー
ドオフセットをテーブルに保存する。
生磁界は、装置内の温度Ｔにより異なることから、リー
ドリトライのテストリードで最適なテストリードオフセ
ットΔＨ1iが求められたならば、そのときの装置内温度
Ｔにより分けて、テストリードで求めた最適テストリー
ドオフセットをテーブルに保存する。
【０１２５】これによって、図４でリードリトライを行
う際には、レジスタ群９４にセットされた装置内温度Ｔ
により図１３の温度分割リトライオフセットテーブル９
２を参照し、そのときの装置内温度に対応するテストリ
ードオフセットΔＨ1iを読み出し、図５のゾーン分割デ
フォルトテーブル８８−１と図７，図８の回数分割リト
ライオフセットテーブル９２−１または９２−２からテ
ストリードの再生磁界を求め、テストリードを行って最
適なテストリードオフセットを求めた後に、リトライを
起こしたセクタに位置付けてリードリトライを行う。
う際には、レジスタ群９４にセットされた装置内温度Ｔ
により図１３の温度分割リトライオフセットテーブル９
２を参照し、そのときの装置内温度に対応するテストリ
ードオフセットΔＨ1iを読み出し、図５のゾーン分割デ
フォルトテーブル８８−１と図７，図８の回数分割リト
ライオフセットテーブル９２−１または９２−２からテ
ストリードの再生磁界を求め、テストリードを行って最
適なテストリードオフセットを求めた後に、リトライを
起こしたセクタに位置付けてリードリトライを行う。
【０１２６】図１４は、図４の第１実施形態におけるリ
ードリトライ処理のフローチャートである。まずステッ
プＳ１でリートリトライを実行するゾーンＺｉのテスト
リードで使用する再生磁界Ｈｉを、デフォルトテーブル
８８のデフォルト磁界Ｈｉ、テストオフセットテーブル
９０からの前回のテストリードオフセットΔＨ1i、及び
リトライオフセットテーブル９２の１回目のリトライオ
フセットΔＨ2iの加算で求め、ステップＳ２でテストリ
ードにより最適リードパワーと最適再生磁界を与えるテ
ストリードオフセットΔＨ1iを決定する。
ードリトライ処理のフローチャートである。まずステッ
プＳ１でリートリトライを実行するゾーンＺｉのテスト
リードで使用する再生磁界Ｈｉを、デフォルトテーブル
８８のデフォルト磁界Ｈｉ、テストオフセットテーブル
９０からの前回のテストリードオフセットΔＨ1i、及び
リトライオフセットテーブル９２の１回目のリトライオ
フセットΔＨ2iの加算で求め、ステップＳ２でテストリ
ードにより最適リードパワーと最適再生磁界を与えるテ
ストリードオフセットΔＨ1iを決定する。
【０１２７】続いてステップＳ３で、ステップＳ２で決
定した最適リードパワーと最適再生磁界によりリードエ
ラーを起こしたセクタに光ビームを位置付けてリードリ
トライを実行する。このリードリトライの実行によりス
テップＳ４でリード成功が判別されると、リードリトラ
イ処理を終了する。
定した最適リードパワーと最適再生磁界によりリードエ
ラーを起こしたセクタに光ビームを位置付けてリードリ
トライを実行する。このリードリトライの実行によりス
テップＳ４でリード成功が判別されると、リードリトラ
イ処理を終了する。
【０１２８】リード不成功であった場合には、ステップ
Ｓ５で、予め定めたリトライ回数例えば７回をオーバー
したか否かチェックし、オーバーしていなければステッ
プＳ６で２回目のリトライオフセットに更新し、再びス
テップＳ１に戻り、リトライ２回目のテストリードのた
めの再生磁界を設定して、ステップＳ２で最適リードパ
ワーと最適再生磁界を決定し、ステップＳ３で、リード
エラーを発生したセクタに続けて２回目のリードリトラ
イを実行する。
Ｓ５で、予め定めたリトライ回数例えば７回をオーバー
したか否かチェックし、オーバーしていなければステッ
プＳ６で２回目のリトライオフセットに更新し、再びス
テップＳ１に戻り、リトライ２回目のテストリードのた
めの再生磁界を設定して、ステップＳ２で最適リードパ
ワーと最適再生磁界を決定し、ステップＳ３で、リード
エラーを発生したセクタに続けて２回目のリードリトラ
イを実行する。
【０１２９】このような再生磁界を変更しながら行うリ
ードリトライにより、アクセス先のセクタに媒体欠陥等
のリカバリ不能な要因がない限り、任意のリトライ回数
でリード成功となる。もしアクセスセクタに媒体欠陥が
あった場合には、ステップＳ５でリトライ回数が例えば
７回を超えてオーバーとなり、この場合にはステップＳ
７でセクタ不良に基づく交替処理を行う。 ３．リードパラメータの統計的更新 図１５は、本発明の光学的記憶装置におけるリトライ処
理の第２実施形態の機能ブロック図である。この第２実
施形態にあっては、リード動作で使用する各種のパラメ
ータを切り替えて設定変更しながらリードリトライやベ
リファイリトライを実行し、リトライ成功時に、成功し
たパラメータ設定情報を統計情報として保存し、保存し
た統計情報について変更の度合いがある程度大きくなっ
たときに統計情報の傾向に従ってパラメータを最適値に
更新し、リトライ成功の条件をパラメータに反映するこ
とでリトライ成功率を高めるようにしたことを特徴とす
る。
ードリトライにより、アクセス先のセクタに媒体欠陥等
のリカバリ不能な要因がない限り、任意のリトライ回数
でリード成功となる。もしアクセスセクタに媒体欠陥が
あった場合には、ステップＳ５でリトライ回数が例えば
７回を超えてオーバーとなり、この場合にはステップＳ
７でセクタ不良に基づく交替処理を行う。 ３．リードパラメータの統計的更新 図１５は、本発明の光学的記憶装置におけるリトライ処
理の第２実施形態の機能ブロック図である。この第２実
施形態にあっては、リード動作で使用する各種のパラメ
ータを切り替えて設定変更しながらリードリトライやベ
リファイリトライを実行し、リトライ成功時に、成功し
たパラメータ設定情報を統計情報として保存し、保存し
た統計情報について変更の度合いがある程度大きくなっ
たときに統計情報の傾向に従ってパラメータを最適値に
更新し、リトライ成功の条件をパラメータに反映するこ
とでリトライ成功率を高めるようにしたことを特徴とす
る。
【０１３０】図１５において、リード動作のためリード
処理部１２０が設けられ、リード処理部１２０でリード
エラーを生じた際のリードリトライのためにリードリト
ライ処理部１２２が設けられている。
処理部１２０が設けられ、リード処理部１２０でリード
エラーを生じた際のリードリトライのためにリードリト
ライ処理部１２２が設けられている。
【０１３１】またライト動作のためライト処理部１２４
が設けられ、ライト動作はイレーズ、ライト及びベリフ
ァイとなり、ベリファイで生ずるリードエラーに対応し
てベリファイリトライを行うライトリトライ処理部１２
５を設けている。ライトリトライ処理部１２５は、ベリ
ファイリトライで不成功となった場合、ライトパワーを
変更しながらテストライトを行うもので、このためテス
トライトのためにテスト処理部１２６が設けられてい
る。
が設けられ、ライト動作はイレーズ、ライト及びベリフ
ァイとなり、ベリファイで生ずるリードエラーに対応し
てベリファイリトライを行うライトリトライ処理部１２
５を設けている。ライトリトライ処理部１２５は、ベリ
ファイリトライで不成功となった場合、ライトパワーを
変更しながらテストライトを行うもので、このためテス
トライトのためにテスト処理部１２６が設けられてい
る。
【０１３２】テスト処理部１２６は、リードリトライや
ベリファイリトライとは別に、リード動作およびライト
動作で使用する再生磁界とレーザパワーの最適値をテス
ト処理により決定するもので、媒体投入時に最初のテス
ト処理を行ない、その後は、テスト処理からの経過時間
と装置内温度の変動を監視して次のテスト処理を行って
いる。
ベリファイリトライとは別に、リード動作およびライト
動作で使用する再生磁界とレーザパワーの最適値をテス
ト処理により決定するもので、媒体投入時に最初のテス
ト処理を行ない、その後は、テスト処理からの経過時間
と装置内温度の変動を監視して次のテスト処理を行って
いる。
【０１３３】このようなリード処理部１２０、リードリ
トライ処理部１２２、ライト処理部１２４、ライトリト
ライ処理部１２５及びテスト処理部１２６に対し、リー
ド動作及びライト動作、更にはテスト動作に必要な各種
のパラメータを設定するため、デフォルトテーブル１２
８、テストオフセットテーブル１３０、リトライオフセ
ットテーブル１３２、更に各種の制御指示を行うレジス
タ群１３５が設けられている。
トライ処理部１２２、ライト処理部１２４、ライトリト
ライ処理部１２５及びテスト処理部１２６に対し、リー
ド動作及びライト動作、更にはテスト動作に必要な各種
のパラメータを設定するため、デフォルトテーブル１２
８、テストオフセットテーブル１３０、リトライオフセ
ットテーブル１３２、更に各種の制御指示を行うレジス
タ群１３５が設けられている。
【０１３４】また本発明のリードリトライ処理部１２２
にあっては、リードリトライまたはベリファイリトライ
で成功した際に、成功したリトライ情報、具体的には成
功した各種パラメータの設定情報を統計情報として保存
するリトライ履歴テーブル１３４を設けている。
にあっては、リードリトライまたはベリファイリトライ
で成功した際に、成功したリトライ情報、具体的には成
功した各種パラメータの設定情報を統計情報として保存
するリトライ履歴テーブル１３４を設けている。
【０１３５】このリトライ履歴テーブル１３４に格納さ
れたリードリトライ及びベリファイリトライの成功で得
られたパラメータ設定情報の統計情報を学習することに
よって、リードリトライ処理部１２２はテストオフセッ
トテーブル１２８のテストオフセットをリトライを成功
させる設定値に近付けるように更新する。
れたリードリトライ及びベリファイリトライの成功で得
られたパラメータ設定情報の統計情報を学習することに
よって、リードリトライ処理部１２２はテストオフセッ
トテーブル１２８のテストオフセットをリトライを成功
させる設定値に近付けるように更新する。
【０１３６】リード処理部１２０に対しては、再生磁界
及びリードパワーの各設定値を設定するレジスタ１３
６，１３８が設けられる。またリードリトライ処理部１
２２に対しては、リードリトライ実行時の再生磁界、リ
ードパワー、カットオフ周波数、ブースト、スライスレ
ベル、ウィンドウ、フォーカスオフセットを設定パラメ
ータとして設定するレジスタ１４０，１４２，１４４，
１４６，１４８，１５０，１５２が設けられる。
及びリードパワーの各設定値を設定するレジスタ１３
６，１３８が設けられる。またリードリトライ処理部１
２２に対しては、リードリトライ実行時の再生磁界、リ
ードパワー、カットオフ周波数、ブースト、スライスレ
ベル、ウィンドウ、フォーカスオフセットを設定パラメ
ータとして設定するレジスタ１４０，１４２，１４４，
１４６，１４８，１５０，１５２が設けられる。
【０１３７】これらのレジスタ１４０〜１５２に対応し
て、レジスタの設定データをアナログ制御信号に変換し
て対応する回路部のパラメータを制御するＤＡコンバー
タ１５４，１５６，１５８，１６０，１６２，１６４，
１６６が設けられている。
て、レジスタの設定データをアナログ制御信号に変換し
て対応する回路部のパラメータを制御するＤＡコンバー
タ１５４，１５６，１５８，１６０，１６２，１６４，
１６６が設けられている。
【０１３８】ライト処理部１２４に対してはライトパワ
ー及びイレーズパワーを設定するレジスタ１６８，１７
０が設けられ、ライトリトライ処理部１２５にはベリフ
ァイリトライに失敗した後のテストライトでライトパワ
ーを変更するために使用するレジスタ１７２が設けられ
る。
ー及びイレーズパワーを設定するレジスタ１６８，１７
０が設けられ、ライトリトライ処理部１２５にはベリフ
ァイリトライに失敗した後のテストライトでライトパワ
ーを変更するために使用するレジスタ１７２が設けられ
る。
【０１３９】またライトパワーの設定レジスタ１６８，
１７２に対応してＤＡコンバータ１７４が設けられ、イ
レーズパワーの設定レジスタ１７０に対応してＤＡコン
バータ１７６が設けられている。
１７２に対応してＤＡコンバータ１７４が設けられ、イ
レーズパワーの設定レジスタ１７０に対応してＤＡコン
バータ１７６が設けられている。
【０１４０】図１６は、図１５のデフォルトテーブル１
２８の実施形態であり、ＭＯ媒体やＭＳＲ媒体のゾーン
ごとに分けてリードリトライ時に切り替えながら設定変
更する各種パラメータのデフォルトを格納したゾーン分
割デフォルトテーブル１２８−１である。
２８の実施形態であり、ＭＯ媒体やＭＳＲ媒体のゾーン
ごとに分けてリードリトライ時に切り替えながら設定変
更する各種パラメータのデフォルトを格納したゾーン分
割デフォルトテーブル１２８−１である。
【０１４１】例えば１８ゾーンを持つＭＳＲ媒体対応を
例にとると、ゾーンＺ１〜Ｚ１８の各ゾーンに分けてリ
ードリトライ時に切り替えて設定変更するパラメータと
して、再生磁界、リードパワー、カットオフ周波数、ブ
ースト、ウィンドウ及びフォーカスオフセットのそれぞ
れのデフォルト値が格納されている。
例にとると、ゾーンＺ１〜Ｚ１８の各ゾーンに分けてリ
ードリトライ時に切り替えて設定変更するパラメータと
して、再生磁界、リードパワー、カットオフ周波数、ブ
ースト、ウィンドウ及びフォーカスオフセットのそれぞ
れのデフォルト値が格納されている。
【０１４２】このリードリトライ時に切り替えて設定変
更するパラメータの内、カットオフ周波数、ブースト、
ウィンドウ、フォーカスオフセットは、図１９に取り出
して示す図２のリードＬＳＩ２４に内蔵された各回路の
回路パラメータを表わす。
更するパラメータの内、カットオフ周波数、ブースト、
ウィンドウ、フォーカスオフセットは、図１９に取り出
して示す図２のリードＬＳＩ２４に内蔵された各回路の
回路パラメータを表わす。
【０１４３】図１９のリードＬＳＩ２４の復調回路は、
ヘッドアンプにコンデンサ１８０で入力接続されたクラ
ンプ回路１８２、ＡＧＣ回路１８４、ローパスフィルタ
（ＬＰＦ）１８６、イコライザ（ＥＱＬ）１８８、ＳＡ
Ｇ除去回路１９０、クランプ回路１９２及びデータ弁別
器１９４を備える。
ヘッドアンプにコンデンサ１８０で入力接続されたクラ
ンプ回路１８２、ＡＧＣ回路１８４、ローパスフィルタ
（ＬＰＦ）１８６、イコライザ（ＥＱＬ）１８８、ＳＡ
Ｇ除去回路１９０、クランプ回路１９２及びデータ弁別
器１９４を備える。
【０１４４】ローパスフィルタ１８６は、記憶周波数に
対応して、カットオフ周波数Ｆｃと高域のゲインを定め
るブーストＦｂを外部から回路パラメータとして設定変
更することができる。またスライス回路１９２は、復調
したＰＷＭデータの読取波形のスライスレベルＳを回路
パラメータとして設定変更できる。
対応して、カットオフ周波数Ｆｃと高域のゲインを定め
るブーストＦｂを外部から回路パラメータとして設定変
更することができる。またスライス回路１９２は、復調
したＰＷＭデータの読取波形のスライスレベルＳを回路
パラメータとして設定変更できる。
【０１４５】更にデータセパレータとして機能するデー
タ弁別器１９４は、データ弁別のために設定するウィン
ドウの遅延時間を外部から設定変更できる。このデータ
弁別器１９４は、ＰＷＭパルスのリーディングエッジと
トレーニングエッジのそれぞれについて、個別にデータ
ＤＴ１，ＤＴ２とクロックＣＫ１，ＣＫ２を取り出し、
後段の回路で両者を合成する。
タ弁別器１９４は、データ弁別のために設定するウィン
ドウの遅延時間を外部から設定変更できる。このデータ
弁別器１９４は、ＰＷＭパルスのリーディングエッジと
トレーニングエッジのそれぞれについて、個別にデータ
ＤＴ１，ＤＴ２とクロックＣＫ１，ＣＫ２を取り出し、
後段の回路で両者を合成する。
【０１４６】図１７は、図１５のテストオフセットテー
ブル１３０の実施形態であり、図１６と同様、ゾーン分
割テストオフセットテーブル１３０−１としており、例
えばＭＳＲ媒体の１８ゾーンを例にとると、ゾーンＺ１
〜Ｚ１８に対応して、図１６のデフォルトパラメータに
加算するテスト処理で求めたテストオフセット例えば再
生磁界のテストオフセットΔＨ１１〜ΔＨ１１８を格納
している。
ブル１３０の実施形態であり、図１６と同様、ゾーン分
割テストオフセットテーブル１３０−１としており、例
えばＭＳＲ媒体の１８ゾーンを例にとると、ゾーンＺ１
〜Ｚ１８に対応して、図１６のデフォルトパラメータに
加算するテスト処理で求めたテストオフセット例えば再
生磁界のテストオフセットΔＨ１１〜ΔＨ１１８を格納
している。
【０１４７】図１８は、図１５のリトライオフセットテ
ーブル１３２の実施形態であり、図１６，図１７のゾー
ン分割のデフォルト及びテストオフセットの各テーブル
に対応して、ゾーン分割リトライオフセットテーブル１
３２−１としてゾーンＺ１〜Ｚ１８に対応して各種のパ
ラメータについてのリトライオフセット、例えば再生磁
界にあってはリトライオフセットΔＨ２１〜ΔＨ２１８
を格納している。
ーブル１３２の実施形態であり、図１６，図１７のゾー
ン分割のデフォルト及びテストオフセットの各テーブル
に対応して、ゾーン分割リトライオフセットテーブル１
３２−１としてゾーンＺ１〜Ｚ１８に対応して各種のパ
ラメータについてのリトライオフセット、例えば再生磁
界にあってはリトライオフセットΔＨ２１〜ΔＨ２１８
を格納している。
【０１４８】図１６，図１７，図１８は、ゾーン分割の
デフォルトテーブルテストオフセットテーブル及びリト
ライオフセットテーブルを例にとるものであったが、図
２０，図２１，図２２のように、例えば３ゾーンごとに
グループ化したエリアＡ１〜Ａ６で分けたエリア分割の
デフォルトテーブル１２８−２、テストオフセットテー
ブル１３０−２、及びリトライオフセットテーブル１３
２−２としてもよい。
デフォルトテーブルテストオフセットテーブル及びリト
ライオフセットテーブルを例にとるものであったが、図
２０，図２１，図２２のように、例えば３ゾーンごとに
グループ化したエリアＡ１〜Ａ６で分けたエリア分割の
デフォルトテーブル１２８−２、テストオフセットテー
ブル１３０−２、及びリトライオフセットテーブル１３
２−２としてもよい。
【０１４９】更に図２３，図２４，図２５に示すよう
に、装置内温度Ｔを例えば０℃から６０℃について１０
℃範囲の温度領域に分割し、各温度領域について各種の
パラメータのデフォルトテストオフセット及びリトライ
オフセットを各々格納した温度区分のデフォルトテーブ
ル１２８−３、テストオフセットテーブル１３０−２、
及びリトライオフセットテーブル１３２−２としてもよ
い。
に、装置内温度Ｔを例えば０℃から６０℃について１０
℃範囲の温度領域に分割し、各温度領域について各種の
パラメータのデフォルトテストオフセット及びリトライ
オフセットを各々格納した温度区分のデフォルトテーブ
ル１２８−３、テストオフセットテーブル１３０−２、
及びリトライオフセットテーブル１３２−２としてもよ
い。
【０１５０】図２６は、図１５のリード処理部１２０及
びリードリトライ処理部１２２によるリード処理のフロ
ーチャートである。
びリードリトライ処理部１２２によるリード処理のフロ
ーチャートである。
【０１５１】図２６において、レジスタ群１３５にリー
ド指示、トラック番号ＴＫ、セクタ番号ＳＳ及びゾーン
番号Ｚｉがセットされると、ステップＳ１で目標セクタ
に光ビームを位置付けるためのシーク動作が実行され
る。目標セクタに光ビームが位置付けられると、ステッ
プＳ２でリード動作を実行する。
ド指示、トラック番号ＴＫ、セクタ番号ＳＳ及びゾーン
番号Ｚｉがセットされると、ステップＳ１で目標セクタ
に光ビームを位置付けるためのシーク動作が実行され
る。目標セクタに光ビームが位置付けられると、ステッ
プＳ２でリード動作を実行する。
【０１５２】ステップＳ３でリードが成功すればリード
処理を終了する。ステップＳ３でリード処理が不成功に
なると、ステップＳ４でリードリトライ処理を実行す
る。このリードリトライ処理は、例えば図１６，図１
７，図１８に示したように、ゾーン分割のデフォルトテ
ーブル１２８−１、テストオフセットテーブル１３０−
１、及びリトライオフセットテーブル１３２−１を使用
して、再生磁界、リードパワー、カットオフ周波数、ブ
ースト、ウィンドウ、フォーカスオフセット等のパラメ
ータを切り替えて設定変更しながらリードリトライを実
行する。
処理を終了する。ステップＳ３でリード処理が不成功に
なると、ステップＳ４でリードリトライ処理を実行す
る。このリードリトライ処理は、例えば図１６，図１
７，図１８に示したように、ゾーン分割のデフォルトテ
ーブル１２８−１、テストオフセットテーブル１３０−
１、及びリトライオフセットテーブル１３２−１を使用
して、再生磁界、リードパワー、カットオフ周波数、ブ
ースト、ウィンドウ、フォーカスオフセット等のパラメ
ータを切り替えて設定変更しながらリードリトライを実
行する。
【０１５３】この場合、１つのパラメータにつき例えば
図１８のゾーン区分リトライオフセットテーブル１３０
−１のように１つのオフセット値しか格納されていない
が、このリトライオフセット値を１回目はデフォルトに
テストオフセットを加えたパラメータに加算し、２回目
のリトライではデフォルトにテストオフセットを加算し
たパラメータから減算し、デフォルトを中心にプラスと
マイナスに交互に切り替えたパラメータの設定変更によ
るリトライを実行する。
図１８のゾーン区分リトライオフセットテーブル１３０
−１のように１つのオフセット値しか格納されていない
が、このリトライオフセット値を１回目はデフォルトに
テストオフセットを加えたパラメータに加算し、２回目
のリトライではデフォルトにテストオフセットを加算し
たパラメータから減算し、デフォルトを中心にプラスと
マイナスに交互に切り替えたパラメータの設定変更によ
るリトライを実行する。
【０１５４】ステップＳ４の各種のパラメータを切り替
えて設定変更しながら行うリードリトライにつき、ステ
ップＳ５でリトライが不成功であれば、ステップＳ６で
同一のパラメータについて予め定めた限界値まで変更し
たか否かチェックし、限界値に達した場合には、ステッ
プＳ７で全てのパラメータの設定変更によるリトライが
済んだか否かチェックし、各パラメータにつき限界値ま
での設定変更と全パラメータについての設定変更が済む
まで、ステップＳ４のパラメータを切り替えて設定変更
しながら行うリードリトライを繰り返す。
えて設定変更しながら行うリードリトライにつき、ステ
ップＳ５でリトライが不成功であれば、ステップＳ６で
同一のパラメータについて予め定めた限界値まで変更し
たか否かチェックし、限界値に達した場合には、ステッ
プＳ７で全てのパラメータの設定変更によるリトライが
済んだか否かチェックし、各パラメータにつき限界値ま
での設定変更と全パラメータについての設定変更が済む
まで、ステップＳ４のパラメータを切り替えて設定変更
しながら行うリードリトライを繰り返す。
【０１５５】このようなリードリトライによりステップ
Ｓ５でリトライ成功が判別されると、ステップＳ９に進
み、成功したリトライのパラメータ設定情報を統計情報
として保存し、保存しているパラメータ設定情報を学習
して，デフォルトにゆ加算するテストオフセットを更新
する。この成功したリトライのパラメータ設定情報に基
づくパラメータ更新処理は、例えばステップＳ４のリー
ドリトライ処理においてパラメータをプラスとマイナス
に変更ししていることから、リトライに成功したパラメ
ータの設定変更がプラスかマイナスかの回数をそれぞれ
カウントし、プラス方向の変化による成功回数とマイナ
ス方向の変化による成功回数との差野絶対値が所定の閾
値を超えたときに、最新のリトライ成功のパラメータ設
定値に近付けるようにパラメータ、即ちテストオフセッ
トを更新する。
Ｓ５でリトライ成功が判別されると、ステップＳ９に進
み、成功したリトライのパラメータ設定情報を統計情報
として保存し、保存しているパラメータ設定情報を学習
して，デフォルトにゆ加算するテストオフセットを更新
する。この成功したリトライのパラメータ設定情報に基
づくパラメータ更新処理は、例えばステップＳ４のリー
ドリトライ処理においてパラメータをプラスとマイナス
に変更ししていることから、リトライに成功したパラメ
ータの設定変更がプラスかマイナスかの回数をそれぞれ
カウントし、プラス方向の変化による成功回数とマイナ
ス方向の変化による成功回数との差野絶対値が所定の閾
値を超えたときに、最新のリトライ成功のパラメータ設
定値に近付けるようにパラメータ、即ちテストオフセッ
トを更新する。
【０１５６】更に、ステップＳ９でパラメータの更新処
理が行われた場合には、ステップＳ１０でテスト処理部
１２６で次のテストの必要性を判断するために監視して
いるテスト実行時からの経過時間を初期化し、且つテス
ト時の装置内温度を基準温度として所定の温度変化が生
じたかどうかでテストの必要性を判断するためのテスト
基準温度を、パラメータの更新処理を行った時の装置内
温度とする。
理が行われた場合には、ステップＳ１０でテスト処理部
１２６で次のテストの必要性を判断するために監視して
いるテスト実行時からの経過時間を初期化し、且つテス
ト時の装置内温度を基準温度として所定の温度変化が生
じたかどうかでテストの必要性を判断するためのテスト
基準温度を、パラメータの更新処理を行った時の装置内
温度とする。
【０１５７】このようなテスト処理部１２６におけるテ
ストの必要性判断のための経過時間の初期化とテスト基
準温度の更新によって、リードリトライの成功に基づく
パラメータの更新処理、が実質的にテスト処理による最
適パラメータの更新と見做され、通常のリード動作やラ
イト動作に反映される。
ストの必要性判断のための経過時間の初期化とテスト基
準温度の更新によって、リードリトライの成功に基づく
パラメータの更新処理、が実質的にテスト処理による最
適パラメータの更新と見做され、通常のリード動作やラ
イト動作に反映される。
【０１５８】図２７は、図２６のステップＳ４における
リードリトライ処理の具体例であり、パラメータとして
再生磁界を選択した場合のリードリトライ処理である。
この再生磁界を調整しながら行うリードリトライ処理に
あっては、ステップＳ１で前回の再生磁界の設定変更は
プラスか否かチェックし、もしプラスであれば、ステッ
プＳ２でリトライオフセットΔＨをマイナスにして、リ
ードリトライに使用する再生磁界を設定する。ここで再
生磁界Ｈはデフォルトにテストオフセットを加算した値
である。
リードリトライ処理の具体例であり、パラメータとして
再生磁界を選択した場合のリードリトライ処理である。
この再生磁界を調整しながら行うリードリトライ処理に
あっては、ステップＳ１で前回の再生磁界の設定変更は
プラスか否かチェックし、もしプラスであれば、ステッ
プＳ２でリトライオフセットΔＨをマイナスにして、リ
ードリトライに使用する再生磁界を設定する。ここで再
生磁界Ｈはデフォルトにテストオフセットを加算した値
である。
【０１５９】一方、ステップＳ１で前回の再生磁界の設
定変更がマイナスであった場合には、ステップＳ３でリ
トライオフセットΔＨをプラスにして再生磁界を設定す
る。ステップＳ２またはＳ３でリトライオフセットΔＨ
の減算または加算で求めた再生磁界につき、ステップＳ
４でリードリトライを実行する。
定変更がマイナスであった場合には、ステップＳ３でリ
トライオフセットΔＨをプラスにして再生磁界を設定す
る。ステップＳ２またはＳ３でリトライオフセットΔＨ
の減算または加算で求めた再生磁界につき、ステップＳ
４でリードリトライを実行する。
【０１６０】図２８は、図２６のステップＳ４のリード
リトライ処理の具体例であり、パラメータとしてリード
パワーを選択した場合である。この場合にも、ステップ
Ｓ１で前回のリードパワーの設定変更がプラスか否かチ
ェックし、プラスであればステップＳ２でリトライオフ
セットΔＰｒをマイナスにしてリードパワーＰｒを設定
し、逆にマイナスであればステップＳ３でリトライオフ
セットΔＰｒをプラスにしてリードパワーＰｒを設定
し、ステップＳ４でリードリトライを実行する。
リトライ処理の具体例であり、パラメータとしてリード
パワーを選択した場合である。この場合にも、ステップ
Ｓ１で前回のリードパワーの設定変更がプラスか否かチ
ェックし、プラスであればステップＳ２でリトライオフ
セットΔＰｒをマイナスにしてリードパワーＰｒを設定
し、逆にマイナスであればステップＳ３でリトライオフ
セットΔＰｒをプラスにしてリードパワーＰｒを設定
し、ステップＳ４でリードリトライを実行する。
【０１６１】図２９は、パラメータとしてローパスフィ
ルタのカットオフ周波数Ｆｃを選択した場合のリードリ
トライであり、ステップＳ１で前回のカットオフ周波数
の設定変更がプラスであれば、ステップＳ２でリトライ
オフセットΔＦｃをマイナスにしてカットオフ周波数Ｆ
ｃを設定し、逆にマイナスであれば、ステップＳ３でリ
トライオフセットΔＦｃをプラスにしてカットオフ周波
数Ｆｃを設定して、ステップＳ４でリードリトライを実
行する。
ルタのカットオフ周波数Ｆｃを選択した場合のリードリ
トライであり、ステップＳ１で前回のカットオフ周波数
の設定変更がプラスであれば、ステップＳ２でリトライ
オフセットΔＦｃをマイナスにしてカットオフ周波数Ｆ
ｃを設定し、逆にマイナスであれば、ステップＳ３でリ
トライオフセットΔＦｃをプラスにしてカットオフ周波
数Ｆｃを設定して、ステップＳ４でリードリトライを実
行する。
【０１６２】図３０は、設定変更するパラメータとして
ローパスフィルタのブーストＦｂを選択した場合のリー
ドリトライであり、ステップＳ１で前回の設定変更がプ
ラスであればステップＳ２でリトライオフセットΔＦｂ
をマイナスにし、逆にマイナスであればステップＳ３で
プラスにし、ステップＳ４でリードリトライを実行す
る。
ローパスフィルタのブーストＦｂを選択した場合のリー
ドリトライであり、ステップＳ１で前回の設定変更がプ
ラスであればステップＳ２でリトライオフセットΔＦｂ
をマイナスにし、逆にマイナスであればステップＳ３で
プラスにし、ステップＳ４でリードリトライを実行す
る。
【０１６３】このようなリトライオフセットを前回の設
定と逆となるようにプラスとマイナスに変更して行うリ
ードリトライは、図３１のスライス回路のスライスレベ
ルをパラメータとして選択した場合、図３２のデータ弁
別器のウィンドウ（遅延時間）をパラメータとして選択
した場合、更に図３３のフォーカスアクチュエータで対
物レンズを光軸方向に移動するフォーカスオフセットを
パラメータとして選択した場合についても同様である。
定と逆となるようにプラスとマイナスに変更して行うリ
ードリトライは、図３１のスライス回路のスライスレベ
ルをパラメータとして選択した場合、図３２のデータ弁
別器のウィンドウ（遅延時間）をパラメータとして選択
した場合、更に図３３のフォーカスアクチュエータで対
物レンズを光軸方向に移動するフォーカスオフセットを
パラメータとして選択した場合についても同様である。
【０１６４】また図２６のリードリトライ処理、ステッ
プＳ４で選択するパラメータの順番は、例えば再生磁
界、リードパワー、カットオフ周波数、ブースト、ウィ
ンドウ、フォーカスオフセットの順番でもよいし、再生
磁界、リードパワーに続いて、フォーカスオフセットを
制御し、そのににリードＬＳＩの回路パラメータである
カットオフ周波数、ブースト、ウィンドウの順にパラメ
ータを切り替えてプラスとマイナスに設定変更するリー
ドリトライを行ってもよい。
プＳ４で選択するパラメータの順番は、例えば再生磁
界、リードパワー、カットオフ周波数、ブースト、ウィ
ンドウ、フォーカスオフセットの順番でもよいし、再生
磁界、リードパワーに続いて、フォーカスオフセットを
制御し、そのににリードＬＳＩの回路パラメータである
カットオフ周波数、ブースト、ウィンドウの順にパラメ
ータを切り替えてプラスとマイナスに設定変更するリー
ドリトライを行ってもよい。
【０１６５】また各種パラメータを１つずつ順番に選択
せずに、適宜の複数種類のパラメータを組み合わせて選
択しながら設定変更してリードリトライを行うようにし
てもよい。もちろん、リードリトライのために選択した
パラメータについてのみ、デフォルトとテストオフセッ
トを加算した設定パラメータにプラスまたはマイナスの
リトライオフセットを加えてリードリトライを実行する
が、設定変更の対象となっていないパラメータについて
は、リトライオフセットを加えないデフォルトにテスト
オフセットを加算したパラメータ設定値を使用する。
せずに、適宜の複数種類のパラメータを組み合わせて選
択しながら設定変更してリードリトライを行うようにし
てもよい。もちろん、リードリトライのために選択した
パラメータについてのみ、デフォルトとテストオフセッ
トを加算した設定パラメータにプラスまたはマイナスの
リトライオフセットを加えてリードリトライを実行する
が、設定変更の対象となっていないパラメータについて
は、リトライオフセットを加えないデフォルトにテスト
オフセットを加算したパラメータ設定値を使用する。
【０１６６】図３４は、図２６のステップＳ９のリトラ
イ成功のパラメータ設定情報を保存した統計情報に基づ
くデフォルトパラメータ更新処理のフローチャートであ
る。
イ成功のパラメータ設定情報を保存した統計情報に基づ
くデフォルトパラメータ更新処理のフローチャートであ
る。
【０１６７】このデフォルトパラメータの統計的な更新
処理は、まずステップＳ１でリトライ成功のパラメータ
はプラスに変更したか否かチェックする。リトライに成
功したパラメータがリトライオフセットをプラスして設
定変更したことで成功した場合には、ステップＳ２に進
み、変数Ｃ１を１つインクリメントする。
処理は、まずステップＳ１でリトライ成功のパラメータ
はプラスに変更したか否かチェックする。リトライに成
功したパラメータがリトライオフセットをプラスして設
定変更したことで成功した場合には、ステップＳ２に進
み、変数Ｃ１を１つインクリメントする。
【０１６８】一方、リトライ成功のパラメータは、リト
ライオフセットのマイナスによる変更の場合にはステッ
プＳ３に進み、別の変数Ｃ２をインクリメントする。続
いてステップＳ４で変数Ｃ１と変数Ｃ２の差の絶対値
が、予め定めた閾値を超えたか否かチェックする。もし
変数Ｃ１と変数Ｃ２の差の絶対値が閾値以上であった場
合には、ステップＳ５に進み、デフォルトパラメータを
リトライ成功の変更値に基づき所定値だけずらして更新
する。
ライオフセットのマイナスによる変更の場合にはステッ
プＳ３に進み、別の変数Ｃ２をインクリメントする。続
いてステップＳ４で変数Ｃ１と変数Ｃ２の差の絶対値
が、予め定めた閾値を超えたか否かチェックする。もし
変数Ｃ１と変数Ｃ２の差の絶対値が閾値以上であった場
合には、ステップＳ５に進み、デフォルトパラメータを
リトライ成功の変更値に基づき所定値だけずらして更新
する。
【０１６９】例えばリトライ成功時のリトライオフセッ
トの半分をデフォルトパラメータに加算した値となるよ
うにテストオフセットを更新する。このデフォルトパラ
メータの更新の度合いは、リトライ成功の変更値にある
程度近付けるので、近付ける度合いは適宜に設定する。
デフォルトパラメータの更新が済んだならば、ステップ
Ｓ６で変数Ｃ１，Ｃ２をそれぞれ０に初期化し、次の統
計的更新処理に備える。
トの半分をデフォルトパラメータに加算した値となるよ
うにテストオフセットを更新する。このデフォルトパラ
メータの更新の度合いは、リトライ成功の変更値にある
程度近付けるので、近付ける度合いは適宜に設定する。
デフォルトパラメータの更新が済んだならば、ステップ
Ｓ６で変数Ｃ１，Ｃ２をそれぞれ０に初期化し、次の統
計的更新処理に備える。
【０１７０】ここで図３４の統計的更新処理にあって
は、リトライ成功時のパラメータのプラスとマイナスの
変更に応じて変数Ｃ１，Ｃ２を個別にカウントしている
が、変数を１つとし、プラスの変更で加算、マイナスの
変更で減算し、その結果をステップＳ４で閾値と比較し
てもよい。
は、リトライ成功時のパラメータのプラスとマイナスの
変更に応じて変数Ｃ１，Ｃ２を個別にカウントしている
が、変数を１つとし、プラスの変更で加算、マイナスの
変更で減算し、その結果をステップＳ４で閾値と比較し
てもよい。
【０１７１】もちろん、図３４の統計的なパラメータの
更新は、例えば図１６のゾーン分割のデフォルトテーブ
ル１２８−１の場合には、同一ゾーンの同一パラメータ
単位に個別に統計的なデフォルトパラメータ更新処理を
行うことになる。この点は図２０のエリア分割デフォル
トテーブル１２８についても同様であり、同一エリアの
同一パラメータにつき個別にデフォルトパラメータの更
新処理を行う。更に図２３の温度分割デフォルトテーブ
ル１２３−３については、同じ温度区分の同一パラメー
タごとにデフォルトパラメータの更新処理を行うことに
なる。
更新は、例えば図１６のゾーン分割のデフォルトテーブ
ル１２８−１の場合には、同一ゾーンの同一パラメータ
単位に個別に統計的なデフォルトパラメータ更新処理を
行うことになる。この点は図２０のエリア分割デフォル
トテーブル１２８についても同様であり、同一エリアの
同一パラメータにつき個別にデフォルトパラメータの更
新処理を行う。更に図２３の温度分割デフォルトテーブ
ル１２３−３については、同じ温度区分の同一パラメー
タごとにデフォルトパラメータの更新処理を行うことに
なる。
【０１７２】ここで図１５のテスト処理部１２６による
記録再生のための各種のパラメータのテスト処理による
最適化を説明すると、次のようになる。
記録再生のための各種のパラメータのテスト処理による
最適化を説明すると、次のようになる。
【０１７３】図３５は、本発明の光学的記憶装置の全体
的な処理のフローチャートである。装置電源を投入する
と、ステップＳ１で初期化及び自己診断処理を行い、ス
テップＳ２で媒体の投入を待つ。この状態で媒体を投入
すると、ステップＳ３に進み、ディスク起動処理を行
う。ステップＳ３のディスク起動処理は、図３１のフロ
ーチャートのようになる。
的な処理のフローチャートである。装置電源を投入する
と、ステップＳ１で初期化及び自己診断処理を行い、ス
テップＳ２で媒体の投入を待つ。この状態で媒体を投入
すると、ステップＳ３に進み、ディスク起動処理を行
う。ステップＳ３のディスク起動処理は、図３１のフロ
ーチャートのようになる。
【０１７４】図３６において、まずステップＳ１で媒体
のロードを行って、スピンドルモータにセットして一定
速度で回転する。続いてステップＳ２で校正要求フラグ
ＦＬをセットする。続いてステップＳ３で現在時刻を初
期化し、更にステップＳ４で現在の装置内温度Ｔを検出
して起動時にレーザダイオードの発光パワーや磁界印加
ユニットによる再生磁界を決めるために必要な処理を終
了する。
のロードを行って、スピンドルモータにセットして一定
速度で回転する。続いてステップＳ２で校正要求フラグ
ＦＬをセットする。続いてステップＳ３で現在時刻を初
期化し、更にステップＳ４で現在の装置内温度Ｔを検出
して起動時にレーザダイオードの発光パワーや磁界印加
ユニットによる再生磁界を決めるために必要な処理を終
了する。
【０１７５】再び図３５を参照するに、ステップＳ３の
ディスク起動処理が済むと、ステップＳ４に進み、上位
装置からのアクセス要求の有無をチェックする。この実
施形態にあっては、媒体のローディングによりディスク
起動処理を行っても、その時点では発光パワー及び再生
磁界のテスト処理は行わず、ディスク起動処理の通知を
受けた上位装置から最初に発行されるテスト指示コマン
ドを受けて最初の発光パワー及び再生磁界のテスト処理
を行うようにしている。
ディスク起動処理が済むと、ステップＳ４に進み、上位
装置からのアクセス要求の有無をチェックする。この実
施形態にあっては、媒体のローディングによりディスク
起動処理を行っても、その時点では発光パワー及び再生
磁界のテスト処理は行わず、ディスク起動処理の通知を
受けた上位装置から最初に発行されるテスト指示コマン
ドを受けて最初の発光パワー及び再生磁界のテスト処理
を行うようにしている。
【０１７６】したがって、ステップＳ４で上位装置の最
初に受けるアクセス要求はテスト指示コマンドであり、
ステップＳ７でテスト指示であることを判別し、ステッ
プＳ８でライトパワー、イレーズパワー及びリードパワ
ーなどの発光パワーのテスト処理を行った後、ステップ
Ｓ９で再生磁界のテスト処理を行う。
初に受けるアクセス要求はテスト指示コマンドであり、
ステップＳ７でテスト指示であることを判別し、ステッ
プＳ８でライトパワー、イレーズパワー及びリードパワ
ーなどの発光パワーのテスト処理を行った後、ステップ
Ｓ９で再生磁界のテスト処理を行う。
【０１７７】一方、上位装置からテスト指示がなけれ
ば、ステップＳ５でテストの必要性を判断し、その結果
に基づいてテストの必要ありがステップＳ６で判別され
れば、ステップＳ８の発光パワーテスト処理及びステッ
プＳ９の再生磁界テスト処理を行うようになる。上位装
置からリードのアクセス要求を受けた場合には、ステッ
プＳ１０に進んでリード要求が判別され、ステップＳ１
１以降のリード処理を行う。
ば、ステップＳ５でテストの必要性を判断し、その結果
に基づいてテストの必要ありがステップＳ６で判別され
れば、ステップＳ８の発光パワーテスト処理及びステッ
プＳ９の再生磁界テスト処理を行うようになる。上位装
置からリードのアクセス要求を受けた場合には、ステッ
プＳ１０に進んでリード要求が判別され、ステップＳ１
１以降のリード処理を行う。
【０１７８】このリード処理にあっては、ステップＳ１
１でまずテスト処理中か否かチェックする。テスト処理
中であればステップＳ１２でテスト処理を一旦中断し、
ステップＳ１３でリード処理を行う。リード処理が済ん
だならば、ステップＳ１４でリードエラーの有無をチェ
ックする。
１でまずテスト処理中か否かチェックする。テスト処理
中であればステップＳ１２でテスト処理を一旦中断し、
ステップＳ１３でリード処理を行う。リード処理が済ん
だならば、ステップＳ１４でリードエラーの有無をチェ
ックする。
【０１７９】もしリードエラーがあれば、ステップＳ１
５で再生磁界テスト処理を実行した後に、ステップＳ１
６でリトライ処理を行う。リードエラーがなければステ
ップＳ１７に進み、テスト処理中断を行ったか否かチェ
ックし、もしテスト処理を中断していれば、ステップＳ
１８で、中断した時点からテスト処理を再開する。
５で再生磁界テスト処理を実行した後に、ステップＳ１
６でリトライ処理を行う。リードエラーがなければステ
ップＳ１７に進み、テスト処理中断を行ったか否かチェ
ックし、もしテスト処理を中断していれば、ステップＳ
１８で、中断した時点からテスト処理を再開する。
【０１８０】このようにして一連のリード処理が済む
と、ステップＳ１９で媒体排出の有無をチェックし、媒
体排出がなければ、ステップＳ２０で装置停止指示の有
無をチェックした後、ステップＳ２に戻り、次の媒体投
入を待って同様な処理を繰り返す。一方、上位装置から
ライトアクセスの要求があった場合には、ステップＳ２
１に進んでライト要求を判断し、ステップＳ２２でライ
ト処理を行うようになる。
と、ステップＳ１９で媒体排出の有無をチェックし、媒
体排出がなければ、ステップＳ２０で装置停止指示の有
無をチェックした後、ステップＳ２に戻り、次の媒体投
入を待って同様な処理を繰り返す。一方、上位装置から
ライトアクセスの要求があった場合には、ステップＳ２
１に進んでライト要求を判断し、ステップＳ２２でライ
ト処理を行うようになる。
【０１８１】図３７は、図３５のステップＳ５における
テストの必要性判断処理のフローチャートである。テス
トの必要性判断処理にあっては、まずステップＳ１で現
在時刻を読み込み、ステップＳ２で光ディスクドライブ
の起動から前回のテスト処理までの時間Ａを算出する。
テストの必要性判断処理のフローチャートである。テス
トの必要性判断処理にあっては、まずステップＳ１で現
在時刻を読み込み、ステップＳ２で光ディスクドライブ
の起動から前回のテスト処理までの時間Ａを算出する。
【０１８２】ステップＳ３では、起動からの時間Ａを予
め定めた一定時間例えば２０秒で割ることで、単位時間
数Ｂに変換する。ステップＳ４にあっては、単位時間数
Ｂが８未満、即ち起動から最初のテストライトまでの時
間Ａが１６０秒未満か否かチェックする。１６０秒未満
であればステップＳ５に進み、単位時間数Ｂは４未満
か、即ち時間Ａは８０秒未満か否かチェックする。
め定めた一定時間例えば２０秒で割ることで、単位時間
数Ｂに変換する。ステップＳ４にあっては、単位時間数
Ｂが８未満、即ち起動から最初のテストライトまでの時
間Ａが１６０秒未満か否かチェックする。１６０秒未満
であればステップＳ５に進み、単位時間数Ｂは４未満
か、即ち時間Ａは８０秒未満か否かチェックする。
【０１８３】時間Ａが８０秒から１６０秒の間であった
場合には、ステップＳ６で単位時間数Ｂを３、即ち時間
Ａを６０秒にクリップして、ステップＳ７に進む。ステ
ップＳ５で時間Ａが８０秒未満であった場合には、その
ままステップＳ７に進む。ステップＳ７では、前回のテ
スト処理で決定されている最適値（発光パワー及び再生
磁界）の使用を保証する有効時間Ｃを算出する。
場合には、ステップＳ６で単位時間数Ｂを３、即ち時間
Ａを６０秒にクリップして、ステップＳ７に進む。ステ
ップＳ５で時間Ａが８０秒未満であった場合には、その
ままステップＳ７に進む。ステップＳ７では、前回のテ
スト処理で決定されている最適値（発光パワー及び再生
磁界）の使用を保証する有効時間Ｃを算出する。
【０１８４】この場合、有効時間Ｃは２０秒×２B （単
位時間数）とする。但し、有効時間の最大値は１６０秒
にリミットされる。この結果、テスト処理で決定された
最適値を保証する有効時間Ｃは、起動から最初のテスト
処理までの時間Ａが１６０秒未満であれば２B に対応し
た時間に設定される。１６０秒を超えた場合には、一定
の有効時間Ｃ＝１６０秒に固定される。
位時間数）とする。但し、有効時間の最大値は１６０秒
にリミットされる。この結果、テスト処理で決定された
最適値を保証する有効時間Ｃは、起動から最初のテスト
処理までの時間Ａが１６０秒未満であれば２B に対応し
た時間に設定される。１６０秒を超えた場合には、一定
の有効時間Ｃ＝１６０秒に固定される。
【０１８５】このような有効時間Ｃの算出は、光ディス
クドライブにローディングした媒体の媒体温度が装置内
温度に安定するまでに掛かる時間に応じて可変させてい
る。即ち、媒体をローディングした直後の初期段階にあ
っては、媒体と装置内の温度の間には差があることか
ら、この段階では装置内温度に基づいたテストは有効に
できないことから、起動時にはテスト処理は行わない。
ローディングした媒体の温度は１〜２分程度経過すると
装置内の温度に平衡してくる。
クドライブにローディングした媒体の媒体温度が装置内
温度に安定するまでに掛かる時間に応じて可変させてい
る。即ち、媒体をローディングした直後の初期段階にあ
っては、媒体と装置内の温度の間には差があることか
ら、この段階では装置内温度に基づいたテストは有効に
できないことから、起動時にはテスト処理は行わない。
ローディングした媒体の温度は１〜２分程度経過すると
装置内の温度に平衡してくる。
【０１８６】そこで光ディスクドライブ起動後の最初に
上位装置からライトコマンドが発行されたタイミングに
同期して最初のテスト処理を行う。起動後、上位装置か
らライトコマンドが発行されるタイミングは様々である
ことから、図３７のステップＳ１〜Ｓ７において、起動
から最初の発光調整までの時間Ａを求め、この時間Ａか
ら次回以降のテストタイミング判別のための有効時間Ｃ
を決めるようにしている。ステップＳ７で有効時間Ｃが
算出できたならば、ステップＳ８で、有効判定時刻Ｄを
前回のテストライト時刻に算出した有効時間Ｃを加えた
時刻として算出する。
上位装置からライトコマンドが発行されたタイミングに
同期して最初のテスト処理を行う。起動後、上位装置か
らライトコマンドが発行されるタイミングは様々である
ことから、図３７のステップＳ１〜Ｓ７において、起動
から最初の発光調整までの時間Ａを求め、この時間Ａか
ら次回以降のテストタイミング判別のための有効時間Ｃ
を決めるようにしている。ステップＳ７で有効時間Ｃが
算出できたならば、ステップＳ８で、有効判定時刻Ｄを
前回のテストライト時刻に算出した有効時間Ｃを加えた
時刻として算出する。
【０１８７】そしてステップＳ９で、現在時刻が有効判
定時刻Ｄを超えたか否か判定する。現在時刻が有効判定
時刻Ｄを超えていれば、ステップＳ１４に進んでテスト
処理フラグをオンし、図３０のステップＳ６にリターン
する。ステップＳ９で現在時刻が有効判定時刻Ｄに達し
ていない場合には、ステップＳ１７でテスト処理フラグ
をオフとする。
定時刻Ｄを超えたか否か判定する。現在時刻が有効判定
時刻Ｄを超えていれば、ステップＳ１４に進んでテスト
処理フラグをオンし、図３０のステップＳ６にリターン
する。ステップＳ９で現在時刻が有効判定時刻Ｄに達し
ていない場合には、ステップＳ１７でテスト処理フラグ
をオフとする。
【０１８８】またステップＳ４で単位時間数Ｂが８以
上、即ち１６０秒以上の場合には、ステップＳ１０に進
み、現在時刻から前回のテスト処理時刻を引いた時間が
１時間未満か否かチェックする。１時間未満であればス
テップＳ１１で現在温度を読み込み、ステップＳ１２で
前回温度に対し現在温度が±３℃の範囲内か否かチェッ
クする。
上、即ち１６０秒以上の場合には、ステップＳ１０に進
み、現在時刻から前回のテスト処理時刻を引いた時間が
１時間未満か否かチェックする。１時間未満であればス
テップＳ１１で現在温度を読み込み、ステップＳ１２で
前回温度に対し現在温度が±３℃の範囲内か否かチェッ
クする。
【０１８９】３℃以内であれば、ステップＳ１３でテス
ト処理フラグをオフし、テスト処理は行わない。前回温
度に対し±３℃の範囲を超える温度変動があった場合に
は、ステップＳ１４でテスト処理フラグをオンし、テス
ト処理を実行する。またステップＳ１０で現在時刻と前
回のテスト処理時刻との差が１時間以上の場合には、ス
テップＳ１４で強制的にテスト処理フラグをオンしてテ
スト処理を実行する。
ト処理フラグをオフし、テスト処理は行わない。前回温
度に対し±３℃の範囲を超える温度変動があった場合に
は、ステップＳ１４でテスト処理フラグをオンし、テス
ト処理を実行する。またステップＳ１０で現在時刻と前
回のテスト処理時刻との差が１時間以上の場合には、ス
テップＳ１４で強制的にテスト処理フラグをオンしてテ
スト処理を実行する。
【０１９０】尚、テスト処理の必要性判断処理で設定さ
れている各閾値時間は必要に応じて適宜に定めることが
できる。
れている各閾値時間は必要に応じて適宜に定めることが
できる。
【０１９１】図３８は、図１５のライト処理部１２４及
びライトリトライ処理部１２５によるライト処理のフロ
ーチャートである。このライト処理にあっては、ライト
処理部１２４がステップＳ１でレジスタ群１３５のライ
ト指示、トラック番号ＴＫ、セクタ番号ＳＳ、ゾーン番
号Ｚｉに基づき、目標セクタに光ビームを位置付けるシ
ーク動作を実行し、目標セクタに光ビームを位置付ける
と、ステップＳ２でイレーズを実行し、次にステップＳ
３でライトを実行し、最終的にステップＳ４でベリファ
イリードを実行する。ステップＳ５でベリファイ成功で
あればライト動作は正常終了となる。
びライトリトライ処理部１２５によるライト処理のフロ
ーチャートである。このライト処理にあっては、ライト
処理部１２４がステップＳ１でレジスタ群１３５のライ
ト指示、トラック番号ＴＫ、セクタ番号ＳＳ、ゾーン番
号Ｚｉに基づき、目標セクタに光ビームを位置付けるシ
ーク動作を実行し、目標セクタに光ビームを位置付ける
と、ステップＳ２でイレーズを実行し、次にステップＳ
３でライトを実行し、最終的にステップＳ４でベリファ
イリードを実行する。ステップＳ５でベリファイ成功で
あればライト動作は正常終了となる。
【０１９２】ステップＳ５でベリファイが不成功であっ
た場合には、ステップＳ６に進み、ベリファイリトライ
のためのリードリトライ処理を実行する。このリードリ
トライ処理は、図２６のリード処理の場合と同じにな
る。ステップＳ７でリードリトライが成功すれば、ステ
ップＳ１４に進み、成功したリードリトライのパラメー
タ設定情報を統計情報として保存し、図３４のフローチ
ャートに示した統計的更新処理に従ってパラメータの更
新を行う。
た場合には、ステップＳ６に進み、ベリファイリトライ
のためのリードリトライ処理を実行する。このリードリ
トライ処理は、図２６のリード処理の場合と同じにな
る。ステップＳ７でリードリトライが成功すれば、ステ
ップＳ１４に進み、成功したリードリトライのパラメー
タ設定情報を統計情報として保存し、図３４のフローチ
ャートに示した統計的更新処理に従ってパラメータの更
新を行う。
【０１９３】更にステップＳ１４で、テスト処理部１２
６における経過時間の初期化とテスト基準温度の更新
を、デフォルトパラメータの更新の対象となった成功し
たリードリトライの時点とそのときの装置内温度により
行う。
６における経過時間の初期化とテスト基準温度の更新
を、デフォルトパラメータの更新の対象となった成功し
たリードリトライの時点とそのときの装置内温度により
行う。
【０１９４】更に図３８のベリファイリトライとしての
リードリトライにあっては、ステップＳ８でパラメータ
の設定変更が限界値に達し、ステップＳ９で全パラメー
タの設定変更が済んでもリードリトライに成功しなかっ
た場合には、ステップＳ１０のライトリトライ処理を行
う。
リードリトライにあっては、ステップＳ８でパラメータ
の設定変更が限界値に達し、ステップＳ９で全パラメー
タの設定変更が済んでもリードリトライに成功しなかっ
た場合には、ステップＳ１０のライトリトライ処理を行
う。
【０１９５】このライトリトライ処理は、ライトパワー
を変化させながらイレーズ、ライト、ベリファイを繰り
返す。このライトリトライで成功すれば、ステップＳ１
１からステップＳ１４に進み、成功したライトリトライ
の設定変更したライトパワーをパラメータ設定情報とし
て保存し、ステップＳ１０におけるライトパワーの設定
変更もプラスへの変更とマイナスへの変更を交互に行っ
ていることから、図３４のフローチャートに示した統計
的更新処理に従って、ライトパワーのデフォルトに加算
するテストオフセットをライトリトライ成功の設定変更
したライトパワーに近付けるように更新する。またライ
トパワーを更新した場合には、ステップＳ１５でテスト
判断処理の初期化を行う。
を変化させながらイレーズ、ライト、ベリファイを繰り
返す。このライトリトライで成功すれば、ステップＳ１
１からステップＳ１４に進み、成功したライトリトライ
の設定変更したライトパワーをパラメータ設定情報とし
て保存し、ステップＳ１０におけるライトパワーの設定
変更もプラスへの変更とマイナスへの変更を交互に行っ
ていることから、図３４のフローチャートに示した統計
的更新処理に従って、ライトパワーのデフォルトに加算
するテストオフセットをライトリトライ成功の設定変更
したライトパワーに近付けるように更新する。またライ
トパワーを更新した場合には、ステップＳ１５でテスト
判断処理の初期化を行う。
【０１９６】一方、ステップＳ１０でライトパワーを設
定変更しながらライトリトライ処理を行ってもライトリ
トライが成功せず、ステップＳ１２でライトパワーの設
定変更が限界値に達した場合には、目標セクタについて
はリードリトライ及びライトリトライのいずれによって
も記録再生が成功しないことから、ステップＳ１３で不
良セクタの交替処理を行う。
定変更しながらライトリトライ処理を行ってもライトリ
トライが成功せず、ステップＳ１２でライトパワーの設
定変更が限界値に達した場合には、目標セクタについて
はリードリトライ及びライトリトライのいずれによって
も記録再生が成功しないことから、ステップＳ１３で不
良セクタの交替処理を行う。
【０１９７】図３９は、図３８のステップＳ１０のライ
トリトライ処理の詳細である。このライトリトライ処理
にあっては、図４０のような回数区分のリトライオフセ
ットテーブル１３２−４を使用してライトリトライを実
行する。このテーブルには、ライトリトライの１回目で
リトライオフセットΔＰｗとしてデフォルトの０％、即
ちデフォルトライトパワーをそのまま使用し、２回目は
＋３％、３回目は−３％、４回目は＋６％、５回目は−
６％としている。
トリトライ処理の詳細である。このライトリトライ処理
にあっては、図４０のような回数区分のリトライオフセ
ットテーブル１３２−４を使用してライトリトライを実
行する。このテーブルには、ライトリトライの１回目で
リトライオフセットΔＰｗとしてデフォルトの０％、即
ちデフォルトライトパワーをそのまま使用し、２回目は
＋３％、３回目は−３％、４回目は＋６％、５回目は−
６％としている。
【０１９８】更にライトパワーをプラスとマイナスに変
化させてもライトリトライに成功しなかった場合には、
６回目，７回目についてはテストライトを行う。このテ
ストライトは、図１５のテスト処理部１２６によりゾー
ン内の特定のテストトラックに光ビームを位置決めし、
ライトパワーを変化させながらイレーズ、ライト、ベリ
ファイを行って、最適なライトパワーを求める。
化させてもライトリトライに成功しなかった場合には、
６回目，７回目についてはテストライトを行う。このテ
ストライトは、図１５のテスト処理部１２６によりゾー
ン内の特定のテストトラックに光ビームを位置決めし、
ライトパワーを変化させながらイレーズ、ライト、ベリ
ファイを行って、最適なライトパワーを求める。
【０１９９】テストライトで最適ライトパワーを求めた
ならば、目標セクタに光ビームを戻し、テストライトで
求めた最適ライトパワーを使用したイレーズ、ライト、
ベリファイを行う。このテストライトによって、ライト
パワーはそのときの環境条件に応じた最適値となり、極
めて高いライトリトライの成功率が得られる。
ならば、目標セクタに光ビームを戻し、テストライトで
求めた最適ライトパワーを使用したイレーズ、ライト、
ベリファイを行う。このテストライトによって、ライト
パワーはそのときの環境条件に応じた最適値となり、極
めて高いライトリトライの成功率が得られる。
【０２００】尚、図１５のリードリトライ及びベリファ
イリトライにあっては、設定変更するパラメータとし
て、再生磁界、リードパワー、ライトパワー、フォーカ
スオフセット、更にリードＬＳＩの回路パラメータであ
るカットオフ周波数、ブースト、ウィンドウ、スライス
レベルを例にとっているが、これ以外のリード動作及び
ライト動作に必要な他のパラメータでもよいし、これら
の中のリトライ成功に有効な特定のパラメータの選択に
よる設定変更であってもよい。 ４．成功リトライの反映 図４１は、リードリトライ及びベリファイリトライで成
功したリトライ情報を統計情報として保存し、それ以降
の新たなリトライ時に統計情報の中から成功率の高いリ
ードリトライの条件を取り出してリトライ成功率を向上
させるようにした本発明の第３実施形態の機能ブロック
図である。
イリトライにあっては、設定変更するパラメータとし
て、再生磁界、リードパワー、ライトパワー、フォーカ
スオフセット、更にリードＬＳＩの回路パラメータであ
るカットオフ周波数、ブースト、ウィンドウ、スライス
レベルを例にとっているが、これ以外のリード動作及び
ライト動作に必要な他のパラメータでもよいし、これら
の中のリトライ成功に有効な特定のパラメータの選択に
よる設定変更であってもよい。 ４．成功リトライの反映 図４１は、リードリトライ及びベリファイリトライで成
功したリトライ情報を統計情報として保存し、それ以降
の新たなリトライ時に統計情報の中から成功率の高いリ
ードリトライの条件を取り出してリトライ成功率を向上
させるようにした本発明の第３実施形態の機能ブロック
図である。
【０２０１】この第３実施形態にあっては、リード動作
のためにリード処理部１７８が設けられ、リード処理部
１７８によるリード動作でエラーが発生した場合、リー
ドリトライ処理部１８０によってリードリトライを行う
ようにしている。
のためにリード処理部１７８が設けられ、リード処理部
１７８によるリード動作でエラーが発生した場合、リー
ドリトライ処理部１８０によってリードリトライを行う
ようにしている。
【０２０２】またライト動作のためにライト処理部１８
２が設けられ、ライト処理部１８２によるイレーズ、ラ
イト、ベリファイによりベリファイエラーが生じた時の
リードリトライのため、ライトリトライ処理部１８４が
設けられている。ライトリトライ処理部１８４によるベ
リファイリトライは、実質的にはリードリトライ処理部
１８０により実行される。
２が設けられ、ライト処理部１８２によるイレーズ、ラ
イト、ベリファイによりベリファイエラーが生じた時の
リードリトライのため、ライトリトライ処理部１８４が
設けられている。ライトリトライ処理部１８４によるベ
リファイリトライは、実質的にはリードリトライ処理部
１８０により実行される。
【０２０３】リード処理部１７８、リードリトライ処理
部１８０、ライト処理部１８２、ライトリトライ処理部
１８４に対しては、リード動作及びライト動作に必要な
各種のパラメータを格納したデフォルトテーブル１８
５、テストオフセットテーブル１８６、リトライオフセ
ットテーブル１８８が設けられる。
部１８０、ライト処理部１８２、ライトリトライ処理部
１８４に対しては、リード動作及びライト動作に必要な
各種のパラメータを格納したデフォルトテーブル１８
５、テストオフセットテーブル１８６、リトライオフセ
ットテーブル１８８が設けられる。
【０２０４】またリード動作及びライト動作に必要な各
種の制御指示のためレジスタ群１９２が設けられ、制御
指示としてリード指示、ライト指示、リトライ指示、媒
体種別、装置内温度Ｔ、トラック番号ＴＫ、セクタ番号
ＳＳ、ゾーン番号Ｚｉがセットされる。
種の制御指示のためレジスタ群１９２が設けられ、制御
指示としてリード指示、ライト指示、リトライ指示、媒
体種別、装置内温度Ｔ、トラック番号ＴＫ、セクタ番号
ＳＳ、ゾーン番号Ｚｉがセットされる。
【０２０５】更に、リード処理部１７８、リードリトラ
イ処理部１８０、ライトリトライ処理部１８４、ライト
処理部１８２に対しては、それぞれが制御するパラメー
タに対応してレジスタ１９４〜２１６が設けられ、また
レジスタの設定値をアナログ制御信号に変換するＤＡコ
ンバータ２１６〜２３２が設けられている。
イ処理部１８０、ライトリトライ処理部１８４、ライト
処理部１８２に対しては、それぞれが制御するパラメー
タに対応してレジスタ１９４〜２１６が設けられ、また
レジスタの設定値をアナログ制御信号に変換するＤＡコ
ンバータ２１６〜２３２が設けられている。
【０２０６】更に、リードリトライ処理部１８０及びラ
イトリトライ処理部１８４に対応してリトライ履歴テー
ブル１９０が設けられ、またリードリトライ処理部１８
０には、リードリトライ時またはベリファイリトライ時
に各種のパラメータを切り替えて設定変更しながらリー
ドリトライを行うためのリトライシーケンス１９５が予
め設定されている。
イトリトライ処理部１８４に対応してリトライ履歴テー
ブル１９０が設けられ、またリードリトライ処理部１８
０には、リードリトライ時またはベリファイリトライ時
に各種のパラメータを切り替えて設定変更しながらリー
ドリトライを行うためのリトライシーケンス１９５が予
め設定されている。
【０２０７】図４２は、ＭＳＲ媒体を対象とした図４１
のリトライシーケンス１９５−１と、これに対応するリ
トライオフセットテーブル１８８−１のリトライオフセ
ットである。リトライシーケンス１９５−１はシーケン
ス番号ＳＥＱ１〜ＳＥＱ１４に分けられており、対応し
て示すリトライオフセットテーブル１８８−１のよう
に、同じパラメータのリトライオフセットについてプラ
スとマイナスのオフセット値を交互に格納している。
のリトライシーケンス１９５−１と、これに対応するリ
トライオフセットテーブル１８８−１のリトライオフセ
ットである。リトライシーケンス１９５−１はシーケン
ス番号ＳＥＱ１〜ＳＥＱ１４に分けられており、対応し
て示すリトライオフセットテーブル１８８−１のよう
に、同じパラメータのリトライオフセットについてプラ
スとマイナスのオフセット値を交互に格納している。
【０２０８】例えばシーケンス番号ＳＥＱ１では再生磁
界のプラスのリトライオフセット＋ΔＨが設定され、次
のシーケンス番号ＳＥＱ１ではマイナスのリトライオフ
セット−ΔＨが設定されている。この点は残りのリード
パワーＰｒ、カットオフ周波数Ｆｃ、ブーストＦｂ、ス
ライスレベルＳ、ウィンドウＷ、フォーカスオフセット
ＦＣＯのリトライオフセットについても同様である。
界のプラスのリトライオフセット＋ΔＨが設定され、次
のシーケンス番号ＳＥＱ１ではマイナスのリトライオフ
セット−ΔＨが設定されている。この点は残りのリード
パワーＰｒ、カットオフ周波数Ｆｃ、ブーストＦｂ、ス
ライスレベルＳ、ウィンドウＷ、フォーカスオフセット
ＦＣＯのリトライオフセットについても同様である。
【０２０９】図４３は、ＭＳＲ媒体以外のＭＯ媒体を対
象としたリトライシーケンス１９５−２とリトライオフ
セットテーブル１８８−２であり、図４２のＭＳＲ媒体
における再生磁界のリトライオフセット＋ΔＨ，−ΔＨ
を除いており、したがってリトライシーケンス１９５−
２はシーケンス番号ＳＥＱ１〜ＳＥＱ１２の１２シーケ
ンスから成り立っている。
象としたリトライシーケンス１９５−２とリトライオフ
セットテーブル１８８−２であり、図４２のＭＳＲ媒体
における再生磁界のリトライオフセット＋ΔＨ，−ΔＨ
を除いており、したがってリトライシーケンス１９５−
２はシーケンス番号ＳＥＱ１〜ＳＥＱ１２の１２シーケ
ンスから成り立っている。
【０２１０】図４１のリトライ履歴テーブル１９２は、
例えば図４４の温度分割リトライ履歴テーブル１９０−
１のように、リトライ成功時の装置内温度Ｔの温度領域
に応じて、成功したリトライシーケンスのシーケンス番
号が格納されている。この成功したリトライシーケンス
のシーケンス番号は、例えば図４２のＭＳＲ媒体のリト
ライシーケンス１９５−１とリトライオフセット１８８
−１の対応から、成功したリトライのパラメータを特定
することができる。
例えば図４４の温度分割リトライ履歴テーブル１９０−
１のように、リトライ成功時の装置内温度Ｔの温度領域
に応じて、成功したリトライシーケンスのシーケンス番
号が格納されている。この成功したリトライシーケンス
のシーケンス番号は、例えば図４２のＭＳＲ媒体のリト
ライシーケンス１９５−１とリトライオフセット１８８
−１の対応から、成功したリトライのパラメータを特定
することができる。
【０２１１】例えば０℃以上１０℃未満の成功リトライ
シーケンスはシーケンス番号ＳＥＱ３であり、シーケン
ス番号ＳＥＱ３は図４２からリードパワーＰｒをリトラ
イオフセット＋ΔＰｒだけ変化させることによって、成
功したリトライであることが認識できる。
シーケンスはシーケンス番号ＳＥＱ３であり、シーケン
ス番号ＳＥＱ３は図４２からリードパワーＰｒをリトラ
イオフセット＋ΔＰｒだけ変化させることによって、成
功したリトライであることが認識できる。
【０２１２】このように装置内温度に分けて、成功した
リトライのシーケンス番号即ち成功したリトライパラメ
ータの設定値を保存しておくことで、次のリトライ時に
はそのときの装置内温度に対応したリトライシーケンス
でリトライを実行し、その結果、リトライの成功率を高
めることができる。
リトライのシーケンス番号即ち成功したリトライパラメ
ータの設定値を保存しておくことで、次のリトライ時に
はそのときの装置内温度に対応したリトライシーケンス
でリトライを実行し、その結果、リトライの成功率を高
めることができる。
【０２１３】特に１回のリードアクセスで、あるトラッ
クのセクタを連続的にリードする際に連続してリトライ
が発生したような場合には、１回目のリトライについて
成功したパラメータ設定情報が２回目のリトライで最初
に設定されるため、セクタの連続リードのように環境条
件に殆ど変化がないような場合には、２回目以降のリト
ライは１回のリトライで成功し、リトライの成功率を大
幅に高めることができる。
クのセクタを連続的にリードする際に連続してリトライ
が発生したような場合には、１回目のリトライについて
成功したパラメータ設定情報が２回目のリトライで最初
に設定されるため、セクタの連続リードのように環境条
件に殆ど変化がないような場合には、２回目以降のリト
ライは１回のリトライで成功し、リトライの成功率を大
幅に高めることができる。
【０２１４】図４５は、図４１のリトライ履歴テーブル
１９０の他の実施形態であり、ゾーン分割リトライ履歴
テーブル１９０−２としたことを特徴とする。即ち、Ｍ
Ｏ媒体及びＭＳＲ媒体にあっては、ＺＣＡＶ方式で記録
されているため、媒体ゾーンによって記録数が異なり、
極端な場合、最インナでのリードエラーのリトライに成
功しても、その結果を最アウタのリトライに適用しても
必ずしも成功する可能性はない。
１９０の他の実施形態であり、ゾーン分割リトライ履歴
テーブル１９０−２としたことを特徴とする。即ち、Ｍ
Ｏ媒体及びＭＳＲ媒体にあっては、ＺＣＡＶ方式で記録
されているため、媒体ゾーンによって記録数が異なり、
極端な場合、最インナでのリードエラーのリトライに成
功しても、その結果を最アウタのリトライに適用しても
必ずしも成功する可能性はない。
【０２１５】そこで図４５のように、ゾーンＺ０１〜Ｚ
１８に分割し、各ゾーンごとに成功したリトライシーケ
ンスのシーケンス番号を保存する。このため新たなリト
ライ時には、そのときのゾーン番号による同じゾーンで
成功した過去のリトライシーケンスのシーケンス番号を
認識し、同一ゾーンの成功結果を反映したリトライを行
うことでリトライの成功率を大幅に高めることができ
る。
１８に分割し、各ゾーンごとに成功したリトライシーケ
ンスのシーケンス番号を保存する。このため新たなリト
ライ時には、そのときのゾーン番号による同じゾーンで
成功した過去のリトライシーケンスのシーケンス番号を
認識し、同一ゾーンの成功結果を反映したリトライを行
うことでリトライの成功率を大幅に高めることができ
る。
【０２１６】図４６は、図４１のリトライ履歴テーブル
１９０の他の実施形態であり、媒体容量分割リトライ履
歴テーブル１９０−３としたことを特徴とする。本発明
の光学的記憶装置にあっては、１２８ＭＢ、２３０Ｍ
Ｂ、５４０ＭＢ、６４０ＭＢ、１．３ＧＢの媒体容量の
異なる媒体カートリッジをサポートしており、媒体容量
に応じて例えばトラックピッチが異なり、また書込み，
読出しのための各種のパラメータの最適値も異なること
から、媒体容量に分けて、成功したリトライシーケンス
のシーケンス番号、即ち成功したパラメータ設定情報を
保存することが望ましい。
１９０の他の実施形態であり、媒体容量分割リトライ履
歴テーブル１９０−３としたことを特徴とする。本発明
の光学的記憶装置にあっては、１２８ＭＢ、２３０Ｍ
Ｂ、５４０ＭＢ、６４０ＭＢ、１．３ＧＢの媒体容量の
異なる媒体カートリッジをサポートしており、媒体容量
に応じて例えばトラックピッチが異なり、また書込み，
読出しのための各種のパラメータの最適値も異なること
から、媒体容量に分けて、成功したリトライシーケンス
のシーケンス番号、即ち成功したパラメータ設定情報を
保存することが望ましい。
【０２１７】図４７は、図４１のリトライ履歴テーブル
１９０の他の実施形態であり、シーク距離分割リトライ
履歴テーブル１９０−４としたことを特徴とする。リー
ド動作の際のエラーが光ビームの位置付け動作によって
発生する場合、光ビームの移動するシーク距離により成
功するリトライに必要なパラメータの設定値が異なる。
１９０の他の実施形態であり、シーク距離分割リトライ
履歴テーブル１９０−４としたことを特徴とする。リー
ド動作の際のエラーが光ビームの位置付け動作によって
発生する場合、光ビームの移動するシーク距離により成
功するリトライに必要なパラメータの設定値が異なる。
【０２１８】そこで過去の成功したリトライのパラメー
タ設定情報をシーク距離で分けて保存しておくことで、
新たなリトライ発生時にそのときのシーク距離に適合し
た適切なリトライ成功のためのパラメータ設定情報を使
用して、高い成功率でリトライすることができる。
タ設定情報をシーク距離で分けて保存しておくことで、
新たなリトライ発生時にそのときのシーク距離に適合し
た適切なリトライ成功のためのパラメータ設定情報を使
用して、高い成功率でリトライすることができる。
【０２１９】図４７のシーク距離分割リトライ履歴テー
ブル１９０−４にあっては、例えばＭＳＲ媒体における
アウタからのトラック番号でシーク距離を分割してお
り、このシーク距離の分割に対応して、各シーク距離で
成功したリトライシーケンスのシーケンス番号を保存し
ている。
ブル１９０−４にあっては、例えばＭＳＲ媒体における
アウタからのトラック番号でシーク距離を分割してお
り、このシーク距離の分割に対応して、各シーク距離で
成功したリトライシーケンスのシーケンス番号を保存し
ている。
【０２２０】図４８は、図４１のリトライ履歴テーブル
１９０の他の実施形態であり、図４４〜図４７のリトラ
イ履歴テーブルにあっては、過去に成功したリトライシ
ーケンスのパラメータ設定情報のみを保存しているが、
この実施形態にあっては、過去に成功したリトライシー
ケンスの成功回数を、成功した設定パラメータを表わす
シーケンス番号ＳＥＱｉごとに保存したことを特徴とす
る。
１９０の他の実施形態であり、図４４〜図４７のリトラ
イ履歴テーブルにあっては、過去に成功したリトライシ
ーケンスのパラメータ設定情報のみを保存しているが、
この実施形態にあっては、過去に成功したリトライシー
ケンスの成功回数を、成功した設定パラメータを表わす
シーケンス番号ＳＥＱｉごとに保存したことを特徴とす
る。
【０２２１】図４８は温度分割リトライ履歴テーブル１
９０−５であり、成功リトライシーケンスＳＥＱｉとし
てシーケンス番号ｉ＝１〜１４を設けており、このシー
ケンス番号ＳＥＱ１〜１４は、例えば図４２のＭＳＲ媒
体のシーケンス番号に対応する各パラメータのリトライ
オフセットを意味する。
９０−５であり、成功リトライシーケンスＳＥＱｉとし
てシーケンス番号ｉ＝１〜１４を設けており、このシー
ケンス番号ＳＥＱ１〜１４は、例えば図４２のＭＳＲ媒
体のシーケンス番号に対応する各パラメータのリトライ
オフセットを意味する。
【０２２２】そして０℃から６０℃までの１０℃単位の
温度範囲のそれぞれについて、シーケンス番号ＳＥＱｉ
＝１〜１４のそれぞれにつき、過去に成功したリードリ
トライの成功回数が保存されている。例えば０℃以上１
０℃未満の温度範囲を見ると、シーケンス番号ＳＥＱ３
の成功回数が４回であり、このシーケンス番号ＳＥＱ３
は図４２からリードパワーＰｒを＋Δｐｒ変更させたパ
ラメータ設定値のリトライの成功回数を意味する。
温度範囲のそれぞれについて、シーケンス番号ＳＥＱｉ
＝１〜１４のそれぞれにつき、過去に成功したリードリ
トライの成功回数が保存されている。例えば０℃以上１
０℃未満の温度範囲を見ると、シーケンス番号ＳＥＱ３
の成功回数が４回であり、このシーケンス番号ＳＥＱ３
は図４２からリードパワーＰｒを＋Δｐｒ変更させたパ
ラメータ設定値のリトライの成功回数を意味する。
【０２２３】この図４８の温度分割リトライ履歴テーブ
ル１９０−５を使用したリトライ処理は、リトライ時の
装置温度に該当する成功リトライシーケンス番号ＳＥＱ
１〜１４の内、成功率の最も高いリトライシーケンスを
第１回目にリトライとし、１回目で不成功となったら、
次に成功回数の高いリトライシーケンスを実行し、以下
成功回数が高い順番から低い順番となるようにリトライ
シーケンスを実行することで、リトライの成功率を大幅
に高めることができる。
ル１９０−５を使用したリトライ処理は、リトライ時の
装置温度に該当する成功リトライシーケンス番号ＳＥＱ
１〜１４の内、成功率の最も高いリトライシーケンスを
第１回目にリトライとし、１回目で不成功となったら、
次に成功回数の高いリトライシーケンスを実行し、以下
成功回数が高い順番から低い順番となるようにリトライ
シーケンスを実行することで、リトライの成功率を大幅
に高めることができる。
【０２２４】図４９は、成功回数を保存したゾーン分割
リトライ履歴テーブル１９０−６の実施形態である。こ
の場合にもゾーンＺ００〜Ｚ１８に分けて成功リトライ
シーケンスＳＥＱ１〜１４ごとに過去の成功回数が保存
されており、新たなリトライ時には最も成功回数の高い
シーケンスＳＥＱｉから順番にリトライを実行する。
リトライ履歴テーブル１９０−６の実施形態である。こ
の場合にもゾーンＺ００〜Ｚ１８に分けて成功リトライ
シーケンスＳＥＱ１〜１４ごとに過去の成功回数が保存
されており、新たなリトライ時には最も成功回数の高い
シーケンスＳＥＱｉから順番にリトライを実行する。
【０２２５】図５０は、成功回数を保存した容量分割リ
トライ履歴テーブル１９０−７であり、同様に媒体容量
に対応したリトライシーケンスＳＥＱ１〜ＳＥＱ１４の
中の最も成功回数の高いリトライシーケンスから順番に
リトライを実行する。
トライ履歴テーブル１９０−７であり、同様に媒体容量
に対応したリトライシーケンスＳＥＱ１〜ＳＥＱ１４の
中の最も成功回数の高いリトライシーケンスから順番に
リトライを実行する。
【０２２６】ここで１．３ＧＢ媒体は、図４２に対応し
てリトライシーケンスＳＥＱ１〜１４について成功回数
を保存しているが、１２８ＭＢ、２３０ＭＢ、５４０Ｍ
Ｂ及び６４０ＭＢの各媒体については、図４３のように
リトライシーケンスＳＥＱ１〜１２について成功回数を
格納している。
てリトライシーケンスＳＥＱ１〜１４について成功回数
を保存しているが、１２８ＭＢ、２３０ＭＢ、５４０Ｍ
Ｂ及び６４０ＭＢの各媒体については、図４３のように
リトライシーケンスＳＥＱ１〜１２について成功回数を
格納している。
【０２２７】図５１は、図４１のリードリトライ処理を
含むリード処理のフローチャートである。ステップＳ１
で目標セクタにシーク動作を実行し、ステップＳ２で目
標セクタのリードを実行し、ステップＳ３でリード成功
であればリード動作を正常終了する。ステップＳ３でリ
ード不成功であれば、ステップＳ４に進み、リトライ履
歴テーブル１９０から成功率の高いリトライシーケンス
を選択し、ステップＳ５でリードリトライを実行する。
含むリード処理のフローチャートである。ステップＳ１
で目標セクタにシーク動作を実行し、ステップＳ２で目
標セクタのリードを実行し、ステップＳ３でリード成功
であればリード動作を正常終了する。ステップＳ３でリ
ード不成功であれば、ステップＳ４に進み、リトライ履
歴テーブル１９０から成功率の高いリトライシーケンス
を選択し、ステップＳ５でリードリトライを実行する。
【０２２８】ここで第１回目のリードリトライにあって
は、リトライ履歴情報が存在しないことから、この場合
には例えば図４２のリトライシーケンス１９５のシーケ
ンス番号に従ってリードリトライを実行する。リードリ
トライが１回でも成功すれば、リトライ履歴テーブル１
９０に成功したリトライシーケンスが格納されるため、
新たなリトライの際には前回成功したリトライシーケン
スを選択してリードリトライを実行するか、過去のリト
ライの中の成功率の最も高いリトライシーケンスから順
番に選択してリードリトライを実行する。
は、リトライ履歴情報が存在しないことから、この場合
には例えば図４２のリトライシーケンス１９５のシーケ
ンス番号に従ってリードリトライを実行する。リードリ
トライが１回でも成功すれば、リトライ履歴テーブル１
９０に成功したリトライシーケンスが格納されるため、
新たなリトライの際には前回成功したリトライシーケン
スを選択してリードリトライを実行するか、過去のリト
ライの中の成功率の最も高いリトライシーケンスから順
番に選択してリードリトライを実行する。
【０２２９】ステップＳ６でリトライが成功すれば、ス
テップＳ９で、成功したリトライシーケンスをリトライ
管理テーブル１９０に記憶して保存する。このときリト
ライ履歴テーブル１９０が図４４，図４５，図４６，図
４７の構造であれば、成功したリトライシーケンスのシ
ーケンス番号を対応する区分に格納して更新する。
テップＳ９で、成功したリトライシーケンスをリトライ
管理テーブル１９０に記憶して保存する。このときリト
ライ履歴テーブル１９０が図４４，図４５，図４６，図
４７の構造であれば、成功したリトライシーケンスのシ
ーケンス番号を対応する区分に格納して更新する。
【０２３０】また図４８，図４９，図５０の成功回数を
保存したテーブル構造であれば、温度、ゾーン、媒体容
量等の区分に対応した成功したシーケンス番号の成功回
数をインクリメントする。
保存したテーブル構造であれば、温度、ゾーン、媒体容
量等の区分に対応した成功したシーケンス番号の成功回
数をインクリメントする。
【０２３１】ステップＳ６でリトライが不成功であった
場合には、ステップＳ７で全シーケンスを選択するま
で、ステップＳ８で次に成功率の高いリトライシーケン
スを選択して、ステップＳ５のリードリトライ処理を行
う。 このとき図４８，図４９，図５０の成功回数を格
納したテーブル構造にあっては、成功率の高い順に順次
選択することができる、しかし、図４４〜図４７の最新
の成功リトライシーケンスのみを保存しているテーブル
構造では、１回目で成功したリトライシーケンスを選択
できるが、１回目でリトライが不成功になると２回目に
ついては固定的に決まったシーケンス番号の次のシーケ
ンスを選択することとなり、この場合には成功の可能性
は高まらない。
場合には、ステップＳ７で全シーケンスを選択するま
で、ステップＳ８で次に成功率の高いリトライシーケン
スを選択して、ステップＳ５のリードリトライ処理を行
う。 このとき図４８，図４９，図５０の成功回数を格
納したテーブル構造にあっては、成功率の高い順に順次
選択することができる、しかし、図４４〜図４７の最新
の成功リトライシーケンスのみを保存しているテーブル
構造では、１回目で成功したリトライシーケンスを選択
できるが、１回目でリトライが不成功になると２回目に
ついては固定的に決まったシーケンス番号の次のシーケ
ンスを選択することとなり、この場合には成功の可能性
は高まらない。
【０２３２】そこで図４４〜図４７についても、それ以
前に成功した異なるパラメータの成功シーケンス番号を
保存しておき、１回目のリトライで不成功であれば、２
回目については前々回に成功した別のシーケンスを選択
してリトライするようにしてもよい。
前に成功した異なるパラメータの成功シーケンス番号を
保存しておき、１回目のリトライで不成功であれば、２
回目については前々回に成功した別のシーケンスを選択
してリトライするようにしてもよい。
【０２３３】図５２は、図４１のライト処理部１８２及
びライトリトライ処理部１８４によるライト処理のフロ
ーチャートである。ステップＳ１で目標セクタに光ビー
ムを位置付けるシーク動作を実行し、ステップＳ２で目
標セクタのイレーズを実行し、ステップＳ３でライトを
実行し、ステップＳ４でベリファイリードを実行する。
ステップＳ５でベリファイ成功が判別されると、ライト
動作は正常終了となる。
びライトリトライ処理部１８４によるライト処理のフロ
ーチャートである。ステップＳ１で目標セクタに光ビー
ムを位置付けるシーク動作を実行し、ステップＳ２で目
標セクタのイレーズを実行し、ステップＳ３でライトを
実行し、ステップＳ４でベリファイリードを実行する。
ステップＳ５でベリファイ成功が判別されると、ライト
動作は正常終了となる。
【０２３４】ステップＳ５でベリファイ不成功であれ
ば、ステップＳ６に進み、ベリファイリトライとしてリ
ードリトライ処理を実行する。このステップＳ７〜Ｓ１
２におけるベリファイリトライとしてのリードリトライ
処理も、図５１のリード処理におけるステップＳ５〜Ｓ
１０のリードリトライ処理と同じになる。
ば、ステップＳ６に進み、ベリファイリトライとしてリ
ードリトライ処理を実行する。このステップＳ７〜Ｓ１
２におけるベリファイリトライとしてのリードリトライ
処理も、図５１のリード処理におけるステップＳ５〜Ｓ
１０のリードリトライ処理と同じになる。
【０２３５】また図５２のベリファイリトライのための
リードリトライ処理について、リードリトライを行って
もリトライ不成功であった場合には、図３８のステップ
Ｓ１０及び図３９に示したように、ライトリトライを行
うようにしてもよい。
リードリトライ処理について、リードリトライを行って
もリトライ不成功であった場合には、図３８のステップ
Ｓ１０及び図３９に示したように、ライトリトライを行
うようにしてもよい。
【０２３６】尚、本発明は上記の実施形態に限定され
ず、その目的と利点を損なわない範囲の適宜の変形を含
む。また本発明は、上記の実施形態に示した数値による
限定は受けない。
ず、その目的と利点を損なわない範囲の適宜の変形を含
む。また本発明は、上記の実施形態に示した数値による
限定は受けない。
【０２３７】
【発明の効果】以上説明してきたように本発明によれ
ば、ＭＳＲ媒体のリードリトライの際に再生磁界の値を
変更し、変更した再生磁界でリードリトライを行うこと
でリトライを成功させ、リトライアウトによってリード
エラーが発生する頻度を大幅に低減して、安定したリー
ド動作を保証することができる。
ば、ＭＳＲ媒体のリードリトライの際に再生磁界の値を
変更し、変更した再生磁界でリードリトライを行うこと
でリトライを成功させ、リトライアウトによってリード
エラーが発生する頻度を大幅に低減して、安定したリー
ド動作を保証することができる。
【０２３８】また本発明は、リードリトライが成功した
ら成功時のパラメータ設定値を統計情報として保存し、
この統計情報の学習処理により、パラメータをリトライ
成功となったパラメータ設定値に近付けるように自動的
に更新してリトライ成功条件をパラメータの決定に反映
させることで、リードリトライの成功までの回数を低減
して成功率を高め、リトライ失敗によるリードエラーの
発生頻度を低減し、リード動作の安定性を向上できる。
ら成功時のパラメータ設定値を統計情報として保存し、
この統計情報の学習処理により、パラメータをリトライ
成功となったパラメータ設定値に近付けるように自動的
に更新してリトライ成功条件をパラメータの決定に反映
させることで、リードリトライの成功までの回数を低減
して成功率を高め、リトライ失敗によるリードエラーの
発生頻度を低減し、リード動作の安定性を向上できる。
【０２３９】更に本発明は、過去のリードリトライにつ
いて成功したリトライ情報を保存し、新たなリトライ時
に、保存している成功したリトライ情報を使用してリー
ドリトライを行うことで、複数種類のパラメータを切り
替えて設定変更しながら行うリードリトライの成功率が
飛躍的に高まり、複数種類のパラメータを固定的に切り
替えて設定変更しながら行うリトライに比べ、成功する
までのリトライ回数が大幅に低減し、リトライ実施時間
を大幅に短縮できる。
いて成功したリトライ情報を保存し、新たなリトライ時
に、保存している成功したリトライ情報を使用してリー
ドリトライを行うことで、複数種類のパラメータを切り
替えて設定変更しながら行うリードリトライの成功率が
飛躍的に高まり、複数種類のパラメータを固定的に切り
替えて設定変更しながら行うリトライに比べ、成功する
までのリトライ回数が大幅に低減し、リトライ実施時間
を大幅に短縮できる。
【図１】本発明の原理説明図
【図２】本発明による光ディスクドライブのブロック図
【図３】ＭＯカートリッジをローディングした装置内部
構造の説明図
構造の説明図
【図４】ＭＳＲ媒体のリードリトライ処理を実行する第
１実施形態の機能ブロック図
１実施形態の機能ブロック図
【図５】ゾーン分割したデフォルトテーブルの説明図
【図６】ゾーン分割したテストリードオフセットのテー
ブル説明図
ブル説明図
【図７】リトライ回数毎にリトライオフセットを設定し
たテーブルの説明図
たテーブルの説明図
【図８】図７のテーブルの具体例の説明図
【図９】テストリードによりＮＣＲ特性に基づく再生磁
界最適値の算出処理の説明図
界最適値の算出処理の説明図
【図１０】テストリードによりビット不一致数の特性に
基づく再生磁界最適値の算出処理の説明図
基づく再生磁界最適値の算出処理の説明図
【図１１】エリア分割したデフォルトテーブルの説明図
【図１２】エリア分割したテストリードオフセットのテ
ーブル説明図
ーブル説明図
【図１３】装置内温度で分割したテストリードオフセッ
トのテーブル説明図
トのテーブル説明図
【図１４】図４の第１実施例による磁界調整のリードリ
トライ処理のフローチャート
トライ処理のフローチャート
【図１５】成功したリードリトライの統計情報の学習に
よりパラメータを更新する第２実施形態の機能ブロック
図
よりパラメータを更新する第２実施形態の機能ブロック
図
【図１６】ゾーン分割した各種パラメータのデフォルト
を格納したテーブルの説明図
を格納したテーブルの説明図
【図１７】ゾーン分割した各種パラメータのテストリー
ドオフセットを格納したテーブルの説明図
ドオフセットを格納したテーブルの説明図
【図１８】ゾーン分割した各種パラメータのリトライオ
フセットを格納したテーブルの説明図
フセットを格納したテーブルの説明図
【図１９】リトライオフセットでパラメータを設定変更
するリードＬＳＩの回路ブロック図
するリードＬＳＩの回路ブロック図
【図２０】エリア分割した各種パラメータのデフォルト
を格納したテーブルの説明図
を格納したテーブルの説明図
【図２１】エリア分割した各種パラメータのテストリー
ドオフセットを格納したテーブルの説明図
ドオフセットを格納したテーブルの説明図
【図２２】ゾーン分割した各種パラメータのリトライオ
フセットを格納したテーブルの説明図
フセットを格納したテーブルの説明図
【図２３】装置内温度で分割した各種パラメータのデフ
ォルトを格納したテーブルの説明図
ォルトを格納したテーブルの説明図
【図２４】装置内温度で分割した各種パラメータのテス
トリードオフセットを格納したテーブルの説明図
トリードオフセットを格納したテーブルの説明図
【図２５】装置内温度で分割した各種パラメータのリト
ライオフセットを格納したテーブルの説明図
ライオフセットを格納したテーブルの説明図
【図２６】図１５の第２実施形態によるリードリトライ
を含むリード処理のフローチャート
を含むリード処理のフローチャート
【図２７】再生磁界を設定変更するリードリトライのフ
ローチャート
ローチャート
【図２８】リードパワーを設定変更するリードリトライ
のフローチャート
のフローチャート
【図２９】ＬＰＦのカットオフ周波数を設定変更するリ
ードリトライのフローチャート
ードリトライのフローチャート
【図３０】ＬＰＦのブーストを設定変更するリードリト
ライのフローチャート
ライのフローチャート
【図３１】スライスレベルを設定変更するリードリトラ
イのフローチャート
イのフローチャート
【図３２】データ弁別器のウィンドウを設定変更するリ
ードリトライのフローチャート
ードリトライのフローチャート
【図３３】フォーカスオフセットを設定変更するリード
リトライのフローチャート
リトライのフローチャート
【図３４】図１５のリトライ成功の統計情報に基づくパ
ラメータ更新処理のフローチャート
ラメータ更新処理のフローチャート
【図３５】図１５のテスト処理部によるパラメータ更新
処理を含む処理動作のフローチャート
処理を含む処理動作のフローチャート
【図３６】図３５のテスト処理に先立つディスク起動処
理のフローチャート
理のフローチャート
【図３７】図３５のテスト処理の必要性判断のフローチ
ャート
ャート
【図３８】図１５の第２実施例におけるライトリトライ
を含むライト処理のフローチャート
を含むライト処理のフローチャート
【図３９】図３８のライトリトライ処理のフローチャー
ト
ト
【図４０】ライトリトライ回数に対するライトリトライ
オフセットのテーブル説明図
オフセットのテーブル説明図
【図４１】成功した過去のリトライ情報を反映してリー
ドリトライを実行する第３実施形態の機能ブロック図
ドリトライを実行する第３実施形態の機能ブロック図
【図４２】ＭＳＲ媒体を対象としたリトライシーケンス
と設定変更するパラメータのリトライオフセットの対応
説明図
と設定変更するパラメータのリトライオフセットの対応
説明図
【図４３】ＭＯ媒体を対象としたリトライシーケンスと
設定変更するパラメータのリトライオフセットの対応説
明図
設定変更するパラメータのリトライオフセットの対応説
明図
【図４４】装置内温度で分割してリトライ成功のパラメ
ータ情報を格納した履歴テーブルの説明図
ータ情報を格納した履歴テーブルの説明図
【図４５】ゾーン分割してリトライ成功のパラメータ情
報を格納した履歴テーブルの説明図
報を格納した履歴テーブルの説明図
【図４６】媒体容量で分割してリトライ成功のパラメー
タ情報を格納した履歴テーブルの説明図
タ情報を格納した履歴テーブルの説明図
【図４７】シーク距離で分割してリトライ成功のパラメ
ータ情報を格納した履歴テーブルの説明図
ータ情報を格納した履歴テーブルの説明図
【図４８】装置内温度で分割して各パラメータのリトラ
イ成功回数を格納した履歴テーブルの説明図
イ成功回数を格納した履歴テーブルの説明図
【図４９】ゾーン分割して各パラメータのリトライ成功
回数を格納した履歴テーブルの説明図
回数を格納した履歴テーブルの説明図
【図５０】媒体容量で分割して各パラメータのリトライ
成功回数を格納した履歴テーブルの説明図
成功回数を格納した履歴テーブルの説明図
【図５１】図４１の過去に成功したリトライ情報を反映
したリードリトライを含むリード処理のフローチャート
したリードリトライを含むリード処理のフローチャート
【図５２】図４１の過去に成功したリトライ情報を反映
したベリファイリトライを含むリード処理のフローチャ
ート
したベリファイリトライを含むリード処理のフローチャ
ート
【図５３】ＭＳＲ媒体のＦＡＤ再生動作の説明図
【図５４】ＭＳＲ媒体のダブルマスクＲＡＤ再生動作の
説明図
説明図
１０：コントローラ １１：エンクロージャ １２：ＭＰＵ １４：光ディスクコントローラ（ＯＤＣ） １５：上位インタフェース １６：ＤＳＰ １８：バッファメモリ ２０：リードＬＳＩ ２４：ライトＬＳＩ ３０：レーザダイオードユニット ３２：ＩＤ／ＭＯ用ディテクタ ３４：ヘッドアンプ ３６：温度センサ ３８，４２，５４，５８，６２：ドライバ ４０：スピンドルモータ ４４：磁界印加部（電磁石等） ４６：多分割ディテクタ ４８：ＦＥＳ検出回路 ５０：ＴＥＳ検出回路 ５４：ＴＺＣ検出回路 ６０：フォーカスアクチュエータ ６４：レンズアクチェータ ６８：ＶＣＭ（キャリッジアクチュエータ） ６７：ハウジング ６９：インレットドア ７０：ＭＯカートリッジ ７２：ＭＯ媒体 ７６：キャリッジ ７８：固定光学系 ８０：対物レンズ ８４，１２０，１７８：リード処理部 ８６，１２２，１８０：リードリトライ処理部 ８８，１２８，１８５：デフォルトテーブル ９０，１３２，１８６：テストオフセットテーブル ９２，１３４，１８８：リトライオフセットテーブル ９４，１３５，１９２：レジスタ群 １２４，１８２：ライト処理部 １２５，１８４：ライトリトライ処理部 １２６：テスト処理部 １３４，１９２：リトライ履歴テーブル
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年８月９日（１９９９．８．９）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】光ディスクは例えば３．５インチ片面で１
２８ＭＢ，２３０ＭＢ、５４０ＭＢ、６４０ＭＢの記憶
容量を持っている。ここで１２８ＭＢ媒体、２３０ＭＢ
媒体はピットポジション変調記録（ＰＰＭ記録）であ
り、５４０ＢＭ媒体、６４０ＭＢ媒体はパルス幅変調記
録（ＰＷＭ記録）である。
２８ＭＢ，２３０ＭＢ、５４０ＭＢ、６４０ＭＢの記憶
容量を持っている。ここで１２８ＭＢ媒体、２３０ＭＢ
媒体はピットポジション変調記録（ＰＰＭ記録）であ
り、５４０ＢＭ媒体、６４０ＭＢ媒体はパルス幅変調記
録（ＰＷＭ記録）である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】現行の波長６７０ｎｍでビーム径よりも小
さなピットを再生する方法として特開平３−９３０５８
号に代表される光磁気記録再生方法があり、超解像技術
（ＭＳＲ：Magnetically induced Super Resolution ）
による記録再生方法として知られている。これにはＦＡ
Ｄ(Front Aparture Detection ）方式とＲＡＤ(RearApe
rture Detection)方式の２つの方法がある。
さなピットを再生する方法として特開平３−９３０５８
号に代表される光磁気記録再生方法があり、超解像技術
（ＭＳＲ：Magnetically induced Super Resolution ）
による記録再生方法として知られている。これにはＦＡ
Ｄ(Front Aparture Detection ）方式とＲＡＤ(RearApe
rture Detection)方式の２つの方法がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】ＦＡＤ方式は、図５３（Ａ）（Ｂ）のよう
に、ＭＳＲ媒体を基板３１１上で記録層３２０と再生層
３１６に分け、リードビームのレーザスポット３２２を
照射した状態で、再生磁界Ｈｒを加えて再生する。この
とき再生層３１６が記録ピットの部分については、レー
ザスポット３２２による媒体加熱の温度分布に依存して
記録層３２０との境界に形成されるスイッチ層（Switch
ing Layer)３１８の磁気的な結合が切れ、再生磁界Ｈｒ
の影響を受けてマスクとなる。
に、ＭＳＲ媒体を基板３１１上で記録層３２０と再生層
３１６に分け、リードビームのレーザスポット３２２を
照射した状態で、再生磁界Ｈｒを加えて再生する。この
とき再生層３１６が記録ピットの部分については、レー
ザスポット３２２による媒体加熱の温度分布に依存して
記録層３２０との境界に形成されるスイッチ層（Switch
ing Layer)３１８の磁気的な結合が切れ、再生磁界Ｈｒ
の影響を受けてマスクとなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】これに対し次の記録ピットの部分について
はスイッチ層３１８の磁気的な結合は保ったままであ
り、アパーチャ（開口）３２４となる。このためレーザ
スポット３２２のように、隣接するピット３２８の影響
を受けることなくアパーチャ３２４のピット３３０のみ
を読み取ることができる。
はスイッチ層３１８の磁気的な結合は保ったままであ
り、アパーチャ（開口）３２４となる。このためレーザ
スポット３２２のように、隣接するピット３２８の影響
を受けることなくアパーチャ３２４のピット３３０のみ
を読み取ることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】一方、ダブルマスクＲＡＤ方式は、図５４
（Ａ）（Ｂ）のように、基板３１１上の再生層３１６、
中間層３１７及び記録層３２０の３層から構成されてい
る。再生時の再生レーザパワーを若干高くしてリードす
る。このリード時には、リードビームのレーザスポット
３３４による媒体加熱の温度分布に依存し、再生層３１
６にはフロントマスク３３６、記録層３２０の磁化情報
が再生層３１６に転写されるアパーチャ３３８及びリア
マスク３３７が形成される。
（Ａ）（Ｂ）のように、基板３１１上の再生層３１６、
中間層３１７及び記録層３２０の３層から構成されてい
る。再生時の再生レーザパワーを若干高くしてリードす
る。このリード時には、リードビームのレーザスポット
３３４による媒体加熱の温度分布に依存し、再生層３１
６にはフロントマスク３３６、記録層３２０の磁化情報
が再生層３１６に転写されるアパーチャ３３８及びリア
マスク３３７が形成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】即ち、リードビームレーザスポット３３４
による低温のフロントマスク３３６では、再生磁界３３
２によって再生層３１６が初期化されているので、信号
は得られない。中間温度のアパーチャ３３８では、中間
層３１７が垂直磁化されるため結合力が強まり、記録層
３２０の磁化情報が再生層３１６に転写され、信号が得
られる。高温のリアマスク３３７では、中間層３１７の
キュリー温度に近いので、記録層３２０と再生層３１６
の結合力が小さくなり、再生層３１６の磁化は再生磁界
３３２の方向に揃う。
による低温のフロントマスク３３６では、再生磁界３３
２によって再生層３１６が初期化されているので、信号
は得られない。中間温度のアパーチャ３３８では、中間
層３１７が垂直磁化されるため結合力が強まり、記録層
３２０の磁化情報が再生層３１６に転写され、信号が得
られる。高温のリアマスク３３７では、中間層３１７の
キュリー温度に近いので、記録層３２０と再生層３１６
の結合力が小さくなり、再生層３１６の磁化は再生磁界
３３２の方向に揃う。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなＭＳＲ媒体を用いた従来の光ディスク装置にあって
は、再生時に使用する再生磁界とリードパワーを厳密に
制御しなければ、適切な再生動作ができないという問題
がある。その理由は、例えば図５３（Ａ）（Ｂ）のＦＡ
Ｄ方式でレーザビームの再生パワーＰｒが低すぎた場
合、再生層３１６の磁化による図５３（Ｂ）のマスク３
２６の形成範囲が小さくなり、ピット３２８がマスクさ
れずにクロストークを起こす。
うなＭＳＲ媒体を用いた従来の光ディスク装置にあって
は、再生時に使用する再生磁界とリードパワーを厳密に
制御しなければ、適切な再生動作ができないという問題
がある。その理由は、例えば図５３（Ａ）（Ｂ）のＦＡ
Ｄ方式でレーザビームの再生パワーＰｒが低すぎた場
合、再生層３１６の磁化による図５３（Ｂ）のマスク３
２６の形成範囲が小さくなり、ピット３２８がマスクさ
れずにクロストークを起こす。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】また再生パワーおよび再生磁界が強すぎた
場合には、再生層３１６の初期化磁界のビーム加熱によ
る消去範囲が狭くなってフロントマスク３３６の形成範
囲が広がり、ピット３２８も部分的にマスクするように
なり、アパーチャ３３８が小さくなり、再生レベルが低
下してエラーとなる。同時に再生パワーが強すぎると記
録層３２０にも作用し、記録データを消しかねない。
場合には、再生層３１６の初期化磁界のビーム加熱によ
る消去範囲が狭くなってフロントマスク３３６の形成範
囲が広がり、ピット３２８も部分的にマスクするように
なり、アパーチャ３３８が小さくなり、再生レベルが低
下してエラーとなる。同時に再生パワーが強すぎると記
録層３２０にも作用し、記録データを消しかねない。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】この現象は再生磁界や再生パワーを調整す
るだけでは不十分であり、記憶媒体の温度を決める装置
内部の環境温度にも依存する。即ち、装置内の環境温度
が低温側に変化すると再生層のアパーチャ形成温度まで
加熱するためのレーザパワーが必要となる。逆に環境温
度が高温側に変化すると再生層のリアマスク形成温度ま
での加熱は少しでよいため再生パワーを低くする必要が
ある。
るだけでは不十分であり、記憶媒体の温度を決める装置
内部の環境温度にも依存する。即ち、装置内の環境温度
が低温側に変化すると再生層のアパーチャ形成温度まで
加熱するためのレーザパワーが必要となる。逆に環境温
度が高温側に変化すると再生層のリアマスク形成温度ま
での加熱は少しでよいため再生パワーを低くする必要が
ある。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２３】同様なリードリトライの問題は、ライト動
作がイレーズ、ライト、及びベリファイを行うことか
ら、ベリファイでエラーとなったときのベリファイリト
ライでも生ずる。
作がイレーズ、ライト、及びベリファイを行うことか
ら、ベリファイでエラーとなったときのベリファイリト
ライでも生ずる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３４】リードリトライ処理部８６は、テストリー
ドにより最適再生パワー又は最適再生磁界のテストオフ
セットΔＰｒ１、ΔＨ１を決定し、所定のデフォルト値
Ｐｒ、ＨにテストオフセットΔＰｒ１，ΔＨ１と所定の
リトライオフセットΔＰｒ２、ΔＨ２を加算した再生パ
ワー（Ｐｒ＋ΔＰｒ１＋ΔＰｒ２）又は再生磁界（Ｈ＋
ΔＨ１＋ΔＨ２）に変更する。
ドにより最適再生パワー又は最適再生磁界のテストオフ
セットΔＰｒ１、ΔＨ１を決定し、所定のデフォルト値
Ｐｒ、ＨにテストオフセットΔＰｒ１，ΔＨ１と所定の
リトライオフセットΔＰｒ２、ΔＨ２を加算した再生パ
ワー（Ｐｒ＋ΔＰｒ１＋ΔＰｒ２）又は再生磁界（Ｈ＋
ΔＨ１＋ΔＨ２）に変更する。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３５】このようにリードリトライ時にテストリー
ドで、そのときの使用条件に適合した最適再生パワーま
たは最適再生磁界を決定した後に、最適再生パワーまた
は最適再生磁界をリトライ用に変更して再度リードする
ことで、実際の使用条件の変化に適合した最適再生パワ
ーまたは最適再生磁界に変更でき、学習が進むにしたが
って、少ないリトイラ回数でリードを成功させることが
できる。
ドで、そのときの使用条件に適合した最適再生パワーま
たは最適再生磁界を決定した後に、最適再生パワーまた
は最適再生磁界をリトライ用に変更して再度リードする
ことで、実際の使用条件の変化に適合した最適再生パワ
ーまたは最適再生磁界に変更でき、学習が進むにしたが
って、少ないリトイラ回数でリードを成功させることが
できる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４５】例えばリトライ１回目は、そのときのパラ
メータ設定値（＝デフォルト＋テストオフセット）にリ
トライオフセットを加算し、不成功となったリトライ２
回目では、パラメータ設定値（＝デフォルト＋テストオ
アフセット）からリトライオフセットを減算する。これ
によりパラメータ設定値を中心としたプラス、マイナス
の同程度の範囲でパラメータを設定変更してリトライ成
功の機会を増加させ、少ないリトライ回数で成功させて
成功率を高める。
メータ設定値（＝デフォルト＋テストオフセット）にリ
トライオフセットを加算し、不成功となったリトライ２
回目では、パラメータ設定値（＝デフォルト＋テストオ
アフセット）からリトライオフセットを減算する。これ
によりパラメータ設定値を中心としたプラス、マイナス
の同程度の範囲でパラメータを設定変更してリトライ成
功の機会を増加させ、少ないリトライ回数で成功させて
成功率を高める。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４９】リトライ処理部は、パラメータ設定値を、
光記憶媒体にフォーマットされた各ゾーン、光記憶体の
記録領域を複数のエリアに分化した各エリア、装置内の
温度の少なくともいずれかに応じて設定変更する。
光記憶媒体にフォーマットされた各ゾーン、光記憶体の
記録領域を複数のエリアに分化した各エリア、装置内の
温度の少なくともいずれかに応じて設定変更する。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５０】このためリトライ処理部は、パラメータ設
定値（デフォルト＋テストオフセット）とパラメータの
設定変更に使用するリトライオフセットを、例えば図１
（Ｃ）のように、光記憶媒体にフォーマットされた各ゾ
ーン、光記憶媒体の記録領域を複数のエリアに分化した
各エリア、装置内の温度に応じて予め準備し、リトライ
時のゾーン、エリア、装置内温度に基づき、対応するパ
ラメータ設定値にリトライオフセットを加算してパラメ
ータを設定変更する。
定値（デフォルト＋テストオフセット）とパラメータの
設定変更に使用するリトライオフセットを、例えば図１
（Ｃ）のように、光記憶媒体にフォーマットされた各ゾ
ーン、光記憶媒体の記録領域を複数のエリアに分化した
各エリア、装置内の温度に応じて予め準備し、リトライ
時のゾーン、エリア、装置内温度に基づき、対応するパ
ラメータ設定値にリトライオフセットを加算してパラメ
ータを設定変更する。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５２】本発明の光学的記憶装置は、更に、図１
（Ｂ）のように、テストリードにより最適パラメータ設
定値を与えるデフォルトに加算するテストオフセットを
決定し、テストリードからの経過時間が所定時間に達し
た時、又はテストリード時の装置温度を基準温度とした
所定値を越える温度変化が発生した時に次のテストリー
ドを行うテスト処理部１２６を備える。
（Ｂ）のように、テストリードにより最適パラメータ設
定値を与えるデフォルトに加算するテストオフセットを
決定し、テストリードからの経過時間が所定時間に達し
た時、又はテストリード時の装置温度を基準温度とした
所定値を越える温度変化が発生した時に次のテストリー
ドを行うテスト処理部１２６を備える。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００６７】本発明の光学的記憶装置において、光記憶
媒体としてレーザビームのビーム系より小さい記録密度
で記録するＭＳＲ媒体（磁気超解像媒体）を使用した場
合、パラメータとして、再生磁界、リードパワー、ロー
パスフィルタのカットオフ周波数とブースト、スライス
回路のスライスレベル、データ弁別器のウィンドウ値
（ウィンドウ遅延時間）、フォーカスオフセットを切り
替えて設定変更しながらリトライを実行する。
媒体としてレーザビームのビーム系より小さい記録密度
で記録するＭＳＲ媒体（磁気超解像媒体）を使用した場
合、パラメータとして、再生磁界、リードパワー、ロー
パスフィルタのカットオフ周波数とブースト、スライス
回路のスライスレベル、データ弁別器のウィンドウ値
（ウィンドウ遅延時間）、フォーカスオフセットを切り
替えて設定変更しながらリトライを実行する。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００７０】リトライ処理部は、成功したリトライにお
けるパラメータ設定の統計情報を、装置内温度、媒体に
フォーマットされた各ゾーン、光記憶媒体の種別、又は
シーク距離に応じて保存する。リトライに使用する各種
パラメータは、装置内温度、媒体ゾーン、光記憶媒体の
種別、又はシーク距離の条件によりリトライ成功率が異
なることから、各条件に応じて使い分けることで、リト
ライ成功率を更に向上できる。
けるパラメータ設定の統計情報を、装置内温度、媒体に
フォーマットされた各ゾーン、光記憶媒体の種別、又は
シーク距離に応じて保存する。リトライに使用する各種
パラメータは、装置内温度、媒体ゾーン、光記憶媒体の
種別、又はシーク距離の条件によりリトライ成功率が異
なることから、各条件に応じて使い分けることで、リト
ライ成功率を更に向上できる。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００７３】媒体種別については、例えばＭＯ媒体とし
て１２８ＭＢ媒体、２３０ＭＢ媒体、５４０ＭＢ媒体、
６４０ＭＢ媒体があり、１２８ＭＢ媒体と２３０ＭＢ媒
体はＰＰＭ記録、５４０ＭＢ媒体と６４０ＭＢ媒体とＰ
ＷＭ記録である。更に１．３ＧＢのＭＳＲ媒体がある。
このように媒体種別が異なると記録再生の手法が異なる
ことから、媒体毎に分けて成功したリトライの統計情報
を保存し、リトライ時には媒体種別に対応した統計情報
から成功率の高いパラメータ情報を選択してリトライを
実行する。
て１２８ＭＢ媒体、２３０ＭＢ媒体、５４０ＭＢ媒体、
６４０ＭＢ媒体があり、１２８ＭＢ媒体と２３０ＭＢ媒
体はＰＰＭ記録、５４０ＭＢ媒体と６４０ＭＢ媒体とＰ
ＷＭ記録である。更に１．３ＧＢのＭＳＲ媒体がある。
このように媒体種別が異なると記録再生の手法が異なる
ことから、媒体毎に分けて成功したリトライの統計情報
を保存し、リトライ時には媒体種別に対応した統計情報
から成功率の高いパラメータ情報を選択してリトライを
実行する。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００７４】更にシーク動作を伴うセクタ位置付けで生
ずるリードエラーについては、シーク距離によってリト
ライが成功するパラメータが異なることから、シーク距
離により分けて成功したリトライの統計情報を保存し、
新たなシーク位置付けのリトライ時には、そのときのシ
ーク距離に対応した統計情報から成功率の高いパラメー
タ情報を選択してリトライを実行する。
ずるリードエラーについては、シーク距離によってリト
ライが成功するパラメータが異なることから、シーク距
離により分けて成功したリトライの統計情報を保存し、
新たなシーク位置付けのリトライ時には、そのときのシ
ーク距離に対応した統計情報から成功率の高いパラメー
タ情報を選択してリトライを実行する。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００８２】ライトＬＳＩ１２０は、光ディスクコント
ローラ１４からのセクタライトデータを、媒体種別に応
じてＰＰＭ記録データ又はＰＷＭ記録データに変換して
レーザダイオードユニット３０に供給し、ライトビーム
により媒体に書き込む。
ローラ１４からのセクタライトデータを、媒体種別に応
じてＰＰＭ記録データ又はＰＷＭ記録データに変換して
レーザダイオードユニット３０に供給し、ライトビーム
により媒体に書き込む。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００８３】この書込動作は、媒体上の指示セクタにビ
ーム位置決めした状態で、イレーズ、ライト、ベリファ
イを行う。ベリファイの際にリードエラーが発生する
と、ベリファイリトライとなり、本発明ではリードに必
要な各種のパラメータを切り替えて設定変更しながらベ
リファイトリトライを実行する。
ーム位置決めした状態で、イレーズ、ライト、ベリファ
イを行う。ベリファイの際にリードエラーが発生する
と、ベリファイリトライとなり、本発明ではリードに必
要な各種のパラメータを切り替えて設定変更しながらベ
リファイトリトライを実行する。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００８９】ＭＰＵ１２に対しては、ＤＳＰ１６を経由
してエンクロージャ１１側に設けた温度センサ３６の検
出信号が与えられている。ＭＰＵ１２は、温度センサ３
６で検出した装置内の環境温度に基づき、レーザダイオ
ード制御ユニット３０におけるリード、ライト、イレー
ズの各発光パワーを媒体上で実際に記録再生を行うテス
ト処理により最適値に制御する。
してエンクロージャ１１側に設けた温度センサ３６の検
出信号が与えられている。ＭＰＵ１２は、温度センサ３
６で検出した装置内の環境温度に基づき、レーザダイオ
ード制御ユニット３０におけるリード、ライト、イレー
ズの各発光パワーを媒体上で実際に記録再生を行うテス
ト処理により最適値に制御する。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００９３】磁場印加ユニット４４によるＭＳＲ媒体の
再生時の外部磁界は、ＦＡＤ媒体については再生磁界Ｈ
ｒであり、ＲＡＤ媒体については、初期化磁界Ｈｉであ
る。更に、再生時の磁場印加ユニット４４による外部磁
界は、本発明にあっては、ＭＰＵ１４の処理機能として
実現されるテスト処理により、例えばＭＳＲ媒体の再生
に必要なパラメータである再生磁界とリードパワーを最
適値の組に決定する。このテスト処理は、再生磁界、リ
ードパワー以外のパラメータについても行われる。
再生時の外部磁界は、ＦＡＤ媒体については再生磁界Ｈ
ｒであり、ＲＡＤ媒体については、初期化磁界Ｈｉであ
る。更に、再生時の磁場印加ユニット４４による外部磁
界は、本発明にあっては、ＭＰＵ１４の処理機能として
実現されるテスト処理により、例えばＭＳＲ媒体の再生
に必要なパラメータである再生磁界とリードパワーを最
適値の組に決定する。このテスト処理は、再生磁界、リ
ードパワー以外のパラメータについても行われる。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００９５】ＤＳＰ１６のサーボ機能を実現するため、
エンクロージャ１１側の光学ユニットに媒体からのビー
ム戻り光を受光する多分割ディテクタ４６を設け、ＦＥ
Ｓ検出回路（フォーカスエラー信号検出回路）４８が、
多分割ディテクタ４６の受光出力からフォーカスエラー
信号Ｅ１を作成してＤＳＰ１６に入力している。
エンクロージャ１１側の光学ユニットに媒体からのビー
ム戻り光を受光する多分割ディテクタ４６を設け、ＦＥ
Ｓ検出回路（フォーカスエラー信号検出回路）４８が、
多分割ディテクタ４６の受光出力からフォーカスエラー
信号Ｅ１を作成してＤＳＰ１６に入力している。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００９６】またエンクロージャ１１側の光学ユニット
に媒体からのビーム戻り光を受光する多分割ディテクタ
４６を設け、ＴＥＳ検出回路（トラッキングエラー信号
検出回路）５０が多分割ディテクタ４６の受光出力から
トラッキングエラー信号Ｅ２を作成し、ＤＳＰ１６に入
力している。トラッキングエラー信号Ｅ２はＴＺＣ検出
回路（トラックゼロクロス検出回路）５３に入力され、
トラックゼロクロスパルスＥ３を作成してＤＳＰ１６に
入力している。
に媒体からのビーム戻り光を受光する多分割ディテクタ
４６を設け、ＴＥＳ検出回路（トラッキングエラー信号
検出回路）５０が多分割ディテクタ４６の受光出力から
トラッキングエラー信号Ｅ２を作成し、ＤＳＰ１６に入
力している。トラッキングエラー信号Ｅ２はＴＺＣ検出
回路（トラックゼロクロス検出回路）５３に入力され、
トラックゼロクロスパルスＥ３を作成してＤＳＰ１６に
入力している。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００９９】キャリッジ７６上には対物レンズ８０が搭
載され、固定光学系７８に設けているレーザダイオード
からのビームをプリズム８２を介して入射し、ＭＯ媒体
７２の媒体面にビームスポットを結像している。
載され、固定光学系７８に設けているレーザダイオード
からのビームをプリズム８２を介して入射し、ＭＯ媒体
７２の媒体面にビームスポットを結像している。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１００】対物レンズ８０は図２のエンクロージャ１
１に設けたフォーカスアクチュエータ６０により光軸方
向に移動制御され、レンズアクチュエータ６４により媒
体トラックを横切る半径方向に例えば数十トラックの範
囲内で移動することができる。
１に設けたフォーカスアクチュエータ６０により光軸方
向に移動制御され、レンズアクチュエータ６４により媒
体トラックを横切る半径方向に例えば数十トラックの範
囲内で移動することができる。
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１０９】リード処理部８４は、通常のリード動作時
に、アクセスするゾーンＺｉに対応した再生磁界のデフ
ォルトＨｉを図５のゾーン分割デフォルトテーブル８８
−１から読み出し、同時に同じゾーンＺｉのテストリー
ドオフセットΔＨ1iを図６のゾーン分割テストリードオ
フセットテーブル９０−１から読み出し、再生磁界Ｈと
して Ｈ＝Ｈｉ＋ΔＨ1i を求めてレジスタ９６に設定し、最適な再生磁界を作り
出している。
に、アクセスするゾーンＺｉに対応した再生磁界のデフ
ォルトＨｉを図５のゾーン分割デフォルトテーブル８８
−１から読み出し、同時に同じゾーンＺｉのテストリー
ドオフセットΔＨ1iを図６のゾーン分割テストリードオ
フセットテーブル９０−１から読み出し、再生磁界Ｈと
して Ｈ＝Ｈｉ＋ΔＨ1i を求めてレジスタ９６に設定し、最適な再生磁界を作り
出している。
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１１５】図９は、図４のリードリトライ処理部８６
で行われるテストリードにおける最適再生磁界の算出処
理の一例である。図９において、横軸は再生磁界Ｈ［Ｏ
ｅ：エルステッド］であり、縦軸がリードデータのキャ
リアノイズ比（ＣＮＲ）である。
で行われるテストリードにおける最適再生磁界の算出処
理の一例である。図９において、横軸は再生磁界Ｈ［Ｏ
ｅ：エルステッド］であり、縦軸がリードデータのキャ
リアノイズ比（ＣＮＲ）である。
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１１８】図１０はリトライ時のテストリードで求め
る最適再生磁界の他の算出処理であり、この場合には再
生データのビット不一致数Ｎの特性に基づいて再生磁界
の最適値を決めている。即ち横軸に示すように、再生磁
界の最低値Ｈｍｉｎ＝１００エルステッドから最大値Ｈ
ｍａｘ＝５００エルステッドまで再生磁界を変化させな
がらテストリードを行ってリードデータのビット不一致
数Ｎを求めると、例えば特性曲線１１４が得られる。
る最適再生磁界の他の算出処理であり、この場合には再
生データのビット不一致数Ｎの特性に基づいて再生磁界
の最適値を決めている。即ち横軸に示すように、再生磁
界の最低値Ｈｍｉｎ＝１００エルステッドから最大値Ｈ
ｍａｘ＝５００エルステッドまで再生磁界を変化させな
がらテストリードを行ってリードデータのビット不一致
数Ｎを求めると、例えば特性曲線１１４が得られる。
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１２３】図１４は、図４のリードリトライで使用す
るテストリードオフセットテーブル９０の他の実施形態
であり、この実施形態は温度分割テストリードオフセッ
トテーブル９０−３としたことを特徴とする。
るテストリードオフセットテーブル９０の他の実施形態
であり、この実施形態は温度分割テストリードオフセッ
トテーブル９０−３としたことを特徴とする。
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１２６】図１４は、図４の第１実施形態におけるリ
ードリトライ処理のフローチャートである。まずステッ
プＳ１でリートリトライを実行するゾーンＺｉのテスト
リードで使用する再生磁界Ｈｉを、デフォルトテーブル
８８のデフォルト磁界Ｈｉ、テストリードオフセットテ
ーブル９０からの前回のテストリードオフセットΔＨ1
i、及びリトライオフセットテーブル９２の１回目のリ
トライオフセットΔＨ2iの加算で求め、ステップＳ２で
テストリードにより最適リードパワーと最適再生磁界を
与えるテストリードオフセットΔＨ1iを決定する。
ードリトライ処理のフローチャートである。まずステッ
プＳ１でリートリトライを実行するゾーンＺｉのテスト
リードで使用する再生磁界Ｈｉを、デフォルトテーブル
８８のデフォルト磁界Ｈｉ、テストリードオフセットテ
ーブル９０からの前回のテストリードオフセットΔＨ1
i、及びリトライオフセットテーブル９２の１回目のリ
トライオフセットΔＨ2iの加算で求め、ステップＳ２で
テストリードにより最適リードパワーと最適再生磁界を
与えるテストリードオフセットΔＨ1iを決定する。
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１３５】このリトライ履歴テーブル１３４に格納さ
れたリードリトライ及びベリファイリトライの成功で得
られたパラメータ設定情報の統計情報を学習することに
よって、リードリトライ処理部１２２はテストオフセッ
トテーブル１３０のテストオフセットをリトライを成功
させる設定値に近付けるように更新する。
れたリードリトライ及びベリファイリトライの成功で得
られたパラメータ設定情報の統計情報を学習することに
よって、リードリトライ処理部１２２はテストオフセッ
トテーブル１３０のテストオフセットをリトライを成功
させる設定値に近付けるように更新する。
【手続補正３５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１４３】図１９のリードＬＳＩ２４の復調回路は、
ヘッドアンプにコンデンサ２８０で入力接続されたクラ
ンプ回路２８２、ＡＧＣ回路２８４、ローパスフィルタ
（ＬＰＦ）２８６、イコライザ（ＥＱＬ）２８８、ＳＡ
Ｇ除去回路２９０、クランプ回路２９２及びデータ弁別
器２９４を備える。
ヘッドアンプにコンデンサ２８０で入力接続されたクラ
ンプ回路２８２、ＡＧＣ回路２８４、ローパスフィルタ
（ＬＰＦ）２８６、イコライザ（ＥＱＬ）２８８、ＳＡ
Ｇ除去回路２９０、クランプ回路２９２及びデータ弁別
器２９４を備える。
【手続補正３６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１４８】図１６，図１７，図１８は、ゾーン分割の
デフォルトテーブル、テストオフセットテーブル及びリ
トライオフセットテーブルを例にとるものであったが、
図２０，図２１，図２２のように、例えば３ゾーンごと
にグループ化したエリアＡ１〜Ａ６で分けたエリア分割
のデフォルトテーブル１２８−２、テストオフセットテ
ーブル１３０−２、及びリトライオフセットテーブル１
３２−２としてもよい。
デフォルトテーブル、テストオフセットテーブル及びリ
トライオフセットテーブルを例にとるものであったが、
図２０，図２１，図２２のように、例えば３ゾーンごと
にグループ化したエリアＡ１〜Ａ６で分けたエリア分割
のデフォルトテーブル１２８−２、テストオフセットテ
ーブル１３０−２、及びリトライオフセットテーブル１
３２−２としてもよい。
【手続補正３７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１４９】更に図２３，図２４，図２５に示すよう
に、装置内温度Ｔを例えば０℃から６０℃について１０
℃範囲の温度領域に分割し、各温度領域について各種の
パラメータのデフォルトテストオフセット及びリトライ
オフセットを各々格納した温度区分のデフォルトテーブ
ル１２８−３、テストオフセットテーブル１３０−３、
及びリトライオフセットテーブル１３２−３としてもよ
い。
に、装置内温度Ｔを例えば０℃から６０℃について１０
℃範囲の温度領域に分割し、各温度領域について各種の
パラメータのデフォルトテストオフセット及びリトライ
オフセットを各々格納した温度区分のデフォルトテーブ
ル１２８−３、テストオフセットテーブル１３０−３、
及びリトライオフセットテーブル１３２−３としてもよ
い。
【手続補正３８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１５５】このようなリードリトライによりステップ
Ｓ５でリトライ成功が判別されると、ステップＳ９に進
み、成功したリトライのパラメータ設定情報を統計情報
として保存し、保存しているパラメータ設定情報を学習
して，デフォルトに加算するテストオフセットを更新す
る。この成功したリトライのパラメータ設定情報に基づ
くパラメータ更新処理は、例えばステップＳ４のリード
リトライ処理においてパラメータをプラスとマイナスに
変更していることから、リトライに成功したパラメータ
の設定変更がプラスかマイナスかの回数をそれぞれカウ
ントし、プラス方向の変化による成功回数とマイナス方
向の変化による成功回数との差の絶対値が所定の閾値を
超えたときに、最新のリトライ成功のパラメータ設定値
に近付けるようにパラメータ、即ちテストオフセットを
更新する。
Ｓ５でリトライ成功が判別されると、ステップＳ９に進
み、成功したリトライのパラメータ設定情報を統計情報
として保存し、保存しているパラメータ設定情報を学習
して，デフォルトに加算するテストオフセットを更新す
る。この成功したリトライのパラメータ設定情報に基づ
くパラメータ更新処理は、例えばステップＳ４のリード
リトライ処理においてパラメータをプラスとマイナスに
変更していることから、リトライに成功したパラメータ
の設定変更がプラスかマイナスかの回数をそれぞれカウ
ントし、プラス方向の変化による成功回数とマイナス方
向の変化による成功回数との差の絶対値が所定の閾値を
超えたときに、最新のリトライ成功のパラメータ設定値
に近付けるようにパラメータ、即ちテストオフセットを
更新する。
【手続補正３９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１７１】もちろん、図３４の統計的なパラメータの
更新は、例えば図１６のゾーン分割のデフォルトテーブ
ル１２８−１の場合には、同一ゾーンの同一パラメータ
単位に個別に統計的なデフォルトパラメータ更新処理を
行うことになる。この点は図２０のエリア分割デフォル
トテーブル１２８−２についても同様であり、同一エリ
アの同一パラメータにつき個別にデフォルトパラメータ
の更新処理を行う。更に図２３の温度分割デフォルトテ
ーブル１２８−３については、同じ温度区分の同一パラ
メータごとにデフォルトパラメータの更新処理を行うこ
とになる。
更新は、例えば図１６のゾーン分割のデフォルトテーブ
ル１２８−１の場合には、同一ゾーンの同一パラメータ
単位に個別に統計的なデフォルトパラメータ更新処理を
行うことになる。この点は図２０のエリア分割デフォル
トテーブル１２８−２についても同様であり、同一エリ
アの同一パラメータにつき個別にデフォルトパラメータ
の更新処理を行う。更に図２３の温度分割デフォルトテ
ーブル１２８−３については、同じ温度区分の同一パラ
メータごとにデフォルトパラメータの更新処理を行うこ
とになる。
【手続補正４０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１７４】図３６において、まずステップＳ１で媒体
のロードを行って、スピンドルモータにセットして一定
速度で回転する。続いてステップＳ２でテスト要求フラ
グＦＬをセットする。続いてステップＳ３で現在時刻を
初期化し、更にステップＳ４で現在の装置内温度Ｔを検
出して起動時にレーザダイオードの発光パワーや磁界印
加ユニットによる再生磁界を決めるために必要な処理を
終了する。
のロードを行って、スピンドルモータにセットして一定
速度で回転する。続いてステップＳ２でテスト要求フラ
グＦＬをセットする。続いてステップＳ３で現在時刻を
初期化し、更にステップＳ４で現在の装置内温度Ｔを検
出して起動時にレーザダイオードの発光パワーや磁界印
加ユニットによる再生磁界を決めるために必要な処理を
終了する。
【手続補正４１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１７６】したがって、ステップＳ４で上位装置から
最初に受けるアクセス要求はテスト指示コマンドであ
り、ステップＳ７でテスト指示であることを判別し、ス
テップＳ８でライトパワー、イレーズパワー及びリード
パワーなどの発光パワーのテスト処理を行った後、ステ
ップＳ９で再生磁界のテスト処理を行う。
最初に受けるアクセス要求はテスト指示コマンドであ
り、ステップＳ７でテスト指示であることを判別し、ス
テップＳ８でライトパワー、イレーズパワー及びリード
パワーなどの発光パワーのテスト処理を行った後、ステ
ップＳ９で再生磁界のテスト処理を行う。
【手続補正４２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８０
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１８０】このようにして一連のリード処理が済む
と、ステップＳ１９で媒体排出の有無をチェックし、媒
体排出がなければ、ステップＳ２０で装置停止指示の有
無をチェックした後、ステップＳ４に戻り、次の媒体投
入を待って同様な処理を繰り返す。一方、上位装置から
ライトアクセスの要求があった場合には、ステップＳ２
１に進んでライト要求を判断し、ステップＳ２２でライ
ト処理を行うようになる。
と、ステップＳ１９で媒体排出の有無をチェックし、媒
体排出がなければ、ステップＳ２０で装置停止指示の有
無をチェックした後、ステップＳ４に戻り、次の媒体投
入を待って同様な処理を繰り返す。一方、上位装置から
ライトアクセスの要求があった場合には、ステップＳ２
１に進んでライト要求を判断し、ステップＳ２２でライ
ト処理を行うようになる。
【手続補正４３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１８４】この場合、有効時間Ｃは２０秒×２B （単
位時間数）とする。但し、有効時間の最大値は１６０秒
にリミットされる。この結果、テスト処理で決定された
最適値を保証する有効時間Ｃは、起動から最初のテスト
処理までの時間Ａが１６０秒未満であれば２B に対応し
た時間に設定される。１６０秒以上の場合には、一定の
有効時間Ｃ＝１６０秒に固定される。
位時間数）とする。但し、有効時間の最大値は１６０秒
にリミットされる。この結果、テスト処理で決定された
最適値を保証する有効時間Ｃは、起動から最初のテスト
処理までの時間Ａが１６０秒未満であれば２B に対応し
た時間に設定される。１６０秒以上の場合には、一定の
有効時間Ｃ＝１６０秒に固定される。
【手続補正４４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１８７】そしてステップＳ９で、現在時刻が有効判
定時刻Ｄを超えたか否か判定する。現在時刻が有効判定
時刻Ｄに達していれば、ステップＳ１４に進んでテスト
処理フラグをオンし、図３０のステップＳ６にリターン
する。ステップＳ９で現在時刻が有効判定時刻Ｄを超え
ていなければ、ステップＳ１３でテスト処理フラグをオ
フとする。
定時刻Ｄを超えたか否か判定する。現在時刻が有効判定
時刻Ｄに達していれば、ステップＳ１４に進んでテスト
処理フラグをオンし、図３０のステップＳ６にリターン
する。ステップＳ９で現在時刻が有効判定時刻Ｄを超え
ていなければ、ステップＳ１３でテスト処理フラグをオ
フとする。
【手続補正４５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０２０５】更に、リード処理部１７８、リードリトラ
イ処理部１８０、ライトリトライ処理部１８４、ライト
処理部１８２に対しては、それぞれが制御するパラメー
タに対応してレジスタ１９４〜２１５が設けられ、また
レジスタの設定値をアナログ制御信号に変換するＤＡコ
ンバータ２１６〜２３２が設けられている。
イ処理部１８０、ライトリトライ処理部１８４、ライト
処理部１８２に対しては、それぞれが制御するパラメー
タに対応してレジスタ１９４〜２１５が設けられ、また
レジスタの設定値をアナログ制御信号に変換するＤＡコ
ンバータ２１６〜２３２が設けられている。
【手続補正４６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０２０８】例えばシーケンス番号ＳＥＱ２では再生磁
界のプラスのリトライオフセット＋ΔＨが設定され、次
のシーケンス番号ＳＥＱ１ではマイナスのリトライオフ
セット−ΔＨが設定されている。この点は残りのリード
パワーＰｒ、カットオフ周波数Ｆｃ、ブーストＦｂ、ス
ライスレベルＳ、ウィンドウＷ、フォーカスオフセット
ＦＣＯのリトライオフセットについても同様である。
界のプラスのリトライオフセット＋ΔＨが設定され、次
のシーケンス番号ＳＥＱ１ではマイナスのリトライオフ
セット−ΔＨが設定されている。この点は残りのリード
パワーＰｒ、カットオフ周波数Ｆｃ、ブーストＦｂ、ス
ライスレベルＳ、ウィンドウＷ、フォーカスオフセット
ＦＣＯのリトライオフセットについても同様である。
【手続補正４７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０２２４】図４９は、成功回数を保存したゾーン分割
リトライ履歴テーブル１９０−６の実施形態である。こ
の場合にもゾーンＺ０１〜Ｚ１８に分けて成功リトライ
シーケンスＳＥＱ１〜１４ごとに過去の成功回数が保存
されており、新たなリトライ時には最も成功回数の高い
シーケンスＳＥＱｉから順番にリトライを実行する。
リトライ履歴テーブル１９０−６の実施形態である。こ
の場合にもゾーンＺ０１〜Ｚ１８に分けて成功リトライ
シーケンスＳＥＱ１〜１４ごとに過去の成功回数が保存
されており、新たなリトライ時には最も成功回数の高い
シーケンスＳＥＱｉから順番にリトライを実行する。
【手続補正４８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０２２８】ここで第１回目のリードリトライにあって
は、リトライ履歴情報が存在しないことから、この場合
には例えば図４２のリトライシーケンス１９５−１のシ
ーケンス番号に従ってリードリトライを実行する。リー
ドリトライが１回でも成功すれば、リトライ履歴テーブ
ル１９０に成功したリトライシーケンスが格納されるた
め、新たなリトライの際には前回成功したリトライシー
ケンスを選択してリードリトライを実行するか、過去の
リトライの中の成功率の最も高いリトライシーケンスか
ら順番に選択してリードリトライを実行する。
は、リトライ履歴情報が存在しないことから、この場合
には例えば図４２のリトライシーケンス１９５−１のシ
ーケンス番号に従ってリードリトライを実行する。リー
ドリトライが１回でも成功すれば、リトライ履歴テーブ
ル１９０に成功したリトライシーケンスが格納されるた
め、新たなリトライの際には前回成功したリトライシー
ケンスを選択してリードリトライを実行するか、過去の
リトライの中の成功率の最も高いリトライシーケンスか
ら順番に選択してリードリトライを実行する。
【手続補正４９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０２２９】ステップＳ６でリトライが成功すれば、ス
テップＳ９で、成功したリトライシーケンスをリトライ
履歴テーブル１９０に記憶して保存する。このときリト
ライ履歴テーブル１９０が図４４，図４５，図４６，図
４７の構造であれば、成功したリトライシーケンスのシ
ーケンス番号を対応する区分に格納して更新する。
テップＳ９で、成功したリトライシーケンスをリトライ
履歴テーブル１９０に記憶して保存する。このときリト
ライ履歴テーブル１９０が図４４，図４５，図４６，図
４７の構造であれば、成功したリトライシーケンスのシ
ーケンス番号を対応する区分に格納して更新する。
【手続補正５０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０２３４】ステップＳ５でベリファイ不成功であれ
ば、ステップＳ６に進み、ステップＳ１でベリファイリ
トライとしてリードリトライ処理を実行する。このステ
ップＳ７〜Ｓ１２におけるベリファイリトライとしての
リードリトライ処理も、図５１のリード処理におけるス
テップＳ５〜Ｓ１０のリードリトライ処理と同じにな
る。
ば、ステップＳ６に進み、ステップＳ１でベリファイリ
トライとしてリードリトライ処理を実行する。このステ
ップＳ７〜Ｓ１２におけるベリファイリトライとしての
リードリトライ処理も、図５１のリード処理におけるス
テップＳ５〜Ｓ１０のリードリトライ処理と同じにな
る。
【手続補正５１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１９】
【手続補正５２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４９
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４９】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山川 輝二 神奈川県横浜市港北区新横浜２丁目４番19 号 株式会社富士通プログラム技研内 (72)発明者 今村 紀代美 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 5D075 AA03 CC01 CC11 CC29 CD11 CF04 EE03 FF13
Claims (26)
- 【請求項１】基板上に、少なくともデータを記録するた
めの記録層と該記録層に記録されたデータを再生するた
めの再生層とを有する光記憶媒体と、 レーザビームのビーム径より小さい記録密度で前記光記
憶媒体の記録層にデータを記録する記録部と、 再生に必要な再生磁界と再生レーザパワーを組み合わせ
て最適な値に設定することによって、前記ビーム径より
小さい記録密度で前記光記憶媒体の記録層に記録されて
いるデータを再生する再生部と、 前記再生部にリードエラーが発生した際のリードリトラ
イ時に、前記再生磁界の値を変更して再生動作をリトラ
イするリードリトライ処理部と、を備えたことを特徴と
する光学的記憶装置。 - 【請求項２】請求項１記載の光学的記憶装置に於いて、
前記リードリトライ処理部は、リードリトライ時に前記
光記憶媒体にフォーマットされた各ゾーン、前記光学的
記録媒体の記録領域を複数のエリアに分割した各エリ
ア、装置内の温度の少なくともいずれかに応じて前記再
生磁界を変更することを特徴とする光学的記憶装置。 - 【請求項３】請求項１記載の光学的記憶装置に於いて、
前記リードリトライ処理部は、テストリードにより最適
リードパワーと最適再生磁界のテストオフセットΔＨ１
を決定し、所定のデフォルト磁界Ｈに前記テストオフセ
ットΔＨ１と所定のリトライオフセットΔＨ２を加算し
た再生磁界に変更することを特徴とする光学的記憶装
置。 - 【請求項４】基板上に、少なくともデータを記録するた
めの記録層と該記録層に記録されたデータを再生するた
めの再生層とを有する光記憶媒体を用いて、レーザビー
ムのビーム径より小さい記録密度で前記光記憶媒体の記
録層にデータを記録する記録過程と、 再生に必要な再生磁場と再生レーザパワーを組み合わせ
て最適な値に設定することによって、前記ビーム径より
小さい記録密度で前記光記憶媒体の記録層に記録されて
いるデータを再生する再生過程と、 前記再生過程でリードエラーが発生した際のリードリト
ライ時に、前記再生磁場の値を変更して再生動作をリト
ライするリードリトライ過程と、を備えたことを特徴と
する光記憶媒体の記録再生方法。 - 【請求項５】レーザビームにより光記憶媒体にデータを
記録する記録部と、 再生に必要なパラメータを最適な値に設定することによ
って、前記光記憶媒体に記録されているデータを再生す
る再生部と、 前記再生部でリードエラーが発生した際のリードリトラ
イ時に、前記パラメータを設定変更しながらリードリト
ライを繰り返し、リトライ成功時にパラメータ設定値を
統計情報として保存し、前記統計情報に基づく学習処理
により最適パラメータを更新するリトライ処理部と、を
備えたことを特徴とする光学的記憶装置。 - 【請求項６】請求項５記載の光学的記憶装置に於いて、
前記リトライ処理部は、更に、前記記録部によるベリフ
ァイでリードエラーが発生した際のベリファイリトライ
時に、前記パラメータを設定変更しながらベリファイリ
トライを繰り返し、リトライ成功時にパラメータ設定値
を統計情報として保存し、前記統計情報に基づく学習処
理により最適パラメータを更新することを特徴とする光
学的記憶装置。 - 【請求項７】請求項５及び６記載の光学的記憶装置に於
いて、前記光記憶媒体としてレーザビームのビーム径よ
り小さい記録密度で記録する磁気超解像媒体を使用した
場合、再生に必要な前記パラメータとして再生磁界、リ
ードパワー、ローパスフィルタのカットオフ周波数とブ
ースト、スライス回路のスライスレベル、データ弁別器
のウィンドウ値（ウィンドウ遅延時間）、フォーカスオ
フセットを設定し、リードリトライ時に、前記複数種類
のパラメータを順次切り替えて設定変更しながらリード
リトライを繰り返すことを特徴とする光学的記憶装置。 - 【請求項８】請求項５及び６記載の光学的記憶装置に於
いて、前記光記憶媒体としてレーザビームのビーム径に
依存した記録密度で記録する光磁気媒体を使用した場
合、再生に必要な前記パラメータとして、リードパワ
ー、ローパスフィルタのカットオフ周波数とブースト、
スライス回路のスライスレベル、データ弁別器のウィン
ドウ値（ウィンドウ遅延時間）、フォーカスオフセット
を設定し、リードリトライ時に、前記複数種類のパラメ
ータを順次切り替えて設定変更しながらリードリトライ
を繰り返すことを特徴とする光学的記憶装置。 - 【請求項９】請求項５及び６記載の光学的記憶装置に於
いて、前記リトライ処理部は、リードリトライ時に、パ
ラメータ設定値にリトライオフセットを加算するパラメ
ータの設定変更とパラメータ設定値からリトライオフセ
ットを減算するパラメータの設定変更を交互に繰り返し
ながらリードリトライを繰り返し、成功時のパラメータ
設定値とリトライオフセットを加算したか減算したかを
学習結果として保存し、前記学習結果において成功した
リトライオフセットの加算回数と成功したリトライオフ
セットの減算回数の総和の絶対値が所定の閾値以上のと
き、前記パラメータ設定値をリトライに成功した最新の
パラメータ設定値に近づけるように更新することを特徴
とする光学的記憶装置。 - 【請求項１０】請求項５及び６記載の光学的記憶装置に
於いて、前記リトライ処理部は、前記パラメータを、前
記光記憶媒体にフォーマットされた各ゾーン、前記光記
録媒体の記録領域を複数のエリアに分割した各エリア、
装置内温度のいずれかに応じて設定変更することを特徴
とする光学的記憶装置。 - 【請求項１１】請求項１０記載の光学的記憶装置に於い
て、前記リトライ処理部は、前記パラメータ設定値の設
定変更に使用するリトライオフセットを、前記光記憶媒
体にフォーマットされた各ゾーン、前記光記録媒体の記
録領域を複数のエリアに分割した各エリア、装置内温度
に応じて予め準備し、リトライ時のゾーン、エリア、装
置内温度に基づき対応するパラメータ設定値にリトライ
オフセットを加算又は減算してパラメータを設定変更す
ることを特徴とする光学的記憶装置。 - 【請求項１２】請求項５及び６記載の光学的記憶装置に
於いて、更に、テストリードにより前記パラメータ設定
値を与えるデフォルトに加算するテストオフセットを決
定し、テストリードからの経過時間が所定時間に達した
時、又はテストリード時の装置温度を基準温度として所
定値を越える温度変化が発生した時に次のテストリード
を行うテスト処理部を備え、 前記リトライ処理部は、リトライ成功時に保存した統計
情報に基づいてパラメータ設定値を更新した際に、前記
テスト処理部の経過時間を初期化すると共に前記基準温
度をリトライ成功時の装置内温度に更新して次のテスト
リードを判断させることを特徴とする光学的記憶装置。 - 【請求項１３】請求項６記載の光学的記憶装置に於い
て、前記リトライ処理部は、前記ベリファイリトライが
不成功となった場合、前記光記憶媒体にデータを記録す
るためのライトパワーを設定変更しながらイレーズ、ラ
イト、ベリファイのライトリトライ動作を繰り返すこと
を特徴とする光学的記憶装置。 - 【請求項１４】請求項１３記載の光学的記憶装置に於い
て、前記リトライ処理部は、ライトリトライ時に、ライ
トパワーの設定値にリトライオフセットを加算するパラ
メータの設定変更と前記ライトパワー設定値からリトラ
イオフセットを減算するパラメータの設定変更を交互に
行いながらライトリトライを繰り返すことを特徴とする
光学的記憶装置。 - 【請求項１５】請求項１３記載の光学的記憶装置に於い
て、前記リトライ処理部は、前記ライトリトライの成功
時に、成功したライトパワー設定値とリトライオフセッ
トを加算したか減算したかを学習結果として保存し、前
記学習結果において成功したリトライオフセットの加算
回数と成功したリトライオフセットの減算回数の総和の
絶対値が所定の閾値以上のとき、前記ライトパワー設定
値をリトライに成功した最新のライトパワー設定値に近
づけるように更新することを特徴とする光学的記憶装
置。 - 【請求項１６】請求項１４及び１５記載の光学的記憶装
置に於いて、前記リトライ処理部は、ライトリトライ時
に前記光記憶媒体にフォーマットされた各ゾーン、前記
光学的記録媒体の記録領域を複数のエリアに分割した各
エリア、装置内の温度の少なくともいずれかに応じて前
記ライトパワーを設定変更することを特徴とする光学的
記憶装置。 - 【請求項１７】レーザビームにより光記憶媒体にデータ
を記録する記録過程と、 再生に必要なパラメータを最適な値に設定することによ
って、前記光記憶媒体に記録されているデータを再生す
る再生過程と、 前記再生過程でリードエラーが発生した際のリードリト
ライ時、又は、前記記録過程のベリファイでリードエラ
ーが発生した際のベリファイリトライ時に、前記パラメ
ータを設定変更しながらリードリトライを繰り返し、リ
トライ成功時にパラメータの設定値を統計情報として保
存し、前記統計情報に基づく学習処理により最適パラメ
ータを更新するリトライ過程と、を備えたことを特徴と
する光記憶媒体の記録再生方法。 - 【請求項１８】レーザビームにより光記憶媒体にデータ
を記録する記録部と、 再生に必要なパラメータを最適な値に設定することによ
って、前記光記憶媒体に記録されているデータを再生す
る再生部と、 前記再生部でリードエラーが発生した際のリードリトラ
イ時に、過去の成功したリトライ情報に基づいて成功率
の高いリードリトライを行い、リトライ成功時に成功し
たリトライ情報を保存するリトライ処理部と、を備えた
ことを特徴とする光学的記憶装置。 - 【請求項１９】請求項１８記載の光学的記憶装置に於い
て、前記リトライ処理部は、更に、前記記録部でベリフ
ァイでリードエラーが発生した際のベリファイリトライ
時に、過去の成功したリトライ情報に基づいてリードリ
トライを行い、リトライ成功時に成功したリトライ情報
を保存することを特徴とする光学的記憶装置。 - 【請求項２０】請求項１９記載の光学的記憶装置に於い
て、前記リトライ処理部は、複数種類のパラメータを切
り替えて設定変更しながらリトライを実行して成功した
パラメータ設定値を統計情報として保存し、新たなリー
ドリトライ時には、前回の成功したパラメータ設定値か
らリードリトライを開始し、リトライ成功時に成功した
パラメータ設定値を記憶することを特徴とする光学的記
憶装置。 - 【請求項２１】請求項１９記載の光学的記憶装置に於い
て、前記リトライ処理部は、複数種類のパラメータを切
り替えて設定変更しながらリトライを実行して成功した
パラメータ設定値と各パラメータ毎の成功回数を統計情
報として保存し、新たなリードリトライ時には、前記統
計情報の成功回数の多い順にパラメータ設定値を選択し
てリードリトライを繰り返すことをことを特徴とする光
学的記憶装置。 - 【請求項２２】請求項１９記載の光学的記憶装置に於い
て、前記光記憶媒体としてレーザビームのビーム径より
小さい記録密度で記録する磁気超解像媒体を使用した場
合、再生に必要な前記パラメータとして、再生磁界、リ
ードパワー、ローパスフィルタのカットオフ周波数とブ
ースト、スライス回路のスライスレベル、データ弁別器
のウィンドウ値（ウィンドウ遅延時間）、フォーカスオ
フセットを切り替えて設定変更しながらリトライを実行
することを特徴とする光学的記憶装置。 - 【請求項２３】請求項１９記載の光学的記憶装置に於い
て、前記光記憶媒体としてレーザビームのビーム系に依
存した記録密度で記録する光磁気媒体を使用した場合、
再生に必要な前記パラメータとして、リードパワー、ロ
ーパスフィルタのカットオフ周波数とブースト、スライ
ス回路のスライスレベル、データ弁別器のウィンドウ値
（ウィンドウ遅延時間）、フォーカスオフセットを切り
替えて設定変更しながらリトライを実行することを特徴
とする光学的記憶装置。 - 【請求項２４】請求項１９記載の光学的記憶装置に於い
て、前記リトライ処理部は、リードリトライ時に、パラ
メータ設定値にリトライオフセットを加算するパラメー
タの設定変更と、パラメータ設定値からリトライオフセ
ットを減算するパラメータの設定変更を、交互に繰り返
すことを特徴とする光学的記憶装置。 - 【請求項２５】請求項１９記載の光学的記憶装置に於い
て、前記リトライ処理部は、前記リトライ成功時のパラ
メータ設定の統計情報を、装置内温度、媒体にフォーマ
ットされた各ゾーン、前記光記録媒体の種別、又はシー
ク距離に応じて保存することを特徴とする光学的記憶装
置。 - 【請求項２６】レーザビームにより光記憶媒体にデータ
を記録する記録過程と、 再生に必要なパラメータを最適な値に設定することによ
って、前記光記憶媒体に記録されているデータを再生す
る再生過程と、 前記再生過程でリードエラーが発生した際のリードリト
ライ時、又は、前記記録過程のベリファイでリードエラ
ーが発生した際のベリファイリトライ時に、過去の成功
したリトライ情報に基づいて成功率の高いリードリトラ
イを行い、リトライ成功時に成功したリトライ情報を保
存するリトライ過程と、を備えたことを特徴とする光記
憶媒体の記録再生方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10355927A JP2000182292A (ja) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | 光学的記憶装置及び光記憶媒体の記録再生方法 |
| EP99306397A EP1014355A1 (en) | 1998-12-15 | 1999-08-13 | Optical storing apparatus and recording and reproducing method of optical storage medium |
| US09/374,002 US6687194B1 (en) | 1998-12-15 | 1999-08-13 | Optical storing apparatus and reproducing method for correcting read errors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10355927A JP2000182292A (ja) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | 光学的記憶装置及び光記憶媒体の記録再生方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006147605A Division JP2006260769A (ja) | 2006-05-29 | 2006-05-29 | 光学的記憶装置及び光記憶媒体の記録再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000182292A true JP2000182292A (ja) | 2000-06-30 |
| JP2000182292A5 JP2000182292A5 (ja) | 2004-12-09 |
Family
ID=18446456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10355927A Pending JP2000182292A (ja) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | 光学的記憶装置及び光記憶媒体の記録再生方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6687194B1 (ja) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050609 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060328 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060529 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070417 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070615 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070710 |