CN115011350A - 一种蚀刻组合物、蚀刻方法及应用 - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 408
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 172
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 88
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 137
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 137
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 64
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 claims description 34
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- DCFKHNIGBAHNSS-UHFFFAOYSA-N chloro(triethyl)silane Chemical compound CC[Si](Cl)(CC)CC DCFKHNIGBAHNSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 6
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GPXCORHXFPYJEH-UHFFFAOYSA-N 3-[[3-aminopropyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilyl]propan-1-amine Chemical compound NCCC[Si](C)(C)O[Si](C)(C)CCCN GPXCORHXFPYJEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AOKMFXQCRBQJOP-UHFFFAOYSA-N benzyl trimethylsilyl ether Chemical compound C[Si](C)(C)OCC1=CC=CC=C1 AOKMFXQCRBQJOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GNEPOXWQWFSSOU-UHFFFAOYSA-N dichloro-methyl-phenylsilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 GNEPOXWQWFSSOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KPWVUBSQUODFPP-UHFFFAOYSA-N ethenyl-(ethenyl-methyl-phenylsilyl)oxy-methyl-phenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C)(C=C)O[Si](C)(C=C)C1=CC=CC=C1 KPWVUBSQUODFPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZSMNRKGGHXLZEC-UHFFFAOYSA-N n,n-bis(trimethylsilyl)methanamine Chemical compound C[Si](C)(C)N(C)[Si](C)(C)C ZSMNRKGGHXLZEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UVVUGWBBCDFNSD-UHFFFAOYSA-N tetraisocyanatosilane Chemical compound O=C=N[Si](N=C=O)(N=C=O)N=C=O UVVUGWBBCDFNSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LYZNUCXUQHMFTA-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-heptadecafluorooctane-2-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F LYZNUCXUQHMFTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QNVQPXNRAJFKQV-UHFFFAOYSA-N 1-fluoroethane-1,2-diol Chemical compound OCC(O)F QNVQPXNRAJFKQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XXSAHKBSFJQLLV-UHFFFAOYSA-N Cl[SiH](Cl)Cl.CCCCCC Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl.CCCCCC XXSAHKBSFJQLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 3
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000001261 hydroxy acids Chemical class 0.000 claims description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 72
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 70
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 84
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 70
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 19
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 8
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 4
- -1 silicon oxide compound Chemical class 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical group [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- ICJGKYTXBRDUMV-UHFFFAOYSA-N trichloro(6-trichlorosilylhexyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)CCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl ICJGKYTXBRDUMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
本发明提供一种蚀刻组合物、蚀刻方法及应用，蚀刻组合物包括磷酸、有机硅化合物、氧化剂和水；使用本发明中的蚀刻组合物来蚀刻基板上的氮化硅材料；同时将本发明中的蚀刻组合物应用于蚀刻基板上氮化硅材料的选择性去除。本发明中的蚀刻组合物通过有机硅化合物和氧化剂的共同作用，解决有机硅化合物单独使用时无法提高或提高氮化硅与氧化硅的蚀刻选择性有限的问题，并可提高氮化硅蚀刻速率与蚀刻均匀性，提升工艺表现。
Description
技术领域
本发明属于半导体制造技术领域，特别是涉及一种蚀刻组合物、蚀刻方法及应用。
背景技术
集成电路是现代信息技术的基础，而集成电路制造是集成电路产业重要一环。在半导体制造中，氮化硅和氧化硅为半导体器件中具有代表性的介电材料，经常被使用。衬底上的氮化硅材料的去除通常采用磷酸湿法蚀刻工艺。在特定工艺流程中，需要保护与蚀刻组合物接触的基板上的氧化硅材料的同时，去除氮化硅材料，即达到选择性的去除氮化硅材料的目的，比如在3D NAND器件结构制作中需要在多层氧化硅与氮化硅堆叠的结构中选择性的去除氮化硅而保留氧化硅层。目前，选择性氮化硅蚀刻组合物在氮化硅与氧化硅的蚀刻中面临选择性差、氮化硅层蚀刻均匀性差、容易产生颗粒、无法适应多层堆叠的氮化硅与氧化硅结构的蚀刻等缺陷。
同时，选择性氮化硅蚀刻组合物通常在磷酸溶液中加入硅化合物，氮化硅与氧化硅的蚀刻选择比与蚀刻组合物中硅化合物的浓度、种类相关，但不是所有的硅化合物都可以提供选择性，特殊硅化合物的制备成本高，难度大。发明人实验发现，常见的有机硅化合物(包括含有Si-C键的有机硅化合物)在磷酸溶液中单独作为添加剂使用时很多是无法提高氮化硅的蚀刻选择性的或提高选择性的幅度有限，因此，这就限制了很大一部分有机硅化合物的使用，并且制作成的氮化硅蚀刻组合物难以满足晶圆制造中对氮化硅湿法蚀刻的高选择性要求。
因此，需要提供一种针对上述现有技术不足的改进技术方案。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种蚀刻组合物、蚀刻方法及应用，用于解决现有技术中氮化硅与氧化硅蚀刻选择性差，氮化硅蚀刻速率低，蚀刻均匀性差，无法适应多层堆叠结构、有机硅化合物单独作为蚀刻组合物添加剂时无法单独提高氮化硅与氧化硅的蚀刻选择性或提高的蚀刻选择性有限、有机硅化合物添加剂成本高及制备难度大的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种蚀刻组合物，所述蚀刻组合物包含：磷酸、有机硅化合物、氧化剂和水，
优选地，所述有机硅化合物为含有至少一个硅碳键的有机硅化合物。
优选地，所述有机硅化合物包括3-氨丙基三乙氧基硅烷、七甲基二硅氮烷、二氯(甲基)苯基硅烷、三乙基氯硅烷、1,3-双(3-氨基丙基)四甲基二硅氧烷、1,3-二甲基-1,3-二苯基-1,3-二乙烯基二硅氧烷、二甲氧基二苯基硅烷、二甲氧基二甲基硅烷、苄氧基三甲基硅烷、1,6-双(三氯硅烷基)己烷、N,N,O-三(三甲基硅基)羟胺中的一种或组合。
优选地，所述有机硅化合物包括四异氰酸基硅烷。
优选地，所述有机硅化合物的相对分子量不超过1000。
优选地，所述氧化剂包括臭氧、双氧水、硝酸、硫酸、高氯酸、过氧有机物中的一种或组合。
优选地，所述磷酸溶液在所述蚀刻组合物中所占的质量分数为70wt～95wt％；所述有机硅化合物在所述蚀刻组合物中所占的质量分数为0.01wt％～1wt％；所述氧化剂在所述的蚀刻组合物中所占的质量分数为0.01wt～1wt％；余量为水。
优选地，所述蚀刻组合物还包括含表面活性剂；所述表面活性剂包括乙二醇、全氟已基乙基磺酸、聚乙二醇、乙二醇氟化物、羟基酸、羧酸中的一种或组合。
本发明还提供一种蚀刻组合物的应用，所述蚀刻组合物应用于蚀刻基板上氮化硅材料的选择性去除。
本发明还提供一种蚀刻组合物蚀刻基板上氮化硅材料的方法，所述蚀刻方法包括：使用上述的用于氮化硅层的蚀刻组合物，加热至100～200℃后，来蚀刻所述氮化硅材料。
如上所述，本发明的一种蚀刻组合物、蚀刻方法及应用，具有以下有益效果：
本发明通过创新性的加入氧化剂与有机硅化合物的组合添加剂，解决蚀刻组合物对氮化硅的蚀刻速率低、有机硅硅化合物(包括含有Si-C键的有机硅化合物)的单独作为添加剂时蚀刻组合物无法提高或提高氮化硅与氧化硅的蚀刻选择性较弱的问题。相较于只有有机硅化合物、磷酸和水的蚀刻组合物，通过氧化剂与有机硅化合物的组合作用可进一步提高氮化硅与氧化硅的蚀刻选择性，并可进一步增加氮化硅的蚀刻速率。
附图说明
图1显示为本发明中未经蚀刻的基板的截面扫描电镜图。
图2显示为本发明一种示例中基板上的氮化硅层和氧化硅层均被蚀刻去除的截面扫描电镜图。
图3显示为本发明另一种示例中基板上的氮化硅层和氧化硅层均被部分蚀刻去除的截面扫描电镜图。
图4显示为本发明另一种示例中基板上氮化硅层被部分蚀刻去除、氧化硅层被保留的截面扫描电镜图。
图5显示为本发明另一种示例中基板上氮化硅层被较大部分蚀刻去除、氧化硅层被保留的截面扫描电镜图。
具体实施方式
以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。
在进一步描述本发明具体实施方式之前，应理解，本发明的保护范围不局限于下述特定的具体实施方案；还应当理解，本发明实施例中使用的术语是为了描述特定的具体实施方案，而不是为了限制本发明的保护范围。下列实施例中未注明具体条件的试验方法，通常按照常规条件，或者按照各制造商所建议的条件。
当实施例给出数值范围时，应理解，除非本发明另有说明，每个数值范围的两个端点以及两个端点之间任何一个数值均可选用。除非另外定义，本发明中使用的所有技术和科学术语与本技术领域技术人员通常理解的意义相同。除实施例中使用的具体方法、设备、材料外，根据本技术领域的技术人员对现有技术的掌握及本发明的记载，还可以使用与本发明实施例中所述的方法、设备、材料相似或等同的现有技术的任何方法、设备和材料来实现本发明。
本发明提供一种蚀刻组合物，该蚀刻组合物包括磷酸、有机硅化合物、氧化剂及水；通过加入有机硅化合物和氧化剂组合添加剂的方式，一方面，可通过氧化剂提高氮化硅蚀刻速率，另一方面，可在氧化剂与有机硅化合物的共同作用下，降低有机硅化合物的选择难度，进一步提高氮化硅与氧化硅的湿法蚀刻中氮化硅蚀刻的选择性。
具体的，本发明采用蚀刻组合物对含氮化硅与氧化硅的基板进行蚀刻，在保证氮化硅被蚀刻的同时，氧化硅层保护完好，并且氮化硅的蚀刻速率及氮化硅与氧化硅的蚀刻选择性进一步提高。
作为示例，有机硅化合物包括至少含有一个硅碳键的有机硅化合物。
作为示例，有机硅化合物包括包括3-氨丙基三乙氧基硅烷、七甲基二硅氮烷、二氯(甲基)苯基硅烷、三乙基氯硅烷、1,3-双(3-氨基丙基)四甲基二硅氧烷、1,3-二甲基-1,3-二苯基-1,3-二乙烯基二硅氧烷、二甲氧基二苯基硅烷、二甲氧基二甲基硅烷、苄氧基三甲基硅烷、1,6-双(三氯硅烷基)己烷、N,N,O-三(三甲基硅基)羟胺中的一种或组合。
作为示例，有机硅化合物包括四异氰酸基硅烷。
作为示例，有机硅化合物的相对分子量不超过1000。
具体的，本实施例中的有机硅化合物的相对分子量可包括1000、900、800、700、600、500等任何范围内的值。
作为示例，氧化剂包括臭氧、双氧水、硝酸、硫酸、高氯酸、过氧有机物中的一种或组合。
作为示例，磷酸在蚀刻组合物中所占的质量分数为70～95wt％；有机硅化合物在蚀刻组合物中所占的质量分数为0.01％wt～1wt％；氧化剂在蚀刻组合物中所占的质量分数为0.01wt％～1wt％；余量为水。
具体的，磷酸在蚀刻组合物中所占的质量分数可包括70wt％、75wt％、80wt％、85wt％、90wt％、95wt％等范围内的数值；有机硅化合物在蚀刻化合物中所占的质量分数可包括0.01wt％、0.05wt％、0.1wt％、0.5wt％、0.9wt％、1wt％等范围内的数值；氧化剂在蚀刻组合物中所占的质量份数可包括0.01wt％、0.05wt％、0.1wt％、0.5wt％、0.9wt％、1wt％等范围内的数值。
作为示例，蚀刻组合物还包括表面活性剂。
具体的，表面活性剂包括乙二醇、全氟已基乙基磺酸、聚乙二醇、乙二醇氟化物、羟基酸、羧酸中的一种或组合物。
本发明还提供一种蚀刻组合物的应用，将蚀刻组合物应用于蚀刻基板上氮化硅材料的选择性去除。
具体的，根据蚀刻组合物对氮化硅和氧化硅材料的蚀刻速率选择比不同，采用蚀刻组合物来对蚀刻基板上的氮化硅进行选择性蚀刻。选择比指的是在同一蚀刻条件下一种材料与另一种材料相对蚀刻速率快慢，它定义为被蚀刻材料的蚀刻速率与另一种材料的蚀刻速率的比。因此，氮化硅与氧化硅的蚀刻选择比为同一蚀刻条件下，氮化硅的蚀刻速率与氧化硅的蚀刻速率的比值。
具体的，蚀刻组合物与氮化硅、氧化硅的蚀刻反应机理如下：
在氮化硅与氧化硅的选择性蚀刻时，通常采用高温湿法蚀刻工艺，磷酸蚀刻组合物中包含磷酸和水，氮化硅和氧化硅在磷酸蚀刻组合物中的基本化学反应方程式分别为：
3Si3N4+4H3PO4+36H2O＝4(NH4)3PO4+9Si(OH)4
SiO2+H2O＝Si(OH)4
氮化硅在磷酸蚀刻组合物中蚀刻时，氮化硅的蚀刻速率与工艺温度、水含量、磷酸含量及有机硅化合物的浓度有关；但并不是所有的有机硅化合物均可以提高氮化硅的蚀刻选择性，主要为硅氧化合物。通常认为，氧化硅的蚀刻速率与有机硅化合物的浓度成反比，而且相较于氮化硅，氧化硅的蚀刻速率受蚀刻液中硅氧化合物的浓度影响更大，但蚀刻液中有机硅化合物浓度太低会导致对氮化硅的蚀刻选择比变差。本发明通过有机硅化合物与氧化剂的组合添加剂的方法，生成硅氧化合物，降低有机硅化合物选择与制备难度，进一步提升蚀刻选择性。
本发明还提供一种蚀刻组合物的蚀刻方法，该蚀刻方法包括：将上述蚀刻组合物升温至100℃～200℃来蚀刻氮化硅材料。
具体的，蚀刻组合物的温度可包括100℃、110℃、120℃、130℃、140℃、150℃、160℃、170℃、180℃、190℃、200℃等范围内的数值。
具体步骤为：将蚀刻组合物中的各组分按比例混合，然后将混合物放入聚四氟乙烯容器，封闭升温至100℃～200℃，放入测试晶圆切片，进行蚀刻30min。蚀刻完成后，去除晶圆并用超纯水冲洗、干燥后切片拍摄扫描电镜。其中，测试晶圆的制造方法为在硅晶圆上通过PECVD(电感耦合增强型化学气象沉积)先后沉积厚度为1000A的氮化硅层与厚度为1000A的氧化硅层，并通过干法蚀刻的方法，制造沟槽，以使本发明中的蚀刻组合物通过沟槽与氮化硅、氧化硅材料同时接触。
为了进一步说明本发明中的蚀刻组合物、蚀刻方法及应用，采用如下具体实施例进一步说明。
下述具体实施例中所采用的蚀刻组合物的制备方法均为在质量分数为85wt％的磷酸水溶液中加入添加剂，添加剂为不同有机硅化合物和氧化剂的组合。
具体的，测试晶圆的制造方法为在硅晶圆上通过PECVD(电感耦合增强型化学气象沉积)先后生长厚度为1000A的氮化硅层与厚度为1000A的氧化硅层，并通过干法蚀刻的方法，制造沟槽，以使本实施例中的蚀刻组合物通过沟槽与氮化硅、氧化硅材料同时接触。
实施例1
本实施例提供一种蚀刻组合物，该蚀刻组合物包括85wt％的磷酸溶液100g、3-氨丙基三乙氧基硅烷0.0474g和30wt％双氧水水溶液0.4525g。
本实施例还提供一种蚀刻组合物的蚀刻方法，蚀刻方法具体为：将本实施例中所制备的蚀刻组合物放入聚四氟乙烯容器中，封闭加热至160℃，放入测试晶圆切片进行蚀刻工艺30min。
性能测试：
将本实施例中蚀刻完成后的测试晶圆取出，用超纯水冲洗、干燥后切片并进行分析。经分析可知，本实施例中的蚀刻组合物对测试晶圆切片上的氧化硅层与氮化硅层的蚀刻选择性高，即表明本实施例中的蚀刻组合物对氮化硅的蚀刻速率远大于对氧化硅的蚀刻速率。同时与对照例1对比，本实施例中氮化硅蚀刻速率和氮化硅蚀刻选择性有明显提高。
实施例2
本实施例提供一种蚀刻组合物，该蚀刻组合物包括85wt％的磷酸溶液100g、七甲基二硅氮烷0.0381g和30wt％双氧水水溶液0.4929g。
本实施例还提供一种蚀刻组合物的蚀刻方法，蚀刻方法同实施例1中的蚀刻方法中的步骤相同，在此不再赘述。
本实施例中对蚀刻完成后的测试晶圆切片进行性能测试，性能测试方法同实施例1中的相同，在此不再赘述；经分析可知，本实施例中的蚀刻组合物对测试晶圆切片上的氧化硅层与氮化硅层的蚀刻选择性高，即表明本实施例中的蚀刻组合物对氮化硅的蚀刻速率远大于对氧化硅的蚀刻速率。同时与对照例2对比，本实施例中氮化硅蚀刻速率和氮化硅蚀刻选择性有明显提高。
实施例3
本实施例提供一种蚀刻组合物，该蚀刻组合物包括85wt％的磷酸溶液100g、二氯(甲基)苯基硅烷0.0448g和30wt％的双氧水水溶液0.4920g。
本实施例还提供一种蚀刻组合物的蚀刻方法，蚀刻方法同实施例1中的蚀刻方法中的步骤相同，在此不再赘述。
本实施例中对蚀刻完成后的测试晶圆进行性能测试，性能测试方法同实施例1中的相同，在此不再赘述；经分析可知，本实施例中的蚀刻组合物对测试晶圆切片上的氧化硅层与氮化硅层的蚀刻选择性高，即表明本实施例中的蚀刻组合物对氮化硅的蚀刻速率远大于对氧化硅的蚀刻速率。同时与对照例3对比，本实施例中氮化硅蚀刻速率和氮化硅蚀刻选择性有明显提高。
实施例4
本实施例提供一种蚀刻组合物，该蚀刻组合物包括85wt％的磷酸溶液100g、1,3-双(3-氨基丙基)四甲基二硅氧烷0.0340g和30wt％的双氧水水溶液0.4950g。
本实施例还提供一种蚀刻组合物的蚀刻方法，蚀刻方法同实施例1中的蚀刻方法中的步骤相同，在此不再赘述。
本实施例中对蚀刻完成后的测试晶圆进行性能测试，性能测试方法同实施例1中的相同，在此不再赘述；经分析可知，本实施例中的蚀刻组合物对测试晶圆切片上的氧化硅层与氮化硅层的蚀刻选择性高，即表明本实施例中的蚀刻组合物对氮化硅的蚀刻速率远大于对氧化硅的蚀刻速率。同时与对照例4对比，本实施例中氮化硅蚀刻速率和氮化硅蚀刻选择性有明显提高。
实施例5
本实施例提供一种蚀刻组合物，该蚀刻组合物包括85wt％的磷酸溶液100g、三乙基氯硅烷0.0353g和30wt％的双氧水水溶液0.4870g。
本实施例还提供一种蚀刻组合物的蚀刻方法，蚀刻方法同实施例1中的蚀刻方法中的步骤相同，在此不再赘述。
本实施例中对蚀刻完成后的测试晶圆进行性能测试，性能测试方法同实施例1中的相同，在此不再赘述；经分析可知，本实施例中的蚀刻组合物对测试晶圆切片上的氧化硅层与氮化硅层的蚀刻选择性高，即表明本实施例中的蚀刻组合物对氮化硅的蚀刻速率远大于对氧化硅的蚀刻速率。同时与对照例5对比，本实施例中氮化硅蚀刻速率和氮化硅蚀刻选择性有明显提高。
实施例6
本实施例提供一种蚀刻组合物，该蚀刻组合物包括85wt％的磷酸溶液100g、1,3-二甲基-1,3-二苯基-1,3-二乙烯基二硅氧烷0.0390g和30wt％的双氧水水溶液0.4913g。
本实施例还提供一种蚀刻组合物的蚀刻方法，蚀刻方法同实施例1中的蚀刻方法中的步骤相同，在此不再赘述。
本实施例中对蚀刻完成后的测试晶圆进行性能测试，性能测试方法同实施例1中的相同，在此不再赘述；经分析可知，本实施例中的蚀刻组合物对测试晶圆切片上的氧化硅层与氮化硅层的蚀刻选择性高，即表明本实施例中的蚀刻组合物对氮化硅的蚀刻速率远大于对氧化硅的蚀刻速率。同时与对照例5对比，本实施例中氮化硅蚀刻速率和氮化硅蚀刻选择性有明显提高。
实施例7
本实施例提供一种蚀刻组合物，该蚀刻组合物包括85wt％的磷酸溶液100g、二甲氧基二苯基硅烷0.0535g和30wt％的双氧水水溶液0.4820g。
本实施例还提供一种蚀刻组合物的蚀刻方法，蚀刻方法同实施例1中的蚀刻方法中的步骤相同，在此不再赘述。
本实施例中对蚀刻完成后的测试晶圆进行性能测试，性能测试方法同实施例1中的相同，在此不再赘述；经分析可知，本实施例中的蚀刻组合物对测试晶圆切片上的氧化硅层与氮化硅层的蚀刻选择性高，即表明本实施例中的蚀刻组合物对氮化硅的蚀刻速率远大于对氧化硅的蚀刻速率。同时与对照例7对比，本实施例中氮化硅蚀刻速率和氮化硅蚀刻选择性有明显提高。
实施例8
本实施例提供一种蚀刻组合物，该蚀刻组合物包括85wt％的磷酸溶液100g、1,6-双(三氯硅烷基)己烷0.0433g和30wt％的双氧水水溶液0.4974g。
本实施例还提供一种蚀刻组合物的蚀刻方法，蚀刻方法同实施例1中的蚀刻方法中的步骤相同，在此不再赘述。
本实施例中对蚀刻完成后的测试晶圆进行性能测试，性能测试方法同实施例1中的相同，在此不再赘述；经分析可知，本实施例中的蚀刻组合物对测试晶圆切片上的氧化硅层与氮化硅层的蚀刻选择性高，即表明本实施例中的蚀刻组合物对氮化硅的蚀刻速率远大于对氧化硅的蚀刻速率。同时与对照例8对比，本实施例中氮化硅蚀刻速率和氮化硅蚀刻选择性有明显提高。
实施例9
本实施例提供一种蚀刻组合物，该蚀刻组合物包括85wt％的磷酸溶液100g、苄氧基三甲基硅烷0.0436g和30wt％的双氧水水溶液0.4950g。
本实施例还提供一种蚀刻组合物的蚀刻方法，蚀刻方法同实施例1中的蚀刻方法中的步骤相同，在此不再赘述。
本实施例中对蚀刻完成后的测试晶圆进行性能测试，性能测试方法同实施例1中的相同，在此不再赘述；经分析可知，本实施例中的蚀刻组合物对测试晶圆切片上的氧化硅层与氮化硅层的蚀刻选择性高，即表明本实施例中的蚀刻组合物对氮化硅的蚀刻速率远大于对氧化硅的蚀刻速率。同时与对照例9对比，本实施例中氮化硅蚀刻速率和氮化硅蚀刻选择性有明显提高。
实施例10
本实施例提供一种蚀刻组合物，该蚀刻组合物包括85wt％的磷酸溶液100g、二甲氧基二甲基硅烷0.0276g和30wt％的双氧水水溶液0.4950g。
本实施例还提供一种蚀刻组合物的蚀刻方法，蚀刻方法同实施例1中的蚀刻方法中的步骤相同，在此不再赘述。
本实施例中对蚀刻完成后的测试晶圆进行性能测试，性能测试方法同实施例1中的相同，在此不再赘述；经分析可知，本实施例中的蚀刻组合物对测试晶圆切片上的氧化硅层与氮化硅层的蚀刻选择性高，即表明本实施例中的蚀刻组合物对氮化硅的蚀刻速率远大于对氧化硅的蚀刻速率。同时与对照例10对比，本实施例中氮化硅蚀刻速率和氮化硅蚀刻选择性有明显提高。
实施例11
本实施例提供一种蚀刻组合物，该蚀刻组合物包括85wt％的磷酸溶液100g、二甲氧基二甲基硅烷0.0276g和60wt％的硝酸水溶液0.5100g。
本实施例还提供一种蚀刻组合物的蚀刻方法，蚀刻方法同实施例1中的蚀刻方法中的步骤相同，在此不再赘述。
本实施例中对蚀刻完成后的测试晶圆进行性能测试，性能测试方法同实施例1中的相同，在此不再赘述；经分析可知，本实施例中的蚀刻组合物对测试晶圆切片上的氧化硅层与氮化硅层的蚀刻选择性高，即表明本实施例中的蚀刻组合物对氮化硅的蚀刻速率远大于对氧化硅的蚀刻速率。同时与对照例10对比，本实施例中氮化硅蚀刻速率和氮化硅蚀刻选择性有明显提高。
实施例12
本实施例提供一种蚀刻组合物，该蚀刻组合物包括85wt％的磷酸溶液100g、四异氰酸基硅烷0.0420g和30wt％的双氧水水溶液0.4928g。
本实施例还提供一种蚀刻组合物的蚀刻方法，蚀刻方法同实施例1中的蚀刻方法中的步骤相同，在此不再赘述。
本实施例中对蚀刻完成后的测试晶圆进行性能测试，性能测试方法同实施例1中的相同，在此不再赘述；经分析可知，本实施例中的蚀刻组合物对测试晶圆切片上的氧化硅层与氮化硅层的蚀刻选择性高，即表明本实施例中的蚀刻组合物对氮化硅的蚀刻速率远大于对氧化硅的蚀刻速率。同时与对照例12对比，本实施例中氮化硅蚀刻速率和氮化硅蚀刻选择性有明显提高。
实施例13
本实施例提供一种蚀刻组合物，该蚀刻组合物包括85wt％的磷酸溶液100g、N,N,O-三(三甲基硅基)羟胺0.0534g和30wt％的双氧水水溶液0.5006g。
本实施例还提供一种蚀刻组合物的蚀刻方法，蚀刻方法同实施例1中的蚀刻方法中的步骤相同，在此不再赘述。
本实施例中对蚀刻完成后的测试晶圆进行性能测试，性能测试方法同实施例1中的相同，在此不再赘述；经分析可知，本实施例中的蚀刻组合物对测试晶圆切片上的氧化硅层与氮化硅层的蚀刻选择性高，即表明本实施例中的蚀刻组合物对氮化硅的蚀刻速率远大于对氧化硅的蚀刻速率。同时与对照例13对比，本实施例中氮化硅蚀刻速率和氮化硅蚀刻选择性有明显提高。
对照例1
本对照例中的蚀刻组合物与实施例1中的不同在于：未添加双氧水水溶液，其余一致。
本对照例还提供一种蚀刻组合物的蚀刻方法，蚀刻方法同实施例1中的蚀刻方法中的步骤相同，在此不再赘述。
本对照例中对蚀刻完成后的测试晶圆切片进行结构测试，结构测试方法同实施例1中的相同，在此不再赘述；本对照例中的蚀刻组合物对测试晶圆切片上的氧化硅层与氮化硅层的蚀刻选择性和蚀刻速率均低，即表明相较于实施例1，本对照例中的蚀刻组合物对氮化硅的蚀刻选择性和蚀刻速率相对较低。
对照例2
本对照例中的蚀刻组合物与实施例2中的不同在于：未添加双氧水水溶液，其余一致。
本对照例还提供一种蚀刻组合物的蚀刻方法，蚀刻方法同实施例1中的蚀刻方法中的步骤相同，在此不再赘述。
本对照例中对蚀刻完成后的测试晶圆进行性能测试，性能测试方法同实施例1中的相同，在此不再赘述；本对照例中的蚀刻组合物对测试晶圆切片上的氧化硅层与氮化硅层的蚀刻选择性和蚀刻速率均低，即表明相较于实施例2，本对照例中的蚀刻组合物对氮化硅的蚀刻选择性和蚀刻速率相对较低。
对照例3
本对照例中的蚀刻组合物与实施例3中的不同在于：未添加双氧水水溶液，其余一致。
本对照例还提供一种蚀刻组合物的蚀刻方法，蚀刻方法同实施例1中的蚀刻方法中的步骤相同，在此不再赘述。
本对照例中对蚀刻完成后的测试晶圆进行性能测试，性能测试方法同实施例1中的相同，在此不再赘述；本对照例中的蚀刻组合物对测试晶圆切片上的氧化硅层与氮化硅层的蚀刻选择性和蚀刻速率均低，即表明相较于实施例3，本对照例中的蚀刻组合物对氮化硅的蚀刻选择性和蚀刻速率相对较低。
对照例4
本对照例中的蚀刻组合物与实施例4中的不同在于：未添加双氧水水溶液，其余一致。
本对照例还提供一种蚀刻组合物的蚀刻方法，蚀刻方法同实施例1中的蚀刻方法中的步骤相同，在此不再赘述。
本对照例中对蚀刻完成后的测试晶圆进行性能测试，性能测试方法同实施例1中的相同，在此不再赘述；本对照例中的蚀刻组合物对测试晶圆切片上的氧化硅层与氮化硅层的蚀刻选择性和蚀刻速率均低，即表明相较于实施例4，本对照例中的蚀刻组合物对氮化硅的蚀刻选择性和蚀刻速率相对较低。
对照例5
本对照例中的蚀刻组合物与实施例5中的不同在于：未添加双氧水水溶液，其余一致。
本对照例还提供一种蚀刻组合物的蚀刻方法，蚀刻方法同实施例1中的蚀刻方法中的步骤相同，在此不再赘述。
本对照例中对蚀刻完成后的测试晶圆进行性能测试，性能测试方法同实施例1中的相同，在此不再赘述；本对照例中的蚀刻组合物对测试晶圆切片上的氧化硅层与氮化硅层的蚀刻选择性和蚀刻速率均低，即表明相较于实施例5，本对照例中的蚀刻组合物对氮化硅的蚀刻选择性和蚀刻速率相对较低。
对照例6
本对照例中的蚀刻组合物与实施例6中的不同在于：未添加双氧水水溶液，其余一致。
本对照例还提供一种蚀刻组合物的蚀刻方法，蚀刻方法同实施例1中的蚀刻方法中的步骤相同，在此不再赘述。
本对照例中对蚀刻完成后的测试晶圆进行性能测试，性能测试方法同实施例1中的相同，在此不再赘述；本对照例中的蚀刻组合物对测试晶圆切片上的氧化硅层与氮化硅层的蚀刻选择性和蚀刻速率均低，即表明相较于实施例6，本对照例中的蚀刻组合物对氮化硅的蚀刻选择性和蚀刻速率相对较低。
对照例7
本对照例中的蚀刻组合物与实施例7中的不同在于：未添加双氧水水溶液，其余一致。
本对照例还提供一种蚀刻组合物的蚀刻方法，蚀刻方法同实施例1中的蚀刻方法中的步骤相同，在此不再赘述。
本对照例中对蚀刻完成后的测试晶圆进行性能测试，性能测试方法同实施例1中的相同，在此不再赘述；本对照例中的蚀刻组合物对测试晶圆切片上的氧化硅层与氮化硅层的蚀刻选择性和蚀刻速率均低，即表明相较于实施例7，本对照例中的蚀刻组合物对氮化硅的蚀刻选择性和蚀刻速率相对较低。
对照例8
本对照例中的蚀刻组合物与实施例8中的不同在于：未添加双氧水水溶液，其余一致。
本对照例还提供一种蚀刻组合物的蚀刻方法，蚀刻方法同实施例1中的蚀刻方法中的步骤相同，在此不再赘述。
本对照例中对蚀刻完成后的测试晶圆进行性能测试，性能测试方法同实施例1中的相同，在此不再赘述；本对照例中的蚀刻组合物对测试晶圆切片上的氧化硅层与氮化硅层的蚀刻选择性和蚀刻速率均低，即表明相较于实施例8，本对照例中的蚀刻组合物对氮化硅的蚀刻选择性和蚀刻速率相对较低。
对照例9
本对照例中的蚀刻组合物与实施例9中的不同在于：未添加双氧水水溶液，其余一致。
本对照例还提供一种蚀刻组合物的蚀刻方法，蚀刻方法同实施例1中的蚀刻方法中的步骤相同，在此不再赘述。
本对照例中对蚀刻完成后的测试晶圆进行性能测试，性能测试方法同实施例1中的相同，在此不再赘述；本对照例中的蚀刻组合物对测试晶圆切片上的氧化硅层与氮化硅层的蚀刻选择性和蚀刻速率均低，即表明相较于实施例9，本对照例中的蚀刻组合物对氮化硅的蚀刻选择性和蚀刻速率相对较低。
对照例10
本对照例中的蚀刻组合物与实施例10中的不同在于：未添加双氧水水溶液，其余一致。
本对照例还提供一种蚀刻组合物的蚀刻方法，蚀刻方法同实施例1中的蚀刻方法中的步骤相同，在此不再赘述。
本对照例中对蚀刻完成后的测试晶圆进行性能测试，性能测试方法同实施例1中的相同，在此不再赘述；本对照例中的蚀刻组合物对测试晶圆切片上的氧化硅层与氮化硅层的蚀刻选择性和蚀刻速率均低，即表明相较于实施例10，本对照例中的蚀刻组合物对氮化硅的蚀刻选择性和蚀刻速率相对较低。
对照例11
本对照例中的蚀刻组合物与实施例11中的不同在于：未添加硝酸，其余一致。
本对照例还提供一种蚀刻组合物的蚀刻方法，蚀刻方法同实施例1中的蚀刻方法中的步骤相同，在此不再赘述。
本对照例中对蚀刻完成后的测试晶圆进行性能测试，性能测试方法同实施例1中的相同，在此不再赘述；本对照例中的蚀刻组合物对测试晶圆切片上的氧化硅层与氮化硅层的蚀刻选择性和蚀刻速率均低，即表明相较于实施例11，本对照例中的蚀刻组合物对氮化硅的蚀刻选择性和蚀刻速率相对较低。
对照例12
本对照例中的蚀刻组合物与实施例12中的不同在于：未添加双氧水水溶液，其余一致。
本对照例还提供一种蚀刻组合物的蚀刻方法，蚀刻方法同实施例1中的蚀刻方法中的步骤相同，在此不再赘述。
本对照例中对蚀刻完成后的测试晶圆进行性能测试，性能测试方法同实施例1中的相同，在此不再赘述；本对照例中的蚀刻组合物对测试晶圆切片上的氧化硅层与氮化硅层的蚀刻选择性和蚀刻速率均低，即表明相较于实施例12，本对照例中的蚀刻组合物对氮化硅的蚀刻选择性和蚀刻速率相对较低。
对照例13
本对照例中的蚀刻组合物与实施例13中的不同在于：未添加双氧水水溶液，其余一致。
本对照例还提供一种蚀刻组合物的蚀刻方法，蚀刻方法同实施例1中的蚀刻方法中的步骤相同，在此不再赘述。
本对照例中对蚀刻完成后的测试晶圆进行性能测试，性能测试方法同实施例1中的相同，在此不再赘述；本对照例中的蚀刻组合物对测试晶圆切片上的氧化硅层与氮化硅层的蚀刻选择性和蚀刻速率均低，即表明相较于实施例13，本对照例中的蚀刻组合物对氮化硅的蚀刻选择性和蚀刻速率相对较低。
综上所述，本发明中的蚀刻组合物包含磷酸、有机硅化合物、氧化剂和水，氧化剂中高氯酸、臭氧及过氧有机物等不在此一一测试，氧化性物质具有氧化能力为常识。通过有机硅化合物和氧化剂的共同作用，解决有机硅化合物单独使用时蚀刻组合物无法提高或提高氮化硅与氧化硅的蚀刻选择性有限的问题，进一步提高蚀刻选择性和氮化硅蚀刻速率。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (10)
1.一种蚀刻组合物，其特征在于，所述蚀刻组合物包含：磷酸、有机硅化合物、氧化剂和水。
2.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，所述有机硅化合物为含有至少一个硅碳键的有机硅化合物。
3.根据权利要求2所述的蚀刻组合物，其特征在于，所述有机硅化合物包括3-氨丙基三乙氧基硅烷、七甲基二硅氮烷、二氯(甲基)苯基硅烷、三乙基氯硅烷、1,3-双(3-氨基丙基)四甲基二硅氧烷、1,3-二甲基-1,3-二苯基-1,3-二乙烯基二硅氧烷、二甲氧基二苯基硅烷、二甲氧基二甲基硅烷、苄氧基三甲基硅烷、1,6-双(三氯硅烷基)己烷、N,N,O-三(三甲基硅基)羟胺中的一种或组合。
4.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，所述有机硅化合物包括四异氰酸基硅烷。
5.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，所述有机硅化合物的相对分子量不超过1000。
6.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，所述氧化剂包括臭氧、双氧水、硝酸、硫酸、高氯酸、过氧有机物中的一种或组合。
7.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，
所述磷酸在所述蚀刻组合物中所占的质量分数为70wt～95wt％；
所述有机硅化合物在所述蚀刻组合物中所占的质量分数为0.01wt％～1wt％；
所述氧化剂在所述蚀刻组合物中所占的质量分数为0.01wt～1wt％；
余量为水。
8.根据权利要求1～7中任一所述的蚀刻组合物，其特征在于，所述蚀刻组合物还包括表面活性剂；所述表面活性剂包括乙二醇、全氟已基乙基磺酸、聚乙二醇、乙二醇氟化物、羟基酸、羧酸中的一种或组合。
9.一种根据权利1～8中任一所述的蚀刻组合物的应用，其特征在于，所述蚀刻组合物应用于蚀刻基板上氮化硅材料的选择性去除。
10.一种蚀刻组合物的蚀刻方法，其特征在于，所述蚀刻方法包括：使用如权利要求1～7中任一项所述的蚀刻组合物，加热至100～200℃，来蚀刻氮化硅材料。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210792286.6A CN115011350A (zh) | 2022-07-05 | 2022-07-05 | 一种蚀刻组合物、蚀刻方法及应用 |
| PCT/CN2023/103097 WO2024007909A1 (zh) | 2022-07-05 | 2023-06-28 | 一种蚀刻组合物、蚀刻方法及应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115011350A true CN115011350A (zh) | 2022-09-06 |
Family
ID=83079343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210792286.6A Pending CN115011350A (zh) | 2022-07-05 | 2022-07-05 | 一种蚀刻组合物、蚀刻方法及应用 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115011350A (zh) |
| WO (1) | WO2024007909A1 (zh) |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2024007909A1 (zh) | 2024-01-11 |
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