JP2000182292A5 - - Google Patents

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【0029】
(MSR媒体のリードリトライ)
まず本発明は、基板上に、少なくともデータを記録するための記録層と記録層に記録されたデータを再生するための再生層とを有するMSR媒体(光記憶媒体)を使用可能な光学的記憶装置において、再生部は、再生に必要な再生磁界と再生レーザパワーを組み合わせて最適な値に設定することによって、レーザビームのビーム径より小さい記録密度でMSR媒体の記録層に記録されているデータを再生する。
【0030】これに加え本発明は、図1(A)のように、リードリトライ処理部86を設け、リードエラーが発生した際のリードリトライ時に、再生磁界の値を変更して再生動作をリトライすることを特徴
【0036】
(リードパラメータの統計的更新)
本発明は、パラメータを設定変更しながら行うリードリトライやベリファイリトライで、成功時のパラメータ設定情報を統計情報として保存し、統計情報の学習処理による最適パラメータの更新を行ってリトライ成功の条件を反映してリードエラーの発生を低減する光学的記憶装置を提供する。

Claims (23)

  1. 基板上に、少なくともデータを記録するための記録層と該記録層に記録されたデータを再生するための再生層とを有する光記憶媒体を使用可能な光学的記憶装置に於いて、
    再生に必要な再生磁界と再生レーザパワーを組み合わせて最適な値に設定することによって、レーザビームのビーム径より小さい記録密度で前記光記憶媒体の記録層に記録されているデータを再生する再生部と、
    前記再生部にリードエラーが発生した際のリードリトライ時に、前記再生磁界の値を変更して再生動作をリトライするリードリトライ処理部と、
    を備えたことを特徴とする光学的記憶装置。
  2. 請求項1記載の光学的記憶装置に於いて、前記リードリトライ処理部は、リードリトライ時に前記光記憶媒体にフォーマットされた各ゾーン、前記光学的記録媒体の記録領域を複数のエリアに分割した各エリア、装置内の温度の少なくともいずれかに応じて前記再生磁界を変更することを特徴とする光学的記憶装置。
  3. 請求項1記載の光学的記憶装置に於いて、前記リードリトライ処理部は、テストリードにより最適リードパワーと最適再生磁界のテストオフセットΔH1を決定し、所定のデフォルト磁界Hに前記テストオフセットΔH1と所定のリトライオフセットΔH2を加算した再生磁界に変更することを特徴とする光学的記憶装置。
  4. 再生に必要なパラメータを最適な値に設定することによって、前記光記憶媒体に記録されているデータを再生する再生部と、
    前記再生部でリードエラーが発生した際のリードリトライ時に、前記パラメータを設定変更しながらリードリトライを繰り返し、リトライ成功時にパラメータ設定値を統計情報として保存し、前記統計情報に基づく学習処理により最適パラメータを更新するリトライ処理部と、
    を備えたことを特徴とする光学的記憶装置。
  5. 請求項記載の光学的記憶装置に於いて、前記リトライ処理部は、更に、前記記録部によるベリファイでリードエラーが発生した際のベリファイリトライ時に、前記パラメータを設定変更しながらベリファイリトライを繰り返し、リトライ成功時にパラメータ設定値を統計情報として保存し、前記統計情報に基づく学習処理により最適パラメータを更新することを特徴とする光学的記憶装置。
  6. 請求項4又は5記載の光学的記憶装置に於いて、前記光記憶媒体としてレーザビームのビーム径より小さい記録密度で記録する磁気超解像媒体を使用した場合、再生に必要な前記パラメータとして再生磁界、リードパワー、ローパスフィルタのカットオフ周波数とブースト、スライス回路のスライスレベル、データ弁別器のウィンドウ値(ウィンドウ遅延時間)、フォーカスオフセットを設定し、リードリトライ時に、前記複数種類のパラメータを順次切り替えて設定変更しながらリードリトライを繰り返すことを特徴とする光学的記憶装置。
  7. 請求項4又は5記載の光学的記憶装置に於いて、前記光記憶媒体としてレーザビームのビーム径に依存した記録密度で記録する光磁気媒体を使用した場合、再生に必要な前記パラメータとして、リードパワー、ローパスフィルタのカットオフ周波数とブースト、スライス回路のスライスレベル、データ弁別器のウィンドウ値(ウィンドウ遅延時間)、フォーカスオフセットを設定し、リードリトライ時に、前記複数種類のパラメータを順次切り替えて設定変更しながらリードリトライを繰り返すことを特徴とする光学的記憶装置。
  8. 請求項4又は5記載の光学的記憶装置に於いて、前記リトライ処理部は、リードリトライ時に、パラメータ設定値にリトライオフセットを加算するパラメータの設定変更とパラメータ設定値からリトライオフセットを減算するパラメータの設定変更を交互に繰り返しながらリードリトライを繰り返し、成功時のパラメータ設定値とリトライオフセットを加算したか減算したかを学習結果として保存し、前記学習結果において成功したリトライオフセットの加算回数と成功したリトライオフセットの減算回数の総和の絶対値が所定の閾値以上のとき、前記パラメータ設定値をリトライに成功した最新のパラメータ設定値に近づけるように更新することを特徴とする光学的記憶装置。
  9. 請求項4又は5記載の光学的記憶装置に於いて、前記リトライ処理部は、前記パラメータを、前記光記憶媒体にフォーマットされた各ゾーン、前記光記録媒体の記録領域を複数のエリアに分割した各エリア、装置内温度のいずれかに応じて設定変更することを特徴とする光学的記憶装置。
  10. 請求項記載の光学的記憶装置に於いて、前記リトライ処理部は、前記パラメータ設定値の設定変更に使用するリトライオフセットを、前記光記憶媒体にフォーマットされた各ゾーン、前記光記録媒体の記録領域を複数のエリアに分割した各エリア、装置内温度に応じて予め準備し、リトライ時のゾーン、エリア、装置内温度に基づき対応するパラメータ設定値にリトライオフセットを加算又は減算してパラメータを設定変更することを特徴とする光学的記憶装置
  11. 請求項4又は5記載の光学的記憶装置に於いて、更に、テストリードにより前記パラメータ設定値を与えるデフォルトに加算するテストオフセットを決定し、テストリードからの経過時間が所定時間に達した時、又はテストリード時の装置温度を基準温度として所定値を越える温度変化が発生した時に次のテストリードを行うテスト処理部を備え、前記リトライ処理部は、リトライ成功時に保存した統計情報に基づいてパラメータ設定値を更新した際に、前記テスト処理部の経過時間を初期化すると共に前記基準温度をリトライ成功時の装置内温度に更新して次のテストリードを判断させることを特徴とする光学的記憶装置。
  12. 請求項記載の光学的記憶装置に於いて、前記リトライ処理部は、前記ベリファイリトライが不成功となった場合、前記光記憶媒体にデータを記録するためのライトパワーを設定変更しながらイレーズ、ライト、ベリファイのライトリトライ動作を繰り返すことを特徴とする光学的記憶装置。
  13. 請求項12記載の光学的記憶装置に於いて、前記リトライ処理部は、ライトリトライ時に、ライトパワーの設定値にリトライオフセットを加算するパラメータの設定変更と前記ライトパワー設定値からリトライオフセットを減算するパラメータの設定変更を交互に行いながらライトリトライを繰り返すことを特徴とする光学的記憶装置。
  14. 請求項12記載の光学的記憶装置に於いて、前記リトライ処理部は、前記ライトリトライの成功時に、成功したライトパワー設定値とリトライオフセットを加算したか減算したかを学習結果として保存し、前記学習結果において成功したリトライオフセットの加算回数と成功したリトライオフセットの減算回数の総和の絶対値が所定の閾値以上のとき、前記ライトパワー設定値をリトライに成功した最新のライトパワー設定値に近づけるように更新することを特徴とする光学的記憶装置。
  15. 請求項13又は14記載の光学的記憶装置に於いて、前記リトライ処理部は、ライトリトライ時に前記光記憶媒体にフォーマットされた各ゾーン、前記光学的記録媒体の記録領域を複数のエリアに分割した各エリア、装置内の温度の少なくともいずれかに応じて前記ライトパワーを設定変更することを特徴とする光学的記憶装置。
  16. 生に必要なパラメータを最適な値に設定することによって、前記光記憶媒体に記録されているデータを再生する再生部と、
    前記再生部でリードエラーが発生した際のリードリトライ時に、過去の成功したリトライ情報に基づいて成功率の高いリードリトライを行い、リトライ成功時に成功したリトライ情報を保存するリトライ処理部と、
    を備えたことを特徴とする光学的記憶装置。
  17. 請求項16記載の光学的記憶装置に於いて、前記リトライ処理部は、更に、前記記録部でベリファイでリードエラーが発生した際のベリファイリトライ時に、過去の成功したリトライ情報に基づいてリードリトライを行い、リトライ成功時に成功したリトライ情報を保存することを特徴とする光学的記憶装置。
  18. 請求項17記載の光学的記憶装置に於いて、前記リトライ処理部は、複数種類のパラメータを切り替えて設定変更しながらリトライを実行して成功したパラメータ設定値を統計情報として保存し、新たなリードリトライ時には、前回の成功したパラメータ設定値からリードリトライを開始し、リトライ成功時に成功したパラメータ設定値を記憶することを特徴とする光学的記憶装置。
  19. 請求項17記載の光学的記憶装置に於いて、前記リトライ処理部は、複数種類のパラメータを切り替えて設定変更しながらリトライを実行して成功したパラメータ設定値と各パラメータ毎の成功回数を統計情報として保存し、新たなリードリトライ時には、前記統計情報の成功回数の多い順にパラメータ設定値を選択してリードリトライを繰り返すことをことを特徴とする光学的記憶装置。
  20. 請求項17記載の光学的記憶装置に於いて、前記光記憶媒体としてレーザビームのビーム径より小さい記録密度で記録する磁気超解像媒体を使用した場合、再生に必要な前記パラメータとして、再生磁界、リードパワー、ローパスフィルタのカットオフ周波数とブースト、スライス回路のスライスレベル、データ弁別器のウィンドウ値(ウィンドウ遅延時間)、フォーカスオフセットを切り替えて設定変更しながらリトライを実行することを特徴とする光学的記憶装置。
  21. 請求項17記載の光学的記憶装置に於いて、前記光記憶媒体としてレーザビームのビーム系に依存した記録密度で記録する光磁気媒体を使用した場合、再生に必要な前記パラメータとして、リードパワー、ローパスフィルタのカットオフ周波数とブースト、スライス回路のスライスレベル、データ弁別器のウィンドウ値(ウィンドウ遅延時間)、フォーカスオフセットを切り替えて設定変更しながらリトライを実行することを特徴とする光学的記憶装置。
  22. 請求項17記載の光学的記憶装置に於いて、前記リトライ処理部は、リードリトライ時に、パラメータ設定値にリトライオフセットを加算するパラメータの設定変更と、パラメータ設定値からリトライオフセットを減算するパラメータの設定変更を、交互に繰り返すことを特徴とする光学的記憶装置。
  23. 請求項17記載の光学的記憶装置に於いて、前記リトライ処理部は、前記リトライ成功時のパラメータ設定の統計情報を、装置内温度、媒体にフォーマットされた各ゾーン、前記光記録媒体の種別、又はシーク距離に応じて保存することを特徴とする光学的記憶装置。
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