JP2007087485A - 磁界制御方法、記憶装置及びプログラム - Google Patents

Abstract

【課題】 本発明は、磁界制御方法、記憶装置、プログラム及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に関し、コイルと光記録媒体との間の距離にかかわらず、及び／又は、光記録媒体自体の磁界感度にかかわらず、常に再生磁界を誤り率を最小とする最適な再生磁界強度に制御することを目的とする。
【解決手段】 リードリトライ時に光記録媒体に印加する再生磁界強度を増減する基準オフセット値を、実際に該光記録媒体に印加される再生磁界強度が該光記録媒体からの誤り率が閾値未満となる最適再生磁界強度となるように補正値により補正するように構成する。
【選択図】 図１３

Description

本発明は磁界制御方法、記憶装置及びプログラムに係り、特に光記録媒体から情報を再生する時に光記録媒体に印加する再生磁界を制御する磁界制御方法、そのような磁界制御方法を用いる記憶装置、及びコンピュータにそのような磁界制御方法による磁界制御を行わせるプログラムに関する。本発明は、このようなプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体にも関する。

光ディスク等の光記録媒体に光ビームを照射して光記録媒体から情報を再生する時に、光記録媒体に再生磁界を印加するＭＳＲ（Magnetic Super Resolution）方式等が知られている。光記録媒体から再生された情報の誤り率（ＢＥＲ：Bit Error Rate）、即ち、リードエラーを低く抑えるには、再生磁界強度を適切な値に制御する必要がある。リードエラーが発生すると、予め求められた基準の値に対して、バイアスオフセット値分だけ再生磁界強度を増減してリードリトライを行う。

再生磁界強度は、再生磁界を発生させるコイルに流す電流によって制御する。再生磁界を発生するコイルに印加する電流値は、バイアスオフセット値に応じて設定される。バイアスオフセット値が固定の場合、コイルに流れる電流が同じであっても光記録媒体に実際に印加される再生磁界強度は、コイルと光記録媒体との間の距離により異なる。従って、製造バラツキ等によりコイルと光記録媒体との間の距離が設計値より大きい記憶装置においては、目的とする最適再生磁界強度まで達しない可能性がある。これとは逆に、コイルと光記録媒体との間の距離が設計値より小さい記憶装置においては、過剰な再生磁界強度に達し、誤り率を最小とする最適再生磁界強度を越えてしまう可能性もある。

コイルと光記録媒体との間の距離のバラツキは、コイルが固定的に設けられた記憶装置の場合でも製造バラツキ等により発生するが、特にコイルが移動するタイプの記憶装置において顕著に発生する。コイルが移動するタイプの例えば光ディスク装置等の記憶装置では、コイルが光ビームを出射する光学系と共に光ディスクの半径方向上を移動し、及び／又は、光ディスクの光ディスク装置に対するローディング及びアンローディングの際に開閉されるカバーの動きに応じてコイルが光ディスクに対して相対的に移動する。このように、コイルが光記録媒体に対して相対的に移動する構成の記憶装置では、コイルと光記録媒体との間の距離のバラツキが一層顕著となる。

又、光記録媒体自体にも製造時等の条件のバラツキにより、個々の磁界感度に異なりがあり、実際に印加される再生磁界強度が同じでも、再生される情報の誤り率に異なりが生じることがある。

リードリトライの際に再生磁界を制御する方法は、例えば特許文献１に記載されている。
特開２０００−１８２２９２号公報

従来、バイアスオフセット値は、コイルと光記録媒体との間の距離が一定の設計値であるという前提で設定されていた。再生磁界を発生するコイルに印加する電流値は、バイアスオフセット値に応じて設定されるため、光記録媒体に実際に印加される再生磁界強度は、コイルと光記録媒体との間の実際の距離により異なってしまう。しかし、コイルと光記録媒体との間の実際の距離は、製造バラツキ等により、許容範囲内に設定することはできても、一定の設計値とすることはできないため、常に再生磁界を誤り率を最小とする最適な再生磁界強度に制御することはできないという問題があった。

又、光記録媒体に実際に印加される再生磁界強度は、光記録媒体自体の磁界感度によっても異なるが、従来、個々の光記録媒体自体の磁界感度に応じて、常に再生磁界を誤り率を最小とする最適な再生磁界強度に制御することはできないという問題があった。

そこで、本発明は、コイルと光記録媒体との間の距離にかかわらず、及び／又は、光記録媒体自体の磁界感度にかかわらず、常に再生磁界を誤り率を最小とする最適な再生磁界強度に制御するようにした磁界制御方法、記憶装置、プログラム及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を提供することを目的とする。

上記の課題は、リードリトライ時に光記録媒体に印加する再生磁界強度を増減する基準オフセット値を、実際に該光記録媒体に印加される再生磁界強度が該光記録媒体からの誤り率が閾値未満となる最適再生磁界強度となるように補正値により補正する補正ステップを含むことを特徴とする磁界制御方法によって達成できる。

上記の課題は、リードリトライ時に光記録媒体に印加する再生磁界強度を増減する基準オフセット値を格納する格納手段と、実際に該光記録媒体に印加される再生磁界強度が該光記録媒体からの誤り率が閾値未満となる最適再生磁界強度となるように補正値により補正する補正手段とを備えたことを特徴とする記憶装置によっても達成できる。

上記の課題は、コンピュータにリード時に光記録媒体に印加する再生磁界強度を制御させるプログラムであって、該コンピュータに、リードリトライ時に該光記録媒体に印加する再生磁界強度を増減する基準オフセット値を、実際に該光記録媒体に印加される再生磁界強度が該光記録媒体からの誤り率が閾値未満となる最適再生磁界強度となるように補正値により補正させる補正手順を含むことを特徴とするプログラムによっても達成できる。

又、上記の課題は、光記録媒体に印加する再生磁界強度を増減する基準オフセット値を、実際に該光記録媒体に印加される再生磁界強度が該光記録媒体からの誤り率が閾値未満となる最適再生磁界強度となるように補正値により補正する補正ステップを含むことを特徴とするリードリトライ方法によっても達成できる。

上記の課題は、リードリトライ時に光記録媒体に印加する再生磁界強度を増減してリードが成功した場合に、デフォルトの再生磁界強度を増減する再生磁界制御の学習方法であって、再生磁界強度を増減する基準オフセット値を、実際に該光記録媒体に印加される再生磁界強度が該光記録媒体からの誤り率が閾値未満となる最適再生磁界強度となるように補正値により補正する補正ステップを含むことを特徴とする学習方法によっても達成できる。

上記の課題は、リードリトライ時に光記録媒体に印加する再生磁界強度を増減してリードが成功した場合に、デフォルトの再生磁界強度を増減する記憶装置であって、再生磁界強度を増減する基準オフセット値を、実際に該光記録媒体に印加される再生磁界強度が該光記録媒体からの誤り率が閾値未満となる最適再生磁界強度となるように補正値により補正する補正手段を備えたことを特徴とする記憶装置によっても達成できる。

上記の課題は、コンピュータに、リードリトライ時に光記録媒体に印加する再生磁界強度を増減してリードが成功した場合に、デフォルトの再生磁界強度を増減させるプログラムであって、該コンピュータに、再生磁界強度を増減する基準オフセット値を、実際に該光記録媒体に印加される再生磁界強度が該光記録媒体からの誤り率が閾値未満となる最適再生磁界強度となるように補正値により補正させる補正手順を含むことを特徴とするプログラムによっても達成できる。

上記の課題は、上記プログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体によっても達成できる。

本発明によれば、コイルと光記録媒体との間の距離にかかわらず、及び／又は、光記録媒体自体の磁界感度にかかわらず、常に再生磁界を誤り率を最小とする最適な再生磁界強度に制御することが可能な磁界制御方法、記憶装置、プログラム及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を実現することができる。

図１〜図３は、本発明の原理を説明する図である。図１は、リード時に光ディスク等の光記録媒体に印加する再生磁界を発生するコイルと、光記録媒体との間の距離が設計値（理想値）である場合示す。図２は、コイルと光記録媒体との間の距離が設計値より小さい場合を示す。図３は、コイルと光記録媒体との間の距離が設計値より大きい場合を示す。図１〜図３中、（Ａ）は誤り率（ＢＥＲ）とコイルに印加する電流（コイル電流）をいずれも任意単位で示し、（Ｂ）はコイルと光記録媒体の位置関係を示す。図１〜図３中、１は再生磁界を発生するコイル、２はレンズを含む光学系、３は光ビーム、４は光記録媒体、５は光記録媒体を回転するスピンドルモータである。リードエラーが発生すると、バイアスオフセット値でコイル１に印加する電流を増減することで再生磁界強度を増減してリードリトライを行う。

図１（Ｂ）では、コイル１と光記録媒体４との間の距離が設計値Ｄ１である。従って、図１（Ａ）に示すように、点Ｐ１ではＢＥＲが最適値（最小値）であり、コイル１が発生する再生磁界強度も最適値である。この点Ｐ１でのバイアスオフセット値は０である。尚、ＲＲＯｄ１は、ＢＥＲが閾値Ｔｈに達してリードリトライを行う際にコイル１に印加する電流を増加するための基準バイアスオフセット値を示す。基準バイアスオフセット値ＲＲＯｄ１は、例えばデフォルト値である。

図２（Ｂ）では、コイル１と光記録媒体４との間の距離が設計値Ｄ１より小さいＤ２である。従って、図２（Ａ）に示すように、点Ｐ１１ではバイアスオフセット値は０であるが、ＢＥＲが最適値（最小値）ではない。ＢＥＲが閾値Ｔｈに達してリードリトライを行う際のバイアスオフセット値がＲＲＯｄ１に設定されると、ＢＥＲが最適値となる点Ｐ１２を越える可能性があるので、この場合はＲＲＯｄ１に一定の係数を乗算して補正することでバイアスオフセット値をＲＲＯｄ２に減少させることで、コイル１が発生する再生磁界強度を最適値に制御することができる。

図３（Ｂ）では、コイル１と光記録媒体４との間の距離が設計値Ｄ１より大きいＤ３である。従って、図３（Ａ）に示すように、点Ｐ２１ではバイアスオフセット値は０であるが、ＢＥＲが最適値（最小値）ではない。ＢＥＲが閾値Ｔｈに達してリードリトライを行う際のバイアスオフセット値がＲＲＯｄ１に設定されると、ＢＥＲが最適値となる点Ｐ２２に達しない可能性があるので、この場合はＲＲＯｄ１に一定の係数を乗算して補正することでバイアスオフセット値をＲＲＯｄ３に増加させることで、コイル１が発生する再生磁界強度を最適値に制御することができる。

従って、MSR媒体の如きリード時に再生磁界を印加する必要のある光記録媒体４のリード動作において、再生磁界強度を基準バイアスオフセット値分だけ増減させてリードリトライを行う場合、増減させる基準バイアスオフセット値を、テストリードバイアス制御の結果に基づいて補正する。テストリードバイアス制御では、実際にテストパターンを光記録媒体４に記録して再生し、誤り率が閾値以下となる再生磁界強度を求め、この再生磁界強度をコイル１に発生させるために基準バイアスオフセット値ＲＲＯｄ１に乗算するべき係数（補正値）を算出し、コイル１を駆動する電流を生成する回路系へフィードバックする。

リードリトライで増減する再生磁界強度の量は、単にコイル１に印加される電流値のみで制御するのではなく、あくまでも光記録媒体４に印加される再生磁界強度がコイル１と光記録媒体４との間の実際の距離に関係なく一定になるように制御される。記憶装置内でコイル１と光記録媒体４との間の実際の距離を測定することは難しいため、テストリードバイアス制御の結果に基づいてリードリトライで増減する基準バイアスオフセット値を補正する。

先ず、本発明になる記憶装置の一実施例を、図４と共に説明する。図４は、本発明になる記憶装置の一実施例の要部を示すブロック図である。記憶装置の本実施例では、本発明が光ディスク装置に適用されている。又、記憶装置の本実施例は、本発明になる磁界制御方法の一実施例を採用する。

図４に示すように、光ディスク装置は、大略コントロールユニット１０とエンクロージャ１１とからなる。コントロールユニット１０は、光ディスク装置の全体的な制御を行うＭＰＵ１２、ホスト装置（図示せず）との間でコマンド及びデータのやり取りを行うインタフェース１７、光ディスク（図示せず）に対するデータのリード／ライトに必要な処理を行う光ディスクコントローラ（ＯＤＣ）１４、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）１６、バッファ１８、ＲＯＭ１９及び入出力（Ｉ／Ｏ）論理回路８０を有する。バッファ１８及びＲＯＭ１９は、ＭＰＵ１２、ＯＤＣ１４及びインタフェース１７で共用され、例えばダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）や、制御プログラムやフラグ情報等を格納する不揮発性メモリ等を含む。

ＯＤＣ１４には、フォーマッタと、誤り訂正符号（ＥＣＣ）処理部（いずれも図示せず）とが設けられている。ライトアクセス時には、フォーマッタがＮＲＺライトデータを光ディスクのセクタ単位に分割して記録フォーマットを生成し、ＥＣＣ処理部がセクタライトデータ単位にＥＣＣを生成して付加すると共に、必要に応じて巡回冗長検査（ＣＲＣ）符号を生成して付加する。更に、ＥＣＣ処理部はＥＣＣの符号化が済んだセクタデータを例えば１−７ランレングスリミテッド（ＲＬＬ）符号に変換する。リードアクセス時には、セクタデータに対して１−７ＲＬＬの逆変換を行い、次にＥＣＣ処理部でＣＲＣを行った後にＥＣＣによる誤り検出及び誤り訂正を行う。更に、フォーマッタでセクタ単位のデータを連結してリードデータのストリームとしてホスト装置に転送させる。

ＯＤＣ１４に対しては、ライト大規模集積回路（ＬＳＩ）２０が設けられ、ライトＬＳＩ２０は、ライト変調部とレーザダイオード制御回路（いずれも図示せず）とを有する。レーザダイオード制御回路の制御出力は、エンクロージャ１１側の光学ユニットに設けられたレーザダイオードドライバ３０１を介してレーザダイオードユニット３０に供給される。ライト変調部は、ライトデータをピットポジションモジュレーション（ＰＰＭ）記録（マーク記録とも言う）又はパルスウィドスモジュレーション（ＰＷＭ）記録（エッジ記録とも言う）でのデータ形式に変換する。

レーザダイオードユニット３０を使用してデータの記録再生を行う光ディスク、即ち、書き換え可能な光磁気（ＭＯ）カートリッジ媒体として、本実施例では、光ディスク上のマークエッジの有無に対応してデータを記録するＰＷＭ記録が採用されている。又、光ディスクの記録フォーマットは、超解像技術（ＭＳＲ）を使用した１.３ＧＢフォーマットであり、ＺＣＡＶ方式を採用している。光ディスク装置に光ディスクをロードすると、先ず光ディスクの識別（ＩＤ）部をリードしてそのピット間隔からＭＰＵ１２で光ディスクの種別（記憶容量等）を認識し、種別の認識結果をＯＤＣ１４に通知する。

ＯＤＣ１４に対するリード系統としては、リードＬＳＩ２４が設けられ、リードＬＳＩ２４にはリード復調部と周波数シンセサイザ（いずれも図示せず）とが内蔵される。リードＬＳＩ２４に対しては、エンクロージャ１１に設けたディテクタ部３２によるレーザダイオードユニット３０からの光ビームの戻り光ビームの受光信号が、ヘッドアンプ３４を介してＩＤ信号及びＭＯ信号として入力されている。リードＬＳＩ２４のリード復調部には、自動利得制御（ＡＧＣ）回路、フィルタ、セクタマーク検出回路等の回路機能が設けられ、リード復調部は入力されたＩＤ信号及びＭＯ信号からリードクロック及びリードデータを生成してＰＷＭデータを元のＮＲＺデータに復調する。又、ゾーンＣＡＶを採用しているため、ＭＰＵ１２からリードＬＳＩ２４に内蔵された周波数シンセサイザに対してゾーン対応のクロック周波数を発生させるための分周比の設定制御が行われる。

リードＬＳＩ２４で復調されたリードデータは、ＯＤＣ１４のリード系統に供給され、１−７ＲＬＬの逆変換を行った後にＥＣＣ処理部の符号化機能によりＣＲＣ及びＥＣＣ処理を施され、ＮＲＺセクタデータに復元される。次に、フォーマッタでＮＲＺセクタデータを繋げたＮＲＺリードデータのストリームに変換し、バッファ１８を経由してインタフェース１７からホスト装置に転送される。

ＭＰＵ１２に対しては、ＤＳＰ１６を経由してエンクロージャ１１側に設けた温度センサ３６の検出信号が供給されている。ＭＰＵ１２は、温度センサ３６で検出した光ディスク装置内部の環境温度に基づき、レーザダイオード制御回路におけるリード、ライト及びイレーズの各発光パワーを最適値に制御する。

ＭＰＵ１２は、ＤＳＰ１６を経由してドライバ３８によりエンクロージャ１１側に設けたスピンドルモータ５を制御する。又、ＭＰＵ１２は、ＤＳＰ１６を経由してドライバ４２を介してエンクロージャ１１側に設けたコイル１を制御する。コイル１は、光ディスク装置内にロードされた光ディスクのビーム照射側と反対側に配置されており、記録（ライト）時及び消去時に光ディスクに外部磁界（ライト磁界、イレーズ磁界）を印加する。超解像技術を用いた１.３ＧＢフォーマットの光ディスクでは、再生（リード）時にも光ディスクに外部磁界（再生磁界）を印加する。

ＤＳＰ１６は、光ディスクに対してレーザダイオードユニット３０からの光ビームの位置決めを行うためのサーボ機能を備え、目的トラックにシークしてオントラックするためのシーク制御部及びオントラック制御部として機能する。このシーク制御及びオントラック制御は、ＭＰＵ１２による上位コマンドに対するライトアクセス又はリードアクセスに並行して同時に実行することができる。

ＤＳＰ１６のサーボ機能を実現するため、ディテクタ部３２に光ディスクからのビーム戻り光ビームを受光するフォーカスエラー信号（ＦＥＳ）用ディテクタを設けている。ＦＥＳ検出回路４６は、ＦＥＳ用ディテクタの受光出力から生成した信号をＤＳＰ１６に入力する。ディテクタ部３２には、光ディスクからのビーム戻り光ビームを受光するトラッキングエラー信号（ＴＥＳ）用ディテクタも設けられている。ＴＥＳ検出回路４８は、ＴＥＳ用ディテクタの受光出力から生成した信号をＤＳＰ１６に入力する。

ＤＳＰ１６は、光ディスク上のビームスポットの位置を制御するため、ドライバ５８，６２，６６を介してフォーカスアクチュエータ６０、レンズアクチュエータ６４及びステッピングモータ（又は、ボイスコイルモーター（VCM））６８を制御して駆動する。

エンクロージャ１１側に設けられたカートリッジセンサ８１は、ＭＯカートリッジ媒体である光ディスクの光ディスク装置に対するロード及びアンロードを検出し、検出結果をＩ／Ｏ論理回路８０に出力する。

図５は、ＭＰＵ１２の制御下で行われるテストライトを説明するフローチャートである。ホスト装置からライトコマンドが発行されると、実際のライト動作の前に、ライト用の最適レーザーパワーを求めるためにテストライト処理を行なう。ステップＳ１は、ホストからのコマンドに含まれるライトするべき位置から、テストライトを行うべき光記録媒体４上の測定トラックを決定し、ステップＳ２は、測定トラックへシーク動作を行う。ステップＳ３は、光ビーム３のライトパワーを初期値ＷＰ０に設定し、ステップＳ４は、例えばＭＰＵ１２内の測定回数カウンタの値をｉ＝０に初期化する。ステップＳ５は、測定トラックに予め設定されたテストパターンを記録（ライト）し、ステップＳ６は、測定トラックからテストパターンを再生（リード）する。ステップＳ７は、ライトパワーＷＰｉと、実際にリードされたテストパターンと予め設定されたテストパターンのデータの不一致数Ｅｉとを例えばバッファ１８内のリード確認テーブルに格納する。ステップＳ８は、ライトパワーＷＰｉをＷＰｉ＝ＷＰｉ＋ａ（ただし、ａは正又は負の値）に増加し、測定回数カウンタの値をｉ＝ｉ＋１にカウントアップする。ステップＳ９は、ｎを所定数とすると、ｉ＞ｎであるか否かを判定し、判定結果がＮＯであると、所定はステップＳ５へ戻る。

他方、ステップＳ９の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ１０は、Ｅｔｈを不一致数Ｅｉの閾値とすると、Ｅｉ＜Ｅｔｈとなるライトパワーが上記リード確認テーブルに格納されているか否かを判定する。ステップＳ１０の判定結果がＮＯであると、ステップＳ１１は、ライトパワーＷＰ０を変更し、処理はステップＳ４へ戻る。

図６は、ライトパワーとデータ不一致数の関係を示す図である。図６に示すように、ライトパワー（任意単位）がＷＰ０からＷＰｎへ増加するにつれて、不一致数Ｅ（任意単位）は増減する。

図５において、ステップＳ１０の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ１２は、上記リード確認テーブルの不一致数から最適ライトパワーを求める。ステップＳ１３は、最適ライトパワーを例えばバッファ１８に格納し、処理は終了する。これにより、最適ライトパワー、即ち、ロードされている光ディスクに対するライトパワーのデフォルト値が求められる。

図７は、テストライト及び後述するテストリード、テストリードバイアスにおけるゾーン認識を説明するフローチャートである。ホスト装置からライトコマンド又はリードコマンドが発行されると、ステップＳ２１は、コマンドで指示されるアドレスに基づいて目標ゾーンを算出する。

図８は、光記録媒体４上のゾーンとエリアの関係を示す図である。光記録媒体４が光ディスクの場合、光ディスクの半径方向にリング状に配置されたゾーンとエリアとは、例えば図８に示すような関係にある。この例では、光ディスクは１８個のゾーンに区切られており、比較的特性の似ているゾーンをひとまとめにして、６個のエリアに区切られている。

図７に示すステップＳ２２は、図８に示す関係に基づいて指定されたアドレスが属する目標ゾーンを対応する目標エリアに変換する。ステップＳ２３は、目標エリア内のテストトラックをランダムに選択し、ステップＳ２４は、現在のライト又はリード位置のＩＤを確認する。ステップＳ２５は、テストトラックへのシーク動作を行う。

図９は、ＭＰＵ１２の制御下で行われるテストリードを説明するフローチャート、図１１は、ＭＰＵ１２の制御下で行われるテストリードバイアス制御を説明するフローチャートである。ホスト装置からリードコマンドが発行されると、実際のリード動作の前に、リード用の最適レーザーパワーを求めるためのテストリード処理と最適再生磁界を求めるためのテストリードバイアスを行なう。

図９に示すテストリードにおいて、ステップＳ３１は、テストリードを行うべき光記録媒体４上の測定トラックを決定し、ステップＳ３２は、測定トラックへシーク動作を行う。ステップＳ３３は、光ビーム３のリードパワーを初期値ＲＰ０を設定し、ステップＳ３４は、例えばＭＰＵ１２内の測定回数カウンタの値をｉ＝０に初期化する。ステップＳ３５は、測定トラックに予め設定されたテストパターンを記録（ライト）し、ステップＳ３６は、測定トラックからテストパターンを再生（リード）する。ステップＳ３７は、リードパワーＲＰｉと、実際にリードされたテストパターンと予め設定されたテストパターンのデータの不一致数Ｅｉとを例えばバッファ１８内のリード確認テーブルに格納する。ステップＳ３８は、リードパワーＲＰｉをＲＰｉ＝ＲＰｉ＋ｂ（ただし、ｂは正又は負の値）に増加し、測定回数カウンタの値をｉ＝ｉ＋１にカウントアップする。ステップＳ３９は、ｎを所定数とすると、ｉ＞ｎであるか否かを判定し、判定結果がＮＯであると、所定はステップＳ３５へ戻る。

他方、ステップＳ３９の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ４０は、Ｅｔｈを不一致数Ｅｉの閾値とすると、Ｅｉ＜Ｅｔｈとなるリードパワーが上記リード確認テーブルに格納されているか否かを判定する。ステップＳ４０の判定結果がＮＯであると、ステップＳ４１は、リードパワーＲＰ０を変更し、処理はステップＳ３４へ戻る。

図１０は、リードパワーとデータ不一致数の関係を示す図である。図１０に示すように、リードパワー（任意単位）がＲＰ０からＲＰｎへ増加するにつれて、不一致数Ｅ（任意単位）は増減する。

図９において、ステップＳ４０の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ４２は、Ｅｉ≧Ｅｔｈとなるリードパワーが上記リード確認テーブルに格納されているか否かを判定する。ステップＳ４２の判定結果がＮＯであると、処理は上記ステップＳ４１へ戻る。他方、ステップＳ４２の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ４３は、上記リード確認テーブルの不一致数から最適リードパワーを求める。ステップＳ４４は、最適リードパワーを例えばバッファ１８に格納し、処理は終了する。これにより、最適リードパワー、即ち、ロードされている光ディスクに対するリードパワーのデフォルト値が求められる。

図１１に示すテストリードバイアスにおいて、ステップＳ５１は、テストリードバイアス制御を行うべき光記録媒体４上の測定トラックを決定し、ステップＳ５２は、測定トラックへシーク動作を行う。ステップＳ５３は、光記録媒体４に印加する再生磁界強度を初期値Ｈ０に設定し、ステップＳ５４は、例えばＭＰＵ１２内の測定回数カウンタの値をｉ＝０に初期化する。ステップＳ５５は、測定トラックに予め設定されたテストパターンを記録（ライト）し、ステップＳ５６は、測定トラックからテストパターンを再生（リード）する。ステップＳ５７は、再生磁界強度Ｈｉと、実際にリードされたテストパターンと予め設定されたテストパターンのデータの不一致数Ｅｉとを例えばバッファ１８内のリード確認テーブルに格納する。ステップＳ５８は、再生磁界強度ＨｉをＨｉ＝Ｈｉ＋ｃ（ただし、ｃは正又は負の値）に増加し、測定回数カウンタの値をｉ＝ｉ＋１にカウントアップする。ステップＳ５９は、ｎを所定数とすると、ｉ＞ｎであるか否かを判定し、判定結果がＮＯであると、所定はステップＳ５５へ戻る。

他方、ステップＳ５９の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ６０は、Ｅｔｈを不一致数Ｅｉの閾値とすると、Ｅｉ＜Ｅｔｈとなる再生磁界強度が上記リード確認テーブルに格納されているか否かを判定する。ステップＳ６０の判定結果がＮＯであると、ステップＳ６１は、再生磁界強度Ｈ０を変更し、処理はステップＳ５４へ戻る。

図１２は、再生磁界強度とデータ不一致数の関係を示す図である。図１２に示すように、再生磁界強度（任意単位）がＨ０からＨｎへ増加するにつれて、不一致数Ｅ（任意単位）は減少する。

図１１において、ステップＳ６０の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ６２は、上記リード確認テーブルの不一致数から最適再生磁界強度を求める。これにより、ロードされている光ディスクに対する最適再生磁界強度のデフォルト値が求められる。

尚、図５に示すステップＳ８、図９に示すステップＳ３８及び図１１に示すステップＳ５８では、夫々正又は負の値ａ，ｂ，ｃが加算されているが、任意の係数を乗算するようにしても良いことは言うまでもない。

次に、テストライト及びテストリード、テストリードバイアスを行うタイミングについて説明する。

光記録媒体４が光ディスクの場合、光ディスクを光ディスク装置にロードすると、テストライト及びテストリードを、例えば光ディスクの最アウタゾーン及び最インナゾーンに対して行う。これは、通常の光ディスクの場合、光ディスクのＭＡＰ情報が最アウタゾーン及び最インナゾーンに書かれており、このＭＡＰ情報を再生するためである。又、テストライトは、テストリードの際にライトを行うライトパワーを決めるために行う。

光ディスクを光ディスク装置にロードした後、例えば３分間といった所定時間は、テストライト及びテストリードで得られる結果の有効時間は例えば３０秒といった短い時間である。有効時間を経過した後にホスト装置からライトコマンド又はリードコマンドが発行されると、テストライト及びテストリード、テストリードバイアスを再度行う。

更に、光ディスクを光ディスク装置にロードした後、例えば３分後といった所定時間後は、温度変化に基づいてテストライト及びテストリード、テストリードバイアスを行うようにしても良い。この場合、温度センサ３６により例えば前回検出した光ディスク装置内の温度と現在検出されている温度と差が例えば３℃といった所定値に達すると、テストライト及びテストリード、テストリードバイアスを再度行う。
また上記時間や温度差はテストライト、テストリード、テストリードバイアスそれぞれ別個に設けてもよく、例えば１回のリードコマンドでテストリードとテストリードバイアスを毎回同時に行う必要も無い。
図１３は、ＭＰＵ１２の制御下で行われるリトライ及び学習を含むリードを説明するフローチャートである。ホスト装置からリードコマンドが発行されると、ステップＳ７１は、リードアドレスのトラックまでのシーク動作を開始し、ステップＳ７２は、リード時に用いる各種パラメータをデフォルト値に設定するノーマル設定を行う。このノーマル設定では、上記の如く求められたリードパワー、ライトパワー及び最適再生磁界強度のデフォルト値が設定されると共に、リードＬＳＩ２４内の周波数シンセサイザの分周比又は時定数のデフォルト値等が設定される。ステップＳ７３は、設定された各種デフォルト値でリードを行う。ステップＳ７４は、リードが成功したか否かを判定し、判定結果がＹＥＳであると、処理は終了する。

他方、ステップＳ７４の判定結果がＮＯであると、ステップＳ７５は、リトライ設定を行う。表１にリードリトライで設定するパラメータの種類やその変更量についての一例を示す。リトライ設定では、各リトライ回数に対して変更するパラメータや、変更するパラメータの基準オフセット値（基準変更量）、基準オフセット値の補正値及び補正値の増減幅等が設定される。表１では、再生系のパラメータの一例として、リードパワー、リードバイアス、フィルタカットオフ、フィルタブースト、二値化スライスレベル、二値化ウィンドウシフトが示されている。表１において、リトライ番号「０」は、通常のリード設定（ノーマル条件）を示す。又、設定は全てデフォルト値に対するオフセット値である。この例では、1回のリトライで1つのパラメータしか変えていないが、複数のパラメータを同時に使って良いことは言うまでもない。

ステップＳ７６は、リトライ設定により、再生磁界強度の基準オフセット値の変更（又は、補正）が含まれているか否かを判定する。ステップＳ７６の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ７７は、リードリトライ用にデフォルト値に対して増加又は減少させるために予め設定された基準オフセット値RP０ｄ１に対して、テストリードバイアスで得られた結果と予め求められている理想状態でのテストリードバイアス結果との差に対応する値から補正値を乗算した分の補正オフセット値を求め、この補正オフセット値を増加又は減少させるための補正計算をしてコイル１に供給するべき電流値をバッファ１８に格納し、コイル１に供給する電流を補正オフセット値に対応する分だけ増減する。

理想状態でのテストリードバイアス結果とは、全てがノミナル条件下でテストリードバイアスを行った場合の結果を指す。例えば、設計上、コイルと光記録媒体の間隔（メカ設計値Ａ±αというところのＡ）、光記録媒体の感度、回路特性等が全てノミナル値（即ち、理想状態）の時に、テストリードバイアスで求めるオフセット値が０となるように、コイルに流す電流のテーブルを設定する。

ステップＳ７６の判定結果がＮＯであるか、或いは、ステップＳ７７の後、ステップＳ７８は、リトライ設定により設定されたパラメータを用いて行ったリードリトライが成功したか否かを判定する。ステップＳ７８の判定結果がＮＯであると、ステップＳ８０は、リトライ設定により設定された、変更するべきパラメータの全ての変更シーケンス及びリトライ回数が完了したか否かを判定する。ステップＳ８０の判定結果がＮＯであると、処理はステップＳ７５へ戻り、ステップＳ７６の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ７７ではリトライ設定で設定されている補正値の増減幅だけ増減された補正値を用いて上記計算する。ステップＳ８０の判定結果がＹＥＳであると、エラー通知をホスト装置に対して行う。

ステップＳ７９の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ８２は、成功したリードリトライが再生磁界強度の変更によるものであるか否かを判定する。例えば、リードパワーをリトライ設定に応じて変更してもステップＳ７９の判定結果がＮＯであるが、再生磁界強度をリトライ設定に応じて変更するとステップＳ７９判定結果がＹＥＳになれば、成功したリードリトライが再生磁界強度の変更によるものであることがわかる。ステップＳ８２の判定結果がＮＯであると、処理は終了する。

ステップＳ８２の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ８３は、再生磁界強度をリトライ設定に応じて変更した回数を例えばＭＰＵ１２内のカウンタでカウントする。ステップＳ８３は、このカウンタの値が学習用閾値に達しているか否かを判定し、判定結果がＮＯであると、処理は終了する。ステップＳ８４の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ８５は、テストリードバイアスによって求められた最適磁界強度に対して加算してデフォルト値を補正するための、予め決められたオフセット値に対し、テストリードバイアスで得られた結果と予め求められている理想状態でのテストリードバイアス結果との差に対応する値から補正値を乗算した補正オフセット値を求める。ステップＳ８６は、この補正オフセット値をデフォルト値に加算して更新する学習を行い、処理は終了する。

ステップＳ７５のリトライ設定で設定される、再生磁界強度を変更する基準オフセット値は、例えば標準磁界感度を有する標準光ディスクと、コイル１とロードされた標準光ディスクとの間の距離が標準距離に設定された標準ディスク装置とを用いて、ステップＳ７５〜Ｓ８０と同様の処理を行うことで予め求めておき、出荷時に各ディスク装置のバッファ１８やＲＯＭ１９に格納しておくことができる。又、基準再生磁界強度も、図１１に示すテストリードバイアス制御と同様の処理を標準ディスク装置及び標準光ディスクを用いて行い、出荷時に各ディスク装置のバッファ１８やＲＯＭ１９に格納しておくことができる。

従って、リードリトライが発生すると、ステップＳ７７は、基準最適再生磁界強度とデフォルト値の最適再生磁界強度とを比較して基準最適再生磁界強度に対するオフセット値を求め、このオフセット値と基準オフセット値との差分に予め設定されている係数を加算又は乗算することで上記補正値、即ち、基準オフセット値を実際の最適再生磁界強度に対するオフセット値に補正するための補正値、を求めることができる。又、ステップＳ８３においてカウンタのカウント値が閾値を超え、学習によるデフォルト条件を変更する必要が生じた時にも、同様にして実際の最適再生磁界強度に対するオフセット値に補正するための補正値を求めることができる。

尚、ディスク装置のバッファ１８等に格納された補正オフセット値や学習値は、光ディスクがディスク装置からアンロードされるとリセットされる。これは、補正オフセット値や学習値が、ディスク装置にロードされている個々の光ディスクとその光ディスク装置との相性に応じて変わるからである。

図１４は、記憶装置の一実施例を示す上面図、図１５は、記憶装置の一実施例を示す側面図、図１６は、記憶装置の一実施例を示す底面図である。図１５は、カバー１００が開けられて光ディスク４を光ディスク装置にロード可能、或いは、光ディスク４を光ディスク装置からアンロード可能な状態を示す。

コイルと光記録媒体との間の距離のバラツキは、コイルが固定的に設けられた記憶装置の場合でも製造バラツキ等により発生するが、特にコイルが移動するタイプの記憶装置において顕著に発生する。

図１４〜図１６に示す記憶装置は、コイル１が移動するタイプであり、コイル１が光ビーム３を出射する光学系２と共に光ディスク４の半径方向上を移動し、及び／又は、光ディスク４の光ディスク装置に対するローディング及びアンローディングの際に開閉されるカバー１００の開閉に応じてコイル１が光ディスク４に対して相対的に移動する。このように、コイル１が光ディスク４に対して相対的に移動する構成の光ディスク装置では、コイル１と光ディスク４との間の距離のバラツキが一層顕著となる。

又、光ディスク４自体の磁界感度も個々の製造条件によって異なり、ＢＥＲが最小となる最適磁界強度値、及び磁界強度の変化に対するＢＥＲの変化量も個々に異なる。

しかし、本実施例によれば、光ディスク装置の製造ばらつきに関係なく、リードリトライ時の再生磁界強度のオフセット値を最適に補正することができる。又、コイル１と光ディスク４との間の距離が近い光ディスク装置においては、コイル１に流す電流を削減できるので、省電力化が可能となる。更に、テストリードバイアス制御の実行を光ディスク４の半径方向に設けられ図８と共に説明したエリア毎に行うことにより、コイル１と光ディスク４が完全に平行でない時、更に光ディスク４自体が半径方向に平らでなく、湾曲するような形状をしている時でも、安定した再生磁界を光ディスク４に印加することができる。

本発明になるプログラムは、コンピュータに上記の如き再生磁界の制御を行わせるプログラムである。又、本発明になるコンピュータ読み取り可能な記憶媒体は、そのようなプログラムをコンピュータ読み取り可能に格納した記録媒体である。

尚、本発明は、以下に付記する発明をも包含するものである。
（付記１） リードリトライ時に光記録媒体に印加する再生磁界強度を増減する基準オフセット値を、実際に該光記録媒体に印加される再生磁界強度が該光記録媒体からの誤り率が閾値未満となる最適再生磁界強度となるように補正値により補正する補正ステップを含むことを特徴とする、磁界制御方法。
（付記２） 該補正ステップは、実際のリード動作の前に行われる最適再生磁界を求めるためのテストリードバイアスの結果と、理想状態でのテストリードバイアスの結果との差に対応する値から該補正値を求めることを特徴とする、付記１記載の磁界制御方法。
（付記３） 該実際のリード動作の前に行われるテストリードバイアスの結果を格納する格納ステップを更に含むことを特徴とする、付記２記載の磁界制御方法。
（付記４） 実際に該光記録媒体に印加される再生磁界強度が該最適再生磁界強度になるまでに該基準オフセット値を補正した回数が学習用閾値に達すると、該補正値を新たな補正値に更新する学習ステップを更に含むことを特徴とする、付記１記載の磁界制御方法。
（付記５） 該補正ステップは、該光記録媒体上のエリア毎に該補正を行うことを特徴とする、付記１〜４のいずれか１項記載の磁界制御方法。
（付記６） リードリトライ時に光記録媒体に印加する再生磁界強度を増減する基準オフセット値を格納する格納手段と、
実際に該光記録媒体に印加される再生磁界強度が該光記録媒体からの誤り率が閾値未満となる最適再生磁界強度となるように補正値により補正する補正手段とを備えたことを特徴とする、記憶装置。
（付記７） 該補正手段は、実際のリード動作の前に行われる最適再生磁界を求めるためのテストリードバイアスの結果と、理想状態でのテストリードバイアスの結果との差に対応する値から該補正値を求めることを特徴とする、付記６記載の記憶装置。
（付記８） 該実際のリード動作の前に行われるテストリードバイアスの結果を格納する格納手段を更に備えたことを特徴とする、付記７記載の記憶装置。
（付記９） 実際に該光記録媒体に印加される再生磁界強度が該最適再生磁界強度になるまでに該基準オフセット値を補正した回数が学習用閾値に達すると、該補正値を新たな補正値に更新する学習手段を更に備えたことを特徴とする、付記６〜８のいずれか１項記載の記憶装置。
（付記１０） 該補正手段は、該光記録媒体上のエリア毎に該補正を行うことを特徴とする、付記６〜９のいずれか１項記載の記憶装置。
（付記１１） コンピュータにリード時に光記録媒体に印加する再生磁界強度を制御させるプログラムであって、
該コンピュータに、リードリトライ時に該光記録媒体に印加する再生磁界強度を増減する基準オフセット値を、実際に該光記録媒体に印加される再生磁界強度が該光記録媒体からの誤り率が閾値未満となる最適再生磁界強度となるように補正値により補正させる補正手順を含むことを特徴とする、プログラム。
（付記１２） 該補正手順は、該コンピュータに、実際のリード動作の前に行われる最適再生磁界を求めるためのテストリードバイアスの結果と、理想状態でのテストリードバイアスの結果との差に対応する値から該補正値を求めさせることを特徴とする、付記１１記載のプログラム。
（付記１３） 該コンピュータに、該実際のリード動作の前に行われるテストリードバイアスの結果を格納させる格納手順を更に含むことを特徴とする、付記１２記載のプログラム。
（付記１４） 該コンピュータに、実際に該光記録媒体に印加される再生磁界強度が該最適再生磁界強度になるまでに該基準オフセット値を補正した回数が学習用閾値に達すると、該補正値を新たな補正値に更新させる学習手順を更に含むことを特徴とする、付記１１記載のプログラム。
（付記１５） 該補正手順は、該コンピュータに、該光記録媒体上のエリア毎に該補正を行わせることを特徴とする、付記１１〜１４のいずれか１項記載のプログラム。
（付記１６） 付記１１〜１５のいずれか1項記載のプログラムを格納したことを特徴とする、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
（付記１７） 光記録媒体に印加する再生磁界強度を増減する基準オフセット値を、実際に該光記録媒体に印加される再生磁界強度が該光記録媒体からの誤り率が閾値未満となる最適再生磁界強度となるように補正値により補正する補正ステップを含むことを特徴とする、リードリトライ方法。
（付記１８） リードリトライ時に光記録媒体に印加する再生磁界強度を増減してリードが成功した場合に、デフォルトの再生磁界強度を増減する再生磁界制御の学習方法であって、
再生磁界強度を増減する基準オフセット値を、実際に該光記録媒体に印加される再生磁界強度が該光記録媒体からの誤り率が閾値未満となる最適再生磁界強度となるように補正値により補正する補正ステップを含むことを特徴とする、学習方法。
（付記１９） リードリトライ時に光記録媒体に印加する再生磁界強度を増減してリードが成功した場合に、デフォルトの再生磁界強度を増減する記憶装置であって、
再生磁界強度を増減する基準オフセット値を、実際に該光記録媒体に印加される再生磁界強度が該光記録媒体からの誤り率が閾値未満となる最適再生磁界強度となるように補正値により補正する補正手段を備えたことを特徴とする、記憶装置。
（付記２０） コンピュータに、リードリトライ時に光記録媒体に印加する再生磁界強度を増減してリードが成功した場合に、デフォルトの再生磁界強度を増減させるプログラムであって、
該コンピュータに、再生磁界強度を増減する基準オフセット値を、実際に該光記録媒体に印加される再生磁界強度が該光記録媒体からの誤り率が閾値未満となる最適再生磁界強度となるように補正値により補正させる補正手順を含むことを特徴とする、プログラム。

以上、本発明を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言うまでもない。

本発明の原理を説明するための図である。 本発明の原理を説明するための図である。 本発明の原理を説明するための図である。 本発明になる記憶装置の一実施例の要部を示すブロック図である。 テストライトを説明するフローチャートである。 ライトパワーとデータ不一致数の関係を示す図である。 テストライト及びテストリードにおけるゾーン認識を説明するフローチャートである。 ゾーンとエリアの関係を示す図である。 テストリードを説明するフローチャートである。 リードパワーとデータ不一致数の関係を示す図である。 テストリードバイアス制御を説明するフローチャートである。 再生磁界強度とデータ不一致数の関係を示す図である。 リトライ及び学習を含むリードを説明するフローチャートである。 記憶装置の一実施例を示す上面図である。 記憶装置の一実施例を示す側面図である。 記憶装置の一実施例を示す底面図である。

符号の説明

１ コイル
２ 光学系
３ 光ビーム
４ 光記録媒体
５ スピンドルモータ

Claims (5)

1. リードリトライ時に光記録媒体に印加する再生磁界強度を増減する基準オフセット値を、実際に該光記録媒体に印加される再生磁界強度が該光記録媒体からの誤り率が閾値未満となる最適再生磁界強度となるように補正値により補正する補正ステップを含むことを特徴とする、磁界制御方法。
2. リードリトライ時に光記録媒体に印加する再生磁界強度を増減する基準オフセット値を格納する格納手段と、
   実際に該光記録媒体に印加される再生磁界強度が該光記録媒体からの誤り率が閾値未満となる最適再生磁界強度となるように補正値により補正する補正手段とを備えたことを特徴とする、記憶装置。
3. 該補正手段は、実際のリード動作の前に行われる最適再生磁界を求めるためのテストリードバイアスの結果と、理想状態でのテストリードバイアスの結果との差に対応する値から該補正値を求めることを特徴とする、請求項２記載の記憶装置。
4. 実際に該光記録媒体に印加される再生磁界強度が該最適再生磁界強度になるまでに該基準オフセット値を補正した回数が学習用閾値に達すると、該補正値を新たな補正値に更新する学習手段を更に備えたことを特徴とする、請求項２又は３記載の記憶装置。
5. コンピュータにリード時に光記録媒体に印加する再生磁界強度を制御させるプログラムであって、
   該コンピュータに、リードリトライ時に該光記録媒体に印加する再生磁界強度を増減する基準オフセット値を、実際に該光記録媒体に印加される再生磁界強度が該光記録媒体からの誤り率が閾値未満となる最適再生磁界強度となるように補正値により補正させる補正手順を含むことを特徴とする、プログラム。

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