CN111363550A - 选择性刻蚀液组合物及其制备方法和应用 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种选择性刻蚀液组合物及其制备方法和应用。本发明的选择性刻蚀液组合物，其包括以下组分：添加剂、磷酸和水，所述添加剂为式1化合物和/或式2化合物。本发明的选择性刻蚀液组合物可选择性移除高达192层堆叠设计的NAND中的氮化物膜层，其氧化物膜层没有出现过刻蚀或负刻蚀，且可多次使用，没有出现颗粒析出。
Description
技术领域
本发明涉及一种选择性刻蚀液组合物及其制备方法和应用。
背景技术
氧化物层和氮化物层均可作为半导体的绝缘层。氧化物层可以包括二氧化硅(SiO2)层；氮化物层可以包括氮化硅(SiN2)层。绝缘层可为二氧化硅层和氮化硅(SiN2)层独立地使用，或者交替性地互相堆叠地使用。另外，氧化物层和氮化物层还可以作为硬质掩膜用于形成金属互连的导电图案。
NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备。随着人们追求功耗低、质量轻和性能佳的非易失存储产品，NAND闪存在电子产品中得到了广泛的应用。目前，平面结构的NAND闪存的存储容量已接近实际扩展的极限，为了进一步提高存储容量，降低每比特的存储成本，提出了3D(三维)结构的NAND存储器。在3D NAND存储器结构中，通过采用垂直堆叠多层数据存储单元的方式，来实现堆叠式的3DNAND存储器结构。该层堆叠结构中包括交替生长的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜，及对这些交替膜层的选择性刻蚀或选择性腐蚀，形成需要的结构。现阶段，氮化物层采用湿式蚀刻工艺来选择性地去除。选择性刻蚀液组合物通常选用高浓度的磷酸和去离子水。但是，该选择性刻蚀液组合物在刻蚀速率选择比方面不尽如人意，往往会带来氧化物膜层的过刻蚀(具体为刻蚀速率过高)或负刻蚀(具体为颗粒再沉积，又称为回沾变厚)。另外，NAND中堆叠层数随着技术进步在不断提升，例如三星全新第五代V-NAND采用96层堆叠设计，以及正向更高层数如128层等迈进。本领域人员均知，NAND中堆叠层数层数越多，尤其是从32层到128层，选择性刻蚀氮化硅薄膜的难度越大。
目前亟需一种选择性刻蚀液组合物，能很好地解决上述过刻蚀或负刻蚀的刻蚀选择性不佳的问题。
发明内容
本发明提供了一种与现有技术不同的选择性刻蚀液组合物及其制备方法和应用。本发明的选择性刻蚀液组合物可选择性移除高达128层堆叠设计的NAND中的氮化物膜层，其氧化物膜层没有出现过刻蚀或负刻蚀，并且可多次使用；在移除高达192层堆叠设计的NAND中的氮化物膜层，具有较好的选择性。
本发明通过以下技术方案来解决上述技术问题。
本发明提供一种选择性刻蚀液组合物，其包括以下组分：添加剂、磷酸和水，所述添加剂为式1化合物和/或式2化合物；
其中，R1a、R1b、R1c、R2a、R2b、R2c、R3a、R3b和R3c各自独立地为H、C1～4烷基、C1～4烷氧基、卤素、
Ra和Rb独立地为H或C1～4烷基；
m和n各自独立地为0～6中任一整数；
X为NH、NCH3、NCH2CH3、S、S-S、S-S-S、S-S-S-S、
或者不存在；Rc为C1～4烷基或卤素取代的C1～4烷基；
q为1、2或3；
R4为
-SH、
卤素取代的C1～4烷基、苯胺基、
联胺基或烷基取代的联胺基；
R4-1a和R4-1b各自独立地为H或C1～4烷基；
R4-2a、R4-2b和R4-2c各自独立地为C1～18烷基；
当R4为
时，式2化合物为其盐酸盐的形式。
R1a、R1b、R1c、R2a、R2b、R2c、R3a、R3b和R3c中，所述C1～4烷基各自独地可为甲基、乙基、正丙基或异丙基，优选甲基或乙基。
R1a、R1b、R1c、R2a、R2b、R2c、R3a、R3b和R3c中，所述C1～4烷氧基各自独地可为甲氧基、乙氧基、正丙氧基或异丙氧基，优选甲氧基或乙氧基。
R1a、R1b、R1c、R2a、R2b、R2c、R3a、R3b和R3c中，所述卤素各自独地可为F、Cl或Br，优选Cl。
Ra和Rb中，所述C1～4烷基各自独地可为甲基、乙基、正丙基或异丙基，优选甲基或乙基。
Rc中，所述C1～4烷基可为甲基、乙基、正丙基或异丙基，优选甲基。
Rc中，所述卤素取代C1～4烷基中的卤素可为F、Cl或Br，优选F。
Rc中，所述卤素取代C1～4烷基中的C1～4烷基可为甲基、乙基、正丙基或异丙基，优选甲基。
Rc中，所述卤素取代C1～4烷基为三氟甲基。
R4中，所述卤素取代C1～4烷基中的卤素可为F、Cl或Br，优选F。
R4中，所述卤素取代C1～4烷基中的C1～4烷基可为甲基、乙基、正丙基或异丙基，优选甲基。
R4中，所述卤素取代C1～4烷基可为三氟甲基或三氟丙基。
R4中，所述烷基取代的联胺基可以为C1～10烷基取代的联胺基，进一步可以为二甲基联胺基。
R4-1a和R4-1b中，所述C1～4烷基各自独地可为甲基、乙基、正丙基或异丙基，优选甲基或乙基。
R4-2a、R4-2b和R4-2c中，所述C1～18烷基各自独立地可为甲基、十二烷基、十四烷基、十六烷基或十八烷基。
所述R1a、所述R1b、所述R1c、所述R2a、所述R2b、所述R2c、所述R3a、所述R3b和所述R3c各自独立地优选为H、C1～4烷基、C1～4烷氧基、卤素或
式1中，所述R1a、所述R1b、所述R1c、所述R2a、所述R2b和所述R2c各自独立地优选为H、C1～4烷基、C1～4烷氧基或
式1中，所述m和所述n各自独立地优选0、1、2或3。
式1中，当m和n不同时为0时，X为NH、NCH3、NCH2CH3、S、S-S、S-S-S、S-S-S-S或者不存在。
式1中，当m和n同时为0时，X为
式2中，所述R3a、所述R3b和所述R3c各自独立地还可以为羟基。
式2中，所述R3a、所述R3b和所述R3c各自独立地优选为C1～4烷基、C1～4烷氧基、
或羟基。
式2中，q优选1或3。
式2中，所述R4优选
更优选
所述选择性刻蚀液组合物中，所述添加剂优选所述式1化合物。
所述选择性刻蚀液组合物中，所述添加剂优选所述式2化合物。
所述选择性刻蚀液组合物中，所述添加剂的含量优选0.08～5.00％，更优选2.50～5.00％，最优选3.00～5.00％，进一步最优选4.00～5.00％，所述百分比为所述添加剂的质量占所述选择性刻蚀液组合物总质量的质量百分比。
所述磷酸在添加至所述选择性刻蚀液组合物前，可为本领域中常规的磷酸。所述磷酸优选正磷酸的固体或85％磷酸溶液，所述百分比为磷酸的质量占磷酸和水的总质量的质量百分比。
所述选择性刻蚀液组合物中，所述磷酸的含量可为本领域中常规的含量，优选70-99.9％；更优选75％-90％，例如80％-85％，所述百分比为磷酸的质量占所述选择性刻蚀液组合物总质量的质量百分比。
所述水可为本领域中常规的水，优选去离子水。
所述选择性刻蚀液组合物中，所述式1化合物优选双(3-(甲基氨基)丙基)三甲氧基硅烷、双[3-(三甲氧基硅基)丙基]乙二胺、双(三甲基硅基)甲烷、双(二氯硅基)甲烷、双(三甲基硅基甲基)胺、双(三甲基硅基)-3-胺丙基三甲氧基硅烷、双(甲基二氯硅基)丁烷、双(三乙氧基硅基甲基)胺、双(三乙氧基硅基)甲烷、双[3-(三乙氧基硅)丙基]胺、双(甲基二乙氧基硅基丙基)胺、双[(3-三乙氧基硅基)丙基]胺、双[(3-三甲氧基硅基)丙基]胺、双(三乙氧基硅基丙基)四硫化物、双(三乙氧基硅基丙基)二硫化物、1,2-双(三甲氧基)乙烷、1,2-双(三乙氧基)乙烷、六甲基二硅氮烷、N,N’-双(三甲基硅基)脲(BSU)、N,O-双(三甲基硅基)乙酰胺(BSA)、N,O-双(三甲基硅基)三氟乙酰胺(BSTFA)、七甲基二硅氮烷、1,1,3,3-四甲基-1,3-二乙烯基-二硅氮烷和炭黑N330中的一种或多种。
所述选择性刻蚀液组合物中，所述式2化合物优选3-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油丙基(二甲氧基)甲基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷、3-缩水甘油丙基(二乙氧基)甲基硅烷、3-脲丙基三甲氧基硅烷、二乙胺基甲基三乙氧基硅烷、巯丙基三甲氧基硅烷、3-异氰酸酯基丙基三甲氧基硅烷、哌嗪基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-(beta-氨乙基)-gama-氨丙基三甲氧基硅烷、3-硫氰基丙基三乙氧基硅烷、3-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、氯丙基甲基二乙氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己烷)乙基三甲氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己烷)乙基三乙氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基丙基三(三甲基硅氧基)硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-巯丙基三甲氧基硅烷、3-巯丙基三乙氧基硅烷、3-巯丙基甲基二甲氧基硅烷、3-脲丙基三乙氧基硅烷、3-硫氰基丙基三乙氧基硅烷、3-异氰酸酯基丙基三乙氧基硅烷、(3,3,3-三氟丙基)甲基二甲氧基硅烷、(3,3,3-三氟丙基)甲基二乙氧基硅烷、(N-苯胺基)甲基三甲氧基硅烷、(N-苯胺基)甲基三乙氧基硅烷、二乙基氨甲基三乙氧基硅烷、1,1,3,3-四甲基-2-[3-(甲氧基硅基丙基)胍]、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、氨乙基氨丙基三甲氧基硅烷、氨乙基氨丙基甲基二甲氧基硅烷、(N-苯胺基)甲基三甲氧基硅烷、(N-苯胺基)甲基三乙氧基硅烷、二乙基氨基三乙氧基硅烷、氨乙基氨丙基三甲氧基硅烷、氨乙基氨丙基三乙氧基硅烷、氨乙基氨丙基甲基二甲氧基硅烷、氨乙基氨丙基甲基二乙氧基硅烷、二乙烯三胺基丙基三甲氧基硅烷、二乙烯三胺基丙基甲基二甲氧基硅烷、(N-苯胺基)甲基三甲氧基硅烷、(N-苯胺基)甲基三乙氧基硅烷、哌嗪丙基甲基二甲氧基硅烷、3-(N-环己基氨)丙基三甲氧基硅烷、3-(N-环己基氨)丙基甲基二甲氧基硅烷、二甲基氨丙基三甲氧基硅烷、二乙基氨甲基三乙氧基硅烷、二乙基氨丙基三甲氧基硅烷和N-(N-丁基)-3氨丙基三甲氧基硅烷、N,N-二乙基-3-氨丙基三甲氧基硅烷、环己胺基丙基三甲氧基硅烷、二甲基十八烷基[3-(三甲氧基硅基)丙基]氯化铵、N-(2-氨基乙基)-N'-[3-(二甲氧基甲基硅烷基)丙基]-1,2-乙二胺、联胺基丙基甲基二乙氧基硅烷、联胺基甲基甲基二乙氧基硅烷、二甲基联胺基丙基甲基二乙氧基硅烷、二甲基联胺基甲基甲基二乙氧基硅烷、二甲基十八烷基[3-(甲基二甲氧基硅基)丙基]氯化铵、二乙烯三胺基丙基三乙氧基硅烷、二乙烯三胺基丙基甲基二乙氧基硅烷、二乙烯三胺基甲基甲基二乙氧基硅烷、三甲基[3-(三甲氧硅基)丙基]氯化铵、3-三乙氧基硅基丙基三甲基氯化铵、3-氨丙基三羟基硅烷、N-(2-氨乙基)-3-氨丙基甲基二乙氧基硅烷、三(甲基二乙氧基硅基丙基)胺和三(三甲氧基硅基丙基)胺中的一种或多种；
更优选，3-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油丙基(二甲氧基)甲基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷、3-缩水甘油丙基(二乙氧基)甲基硅烷、3-脲丙基三甲氧基硅烷、二乙胺基甲基三乙氧基硅烷、巯丙基三甲氧基硅烷、3-异氰酸酯基丙基三甲氧基硅烷、哌嗪基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-(beta-氨乙基)-gama-氨丙基三甲氧基硅烷、3-硫氰基丙基三乙氧基硅烷、3-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、氯丙基甲基二乙氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己烷)乙基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基丙基三(三甲基硅氧基)硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-巯丙基三甲氧基硅烷、3-巯丙基三乙氧基硅烷、3-巯丙基甲基二甲氧基硅烷、3-脲丙基三乙氧基硅烷、3-硫氰基丙基三乙氧基硅烷、3-异氰酸酯基丙基三乙氧基硅烷、(3,3,3-三氟丙基)甲基二甲氧基硅烷、(N-苯胺基)甲基三甲氧基硅烷、(N-苯胺基)甲基三乙氧基硅烷、二乙基氨甲基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、氨乙基氨丙基三甲氧基硅烷、氨乙基氨丙基甲基二甲氧基硅烷、(N-苯胺基)甲基三甲氧基硅烷、(N-苯胺基)甲基三乙氧基硅烷、二乙基氨基三乙氧基硅烷、氨乙基氨丙基三甲氧基硅烷、氨乙基氨丙基三乙氧基硅烷、氨乙基氨丙基甲基二甲氧基硅烷、氨乙基氨丙基甲基二乙氧基硅烷、二乙烯三胺基丙基三甲氧基硅烷、二乙烯三胺基丙基甲基二甲氧基硅烷、(N-苯胺基)甲基三甲氧基硅烷、(N-苯胺基)甲基三乙氧基硅烷、哌嗪丙基甲基二甲氧基硅烷、3-(N-环己基氨)丙基三甲氧基硅烷、3-(N-环己基氨)丙基甲基二甲氧基硅烷、二甲基氨丙基三甲氧基硅烷、二乙基氨甲基三乙氧基硅烷、二乙基氨丙基三甲氧基硅烷和N-(N-丁基)-3氨丙基三甲氧基硅烷、N,N-二乙基-3-氨丙基三甲氧基硅烷、环己胺基丙基三甲氧基硅烷、二甲基十八烷基[3-(三甲氧基硅基)丙基]氯化铵、N-(2-氨基乙基)-N'-[3-(二甲氧基甲基硅烷基)丙基]-1,2-乙二胺、联胺基丙基甲基二乙氧基硅烷、联胺基甲基甲基二乙氧基硅烷、二甲基联胺基丙基甲基二乙氧基硅烷、二甲基联胺基甲基甲基二乙氧基硅烷、二甲基十八烷基[3-(甲基二甲氧基硅基)丙基]氯化铵、二乙烯三胺基丙基三乙氧基硅烷、二乙烯三胺基丙基甲基二乙氧基硅烷、二乙烯三胺基甲基甲基二乙氧基硅烷、三甲基[3-(三甲氧硅基)丙基]氯化铵、3-三乙氧基硅基丙基三甲基氯化铵、3-氨丙基三羟基硅烷、N-(2-氨乙基)-3-氨丙基甲基二乙氧基硅烷、三(甲基二乙氧基硅基丙基)胺和三(三甲氧基硅基丙基)胺中的一种或多种；
最优选，3-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油丙基(二甲氧基)甲基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷、3-缩水甘油丙基(二乙氧基)甲基硅烷和3-脲丙基三甲氧基硅烷中的一种或多种；
再进一步最优选，3-脲丙基三甲氧基硅烷。
在本发明一实施方案中，所述的选择性刻蚀液组合物，所述的组分别还进一步包含助剂，所述的助剂为无机硅类化合物、氟化物、硫酸、胺盐、有机羧酸、烷基胺、羟基取代的烷基胺和二醇类烷基醚中的一种或多种。
其中，所述的无机硅类化合物可改善刻蚀液的刻蚀选择比。所述的无机硅类化合物可以为二氧化硅、偏硅酸、30％碱性硅溶胶、30％酸性硅溶胶、30％中性硅溶胶、硅酸钾、氮化硅陶瓷颗粒、氮化硅陶瓷粉、纳米氮化硅粉和氮氧化硅粉中的一种或多种。所述的无机硅类化合物的含量可以为本领域常规的含量，优选10～300ppm，例如30ppm、50ppm、100ppm、120ppm、150ppm、230ppm、250ppm，所述的“ppm”为所述的无机硅类化合物的质量占所述的所述选择性刻蚀液组合物总质量的质量百万分比。
其中，所述的氟化物可改善刻蚀液的刻蚀选择比。所述的氟化物可以为HF、氟化铵、氟化氢铵、全氟辛酸、四丁基氟化铵和氟硅酸中的一种或多种。所述的氟化物的含量可以为本领域常规的含量，优选50～250ppm，例如100ppm、150ppm、170ppm、250ppm，所述的“ppm”为所述的氟化物的质量占所述的所述选择性刻蚀液组合物总质量的质量百万分比。
其中，所述的硫酸可改善刻蚀液的刻蚀选择性。所的硫酸可为本领域常规所用的硫酸，例如98％浓硫酸。所述的硫酸的含量可以为本领域常规的含量，优选0.1～10％，例如0.5％、1％、2％。3％、5％、7％、9％，所述的“％”为所述的硫酸的质量占所述的所述选择性刻蚀液组合物总质量的质量百分比。
其中，所述的胺盐可抑制颗粒析出到槽壁。所述的铵盐可以为氯化铵、磷酸铵和硝酸铵中一种或多种。所述的胺盐的含量可以为本领域常规的含量，优选0.01～5％，例如0.05％、0.1％、1.5％、2.0％、5％，所述的“％”为所述的胺盐的质量占所述的所述选择性刻蚀液组合物总质量的质量百分比。
其中，所述的烷基胺可抑制颗粒析出到槽壁。所述的有机羧酸可以为正辛胺、异辛胺、二辛胺、三辛胺、正壬胺、异壬胺、三壬胺、正己胺、二己胺、三己胺、丙胺和乙二胺中的一种或多种。所述的烷基胺的含量可以为本领域常规的含量，优选0.01～5％，例如0.1％、0.5％、1.0％、1.5％、2.0％、2.5％，所述的“％”为所述的烷基胺的质量占所述的所述选择性刻蚀液组合物总质量的质量百分比。
其中，所述的羟基取代的烷基胺可抑制颗粒析出到槽壁。所述的羟基取代的烷基胺可以为三乙醇胺、异丙醇胺、单乙醇胺、二乙醇胺和二甘醇胺中的一种或多种。所述的羟基取代的烷基胺的含量可以为本领域常规的含量，优选0.01～5％，例如0.1％、1.0％、2.0％，所述的“％”为所述的羟基取代的烷基胺的质量占所述的所述选择性刻蚀液组合物总质量的质量百分比。
其中，所述的二醇类烷基醚可抑制颗粒析出到槽壁。所述的二醇类烷基醚可以为丙二醇丁醚、二丙二醇甲醚、二丙二醇二甲醚、丙二醇正丙醚、二丙二醇正丙醚、二乙二醇单甲醚、乙二醇单丁醚和乙二醇单甲醚中的一种或多种。所述的二醇类烷基醚的含量可以为本领域常规的含量，优选0.01～5％，例如0.1％、1.0％、2.0％，所述的“％”为所述的二醇类烷基醚的质量占所述的所述选择性刻蚀液组合物总质量的质量百分比。
本发明还提供了一种选择性刻蚀液组合物，其由以下组分组成：上述添加剂、上述磷酸和上述水，上述添加剂为式1化合物和/或式2化合物；
其中，R1a、R1b、R1c、R2a、R2b、R2c、R3a、R3b、R3c、Ra、Rb、m、n、X、q和R4均同上所述。
本发明还提供了一种选择性刻蚀液组合物，其由以下组分组成：添加剂、磷酸、助剂和水；
其中，所述添加剂的种类及其含量、所述的助剂的种类及其含量、所述的磷酸种类及其含量、和所述的水种类及其含量均同前所述。
本发明还提供了一种选择性刻蚀液组合物，其由下述原料制得，所述的原料包括下列的组分：添加剂、磷酸和水，所述添加剂为式1化合物和/或式2化合物；
其中，所述的添加剂的种类及其含量、所述的磷酸的种类及其含量、和所述的水的种类及其含量均同前所述；R1a、R1b、R1c、R2a、R2b、R2c、R3a、R3b和R3c的定义均同前所述。
在本发明一实施方案中，所述的选择性刻蚀液组合物，所述的原料还进一步包括助剂；其中，所述的助剂的种类及其含量均同前所述。
在本发明一实施方案中，所述的选择性刻蚀液组合物，其由下述原料制得，所述的原料由下列的组分组成：添加剂、磷酸和水；
其中，所述添加剂的种类及其含量、所述的磷酸的种类及其含量、和所述的水的种类及其含量均同前所述。
在本发明一实施方案中，所述的选择性刻蚀液组合物，其由下述原料制得，所述的原料由下列的组分组成：添加剂、磷酸、助剂和水；
其中，所述添加剂的种类及其含量、所述的助剂的种类及其含量、所述的磷酸的种类及其含量、和所述的水的种类及其含量均同前所述。
本发明还提供了一种所述选择性刻蚀液组合物的制备方法，其包括如下步骤：将上述各组分混合均匀，即可。
其中，所述的混合优选为将所述的组分中的固体组分加入到液体组分中，搅拌均匀，即可。所述的混合的温度为室温。
在本发明一实施方案中，所述的制备方法，其包括如下步骤：将上述各原料混合均匀，即可。
本发明还提供了一种上述选择性刻蚀液组合物，在去除的NAND存储器结构中的氮化层中的应用。
所述应用中，所述NAND存储器层叠数层优选32～128层，还可以优选为192层；例如64～96层。
本发明中，“室温”是指10-30℃。
本发明中，“卤素”为F、Cl、Br或I。
在不违背本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本发明各较佳实例。
本发明所用试剂和原料均市售可得。
本发明的积极进步效果在于：本发明的选择性刻蚀液组合物可选择性移除高达192层堆叠设计的NAND中的氮化物膜层，其氧化物膜层没有出现过刻蚀或负刻蚀，并且使用次数至少可达16次以上，没有颗粒析出；在移除高达192层堆叠设计的NAND中的氮化物膜层，具有较好的选择性比。
具体实施方式
下面通过实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。下列实施例中未注明具体条件的实验方法，按照常规方法和条件，或按照商品说明书选择。
实施例1～177及对比例1～8
按照表1中的添加剂及其含量，将其加入到去离子水和磷酸的混合溶液中，搅拌混合均匀，得到本发明的选择性刻蚀液组合物，磷酸的质量百分比为85％，其余为去离子水，使各组分的质量分数之和为100％，上述的质量百分比为各组分的质量占选择性刻蚀液组合物的总质量的质量百分比。
表1刻蚀组合物的组分的种类及浓度
实施例90～177
实施例90～177中的选择性刻蚀液组合物含有助剂。按照表2中的原料及其含量，将其加入到去离子水和磷酸的混合溶液中，搅拌混合均匀，得到本发明的选择性刻蚀液组合物，磷酸的质量百分比为85％，其余为去离子水，各组分的质量分数之和为100％，上述的质量百分比为各组分的质量占选择性刻蚀液组合物的总质量的质量百分比。
表2刻蚀组合物的组分的种类及浓度
对比例1～8
按照表3中的原料及其含量，将其加入到去离子水和磷酸的混合溶液中，搅拌混合均匀，得到对比例的选择性刻蚀液组合物，磷酸的质量百分比为85％，其余为去离子水，使各组分的质量分数之和为100％，上述的质量百分比为各组分的质量占选择性刻蚀液组合物的总质量的质量百分比。
表3
| 对比例编号 | 添加剂化合物名称 | 添加剂在刻蚀液中的浓度(质量百分比) |
| 对比例1 | 三甲基硅基化单氢化乙烯基磷酸酯 | 4.00％ |
| 对比例2 | 三甲基硅基二氢化磷酸酯 | 4.00％ |
| 对比例3 | 双三甲基硅基化乙烯基磷酸酯 | 4.00％ |
| 对比例4 | 三(三甲基硅烷)磷酸酯 | 4.00％ |
| 对比例5 | 三甲基硅基化单氢化乙烯基磺酸酯 | 4.00％ |
| 对比例6 | 三甲基硅基二氢化硝酸酯 | 4.00％ |
| 对比例7 | 双三甲基硅基化乙烯基硫酸酯 | 4.00％ |
| 对比例8 | 三(三甲基硅烷)亚磷酸酯 | 4.00％ |
效果实施例1～65及对比效果实施例1～8
刻蚀工艺
将按照上述表1中的添加剂及其含量得到的选择性刻蚀液组合物，在157℃的温度下，进行氮化物膜和氧化物膜的刻蚀。
采用薄膜厚度测量系统的偏振光椭圆率测量仪(NANOVIEW,SEMG-1000)来测量氮化物膜和氧化物膜的刻蚀速率和选择性。其中氧化物膜的膜层为低压四乙氧基硅酸盐玻璃(简称LP-TEOS)
刻蚀速率是将各个膜刻蚀300秒并测量各个膜在刻蚀前的厚度与各个膜在刻蚀后的厚度之差来决定的。通过用厚度差除以刻蚀时间(分钟)来得到刻蚀速率。刻蚀选择性以氮化物膜的刻蚀速率与氧化物膜的刻蚀速率之比来表示。
层叠片刻蚀效果实验，由刻蚀组合物在157℃的工艺温度执行氮化物膜和氧化物膜层叠片(32层、64层、96层、128层)的刻蚀，刻蚀时间为35min；其中层叠片的氧化物膜层为低压四乙氧基硅酸盐玻璃(简称LP-TEOS)。
层叠片刻蚀效果实验中，浴液体积2000ml，层叠片面积为4寸晶圆，每个浴液每批刻蚀一片。32-64层层叠片刻蚀效果由FE-SEM观测，96-128层由TEM观测。介质材料为硼磷硅玻璃(boro-phospho-silicate-glass，简称BPSG)。
表4为实施例1～64及对比例1～8刻蚀组合物刻蚀后测量结果
本领域技术人员均知，层叠片中堆叠层数越多，选择性刻蚀的难度越大(尤其是从32层到128层)。因此可将出现过刻蚀和负刻蚀的层数来判断刻蚀液的能力和效果。层叠片出现过刻蚀和负刻蚀的层数越小，说明刻蚀液的能力和效果越弱。
由上述效果实施例1～65可知，当含有本发明的添加剂的选择性刻蚀液组合物对层叠片中的氮化物膜和氧化物膜进行选择性刻蚀时，层叠片的堆叠层数为128层，氧化物膜还未出现过刻蚀或负刻蚀，具有优异的选择性。而且，本发明的添加剂的选择性刻蚀液使用寿命较长最少可达16次以上。
而由效果对比例1～8可知，含有磷酸酯类、磺酸酯类、硝酸酯类、硫酸酯类或亚磷酸酯类添加剂的组合物对层叠片中的氮化物膜和氧化物膜进行选择性刻蚀，当层叠片的堆叠层数为32层时，氧化物膜还均会不同程度出现过刻蚀或负刻蚀的问题，且有磷酸酯类添加剂的组合物寿命较短。
综上，含有本发明的添加剂的选择性刻蚀液组合物对层叠片中的氮化物膜和氧化物膜进行选择性刻蚀，具有优异的选择性和较长的寿命。
效果实施例65～180
效果实施例65～180考察了，本发明选择性刻蚀液组合物，在不同无机硅含量的条件下，氮化硅与氧化硅之间的刻蚀选择比；其中，当选择比＜200时，表示易过刻；当选择比为200-1000时，表示刻蚀选择性较佳区；当选择比＞1000时，表示易回沾。
刻蚀工艺
将按照上述表1中的添加剂及其含量得到的选择性刻蚀液组合物，在160℃的温度下，进行氮化物膜和氧化物膜的刻蚀。
采用薄膜厚度测量系统的偏振光椭圆率测量仪(NANOVIEW,SEMG-1000)来测量氮化物膜和氧化物膜(其中，氧化物膜层为等离子体增强原硅酸盐四乙酯玻璃(简称PE-TEOS))的刻蚀速率和选择性。
刻蚀速率是将各个膜刻蚀300秒并测量各个膜在刻蚀前的厚度与各个膜在刻蚀后的厚度之差来决定的。通过用厚度差除以刻蚀时间(分钟)来得到刻蚀速率。刻蚀选择性以氮化物膜的刻蚀速率与氧化物膜的刻蚀速率之比来表示。
层叠片刻蚀效果实验，由刻蚀组合物在157℃的工艺温度执行氮化物膜和氧化物膜层(叠片为192层)的刻蚀，刻蚀时间为35min；其中层叠片的氧化物膜层为等离子体增强原硅酸盐四乙酯玻璃(简称PE-TEOS)。
层叠片刻蚀效果实验中，浴液体积2000ml，层叠片面积为8寸晶圆，每个浴液每批刻蚀一片。192层叠片刻蚀效果由TEM观测。
表5不同无机硅含量的条件下的氮化硅与氧化硅之间的刻蚀选择比
由效果实施例65～180可知，当选择性刻蚀液组合物含有氟化合物时，可降低氮化硅与氧化硅之间的刻蚀选择比，以降低回沾和过刻的不良效果。
对表5中的效果实施例65、110、125、180所用刻蚀液分别进行192层层叠片刻蚀实验，结果显示，每种刻蚀液在30个批次内均没有出现过刻蚀和负刻蚀(即回沾)的不良效果。
效果实施例181～198
以下效果例比较了选择性刻蚀液组合物中添加浓硫酸(实施例123～131)与不添加硫酸(实施例16、62、53、84～89)的条件下的氮化硅与多晶硅之间的刻蚀选择比。
其测试方法为，分别测试刻蚀液对于氮化硅片和多晶硅片在160℃下的刻蚀速度，两者的刻蚀速度比值即为氮化硅与多晶硅之间的刻蚀选择比。
表6氮化硅与多晶硅之间的刻蚀选择比
由效果例181～198中可知，在选择性刻蚀液组合物中添加浓硫酸，可提高氮化硅与多晶硅之间的刻蚀选择比。
稳定性试验
将实施例123～183得到的选择性刻蚀液组合物室温放置30天，及前述测试选择比的实验中，均没有发现颗粒析出。
Claims (11)
1.一种选择性刻蚀液组合物，其特征在于，其包括以下组分：添加剂、磷酸和水，所述添加剂为式1化合物和/或式2化合物；
其中，R1a、R1b、R1c、R2a、R2b和R2c各自独立地为H、C1～4烷基、C1～4烷氧基、卤素、
Ra和Rb独立地为H或C1～4烷基；
m和n各自独立地为0～6中任一整数；
R3a、R3b和R3c各自独立地为H、C1～4烷基、C1～4烷氧基、卤素、
或羟基；
X为NH、NCH3、NCH2CH3、S、S-S、S-S-S、S-S-S-S、
或者不存在；Rc为C1～4烷基或卤素取代的C1～4烷基；
q为1、2或3；
R4为
-SH、
卤素取代的C1～4烷基、苯胺基、
联胺基或烷基取代的联胺基；
R4-1a和R4-1b各自独立地为H或C1～4烷基；
R4-2a、R4-2b和R4-2c各自独立地为C1～18烷基；
当R4为
时，式2化合物为其盐酸盐的形式。
2.如权利要求1所述选择性刻蚀液组合物，其特征在于，R1a、R1b、R1c、R2a、R2b、R2c、R3a、R3b和R3c中，所述C1～4烷基各自独地为甲基、乙基、正丙基或异丙基，优选甲基或乙基；
和/或，R1a、R1b、R1c、R2a、R2b、R2c、R3a、R3b和R3c中，所述C1～4烷氧基各自独地为甲氧基、乙氧基、正丙氧基或异丙氧基，优选甲氧基或乙氧基；
和/或，R1a、R1b、R1c、R2a、R2b、R2c、R3a、R3b和R3c中，所述卤素各自独地为F、Cl或Br，优选Cl；
和/或，Ra和Rb中，所述C1～4烷基各自独地为甲基、乙基、正丙基或异丙基，优选甲基或乙基
和/或，Rc中，所述C1～4烷基为甲基、乙基、正丙基或异丙基，优选甲基；
和/或，Rc中，所述卤素取代C1～4烷基中的卤素为F、Cl或Br，优选F；
和/或，Rc中，所述卤素取代C1～4烷基中的C1～4烷基为甲基、乙基、正丙基或异丙基，优选甲基；
和/或，R4中，所述卤素取代C1～4烷基中的卤素为F、Cl或Br，优选F；
和/或，R4中，所述卤素取代C1～4烷基中的C1～4烷基为甲基、乙基、正丙基或异丙基，优选甲基；
和/或，R4中，所述烷基取代的联胺基为C1～10烷基取代的联胺基，进一步优选为二甲基联胺基；
和/或，R4-1a和R4-1b中，所述C1～4烷基各自独地为甲基、乙基、正丙基或异丙基，优选甲基或乙基；
和/或，R4-2a、R4-2b和R4-2c中，所述C1～18烷基各自独立地为甲基、十二烷基、十四烷基、十六烷基或十八烷基，优选甲基或十八烷基。
3.如权利要求1所述选择性刻蚀液组合物，其特征在于，所述R1a、所述R1b、所述R1c、所述R2a、所述R2b、所述R2c、所述R3a、所述R3b和所述R3c各自独立地为H、C1～4烷基、C1～4烷氧基、卤素或
和/或，Rc中，所述卤素取代C1～4烷基为三氟甲基；
和/或，R4中，所述卤素取代C1～4烷基为三氟甲基或三氟乙基；
和/或，式1中，m和n各自独立地为0、1、2或3；
和/或，式2中，q为1或3；
和/或，式2中，R4为
优选
4.如权利要求3所述选择性刻蚀液组合物，其特征在于，
式1中，所述R1a、所述R1b、所述R1c、所述R2a、所述R2b、所述R2c、各自独立地为H、C1～4烷基、C1～4烷氧基或
和/或，式1中，当m和n不同时为0时，X为NH、NCH3、NCH2CH3、S、S-S、S-S-S、S-S-S-S或者不存在；
和/或，式1中，当m和n同时为0时，X为
和/或，式2中，所述R3a、所述R3b和所述R3c各自独立地为C1～4烷基、C1～4烷氧基、
或羟基。
5.如权利要求1～4任一项所述选择性刻蚀液组合物，其特征在于，所述选择性刻蚀液组合物中，所述添加剂为所述式1化合物；
和/或，所述选择性刻蚀液组合物中，所述添加剂的含量为0.08～5.00％，优选2.50～5.00％，更优选3.00～5.00％，进一步更优选4.00～5.00％，所述百分比为所述添加剂的质量占所述选择性刻蚀液组合物总质量的质量百分比；
和/或，所述磷酸在添加至所述选择性刻蚀液组合物前，所述磷酸为正磷酸的固体或85％磷酸溶液，所述百分比为磷酸的质量占磷酸和水的总质量的质量百分比；
和/或，所述选择性刻蚀液组合物中，所述磷酸的含量为70-99.9％，优选75％-90％，所述百分比为磷酸的质量占所述选择性刻蚀液组合物总质量的质量百分比；
和/或，所述水为去离子水。
6.如权利要求1所述选择性刻蚀液组合物，其特征在于，所述选择性刻蚀液组合物中，所述式1化合物为双(3-(甲基氨基)丙基)三甲氧基硅烷、双[3-(三甲氧基硅基)丙基]乙二胺、双(三甲基硅基)甲烷、双(二氯硅基)甲烷、双(三甲基硅基甲基)胺、双(三甲基硅基)-3-胺丙基三甲氧基硅烷、双(甲基二氯硅基)丁烷、双(三乙氧基硅基甲基)胺、双(三乙氧基硅基)甲烷、双[3-(三乙氧基硅)丙基]胺、双(甲基二乙氧基硅基丙基)胺、双[(3-三乙氧基硅基)丙基]胺、双[(3-三甲氧基硅基)丙基]胺、双(三乙氧基硅基丙基)四硫化物、双(三乙氧基硅基丙基)二硫化物、1,2-双(三甲氧基)乙烷、1,2-双(三乙氧基)乙烷、六甲基二硅氮烷、N,N’-双(三甲基硅基)脲、N,O-双(三甲基硅基)乙酰胺、N,O-双(三甲基硅基)三氟乙酰胺、七甲基二硅氮烷、1,1,3,3-四甲基-1,3-二乙烯基-二硅氮烷和炭黑N330中的一种或多种；
和/或，所述选择性刻蚀液组合物中，所述式2化合物为3-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油丙基(二甲氧基)甲基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷、3-缩水甘油丙基(二乙氧基)甲基硅烷、3-脲丙基三甲氧基硅烷、二乙胺基甲基三乙氧基硅烷、巯丙基三甲氧基硅烷、3-异氰酸酯基丙基三甲氧基硅烷、哌嗪基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-(beta-氨乙基)-gama-氨丙基三甲氧基硅烷、3-硫氰基丙基三乙氧基硅烷、3-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、氯丙基甲基二乙氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己烷)乙基三甲氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己烷)乙基三乙氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基丙基三(三甲基硅氧基)硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-巯丙基三甲氧基硅烷、3-巯丙基三乙氧基硅烷、3-巯丙基甲基二甲氧基硅烷、3-脲丙基三乙氧基硅烷、3-硫氰基丙基三乙氧基硅烷、3-异氰酸酯基丙基三乙氧基硅烷、(3,3,3-三氟丙基)甲基二甲氧基硅烷、(3,3,3-三氟丙基)甲基二乙氧基硅烷、(N-苯胺基)甲基三甲氧基硅烷、(N-苯胺基)甲基三乙氧基硅烷、二乙基氨甲基三乙氧基硅烷、1,1,3,3-四甲基-2-[3-(甲氧基硅基丙基)胍]、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、氨乙基氨丙基三甲氧基硅烷、氨乙基氨丙基甲基二甲氧基硅烷、(N-苯胺基)甲基三甲氧基硅烷、(N-苯胺基)甲基三乙氧基硅烷、二乙基氨基三乙氧基硅烷、氨乙基氨丙基三甲氧基硅烷、氨乙基氨丙基三乙氧基硅烷、氨乙基氨丙基甲基二甲氧基硅烷、氨乙基氨丙基甲基二乙氧基硅烷、二乙烯三胺基丙基三甲氧基硅烷、二乙烯三胺基丙基甲基二甲氧基硅烷、(N-苯胺基)甲基三甲氧基硅烷、(N-苯胺基)甲基三乙氧基硅烷、哌嗪丙基甲基二甲氧基硅烷、3-(N-环己基氨)丙基三甲氧基硅烷、3-(N-环己基氨)丙基甲基二甲氧基硅烷、二甲基氨丙基三甲氧基硅烷、二乙基氨甲基三乙氧基硅烷、二乙基氨丙基三甲氧基硅烷和N-(N-丁基)-3氨丙基三甲氧基硅烷中的一种或多种；
优选，3-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油丙基(二甲氧基)甲基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷、3-缩水甘油丙基(二乙氧基)甲基硅烷、3-脲丙基三甲氧基硅烷、二乙胺基甲基三乙氧基硅烷、巯丙基三甲氧基硅烷、3-异氰酸酯基丙基三甲氧基硅烷、哌嗪基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-(beta-氨乙基)-gama-氨丙基三甲氧基硅烷、3-硫氰基丙基三乙氧基硅烷、3-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、氯丙基甲基二乙氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己烷)乙基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基丙基三(三甲基硅氧基)硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-巯丙基三甲氧基硅烷、3-巯丙基三乙氧基硅烷、3-巯丙基甲基二甲氧基硅烷、3-脲丙基三乙氧基硅烷、3-硫氰基丙基三乙氧基硅烷、3-异氰酸酯基丙基三乙氧基硅烷、(3,3,3-三氟丙基)甲基二甲氧基硅烷、(N-苯胺基)甲基三甲氧基硅烷、(N-苯胺基)甲基三乙氧基硅烷、二乙基氨甲基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、氨乙基氨丙基三甲氧基硅烷、氨乙基氨丙基甲基二甲氧基硅烷、(N-苯胺基)甲基三甲氧基硅烷、(N-苯胺基)甲基三乙氧基硅烷、二乙基氨基三乙氧基硅烷、氨乙基氨丙基三甲氧基硅烷、氨乙基氨丙基三乙氧基硅烷、氨乙基氨丙基甲基二甲氧基硅烷、氨乙基氨丙基甲基二乙氧基硅烷、二乙烯三胺基丙基三甲氧基硅烷、二乙烯三胺基丙基甲基二甲氧基硅烷、(N-苯胺基)甲基三甲氧基硅烷、(N-苯胺基)甲基三乙氧基硅烷、哌嗪丙基甲基二甲氧基硅烷、3-(N-环己基氨)丙基三甲氧基硅烷、3-(N-环己基氨)丙基甲基二甲氧基硅烷、二甲基氨丙基三甲氧基硅烷、二乙基氨甲基三乙氧基硅烷、二乙基氨丙基三甲氧基硅烷和N-(N-丁基)-3氨丙基三甲氧基硅烷、N,N-二乙基-3-氨丙基三甲氧基硅烷、环己胺基丙基三甲氧基硅烷、二甲基十八烷基[3-(三甲氧基硅基)丙基]氯化铵、N-(2-氨基乙基)-N'-[3-(二甲氧基甲基硅烷基)丙基]-1,2-乙二胺、联胺基丙基甲基二乙氧基硅烷、联胺基甲基甲基二乙氧基硅烷、二甲基联胺基丙基甲基二乙氧基硅烷、二甲基联胺基甲基甲基二乙氧基硅烷、二甲基十八烷基[3-(甲基二甲氧基硅基)丙基]氯化铵、二乙烯三胺基丙基三乙氧基硅烷、二乙烯三胺基丙基甲基二乙氧基硅烷、二乙烯三胺基甲基甲基二乙氧基硅烷、三甲基[3-(三甲氧硅基)丙基]氯化铵、3-三乙氧基硅基丙基三甲基氯化铵、3-氨丙基三羟基硅烷、N-(2-氨乙基)-3-氨丙基甲基二乙氧基硅烷、三(甲基二乙氧基硅基丙基)胺和三(三甲氧基硅基丙基)胺中的一种或多种；
更优选，3-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油丙基(二甲氧基)甲基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷、3-缩水甘油丙基(二乙氧基)甲基硅烷和3-脲丙基三甲氧基硅烷中的一种或多种；
最优选，3-脲丙基三甲氧基硅烷。
7.如权利要求1～6任一项所述的选择性刻蚀液组合物，其特征在于，所述的组分还进一步包含助剂，所述的助剂为无机硅类化合物、氟化物、硫酸、胺盐、有机羧酸、烷基胺、羟基取代的烷基胺和二醇类烷基醚中的一种或多种。
8.如权利要求7所述选择性刻蚀液组合物，其特征在于，所述的无机硅类化合物为二氧化硅、偏硅酸、30％碱性硅溶胶、30％酸性硅溶胶、30％中性硅溶胶、硅酸钾、氮化硅陶瓷颗粒、氮化硅陶瓷粉、纳米氮化硅粉和氮氧化硅粉中的一种或多种；
和/或，所述的无机硅类化合物的含量为10～300ppm，所述的“ppm”为所述的无机硅类化合物的质量占所述的所述选择性刻蚀液组合物总质量的质量百万分比；
和/或，所述的氟化物为HF、氟化铵、氟化氢铵、全氟辛酸、四丁基氟化铵和氟硅酸中的一种或多种；
和/或，所述的氟化物的含量为50～250ppm，所述的“ppm”为所述的无机硅类化合物的质量占所述的所述选择性刻蚀液组合物总质量的质量百万分比；
和/或，所述的硫酸的含量为0.1～10％，所述的“％”为所述的硫酸的质量占所述的所述选择性刻蚀液组合物总质量的质量百分比
和/或，所述的铵盐为氯化铵、磷酸铵和硝酸铵中一种或多种；
和/或，所述的胺盐的含量为0.01～5％，所述的“％”为所述的胺盐的质量占所述的所述选择性刻蚀液组合物总质量的质量百分比；
和/或，所述的有机羧酸为正辛胺、异辛胺、二辛胺、三辛胺、正壬胺、异壬胺、三壬胺、正己胺、二己胺、三己胺、丙胺和乙二胺中的一种或多种；
和/或，所述的烷基胺的含量为0.01～5％，所述的“％”为所述的烷基胺的质量占所述的所述选择性刻蚀液组合物总质量的质量百分比；
和/或，所述的羟基取代的烷基胺为三乙醇胺、异丙醇胺、单乙醇胺、二乙醇胺和二甘醇胺中的一种或多种；
和/或，所述的羟基取代的烷基胺的含量为0.01～5％，所述的“％”为所述的羟基取代的烷基胺的质量占所述的所述选择性刻蚀液组合物总质量的质量百分比；
和/或，所述的二醇类烷基醚为丙二醇丁醚、二丙二醇甲醚、二丙二醇二甲醚、丙二醇正丙醚、二丙二醇正丙醚、二乙二醇单甲醚、乙二醇单丁醚和乙二醇单甲醚中的一种或多种；
和/或，所述的二醇类烷基醚的含量为0.01～5％，所述的“％”为所述的二醇类烷基醚的质量占所述的所述选择性刻蚀液组合物总质量的质量百分比。
9.一种选择性刻蚀液组合物，其特征在于，其为如下任一选择性刻蚀液组合物：
选择性刻蚀液组合物一：所述的选择性刻蚀液组合物由以下组分组成：添加剂、磷酸和水，所述添加剂为式1化合物和/或式2化合物；
其中，R1a、R1b、R1c、R2a、R2b、R2c、R3a、R3b、R3c、Ra、Rb、m、n、X、q、R4、所述添加剂的种类及其含量、所述磷酸的种类及其含量、和所述水的种类及其含量均同权利要求1～6任一项所述；
选择性刻蚀液组合物二：所述的选择性刻蚀液组合物由以下组分组成：添加剂、磷酸、助剂和水；
其中，所述添加剂的种类及其含量、所述的磷酸的种类及其含量、和所述的水的种类及其含量均如权利要求1～8任一项所述，所述的助剂的种类及其含量均如权利要求7或8所述。
10.一种如权利要求1～9任一项所述选择性刻蚀液组合物的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：将各组分混合均匀，即可。
11.一种如权利要求1～9任一项所述选择性刻蚀液组合物，在去除的NAND存储器结构中的氮化层中的应用，所述NAND存储器层叠数层优选32～128层，还可以为192层。
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